Tema I

CAPITULO 1
TEMA I
Materiales para Ingeniería. Estructura Atómica. Enlace Atómico, Iónico, Covalente, Metálico,
Vander Waals. Ordenamiento Atómico, Radio Atómico. Número de Coordinación Atómica,
Factor de Empaquetamiento. Estructura Cristalina. Celda Unitaria. Sistema Cúbico y Hexagonal
Compacto. Defectos cristalinos. Defectos de punto: Vacancias, defectos intersticiales,
sustitucionales. Defectos de línea: Dislocaciones. Tipos: Vector de Burgers. Defectos
superficiales.
1.- MATERIALES PARA INGENIERÍA
Es conveniente separar los materiales para Ingeniería en las categorías siguientes:
Metales
Cerámicos
Polímeros
Compuestos
1.1.- Metales.
Esta clase de materiales tecnológicos se puede distinguir normalmente de las otras

categorías por algunas de sus características más sobresalientes, tales como su
reflictividad a la luz, la transmisión de calor, la conductividad de corriente eléctrica y con
mucha frecuencia, la capacidad de deformarse sin romper los elementos que constituyen
los metales tiene la propiedad de mezclarse o disolverse unos con otros en el estado sólido
y de este modo, producen aleaciones metálicas. Las aleaciones pueden tener propiedades
que difieren mucho de las de los elementos que las constituyen y por fortuna, usualmente
se pueden controlar esas propiedades, regulando la porción de elementos constituyentes.
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1.2.- Cerámicos.
En este caso reconocemos a las cerámicas como materiales duros y quebradizos, que
exhiben propiedades parecidas a las del vidrio y se rompen abruptamente, sin una
deformación aparente. Los materiales cerámicos, como los ladrillos, el vidrio, la loza, los
aislantes y los abrasivos tienen escasa conductividad térmica y eléctrica, son deficientes
en ductilidad, conformabilidad y resistencia al impacto. Presentan una excelente
resistencia a las altas temperaturas y a ciertas condiciones de corrosión.
1.3.- Polímeros.
En éstos se incluyen el caucho, los plásticos y muchos tipos de adhesivos. Los polímeros
tienen baja conductividad eléctrica y térmica, escasa resistencia mecánica y no se
recomiendan para aplicaciones en temperaturas elevadas. Algunos polímeros (los
Termoplásticos), presentan excelente ductilidad, conformabilidad y resistencia al impacto,
mientras otros (los Termoestables) tienen las propiedades opuestas. Los polímeros son
ligeros y con frecuencia cuenta con excelente resistencia a la corrosión.
1.4.- Compuestos.
Los compuestos (o compositos) están constituidos por dos o más materiales que generan
propiedades no obtenibles mediante uno solo.
2.- ESTRUCTURA ATÓMICA
Las propiedades físicas y mecánicas de los materiales de Ingeniería dependen en gran medida de
la naturaleza y el comportamiento de los átomos que los constituyen.
Se reconoce universalmente a los átomos como los constituyentes básicos de la materia, unidos
para formar materiales cristalinos o amorfos. Las diferencias especificas entre los átomos y las
formas como se comportan mecánica, física y químicamente se debe principalmente a sus
estructuras atómicas.
El modelo hoy en día más aceptado del átomo dice que el mismo consta de un núcleo. Formado
este por protones con carga positiva y masa igual a 1.673x10-24gr; neutrones con carga neutra y
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masa 1.675x10-24gr; en torno al núcleo se encuentran los electrones, que son partículas
dinámicas, con carga negativa y una masa aproximada de 9.11x10-28gr.
La cantidad de protones en el núcleo va a determinar el número atómico, este va a ser el valor

que identifica al elemento, mientras que la suma de protones y neutrones determina la masa o
peso atómico.
Los electrones suman en orbitas circulares o elíptica, respecto al núcleo y los mismos están
arreglados en capas definidas. El máximo número de electrones que pueden acomodar en cada
capa es 2m2, donde m es el número de capa.
La porción energética al que pertenece cada electrón, esta determina por cuatro número
cuánticos. Estos son: n, l, ml , ms, donde:
n Número cuántico principal: Representa la capa cuántica a la que pertenece el

electrón, se puede tomar los valores 1, 2, 3, etc. También puede asignársele las
letras mayúsculas K, n = 1; L, n = 2; M, n = 3, y así sucesivamente.
l Número cuántico acimutal: este representa el número de niveles de energía en

cada capa cuántica. Este número cuántico, toma los valores entre 0 y (n-1).
También se simboliza por las letras minúsculas s par l = 0, p para l = 1, d
para l = 2, f para l = 3. Si n = 2, le corresponden entonces dos números
cuánticos acimutales, l = 0 y l = 1; (s) y (p) respectivamente.
ml Número cuántico magnético: Indican los niveles de energía u orbitales, para

cada número acimutal. El número total de números cuánticos magnéticos para
cada l es (2l+1). Los valores de se me dan como números enteros entre –l y +l.
ms Número cuántico de espin: El principio de exclusión de Pauli, establece que no

puede haber más de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital,
este tiene valores + ½ y – ½, que representan los diferentes giros.
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La configuración electrónica de un átomo puede indicarse por un número representativo que

combina el número cuántico principal (1, 2, 3,. . .); la letra minúscula para el número cuántico
asimutal (s, p, d, f,...) y el número de electrones en cada orbital, como índice superior (2, 6,
10,...).
Ejemplo: Determinar la distribución electrónica para el número cuántico principal n=3
N° Total de Electrones 2n2  2(3)2 = 18 electrones
N° Cuántico Acimutal l  (0, a (n-1) )  0, 1, 2.

3 subniveles l = 0 (s), l = 1 (p), l = 2 (d)
N° Cuántico Magnético ml = (2l+1)

para l = 0 ml = 1 (0)
Para l = 1 ml = 3 (-1, 0 ,1)
Para l = 2 ml = 5 (-2, -1, 0, 1, 2)
N° Cuántico de Spin -½, +½
En resumen:
Nivel Principal n = 3 (M)
subnivel l = 0 “s” ml = 1 ml = 0 ms= -½, +½ 2 electrones
subnivel l = 1 “p” ml = 3 ml = -1 ms= -½, +½

ml = 0 ms= -½, +½ 6 electrones
ml = 1 ms= -½, +½
subnivel l = 2 “d” ml =5 ml = -2 ms= -½, +½

ml = -1 ms= -½, +½
ml = 0 ms= -½, +½ 10 electrones
ml = -1 ms= -½, +½
________ ml = -2 ms= -½, +½ ____________
Total 18 electrones
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La notación abreviada del ejemplo es: 3s2, 3p6, 3d10 .
2.1.- Desviaciones de la Estructura Electrónica Prevista.
La configuración ordenada de la estructura electrónica no se sigue siempre, particularmente

cuando el número atómico es grande, por ejemplo: cabría esperar que la estructura atómica del
Hierro, con número atómico 26 fuera 1s2 2s22p6 3s23p63d10, pero la estructura real es 1s2 2s22p6
3s23p6 4s2 3d6, el primer traslapamiento entre niveles energéticos principales ocurre en el
subnivel 4s que está a menor energía que el subnivel 3d. A energías aun mayores, el orden de
ocupación se vuelve muy complejo, de tal modo que, por ejemplo, hay electrones en el sexto
nivel energético (6s) antes que se llene completamente el cuarto nivel principal (4f).
La figura siguiente es una guía útil para el orden de ocupación de los subniveles:
1s
2s 2p
3s 3p 3d
4s 4p 4d 4f
5s 5p 5d 5f
6s 6p 6d 6f
7s 7p 7d
2.2.- Valencias.
La valencia de un átomo se relaciona con la capacidad del mismo para entrar en combinación
química con otros elementos. Estos son siempre aquellos que siguen después de la estructura
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completa de un gas noble (raro) (s2p6). Para ello, es conveniente emplear una notación simple.
Esta notación se llama electrónica y esencialmente es el símbolo de elemento que representa el
centro de átomo, acompañado de una serie de puntos que representan los electrones de valencia
de aquel elemento, ejemplos:
H Na Be C Ne
2.3.- Electronegatividad.
Describe la tendencia de un átomo a ganar electrones de valencia. Los átomos con niveles
externos de energía casi completamente llenos, son sumamente electronegativos y aceptan
electrones fácilmente, sin embargo, los átomos con niveles de energía externos casi vacíos, ceden
electrones fácilmente y son altamente electropositivos. Los átomos con alto número atómico
tienen también una escasa electronegatividad, debido a que los electrones externos están muy
alejados del núcleo positivo, no son atraídos con fuerza por este.
La electronegatividad no es una cantidad precisa, es más bien un valor relativo. Así la

electronegatividad de un elemento se define en función de la electronegatividad de otros.
2.4.- Tabla Periódica de los Elementos.
La estructuración de la Tabla Periódica (Figura X) en columnas y renglones, llamados grupos

(líneas verticales) y períodos (líneas horizontales) respectivamente, se basa en la configuración
electrónica de los elementos. En consecuencia, dicha tabla revela ciertos aspectos del
comportamiento de los elementos.
Los períodos en la Tabla corresponden a las capas cuánticas o números cuánticos principales. Los
períodos terminan con aquellos elementos cuyos orbitales P del nivel principal mas exterior,
están llenos con seis electrones. (Gases inertes). Así el primer período sólo corresponden los
elementos que tengan electrones en la capa cuántica n=1 (1s1, 1s2) o sea dos elementos (H, He).
Al segundo período corresponden los elementos que tienen elementos en la segunda capa
cuántica n = 2 (1s2 2s2 2p6) o sea un total de 8 elementos. Al tercer período corresponden los
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elementos que tengan electrones en la tercera capa cuántica n = 3 (1s2 2s2 2p6 3s2 3p6) o sea 8
elementos.
Sin embargo, en el período 4, los electrones adicionales, añadidos al gas inerte Argón, van a los
siguientes subniveles superiores 4s 3d y 4p, lo que corresponde a 18 elementos para este período.
En el período 5, aparecen nuevamente 18 elementos, pero en el período 6, después del gas inerte
Xenón, los electrones adicionales llenan los subniveles 6s, 4f, 5d y 6p que corresponde así a 32
elementos.
Las columnas o grupos se refieren al número de electrones que se encuentran en el nivel

energético s p (referido al número cuántico acimutal “l”) y corresponden a la valencia más
común. Ciertos grupos se encuentran relacionados tan estrechamente en sus propiedades que
pueden llamarse familias. Están por ejemplo, la familia de los alcalinos del grupo I, que
corresponde elementos cuyas capas de valencia tienen un electrón “s”; la familia de los
Alcalinos-térreos del grupo II cuyas capas de valencia tiene 2 electrones “s” y la familia de los
halógenos grupo VII, cuyas estructuras de capa de valencia son s2p5.
Aquellos elementos con subniveles incompletos 3d, 4d y 5d, muestran propiedades similares
debido a sus estructuras electrónicas semejantes y constituyen un grupo de elementos en la parte
central de la Tabla, conocidos como metales de transición.
Figura X.- Clasificación periódica de los elementos según Mendeleiev
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3.- ENLACE ATÓMICO
Existen varios modelos que explican las características de las fuerzas que mantienen unidos a los
átomos en las moléculas. Estos son: Enlaces iónico, enlace covalente, enlace metálico, enlace de
Van del Waals.
3.1.- Enlace Iónico.
El modelo iónico fue propuesto en 1916 por Kössel y Lewis, el mismo plantea que una de las
formas de producir unión entre los átomos es logrando que ellos adquieran cargas de signos
opuestos y en consecuencia se produzca entre ellos una atracción de tipo electrostático. Para
lograr que esto, ocurra debe tener lugar un doble proceso de ionización que permita que uno de
los átomos involucrados en el enlace se transforme en un Ion positivo (catión), por la pérdida de
electrones y el otro en un Ion negativo (anión) por la ganancia de electrones.
Los elementos que mas marcadamente presentan esta propiedad son los de los grupos IA, IIA, y
los VIA y VIIA, los cuales al ionizarse y convertirse en aniones y cationes logran la
configuración electrónica de gas noble.
Ejemplo típico es el Cloruro de Sodio (NaCl)
Na (11), 1s2 2s2 2p6 3s1 – e- Na + (Catión)
Cl (17), 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5 + e- Cl – (Anión)
Na + + Cl - NaCl Unión Iónica
3.2.- Enlace Covalente.
El modelo del enlace iónico resulta inadecuado para explicar muchas otras moléculas como por
ejemplo N2, Cl2, O2, H2 (Moléculas Diatómicas), en los cuales es evidente la existencia de la
misma afinidad electrónica. El mecanismo de unión considera el enlace químico existente como
la compartición de un par de electrones de valencia entre dos átomos.
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La estabilidad de este enlace puede ser atribuida a la atracción compleja de dos núcleos cargados
positivamente por el par de electrones compartido. En esta forma de enlace los átomos
involucrados alcanzan la estructura del gas inerte. Cuando dos átomos comparten un par de
electrones se forma enlace simple, cuando se comparten dos electrones, enlace doble y así
sucesivamente.
B A B
A
A B
Figura X.-
3.3.- Enlace Metálico.
La falta de iones cargados opuestamente y la falta de suficientes electrones de valencia para

formar enlace covalente, hace necesario que más de dos átomos compartan electrones de
valencia. Cada átomo del metal contribuye con sus electrones de valencia a formar una “nube”
electrónica negativa, estos elementos se mueven libremente entre los iones metálicos positivos.
Los iones metálicos se mantienen juntos en virtud de su atracción mutua para la nube electrónica
negativa.
3.4.- Fuerzas de Van Der Waals.
Este tipo de enlace se presenta en átomos neutros, como los de los gases nobles se mantienen
unidos por cargas electrostáticas débiles.
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4.- ORDENAMIENTO ATÓMICO
Existen tres niveles de organización o arreglo de los átomos desordenación, ordenamiento

particular, ordenamiento general.
4.1.- Desordenación.
En este arreglo, los átomos carecen de una distribución ordenada, los mismos se distribuyen
aleatoriamente, confinados al espacio disponible. Ejemplo: los gases.
4.2.- Ordenamiento Particular. (De corto alcance)
Un material presenta ordenamiento particular si el arreglo característico de los átomos se

restringe solo a átomos circunvecinos, más la cadena o molécula se distribuye aleatoriamente.
Amorfo
Intermedio
Cristalino
Figura X.- Transición del estado amorfo al estado cristalino.
4.3.- Ordenamiento General.
En este ordenamiento, los átomos se distribuyen de una forma específica por todo el material, formando
un patrón reticular repetitivo, de manera que las inmediaciones de cada punto son idénticas.
Figura X.- Estado ordenado y estado desordenado.
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5.- ESTRUCTURA CRISTALINA
La estructura cristalina sigue un ordenamiento general o de largo alcance, de tal forma que los
átomos forman un patrón repetitivo. La red o retícula es un conjunto de puntos denominado
Puntos Reticulares, los cuales siguen un patrón regular. La celda unitaria es la menor subdivisión
de una red.
5.1.- Celda Unitaria.
Es la menor subdivisión de una red que tiene características generales de toda la retícula, se
consideran 14 tipos de celdas unitarias o redes de Bravais, agrupadas en siete estructuras
cristalinas, estas son: Cúbica, tetragonal, ortorrómbica, hexagonal, romboédrica, monoclínica y
triclínica.
5.2.- Parámetro de Red.
Los parámetros de reticulares que definen el tamaño y la forma de la celda unitaria, son: las
dimensiones de los lados y los ángulos que la forman. La convención adoptada para describir los
parámetros reticulares consiste en escoger las distancias a, b y c, según los ejes x, y y z. Los
ángulos se definen según al plano perpendicular al cual se hace corresponder. A x entonces
corresponde α, a y entonces corresponde  y a z entonces corresponde .
Figura X.- Parámetros de red.
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Los 7 sistemas cristalinos son:
1. CÚBICO Tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares.

a=b=c α =  =  = 90°
2. TETRAGONAL Tres ejes perpendiculares, solo dos iguales.

a=bc α =  =  = 90°
3. ORTORRÓMBICA Tres ejes desiguales, mutuamente perpendiculares

abc α =  =  = 90°
4. HEXAGONAL Dos ejes iguales, coplanares a 120° y un eje desigual,

perpendicular.
a=bc α =  = 90°,  = 120°
5. ROMBOEDRAL Tres ejes iguales, todos los ángulos iguales pero

diferentes de 90°.
a=b=c α =  =   90°
6. MONOCLÍNICA Tres ejes desiguales, uno de los cuales es

perpendicular a otro de los restantes.
abc α =  = 90°  
7. TRICLÍNICO Tres ejes desiguales, ángulos desiguales y distintos de

90°.
abc α      90°
Las 14 Redes de Bravais son:
CÚBICA
Cúbica Simple Cúbica Centra en el Cuerpo Cúbica Centra en las Caras
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TETRAGONAL
Tetragonal Simple Tetragonal Centra en el Cuerpo
ORTORRÓMBICA
Ortorrómbica Simple Ortorrómbica Centrado Ortorrómbica Ortorrómbica

en el Cuerpo Centra en las Bases Centrada en las Caras
HEXAGONAL
ROMBOEDRAL
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MONOCLÍNICA
Monoclínica Simple Monoclínica Centra en las Bases
TRICLÍNICO
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5.3.- Radio Atómico.
Si se imaginan los átomos como esferas apenas tocándose y en equilibrio, entonces la distancia
entre lo centros de las esferas pueden tomarse como diámetro atómico aproximado. El radio
atómico será entonces d/2. El diámetro atómico aumenta conforme al número de capas ocupadas,
se incremente y disminuye conforme el número de electrones de valencia aumenta.
5.4.- Numero de Átomos por Celda Unitaria.
Un punto de red en las esquinas (nodos) es compartido por ocho celdas a la vez, quiere decir que
las esquinas contribuyen con 1/8 de un punto. Las caras son compartidas por 2 celdas, quiere
decir que contribuyen con ½ átomo, y las porciones centrales no son compartidas quiere decir que
contribuye con 1 átomo.
El número átomos por celda unitaria es el producto del número de átomos por punto reticular
multiplicado por el número de puntos red por celda unitaria. Equivalente atómico dentro de la red
cristalina.
5.5.- Numero de Coordinación.
Es el número de átomos que se encuentran en contacto con un átomo en particular, o el número

de átomos vecinos más cercanos. Esto indica la eficiencia del empaquetamiento.
5.6.- Factor de Empaquetamiento.
Es la fracción de espacio ocupada por los átomos, suponiendo que sean esferas sólidas.
Núm. de átomo / celda Vol. de átomo

Factor de empaquetamiento 
Vol. de celda 
Esto indica la eficiencia de acomodamiento.
5.7.- Densidad.
La densidad teórica de un metal se calcula aplicando las propiedades de la estructura cristalina.
átomo / celda masa atómica

 
Vol. de celda número de Avogadro
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6.- SISTEMAS CÚBICOS
Los sistemas cúbicos quedan definidos por tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares y tres
ángulos iguales entre si e iguales a 90°. Los sistemas cúbicos están formados por tres tipos de
redes, estas son: Cúbico Simple (CS), Cúbico Centrado en el Cuerpo (BCC), Cúbico Centrado en
las Caras (FCC).
6.1.- Cúbico Simple.
 Relación entre radio atómico y parámetro de

red:
del gráfico a  2r
a  Número de coordinación:
r r número de vecinos mas cercano = 6 átomos

1/8 átomo
a
 Número de átomos por celda unitaria:
8 átomos por celda * 1/8 átomo = 1 átomo
 Factor de empaquetamiento:
FE 
átomo  celda vol.  átomo
vol.  celda
FE 
1  átomo4 / 3  r 3 
a3
como: a  2r
1 * 4 / 3  r 3 4 r3
FE    3
2  r 3 3*8 r

FE   0,52
6
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6.2.- Cúbico Centrado en el Cuerpo.
a 4r a
4r
a  2.a
 Relación entre radio atómico y parámetro de red:
16  r 2  a 2  2  a 2  16  r 2  3  a 2
4
a  16 / 3  r  3r
3
 Número de coordinación:
El átomo central tiene 8 vecinos.
8 átomos por celda * 1/8 átomo = 1 átomo

1 átomos en el centro = 1 átomo.
Total = 2 átomos
2  átomo4 / 3  r 3 
FE 
a3
como: a  4 / 3  r
2 * 4 / 3  r3 3 r3
FE    3
4 / 3r 
3
8 r
3
FE     0,68
8
CAPITULO 1
6.3.- Cúbico Centrado en las Caras.
4r
a
16  r 2  2  a 2
a  16 / 2  r  2  2  r
 Número de coordinación:
4 átomos vértice + 4 átomos plano posterior + 4 átomos plano posterior = 12

átomos.
8 átomos por vértices * 1/8 átomo = 1 átomo

6 átomos en cada cara *1/6 átomo = 3 átomo.
Total = 4 átomos
FE 
4  átomo4 / 3    r 3 
a3
como: a  2  2  r
4* 4 / 3  r3 1 r3
FE    3
2 2 r 
3
3 2 r
2
FE     0,74
6
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6.4.- Estructura Hexagonal Compacta.
El sistema hexagonal queda definido por dos lados iguales y uno desigual y por dos ángulos
iguales e iguales a 90° y otro de 120°.
La inspección de este cristal revela siete átomos en cada plano de las bases, más tres átomos entre
los planos de las bases. Ubicados a 120°, estos átomos centrales se encuentran entre los
intersticios de los átomos en los planos de base.
a a
del gráfico: a  2r
 Número de Coordinación:
El átomo del centro [ átomo , plano B] está

tocado por 6 vecinos, además, está tocado por 3
arriba ( plano A) y 3 abajo (Plano A´)
Total 12 átomos
del gráfico: 1/6 átomo por esquina x 6 esquina = 1
como son 2 planos base s =1
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3 átomos en el centro de los planos = 3
½ átomo / base x 2 bases =1
Total = 6 átomos
6  átomo4 / 3    r 3 
FE 
3 3 2
a c
2
6  4  2   r3 2 
FE  
3  3  3  1.633  8  r 3
3  3  1.633
FE  0.74
CAPITULO 1
7.- PUNTOS, DIRECCIONES Y PLANOS EN LA CELDA UNITARIA
7.1.- Coordenadas de un punto.
Estableciendo un sistema de coordenadas se pueden localizar ciertos puntos y las posiciones de

los átomos en la celda unitaria.
 La distancia se mide en términos de

parámetros de red en cada una de las
coordenadas.
 Las coordenadas se denotan enunciando las

tres distancias, separador comas.
7.2.- Direcciones en la Celda Unitaria.
Los índices de Miller es la notación que se usa para describir estas direcciones.
El procedimiento para obtener los índices de Miller es el siguiente.
a) Se determinan las coordenadas de dos puntos que están en esa dirección.
b) Se restan las coordenadas del punto “trasero” de las del punto “delantero”.
c) Se eliminan las fracciones y/o se reducen los resultados obtenidos de las restas, a los
enteros mínimos.
d) Se enuncian los números entre corchetes [ ], si se obtiene un número negativo, se

representa con una barra sobre el número.
Los grupos de direcciones equivalentes se denominan “familias de direcciones”, se usan

paréntesis angulares “< >” para indicar este conjunto de direcciones.
CAPITULO 1
Ejemplo:
Dirección A:
a) Dos puntos son, 1,0,0 y 0,0,0
b) Resta de los puntos 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0
c) No hay fracciones, ni enteros.
d) Dirección [1 0 0]
Dirección B:
a) Dos puntos son, 1,1,1 y 0,0,0.
b) Resta de los puntos 1,1,1 – 0,0,0 = 1,1,1
c) No hay fracciones, ni enteros.
d) Dirección [1 1 1]
Dirección C
a) Dos puntos son 0,0,1 y ½,1 ,0
b) Resta de los puntos 0,0,1 – ½,1,0 = -1/2,-1,1
c) 2*(-1/2,-1,1)= -1,-2,2
d) Dirección 1 2 2
CAPITULO 1
7.3.- Planos en la Celda Unitaria.
Se logra una identificación rápida de los planos en un cristal, utilizando los índices de Miller,
para ello se usa el siguiente procedimiento.
a) Se identifican los puntos en los cuales el plano respectivo intercepta los ejes coordenados.
Si el plano respectivo pasa por el origen, este debe ser desplazado.
b) Se obtienen los recíprocos de estas intersecciones.
c) Se eliminan las fracciones, pero no se reducen a mínimos enteros.
d) Se encierran las cifras resultantes entre paréntesis “( )”, y los números negativos se
representan con una raya en la parte superior.
Plano A:
a) cortes con ejes x=1, y=1, z=1
b) recíprocos 1/x=1, 1/y=1, 1/z= 1
c) No hay fracciones
d) plano: (1 1 1)
Plano B: Plano C:
a) cortes con ejes x=  , y=1, z=  a) cortes x=  , y=½, z= 
b) recíprocos 1/x=0, 1/y=1, 1/z= 0 b) recíprocos 1/x=0, 1/y=2, 1/z= 0
c) No hay fracciones c) No hay fracciones
d) plano: (0 1 0) d) plano: (0 2 0)
CAPITULO 1
7.4.- Direcciones y planos en las Celdas Unitarias Hexagonales.
El sistema de coordenadas para este tipo de celdas

utiliza cuatro ejes en lugar de tres, siendo redundante
uno de los ejes, donde la tercera coordenada es la
suma de las dos primeras con signo negativo, (h k i l)
i = -(h+k).
El procedimiento utilizado es el aplicado

anteriormente (celdas cúbicas) tanto para planos como
para direcciones.
Ejemplos:
Dirección : Dirección :
a) Dos puntos: 0,0,1 y 1,0,0 a) Dos puntos: 0,1,0 y 1,0,0
b) Resta 0,0,1 - 1,0,0 = -1,0,1 b) Resta 0,1,0 – (1,0,0) = -1,1,0
c) No hay fracciones c) No hay fracciones
d) Dirección [1 0 1 ] d) Dirección [1 1 0 ]
Plano A: Plano B:
a) Cortes: a1   , a2   , c = 1 e) Cortes: a1 1 , a2 1, c = 1
b) Recíprocos: 1/a1= 0, 1/a2 = 0, 1/c = 1. f) Recíprocos: 1/a1= 1, 1/a2 = 1, 1/c = 1.
c) No hay fracciones, i = -(0 + 0) = 0 g) No hay fracciones, i = -(1 + 1) = 2
d) Plano: (0 0 0 1) h) Plano: (1 1 2 1)
CAPITULO 1
8.- DEFECTOS CRISTALINOS.
Los cristales reales se desvían, en cierto número de formas importantes, de la periodicidad

perfecta que se estableció anteriormente. A cualquier desviación de una disposición ordenada de
puntos reticulares se le llama defecto o imperfección.
Los defectos se agrupan en tres tipos:
Cuando la desviación de una disposición ordenada esta localizada en la proximidad de unos

pocos átomos solamente, se denomina “defecto de punto”. Si el defecto se extiende a través de
zonas del cristal, se denomina defectos reticulares. A su vez, los defectos reticulares se dividen en
“defectos de línea” y “Defectos de Superficie”.
8.1.- Defectos de Punto.
Existen tres tipos de defectos de punto:
8.1.1.- Lugar Vacante.
El mismo sucede cuando se pierde un átomo

de una posición de la red. En los metales
puros se crean por excitación térmica
pequeños números de vacantes y estas son
termodinámicamente estables a temperaturas
Átomo tipo A mayores que el cero absoluto.

Figura X. Lugar vacante
En equilibrio, la fracción de puntos reticulares que están vacíos a una temperatura determinada
está dada, aproximadamente, por la ecuación:
N  Q 
 EXP  
N0  RT 
N  Número de vacantes de equilibrio.
N 0  Cantidad total de puntos reticulares
CAPITULO 1
Q = Energía de activación necesaria para formar una mole de vacantes (cal/mol).
R = Constante de los Gases (2 cal/mol*°K)
T = Temperatura en °K
Se pueden producir concentraciones de vacancias mayores que en el equilibrio, mediante

deformación plástica, o como resultado del bombardeo con partículas nucleares de energía
elevada
8.1.2.- Intersticial.
Átomo A Átomo B
Átomo tipo A
a) Autointersticial b) Heterointersticial
Figura X, Defectos intersticiales
Se forma cuando se inserta un átomo adicional en la estructura de una red. En un lugar que no es
un nodo normal. Ejemplo: C ó N en hierro (Fe).
Los autointersticiales son átomos de la misma naturaleza del cristal, mientras los
heterointersticiales son átomos de una naturaleza diferente a los del cristal. Los defectos
intersticiales en los metales puros ocurren por bombardeo con partículas nucleares, pero
frecuentemente no se producen por activación térmica.
CAPITULO 1
8.1.3.- Sustitucional.
Se forma cuando se inserta un átomo en la

red, el mismo reemplaza al átomo original en
el lugar normal, como sucede con el Cr en el
Fe.
Átomo A Átomo B
Figura X, Átomo sustitucional.
8.1.4.- Defecto de Frenkel
Este defecto se forma por el desplazamiento de un ión desde su posición normal en la red, hasta
un lugar intersticial de la red, este al saltar produce una vacancia. Este defecto solo se produce en
materiales con enlace iónico.
8.1.5.- Defecto Shottky.
Esta imperfección sucede por la migración de un par de iones (positivo y negativo) hasta una
posición en la superficie libre o a una frontera intercristalina.
8.2.- Defectos de Línea.
Las dislocaciones son el defecto más importante en la red cristalina.
CAPITULO 1
Es posible identificar dos tipos básicos de dislocaciones. La dislocación de Tornillo y la

dislocación de Borde o Arista.
8.2.1.- Dislocación de tornillo.
Esta dislocación se puede formar desplazando la red uno o varios espacios cristalinos.
Figura X.- Figura esquemática de una dislocación de tornillo.
Si se sigue el plano cristalográfico una revolución alrededor del eje, recorriendo igual número de
espaciamientos atómicos en cada dirección se terminará un espacio por debajo del punto de
partida, el vector que se requiere para completar el giro y reintegrarnos al punto de partida, es el
vector de Burgers b, el eje alrededor del cual se sigue la trayectoria es la línea de dislocación, se
puede nota que la dislocación y el vector de Burgers son paralelos.
8.2.2.- Dislocación de borde o arista.
Esta dislocación puede formarse insertando medio plano cristalográfico en el cristal perfecto.
Figura X1.- Figura esquemática de una dislocación de borde.
CAPITULO 1
Si se describe un giro en el sentido de las manecillas del reloj alrededor de la dislocación de

arista, recorriendo igual número de espaciamientos atómicos en cada dirección, se terminaría uno
o varios átomos de distancia del punto de partida, el vector requerido para completar el giro es
nuevamente el vector de Burgers, en este caso el vector es perpendicular a la dislocación de
arista.
El vector de Burgers y la dislocación forman un plano de deslizamiento, esto permite explicar la

deformación plástica o permanente de los materiales.
Cuando actúa a una fuerza cortante en la dirección del vector, la dislocación puede moverse en el
sentido del vector de Burgers.
Si el proceso continua se producirá un escalón en el cristal al momento de encontrar una

superficie.
Figura.
Si aun se introduce otra dislocación y el proceso continua, este llegará a romperse formando otra
superficie.
CAPITULO 1
8.3.- Defectos Superficiales.
Estos defectos se pueden clasificar de la siguiente forma:
8.3.1.- Bordes de grano.
Los materiales están compuestos de un arreglo estructural (FCC, BCC, HCP, etc). Durante la
cristalización, los cristales adoptan diversas orientaciones, dando lugar estos a bordes que separan
una orientación en particular. Esta separación en el límite o borde de grano, dentro de un grano,
las celdas unitarias tienen la misma orientación.
Figura
8.3.2.- Tamaño de grano.
El tamaño de grano tiene un efecto sobre la mayoría de las propiedades mecánicas, por ejemplo a
temperatura ambiente, al disminuir el tamaño de grano, aumenta la dureza, el límite elástico, la
resistencia a la tracción, inclusiva el límite de fatiga. Estas propiedades se van a afectar dado que
existe un número mayor de fronteras, cualquier dislocación encontrará un límite de grano al
moverse, lo cual redundará en obstaculizar el movimiento de las dislocaciones.
La American Society for Tesing and Material (ASTM), establece la siguiente relación para
expresar el tamaño del grano.
N  2 n 1
CAPITULO 1
Donde:
N = es el número de granos por pulgada cuadrada en una microfotografía con

ampliación 100X.
n = es el índice de tamaño del grano.
8.3.3. Fallas de apilamiento.
Las fallas de apilamiento ocurren en los cristales FCC y Hc y representa un error en la secuencia
de apilamiento en los planos compactos. Normalmente se produce una secuencia de apilamiento
ABCABCABC en una red FCC perfecta. Pero supongamos que se produce la siguiente
secuencia:
ABCABABCABC
En la posición indicada en la secuencia, un plano tipo A se tiene donde habría normalmente un

plano tipo C. Esta pequeña región que tiene un apilamiento con una secuencia AB en lugar de la
secuencia ABC, representa una falla de apilamiento.
Las fallas de apilamiento se pueden representar por dos mecanismos diferentes. Primero si se
perturba el crecimiento de la estructura cristalina durante la solidificación. Un segundo
mecanismo requiere de la disociación de una dislocación en dos dislocaciones parciales, lo que
produce una configuración que se conoce como dislocación extendida.
8.3.4. Bordes de macla.
Figura X.- Representación esquemática de un plano de macla y varias maclas en el interior de

un grano de Cobre.
CAPITULO 1
Un borde de macla es un plano que separa dos partes de un grano que tiene una pequeña
diferencia en la orientación de sus planos.
Las maclas se producen cuando una fuerza cortante que actúa a lo largo del borde del grano, hace
que los átomos abandonen su posición. El borde de macla ocurre durante la deformación o el
tratamiento térmico de ciertos metales.

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CAPITULO 1

1.- MATERIALES PARA INGENIERÍA

Es conveniente separar los materiales para Ingeniería en las categorías siguientes:

Esta clase de materiales tecnológicos se puede distinguir normalmente de las otras

2.- ESTRUCTURA ATÓMICA

La cantidad de protones en el núcleo va a determinar el número atómico, este va a ser el valor

n Número cuántico principal: Representa la capa cuántica a la que pertenece el

l Número cuántico acimutal: este representa el número de niveles de energía en

ml Número cuántico magnético: Indican los niveles de energía u orbitales, para

ms Número cuántico de espin: El principio de exclusión de Pauli, establece que no

La configuración electrónica de un átomo puede indicarse por un número representativo que

Ejemplo: Determinar la distribución electrónica para el número cuántico principal n=3

N° Total de Electrones 2n2  2(3)2 = 18 electrones

N° Cuántico Acimutal l  (0, a (n-1) )  0, 1, 2.

N° Cuántico Magnético ml = (2l+1)

Para l = 1 ml = 3 (-1, 0 ,1)

Para l = 2 ml = 5 (-2, -1, 0, 1, 2)

N° Cuántico de Spin -½, +½

Nivel Principal n = 3 (M)

subnivel l = 0 “s” ml = 1 ml = 0 ms= -½, +½ 2 electrones

subnivel l = 1 “p” ml = 3 ml = -1 ms= -½, +½

subnivel l = 2 “d” ml =5 ml = -2 ms= -½, +½

La notación abreviada del ejemplo es: 3s2, 3p6, 3d10 .

2.1.- Desviaciones de la Estructura Electrónica Prevista.

La configuración ordenada de la estructura electrónica no se sigue siempre, particularmente

La electronegatividad no es una cantidad precisa, es más bien un valor relativo. Así la

2.4.- Tabla Periódica de los Elementos.

La estructuración de la Tabla Periódica (Figura X) en columnas y renglones, llamados grupos

Las columnas o grupos se refieren al número de electrones que se encuentran en el nivel

Figura X.- Clasificación periódica de los elementos según Mendeleiev

3.- ENLACE ATÓMICO

3.1.- Enlace Iónico.

Ejemplo típico es el Cloruro de Sodio (NaCl)

Na (11), 1s2 2s2 2p6 3s1 – e- Na + (Catión)

Cl (17), 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5 + e- Cl – (Anión)

Na + + Cl - NaCl Unión Iónica

3.2.- Enlace Covalente.

3.3.- Enlace Metálico.

La falta de iones cargados opuestamente y la falta de suficientes electrones de valencia para

3.4.- Fuerzas de Van Der Waals.

4.- ORDENAMIENTO ATÓMICO

Existen tres niveles de organización o arreglo de los átomos desordenación, ordenamiento

4.2.- Ordenamiento Particular. (De corto alcance)

Un material presenta ordenamiento particular si el arreglo característico de los átomos se

Figura X.- Transición del estado amorfo al estado cristalino.

4.3.- Ordenamiento General.

Figura X.- Estado ordenado y estado desordenado.

5.- ESTRUCTURA CRISTALINA

5.1.- Celda Unitaria.

5.2.- Parámetro de Red.

Figura X.- Parámetros de red.

Los 7 sistemas cristalinos son:

1. CÚBICO Tres ejes iguales, mutuamente perpendiculares.

2. TETRAGONAL Tres ejes perpendiculares, solo dos iguales.

3. ORTORRÓMBICA Tres ejes desiguales, mutuamente perpendiculares

4. HEXAGONAL Dos ejes iguales, coplanares a 120° y un eje desigual,

5. ROMBOEDRAL Tres ejes iguales, todos los ángulos iguales pero

6. MONOCLÍNICA Tres ejes desiguales, uno de los cuales es

7. TRICLÍNICO Tres ejes desiguales, ángulos desiguales y distintos de

Las 14 Redes de Bravais son:

Cúbica Simple Cúbica Centra en el Cuerpo Cúbica Centra en las Caras

Tetragonal Simple Tetragonal Centra en el Cuerpo

Ortorrómbica Simple Ortorrómbica Centrado Ortorrómbica Ortorrómbica