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Diseño de un giróscopo
capacitivo
Frecuencias naturales
Factor de calidad
Actuación
Actuación electrostática
Efecto pull-in
Sensores capacitivos
Vamos a medir el desplazamiento en y mediante un cambio en
la capacidad.
Amplificador de transimpedancia
Medida de la capacidad
Realimentación capacitiva
Capacidades
conmutadas
Seguidor de tensión
Estructura del giróscopo
y
Anclas
Deformación de una viga
Viga apoyada en los extremos, con fuerza aplicada en el
centro
Ancho de banda
Tamaño
Giróscopo
(max 700x700um)
Electrónica
(200x100 um)
Pads (300um)
Criterios de diseño
• Optimización
– Económica
– En espacio
– De las características
• Cualquier decisión de diseño debe
justificarse
• Siempre cumpliendo las especificaciones
mínimas
Contenido
1. Introducción
2. Funcionamiento del giróscopo
3. Especificaciones
4. Documentación a entregar
5. Ejemplo de proceso
6. Datos disponibles
7. Más información
Documentación a entregar
• Breve memoria del proceso de diseño
• Proceso de fabricación, con el formato especificado
• Dibujos de las máscaras, con marcas de alineación
(marcas de referencia)
• Presupuestos para 1, 1000 y 1000000 uds.
• Hoja de características: dimensiones, sensibilidad,
rango, frecuencias de resonancia y ancho de banda.
Contenido
1. Introducción
2. Funcionamiento del giróscopo
3. Especificaciones
4. Documentación a entregar
5. Ejemplo de proceso
6. Datos disponibles
7. Más información
Posibilidades
• Sustrato inicial
• Adición de material
• Selección de áreas
• Eliminación de material
Posibilidades
Deposición
• Sustrato inicial
• Adición de material
• Selección de áreas Fotolitografía
• Eliminación de material
Grabado (etch)
Ejemplo de flujo de proceso
1. Pasos previos
• Elección del tipo de
sustrato
– Parámetros: espesor,
resistencia mecánica,
resistividad, diámetro,...
• Limpieza previa del
Silicio <100>, SSP, 380 sustrato (siempre
um, 100mm
presente)
2. Deposición SiN
• Espesor necesario
• Método de deposición
• ⇒ Tiempo de
deposición
• Deposición siempre
200 nm, LPCVD, 20 min
sobre todo el sustrato
(ambos lados)
2. Deposición BPSG
• Espesor necesario
• Método de deposición
• ⇒ Tiempo de
deposición
Stripper, 1 min
5. Deposición Al
• Espesor necesario
• Método de deposición
• ⇒ Tiempo de
deposición
• Deposición siempre en
Evaporador efecto Joule, toda la superficie del
0.5 um, 100 min sustrato
6. Fotolitografía
• Mismos pasos que en la
fotolitografía anterior
• Tipo de fotorresina y
polaridad de la máscara
Coste
dependiente del
Grado de tiempo o fijo
anisotropía
(forma final)
Procesos
estándar
Máscaras
Aislantes
Conductor
Semiconductores
No deben usarse
en las estructuras
El poly dopado es buen conductor
Tasas de grabado