UNIDADES TECNOLOGICAS DE SANTANDER

TECNOLOGÍA ELECTROMECÁNICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
NOMBRE CODIGO FIRMA
JONATHAN ANDRES ALEGRIA 1095946841
ARANGO

NOMBRE DE LA PRÁCTICA: curva característica del diodo

NÚMERO DE LA PRÁCTICA:02
GRUPO:E112
BANCO DE TRABAJO:___________

PROCEDIMIENTO:

LA PRESENTE PRÁCTICA, PERSIGUE QUE EL ESTUDIANTE MANEJE

LOS CONCEPTOS BASICOS ASOCIADOS AL LOS DIODOS
REALES, ASÍ MISMO VERIFIQUE Y ENTIENDA LA CURVA
CARACTERISTICA DE LOS DIODOS DE SILICIO Y
DE GERMANIO.

PREPARACION:

1. Explique brevemente el funcionamiento del diodo real.

Diodo Real. Cuando el diodo conduce, la corriente circula desde el ánodo hacia el cátodo y se
dice que el diodo está polarizado en directa. Cuando el ánodo está a menor potencial que el
cátodo, el diodo se polariza en inversa y no permite que circule corriente desde el cátodo hacia
el ánodo.

2. Explique el concepto de polarización

directa en el diodo.
Cuando se aplica un voltaje V para una polarización pero que V < VD, el diodo se comporta como
un circuito abierto debido a que no se ha alcanzado el voltaje de umbral por lo que los portadores
mayoritarios aun no pueden saltar la región de agotamiento
Nota: ya no hay corriente de saturación inversa debido a que el dispositivo ya se polarizó de forma
directa, tampoco hay corriente ID debido a que aún no se alcanza VD
3. Explique el concepto de polarización
inversa en los diodos.
Cuando se aplica un voltaje inverso al diodo la barrera de potencial que tienen que superar los
portadores mayoritarios es muy grande por lo que no hay una corriente significativa. Existe una
pequeña corriente llamada corriente de fuga la cual es del orden del nano al micro amperes.
Esencialmente se comporta como un circuito abierto

4. Explique qué entiende por voltaje de barrera y

voltaje de ruptura en los diodos.
Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ). La tensión umbral (también llamada barrera de
potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado.

La 'tensión de ruptura' de un diodo es la mínima tensión necesaria en polarización inversa para

hacer que el diodo conduzca en sentido inverso.

PRIMERA PARTE:

a) Identificar los terminales del diodo (Ánodo y cátodo).

b) Montar el circuito de la figura 1 utilizando un diodo de silicio.

c) Ajustar el voltaje de la fuente a 10 V y el potenciómetro a 10 k

d) Cerrar el interruptor S1, medir la corriente en el circuito y el voltaje en el diodo. Anotar los
resultados en la tabla 1.
 937 microA 533mV
1.04mA 536mV
1.17mA 539mV
1.33mA 542mV
1.55mA 546mV
1.85mA 551mV

2.30mA 556mV
3.04mA 563mV
4.49mA 573mV
8.55mA 590mV
15.7mA 606mV
46.8mA 634mA

e) Variar el valor del potenciómetro de acuerdo a lo indicado en la tabla 1, medir la corriente

en el circuito y el voltaje entre terminales del diodo. Anotar las mediciones en la tabla 1.

SEGUNDA PARTE:

Una vez realizada completa la parte 1 y sin retirar el montaje realice lo siguiente:

a) Abra el interruptor S1, invierta la conexión del diodo, ajuste el potenciómetro a 1kΩ y el
voltaje de la fuente a 0.5 V.
b) Cerrar el interruptor, medir la corriente en el circuito, medir el voltaje entre terminales del
diodo y anotar los resultados en la tabla 2.
 1 600 mV
1 1000mV
1 4V
1 10V
1 12V
0 15V
1 17V
0 20V

c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a lo marcado en la tabla 2 , medir la corriente en

el circuito y el voltaje entre terminales del diodo para cada nivel de voltaje de la fuente y
anotar los resultados en la tabla 2.

TERCERA PARTE:
a. Con los datos obtenidos en la primera y segunda parte construya una grafica de Voltaje-
vsCorriente.

Figura 2. Curva característica del diodo de silicio obtenida experimentalmente.

b. Registre los valores de la escala de la grafica realizada en el numeral anterior.

Voltaje: ____1:100_______[Vm] Corriente:____1:1_______[mA]

CUARTA PARTE:
Realice el procedimiento correspondiente a la parte 1. Ahora con un diodo de germanio y registre
los datos en la tabla 3.

Potenciómetro Corriente en el cto Voltaje en las

terminales del diodo
(OHM)

10K 937 microA 533mV

9K 1.04mA 536mV

8K 1.17mA 539mV

7K 1.33mA 542mV

6K 1.55mA 546mV

5K 1.85mA 551mV

4K 2.30mA 556mV

3K 3.04mA 563mV

2K 4.49mA 573mV

1K 8.55mA 590mV

500 15.7mA 606mV

100 46.8mA 634mV

QUINTA PARTE:
Realice el procedimiento correspondiente a la parte 2. Ahora con un diodo de germanio, registre
los datos en La tabla 4.
Voltaje de la fuente Corriente del circuito Voltaje de las termínale
del diodo
0.5 V 244uA 332mV
1V 571uA 372mV
4V 3.13mA 556mV
7V 5.71mA 714mV
10V 8.30mA 866mV
12V 10mA 966mV
15V 12.6mA 1.11v
17V 14.4mA 1.21V
20V 16.9mA 1.36v
SEXTA PARTE:
a. Con los datos obtenidos en la tercera y cuarta parte construya una grafica de Voltaje-
vsCorriente.

Figura 3. Curva característica del diodo de germanio obtenida experimentalmente.

b. Registre los valores de la escala de la grafica realizada en el numeral anterior.

Voltaje: ____1:100____ [V] Corriente:______1:1___[mA]

COMPROBACIÓN DE CONCEPTOS
1. De acuerdo a las medidas tomadas anteriormente ¿Como cree que es el comportamiento de
los diodos de silicio y germanio?
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2. ¿ Que diferencia encontró en cuanto a conducción con polarización directa entre el diodo de
silicio y el de
germanio?.__________________________________________________________________
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3. ¿Qué diferencia encontró en cuanto a conducción con polarización inversa entre el diodo de
silicio y el de
germanio?.__________________________________________________________________
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4. ¿Se puede considerar el diodo como un dispositivo de circuito lineal? Explique su respuesta.
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CONCLUSIONES:

Se deben redactar al menos tres conclusiones de

lo aprendido en la práctica actual. Se
debe tener en cuenta que las conclusiones se deben
redactar de tal manera que no se
 utilicen las respuestas a las preguntas plantadas, ni al
inicio ni al final de la practica.

1. ____________________________________________________________________________
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2. ____________________________________________________________________________

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3. ____________________________________________________________________________

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BIBLIOGRAFÍA: