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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

DEPARTAMENTO ACADEMCO DE INGENIERIA ELECTRICA


ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA
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EXPERIENCIA N°: 1

TÍTULO DE LA EXPERIENCIA

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO Y CÁLCULO DE PÉRDIDAS

ALUMNO

CUI GRUPO SUB-GRUPO

FECHA DE REALIZACION FECHA DE PRESENTACION

REVISIÓN REVISIÓN INFORME


NOTA
INFORMACION PREVIA FINAL
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1. OBJETIVOS
Obtener el modelo PSPICE del diodo de potencia, realizar el análisis dinámico y estático de los
diferentes tipos de diodos de potencia, realizar el cálculo de pérdidas por conducción y conmutación,
así como validar los parámetros del modelo contrastando con la hoja de datos (datasheet) del
fabricante.

2. MARCO TEORICO
El diodo es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente en forma unidireccional
a través de sus terminales. Las terminales son denominadas ánodo y cátodo, como se observa en la
fig. 1, la corriente circula desde ánodo hasta cátodo siempre y cuando se haya superado el valor del
voltaje umbral del diodo.

Fig. 1 Símbolo del diodo.

Característica Estática.-
A partir de un cierto valor de voltaje, el diodo entra en polarización directa. Este valor de voltaje
depende de cada diodo, en el caso del diodo rectificador este valor es aproximadamente VF = 0.7V
(voltaje umbral del diodo). A partir de aquel momento circulara la corriente a través del dispositivo
porque el diodo se comporta como un interruptor cerrado. En la práctica, el valor del voltaje umbral
dependerá mucho del valor de la corriente que circule a través del diodo.
Cuando el diodo es polarizado en inversa, su modelo equivalente es el de un interruptor abierto, por
lo que no circulara corriente a través de él. Sin embargo, a un determinado valor de voltaje indicado
por el fabricante, el diodo ingresa a la región de ruptura donde hay circulación de corriente desde
cátodo a ánodo. La disipación de potencia incrementa, y el diodo llega a destruirse si se supera el
voltaje indicado por el fabricante.
Característica Dinámica.-
Cuando el diodo se encuentra funcionando en el instante de cambio de polarización directa a inversa,
la transición no se realiza de forma inmediata. Una vez que se ha establecido el cambio de
polarización en el diodo, existen una cantidad de portadores que no pueden regresar de forma
inmediata a la región desértica pese a que la corriente de carga disminuyo a un valor de cero. Esto
genera una circulación de corriente a través del diodo por un corto instante de tiempo en sentido
inverso.

3. MODELO SPICE DEL DIODO


El modelo SPICE del diodo en condiciones de polarización inversa se muestra en la fig. 2. Los
modelos de pequeña señal y estático son generados por el SPICE como se muestran en la fig. 3 y 4,
respectivamente. En el modelo estático la corriente del diodo, que depende de su voltaje, es
representado por una fuente de corriente. Los parámetros de pequeña señal son generados por SPICE
en el punto operativo.
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Fig. 2 Modelo del diodo en condiciones de polarización inversa.

Fig. 3 Modelo SPICE de pequeña señal. Fig. 4 Modelo estático en condiciones de


polarización inversa.

La sentencia del modelo por lo general es de la forma:

Los parámetros del modelo son listados en la Tabla 1. Los parámetros mas importantes para
aplicaciones de electrónica de potencia son: IS, BV, IBV, TT, y CJO.
A continuación se muestra un ejemplo de sentencia de diodo:
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4. OBTENCIÓN DE LOS PARÁMETROS DEL DIODO DE POTENCIA


De la hoja de datos (datasheet) del diodo:

Para el Grupo A – D6001N del fabricante INFINEON


Para el Grupo B – SKN141F17 del fabricante SEMIKRON
Para el Grupo C – C5D50065D del fabricante CREE

Obtener los siguientes datos:

Reverse breakdown voltaje BV =


Reverse breakdown current, IBV =
Instantaneous voltage, VF = at IF =
Reverse recovery charge, QRR = at IFM =

De las características V-I en directa del diodo, es posible determinar el valor de n, VT e Is del diodo.
Asumiendo que n=1 y VT =25.8mV, podemos aplicar la ecuación de Shockley para encontrar la
corriente de saturación Is:

Designar al modelo con el nombre de DMOD. Los valores de τT y CJ0 no están disponibles en el
datasheet. El tiempo transitorio τT puede ser aproximado por:
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Se puede asumir un valor típico para CJ0 = 2PF. Por lo tanto escriba a continuación la sentencia del
modelo:

.MODEL DMOD D (

5. PROCEDIMIENTO
5.1 Obtención de la característica V-I del diodo:
 Simular el siguiente circuito, variando la tensión de entrada en los puntos característicos del
diodo (tensión de ruptura y tensión umbral):

Vin DMOD

Fig. 5 Circuito para la obtención de la característica V/I.

 Graficar la característica del diodo (corriente vs tensión) en los puntos característicos para las
siguientes temperaturas: T1 =25°C, T2 =100°C y T3 =200°C.
 Medir los siguientes parámetros para la temperatura de 25°C:
BVBR =
IBV =
IS =
ID =
VD =
Contrastar con los proporcionados por el fabricante.
5.2 Características dinámicas y cálculo de pérdidas:
 Para analizar el proceso de bloqueo del diodo se tomara la simulación del siguiente circuito:

Fig. 5 Circuito de conmutación del diodo.

 Obtener y visualizar para dos periodos estables las formas de onda de la tensión y corriente del
diodo.
 Obtener las gráficas de conmutación del diodo (tanto de apagado como encendido).
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di
 Calcular y medir la del diodo (para el apagado).
dt
 Obtener la gráfica de potencia media a través del diodo y tomar su valor:

Po =

 Calcular y medir las perdidas por conducción y por conmutación del diodo.
 Calcular un disipador térmico si fuera necesario para mantener la temperatura de unión por
debajo de la especificada en el datasheet como Tjmáx .

6. INFORME
 Presentar las formas de onda obtenidas en la experiencia. Realizar los comentarios respectivos de
cada gráfica.
 Hacer un cuadro comparativo de los valores obtenidos teóricamente con los simulados.
 Conclusiones y recomendaciones.
 Referencias.

7. REFERENCIAS
 SPICE for Power Electronics and Electric Power, Muhammad H. Rashid, 2da Ed.
 Manual de uso de PSPICE Lite
 Eletrônica de Potência, Ivo Barbi 6ta Ed.
 www.infineon.com,
 www.cree.com,
 www.semikron.com,