Universidad Autónoma de Querétaro

Tarea 26
Fı́sica computacional
Rodrı́guez Espino Miguel
Profesor: Dr. López Miranda José Alonso
Resumen

En este trabajo se presenta la densidad de estados (DOS) y las

densidades de carga para el silicio (Si) y el cloruro de sodio (Nacl)
que serán de utilidad para conocer las energı́as y las estructuras de
ambos compuestos (Si, NaCl). Además de realizar una busqueda
bibliográfica para compararlo con otros trabajos previamente res-
portados en la literatura.
Índice
1. Introducción 1

2. Resultados 1
2.1. Densidad de estados Silicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.2. Densidad de estados NaCl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.3. Busqueda bibliográfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.4. Densidad de carga NaCl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.5. Densidad de carga silicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

3. Conclusiones 4
3.1. busqueda bibliográfica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Referencias 5

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1. Introducción
En los sistemas de mecánica cuántica, las ondas, o partı́culas similares a ondas, pueden
ocupar modos o estados con longitudes de onda y direcciones de propagación dictadas por el
sistema. Por ejemplo, en algunos sistemas, el espacio interatómico y la carga atómica de un
material podrı́an permitir que solo existan electrones de ciertas longitudes de onda. En otros
sistemas, la estructura cristalina de un material podrı́a permitir que las ondas se propaguen
en una dirección, mientras se suprime la propagación de ondas en otra dirección. A menudo,
solo se permiten estados especı́ficos. Por lo tanto, puede suceder que muchos estados estén
disponibles para la ocupación en un nivel de energı́a especı́fico, mientras que no hay estados
disponibles en otros niveles de energı́a.

La densidad de estados (DOS) en un sistema fı́sico caracteriza el número existente de estados

por cada intervalo de energı́a. En un sistema cuántico finito (partı́cula en un pozo) existe
un número discreto de estados posibles de la energı́a, de modo que la densidad de estados
será una distribución discreta; en cambio en sistemas infinitos las energı́as accesibles forman
un continuo de modo que la densidad de estados formará también un continuo. La densidad
de estados depende esencialmente del tipo de interacción del sistema (ya que es esta la que
determina la cuantización de las energı́as).

2. Resultados
2.1. Densidad de estados Silicio

Figura 1. Densidad de estados (DOS) para el Si

En la figura superior se muestra una gráfica en la que se presenta la densidad de estados del
silicio. Para ello se grafica la Energı́a en eV contra la densidad de estados por eV (DOS).

1
2.2. Densidad de estados NaCl

En la figura superior se muestra una gráfica en la que se presenta la densidad de estados del
cloruro de sodio. Para ello se grafica la Energı́a en eV contra la densidad de estados por eV
(DOS).
Figura 2. Densidad de carga para el NaCl

2.3. Busqueda bibliográfica

El siguiente trabajo fue reportado por el autor (Ivashchenko, Turchi, Shevchenko, Olifan,
2011)

Figura 3. Densidad de estados para el Si

Densidad de estados (DOS) de NaCl. Cada La lı́nea vertical localiza el nivel de Fermi.

El siguiente trabajo fue reportado por el autor (Cargnoni, Gatti, May, Narducci, 2000)

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 Figura 4. Densidad de estados para el Si
Densidad de estados DOS de silicio a granel cerca del nivel de Fermi. Energı́a en Hartrees; DOS
en unidades arbitrarias.

El siguiente trabajo fue reportado por el autor (Kaltsas, Tsetseris, Recent, 2010)

Figura 5. Densidad de estados para el Si √ √

Densidad electrónica de estados (DOS) de silicio en la Geometrı́a bidimensional 3x 3. El cero
de energı́a se establece en el nivel de Fermi.

2.4. Densidad de carga NaCl

Figura 6. Densidad de estados para el Si

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En la Figura 1. se muestra la representación gráfica de la densidad de carga y estructura
cristalina del cloruro de sodio. Los datos necesarios para la gráfica anterior se otuvieron en
abinit con la herramiento para representación grafica VESTA. La información más relevante
para el cloruro de sodio son el numero atómico de 11, los ángulos para la estructura de cubica
centrada en las caras, el band gap de 1.12 eV a 300 k y el parámetro de red es de 0.543nm.

2.5. Densidad de carga silicio

Figura 7. Densidad de carga para el silicio

En la Figura 1. se muestra la representación gráfica de la densidad de carga y estructura

cristalina del silicio. Los datos necesarios para la gráfica anterior se realizaron en abinit y se
empleo la herramiento para representación grafica VESTA. La información más omportantes
del silicion son el numero atómico de 14, los ángulos para la estructura de diamante, el band
gap de 1.12 eV a 300 k y el parámetro de red de 0.543nm. Cuando el cloruro de sodio está
en estado sólido, sus átomos se acomodan en una estructura cristalina cúbica, como es de
esperarse en una unión iónica ocasionada por los campos electrostáticos de sus átomos.

3. Conclusiones
Al observar la densidad de los estados de los electrones en el borde de la banda entre
las bandas de valencia y conducción en un semiconductor, para un electrón en la banda de
conducción, un aumento de la energı́a electrónica hace que haya más estados disponibles para
la ocupación. Alternativamente, la densidad de estado es discontinua para un intervalo de
energı́a, lo que significa que no hay estados disponibles para que los electrones ocupen dentro
del intervalo de banda del material. Esta condición también significa que un electrón en el
borde de la banda de conducción debe perder al menos la energı́a de separación de banda del
material para pasar a otro estado en la banda de valencia. Dependiendo del sistema mecánico
cuántico, la densidad de estados se puede calcular para electrones, fotones o fonones, y se
puede dar en función de la energı́a o del vector de onda k.

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3.1. busqueda bibliográfica

Referencias
[1] Ivashchenko, V. I., Turchi, P. E. A., Shevchenko, V. I., Olifan, E. I. (2011).
First-principles study of phase stability of stoichiometric vanadium nitrides.
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 84(17), 1–7.
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.174108

[2] Cargnoni, F., Gatti, C., May, E., Narducci, D. (2000). Geometrical reconstructions
and electronic relaxations of silicon surfaces. I. An electron density topological study
of H-covered and clean Si(111)(1x1) surfaces. Journal of Chemical Physics, 112(2),
887–899. https://doi.org/10.1063/1.480616

[3] Kaltsas, D., Tsetseris, and L., Recent. (2010). Stability and electronic properties of
ultrathin films of silicon and ger- View Article Online manium, (207890).