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AMPLIFICADORES
Uno de los dispositivos de microondas más utilizados son los amplificadores de
potencia. La elección de dichos amplificadores varía según la potencia que
utilizaremos.

Una primera clasificación de los amplificadores los divide en aquellos que

manejan:

-Grandes señales (de potencia para transmisores): Klystron y Tubo de Onda

Progresiva TWT.

- Pequeñas señales (amplificadores de bajo ruido): amplificadores paramétricos

y los transistorizados.

Los amplificadores de potencia resultan ser un componente muy importante

dentro del diseño del circuito ya que permiten trasferir información entre
circuitos emisores y receptores, por lo que un circuito amplificador tiene que
cumplir con estándares estrictos durante su funcionamiento tales como:
rendimiento adecuado, potencia de salida lineal, ganancia estable y lineal, esto
para satisfacer las condiciones establecidas por la UIT (Unión Internacional
de Telecomunicaciones) en cuanto a circuitos aplicado a sistema de
comunicación.

Klystron:

Es un tubo de vacío lineal de haz especializado que, se usa como un

amplificador de altas frecuencias, específicamente para las frecuencias de
radio UHF arriba en el rango de microondas.

Su salida puede ser controlada con precisión en amplitud, frecuencia y fase.

El principio de funcionamiento se puede explicar en términos de un amplificador

Klystron de dos cavidades que es la configuración básica empleada.
 Fig.1: Diagrama de un Klystron

La primera rejilla próxima al cátodo controla la intensidad y el enfoque del haz

de electrones. El voltaje entre el cátodo y los resonadores de la cavidad es el
potencial de aceleración y se le denomina comúnmente tensión de haz. Este
potencial acelera el haz electrónico a una alta velocidad antes de inyectarlo en
la cavidad del resonador. Las rejillas del resonador permiten el paso de los
electrones a la vez que confinan el campo electromagnético dentro de la
cavidad. El espacio entre las rejillas se denomina espacio de interacción o gap.
Cuando los electrones atraviesan este espacio, están sujetos a potenciales rf a
una frecuencia determinada por la frecuencia de resonancia de la cavidad y la
de la señal de entrada. La amplitud de la señal de radiofrecuencia entre las
rejillas está determinada por la de la señal de entrada en el caso de un
amplificador.

Al salir del gap, los electrones pasan a una región llamada espacio de
agrupamiento, en el que los electrones acelerados adelantan a los electrones
lentos, esto provoca un enfoque y una modulación del haz. El receptor de la
cavidad resonante está situado en un punto donde la concentración del haz es
máxima. La ganancia de potencia a la salida se debe a la deceleración de los
haces de electrones. Los haces de electrones inducen una corriente de
radiofrecuencia en las paredes de la cavidad idéntica a la del haz.
 En resonancia, las oscilaciones en la cavidad de salida tienen la fase
adecuada para retardar los haces electrónicos. La potencia de salida es igual a
la diferencia de energía cinética media de los electrones antes y después de
pasar el gap. El electrodo positivo o ánodo está diseñado para minimizar la
emisión secundaria (la debida al impacto de los electrones).

Cabe mencionar que la eficiencia de un klystron puede ser tan alta como un
70%. La ganancia en potencia de un klystron depende tanto de la tensión y
corriente aplicadas a las cavidades resonantes como del número de éstas.
Cuantas más cavidades resonantes haya, mayor será la ganancia, sin
embargo, existe un límite práctico al número de cavidades impuesto por las
inestabilidades de radiofrecuencia del sistema.

Estos dispositivos se usan como amplificadores u osciladores a frecuencias de

microondas, como por ejemplo en radio-enlaces, calentamiento (hornos de
microondas) o sistemas de radar Doppler de onda continúa.

Fig. 2 Radio Enlaces

Tubo de onda progresiva

Amplifica señales de radio frecuencia (RF) mediante un montaje electrónico

llamado amplificador de tubo de onda progresiva (TWTA). Consiste en un
generador de haz electrónico y una estructura de enfoque magnético.

Fig 3: diagrama de un twt. (1) Cañón electrónico (cátodo); (2) Entrada de RF; (3) Imanes; (4) Atenuador;
(5) Bobina de hélice; (6) Salida de RF; (7) Tubo de vacío; (8) Colector (ánodo)

El cañón electrónico consiste en:

- Calefactor y cátodo, cuya superficie de emisión de electrones es mucho

mayor que el área del haz lo cual permite trabajar con menor densidad de
electrones en un orden de 15 a 50 veces.

-Electrodo de enfoque que rodea al cátodo y regula el campo eléctrico y

-Ánodo para acelerar y concentrar el haz de electrones lo cual actúa sobre la

ganancia del amplificador.

-Colector de electrones, es una estructura que desacelera el haz en varias

etapas de tensión positiva para restar energía cinética y disminuir la disipación
de calor.

Los TWT típicos en general funcionan con una tensión de colector inferior al
ánodo y cátodo. La amplificación propiamente dicha se produce en la
estructura de enfoque e interacción. En la medida que la onda a amplificar viaja
en la estructura de hélice el campo electromagnético modula la velocidad de
los electrones en ondas periódicas aproximadamente en fase con el campo.
La mayoría de los electrones desaceleran y entregan energía al campo
produciendo la amplificación. Se caracteriza a este proceso por una ganancia
proporcional a la longitud de la zona de interacción. La estructura de onda lenta
es una hélice de alambre de tungsteno o molibdeno sujeta a una varilla de
cerámica (óxido de aluminio o berilio) que la aíslan de la estructura metálica
envolvente. La selección de materiales influye en la capacidad de potencia de
salida y la eficiencia del TWT.

Los TWT pueden ser de banda estrecha o de banda ancha, siendo estos
últimos los más comunes, llegando hasta una octava. El rango de frecuencias
se encuentra comprendido entre los 300 MHz hasta los 50 GHz. La ganancia
de tensión del tubo puede llegar hasta los 70 decibelios.

Estos dispositivos se utilizan en las estaciones para comunicaciones satelitales

debido a las exigencias de potencia de emisión.

Amplificador de bajo ruido paramétrico

Mientras en el transmisor se recurre a amplificadores con Klystron, TWT, en el

lado recepción se recurre a amplificadores con transistores o paramétricos. El
principal requerimiento para el amplificador del receptor es el bajo ruido interno.
Existen amplificadores paramétricos sin enfriar con temperatura de ruido de
50°k. Con amplificadores a transistores FET se han obtenido temperaturas de
ruido de 80 a 300 °K sin enfriamiento Peltier y de 55 °K con celdas Peltier.

El amplificador paramétrico utiliza una reactancia no lineal (reactancia que

varía en función de una señal apropiada). El diodo varactor actúa como una
resistencia negativa ante la presencia de la señal lo cual produce la
amplificación. La señal que varía la resistencia se llama señal de bombeo.

En la figura 4 que se muestra el circuito equivalente a un diodo varactor. La

resistencia de pérdida de los elementos en serie Rs es proporcional al ruido
térmico del amplificador y de reducirse Rs mejora el factor de ruido. El valor de
Rs disminuye cuando se enfría el conjunto con una celda Peltier o con las
mejoras introducidas en el diseño del diodo y los materiales.
En la misma figura se muestra el diagrama del amplificador paramétrico. El
amplificador consiste en 3 señales: la señal de bombeo proveniente de un
oscilador con diodo Gunn de frecuencia superior a la señal a amplificar; la
señal a amplificar y la señal complementaria que se produce al mezclarse
ambas señales precedentes. En condiciones ideales toda la potencia de la
señal de bombeo se transfiere a la señal a amplificar; esto ocurre cuando la
frecuencia de la señal de bombeo es el doble de la otra señal y cuando ambas
están en fase.

En el diodo varactor se dispone entonces de 2 señales: una senoidal que

corresponde a la RF a amplificar y otra rectangular que es la señal de bombeo.
Cuando la tensión del capacitor es máxima la carga también lo es y equivale a
Q=C.V. Si en este momento se produce un salto en el valor de la capacidad C
(mediante la tensión de bombeo) el valor de V se incrementa para mantener
constante la carga. Cuando el valor de Q es cero se vuelve al valor original de
C (mediante la tensión de bombeo).

A cada paso de bombeo se obtiene una pequeña amplificación de la tensión

proporcional a la variación de la capacidad.

Fig.4: diagrama del amplificador paramétrico en recepción.

Amplificador a transistores

Los amplificadores más interesantes por la relación entre el costo, consumo,

tamaño, reproductividad y distorsiones son los realizados mediante transistores
SSPA (Solid State Power Amplifier). El semiconductor silicio es útil en
transistores bipolares hasta los 3000 MHz, mientras que el Arseniuro de Galio
(As Ga) se utiliza por encima de dicha frecuencia en la configuración de
transistor de efecto de campo (FET).

Fig 5: diagrama del amplificador transistorizado

En los amplificadores de potencia de estado sólido el nivel máximo de potencia

de salida es de 10 watts en las bandas de 4/6 GHz y de 2,5 w en 11/14 GHz.
Tienen por ello una potencia de salida limitada frente a los amplificadores
tradicionales usados en estaciones terrenas. En los amplificadores de bajo
ruido se selecciona la configuración FET con barrera Schottky que permite una
figura de ruido muy reducida. Por ejemplo, en estaciones terrenas con 4 etapas
donde la primera se enfría termoeléctricamente mediante celdas Peltier a -40
°C se logran valores de 0,6 dB a 4 GHz con ganancia de 14 dB.

En estaciones para comunicaciones terrestres no se recurre al enfriamiento

termoeléctrico y la figura de ruido se encuentra cerca de 4 dB.