2.

Célula-módulo solar

2.1.  Componentes electrónicos activos

Ya sabemos lo que son cuerpos conductores y aislantes por su mucha conductividad
o por su mucha resistividad al paso de la corriente.

En los conductores la resistividad aumenta con la temperatura.

Los materiales aislantes son aquellos en los que se precisa liberar una gran cantidad
de energía para provocar el paso de los electrones de la banda de valencia a la banda
de conducción.

Los semiconductores a temperatura de cero absoluto (cero grados Kelvin) no tienen

electrones libres y se comportan como aislantes. Sin embargo, a temperatura ambiente
se consigue la suficiente energía para liberar electrones de la banda de valencia a la
de conducción.

La diferencia con los materiales puramente conductores y aislantes hace especialmente

interesantes a estos compuestos, ya que su conductividad es función de parámetros
que podemos manipular y no de origen.

Gracias a los componentes semiconductores se ha conseguido el desarrollo tan

espectacular de la electrónica, uniendo a su pequeño tamaño unas características
técnicas muy buenas.

La construcción de los semiconductores se realiza, en la mayor parte de los

componentes, a partir de materiales muy abundantes en la corteza terrestre, en
concreto de silicio y de germanio. La estructura de sus átomos forma una estructura
rómbica, los átomos se unen formando los llamados enlaces.

89
 Energía solar fotovoltaica

Figura 2.1.  Estructura cúbica.

Figura 2.2.  Estructura rómbica correspondiente a los semiconductores.

2.1.1.  El enlace iónico

Se caracteriza por la cesión de electrones de un átomo a otro. Los materiales se
agrupan según el número de electrones de valencia que tienen en su última capa,
formando el famoso sistema periódico. Unos tienen 5 (grupo 5B), otros 4, etc.

Algunos materiales químicos tienden a ceder tres electrones de valencia para que en
su penúltimo nivel queden 8 electrones. Otros, pertenecientes al grupo 5B absorberán
estos tres electrones para quedarse en su último nivel con 8 electrones.

90
 2. Célula-módulo solar

El ejemplo más conocido es el cloruro sódico, o sea, la sal común. Un

átomo de cloro, con siete electrones en su último nivel, se une con un átomo
de sodio, con un electrón en su último nivel. El sodio cede su electrón del
último nivel, u órbita, con lo cual el cloro alcanza la estabilidad. Ya se ha
formado el ion cloruro (-) y el ion de sodio (+) al quedar este último con más
protones, pero con 8 electrones en su última órbita. Con ello adquieren la
configuración electrónica del gas noble más cercano.

2.1.2.  El enlace covalente

Se caracteriza porque los átomos comparten electrones. Los átomos de los materiales
del grupo 4B forman enlaces covalentes al compartir 4 electrones con 4 átomos
de su alrededor, consiguiendo 8 electrones en su último nivel, lo que les confiere la
estabilidad de gas noble.

Esta es la base de toda la teoría de la conducción de los semiconductores, además

de la famosa Ley de Culomb: las cargas de distinto signo se atraen y las del mismo
se repelen.

Un ion positivo es un átomo con defecto de electrones y un ion negativo es

un átomo con exceso de estos.

Cuando, en una estructura cristalina, un electrón abandona su lugar, deja una plaza
libre, denominada “hueco”, que puede ser ocupada por otro electrón.

En el desplazamiento de los electrones, en la corriente eléctrica, dejan huecos detrás

y ocupan huecos delante. El efecto es que los huecos se desplazan hacia el polo
negativo y los electrones hacia el positivo.

2.1.3.  Semiconductores
Los semiconductores se caracterizan por tener cuatro electrones en su última
órbita, de manera que su estructura atómica está formada por enlaces covalentes
(compartidos).

Los semiconductores a temperatura de cero absoluto (0 grados Kelvin) no tienen

electrones libres y se comportan como aislantes. Sin embargo, a temperatura ambiente
se consigue la suficiente energía para liberar electrones de la banda de valencia a la de
conducción. Los más conocidos y empleados son el germanio y el silicio.

Los enlaces covalentes mantienen ligados los electrones de manera que tan solo es
posible liberarlos mediante la aplicación de energía.

91
 Energía solar fotovoltaica

Un hueco es la ausencia de un electrón en la estructura de enlaces. En un

semiconductor puro o intrínseco todos los electrones forman parte de los
enlaces y la ausencia de uno de ellos provoca un hueco.

Semiconductores intrínsecos
Se denomina así a los semiconductores puros en los cuales la totalidad de los átomos
son del mismo material semiconductor.

A temperatura ambiente se liberan electrones, dejando huecos en su lugar de una

forma aleatoria, ahora bien, si introducimos energía, provoca la ruptura de más enlaces
covalentes. Por ejemplo, los electrones más próximos al polo positivo de una pila, por
ejemplo, son atraídos por este y abandonarán su enlace. Los electrones más próximos
al negativo de la pila son repelidos y se dirigen a través de los huecos al polo positivo.

El efecto resultante es que los electrones se dirigen hacia el polo positivo y los huecos
hacia el negativo. La corriente de un semiconductor está formada por los dos tipos de
flujos: el de electrones en un sentido y el de huecos en sentido contrario.

Los dos flujos anteriormente citados estarían compuestos por portadores de carga
eléctrica, los electrones de negativas y los huecos, podemos considerarlos para mejor
entendimiento, de positiva.

Semiconductores extrínsecos
Con el fin de aumentar la conductividad se generan los semiconductores denominados
extrínsecos impurificados o dopados, a estos compuestos se les añaden impurezas,
que son elementos de los grupos 3B o 5B de la tabla de los elementos químicos,
según el tipo de impureza con la que han sido dopados los semiconductores se
clasifican en tipo N o tipo P.

■■ Semiconductores extrínsecos tipo N

Al sustituir dentro de la estructura de enlaces covalentes un átomo de silicio

(Si) por uno de arsénico (As) que, como sabemos, tiene 5 electrones de
valencia, queda un electrón libre dentro de la estructura que a temperatura de
cero absoluto se sitúa en un nivel discreto de energía muy próximo a la banda
de conducción. Para liberarlo hace falta muy poca energía, de manera que a
temperatura ambiente pasa a la banda de conducción.

92
 2. Célula-módulo solar

Figura 2.3.  Semiconductor tipo N.

Al cristal formado se le denomina semiconductor extrínseco de tipo N, y las

impurezas pentavalentes reciben el nombre de impurezas donadoras, por la
cualidad del cristal resultante de donar electrones.

La mayoría de portadores existentes en el semiconductor tipo N, son los

electrones que reciben el nombre de “portadores mayoritarios”.

El número de huecos es muy reducido y se les denomina “portadores minoritarios”.

Los portadores mayoritarios proceden de la ionización de las impurezas, mientras

que los minoritarios proceden siempre de la ruptura de enlaces covalentes.

■■ Semiconductores extrínsecos tipo P

Si a un semiconductor puro se le añaden impurezas del grupo 3B, como el galio

(Ga), el boro (B) o el indio (In), que tienen tres electrones de valencia se obtiene
un semiconductor tipo P.

Aparece un hueco en la estructura molecular del enlace que realizará la misión

junto con los otros huecos de ser los portadores mayoritarios de este tipo de
cristal.

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 Energía solar fotovoltaica

Los portadores mayoritarios proceden siempre de la ionización de las impurezas,

mientras que los portadores minoritarios se originan siempre por la ruptura de
los enlaces covalentes.

Aunque los dos cristales P y N tienen estructura eléctrica neutra, al tener todos
sus átomos el mismo número de electrones que de protones, se acostumbra a
decir que el cristal P es positivo y el N es negativo.

Al aplicar tensión a un semiconductor de tipo P cuyos portadores son los

huecos, el polo positivo de la fuente de alimentación inyecta huecos que repelen
a los portadores mayoritarios del cristal. Estos se desplazan del polo positivo al
negativo de la fuente de alimentación, donde son absorbidos por el negativo.

Figura 2.4.  Semiconductor tipo P.

También podemos decir que el positivo absorbe electrones que son inyectados
por el negativo y atraviesan el cristal a través de los huecos.

94
 2. Célula-módulo solar

2.1.4.  La barrera de potencial

Cuando verdaderamente se apreció la eficacia y utilización que tienen los
semiconductores fue cuando se unió físicamente, poniendo uno junto a otro, dos
semiconductores, uno P y otro N:

Figura 2.5.  Unión P-N.

Cristal P
Los huecos son los portadores mayoritarios, y proceden del grupo 3, aceptadores.
Los electrones son los portadores minoritarios y proceden de rupturas accidentales
de los enlaces covalentes.

Figura 2.6.  Cristal P.

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 Energía solar fotovoltaica

Cristal N
Los electrones son los portadores mayoritarios y proceden de la ionización de las
impurezas donadoras. Los huecos serán los portadores minoritarios y proceden de la
rotura de enlaces covalentes.

Figura 2.7.  Cristal N.

Lo más importante es entender que en un cristal tipo P abundan los huecos, y en uno
de tipo N, son los electrones la mayoría.

■■ Cristal P: portadores mayoritarios: (huecos).

■■ Cristal N: portadores mayoritarios: (electrones).

Por otra parte ha de quedar claro que ambos cristales son eléctricamente neutros, es
decir, existe el mismo número de electrones que de protones en la estructura cristalina.

Es en la unión, cuando los electrones más fronterizos del cristal de tipo N se ven
atraídos por los huecos del cristal P y atraviesan la unión para recombinarse.

96
 2. Célula-módulo solar

Figura 2.8.  Paso de portadores mayoritarios (electrones) del cristal N al P.

La ausencia de esos electrones en el cristal N origina una ionización en el cristal N,

que se quedará cargado positivamente. El cristal P como adquiere esos electrones
de carga negativa, se ionizada de carga negativa. Poco a poco los electrones más
próximos a la unión (ya no solo los de la primera fila) se irán pasando al cristal P para
seguir recombinándose.

Como sabemos, las cargas de igual signo se repelen, de manera que los electrones
que se recombinan van calando cada vez más fuerte en el cristal P, hasta que son
capaces de rechazar a los que todavía quedan en el cristal N.

Aunque su deseo de pasar es muy fuerte, llega un momento en el que esto es

imposible, estableciéndose un equilibrio que se traduce en la aparición de un campo
eléctrico asociado a la barrera que se opone a su flujo.

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 Energía solar fotovoltaica

Figura 2.9.  Campo eléctrico asociado a la barrera.

El potencial formado se denomina potencial de barrera o potencial de contacto, y

oscila según la temperatura, la unión y la naturaleza de los cristales.

Figura 2.10.  Tensión de la barrera de potencial.

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 2. Célula-módulo solar

2.2.  Efecto fotovoltaico

El efecto fotovoltaico consiste en la transformación de la energía que aportan los
fotones de luz incidentes sobre materiales semiconductores (tratados de forma
conveniente), en energía eléctrica, realizando un trabajo útil.

Figura 2.11.  Liberación de electrones.

2.2.1.  Historia de la fotovoltaica

El efecto fotovoltaico fue descubierto por Becquerel en 1.839, quien observo cómo
aparecía una fuerza electromotriz (f.e.m), al proyectar luz sobre uno de los electrodos
de platino introducidos en una disolución de un electrolito.

No obstante para encontrar la primera célula, fue necesario esperar hasta 1.877, año
en el que Adams y Day la construyeron a partir de Selenio. Sin embargo estos avances
no fueron suficientes, hasta que no se postularon los principios de la física cuántica
y desarrollaron los semiconductores no se logró entender el funcionamiento de la
célula solar desarrollada por Adams y Day, gracias a Albert Einstein en 1.905 quien fue
galardonado con el premio Novel en Física.

En 1.954 fue descubierta la célula solar (es el componente que convierte la energía
solar en energía eléctrica), que fue desarrollado por Chapin, Fuller y Pearson (Bell
Telephon Laboraties en New Jersey).

En la actualidad las células solares están construidas a partir de materiales

semiconductores, y a fecha de hoy podemos indicar que la mayor cuota de mercado
de los módulos son fabricados con silicio, aunque en laboratorio se está trabajando
con otros materiales, con la finalidad de optimizar la eficiencia de los mismos.

99
 Energía solar fotovoltaica

2.2.2.  Efecto fotovoltaico

Los semiconductores, como hemos recordado, son componentes que se caracterizan
por tener cuatro electrones en su última órbita, de manera que su estructura atómica
está formada por enlaces covalente (compartidos). Estos enlaces mantienen ligados
los electrones de manera que tan solo es posible liberarlos mediante aportación de
energía, polarización directa.

Cuando el semiconductor está en reposo, es decir, aislado en oscuridad y a una

temperatura igual a cero absoluto (cero grados kelvin), todas las cargas eléctricas que
constituyen sus átomos están enlazadas entre sí, o lo que es lo mismo, cada electrón
está enlazado con su hueco, y ambos están fijos en la posición que ocupa su átomo
correspondiente en la red cristalina. En esta situación, no hay cargas eléctricas dentro
del cristal, por lo que no hay circulación de electrones, o lo que es lo mismo en este
momento el cristal se comporta como aislante perfecto.

Figura 2.12.  Estructura de los átomos, enlace covalente.

100
 2. Célula-módulo solar

Hemos visto que un aporte de energía al cristal puede lograr que se rompa el enlace de
algunos átomos, originando la aparición de electrones y huecos que puedan moverse
libremente por el mismo, y si conectamos cargas eléctricas (receptores), vamos a
provocar que exista una circulación de electrones por el circuito.

Al incidir una radiación luminosa sobre un material semiconductor, se generan pares

electrón-hueco y aumentando el número de portadores de carga. Esto sucederá
siempre que la energía de la radiación luminosa sea suficiente.

La generación de pares de electrón-hueco depende de la cantidad de luz absorbida y

del material empleado. Si se aplica un campo eléctrico adecuado y capaz de evacuar
las cargas generadas, se consigue un paso de corriente eléctrica proporcional a la luz
que absorbe.

Figura 2.13.  Generación de pares electrón-hueco.

La energía necesaria para romper un enlace se le conoce con el nombre de energía

de enlace o banda prohibida, que se representa por EG (Energy gap).

Un semiconductor, por ejemplo el silicio, que es el elemento más abundante en la

tierra después del oxígeno. La energía que necesita el silicio aportar a un átomo de
silicio para generar un par electrón-hueco es EG =1,14 eV (electrón-voltio) 0ºC

Semiconductores Energy gap (eV) at 273 K

Ge 0,67
Si 1,14
InSb 0,16
InAs 0,33
InP 1,29
GaSb 0,67
GaAs 1,39
Figura 2.14.  Energía de la banda prohibida de algunos semiconductores fotovoltaicos a 0ºC.

101
 Energía solar fotovoltaica

Una forma de energizar un cristal de un semiconductor es iluminarlo. La luz está formada

por fotones, que funcionan como paquetes de energía que pueden ser absorbidos por
los átomos de cristal. Como hemos visto en el tema anterior, la cantidad de energía que
tiene un fotón depende de la longitud de onda (λ), o frecuencia (υ), y de la radiación.

Figura 2.15.  Representación del espectro solar.

La energía de un fotón E (y en general de cualquier onda electromagnética),

depende de su frecuencia y se expresa mediante la siguiente ecuación:
E = h⋅ υ

Donde:
■■ E. Energía, en Julios (J).
■■ h. Constante de Plank de valor 6,626 • 10-34 Julios segundo.
■■ υ. Frecuencia del fotón en hercios (Hz).

102
 2. Célula-módulo solar

Debemos decir que no toda la energía generada por los fotones es aprovechada, ya
que mucha de la energía generada es absorbida al generar un par electrón-hueco.
Los fotones que llegan a la célula con la energía suficiente generan los pares electrón-
hueco (e-h), originando en ese momento una circulación de electrones, es decir una
generación de corriente eléctrica.

■■ Si la energía del fotón es inferior a la energía necesaria, el fotón atraviesa el

componente como si fuera transparente.

■■ Si la energía es igual a la necesaria para pasar un electrón a la banda de

conducción, el electrón absorbe la energía del fotón generando una diferencia
de potencia al quedarse un electrón libre

■■ Si la energía es superior a la necesaria, el electrón absorbe parte de la energía del

fotón y el resto es transformada en calor reduciendo la eficiencia de conversión.

En el estado de equilibrio al que llega una unión PN, los electrones del cristal N no son
capaces de “saltarla” por sí mismos, y la barrera se estabiliza. La única manera de que
esos electrones “salten” es mediante el aporte de energía desde el exterior.

Al exponer las células solares a la luz solar, nos encontramos con que los fotones son
capaces de transmitir su energía a los electrones del semiconductor que compone la
célula, que les permite romper el enlace que les mantiene unidos a los átomos que
forman al semiconductor. Por cada enlace roto, queda un electrón libre y un hueco,
desplazándose ambos en el interior del sólido de un átomo a otro.

El movimiento de electrones y huecos en direcciones opuesta genera una corriente

eléctrica en el semiconductor capaz de circular por el circuito externo, (cuando
conectamos las células a cargas o receptores, por ejemplo motores, equipos
electrónicos…).

Figura 2.16.  Efecto fotovoltaico.

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 Energía solar fotovoltaica

2.2.3.  Estructura de las células solares

En las células solares convencionales el campo eléctrico se consigue en la unión de
dos regiones de un cristal semiconductor. En el caso de que el semiconductor sea el
silicio, la región de tipo N, se dopa con fósforo, que tiene un electrón más que el silicio.

Figura 2.17.  Estructura de una célula de silicio convencional.

La otra región llamada de tipo P, se dopada con boro, que tiene un electrón menos
que el silicio y por la tanto, esta región tiene más huecos que la región de tipo N.

Las diferencias generadas de electrones y huecos entre ambas regiones provoca la

creación de un campo eléctrico, el sentido de circulación de este campo eléctrico
generado es de la región N a la región P, que es la responsable de separar los electrones
y huecos extras que se producen cuando la célula está iluminada.

2.2.4.  Tipos de células

En el mercado, actualmente, disponemos de células de varios materiales diferentes,
aunque las más utilizadas en las instalaciones son las células de silicio cristalinas.

Las células fotovoltaicas las podemos clasificar según los materiales por las que
están fabricadas, como las siguientes:

■■ Células de silicio monocristalinas (Si).

■■ Células de silicio policristalinas (poly-Si).

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 2. Célula-módulo solar

■■ Células de capa fina (Thin-Film), de las que podemos encontrarnos:

□□ Células de silicio amorfas.

□□ Células de CIS y CIGS.

□□ Células de CdTe.

□□ Células de GaAS.

■■ Células electroquímicas.

■■ Células orgánicas.

■■ Células multiunión.

■■ Células de concentración.

Como podemos observar el mercado nos ofrece un gran variedad de posibilidades

a la hora de generar electricidad mediante módulos solares fotovoltaicos, aunque la
tecnología más utilizada es la de silicio.

Las células monocristalinas son entre 1,5 y 2 puntos porcentuales más

eficientes que las policristalinas, sin embargo las células policristalinas
ofrecen ventajas de costes de fabricación.

En la siguiente gráfica hemos realizado la representación tanto de las células de silicio

cristalino y las células de silicio amorfo, frente a la distribución del espectro de la
radiación solar, para las distintas longitudes de onda que la componen. En dicha
representación, podemos comprobar cómo las células semiconductoras de silicio son
sensibles a la mayor parte del espectro de la radiación solar, por lo tanto, es capaz de
producir más energía eléctrica que las de silicio amorfo.

Figura 2.18.  Espectro de la radiación solar y eficiencia cuántica de células solares.

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