Rubén

 Sanz  Follana   1  
Cuestiones  1.6-­1.9  
 
1.6  ¿Qué  es  un  hueco  en  un  semiconductor?  

Los  semiconductores  se  forman  a  partir  de  estructuras  establecidas  mediante  

enlaces  covalentes.  En  este  tipo  de  enlace,  cuando  un  electrón  adquiere  (por  
iluminación  por  ejemplo)  energía  suficiente  y  abandona  el  enlace  se  genera  en  su  
lugar  un  “hueco”.  Resumiendo,  espacios  vacíos  dejados  por  electrones  que  
cambiaron  su  nivel  energético  en  las  estructuras  de  un  semiconductor.  

1.7  ¿  Cuánta  energía  es  necesaria  y  cómo  se  puede  formar  un  par  electrón  hueco?  

La  energía  necesaria  es  la  correspondiente  al  gap  de  energía  entre  las  bandas  de  
conducción  y  valencia  del  material.  Si  a  un  electrón  (mediante  alguna  técnica)  le  
suministramos  energía  igual  a  la  Energía  del  Gap  se  puede  producir  el  salto  
energético  y  consecuentemente  un  par  electrón-­‐hueco.  

1.8    ¿De  qué  forma  se  libera  la  energía  en  la  recombinación  entre  un  electrón  y  un  
hueco?  

Cuando  el  electrón  sufre  el  proceso  de  recombinación,  pasa  de  un  estado  
energético  superior  (banda  de  conducción  )  a  un  estado  inferior  (banda  de  
valencia)  .  Como  consecuencia  de  esto  se  libera  energía.  

1.9  ¿  Qué  es  la  masa  efectiva  de  los  portadores  de  carga  de  un  semiconductor?  

Cuando  sobre  una  partícula  como  puede  ser  un  electrón  (portador  de  carga)  se  
realiza  una  fuerza  ,  experimentará  una  aceleración.  Esta  aceleración  será  mayor  o  
menor  en  función  de  la    fuerza  ejercida  pero  también  de  la  masa  de  la  partícula.  

Supongamos  que  deseamos  ejercer  una  fuerza  sobre  un  electrón  en  el  vacío.  Para  
ello  nos  servimos  de  un  campo  eléctrico.  La  fuerza  creada  por  el  campo  vendrá  
dada  por:  
 

De  modo  que  la  aceleración  quedará  :  

Cuando  esta  misma  fuerza  la  aplicamos  a  los  electrones  de  una  red  cristalina  
(como  en  un  semiconductor)  la  aceleración  del  electrón  en  el  campo  será  muy  
distinta,  debido  a  que  el  electrón  está  sujeto  también  a  las  interacciones  de  los  
enlaces  de  la  estructura.  Para  simplificar  esto,  se  considera  que  el  electrón  
(portador)  tiene  una  masa  efectiva  distinta  de  la  que  realmente  tiene  de  modo  que  
podemos  seguir  pensando  en  nuestra  idea  de  interacción  sobre  el  portador  
aglutinando  los  efectos  bajo  esta  masa  efectiva.