CAPITULO 5
La perforacion en sdlidos
Los materiales aislantes solidos se emplean fundamentalmente cuando ademas
de efectuar una funcién aislante, también tienen que cumplir simultaneamente
una funcién mecénica. Esta puede ser la suspensién de un conductor (cadena
de aisladores), el apoyo de una barra de tensién (aislador de soporte en una
subestacién) o simplemente la sujecién y el amarre de piezas sometidas a di-
ferencias de potencial.
La determinacién experimental de la ruptura de la rigidez dieléctrica en
los sélidos tropieza con una gran dificultad practica: con frecuencia la rigidez
del medio sélido es superior a la del aire, de alli que al aplicar al primero una
diferencia de tension, la ruptura pueda ocurrir a través del aire circundante.
Esto conlleva a tomar una serie de medidas como anillos de regulacién, in-
mersién del sélido en aceite (obtencién de la tensién de perforacion de aisla-
dores de porcelana y vidrio, etc.) o en dieléctricos superiores, etc.
Si bien existen diferentes teorfas acerca de la ruptura en los sélidos, aqui
solo se describen aquellas que han encontrado amplia aceptacién practica,
diferenciando a los medios homogéneos de los no homogéneos, y a la ruptura
electrotérmica de la electroquimica. La ruptura mecdnica de la rigidez dieléc-
trica no se trata a titulo de subaparte, pues ésta consiste simplemente en el
dafio permanente (contraccién, flexién o elongacién) que las fuerzas elec-
trostaticas del campo le pueden conferir al aislante en cuestién. Como es de
suponer, este tipo de ruptura se da Gnicamente en aislantes sélidos extrema-
damente delgados (ldminas aislantes, pantallas, etc.).
5.1 DIELECTRICOS HOMOGENEOS
Al igual que en el capitulo 3, aqui también es menester diferenciar a los aislan-
tes homogéneos, cuando menos desde un punto de vista macroscépico, de los
135 136 La perforaciin en sélidos
no homogéncos. En los primeros la rigidez dieléctrica puede alcanzar valores
muy elevados (en el orden de MV/m), como por ejemplo en los polimeros or-
ganicos, que lentamente van desplazando a ios aisladores convencionales (vidrio
y pores) be vicos técnicos, como PVG, polictileno, etc., son re-
pr sus ae 10s aisiantes no homogéneos debido a las impurezas e inclu-
siones gaseosas que suelen contener.
La rigidez dieléctrica de los aislantes homogéncos depende, como es de
suponer, del espesor del aislante o material en cuestién. Esto obliga a diferen-
ciar cuando menos a los aislantes muy delgados, de forma laminar (espesor
s <5 mm) de aquellos que acusan un espesor mayor (30 >s > 5 mm).
© s <5 mm: en éstos, como ya se mencioné, la tensién de ruptura Uy
es casi proporcional al gradiente critico, que también conduce a la
ruptura dieléctrica, de alli que se le ame Fg, es decir:
Ua =Ea's (5.1)
El valor de Eg depende fundamentalmente de la estructura molecular
del aislante en referencia. La figura 5.1 da una idea de este comporta-
miento.
@ s > 5 mm: espesores del aislante superiores a 5 mm denotan un com-
portamiento dieléctrico diferente, ain no esclarecido por completo,
en vista de lo cual es prudente limitar el margen de variacién del
espesor (5
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