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MODELADO Y SIMULACIÓN DE CELDAS Y PANELES SOLARES

E. E. Granda-Gutiérrez1,*, O. A. Orta2, J.C. Díaz-Guillén1, M. A. Jimenez1, M. Osorio1, M. A. González1

1
Corporación Mexicana de Investigación en Materiales S. A. de C. V.
Ciencia y Tecnología No. 790 Fraccionamiento Saltillo 400, Saltillo, Coahuila, México
2
Instituto Tecnológico de Saltillo
Venustiano Carranza No. 2400 Col. Tecnológico, Saltillo, Coahuila, México
egranda@comimsa.com

RESUMEN radiación solar incidente en energía eléctrica de

Se presenta un modelo empleado para la
simulación del comportamiento de una celda, y
por extensión, de un panel solar. Tomando como
base el efecto que ocasionan la irradiación y
temperatura en una celda solar, se muestran las
características de voltaje, corriente y potencia por
medio de la representación gráfica del modelo
matemático que describe el comportamiento de
una celda. Una de las principales ventajas de la
simulación, es que la descripción y evolución de
una variable bajo diferentes condiciones puede
ser fácilmente apreciada, siendo de suma utilidad
para el diseño y dimensionamiento de dispositivos
en los sistemas fotovoltaicos. Además, esta
herramienta puede ser utilizada con fines
académicos, en la enseñanza didáctica del
fenómeno que se describe.
1. INTRODUCCIÓN
El agotamiento de energéticos fósiles y el daño
ocasionado a la naturaleza y sus ecosistemas,
demanda la planeación e implantación de un
nuevo modelo energético donde las necesidades
del hombre y la estabilidad de la naturaleza se
mantengan en un nivel equilibrado. El desarrollo
continuo de nuevas tecnologías ha permitido que
poco a poco las consideradas “energías
renovables” tomen una posición importante y se
perfilen como una de las principales soluciones al
déficit energético y a los problemas ambientales
que amenazan con colapsar el desarrollo de las
principales actividades humanas.
De las fuentes de energía renovable, la energía
solar puede ser considerada como la más
importante debido a su abundancia y
disponibilidad [1]. Una de las formas para
aprovecharla es mediante la conversión de la
radiación solar en energía eléctrica por medio del
efecto fotoeléctrico, con ayuda de
semiconductores. Los dispositivos fotovoltaicos
son semiconductores que convierten parte de la
corriente directa [2,3].
Una celda solar es un dispositivo que representa la
unidad fundamental de un sistema fotovoltaico.
Típicamente, genera un voltaje de entre 0.5 y 0.8
V dependiendo del semiconductor utilizado y la
tecnología con la que fue fabricado [4]. Un panel
solar es el conjunto de un determinado número de
celdas solares (entre 36 y 72) conectadas en serie-
paralelo y montadas sobre una placa metálica
encapsulada por un aislante térmico. Un arreglo
fotovoltaico es el conjunto de un determinado
número de paneles solares conectados en serie-
paralelo para la generación de una cantidad
determinada de energía [1,2].
La generación de energía de una celda solar se ve
afectada principalmente por la variación en la
radiación solar incidente y en la temperatura de la
celda [5]. Al acoplar un conjunto de celdas
solares, la energía generada aumenta linealmente
debido a la variación incremental del voltaje y de
corriente gracias a la configuración serie-paralelo.
Una configuración en serie permitirá que el
voltaje del conjunto incremente, manteniendo
constante el flujo de la corriente. Por otro lado,
una configuración en paralelo mantendrá un nivel
de voltaje constante, incrementando el flujo de la
corriente [1].
Se han desarrollado diversos modelos
matemáticos que describen el comportamiento de
una celda solar. Todos los modelos se basan en la
relación corriente-voltaje resultante de un diodo,
cuya fabricación representa a los semiconductores
dopados tipo n y tipo p, utilizados en la
manufactura de una celda solar [3]. Debido a la
relación no lineal entre la corriente y el voltaje en
un dispositivo fotovoltaico, se hace poco práctica
la simulación de un circuito eléctrico equivalente
de una celda solar con dispositivos pasivos como
resistencias, capacitores e inductores, por lo que

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se requiere de un lenguaje de programación que
soporte directamente la inclusión de parámetros
eléctricos en forma de funciones matemáticas. En
la actualidad, existen diversas plataformas
computacionales en las que se puede realizar la
simulación de un dispositivo fotovoltaico,
basándose en su modelo matemático, por ejemplo
Matlab [6].
En este trabajo se presenta un método
desarrollado mediante Matlab con Simulink, para
la implementación de un modelo versátil para la
simulación de las características eléctricas de una
celda o un panel solar, en función de los
parámetros físicos que la rigen, tales como la
irradiancia y la temperatura. La simulación,
además de proporcionar una herramienta didáctica
para entender el funcionamiento de estos
semiconductores, es útil para determinar el punto
de operación de máxima potencia en las
aplicaciones fotovoltaicas.
2. DESARROLLO
Una celda solar se construye a partir de una oblea
delgada de silicio, fabricada a partir de la unión de
dos semiconductores p – n, y que por medio del
efecto fotoeléctrico convierte la radiación solar en
energía eléctrica de corriente directa.
Generalmente, el circuito eléctrico equivalente de
una celda solar, consta de una fuente de corriente
foto generada por acción de la radiación solar, un
diodo, una resistencia en paralelo y una resistencia
en serie (que representa a la resistencia interna del
material al flujo de la corriente), tal como se
representa en la Figura 1.
Rs
IL D1 Rsh V factor de idealidad. El factor de idealidad permite
Figura 1. Representación eléctrica de una celda
solar
El modelo matemático de la celda se obtiene a
partir de su representación eléctrica, y se
encuentra en función principalmente de la
radiación solar y de la temperatura de la celda.
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2.1. Modelo matemático de una celda
Las características típicas de una celda solar
suelen representarse por medio de gráficas: voltaje
– corriente y voltaje – potencia. En la Figura 2, se
pueden observar los puntos más representativos de
las curvas, tales como: la corriente de corto
circuito (ISC), el voltaje de circuito abierto (VOC),
el punto de máxima potencia (MPP), la corriente
en el punto de máxima potencia (IMPP), el voltaje
en el punto de máxima potencia (VMPP) y la
potencia en el punto de máxima potencia (PMPP).
Potencia disponible [W]
Corriente [W]
Voltaje de la celda [V]
Figura 2. Curva voltaje – corriente y voltaje –
potencia de una celda solar
El modelo matemático que describe la curva
voltaje-corriente en una celda solar, generalmente
se describe por medio de la siguiente ecuación:
 q(V  IR S )  V  IR S
I  I L  I O exp( )  1  (1)
 a  RSH
donde, IL es la corriente foto generada, Io es la
corriente de saturación inversa, RS es la resistencia
en serie, RSH es la resistencia en paralelo, V es el
voltaje, q es la carga de un electrón (1.6 x 10-19C),
y a es un parámetro dado por la ecuación:
a  kTC A (2)
siendo k la constante de Boltzman (1.38x10-23
J/K), TC es la temperatura de la celda y A es el
distinguir el comportamiento entre una celda de
silicio y una de germanio, dependiendo así de la
tecnología de fabricación de la celda solar.
La corriente foto generada varía en función de la
radiación solar y de la temperatura de trabajo en la
celda [7], y se describe por:
IL 
S
S REF

I L, REF   ISC (TC  TC , REF ) 
(3)
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donde, S es la irradiación solar, SREF es la
irradiación solar en condiciones de referencia
(1000 W/m2), IL, REF es la corriente foto generada
en condiciones de referencia y se puede tomar
como la corriente de cortocircuito (IL, REF = ISC), y
μISC es el coeficiente de cortocircuito, el cual
generalmente esta dado por el fabricante.
La corriente de saturación inversa está dada por la
expresión siguiente [7]:
I O  I O, REF (TC / TREF ) 3 expqEG (1/ TREF  1/ TC ) / kA
(4)
donde, EG es la energía del semiconductor en su
banda de gap y IO,REF es la corriente de saturación
inversa en condiciones de referencia.
Generalmente, la eficiencia de una celda solar no
se afecta con la variación en la resistencia en
paralelo (debida a impurezas en el Silicio), por lo
que se puede asumir que RSH   . Por otro lado,
una pequeña variación en la resistencia serie
afecta significativamente el comportamiento y
eficiencia de una celda solar [5].
Ya que la resistencia en paralelo no representa un
porcentaje significativo de pérdidas, se simplifica
el modelo matemático planteado en (1). Entonces,
el valor de (V  IR S ) / RSH puede ser igualado a
cero y así la ecuación se simplifica como sigue:
 q(V  IR S ) 
I  I L  I O exp( )  1 (5)
 a  Tabla 1. Ficha técnica de un panel solar de Silicio
2.2. Modelo matemático de un panel
Las celdas solares deben de ser conectadas en una
configuración serie – paralelo para poder generar
un nivel más alto de energía y así formar un panel
solar. El modelo matemático que describe a un
panel solar se muestra en la ecuación (6), donde el
número de celdas en paralelo viene dado por el
prefijo Np , mientras que el número de celdas en
serie viene dado por el prefijo Ns .
q(V / Ns  IR S / Np)
 
I  NpI L  NpI O exp( )  1
 a  Voltaje en Circuito Abierto
(6)
Es importante considerar que el modelo
matemático de un panel solar puede ser utilizado
para el análisis de una sola celda solar si se
consideran que los coeficientes Np  1 y Ns  1 .
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Finalmente, la corriente de saturación inversa en
condiciones de referencia se obtiene por (7):
I SC
I O, REF  (7)
exp(VOC / N S  a)  1
2.3. Representación del modelo
El modelo matemático de una celda solar
expresado como se indica en la ecuación (6)
puede ser esquematizado por medio de
Matlab/Simulink para su posterior simulación,
permitiendo observar las curvas de voltaje-
corriente y voltaje-potencia para el análisis del
punto de máxima potencia. Una simulación,
permite la observación y el análisis de una, o más
variables en función del tiempo.
Los parámetros requeridos para la simulación,
generalmente pueden ser obtenidos de las hojas de
datos proporcionadas por el fabricante. Uno de los
parámetros más importantes, es el voltaje de
circuito abierto (VOC), el cual se obtiene
asumiendo que la corriente de salida es cero. Por
otro lado, la corriente de corto circuito (Isc) se
obtiene asumiendo que el voltaje de salida es cero.
Para ilustrar la simulación, como ejemplo, se
utilizó un panel solar de silicio policristalino de
250 W en condiciones de referencia (STC,
Temperatura de Celda = 25°C, Irradiación= 1000
W/m2, AM=1.5), constituido por 60 celdas solares
y cuyas características se identifican en la Tabla 1.
poli cristalino de 250 W (STC)
Parámetros Valores
Potencia máxima 250 W
Voltaje en Punto de Máxima 30.12 V
Potencia
Corriente en Punto de Máxima 8.30 A
Potencia
Corriente de corto circuito 8.65 A
Voltaje circuito abierto 37.85 V
Coeficiente de Temperatura de 0.062%/°C
Corto Circuito
Coeficiente de Temperatura de -0.330 %/°C
Coeficiente de Temperatura de -0.45 %/°C
Potencia Máxima
El modelo matemático de un panel solar se
muestra de una forma esquematizada en el
ambiente Matlab/Simulink en el bloque que se
muestra en la Figura 3, y que a su vez contiene
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por medio de subsistemas, a las ecuaciones (1),
(2), (3), (4), (7) y (8). Se puede apreciar que las
entradas del bloque son: la temperatura de celda,
la radiación solar y el voltaje. Mientras que a la
salidas del bloque, se obtiene la corriente de salida
y la potencia que es capaz de producir.
El subsistema encargado de calcular la corriente
foto generada, está en función de la radiación
solar y de la temperatura de celda, de acuerdo a
(3). Por otra parte, la corriente de saturación
inversa del diodo varía como una función cúbica
de la temperatura y esta expresada en (4).

3. RESULTADOS
Los resultados obtenidos por medio de las curvas
de voltaje – corriente y voltaje – potencia para una
celda y un panel solar bajo los efectos de la
variación de la irradiación solar y de la
temperatura de celda se presentan en esta sección.

Para la simulación de la celda solar, el tiempo de

Figura 3. Modelo esquematizado de una celda (o
panel solar) en Matlab/Simulink
La Figura 4, representa el conjunto de subsistemas
que conforman al bloque de la Figura 3. Se
identifican los bloques que representan a la
corriente foto generada definida bajo la ecuación
(6), y la corriente de saturación inversa expresada
en la ecuación (7). Ambos bloques están
conectados a un multiplexor, cuya salida
alimentará a un bloque de función para realizar las
operaciones necesarias para la resolución de la
ecuación (6).
simulación se consideró en 15 segundos
(arbitrario, pero lo suficientemente lento para no
causar variaciones transitorias), asignando un
incremento de .05 V por cada segundo.
La naturaleza de una celda solar se describe
gracias a la interpretación de las curvas
características que muestran el punto de máxima
potencia. La Figura 5 muestra las curvas
características de voltaje – corriente y voltaje –
potencia para una celda solar bajo condiciones de
referencia. Estas señales, obtenidas por medio del
modelo desarrollado, corresponde a las curvas
características de una celda de Silicio, lo que se
manifiesta por la diferencia de potencial en
corriente cero en 0.6 V [1].

1
V 2
Voltaje (V)
Potencia
Product
3 S
S
Irradiación (S)

Sref Sref
Sref
Ref. Irradiación IL

Tref f(u) 1
Tref Tref
Tref Corriente
Salida
Ref.
Temperatura
Tref Out1 Isc Ref

Corriente fotogenerada
2 TcellOut2
Temperatura de Celda
Corriente de Saturación

273

Constante de Kelvin

Figura 4. Diagrama a bloques para la simulación de una celda o panel solar mediante la resolución de su
modelo matemático

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Figura 5. Curva característica voltaje – corriente
(arriba) y voltaje – potencia (abajo)
Como se ha mencionado, el modelo propuesto
permite simular celdas de Germanio, por lo que
utilizando los valores adecuados la diferencia de
potencial a corriente cero se encuentra
aproximadamente en 0.3 V.
En la Figura 6 se puede apreciar que con el
incremento en la temperatura de celda, el punto de
máxima potencia disminuye debido a una
reducción importante en el voltaje de salida. Esto
es provocado por el incremento en la agitación
térmica de los portadores de carga en el
semiconductor, lo que se manifiesta como una
reducción en el potencial de la unión. Este efecto
sin duda repercute en el desempeño de la celda, y
por extensión en la eficiencia de un arreglo
fotovoltaico, por lo que es un parámetro de diseño
muy importante; la simulación permite cuantificar
el efecto en el arreglo final, tanto para una celda,
como para un panel solar, pudiendo predecir el
impacto de esta variable.
Figura 6. Curva de voltaje – potencia para una
celda solar con variación en la temperatura
Sin embargo, un efecto más significativo que las
variaciones en la temperatura, lo constituyen las
variaciones en la irradiación solar, es decir, en la
intensidad de la luz que incide sobre la celda
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solar. Dado que este es un efecto que se
multiplica con el número de celdas conectadas en
el arreglo, a continuación se presentan los
resultados del modelo para un panel solar.
Para la simulación en un panel solar, se utilizó un
tiempo de simulación de 15 segundos con un
incremento de 3.785 V por segundo y una
conexión en serie de las 60 celdas solares que
constituye un arreglo típico en paneles
comerciales para uso residencial.
El decremento en la irradiación solar (Figura 7) se
ve manifestado como una reducción proporcional
en la corriente de corto circuito. La corriente de
cortocircuito es la máxima corriente disponible
para producir energía eléctrica con el panel solar,
por lo que una reducción de este valor representa
una disminución en el punto de máxima potencia,
y por lo tanto, en la capacidad del sistema
fotovoltaico para producir potencia eléctrica. Esto
ocurre debido a que el voltaje de circuito abierto
es logarítmicamente dependiente de la irradiación
solar, mientras que la corriente de corto circuito es
directamente proporcional a la intensidad de
radiación solar [5].
Figura 7. Curva de voltaje – corriente para una
celda solar con variación en la irradiación solar
Para comprobar la validez de este modelo, se
presenta en la Figura 8 la curva característica de
voltaje – corriente proporcionada por el
fabricante, la cual se obtiene usualmente mediante
pruebas experimentales de laboratorio bajo
condiciones estándar certificadas (25 °C y 1.5
AM).
Se puede apreciar la dependencia directa de la
corriente de cortocircuito con la irradiación solar.
Se muestra también la curva experimental
obtenida en condiciones nominales (1000 W/m2,
45 °C y 1.5 AM)
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Figura 8. Curva voltaje – corriente proporcionada
por el fabricante
Comparando la Figura 9, obtenida mediante la
simulación, se puede apreciar que la simulación
realizada nos lleva a un resultado muy similar al
mostrado en la curva del fabricante, con una
pequeña variación ocasionada por ciertos factores
físicos (interconexión de celdas, resistencias, etc.),
que sí son observadas bajo las condiciones
experimentales.
Figura 9. Curva de voltaje – potencia para un
panel solar con variación en la irradiación solar.
4. CONCLUSIONES
Se desarrolló un modelo esquematizado para la
simulación del comportamiento de una celda solar
en el programa Maltab / Simulink, partiendo de su
modelo matemático.
La simulación de una celda solar manifiesta su
aproximación al obtener un voltaje de unión que
corresponde con la diferencia de potencial
generada en celdas de Silicio (0.6 V) y Germanio
(0.3 V).
Como resultado de la simulación de un arreglo de
celdas, se obtuvieron las gráficas que describen el
comportamiento del panel solar ante cambios en
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irradiación y temperatura; este comportamiento
coincide de una manera bastante aproximada con
los resultados prácticos obtenidos en condiciones
estándar y nominales de una celda comercial.
El análisis del comportamiento de una celda solar
es una herramienta muy útil cuando se requiere
dimensionar sistemas fotovoltaicos, ya que por
medio de este tipo de simulaciones se puede
predecir la cantidad de energía que se puede
generar con una mayor exactitud ante cambios
físicos y climatológicos.
5. AGRADECIMIENTOS
Este proyecto ha sido financiado por el Fondo
Mixto de Fomento a la Investigación Científica y
Tecnológica CONACYT – Gobierno del Estado
de Coahuila y la Corporación Mexicana de
Investigación en Materiales S.A. de C.V.
6. REFERENCIAS
[1] S. P. Sukhatme and J. K Nayak, “Solar
Energy: Principles of Thermal Collection and
Storage”, 3rd. ed. Delhi, India: McGraw Hill,
2008, 71 -108.
[2] J. Duffie and W. Beckman, “Solar Engineering
of Thermal Processes”, 3rd ed. John Wiley &
Sons, 1991, 747.
[3] Y. D Goswami and F. Kreith, “Principles of
Solar Engineering”, 2nd ed. New York, NY:
Taylor & Francis, 2000, 1-80.
[4] T. Salmi, M. Bouzguenda, A. Gastli, and A.
Masmoudi, “MATLAB / Simulink Based
Modelling of Solar Photovoltaic Cell”,
International Journal of Renewable Energy
Research, Vol. 2, No. 2, 2012.
[5] H. L. Tsai, C. S. Tu, and Y. J. Su,
“Development of Generalized Photovoltaic Model
Using Matlab/Simulink” in Proceedings of the
World Congress on Engineering and Computer
Science, 2008.
[6] S. Silvestre, L. Castañer, and D. Guasch,
“Herramientas de Simulación para Sistemas
Fotovoltaicos en Ingeniería”, Formación
Universitaria, vol. 1, 13-18, 2008.
[7] S. A. Kalogirou, “Solar Energy Engineering”,
1st. ed. San Diego, California, Elsevier Inc, 2009,
469 – 519.
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Fecha de Alta 2011-09-01
Fecha de M odificación 2011-09-09
Tipo de Registro Modificado
Título Congreso internacional de ingeniería electrónica. Memoria electro
Título Abreviado Congr. int. ing. electrón. mem. electro.
País México
Situación Vigente
Año Inicio 1979
Año Terminación 9999
Frecuencia Anual
Tipo de Publicación Publicación periódica
Soporte Impreso en papel
Idioma(s) Español
ISSN 1405-2172
ISSN-L 1405-2172
Otros Títulos Memoria electro
Título Anterior Memoria Electro (Reunión académica de Ingeniería Electrónica) [ISSN
0188-9729]
Temas Ingeniería eléctrica
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Lugar Chihuahua, Chih.
Instituto Tecnológico de Chihuahua, División de Estudios de Posgrado
Editorial
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