Week

 8  Quiz  Answers  
ECE  606:  Solid  State  Devices  
Mark  Lundstrom  
Purdue  University,  Spring  2013  
Quiz  1:  
Answer  the  four  multiple  choice  questions  below  by  choosing  the  one,  best  answer.  
Then  ask  a  question  about  the  lecture.  
 
1) What  does  the  term  “depletion  approximation”  mean  in  the  context  of  a  PN  junction?  
 
a)  The  term  refers  to  an  undoped  region  near  the  PN  junction.  
b)  The  term  refers  to  a  region  for  which   n, p << ni .  
c)  The  term  refers  to  a  condition  for  which   n − p << N D − N A  .  
d)  The  term  refers  to  a  condition  for  which   n − N D << p − N A  .  
e)  The  term  refers  to  a  region  near  the  PN  junction  where  n  and  p  are  much  less  than  
         the  doping  density  
 
 
2) In  a  PN  junction,  where  does  the  peak  electric  field  occur?  
 
a)    At  the  edge  of  the  depletion  region  on  the  N-­‐side.  
b)    At  the  edge  of  the  depletion  region  on  the  P-­‐side.  
c)    At  the  center  of  the  depletion  region.  
d)    At  the  center  of  the  part  of  the  depletion  region  that  lies  on  the  N-­‐side.  
e)    At  the  junction  between  the  N  and  P  sides.
 
 
 
3) The  formula  for  the  built  in  potential  is  an  important  one  that  we  should  remember.  
What  is  it?  
a)     qVbi = k BT ln ( N A ) ni2  
b)     qVbi = k BT ln ( N D ) ni2  
c)   qVbi = k BT ln ( N A N D ) ni2  
( )
d)   qVbi = k BT ln ni2 N A  
e)     qVbi = k T ln ( n N )  
2
B i D  
 
 
 
 
Continued  on  next  page  
 
 
 

  1  
4) If  we  apply  a  reverse  bias  to  a  PN  junction,  what  happens?  
 
a)     The  magnitude  of  the  peak  electric  field  decreases,  and  the  width  of  the  
depletion  region  decreases.  
b)     The  magnitude  of  the  peak  electric  field  decreases,  and  the  width  of  the  
depletion  region  increases.  
c)     The  magnitude  of  the  peak  electric  field  increases,  and  the  width  of  the  depletion  
region  decreases.  
d)   The  magnitude  of  the  peak  electric  field  increases,  and  the  width  of  the  depletion  
region  increases.  
e)      The  magnitude  of  the  peak  electric  field  is  increases,  and  the  width  of  the  
depletion  region  unchanged.  
 
 
Quiz  2:  
 
1) For  a  moderately  forward  biased  PN  junction,  we  solve  the  minority  carrier  diffusion  
equation  in  the  quasi-­‐neutral  N  and  P  regions.    We  need  2  boundary  conditions.    If  x  =  
0  is  the  boundary  of  the  quasi-­‐neutral  P  region  adjacent  to  the  depletion  region,  what  
is  the  boundary  condition  for  the  excess  minority  electron  equation  at  x  =  0  for  an  
applied  bias  of  VA?    (This  result  is  known  as  the  “Law  of  the  Junction.”).    
 
a)     Δn ( x = 0 ) = N Ae A B  .  
qV k T

( )
b)   Δn ( x = 0 ) = ni2 N A ln ( qV A k BT )  
c)   Δn ( x = 0 ) = ( n )e (
2 q Vbi −V A ) k BT
i
NA .  
d)   Δn ( x = 0 ) = ni2 e
qV A k BT
 
(
e)   Δn ( x = 0 ) = ni2 N A e ) qV A k BT
 
 
 
2) For  very  large  forward  bias,  the  current  “rolls  off”  (i.e.  the  current  is  not  as  large  at  a  
given  voltage  as  the  ideal  diode  equation  would  predict).    The  reason  for  this  is:  
 
a) For  high  currents,  there  are  voltage  drops  across  the  N  and  P  regions,  
so  only  a  portion  of  the  applied  voltage  actually  gets  to  the  PN  junction  and  
forward  biases  it.  
b)   The  applied  bias  exceeds  the  bandgap  of  the  semiconductor.  
c)   The  diode  enters  breakdown.  
d)   The  depletion  approximation  begins  to  fail.  
e)   The  diode  begins  to  overheat.
 
 
 
Continued  on  next  page  

  2  
  
3) If  you  observe  an  n  =  2  slope  to  the  high  forward  bias  IV  current  of  a  PN  junction,  what  
physical  explanation  would  you  give?  
 
a)  Diode  is  in  low-­‐level  injection.  
b)  Zener  tunneling.  
c)  Diode  is  in  high  level  injection  with  ambipolar  transport  
d)  Recombination  is  controlled  by  radiative  recombination  
e)  Recombination  is  controlled  by  Auger  recombination  
 
 
4) What  region  of  the  IV  characteristic  of  a  PN  junction  does  tunneling  affect?  
 
a)     Low  forward  bias  (if  the  junction  is  heavily  doped  on  both  sides)  and  moderate  
to  high  reverse  bias.  
b)     Low  forward  bias  (if  the  junction  is  heavily  doped  on  one  side)  and  moderate  to  
high  reverse  bias.  
c)     High  forward  bias  (if  the  junction  is  heavily  doped  on  both  sides)  and  moderate  
to  high  reverse  bias.  
d)   High  forward  bias  (if  the  junction  is  heavily  doped  on  one  side0  and  moderate  to  
high  reverse  bias.  
e)    Only  high  reverse  bias.  
 
 
Quiz  3:  
 
 
1) The  Schottky  barrier  height  is  a  key  parameter  for  a  metal-­‐semiconductor  junction.    
For  a  metal,  N-­‐type  semiconductor,   Φ bN  is  given  by  which  of  the  following  
expressions?    
 
a)     Φ bN = χ S − Φ M  .  
b)     Φ bN = χ S + Φ M  
c)     Φ bN = Φ M − χ S .  
d)     Φ bN = χ S − Φ M  
e)     Φ bN = Φ M × χ S  
 
 
Continued  on  next  page  
 
 
 

  3  
2) The  forward  bias  current  in  a  typical  Schottky  barrier  is  due  to  what  physical  
mechanism?  
 
a)    Drift  
b)    Diffusion  
c)    Recombination  
d)    Thermionic  emission  
e)    Zener  tunneling
 
 
 
3) At  a  given  forward  bias,  how  does  the  current  in  a  typical  Schottky  barrier  compare  to  
that  in  typical  PN  junction?  
 
a)  The  SB  current  is  much  larger  than  the  PN  junction  current.  
b)  The  SB  current  is  a  little  larger  than  the  PN  junction  current.  
c)  The  SB  current  is  much  smaller  than  the  PN  junction  current.  
d)  The  SB  current  is  a  little  smaller  than  the  PN  junction  current.  
e)  The  SB  current  is  about  the  same  as  the  PN  junction  current.  
 
 
4) What  is  the  forward  bias  ideality  factor  of  a  Schottky  barrier  diode?  
 
a)     n = 1  
b)     n = 2  
c)     1 < n < 2  
d)   n > 2  
e)   n < 1  
 
 
Quiz  4:  
 
1) The  small  signal  model  for  a  Schottky  barrier  diode  contact  contains  what  
parameters?    
 
a)    The  dynamic  resistance  and  the  junction  capacitance.    
b)    The  dynamic  resistance  and  the  diffusion  capacitance.    
b)    The  junction  capacitance  and  diffusion  capacitance.    
b)    The  dynamic  resistance.    
b)    The  junction  capacitance.    
 
 
 
 
 
 
Continued  on  next  page  

  4  
  
2) Majority  carriers  respond  in  what  characteristic  time?  
 
a)    The  carrier  lifetime.  
b)    The  carrier  diffusion  time,  
c)    The  scattering  time.  
d)    The  dielectric  relaxation  time.  
e)    The  drift  time.
 
 
 
3) To  make  a  good  ohmic  contact  to  a  semiconductor,  what  should  be  done?  
 
a)    Choose  a  metal  with  a  high  Schottky  barrier  height.  
b)    Use  a  lightly  doped  semiconductor.  
c)    Introduce  defects  into  the  semiconductor  to  lower  its  lifetime.  
d)    Dope  the  semiconductor  very  heavily.  
e)    Reduce  the  contact  area.  
 
 
4) What  are  the  consequences  of  Fermi  level  pinning?  
 
a)     The  Schottky  barrier  height  will  be  insensitive  to  the  type  of  metal.  
b)     The  SB  will  behave  like  a  PN  junction.  
c)     The  SB  will  be  ohmic  –  not  rectifying.  
d)   The  thermionic  emission  theory  will  have  to  be  replaced  by  drift-­‐diffusion  
theory.  
e)   The  ideality  factor  of  the  SB  will  decrease.  
 

  5