MICROELECTRÓNICA

Circuitos Integrados
MsC. Luz Adanaqué Infante
 CONTENIDO DEL CURSO
1. Técnicas de diseño y fabricación.
Circuitos Integrados híbridos.
Proceso planar, isoplanar.
Fotolitografía, etching. 1. Diseño/
Metodología Top/down. fabricación
2. Modelamiento de circuitos integrados.
Circuitos CMOS estáticos 2. Modelamiento
Circuitos CMOS dinámicos
3. Test/Verificación
Circuitos a capacitores conmutados

3. Metodología de Test y verificación.

4. Nanomateriales
Fallos y errores, control y observabilidad.
Técnicas de testeo.

4. Introducción a los nano materiales.

ASIC, FPGA, circuitos semi-custom, full-custom, retos y desafíos del diseño con nano materiales

MsC. LUZ ADANAQUÉ UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

 INTRODUCCIÓN

CLos circuitos integrados han supuesto un importante avance en la configuración de

los sistemas electrónicos sobre todo por la aparición de nuevas tendencias, como
son:

La miniaturización de los equipos.

La confiabilidad del diseño.
El bajo costo para la producción en serie.

La posibilidad de trabajar con frecuencias más elevadas al eliminar conductores.

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 FlUJO CÍCLICO EXPERIMENTAL

1. Modelamiento del dispositivo.

2. Diseño de la tecnología usada en el proceso.

3. Diseño del circuito e interconexiones.

4. Fabricación.

5. Caracterización y test de radiación.

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 TECNOLOGÍAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

1. Circuitos integrados monolíticos.

2. Circuitos integrados peliculares:

De película delgada/fina
De película gruesa

3. Circuitos bipolares.

4. Circuitos CMOS.

5. Circuitos BICMOS.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS MONOLÍTICOS

Los circuitos integrados monolíticos se construyen sobre una sola placa de

silicio,llamada monocristaL o sustrato, generalmente de tipo P.

Se configura como una unidad inseparable que forma una estructura única, cuyos
componentes van formándose simultáneamente,todos en el sustrato, y que no puede ser
dividida sin destruir de forma irreversible su función eléctrica.

El proceso de fabricación está basado en la técnica planar,sus fases son: la

preparación de las máscaras fotográficas, la elaboración del circuito y, por fin, el
encapsulado y verificación.

El correcto funcionamiento de estos circuitos depende del riguroso control que se

realice sobre el número de impurezas que se introduzcan en el silicio.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS PELICULARES (FILM)

Llamados también híbridos, porque los condensadores y resistencias de valores grandes se

forman al exterior del sustrato,sobre un material aislante (vidrio/cerámico)

Se desarrollan para salvar las limitaciones que la técnica planar impone a los integrados
monolíticos:

• Resistencias y condensadores de pequeñas tolerancias y elevados valores.

• Producción en serie de circuitos reducidos.

La técnica de circuitos integrados peliculares permite la realización, en un encapsulado

simple, de combinaciones extremadamente complejas de semiconductores.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS A PELÍCULA GRUESA

Los circuitos integrados de película gruesa (thick-film) son circuitos en los que los
elementos pasivos y las distintas interconexiones se forman sobre un circuito impreso, por
procedimientos serigráficos.
En este tipo de circuitos los elementos activos también son incorporados como unidades
independientes.

http://www.idc-online.com/technical_references/pdfs/electronic_engineering/Thick_film_technology.pdf

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 CIRCUITOS INTEGRADOS A PELÍCULA FINA

Llamados también thin-film , son

construidos sobre un substrato de
cerámica o de vidrio.

• Los elementos pasivos y las interconexiones

se obtienen por técnicas de evaporación al
vacío sobre el substrato.

• Los elementos activos son montados y soldados

sobre el sustrato como unidades
independientes.

Los circuitos integrados de película

delgada se emplean fundamentalmente en
circuitería analógica. Debido a la gran
precisión que alcanzan las resistencias(
< ± 0,1 % ).

https://phys.org/news/2013-10-thin-semiconductor-production-next-generation.html

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 TRANSISTORES BIPOLARES
El transistor bipolar se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden
impurezas, de forma que se obtengan tres regiones semiconductoras (npn y pnp).

Consta de tres partes:

• Colector: Zona menos dopada que el emisor.
• Base: Estrecha y poco dopada para dejar pasar toda la corriente.
• Emisor: Zona muy dopada (n+) para entregar portadores a la corriente.

La IB controla la corriente IEC

Tiene tres regiones de funcionamiento:

Corte : No circula corriente (IE <= 0), basta con VBE = 0.
Activa : Colector emisor en inversa y Base emisor en directa. Ic = B.IB
Saturación : Los dos diodos se polarizan en directa (no se cumple Ic = B.IB )

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 CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES

Los circuitos integrados bipolares son históricamente los primeros circuitos

integrados monolíticos.

Han ido perdiendo gradualmente su liderazgo a favor de los circuitos integrados MOS
básicamente por sus desventajas, relacionadas con su baja densidad de integración.

Usan componentes activos (transistores npn, pnp, diodos) y elementos pasivos (R y C)

Para el aislamiento eléctrico en la placa de monocristal de Si se emplean:

• Aislamiento con diodo.

• Aislamiento con dieléctrico.
• Aislamiento combinado.

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 TRANSISTORES MOS
El transistor MOS es un dispositivo de tres terminales:
• Puerta (gate):
• Drenador (Drain):
• Fuente (source):

Al aplicar una tensión (+ en nmos, - en pmos) entre la puerta

y el sustrato, fluye entre el drenador y fuente una corriente
que depende de la tensión VD - VS

La VD – Vs controla la IDS

Tiene tres regiones de funcionamiento:

Corte : Dispositivo apagado (Cuando Vgs < Vth)
Lineal : Resistencia controlada por la tensión en la puerta (Vgs > Vth) y Vds <(Vgs - Vth)
Activa : Estrangulamiento del canal, la relación ya no se cumple (Vgs > Vth) y Vds > (Vgs - Vth)

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 CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

La técnica del metal-óxido-semiconductor complementaria (CMOS) es la más usada en

la actualidad, debido a su consumo extraordinariamente pequeño y alta integración.

En un circuito CMOS se acoplan en forma de parejas transistores pMOS y nMOS de

forma que se elimina la necesidad de resistencias o transistores de carga, de este
modo se elimina también la pérdida de potencia asociada con cualquier resistencia
eléctrica.

La principal desventaja de los CMOS es que utilizan un número mayor de

transistores por puerta que otras familias lógicas, lo cual tiende a incrementar
la complejidad y superficie del circuito.

Los circuitos se fabrican mediante la superposición sucesiva en capas (layers) de

diversos materiales sobre una superficie base de silicio.

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 CIRCUITOS INTEGRADOS BICMOS

Desarrollada en los 90s, incorporando la tecnología BJT y CMOS.

Procesamiento complejo: Tecnologías NMOS y PMOS amalgamadas con las ventajas de la
bipolar (bajo consumo y alta velocidad)
Alta impedancia de entrada (MOS) y alta ganancia de corriente (BJT).

VENTAJAS: DESVENTAJAS:
• Suministra alta carga de corriente.
• Se puede usar el BJT si la velocidad • Proceso de
es crítica.
fabricación
• Se puede usar el MOS si la potencia
es crítica. complejo y

• Adecuado para aplicaciones costoso.

intensivas de entrada/salida.

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 CONCLUSIONES

1. La evolución en la fabricación de circuitos integrados ha sido acorde con

las exigencias en velocidad y potencia.

2. Los circuitos integrados basados en CMOS han copado todas las

aplicaciones analógicas y digitales en la actualidad.

3. El conocimiento de las técnicas de fabricación de cada familia de

circuitos integrados nos permitirá entender cuál es la tendencia en
fabricación de circuitos actuales.

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 5. PREGUNTAS

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