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Amplificador Sintonizado de Radio Frecuencia

Jonatan Polanco Fernando Arias Manuel López


2420171060 2420162014 2420161047
Universidad de Ibagué Universidad de Ibagué Universidad de Ibagué
Ibagué, Tolima Ibagué, Tolima Ibagué, Tolima

I. I NTRODUCCI ÓN
Se requiere diseñar un amplificador sintonizado de pequeña Qt = Q21 + Q22 + Q23 (2)
señal, que consta de 3 etapas, 2 emisores comunes, un colector Ahora podemos determinar el valor de Q3 si asumimos Q1
común y 3 acoples sintonizados a la salida y entre las etapas de y Q2 de 11 entonces podemos despejar Q3 de la expresión 2
amplificación. La ganancia total es de 25 la cual corresponde a y ası́ llegar al siguiente resultado:
28db. Con una frecuencia de trabajo(fo ) de 18M Hz, un ancho
de banda del 5%, es decir una β de 900KHz. Se reparte de
la siguiente manera: ∗ Q3 = Q2 = 11 (3)
• Señal de entrada. Q1 = 12.55 (4)
• Primera etapa: Colector común con una ganancia de 1. Para empezar se determina la Q0 de la bobina con la
• Circuito de acople: Derivador Inductivo. siguiente ecuación [1]:
• Segunda etapa: Emisor común con una ganancia de 5.
• Circuito de acople: Derivador Capacitivo. √
103 ∗ fo
• Tercera etapa: Emisor común con una ganancia de 5. Q0 = 138 54 (5)
• Circuito de acople: Derivador Capacitivo. D + L
• Carga de 1kΩ. Q0 = 107 (6)
Donde de es D = 4 es le diámetro de la bobina y L = 10.5
es la longuitud (Según la hoja de datos del fabricante). Con
esto podemos hallar La RT gracias a esta expresión:
 
RT 1 1
L= ∗ − (7)
ω0 2 ∗ Q Q0
RT = 1472Ω (8)

Fig. 1: Diseño propuesto

II. O BJETIVOS
1) Diseñar un amplificador de pequeña señal sintonizado
en alta frecuencia.
2) Verificar el conocimiento teórico obtenido mendiante la
practica de laboratorio.
3) Lograr que en la implementación del montaje den los
resultados esperados teniendo en cuenta los fenómenos
fı́sicos que pueden estar presentes en el funcionamiento
del circuito.
III. D ISE ÑO
[2] Como primer paso obtenemos la selectividad del cir-
cuito:
0
fo 18M Hz Fig. 2: Visualización de RC
Qt = = = 20 (1)
β 900KHz 0
Todavı́a se necesita Rpar y RC que se obtiene de la
Se necesita determinar la Q para los 3 circuitos de acople: siguiente manera:
VE = ICQ ∗ RE (21)
Rpar = Q0 ∗ ω0 ∗ L (9) VE = 1.12V (22)
Rpar = 905.22Ω (10) VB = VBE + VE (23)
0
RC = RT ||Rpar (11) VB = 1.82V (24)
0
RC = 560Ω (12) VB
RB = ICQ (25)
hf e
RB = 8kΩ (26)
A través de la expresión de resonancia se calcula el valor VCC ∗ RB
de C. R1 = (27)
VB
R1 = 49.45kΩ (28)
R1 ∗ RB
R2 = (29)
1 R1 − RB
C= 2 (13) R2 = 27kΩ (30)
ω0 ∗ L
C = 166.34pF (14) Vt
re = (31)
ICQ
re = 2.6Ω (32)
Luego se procede a calcular el C3 utilizando la siguiente hie = re ∗ hf e (33)
expresión: hie = 260Ω (34)
Rentq3 = RB ||(hie + (RE ∗ hf e)) (35)

 2 Con el valor de la resistencia encontrada procedemos a


0 C3 calcular los valores de los capacitores del segundo circuito de
RC = ∗ RL (15)
C acople sintonizado, teniendo una bobina de las mismas especi-
C3 = 265.38pF (16) ficaciones. Los parámetros de RT = 1472Ω y C = 166.3pF
como en el circuito anterior, teniendo en cuenta la expresión
15 encontramos el valor de C5 = 47.72pF y utilizando la
expresión 17 tenemos que C4 = 66.9pF .
Mediante la expresión de capacitores en serie se obtiene C1 :
Para la segunda etapa de amplificador se utilizan los mismos
valores de RE y RB donde RE2 = 112Ω, R3 = 49.45Ω y
R4 = 27kΩ.
Para el tercer circuito de acople sintonizado se utiliza una
C3 ∗ C
C1 = (17) bobina de 2.2µH, Q0 = 107 teniendo en cuenta la ecuación
C3 − C 5, que conlleva a una Rpar = 4.2kΩ, utilizando la expresión 7
C1 = 445.7pF (18) encontramos el valor de RT = 1.4kΩ, esto implica que RC 0
=
1kΩ, utilizando la expresión 13 se determina C2 = 35.52pF
y con las siguientes expresiones se encuentra el valor de las
Se procede a realizar el diseño de la tercera etapa: bobinas L2 y L1 :

 2
0 L
RC = ∗ Rent2 (36)
R0 L2
RE3 = C (19)
Av L2 = 1.22µH (37)
RE3 = 112Ω (20) L1 = L − L2 (38)
L1 = 1µH (39)

Según el datasheet del 2N5551 para un VCE de 5V y una Para la primera etapa solo requerimos que sirva como acople
ICQ de 10mA se da un hf e de 80 mı́nimo. Para nuestro de impedancia entre la etapa 2 y la señal de entrada, por eso
circuito utilizaremos una hf e de 100, además como la bobina se ultilizará un Colector Común de Ai = 1. Se calcula ICQ a
es un corto en DC el VCE = VCC . través de la máxima excursión de salida:
VCC
ICQ = (40)
RAC + RDC
ICQ = 0.7mA (41)

Utilizando la expresión 31 se tiene que re = 35.3, em-


pleando la expresión de ganancia de corriente encontramos el
valor de RB : Fig. 4: F0 vs t

 
RB Rent2
Ai = RB 0 ||R
∗ 0 +R (42)
hf e + re + RE ent2 RE ent2

RB = 13.94kΩ (43)

El voltaje de base se determinará a través de la malla base-


emisor:
Fig. 5: Circuito teórico

RB ∗ ICQ IV. C ONCLUSIONES


VB = + VBE (44)
hf e
1) Mediante la experimentación podemos observar muchos
VB = 1V (45) fenómenos que suceden durante el funcionamiento del
R1 = 62kΩ (46) circuito, entre esos; La resistencia RC0
es mucho menor
R2 = 17kΩ (47) a la calculada con un valor que ronda los 100Ω y esto
se debe a que el valor de Q0 es mayor al calculado
previamente.
Para finalizar los capacitores de desacople se calcularán 2) En la tabla I podemos observar que la ganancia máxima
como cortoes en la frecuencia de trabajo por ende tendrán se obtubo para una frecuencia de 17M Hz que es una
un valor mayor a 1µF . mega por debajo de la calculada, esto se debe a que
durante el diseño del circuito de acople sintonizado no
se tienen en cuenta de los capacitancias interelectrodicas
del dispositivo.
3) El capacitor de desacople que está entre VCC y GND
es sumamente importante si se está trabajando en fre-
cuencias altas, en nuestro caso práctico la frecuencia
de trabajo(f0 ) sin ese capacitor hubiera estado muy por
debajo del deseado.
4) Con respecto a la 4 la gráfica de respuesta en frecuencia
da por Proteus tiene un desfase de 2M Hz con respecto a
la frecuencia esperada para la ganancia máxima teórica.

R EFERENCIAS
[1] Callender. Wireless Engineering. 1947.
[2] F. Raab H. Krauss C. Bostian. Estado sólido en in-
genierı́a de radiocomunicación. Limusa, 1993. ISBN:
9789681817299.
Fig. 3: Fotografı́a del montaje ACKNOWLEDGMENT
Gracias al ingeniero Rodolfo por enseñarnos.
Fig. 6: Circuito práctico

Fig. 7: Imagen del osciloscopio


F (M ) Vin Vout Av
16 100mV 1.05V 10.5
16.1 92mV 1.08V 11.73
16.2 74mV 1.05V 14.18
16.3 74mV 1.10V 15.2
16.4 72mV 1.15V 15.9
16.5 68mV 1.25V 18.38
16.6 68mV 1.29V 18.9
16.7 64mv 1.34V 20.0
16.8 60mV 1.37V 22.83
16.9 58mV 1.39V 23.96
17 54mV 1.36V 25.18
17.1 58mV 1.29V 22.24
17.2 60mV 1.20V 20
17.3 62mV 1.12V 18.6
17.4 64mV 1.1V 17.18
17.5 68mV 1V 14.7
17.6 78mV 920mV 11.79
17.7 82m 920mV 10
17.8 84m 860mV 10.2
17.9 76m 820mV 9.5
18 88m 820mV 9.3

TABLE I: Tabla de resultados prácticos

TABLA DE CALIFICACI ÓN


Parámetro a Medir Calculado Experimental
Frecuencia de resonancia 18M Hz
Ancho de banda 900KHz
Ganancia total 25(28db)

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