Puente H con MOSFET activado por compuerta lógica

Universidad de Pamplona
Pamplona - Norte de Santander - Colombia

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PUENTE H CON MOSFET ACTIVADO POR COMPUERTA LÓGICA
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
PRESENTADO A:
ING. MSC (C) JULIO CÉSAR OSPINO ARIAS
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
PAMPLONA - NORTE DE SANTANDER
2017
Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 1

Contenido
INTRODUCCIÓN........................................................................................................................4
OBJETIVOS................................................................................................................................5
MARCO TEÓRICO.....................................................................................................................6
MOSFET................................................................................................................................6
PUENTE H.............................................................................................................................8
CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET..........................................................................................9
Pre-diseño..............................................................................................................................10
MOSFET CANAL N #1 IRF630........................................................................................10
Regresión Lineal.............................................................................................................11
Estimación de Rdon........................................................................................................11
MOSFET CANAL N #2 IRF630........................................................................................12
MOSFET CANAL P #1 IRF 9640........................................................................................15
MOSFET CANAL P #2 IRF 9640........................................................................................19
Tabla de parámetros determinados de los MOSFET N, P...............................................24
CÁLCULOS PARA DETERMINAR R1,R2................................................................................24
NIVELES DE VOLTAJE DE UNA COMPUERTA LOGICA FAMILIA TTL.....................................25
CALCULOS NECESARIOS PARA ACTIVAR LOS MOSFET N,P.................................................28
ANALISIS TERMICO.................................................................................................................32
Análisis térmico MOSFET IRF630 (1)..................................................................................32

Análisis térmico MOSFET IRF630 (2)..................................................................................32

Análisis térmico MOSFET IRF9630 (1)................................................................................33
Análisis térmico MOSFET IRF9640 (2)................................................................................34
RESULTADOS..........................................................................................................................34
GIRO HORARIO...................................................................................................................34
GIRO ANTIHORARIO...........................................................................................................35
ANALISIS DE RESULTADOS......................................................................................................36
CALCULO DE ERROR...........................................................................................................36
CONCLUSIONES......................................................................................................................37
BIBLIOGRAFIA.........................................................................................................................38

INTRODUCCIÓN
Un Puente en H es un circuito electrónico que permite a un motor eléctrico en DC

girar en ambos sentidos, avance y retroceso.
El puente H propuesto se implementará con MOSFET CANAL N y CANAL P

complementarios para activar el motor. Para iniciar un sentido de giro se activaría
los MOSFET CANAL P y N respectivamente; los MOSFET deben estar funcionando
en zona Óhmica para que su funcionamiento sea optimo ya que en esta zona el
voltaje VDS y VSD son pequeños entregando la mayoría del voltaje al motor;
asimismo en esta zona la temperatura de funcionamiento relativamente no es tan
alta; en comparación de la temperatura ambiente.
Para activar los sentidos de giro la señal entrará por una compuerta lógica TTL,
entonces eh aquí donde el diseño del puente H tiene un grado de complejidad
debido a que las compuertas TTL tienen una señal limitada de corriente, dicha
corriente es pequeña lo que ocasionara que los voltajes que activan a los MOSFET
estén condicionados.

OBJETIVOS
 Diseñar un puente H con MOSFET, teniendo en cuenta los

parámetros del Motor seleccionado.
 Analizar del comportamiento de los MOSFET canal P y canal N

respecto a una señal de entrada con compuertas lógicas.
 Identificar el análisis térmico del puente H.

MARCO TEÓRICO
MOSFET.
Principio de operación
MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta

aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra
PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de
canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también
llamada “sílice” o “sílica”) es colocada del lado del semiconductor y una capa de
metal es colocada del lado de la compuerta (Gate).
En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al

drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la fuente
(source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por
la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET,
la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico).
En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores MOSFET se pueden
dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de
óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay
electricidad estática.
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la

compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source).

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe
aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el
drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre
ellos. El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un
puente para los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de
este puente (y la cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión
aplicada a la compuerta.
En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar
Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de

electrones) del canal P del drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y

pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y
fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de la
tensión aplicada a la compuerta. Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la
compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que
circula entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
PUENTE H
El puente H o puente en H es un circuito electrónico que permite a un motor
eléctrico DC girar en ambos sentidos, avanzar y retroceder.
Los puentes H ya vienen hechos en algunos circuitos integrados, pero también se

pueden construir a partir de componentes discretos.
Un puente H se construye con 4 interruptores (mecánicos o mediante transistores).

Cuando los interruptores S1 y S4 están cerrados (S2 y S3 abiertos) se aplica una
tensión positiva en el motor, haciéndolo girar en un sentido. Abriendo los
interruptores S1 y S4 (cerrando S2 y S3), el voltaje se invierte, permitiendo el giro en
sentido inverso del motor.
Un puente H se usa para invertir el giro de un motor, pero también se puede usar
para frenarlo de manera brusca, al hacer un corto entre las bobinas del motor, o
incluso puede usarse para permitir que el motor frene bajo su propia inercia, cuando
desconectamos el motor de la fuente que lo alimenta.
Básicamente se puede hacer esto tomando en cuenta las Sn

La forma más común de hacer un puente H es usando interruptores de estado

sólido (son llamados transistores), puesto que sus tiempos de vida y frecuencias de
conmutación son mucho más altas. En convertidores de potencia es impensable
usar interruptores mecánicos, dado sus especificaciones.
Además los interruptores se acompañan de diodos que permitan a las corrientes

circular en sentido inverso al previsto cada vez que se conmute la tensión puesto
que el motor está compuesto por bobinados que durante varios períodos de tiempo
se opondrán a que la corriente varié.
CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET
(Activado por compuerta lógica)
Fig. 5 circuito puente H con MOSFET

Pre-diseño
Estimación de las constantes Kn y Kp, RDON para los MOSFET CANAL P y
N.
MOSFET CANAL N #1 IRF630

VGS-VTH
VGG (V) VGS (V) ID (A) VDS (V) (V) MODO DE OPERACIÓN
3,34 3,06 0,00025 19,98 0 SATURACION
3,56 3,26 0,002 19,95 0,2 SATURACION
3,73 3,41 0,0087 19,85 0,35 SATURACION
3,91 3,57 0,0307 19,5 0,51 SATURACION
4,16 3,77 0,081 18,71 0,71 SATURACION
4,34 3,92 0,0985 18,5 0,86 SATURACION
4,55 4,02 0,185 16,8 0,96 SATURACION
4,7 4,16 0,26 16,03 1,1 SATURACION
4,9 4,29 0,39 14,26 1,23 SATURACION
5,1 4,51 0,57 11,33 1,45 SATURACION
5,38 4,59 0,71 8,8 1,53 SATURACION
5,5 4,71 0,79 7,54 1,65 SATURACION
5,75 4,94 0,98 5,3 1,88 SATURACION
5,9 5,13 1,05 2,16 2,07 SATURACION
6,14 5,4 1,07 2 2,34 OHMICA
6,34 5,66 1,06 1,8 2,6 OHMICA
6,51 5,8 1,08 1,8 2,74 OHMICA
6,73 6,11 1,08 1,75 3,05 OHMICA
6,92 6,28 1,07 1,85 3,22 OHMICA
7,1 6,5 1,08 1,75 3,44 OHMICA
7,34 6,67 1,08 1,76 3,61 OHMICA
7,5 6,84 1,08 1,77 3,78 OHMICA
7,7 7,01 1,09 1,75 3,95 OHMICA
7,9 7,17 1,09 1,77 4,11 OHMICA
8,15 7,41 1,09 1,72 4,35 OHMICA
8,3 7,5 1,09 1,77 4,44 OHMICA
8,5 7,76 1,09 1,73 4,7 OHMICA
8,75 7,96 1,09 1,69 4,9 OHMICA

8,9 8,09 1,09 1,7 5,03 OHMICA

9,14 8,3 1,09 1,69 5,24 OHMICA
9,3 8,44 1,09 1,75 5,38 OHMICA
9,5 8,6 1,09 1,72 5,54 OHMICA
9,74 8,85 1,09 1,76 5,79 OHMICA
9,94 9,03 1,09 1,77 5,97 OHMICA
Regresió n Lineal
ID VS VGS
1.2
f(x) = 0.29 x² − 1.77 x + 2.71
1 R² = 0.98
0.8
ID (A)
0.6
0.4
0.2
0
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
VGS (V)
Estimació n de Rdon.
ID (A) VDS (V) RDON
1,07 2 1,86915888
1,06 1,8 1,69811321
1,08 1,8 1,66666667
1,08 1,75 1,62037037
1,07 1,85 1,72897196
1,08 1,75 1,62037037
1,08 1,76 1,62962963
1,08 1,77 1,63888889

1,09 1,75 1,60550459

1,09 1,77 1,62385321
1,09 1,72 1,57798165
1,09 1,77 1,62385321
1,09 1,73 1,58715596
1,09 1,69 1,55045872
1,09 1,7 1,55963303
1,09 1,69 1,55045872
1,09 1,75 1,60550459
1,09 1,72 1,57798165
1,09 1,76 1,6146789
1,09 1,77 1,62385321
RDON PROM 1,62865437
Para poder realizar la regresión lineal es necesario escoger el rango donde el

A
MOSFET este en modo SATURACION para poder hallar el valor de Kn=0,2854.
V2
MOSFET CANAL N #2 IRF630

VGS-VTH MODO DE
VGG (V) VGS (V) ID (A) VDS (V) (V) OPERACIÓN
SATURACIO
3,43 3,14 0,00025 20 0 N
SATURACIO
3,64 3,34 0,00155 20 0,2 N
SATURACIO
3,8 3,48 0,00436 19,95 0,34 N
SATURACIO
4 3,68 0,026 19,5 0,54 N
SATURACIO
4,2 3,85 0,066 18,9 0,71 N
SATURACIO
4,4 4 0,091 19 0,86 N
4,63 4,21 0,13 17,7 1,07 SATURACIO

N
SATURACIO
4,8 4,4 0,22 16,4 1,26 N
SATURACIO
5 4,57 0,38 13,86 1,43 N
SATURACIO
5,2 4,76 0,53 11,5 1,62 N
SATURACIO
5,4 4,92 0,66 9,6 1,78 N
SATURACIO
5,6 5,1 0,81 7 1,96 N
SATURACIO
5,8 5,28 0,94 5,15 2,14 N
SATURACIO
6 5,5 1,07 2,84 2,36 N
6,2 5,64 1,12 2,1 2,5 OHMICA
6,4 5,8 1,12 2 2,66 OHMICA
6,6 6 1,12 1,99 2,86 OHMICA
6,8 6,18 1,13 1,95 3,04 OHMICA
7 6,36 1,13 1,89 3,22 OHMICA
7,2 6,56 1,13 1,85 3,42 OHMICA
7,4 6,73 1,13 1,8 3,59 OHMICA
7,6 6,91 1,13 1,8 3,77 OHMICA
7,8 7,11 1,13 1,8 3,97 OHMICA
8 7,28 1,13 1,79 4,14 OHMICA
8,2 7,46 1,13 1,8 4,32 OHMICA
8,4 7,64 1,13 1,8 4,5 OHMICA
8,6 7,82 1,14 1,8 4,68 OHMICA
8,8 8,03 1,14 1,84 4,89 OHMICA
9 8,18 1,13 1,8 5,04 OHMICA
9,2 8,3 1,14 1,8 5,16 OHMICA
9,4 8,55 1,13 1,8 5,41 OHMICA
9,6 8,73 1,13 1,78 5,59 OHMICA
9,8 8,9 1,13 1,8 5,76 OHMICA
10 9,08 1,13 1,79 5,94 OHMICA

Regresió n Lineal
ID VS VGS
1.2
f(x) = 0.24 x² − 1.58 x + 2.59
1 R² = 0.99
0.8
ID(A)
0.6
0.4
0.2
0
3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
VGS (V)
ID (A) VDS (V) RDON
1,12 2,1 1,875
1,12 2 1,78571429
1,12 1,99 1,77678571
1,13 1,95 1,72566372
1,13 1,89 1,67256637
1,13 1,85 1,63716814
1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,79 1,5840708
1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,8 1,59292035
1,14 1,8 1,57894737
1,14 1,84 1,61403509
1,13 1,8 1,59292035

1,14 1,8 1,57894737

1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,78 1,57522124
1,13 1,8 1,59292035
1,13 1,79 1,5840708

A
MOSFET este en modo SATURACION para poder hallar el valor de Kn=0,2384.
V2
MOSFET CANAL P #1 IRF 9640

VGS-VTH MODO DE
VGG (V) VSG (V) ID (A) VDS (V) (V) OPERACIÓN
16,8 2,97 0,00025 20 0 SATURACION
16,7 3,35 0,002 20 0,38 SATURACION
16,6 3,16 0,00029 20 0,19 SATURACION
16,5 3,28 0,00909 19,82 0,31 SATURACION
16,4 3,35 0,0156 19,6 0,38 SATURACION
16,3 3,43 0,0288 19,52 0,46 SATURACION
16,2 3,51 0,052 18,9 0,54 SATURACION
16,1 3,58 0,0794 18,36 0,61 SATURACION
16 3,64 0,112 17,7 0,67 SATURACION
15,9 3,72 0,163 16,67 0,75 SATURACION
15,8 3,75 0,21 16,35 0,78 SATURACION
15,7 3,8 0,26 15,3 0,83 SATURACION
15,6 3,85 0,32 14,3 0,88 SATURACION
15,5 3,91 0,39 12,9 0,94 SATURACION
15,4 3,94 0,45 12,1 0,97 SATURACION
15,3 3,99 0,5 10,97 1,02 SATURACION
15,2 4 0,57 9,81 1,03 SATURACION
15,1 4,06 0,63 8,82 1,09 SATURACION
15 4,09 0,67 8,8 1,12 SATURACION
14,9 4,16 0,76 6,66 1,19 SATURACION
14,8 4,18 0,79 6,05 1,21 SATURACION

14,7 4,24 0,88 4,25 1,27 SATURACION

14,6 4,27 0,94 3,25 1,3 SATURACION
14,5 4,32 0,98 2,5 1,35 SATURACION
14,4 4,38 1,02 2 1,41 SATURACION
14,3 4,45 1,03 1,43 1,48 OHMICA
14,2 4,53 1,03 1,42 1,56 OHMICA
14,1 4,59 1,03 1,39 1,62 OHMICA
14 4,68 1,03 1,35 1,71 OHMICA
13,9 4,68 1,03 1,34 1,71 OHMICA
13,8 4,75 1,03 1,34 1,78 OHMICA
13,7 4,8 1,03 1,34 1,83 OHMICA
13,6 5 1,03 1,35 2,03 OHMICA
13,5 5,1 1,03 1,34 2,13 OHMICA
13,4 5,2 1,03 1,35 2,23 OHMICA
13,3 5,25 1,03 1,35 2,28 OHMICA
13,2 5,4 1,03 1,35 2,43 OHMICA
13,1 5,47 1,03 1,35 2,5 OHMICA
13 5,47 1,03 1,35 2,5 OHMICA
12,9 5,59 1,03 1,34 2,62 OHMICA
12,8 5,7 1,03 1,35 2,73 OHMICA
12,7 5,77 1,03 1,34 2,8 OHMICA
12,6 5,8 1,03 1,36 2,83 OHMICA
12,5 5,88 1,03 1,35 2,91 OHMICA
12,4 5,95 1,03 1,34 2,98 OHMICA
12,3 5,98 1,03 1,32 3,01 OHMICA
12,2 6,09 1,03 1,32 3,12 OHMICA
12,1 6,18 1,03 1,29 3,21 OHMICA
12 6,4 1,03 1,31 3,43 OHMICA
11,9 6,5 1,03 1,3 3,53 OHMICA
11,8 6,34 1,03 1,28 3,37 OHMICA
11,7 6,5 1,03 1,3 3,53 OHMICA
11,6 6,58 1,03 1,3 3,61 OHMICA
11,5 6,7 1,03 1,29 3,73 OHMICA
11,4 6,8 1,03 1,3 3,83 OHMICA
11,3 6,9 1,03 1,29 3,93 OHMICA

11,2 7,18 1,03 1,28 4,21 OHMICA

11,1 7,3 1,04 1,27 4,33 OHMICA
11 7,4 1,04 1,26 4,43 OHMICA
10,9 7,48 1,04 1,26 4,51 OHMICA
10,8 7,61 1,04 1,27 4,64 OHMICA
10,7 7,7 1,04 1,26 4,73 OHMICA
10,6 7,78 1,04 1,25 4,81 OHMICA
10,5 7,85 1,04 1,26 4,88 OHMICA
10,4 7,92 1,04 1,26 4,95 OHMICA
10,3 8 1,04 1,26 5,03 OHMICA
10,2 8,1 1,04 1,25 5,13 OHMICA
10,1 8,18 1,04 1,25 5,21 OHMICA
10 8,28 1,04 1,25 5,31 OHMICA
Regresió n Lineal
ID VS VSG
1.2
1 f(x) = 0.77 x² − 4.91 x + 7.76

R² = 0.99
0.8
ID (A)
0.6
0.4
0.2
0
2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 4.2 4.4 4.6
VSG (V)
ID (A) VDS (V) RDON
1,03 1,43 1,38834951

1,03 1,42 1,37864078

1,03 1,39 1,34951456
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,36 1,32038835
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,32 1,2815534
1,03 1,32 1,2815534
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,31 1,27184466
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,28 1,24271845
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,28 1,24271845
1,04 1,27 1,22115385
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,27 1,22115385

1,04 1,26 1,21153846

1,04 1,25 1,20192308
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,25 1,20192308
1,04 1,25 1,20192308
1,04 1,25 1,20192308

MOSFET está en modo SATURACION para poder hallar el valor de:
A
K P=0,7749
V2
MOSFET CANAL P #2 IRF 9640

VGS-VTH MODO DE
VGG (V) VSG (V) ID (A) VDS (V) (V) OPERACIÓN
SATURACIO
16,8 2,94 0,00025 20 0 N
SATURACIO
16,7 3,45 0,002 19,9 0,51 N
SATURACIO
16,6 3,18 0,00029 19,88 0,24 N
SATURACIO
16,5 3,25 0,00909 19,82 0,31 N
SATURACIO
16,4 3,38 0,0156 19,6 0,44 N
SATURACIO
16,3 3,45 0,0288 19,42 0,51 N
SATURACIO
16,2 3,53 0,052 18,8 0,59 N
SATURACIO
16,1 3,59 0,0794 18,26 0,65 N
SATURACIO
16 3,66 0,112 17,57 0,72 N

SATURACIO
15,9 3,73 0,163 16,77 0,79 N
SATURACIO
15,8 3,76 0,21 16,45 0,82 N
SATURACIO
15,7 3,82 0,26 15,38 0,88 N
SATURACIO
15,6 3,85 0,32 14,13 0,91 N
SATURACIO
15,5 3,92 0,39 12,79 0,98 N
SATURACIO
15,4 3,95 0,45 12,3 1,01 N
SATURACIO
15,3 3,99 0,5 10,77 1,05 N
SATURACIO
15,2 4,01 0,57 9,91 1,07 N
SATURACIO
15,1 4,06 0,63 8,72 1,12 N
SATURACIO
15 4,09 0,67 8,88 1,15 N
SATURACIO
14,9 4,16 0,76 6,56 1,22 N
SATURACIO
14,8 4,19 0,79 6,25 1,25 N
SATURACIO
14,7 4,24 0,88 4,35 1,3 N
SATURACIO
14,6 4,27 0,94 3,35 1,33 N
SATURACIO
14,5 4,33 0,98 2,45 1,39 N
SATURACIO
14,4 4,39 1,02 2,1 1,45 N
14,3 4,45 1,03 1,46 1,51 OHMICA
14,2 4,53 1,03 1,42 1,59 OHMICA
14,1 4,59 1,03 1,39 1,65 OHMICA
14 4,68 1,03 1,35 1,74 OHMICA
13,9 4,68 1,03 1,34 1,74 OHMICA
13,8 4,75 1,03 1,34 1,81 OHMICA

13,7 4,8 1,03 1,34 1,86 OHMICA

13,6 5 1,03 1,35 2,06 OHMICA
13,5 5,1 1,03 1,34 2,16 OHMICA
13,4 5,2 1,03 1,35 2,26 OHMICA
13,3 5,25 1,03 1,35 2,31 OHMICA
13,2 5,4 1,03 1,35 2,46 OHMICA
13,1 5,47 1,03 1,35 2,53 OHMICA
13 5,47 1,03 1,35 2,53 OHMICA
12,9 5,59 1,03 1,34 2,65 OHMICA
12,8 5,7 1,03 1,35 2,76 OHMICA
12,7 5,77 1,03 1,34 2,83 OHMICA
12,6 5,8 1,03 1,36 2,86 OHMICA
12,5 5,88 1,03 1,35 2,94 OHMICA
12,4 5,95 1,03 1,34 3,01 OHMICA
12,3 5,98 1,03 1,32 3,04 OHMICA
12,2 6,09 1,03 1,32 3,15 OHMICA
12,1 6,18 1,03 1,29 3,24 OHMICA
12 6,4 1,03 1,31 3,46 OHMICA
11,9 6,5 1,03 1,3 3,56 OHMICA
11,8 6,34 1,03 1,28 3,4 OHMICA
11,7 6,5 1,03 1,3 3,56 OHMICA
11,6 6,58 1,03 1,3 3,64 OHMICA
11,5 6,7 1,03 1,29 3,76 OHMICA
11,4 6,8 1,03 1,3 3,86 OHMICA
11,3 6,9 1,03 1,29 3,96 OHMICA
11,2 7,18 1,03 1,28 4,24 OHMICA
11,1 7,3 1,04 1,29 4,36 OHMICA
11 7,4 1,04 1,29 4,46 OHMICA
10,9 7,48 1,04 1,28 4,54 OHMICA
10,8 7,61 1,04 1,29 4,67 OHMICA
10,7 7,7 1,04 1,27 4,76 OHMICA
10,6 7,78 1,04 1,28 4,84 OHMICA
10,5 7,85 1,04 1,29 4,91 OHMICA
10,4 7,92 1,04 1,27 4,98 OHMICA
10,3 8 1,04 1,26 5,06 OHMICA

10,2 8,1 1,04 1,27 5,16 OHMICA

10,1 8,18 1,04 1,26 5,24 OHMICA
10 8,28 1,04 1,25 5,34 OHMICA
Regresió n Lineal
ID VS VSG
1.2
1 f(x) = 0.78 x² − 4.92 x + 7.77

R² = 0.99
0.8
ID (A)
0.6
0.4
0.2
0
2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 4 4.2 4.4 4.6
VSG (V)
Polynomial ()
ID (A) VDS (V) RDON
1,03 1,46 1,41747573
1,03 1,42 1,37864078
1,03 1,39 1,34951456
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087

1,03 1,35 1,31067961

1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,36 1,32038835
1,03 1,35 1,31067961
1,03 1,34 1,30097087
1,03 1,32 1,2815534
1,03 1,32 1,2815534
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,31 1,27184466
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,28 1,24271845
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,3 1,26213592
1,03 1,29 1,25242718
1,03 1,28 1,24271845
1,04 1,29 1,24038462
1,04 1,29 1,24038462
1,04 1,28 1,23076923
1,04 1,29 1,24038462
1,04 1,27 1,22115385
1,04 1,28 1,23076923
1,04 1,29 1,24038462
1,04 1,27 1,22115385
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,27 1,22115385
1,04 1,26 1,21153846
1,04 1,25 1,20192308


MOSFET está en modo SATURACION para poder hallar el valor de:
A
K P=0,776
V2
Tabla de pará metros determinados de los MOSFET N, P.

Referencia V th(V) R DON (Ω) A
K N , P( )
V2
IRF9630 (1) 2,97 1,27 0,7749
IRF9630 (2) 2,94 1,27 0,776
IRF630 (1) 3,06 1,63 0,2854
IRF630 (2) 3,14 1,64 0,238
CÁ LCULOS PARA DETERMINAR R1,R2
Fig. 6 circuito transistores BJT
IC
=I B
β
Donde I C es la corriente del transistor, y β es la ganancia de los transistores BJT

dador por I C =100 mA

β=319, al reemplazar en la ecuación obtenemos a I B=310 µA .
β=280, al reemplazar en la ecuación obtenemos a I B=360 µA .
Fig. 7 compuerta lógica
NIVELES DE VOLTAJE DE UNA COMPUERTA LOGICA FAMILIA TTL
Fig. 8 niveles lógicos.

A partir de los niveles lógicos de la compuerta podemos verificar la ecuación

característica y calcular el voltaje y la corriente de la compuerta Con la ecuación
siendo estos valores primordiales para poder activar el BJT en su zona de
saturación y así lograr poder activar el puente H.
VOH = 3,15 V
Aplicando LVK en la malla se obtiene
−3,15 V +(R¿ ¿ B∗310 µA )+ 0,6 ¿
Reemplazando:
I OH =I B=310 µA
V OH =3,15 V
V OH −0,6 V
R B=
I OH
Obtenemos:
R B 1=8,2 KΩ
R B 2=7 KΩ
Sabiendo que la corriente de COLECTOR típica en el transistor BC547 es:
I C =100 mA
Entonces por ley de ohm podemos calcular R1 sabiendo que los MOSFET canal P
IRF 9630 deben estar conduciendo en la zona óhmica.

Fig. 9 circuito MOSFET canal P
10 V
R 1= =100 Ω
100 mA
Para cuando el BJT se encuentra abierto entonces se nos forma un nuevo circuito
formado por la resistencia R1 y R3 , dado que ya tenemos el valor de la resistencia
R1 aplicamos LVK en la malla y obtenemos el valor de la resistencia R3, sabiendo
que las condiciones para que se active un MOSFET en zona óhmica:
CANAL N CANAL P
V GS >V TH V SG >−V TH
V DS <V GS−V TH V SD <V GS+ V TH

Fig. 10 malla en circuito para un sentido de giro
Sabiendo que el MOSFET para que este en corte, su voltaje V SG debe ser menor
que V TH =2,97, el cual fue calculado en las mediciones de la regresión de cada
MOSFET
V SG 1 ≤2,97 V
Establecemos un voltaje V SG 1 =1,5V
Se establece debido a que si el voltaje en el MOSFET es cero no me va a trabajar

adecuadamente en sus dos zonas (corte y zona óhmica).
Cuando se establece el voltaje de V SG 1 =1,5V aparece una nueva corriente que la

podemos ver en la figura anterior, mediante una diferencia de tensión entre la
fuente 10V y el voltaje en la resistencia R1 hallamos el voltaje en la resistencia R3
teniendo en cuenta que para poder realizar este cálculo los MOSFET canal N deben
activarse en zona óhmica.

R3=10 V −1,5V =8,5 V
Luego podeos calcular el valor de la resistencia por medio de la ley de OHM.
8,5 V
R 3= =850 Ω
10 mA
De esta manera los cálculos para las resistencias R2 y R 4 son iguales estableciendo
los mismos valores para cada una.
CALCULOS NECESARIOS PARA ACTIVAR LOS MOSFET N,P

Datos del motor
V+ IM(mA) IA(A)
10 260 1,7

Fig. 11 malla en circuito para sentido de giro horario
ECUACION PARA HALLAR EL VOLTAJE V P 1
A
V TH =2,97 V ; R DON =1,27 Ω; K P 1=0,77 ; I A=1,7 A
V2
1
I A∗( R DON )2−2 V TH ∗RDON +
K P1
V P 1 ≤ V DD − =11,38 V
2 R DON

ECUACION PARA HALLAR EL VOLTAJE V N 2
A
V TH =3,06 V ; R DON =1,62 Ω; K N 2=0,28 ; I A=1,7 A
V2
1
I A∗( R DON )2 +2 V TH∗R DON +
KN 2
V N 2 ≥− =5,54 V
2 R DON
CALCULOS NECESARIOS PARA ACTIVAR LOS MOSFET N,P
Datos del motor
V+ IM(mA) IA(A)
10 260 1,7

Fig. 12 malla para circuito en sentido de giro antihorario
ECUACION PARA HALLAR EL VOLTAJE V P 2
A
V TH =2,945V ; R DON =1,27 Ω; K P 2=0,776 ; I A=1,7 A
V2
1
I A∗( R DON )2−2V TH ∗R DON +
K P2
V P 2 ≤ V DD − =11,36 V
2 R DON
ECUACION PARA HALLAR EL VOLTAJE V N 1

A
V TH =3,14 V ; R DON =1,63 Ω; K N 1=0,238 ; I A=1,7 A
V2
1
I A∗( R DON )2 +2 V TH∗R DON +
KN 1
V N 1 ≥− =5,81 V
2 R DON
Comparando estos cálculos con los hallados en el diseño donde se estableció un

voltaje en los MOSFET de canal P y N vemos que estamos dentro de los rangos
establecidos
ANALISIS TERMICO
Aná lisis térmico MOSFET IRF630 (1)
Ta=32 ℃ Temperatura máxima de ambiente (pamplona)
ℑ=260 mA
RDON=1,62 Ω
RθJA=62,5℃ /W

Por ley de ohm térmica: temperatura de unión (TJ)
TJ −Ta=ℑ2∗RDON∗RθJA
Reemplazando se obtiene
TJ =26,32℃ +32 ℃=58,32 ℃
58,32 ℃
Hallamos la constante del disipador K= =0,38
150 ℃
Se comprueba que el MOSFET IRF630 (1) no necesita disipador de calor.
ℑ=260 mA
RDON=1,63 Ω
RθJA =62,5℃ /W
TJ =26,48 ℃+ 32℃=58,48 ℃
58,48 ℃
150 ℃

ℑ=260 mA
RDON=1,27 Ω
RθJA=62,5℃ /W
TJ =20,63 ℃+ 32℃=52,63 ℃
52,63 ℃
150 ℃
ℑ=260 mA
RDON=1,27 Ω
RθJA =62,5℃ /W

TJ =20,63 ℃+ 32℃=52,63 ℃
52,63 ℃
150 ℃
RESULTADOS
GIRO HORARIO
VOH = 3,24 V IM= O,72 A VM = 8,3V
BJT #1 BJT #2
IB 0,4mA 0,14mA
IC 3,7mA 93mA
VCE 8,53V 3,5V
IRF 9630 #1 IRF 9630 #2

VSG 1,35V 5,3V
VSD 9,22V 0,47V
ID 0,73A 0A
Td 23°C 21°C
IRF 630 #1 IRF 630 #2

VGS 8,1V 3,2 V
VDS 0,3V 8,6V
ID 0A 0,72A
Td 20°C 24°C

GIRO ANTIHORARIO
VOH = 3,16 V IM= O,71 A VM = 8,5V
BJT #1 BJT #2
IB 0,15mA 0,03mA
IC 95mA 3,8mA
VCE 3,3V 8,6V
IRF 9630 #1 IRF 9630 #2

VSG 5,4V 1,42V
VSD 0,52V 9,32V
ID 0A 0,72A
Td 21°C 23°C
IRF 630 #1 IRF 630 #2

VGS 3,4 V 8,2V
VDS 8,5V 0,3V
ID 0,72A 0A
Td 24°C 20°C
ANALISIS DE RESULTADOS
CALCULO DE ERROR
Valor teorico−Valor real

%Error = ∗100
Valor teorico
IC BJT #1
100 mA−93 mA
%Error = ∗100 = 7%
100 mA
IC BJT #2

100 mA−95 mA
%Error = ∗100 = 5%
100 mA
Tc IRF 630 #1
26,32° C−24 ° C
%Error = ∗100 = 8,81%
26,32° C
Tc IRF 630 #2
26,48° C−24 ° C
%Error = ∗100 = 9,3%
26,48° C
Tc IRF 9630 #1
20,63° C−23 ° C
%Error = ∗100 = 11%
20,63 ° C
Tc IRF 9630 #2
20,63° C−22° C
%Error = ∗100 = 6,64%
20,63 ° C
CONCLUSIONES
 Según las mediciones tomadas en el circuito del puente H y los

cálculos teóricos, se encuentra que la señal de las compuertas es
suficiente para activar los transistores BJT los cuales a su vez activan
los MOSFET de canal N y P dependiendo el sentido de giro que se
desee.

 La implementación del puente H se hizo en base a la teoría

desarrollada en el trabajo anterior, la cual nos permitía analizar el
comportamiento del MOSFET en una aplicación como interruptor,
teniendo en cuenta el análisis térmico obtenido en el pre diseño para
los cuales no se necesita disipador lo cual se vio reflejado en la
práctica con unas temperaturas bajas.
 Los MOSFET tienen una caída de tensión la cual se debe a la

resistencia que encontramos entre Gate y Source de los transistores
con lo cual el voltaje del motor disminuye proporcionalmente.
 Se calculan los porcentajes de error en los datos tomados en los

cuales se aprecian porcentajes bajos lo cual comprueba los datos
teóricos.
BIBLIOGRAFIA
- PUENTE H
Autor: Everardo medina, Blog
http://blutintegrado.blogspot.com.co/2012/05/puente-h.html
Última modificación, MARTES, 22 DE MAYO DE 2012
Accedida, 8:25 pm 30/04/2017

- MOSFET
Sitio Web.
Colaboración:
– Ing. Juan Tapia Farias – Hugo G. Abalos – Ing. Gustavo Martín
– Diego Fernando Muñoz – Iván Blanco Barrera – Mario Núñez D.
– Nicolas Palladino – Ing. Miguel Angel – Fernando Cereijo Martin (Thunor)
– Luis González López – José Olaves – Hugo Méndez
Electrónica 2000
http://unicrom.com/mosfet-mos-fet/
Accedida, 7:47 pm 29/04/2017
- PUENTE H CON MOSFET

Autor: Mario
http://www.neoteo.com/puente-h-con-mosfet-para-motores-cc/
Última modificación, 23 Enero, 2010, 3:32 pm
Accedida, 9:10 pm 30/04/2017

Puente H con MOSFET activado por compuerta lógica

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Universidad de Pamplona

Pamplona - Norte de Santander - Colombia

PUENTE H CON MOSFET ACTIVADO POR COMPUERTA LÓGICA

ING. MSC (C) JULIO CÉSAR OSPINO ARIAS

PAMPLONA - NORTE DE SANTANDER

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 1

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 2

Análisis térmico MOSFET IRF630 (2)..................................................................................32

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 3

Un Puente en H es un circuito electrónico que permite a un motor eléctrico en DC

El puente H propuesto se implementará con MOSFET CANAL N y CANAL P

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 4

 Diseñar un puente H con MOSFET, teniendo en cuenta los

 Analizar del comportamiento de los MOSFET canal P y canal N

 Identificar el análisis térmico del puente H.

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 5

MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta

En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 6

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la

En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar

Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 7

Los puentes H ya vienen hechos en algunos circuitos integrados, pero también se

Un puente H se construye con 4 interruptores (mecánicos o mediante transistores).

Básicamente se puede hacer esto tomando en cuenta las Sn

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 8

La forma más común de hacer un puente H es usando interruptores de estado

Además los interruptores se acompañan de diodos que permitan a las corrientes

CIRCUITO PUENTE H CON MOSFET

(Activado por compuerta lógica)

Fig. 5 circuito puente H con MOSFET

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 9

MOSFET CANAL N #1 IRF630

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 10

8,9 8,09 1,09 1,7 5,03 OHMICA

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 11

1,09 1,75 1,60550459

Para poder realizar la regresión lineal es necesario escoger el rango donde el

MOSFET CANAL N #2 IRF630

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 12

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 13

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 14

1,14 1,8 1,57894737

Para poder realizar la regresión lineal es necesario escoger el rango donde el

MOSFET CANAL P #1 IRF 9640

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 15

14,7 4,24 0,88 4,25 1,27 SATURACION

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 16

11,2 7,18 1,03 1,28 4,21 OHMICA

1 f(x) = 0.77 x² − 4.91 x + 7.76

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 17

1,03 1,42 1,37864078

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 18

1,04 1,26 1,21153846

Para poder realizar la regresión lineal es necesario escoger el rango donde el

MOSFET CANAL P #2 IRF 9640

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 19

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 20

13,7 4,8 1,03 1,34 1,86 OHMICA

Una universidad incluyente y comprometida con el desarrollo integral 21

10,2 8,1 1,04 1,27 5,16 OHMICA

1 f(x) = 0.78 x² − 4.92 x + 7.77