Diseño de circuitos digitales y tecnología de

computadores/Memorias
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Memoria es la sección de un sistema digital encargada del almacenamiento permanente o
temporal de la información del sistema.
Sobre la memoria se pueden hacer dos operaciones:

 Lectura: la memoria presenta en sus terminales de salida el

contenido de la localidad seleccionada. La lectura se puede
hacer en todos los tipos de memoria.
 Escritura: se escribe el dato presente en los terminales de
entrada en la localidad seleccionada. No todos los tipos de
memoria permiten la escritura.
La ejecución de una operación de lectura o escritura se denomina acceso a memoria.

Sumario

 1Tipos de memorias semiconductoras

 2Memorias de acceso aleatorio
o 2.1Características comunes de las RAM
o 2.2Memorias RAM volátiles
o 2.3Memorias RAM no volátiles
 3Memorias de acceso secuencial
o 3.1Organización de las SAM
 3.1.1Organización en serie
 3.1.2Organización en paralelo
o 3.2Memoria FIFO (fila/cola)
o 3.3Memoria LIFO (pila)

Tipos de memorias semiconductoras[editar]

Dependiendo de cómo se asocien las localidades, las memorias pueden ser:
 de acceso aleatorio o directo (RAM, Random Access
Memory): las localidades se direccionan físicamente de
manera individual; basta indicar la dirección de una localidad
para operar sobre ella. A su vez se clasifican en:
o Memorias de lectura/escritura (L/E) volátil (RAM volátil o
activa, RWM)
 L/E simultánea o no simultánea
 Estáticas (SRAM) o dinámicas (DRAM)
o Memorias L/E no volátil (NVRAM)
 L/E volátil + batería
  L/E volátil + EEPROM (NVRAM)
o Memorias de lectura no volátil (RAM no volátil o pasiva)
 Totalmente pasivas (MROM)
 Pasivas programables (PROM)
 ROM reprogramables (RPROM)
 borrables con rayos ultravioleta (EPROM)
 borrables eléctricamente (EEPROM)
 de acceso secuencial (SAM, Sequential Access Memory):
las localidades están en posiciones contigüas de manera que
el acceso a cada localidad depende del lugar que ocupe en la
memoria. Teniendo en cuenta la forma en que se acceda a
las localidades pueden ser:
o Registros de desplazamiento
o Memorias FIFO (First In First Out), filas o colas
o Memorias LIFO (Last Int First Out) o pilas

Memorias de acceso aleatorio[editar]

Características comunes de las RAM[editar]
El tiempo de acceso (lectura o escritura) es constante e independiente de la posición de la
localidad sobre la que se opere.
Los terminales de una RAM se dividen en tres grupos:
Terminales de dirección
Indican la localidad sobre la que se quiere operar.
Terminales de datos
Presentan del dato de una operación de lectura o
proporcionan el dato de una operación de escritura.
Terminales de control
Indican a la memoria la operación a realizar (lectura o
escritura). También incluyen un terminal que inhibe las
salidas forzándolas al tercer estado. En los sistemas
electrónicos, las memorias se conectan con un bus de
datos, por lo que deben estar dotadas de tercer estado.
 Bloque funcional de una RAM 8x4
Memoria RAM con salidas triestado (8 localidades de 4 bits cada una)

Memorias RAM volátiles[editar]

Las memorias volátiles pierden la información cuando
no tienen alimentación eléctrica.
Las RAM volátiles se pueden clasificar por el tiempo
que permanece la información aunque se mantenga
alimentadas eléctricamente en:
estáticas (SRAM, Static RAM)
Mantienen la información siempre y cuando estén
alimentadas eléctricamente. Funcionalmente las celdas de
estas memorias son biestables D.
dinámicas (DRAM; Dinamic RAM)
Aunque se mantenga el suministro eléctrio pierden la
información, por lo que se reescriben constantemente
(refresco). Las celdas son condensadores MOS.
Otro criterio clasificatorio es por la
simultaneidad de las operaciones de lectura y
escritura (L/E):
L/E no simultáneas
En un determinado instante sólo se pueden leer o escribir.
Disponen de los siguientes terminales de control:

 Chip enable (CE o CS): inhibe (0) o habilita (1) la

memoria
 Out Enable (OE): inhibe (0) las salidas al tercer estado
o las habilita (1) si CE=1
 Write Enable (WE): inhibe (0) o habilita (1) la escritura
si CE=1 y OE=0
L/E simultáneas
Se puede leer en una localidad y simultáneamente escribir
en otra. La memoria debe disponer de terminales
independientes de dirección de escritura, dirección de
lectura, líneas de entrada (escritura) y líneas de salida
(lectura).
Memorias RAM no
volátiles[editar]
Memorias no volátiles son las que
conservan la información aún sin
energía eléctrica. Se aplican en
aquellos casos en que la información
no va a cambiar con seguridad o
cambia en muy pocas ocasiones. Se
usan para:

 Generación o simulación de
funciones lógicas. Cuando el
número de variables de las
funciones y el número de
funciones de una multifunción es
muy elevado, se programa la
tabla de verdad de la
multifunción en una ROM
(memoria de sólo lectura).
 Memoria de un programa no
modificable al que se
denomina firmware en
contraposición al software, que sí
es modificable.
Existen varios tipos de memorias no
volátiles:
Memoria de sólo lectura (ROM
totalmente pasiva, MROM)
Las programa el fabricante a través de un negativo
fotográfico llamado máscara, de ahí la M de MROM. Cada
celda de una MROM es un semiconductor, y su presencia
o ausencia determina si hay un 1 o un 0.
Memoria ROM programable
(PROM)
Pueden ser programadas por el usuario una sola vez a
través de un equipo especial. Una vez programada sólo se
puede leer y no se puede volver a programar; la escritura
es destructiva.
 Memorias ROM
reprogramables. Pueden
ser:
Memoria ROM programable y borrable (EPROM)
Es una memoria CMOS, es decir, las celdas son
transistores MOS. El proceso de grabación requiere un
equipo especial que para grabar un uno produce una
concentración de carga en una zona de la EPROM,
elevando el nivel de alimentación. Para el borrado se
utiliza un equipo distinto que somete al chip a una
radiación ultravioleta que dispersa la carga en los '1'.
Memoria ROM programable y borrable
eléctricamente (EEPROM)
Se pueden programar y borrar eléctricamente sin
necesidad de un equipo especial. Además el borrado
puede ser discriminado, mientras que el proceso de
borrado de las EPROM es indiscriminado.
Memorias de
lectura/escritura no
volátiles (NVRAM)
No pierden la información al desconectar la alimentación.
Para obtener una NVRAM existen dos procedimientos:

 Utilizar una batería. La RAM es de tipo CMOS para

prolongar la vida de la batería. En ocasiones, las
baterías van encapsuladas en el mismo chip.
 Usar un chip NVRAM: contiene una RAM más una
EEPROM, tal que cada cenda de la EEPROM
respalda a una celda RAM, y entre ellas la
trasferencia es bidireccional. Durante el
funcionamiento normal, la NVRAM es una RAM.
Cuando se desconecta la alimentación, la información
permanece en la EEPROM; cuando se conecta, la
RAM recupera la información de la EEPROM.

Memorias de
acceso
secuencial[ed
itar]
Organización de
las SAM[editar]
Organización en
serie[editar]
Todas las celdas
están en serie. La
memoria está
formada por un
conjunto de
localidades cuyas
celdas están
conectadas en serie,
y a su vez, la última
celda de una
localidad se conecta
con la primera celda
de la siguiente
localidad. El
esquema siguiente
muestra una SAM
organizada en serie
de m×n bits
(m localidades
de n bits cada una).

Una SAM serie

puede
implementarse
usando registros de
desplazamiento. La
figura siguiente
muestra el esquema
general de una SAM
serie de m×n bits
realizada con
registros de
desplazamiento:
Organización en
paralelo[editar]
Las celdas de cada
localidad son
independientes entre
sí. Las localidades
se conectan en serie
conectando en serie
las celdas del mismo
peso o índice,
conservando el
paralelismo entre las
de distinto peso. El
esquema siguiente
muestra una SAM
organizada en
paralelo de m×n bits
(m localidades
de n bits cada una).
El diagrama
siguiente representa
de forma
simplificada el
esquema anterior:

Una SAM paralelo

puede
implementarse
utilizando registros
con entradas y
salidas en paralelo.
La figura siguiente
muestra el esquema
general de una SAM
paralelo de m×n bits
realizada con
registros de
desplazamiento:
Memoria FIFO
(fila/cola)[editar]
El primer dato que
entra en la memoria
(en ser escrito) es el
primero en salir (en
ser leído). Los
terminales de
entrada de la fila se
corresponden con
los de la primera
posición de la
memoria SAM. Los
terminales de salida
de la fila se
corresponden con
los de la última
localidad de la
memoria SAM. La
operación de lectura
es destructiva: al
leer un dato
desaparece de la
memoria.
Memoria LIFO
(pila)[editar]
El último dato que ha
sido escrito es el
primero en salir de la
memoria. Los
terminales de
entrada y de salida
de la memoria LIFO
se corresponden con
los de la primera
posición de la
memoria SAM. La
operación de lectura
es destructiva: al
leer un dato
desaparece de la
memoria.
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