Tecnología de fabricación de

celdas solares de silicio

amorfo hidrogenado

Walter Kehuarucho Cardenas

TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN

DE CELDAS SOLARES DE SILICIO

AMORFO HIDROGENADO

Primera edición

Enero, 2012

Lima - Perú

© Walter Kehuarucho Cardenas

PROYECTO LIBRO DIGITAL

PLD 0556

Editor: Víctor López Guzmán

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Lima - Perú
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Lima - Perú, enero del 2011

“El conocimiento es útil solo si se difunde y aplica”

Víctor López Guzmán

Editor
X Simposio Peruano de Energía Solar

TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN DE CELDAS SOLARES DE

SILICIO AMORFO HIDROGENADO

Walter Kehuarucho Cardenas

Departamento Académico De Física
Universidad Nacional San Antonio Abad Del Cusco
kewa505@hotmail.com

La conversión directa de energía solar a energía eléctrica, utilizando celdas solares fotovoltaicas es un
mecanismo utilizado y en actualidad representa una alternativa para suplir una fracción de las necesidades
energéticas mundiales.

En los últimos años se ha reportado una celda solar utilizando silicio amorfo hidrogenado, puede tener una
eficiencia hasta 15%.

El silicio amorfo absorbe fotones de alta energía (violeta -azul) rango U.V. parte de¡ visible, pero fotones
rojos y amarillos no se transforman en energía eléctrica, mientras el silicio cristalino absorbe fotones de
rango visible e infrarrojo.

El carbono e hidrogeno elevan el valor de¡ pseudo GAP de Eg = 1,68 ev hasta 2.8 ev. Además es costo de las
celdas solares no pueden competir con otras formas de transformación de energía, por ello se plantea el
estudio de semiconductores de silicio amorfo hidrogenado cuyo equipo de fabricación es relativamente bajo y
llegando su eficiencia experimental de conversión hasta 10% en actualidad

LABORATORIO DE ENERGIA SOLAR El procedimiento de fabricación de las células de

FACULTAD DE CIENCIAS-UNI-LIMA silicio mono o policristalino es esencialmente el
mismo y comprende las siguientes etapas básicas:
TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN DE
CELDAS SOLARES DE SILICIO AMORFO 1. Obtención de silicio de grado
HIDROGENADO metalúrgico.
2. Purificación de¡ silicio.
Hasta la fecha, la mayoría de células y módulos 3. Crecimiento de los cristales de silicio.
fotovoltaicos que se encuentran en explotación en 4. Producción de las obras de material
Instalaciones de uso terrestre, emplean el silicio, 5. Ataque químico y texturización.
en sus formas monocristalina, policristalina y 6. Formación de la unión.
amorfa, como material semiconductor de base. 7. Colocación de contactos metálicos.
8. Tratamiento antirreflexivo.

2.- CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DE VARIAS TECNOLOGÍAS DE MATERIALES EN

ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA

TIPO DE CELULA EFICIENCIA ESTABILIDAD COSTO DE PRODUCC.

Si. Monocrístal. Muy alta: 20% Excelente Muy alto
Si. Policristal Alta: 20% Excelente Medio
Si. Amorfo Baja: 12% Muy Baja Bajo
(Monounión)
Si. Amorfo Baja: 13% Baja Bajo?
(Multiunión)
Compuestos Muy alta 26% Excelente Extremadamente
III-V Alto
Compuestos Media Buena Bajo?
Policristalinos 14%
Lamina Delgada
Según esta tabla, las células basadas en A pesar de esta opción los materiales
materiales policristalinos en lamina delgada policristalinos pasa todavía por una solución
son una opción competitiva en la producción de muchos problemas técnicos y científicos.
de células colares.
X Simposio Peruano de Energía Solar
El silicio Amorfo es una opción por el costo
bajo en su producción, y es alternativa en los
siguientes procesos:
a) Producciones de transistores en lamina
delgada.
b) Conversión fotovoltaica.
3.- CONSIDERACIONES QUE SE DEBE
TENER EN CUENTA PARA EL DISEÑO DE
UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.
ADAPTACIÓN AL ESPECTRO SOLAR:
El espectro solar sobre la superficie terrestre no
es uniforme. Adaptación de energía de GAP.
MINIMAS, PERDIDAS OPTICAS:
Producidos por fenómenos de
Reflexión-Absorción.
MINIMO ESPESOR:
Por razones prácticas y económicas. Esto se
consigue utilizando materiales que tengan
gran capacidad de absorción de la luz.
MAXIMA GENERACIÓN DE
PORTADORES DE CARGA:
La η de una célula será siempre una función
del numero de portadores de carga que sean
DISTANCIA
INTERATOM
Y POSICIÓN IDEAL
ANGULOS DE ENLACE
SON IGUALES A LO
LARGO DE TODA LA
ESTRUCTURA
SILICIO AMORFO PARA CELULAS
SOLARES ESTRUCTURA Y red: vacantes, enlaces no saturados y enlaces
COMPOSICIÓN
La interpretación de las propiedades ópticas y
eléctricas como el Si Amorfo, requiere un
conocimiento de la distribución energética de
sus portadores de carga (estructura
electrónica), ósea la densidad de estados
electrónicos en función de la energía.
Se presta muchas tensiones mecánicas internas
debidas al desorden geométrico, con la
foto generados en la heterounión, por los
fotones absorbidos.
MINIMAS PERDIDAS ELECTRICAS EN
LOS CIRCUITOS:
MAXIMA FOTOESTABILIDAD.
Esto se consigue empleando materiales que
tengan resistencia a la degradación foto
inducida y por lo tanto no sufran deterioro en
sus propiedades.
MINIMO COSTO DE PRODUCCIÓN:
4.- SOLIDOS AMORFOS Y
SEMICONDUCTORES AMORFOS.
En un cristal, la periodicidad geométrica tiene
como consecuencia la periodicidad de la
energía potencia¡, entonces permite aplicar el
teorema de Block, permite calcular la
estructura electrónica del material.
En un sólido amorfo, las consideraciones
anteriores dejan de ser validas entonces se
hacen más complicado determinar las
funciones de onda y el Hamiltoniano.
Esto se debe a la ausencia de orden de largo
alcance.
NO DEBE SEPARASE
MUCHO DE SU
O.C.A
HAY AUSENCIA DE
O.L.A
aparición de todo tipo de distorsiones en la
Si - H.
La carencia del O.L.A inherente en sólidos
amorfos da como resultado las colas de bandas,
de conducción y valencia, que depende de la
cantidad de desorden. La anchura del Pseudo
GAP depende críticamente de las condiciones de
fabricación esencialmente de la concentración de
H.
⇒ según MOTT ← Pseudo GAP.
X Simposio Peruano de Energía Solar

DIAGRAMAS ESQUEMATICOS DE LA DENSIDAD DE ESTADOS EN SEMICONDUCTORES

AMORFOS ( DIAGRAMA DE BANDAS)

Estas tensiones se relajan en gran medida por

la distorsión de los ángulos de enlace y por MODELO DE LA DENSIDAD DE
la incorporación de H. ESTADOS:
No solo satura los enlaces, sino sirve de
puente entre At. de Si. La determinación completa de la estructura de
densidad de estados de un material requiere:
El conocimiento de la posición de equilibrio
de átomos (estructura atomiza).
Sus modos normales de vibraciones
(Estructura fonones).
Estructura electrónica excitada.

DOS ATOMOS DE Si UNIDOS ENTRE Si

POR PUENTES DE H
X Simposio Peruano de Energía Solar

* Supone que las colas de las bandas penetran - A temperaturas bajas, la conducción ocurre por
profundamente el GAP de energía y se traslapan. saltos entre estados localizados cerca Nf.
µ(E): movilidad cambia varios ordenes de Denominada conductividad por saltos en Rango
magnitud. variables.
- A temperaturas altas, los portadores pueden ser
** Las colas de las bandas no penetran excitados a través M borde de movilidad en
profundamente en el GAP de energía, si no que se estados extendidos la conductividad de los E.
extienden en el orden de 0.1 ev. Dentro del GAP. Y Ext. Es dominante.
como es no cristalino contiene imperfecciones, tales
como Daglind Bond, vacancias. a) CONDUCCIÓN POR ESTADOS
EXTENDIDOS:
*** Recientemente mediciones experimentales, La conductividad para cualquier semiconductor
especialmente mediciones de fotoconductividad, es:
efecto de campo y mediciones de µ dan una imagen ∂f ( E )
más detallada de los estados de a - Si: H. σ = −e ∫ N ( E ) µ ( E ) KT dE
∂E
La banda central esta dividida en dos: .......(1)
- Una de niveles de impurezas y defectos f(E): Función de distribución Fermi-Dirac.
aceptores y otra de donadores entre las cuales esta −1
anclado el nivel de Fermi. (EF).  E − EF 
f ( E ) = 1 + exp
La estructura electrónica real es más compleja por  KT 
ello los modelos aproximados son de gran utilidad
en la interpretación de las propiedades ópticas y usando la relación:
eléctricas de silicio amorfo.
∂f ( E )
Diferentes gases se pueden mezclar con el silano: = − f ( E )[1 − f ( E )] / KT
Si.H4 por ejemplo C. Ge. y Fluor. ∂E
La incorporación del hidrogeno en el a.Si (a.Si:H). ∞ ..(2)
Puede hacer variar el GAP. De 1.5 eV. Hasta 2.0 ⇒ σ = e ∫ N ( E ) µ ( E ) f ( E )[1 − f ( E )]dE
eV. Porque: la energía de enlace de Si.H > Si.Si. EC

CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA EN Contribución de los

SEMICONDUCTORES AMORFOS. electrones a la conductividad
En a. Si existen 3 posibles mecanismos de
conducción.
- Conductividad total depende de la temperatura.
X Simposio Peruano de Energía Solar

En el modelo de Davis-Mott, la energía de Fermi b) CONDUCCIÓN EN LAS COLAS DE LAS

esta situada cerca del medio del GAP. Y BANDAS.
suficientemente lejos de Ec. Si las funciones de onda con EA < E < EC (cola de la
banda de conducción) son localizados, lo cual
∴ Ec - EF >> KT ← la σ es por e- situados en B. significa que la conducción entre estos estados solo
Móvil entonces se puede usar la estadística de puede realizarse por saltos térmicamente activados
Boltzman, para describir la ocupación de estados: (hopping conductivity), en este proceso un e
f ( E ) = exp − [( E − E F ) / KT ] intercambia energía con un fonon cuando se mueve
de un estado localizado a otro.
⇒ la movilidad es:
Si se supone que tanto la densidad de estados como
 1   eR 
2
la movilidad son constantes dentro de la banda de  W 

µ ( E ) =  ν f   exp  −
 KT 
conducción, se puede escribir: ...(5)
 6   KT 
 ( E − EF ) 
σ = σ min exp  − C donde: νf : Frecuencia fononica (≈1013 S -1)
 KT 
R: Es la distancia promedio de
...........(3) salto.
W: (≈ KT) diferencia de energías
σ min = eN ( E ) µ ( E ) KT entre 2 estados localizados.

⇒ La movilidad es del orden 10-2 cm2/VS < estados

σ min : es la conductividad mínima para una extendidos.
la dependencia de σ con la T, se puede hallar con la
energía situada en el borde de la ayuda de la relación 1. Si suponemos una variación
movilidad. de la densidad de estados en la cola de la banda,
σ min : esta usualmente en el orden 200-300 como:
(Ωm).
N ( EC )
La diferencia Ec - EF muestra para a-Si una N (E) = (E − EA )S
dependencia lineal con la T. ( EC − E A ) S

⇒ La σ, para el caso de una variación lineal de la

⇒ E C − E F = E 0 − γT = E a densidad de estados (S = 1), se escribe como:

 ( E − EF + W ) 
La expresión para σ es: σ = σ 1 exp − A  .....(6)
E  KT
− o
σ =σoe KT
................(4)
Donde:
  ∆E   ∆E  1  2
σ 1 = 1 − exp −  1 +   e ν f R N ( EC )
2

  KT   KT  6 
Eo ← Es la distancia en energía a T = O°K.
σo = σmin eγK (es independiente de la T)
para (a.Si) γ =(4-8)x 10-4 eV/°K.
∆E =EC - EA , es el rango de penetración de la banda
en el Pseudo GAP.
⇒ una gráfica Lnσ ∀ 1/T permite obtener la
energía de activación del proceso Eo y el valor A pesar de que W como σ1 depende de T se espera
N(EC), en el borde Movil. una dependencia lineal.
Ln σ ∀ 1/T.
X Simposio Peruano de Energía Solar
SISTEMA DE DEPOSICIÓN GLOW
DISCHARGE REACTIVO GLOW
DISCHARGE REACTIVO.
GLOW DISCHARGE D.C.
- Es una técnica más usada para la deposición de
a-Si: H, es la descomposición del silano SiH4 por
descarga plasmatica.
Desde el punto de vista de las propiedades
fotovoltaicas, el método de
GLOW-DISCHARGE D.C. de SiH4 es el mas
comúnmente empleado en la fabricación de
celdas solares de silicio amorfo.
- En el proceso los átomos del material a depositar
son introducidos al plasma formado parte de un
compuesto gaseoso. Este se descompone debido
al alto voltaje.
DESCARGAS A TRAVÉS DE GASES:
Como descarga a través de un gas se entiende como
el paso de corriente eléctrica a través de un
volumen que contiene gas, las condiciones previas
para este paso de corriente son:
a) Algunas de las partículas de¡ gas deben estar
ionizadas por cualquiera de los medios
disponibles.
b) Debe existir un campo eléctrico que arrastre
las partículas cargadas producidas,
originándose de este modo la corriente.
EL PLASMA FÍSICO: Es conocido que el
condiciones normales todos los gases no conducen
corriente eléctrica y son aisladores. No obstante,
dada una temperatura alta (≈ 104 °C) o bien un
campo eléctrico fuerte, las propiedades de¡ gas
cambia de modo sustancial, este se ioniza
convirtiéndose en un buen conductor de
electricidad. En el transcurso de la ionización los
átomos y moléculas neutras del gas pierden parte de
sus e- y se transforman en partículas de carga +, es
decir en iones.
Observar: figura de deposición Glow-Discharge.
DEPOSICIÓN DE LAS MUESTRAS Y
CALCULOS:
Con la debida limpieza, el cuidado necesario y a la
vez pesados los sustratos, se procedió de la
siguiente manera:
Masa inicial: ms= 5,28700 gr.
Masa Final: msd= 5,29655 gr.
CONDICIONES DE PREPARACIÓN
Presión de deposición (Promed) : 200 militorr.
X Simposio Peruano de Energía Solar

Corriente de plasma (Promed) : 50.5 mA. Tiempo de deposición : 109 h.

Voltaje : 1420 Campo eléctrico : 142
v. v/cm
Temperatura del sustrato : 200 °C. Resultado de la muestra : muy bueno.
Presión de flujo de gas H : 90 kg-f/cm2
X Simposio Peruano de Energía Solar

CALCULO DEL ESPESOR DE LA ∆m

MUESTRA: ⇒e= , ∆m = msd − ms
Aρ S
ρs : ρ promedio de la muestra

0,00955
e= cm
39,209976
e = 2,43µm
DETERMINACIÓN DEL TIPO DE
Como el Si. esta en abundancia que el H. ⇒ se CONDUCTIVIDAD.
aproxima a la ρ del Si. Se usa un equipo llamado sonda Seebeck.
Se calienta con 6 V y con 0,5 A.
Se obtuvo semiconductores de tipo “P”.
Observar Fig. (α)

MEDICIÓN DE CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

X Simposio Peruano de Energía Solar

La muestra obtenida se corta un pedazo con

diamante.
Se sacan 2 conexiones con hilos delgados de
Cu. Cuya separación debe ser 2 - 4 mm.
Aproximadamente.
Para realizar un contacto Oh mico entre el
semiconductor y los hilos de cm. Se suelda
con Ag. Dejar que seque 24 h.

La conductividad de la película puede

calcularse con la relación:
L
σ =
Rm A
ρL
Rm =
We
medidas en la muestra:
donde:
e = 0,000243 cm.
ρ: Resistividad electrica.
L = 0,045375 cm.
ρ: 1/σ
W = 0,00044 cm.
A = We (sección transv.)

0,045375cm
σ =
R m (6Ω)(0,00044)(0,000243)cm2

 424382,716 
σ = × 10− 9 cm −1Ω −1
 R m (Ω) 

DATOS DE CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

T °C 1/T (°K)-1 Rm (G Ω) σ (1/cm Ω) Ln(σ)
51 3,086E-03 2,61 1,63E-04 -8,7242
50 3,096E-03 2,89 1,47E-04 -8,8261
49 3,106E-03 3,11 1,36E-04 -8,8995
48 3,115E-03 3,39 1,25E-04 -8,9857
47 3,125E-03 3,63 1,17E-04 -9,0541
46 3,135E-03 3,90 1,09E-04 -9,1259
45 3,145E-03 4,19 1,01E-04 -9,1976
44 3,155E-03 4,44 9,56E-05 -9,2555
43 3,165E-03 4,69 9,05E-05 -9,3103
42 3,175E-03 4,99 8,50E-05 -9,3103
41 3,185E-03 5,26 8,07E-05 -9,3723
40 3,195E-03 5,54 7,66E-05 -9,4250
39 3,205E-03 5,83 7,28E-05 -9,4769
38 3,215E-03 6,04 7,03E-05 -9,5279
37 3,226E-03 6,27 6,77E-05 -9,5633
36 3,236E-03 6,47 6,56E-05 -9,6007
35 3,247E-03 6,67 6,36E-05 -9,6321
34 3,257E-03 6,79 6,25E-05 -9,6803
33 3,268E-03 6,92 6,13E-05 -9,6993
32 3,279E-03 7,10 5,98E-05 -9,7250
X Simposio Peruano de Energía Solar
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL
CUSCO

X SIMPOSIO PERUANO DE ENERGIA SOLAR

TECN O LOGÍA DE FAB RIC A CI Ó N DE
CELD A S SOLA R ES DE SILICIO
A M O R FO HIDR O G E N A D O
Lic. D. WALTER KEHU A R U C H O CAR DEN AS -
U NSAAC
email: kewa505@hotmail.com
 RESUMEN
La conversión directa de energía solar a energía eléctrica, utilizando
celdas solares fotovoltaicas es un mecanismo utilizado y en actualidad,
representa una alternativa para suplir una fracción de las necesidades
energéticas mundiales.
En los últimos años se ha reportado una celda solar utilizando silicio
amorfo hidrogenado, puede tener una eficiencia hasta 15%.
El silicio amorfo absorbe fotones de alta energía (violeta -azul) rango
U.V. parte del visible, pero fotones rojos y amarillos no se transforman
en energía eléctrica, mientras el silicio cristalino absorbe fotones de
rango visible e infrarrojo.
El carbono e hidrogeno elevan el valor del pseudo GAP de Eg = 1,68 ev
hasta 2.8 ev. Además el costo de las celdas solares no pueden competir
con otras formas de transformación de energía, por ello se plantea el
estudio de semiconductores de silicio amorfo hidrogenado cuyo equipo
de fabricación es relativamente bajo y llegando su eficiencia
experimental de conversión hasta 10% en actualidad.
 TECNOLOGÍA DE FABRICACIÓN DE CELDAS SOLARES DE
SILICIO AMORFO HIDROGENADO

Hasta la fecha, la mayoría de células y módulos fotovoltaicos que se encuentran

en explotación en Instalaciones de uso terrestre, emplean el silicio, en sus
formas monocristalina, policristalina y amorfa, como material semiconductor de
base.
El procedimiento de fabricación de las células de silicio mono o policristalino es
esencialmente el mismo y comprende las siguientes etapas básicas:
1. Obtención de silicio de grado metalúrgico.
2. Purificación de silicio.
3. Crecimiento de los cristales de silicio.
4. Producción de las obras de material semiconductor de base.
5. Ataque químico y texturización.
6. Formación de la unión.
7. Colocación de contactos metálicos.
8. Tratamiento antirreflexivo.
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS DE VARIAS TECNOLOGÍAS
DE MATERIALES EN ENERGÍA SOLAR FOTOVOLTAICA.

TIPO DE CELULA EFICIENCIA ESTABILIDAD COSTO DE PRODUCC.

Si. Monocrístal. Muy alta: 20% Excelente Muy alto
Si. Policristal Alta: 20% Excelente Medio
Si. Amorfo
Baja: 12% Muy Baja Bajo
(Monounión)
Si. Amorfo
Baja: 13% Baja Bajo
(Multiunión)
Compuestos III-V Muy alta 26% Excelente Extremadamente Alto
Compuestos
Policristalinos Media 14% Buena Bajo
Lamina Delgada
9Según esta tabla, las células basadas en materiales
policristalinos en lamina delgada son una opción competitiva en
la producción de células colares.
9A pesar de esta opción los materiales policristalinos pasa
todavía por una solución de muchos problemas técnicos y
científicos.
9El silicio Amorfo es una opción por el costo bajo en su
producción, y es alternativa en los siguientes procesos:
a.- Producciones de transistores en lamina delgada.
b.- Conversión fotovoltaica.
CONSIDERACIONES QUE SE DEBE TENER EN CUENTA PARA EL
DISEÑO DE UNA CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA.

¾ ADAPTACIÓN AL ESPECTRO SOLAR.

El espectro solar sobre la superficie terrestre no es uniforme. Adaptación de energía
de GAP.
¾ MINIMAS, PERDIDAS OPTICAS.
Producidos por fenómenos de Reflexión-Absorción.
¾ MINIMO ESPESOR.
Por razones prácticas y económicas. Esto se consigue utilizando materiales que
tengan gran capacidad de absorción de la luz.
¾ MAXIMA GENERACIÓN DE PORTADORES DE CARGA.
La η de una célula será siempre una función del numero de portadores de carga que
sean foto generados en la heterounión, por los fotones absorbidos.
¾ MINIMAS PERDIDAS ELECTRICAS EN LOS CIRCUITOS.
¾ MAXIMA FOTOESTABILIDAD.
Esto se consigue empleando materiales que tengan resistencia a la degradación foto
inducida y por lo tanto no sufran deterioro en sus propiedades.
¾ MINIMO COSTO DE PRODUCCIÓN.
 1969 1970
N (E ) ESTADOS EXTEND N (E ) DAVIS-MOTT
COHEN-FRITZCHE
OVSHINKY
ESTADOS LOCALIZ

EF
B.V B.C

EV EC EV EB EF EA EC

N (E )
N (E ) DAVIS-MOTT-MODIF.

EF
EF
p n
D A

EV EC EV EC
DIAGRAMAS ESQUEMATICOS DE LA DENSIDAD DE ESTADOS EN
SEMICONDUCTORES AMORFOS ( DIAGRAMA DE BANDAS)
 MODELO DE LA DENSIDAD DE ESTADOS
La determinación completa de la estructura de densidad de estados de un
material requiere:
¾ El conocimiento de la posición de equilibrio de átomos (estructura atomiza).
¾ Sus modos normales de vibraciones (Estructura fonones).
¾ Estructura electrónica excitada.
 CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA EN SEMICONDUCTORES
AMORFOS
a. CONDUCCIÓN POR ESTADOS EXTENDIDOS.
La conductividad para cualquier semiconductor es:
∂ f (E )
σ = −E∫ N (E )µ (E )KT dE ....... (1)
∂E
f(E): Función de distribución Fermi-Dirac.
−1
 E − EF 
f (E ) = 1 + exp
 KT 

usando la relación:

= − f (E )[1 − f (E )]
∂f (E )
∂E KT
∞
σ = e ∫ N (E) µ (E) f (E) [1 − f (E) ] dE ....... (2)
EC

σ: Contribución de los electrones a la conductividad

En el modelo de Davis-Mott, la energía de Fermi esta situada cerca del medio
del GAP. Y suficientemente lejos de Ec.
∴ Ec - EF >> KT ← la σ es por e- situados en B. Móvil entonces se puede
usar la estadística de Boltzman, para describir la ocupación de estados:

 E − EF 
f (E ) = exp −  KT 

Si se supone que tanto la densidad de estados como la movilidad son

constantes dentro de la banda de conducción, se puede escribir:
 E − EF 
σ = σ min exp − C
KT 
....... (3)


σ min = eN (EC )µ (EC )KT

σmin : es la conductividad mínima para una energía situada en el borde de la
movilidad.
σmin : esta usualmente en el orden 200-300 (Ωm).
La diferencia Ec - EF muestra para a-Si una dependencia lineal con la T.

EC − E F = E0 − γT = Ea

Entonces la expresión para σ es:

E0
−
σ = σ 0e KT ....... (4)

Eo ← Es la distancia en energía a T = O°K.

σ 0 = σ min eγ K es independiente de la T

para (a.Si) γ =(4 - 8)x 10-4 eV/°K.

⇒ una gráfica Lnσ ∀ 1/T permite obtener la energía de activación

del proceso Eo y el valor N(EC), en el borde Movil.
b. CONDUCCIÓN EN LAS COLAS DE LAS BANDAS.
Si las funciones de onda con EA < E < EC (cola de la banda de
conducción) son localizados, lo cual significa que la conducción entre
estos estados solo puede realizarse por saltos térmicamente activados
(hopping conductivity), en este proceso un e- intercambia energía con
un fonon cuando se mueve de un estado localizado a otro.
⇒ la movilidad es:

 eR 2   
µ (E ) = ν f 
1
6
 exp − W  ....... (5)
 KT   KT 

donde:

νf : Frecuencia fononica (≈1013 S-1)

R : Es la distancia promedio de salto.
W : (≈ KT) diferencia de energías entre 2 estados localizados.
2
⇒ La movilidad es del orden 10-2 cm < estados extendidos.
VS
La dependencia de σ con la T, se puede hallar con la ayuda de la
relación 1. Si suponemos una variación de la densidad de estados en la
cola de la banda como:
N (EC )
N (E ) = ( − )S
E E
(EC − E A )S A

⇒ La σ, para el caso de una variación lineal de la densidad de estados

(S = 1), se escribe como:
 − + 
σ = σ 1 exp − E A EF W  ....... (6)
 KT 

donde:
  ∆ E    ∆E   1  2
σ 1 = 1 − exp −  1 +    e ν f R 2
N (EC )
  KT   KT  6

∆E =EC - EA , es el rango de penetración de la banda en el Pseudo

GAP.
A pesar de que W como σ1 depende de T se espera una dependencia
lineal.
Ln σ ∀ 1/T.
SISTEMA DE DEPOSICIÓN GLOW DISCHARGE REACTIVO
GLOW DISCHARGE REACTIVO.

GLOW DISCHARGE D.C:

¾ Es una técnica más usada para la deposición de a-Si: H, es la
descomposición del silano SiH4 por descarga plasmatica.
Desde el punto de vista de las propiedades fotovoltaicas, el
método de GLOW-DISCHARGE D.C. de SiH4 es el mas
comúnmente empleado en la fabricación de celdas solares de
silicio amorfo.
¾ En el proceso los átomos del material a depositar son
introducidos al plasma formando parte de un compuesto gaseoso.
Este se descompone debido al alto voltaje.
DESCARGAS A TRAVÉS DE GASES:
Como descarga a través de un gas se entiende como el paso de
corriente eléctrica a través de un volumen que contiene gas, las
condiciones previas para este paso de corriente son:
a. Algunas de las partículas de¡ gas deben estar ionizadas por
cualquiera de los medios disponibles.
b. Debe existir un campo eléctrico que arrastre las partículas
cargadas producidas, originándose de este modo la corriente.
EL PLASMA FÍSICO:
Es conocido que el condiciones normales todos los gases no
conducen corriente eléctrica y son aisladores. No obstante, dada
una temperatura alta (≈ 104 °C) o bien un campo eléctrico fuerte,
las propiedades de¡ gas cambia de modo sustancial, este se ioniza
convirtiéndose en un buen conductor de electricidad. En el
transcurso de la ionización los átomos y moléculas neutras del gas
pierden parte de sus e- - y se transforman en partículas de carga +,
es decir en iones.
Observar: figura de deposición Glow-Discharge.
DEPOSICIÓN DE LAS MUESTRAS Y CALCULOS:
Con la debida limpieza, el cuidado necesario y a la vez pesados
los sustratos, se procedió de la siguiente manera:
Masa inicial: ms= 5,28700 gr.
Masa Final: msd= 5,29655 gr.

CONDICIONES DE PREPARACIÓN:
Presión de deposición (Promed) : 200 militorr.
Corriente de plasma (Promed) : 50.5 mA.
Voltaje : 1420 v.
Temperatura del sustrato : 200 °C.
Presión de flujo de gas H : 90 kg-f/cm2
Tiempo de deposición : 109 h.
Campo eléctrico : 142 v/cm
Resultado de la muestra : muy bueno.
 CALCULO DEL ESPESOR DE LA MUESTRA

Como el Si. esta en abundancia que el H. ⇒ se aproxima a la ρ del Si.

∆m
e= , ∆m = m − m
Aρ S Sd S

ρs : ρ promedio de la muestra
0,00955
e= cm e = 2,43 µm
39,209976
 DETERMINACIÓN DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD

Se usa un equipo llamado sonda Seebeck.

Se calienta con 6 V y con 0,5 A.
Se obtuvo semiconductores de tipo “P”.
 MEDICIÓN DE CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

¾ La muestra obtenida se corta un pedazo con diamante.

¾ Se sacan 2 conexiones con hilos delgados de Cu. Cuya
separación debe ser 2 - 4 mm. Aproximadamente.
¾ Para realizar un contacto Oh mico entre el semiconductor y
los hilos de cm. Se suelda con Ag. Dejar que seque 24 h.
La conductividad de la película puede calcularse con la relación:

L ρL
σ=
Rm A R=
We

medidas en la muestra: donde:

e = 0,000243 cm. ρ : Resistividad electrica.
L = 0,045375 cm. ρ : 1/σ
W = 0,00044 cm. A = We (sección transv.)

0,045375 cm
σ=
Rm (6Ω )(0,00044 )(0,000243 ) cm2

 424382,716 
σ = × 10 −9  cm −1 Ω −1
 Rm (Ω ) 
 DATOS DE CONDUCTIVIDAD ELECTRICA

T °C 1/T (°K)-1 Rm (G Ω) σ (1/cm Ω) Ln(σ)

51 3,086E-03 2,61 1,63E-04 -8,7242
50 3,096E-03 2,89 1,47E-04 -8,8261
49 3,106E-03 3,11 1,36E-04 -8,8995
48 3,115E-03 3,39 1,25E-04 -8,9857
47 3,125E-03 3,63 1,17E-04 -9,0541
46 3,135E-03 3,90 1,09E-04 -9,1259
45 3,145E-03 4,19 1,01E-04 -9,1976
44 3,155E-03 4,44 9,56E-05 -9,2555
43 3,165E-03 4,69 9,05E-05 -9,3103
42 3,175E-03 4,99 8,50E-05 -9,3103
41 3,185E-03 5,26 8,07E-05 -9,3723
40 3,195E-03 5,54 7,66E-05 -9,4250
39 3,205E-03 5,83 7,28E-05 -9,4769
38 3,215E-03 6,04 7,03E-05 -9,5279
37 3,226E-03 6,27 6,77E-05 -9,5633
36 3,236E-03 6,47 6,56E-05 -9,6007
35 3,247E-03 6,67 6,36E-05 -9,6321
34 3,257E-03 6,79 6,25E-05 -9,6803
33 3,268E-03 6,92 6,13E-05 -9,6993
32 3,279E-03 7,10 5,98E-05 -9,7250
Universidad Nacional Asociación Peruana Universidad Nacional
San Antonio Abad del de Energía Solar de Ingeniería
Cusco (APES)

X Simposio Peruano de Energía Solar

Seminario Internacional sobre Tecnologías Económicas para
la Descontaminación y Desinfección de Agua
Cusco, 17 al 22 de noviembre de 2003

Seminario Internacional Editado por:

Manfred Horn
Energía Solar, Medio Ambiente y Desarrollo Juan Rodriguez
Cusco, 26 - 27 de abril de 2004 Patricia Vega

Auspician Salir

Ministerio de Industria y Turismo

Municipalidad Provincial del Cusco
Ministerio de Energía y Minas