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GUÍA DE TRABAJO Código FDE 048

Ingeniería Electrónica y de Versión 03


Telecomunicaciones Fecha 2009-06-09

1. IDENTIFICACIÓN

Asignatura Laboratorio de Electrónica Analógica


Guía No. 7
Área Básicas de la ingeniería Nivel 3
Código LAX31 Pensum
8 y 11
Correquisito(s) EAX33 Prerrequisito(s)
LEX21;
LEX22
Créditos 1 TPS 2 TIS 1 TPT 32 TIT 16
TRABAJO INDEPENDIENTE TRABAJO PRESENCIAL
Trabajo Trabajo X Trabajo Trabajo X
Teórico Práctico Teórico Práctico

2. COMPETENCIAS

CONTENIDO INDICADOR DE
COMPETENCIAS
TEMÁTICO LOGRO
Comprender, Diseñar y Transistor BJT en Analiza de forma
Construir circuitos región lineal. Modelo de coherente las etapas
electrónicos, utilizando circuito equivalente a de un circuito de
diodos, transistores BJT pequeña señal y acuerdo con su
(Transistores de Juntura simulación Y funcionamiento.
Bipolar), transistores FET Aplicaciones.
(Transistores de Efecto de Comprende, relaciona
Campo), para desarrollar y diferencia el
funcionamiento
aplicaciones en los procesos
práctico de los
industriales. dispositivos de
acuerdo con su teoría
matemática.

3. RECURSOS REQUERIDOS

Laboratorio de Electrónica con:


Fuente DC
Multímetro
Osciloscopio
Generador de señales

Por parte del estudiante, se deben adquirir:

Board
3 resistores de 3.3KΩ
1 resistor de 5KΩ
1 resistor de 2kΩ
1 resistor de 220Ω
2 capacitores de 1uF
1 capacitor de 100uF
Transistor 2n2222

4. PROCEDIMIENTO

4.1 RESUMEN DE LA PRÁCTICA:

Amplificador de pequeña señal

Una de las principales aplicaciones del transistor es la de amplificar señales de


muy baja magnitud y en ocasiones esta señal de salida es llevada a etapas de
amplificación de mayor potencia como es el caso de etapas preamplificadoras de
señales provenientes de radiofrecuencia que deben ser amplificadas nuevamente
para ser audibles. En esta parte abordaremos la amplificación de pequeñas
señales centrándonos en la configuración en emisor común. Debemos hacer uso
de las características para pequeña señal las cuales se representan en minúscula
y las DC en mayúscula. El circuito básico en el diseño de amplificadores es el
siguiente:

Figura 1Circuito amplificador de pequeña señal

Los capacitores C1 y C2 son capacitores de acoplo cuya misión es la de eliminar


la componente DC en sus respectivas salidas. Y el capacitor C3 es un capacitor
de paso con el que se elimina, en este caso, la componente AC en el emisor.
Para poder hacer el análisis de ganancia de voltaje, debemos primero hacer un
análisis DC y sacar los valores típicos de corriente y voltaje.

Figura 2. Análisis en DC

El voltaje DC en la base está determinado por el voltaje thévenin

VTH = R2*VCC/(R1+R2)
O sea que en el emisor el voltaje es VE = VTH-VBE. Y la corriente DC en el
emisor es IE=VE/(RE1+RE2).
Como la corriente de emisor es prácticamente igual a la de colector, entonces el
resistor de 3.3k en el colector disipa (RC * IC) y por lo tanto en el colector habrá
VCC - (RC * IC)
Los valores para pequeña señal en el circuito, los obtenemos cortocircuitando la
fuente DC

re’ = vbe/IE
vbe tiene generalmente un valor de 25mV
la resistencia de colector rc resulta del paralelo entre RC y RL.

La ganancia de tensión se puede hallar mediante la relación

Ganancia de voltaje = A = rc / (RE1+re’).

4.2 CIRCUITOS POR IMPLEMENTAR

Determinar la magnitud del voltaje en la carga (RL) para el siguiente circuito


Figura 3. Circuito amplificador de voltaje

Para el circuito de la figura 3

1) Determinar el punto de trabajo DC.


2) Hallar el valor teórico de ganancia (matemáticamente) y el máximo voltaje
de salida si Vin=0.1SEN (wt) para una frecuencia f=1KHz
3) Hallar el valor en la simulación para el voltaje máximo de salida
4) Aumente la frecuencia en potencias de 10 de la señal de entrada y
determine lo que sucede en la simulación de la señal de voltaje en la carga
para f = 1k, 10k, 100k, 1Meg, 10Meg y hallar la ganancia para cada valor de
frecuencia.

4.3 PREINFORME

Simulación los circuitos planteados.


Y determinar los valores solicitados en el numeral III
Completar la siguiente tabla con los datos obtenidos en la simulación y/o en los
cálculos matemáticos

Tabla 1. Resultados de la simulación


Frecuencia Vin MAX Vout MAX Ganancia
f = 1kHz
f = 10kHz
f = 100kHz
f = 1MHz
f = 10MHz
4.4 INFORME

Completar las celdas de la siguiente tabla, de acuerdo con los resultados de la


práctica

Tabla 2. Resultados de la práctica


Frecuencia Vin MAX Vout MAX Ganancia
f = 1kHz
f = 10kHz
f = 100kHz
f = 1MHz
f = 10MHz

%ERROR. Calcular el % de error entre los datos simulados y los experimentales

Variable o Valor Ganancia Valor Ganancia


%ERROR
parámetro real simulado
f = 1kHz

f = 10kHz

f = 100kHz

f = 1MHz

f = 10MHz

5. PARÁMETROS PARA ELABORACIÓN DEL INFORME

Se debe desarrollar un trabajo escrito en formato articulo tipo IEEE que incluya los
resultados obtenidos de forma gráfica, incluir el circuito implementado, realizar un
análisis de resultados y cálculos de error, generar algunas conclusiones y la
bibliografía.
Adicionar a dicho artículo, un anexo en el que se incluyan los datos
experimentales.
6. BIBLIOGRAFÍA

Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009) Teoría de Circuitos y Dispositivos


Electrónicos. México: Pearson Educación. 10 ed.
Jaeger, R. C., & Blalock, T. N. (2005). Diseño de circuitos microelectrónicos
(segunda ed.). México: McGraw-Hill, 967p.

Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de electrónica (séptima ed.).


Madrid: McGraw-Hill, 964p.

Zbar, P., Malvino, A. P., & Miller, M. A. (2001). Prácticas de electrónica (séptima
ed.). México: Alfaomega, 380p.

http://www.electronics-tutorials.com/ (consultada en noviembre de 2009)


http://www.ee.washington.edu/circuit_archive/circuits/ (consultada en noviembre
de 2009)
http://www.williamson-labs.com/ (consultada en noviembre de 2009)
http://www.national.com/apnotes/OtherAnalogProducts.html (consultada en
noviembre de 2009)
http://www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/contents.htm (consultada en
noviembre de 2009)
http://www.csupomona.edu/~apfelzer/ (consultada en noviembre de 2009)
http://www.faqs.org/docs/electric/Semi/ (consultada en noviembre de 2009)

Elaborado Jose Alfredo


por: Palacio
Y Carlos Velásquez
003

Versión:
13/08/2012

Fecha:
Aprobado por: Heber Augusto López

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