7. Transistores Conceptos basicos * Definicién Los elementos citcuitales vistos hasta ahora (resistencias, condensadores, generadores, diodos) son biterminales, es decit, tienen dos bornes o terminales, y presentan un com- portamicnto incontrolable, ya que la relacién matemética entre la diferencia de potencial entre sus bores y 1a corriente que los atraviesa es siempre fija: para un valor determina- do de la tensién, se obtiene siempre el mismo valor de la corriente. ccuacién de comportamicnto: Pero dicho comportamiento incontrolable no es suficiente para el correcto funciona miento de muchos de los aparatos que utilizamos hoy en dia, Para hacer frente a esto, se utilizan los transistores. El transistor es un elemento triterminal; es decir, tiene tres bor- nes o terminales. Uno de dichos terminales trabaja como terminal de control, controlan- do el comportamiento de los otros dos terminales. La magnitud de control puede ser Ia tensién o la corriente de ese terminal, dependiendo del tipo de transistor, como veremos mis adelante, i " frie Na $0016) TC. @—*) |v, couacién de comportamiento: ° terminal de + comet ae - Moraine distintos valores de Ihe ode curva caracterfstca: £ re380 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Como se observa en la figura anterior, en el caso del transistor, para un determinado lor de la tensién se puede obtener mds de un valor de la corriente; es decir, se obtienen comportamientos distintos, precisamente debido al valor particular de la magnitud im- puesta en el terminal de control En lo referente a la potencia eléetrica, el transistor es un elemento pasivo, es decir, para poder funcionar debe absorber potencia eléctrica, Al igual que otros elementos, también transistor tiene un limite en la potencia maxima que puede absorber. Por otra parte, como consecuencia de la controlabilidad anteriormente apuntada, los transistores son elementos especiales si los comparamos con los vistos hasta ahora, ya que son capaces de amplificar pequeiias seftales de entrada, proporcionanado en su sali- da sefiales mayores.No obstante, a pesar de que la capacidad de amplificar seitales de los transistores es una de sus caracteristicas mis importantes, en esta asignatura no ana- lizaremos los transistores desde ese punto de vista, ya que sélo los queremos analizar en régimen permanente. La razén de esto estriba on el funcionamiento de los circuitos digi- tales, como veremos en el tema siguiente, y porque en el campo de 1a Informética los transistores son interesantes precisamente desde el punto de vista de los circuitos digita- les, es decir, los transistores considerados como componentes de los circuitos digitales que son la base de los ordenadores electrénicos de hoy en dia, EI fundamento del funcionamiento especifico de los transistores reside en que constan de dos uniones PN. Estas uniones se pueden realizar fisicamente de diversas maneras, bor Io que surgen distintoe tines de transisores (ver apéndice 3), He aqu ln cl ieacior * Clasificacién de los transistores Transistores bipolares: BIT (Bipolar Junction Transistor). Se les da ese nombre porque para generar la corriente eléctrica se mueven tanto los elee- trones libres como los huecos, es decir, los portadores de carga de los dos tipos 0 "pola- ridades". La magnitud de control es la corriente. Hay dos tipos de transistores bipolares: los denominados PNP y NPN. Los analizaremos en el apartado siguiente. Transistores unipolares: En general, se les da el nombre de transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor), debido a que la influencia del campo eléctrico cn su funcionamicnto es de vital importancia. Se dice que son unipolares porque para generar la corriente eléctrica s6lo se mueven los portadores de carga de un tipo, es decir, s6lo os electrones libres 0 sélo los huecos, segin el tipo de transistor, pero nunca ambos tipos de portadores de carga. La magnitud de control es la diferencia de potencial. También entre ellos se distinguen dos tipos: los JFET (Junction Field Effect Transistor) y los FETMOS (Metal Oxide Semiconductor), siendo estos iltimos los mds utilizados. Dentro de ambos tipos, dependiendo de quignes son los portadores de carga responsa- bles de generar la corriente eléctrica, se distinguen dos subtipos: los de canal N, en los que la corriente es generada por los electrones, y los de canal P, en los que la corriente es generada por los huecos. (Los analizaremos en el apartado siguiente al de los transistores bipolares.) ‘Transistores de uniunién: UST (UniJunction Transistor). Estos transistores no cum- plen lo dicho al principio, ya que no constan de dos uniones PN. Como son muy especiales, en este libro no Tos tendremos en event,7. Transistores 381 ¢ Transistores bipolares En los transistores bipolares, 1a magnitud de control es la corriente y, en consecuencia, el esquema general del transistor visto en el apartado anterior queda como sigue: A i ate 7 ce Yaa ab 7 Dado que estos transistores estén constituidos por dos uniones PN, se nos presentan dos opciones diferentes: una zona de tipo N insertada entre dos zonas de tipo P (transistor PNP), 0 una zona P insertada entre dos zonas tipo N (transistor NPN): PNP NPN P N P IN [Pp N] ‘Tanto en un caso como en el otro, se mueven tanto los electrones como los huecos. Los electrones libres y los huevos atraviesan las dos uniones PN y aparece corriente en todos los terminales. (Ver el apéndice 3.) A cada zona del transistor (ver figura superior), le corresponde un terminal. El terminal de control es el correspondiente a la zona central y la magnitud de control es la corriente de dicho terminal, A dicho terminal se le denomina base, B (base); al de un extremo, emisor, F (emitter), porque emite y envia las cargas elctricas hacia los otros terminales; y al dei extremo opuesto, colector, C (collector), porque colecta o recoge las cargas que iegan desde el emisor después de atravesar la base, Teniendo en cuenta dichos nombres y Ia estructura del transistor, las dos uniones PN suelen denominarse: unién base-emisor, BE 0 EB, y unién base-colector, BC'o CB. Aunque la estructura fisica es la de la figura anterior, no es ése el simbolo utilizado para representar los transistores, sino el siguiente: transistor bipolar NPN. transistor bipolar PNP c c colector colector Simbolos: B B base cnbee base382 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos A pesar de que los dos simbolos anteriores son muy similares, es muy féeil distinguirlos: en ambos aparece una flecha sobre el emisor, pero en sentidos opuestos. Para apreciar el significado de la flecha, tnicamente tenemos que acordarnos de 1a del diodo: en el dio- 4o, la flecha esta dirigida de la zona P a la zona N, En los transistores se hace lo mismo: como en un transistor NPN Ia base cs de tipo P y el emisor de tipo N, la flecha ira diri- ida de la base hacia el emisor, en el transistor PNP, por el contrario, la base es Ny el emisor P, por lo que la flecha esta dirigida del emisor hacia la base. Por otra parte, la fecha, adeusds Ue indivar el tipo de cansistor, tunbien sirve para distinguir el eusisor del colector, ya que el simbolo del transistor es simétrico; asi pues, el terminal que tiene la flecha es siempre el emisor. Comportamiento estatico de los transistores bipolares: magnitudes Para analizar el comportamiento de los elementos biterminales vistos hasta ahora nos hhan bastado dos magnitudes: normalmente, la corriente que atraviesa el elemento y la di- ferencia de potencial o tensién entre sus extremos. En el caso de los transistores, en ge- neral, se necesitan més magnitudes, porque son elementos triterminales. En efecto, para analizar el comportamiento de los transistores bipolares, se utilizan las siguientes mag- nitudes eléetricas: las corrientes que cireulan por cada uno de los terminales, es decir, las tres corrientes 1c; fn ¢/s, y las diferencias de potencial entre terminales, dos a dos, es de- cir, las tres tensiones Var, Vac y Vr Por lo tanto, mientras que en los elementos biterminales sélo son dos las magnitudes a relacionar ( y v), para lo cual sélo sc necesita una ccuaeién de comportamicnto, en los transistores son seis las magnitudes a relacionar, tres corrientes y tres tensiones. Es de- cir, para obtener el denominado punto de operacién del transistor hay que calcular esos seis valores: O(s, fo, 1s, Ves, Vos, Vac); en consecuencia, en el caso del transistor, nece- sitaremos més de una ecuacién de comportamiento; concretamente, se necesitan dos, co mo veremos més adelante. A Ia hora de definir los sentidos de las corrientes de los terminales y los signos de las tensiones entre terminates presentes en esas seis magnitudes, no se hace arbitrariamente, sino que se hace de acuerdo a un convenio y siempre se empiean igual (recuerda que con el diodo hemos hecho otro tanto, siempre hemos puesto Zp y Vp). He aqul dicho conve- nio: NPN Fijéndonos en las figuras, es evidente que las corrientes y las tensiones son opucstas en ambos tipos de transistores; por ello, es suficiente analizar el comportamiento de un tipo de transistor, ya que el del otro ser anélogo, sin més que cambiar los signos. Asi pues, de ahora en adelante sélo nos ocuparemos del transistor NPN, por ser el més utilizado,7. Transistores 383 Ecuaciones de comportamiento de los transistores bipolares: ;cudntas? Ya sabemos qué es la ecuacién de comportamiento de un elemento biterminal: la ecua- cién matemética que relaciona las dos magnitudes eléctricas que toman parte en el com- portamiento eléctrico del elemento; normalmente, en dicha ecuacién se relacionan la corriente que atraviesa el elemento y Ia diferencia de potencial o tensién entre sus extre~ mos. En el caso de los transistores, tal y como se ha dicho anteriormente, son seis las magni tudes a relacionar, por to que necesitaremos mis de una ecuncidn, pero ahi esté el pro- blema: {cuantas ecuaciones se necesitan para representar matemticamente el comporta- miento de un transistor? Eso es precisamente lo que queremos aclarar en este apartado, Para ello, supongamos que tenemos que analizar cl circuito de la figura siguiente (diga- mas de paso que ése es el cireuito mAs simple que podemos encontrar con un transistor: dado que se deben polarizar las dos uniones PN del transistor, se necesitan al menos dos iallas en el circuito; por eso se le denomina circuito de polarizacién): Como siempre, antes de proceder al anélisis del circuito, conviene representar en el pro- pio circuito tas magnitudes eléetricas correspondientes, con el objetivo de tratar de evi- tar errores a la hora de escribir las ecuaciones de! circuito. En este caso, como sélo hay un transistor, primero indicaremos en la figura las seis magnitudes correspondientes al transistor; después, en caso de que sca necesario, indicaremos el resto de magnitudes del cireuito, En este caso, como es muy simple, las tinicas magnitudes necesarias son las del transistor (recuerda que las tensiones en bores de las resistencias, debido a la ley de Ohm, dependen de las corrientes; es por ello precisamente por lo que no las considera- ‘mos incégnitas); en consccuencia, deberemos encontrar seis ccuaciones. Ahora podemos escribir las ecuaciones del cireuito:384 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Para empezar, aplicaremos la ley de Kirchhoff de las cortientes (LCC) en el nodo in- ferior: eo Te in +e] Debemos decir que dicha ceuacién se cumple siempre en los transistores bipolares, sea cual sea el circuito en el cual est conectado el transistor. La razén la vimos al estudiar Ja ley de Kirchhoff de las corrientes: las cargas no se acumulan en los nodos de un cir- cuito, ni tampoco en los elementos; por esa razén, la corriente total que llega a un nodo © elemento debe salir de él por otros caminos. En el caso del transistor, las corrientes que Hegan al transistor son /c ¢ I y la que sale del transistor es Z; en consecuencia, la suma de las corrientes fc ¢ Ip debe ser igual a Ip. Por lo tanto, Ia ecuncin anterior se cumple siempre en Tos transistores, desde un punto de vista extemno al propio transistor. En consecuencia, dicha ecuacién no refleja el com- portamiento interno del transistor, por lo que no es una de las ecuaciones de comporta- miento del mismo. Ahora aplicaremos la ley de Kirchhoff de las tensiones (LK) entre dos terminales del transistor; por ejemplo, entre los puntos B y C. La ley de Kirchhoff de las tensiones dice que la tensién entre dos puntos es la misma sea cual sea el camino escogido para ir de uno de los puntos al otro, En el caso que estamos analizando, yendo del punto # al punto C directamente, en- contramos ta tensién Vpc3 pero si vamos indirectamente, pasando por Ios otros termina- les del transistor, primero iremos de B a, para ir después de E a C; de esa manera, en- contraremos las tensiones Vax y Vac consecutivamente, por lo que deberemos sumarlas: Vc ~ Vo * ¥ec. Peto en el convenio citado anteriormente sobre las magnitudes que ha- bitualmente se utilizan en el transistor no aparece la tensién zc, sino su opuesta, Vs En consecuencia, la segunda ecuacién que se cumple es la siguiente: 2 Debemos recalear ahora que también esta segunda ecuacién se cumple siempre en los transistores bipolares, sea cual sea el circuito en el que esta conectado el transistor, des- de un punto de vista extemo al propio transistor. En consecuencia, tampoco esa ecua- cién refleja el comportamienta intemo del transistor, por lo que tampoco es una de las ecuaciones de comportamiento del transistor. Dicho todo 1o anterior, volvamos a tratar de escribir el resto de ecuaciones que se cum- plen en el circuito que estamos analizando. Tal y como hemos indicado anteriormente, en el circuito que estamos analizando hay dos mallas: a la malla de la izquierda se le denomina malla de entrada, porque cn ella es- ti el terminal de control del transistor, es decir, la base; a la malla de la derecha, por su parte, se le denomina malla de salida, porque en ella esti el colector del transistor, es decir, cl terminal que recoge las cargas enviadas por el emisor. (Como veremos luego, cuando se conecta el transistor tal y como esté en este circuito, 0 sea, cuando cl emisor se utiliza como terminal de referencia de los otros dos terminales, se dice que el transis- tor est conectado en emisor comin.) Asi, podemos aplicar a LKT en esas dos mallas, para obtener las ecuaciones correspondientes al eircuito, He aqut:7. Transistores 385 LKT en la malla de salida: LCT en la malla de entrada: Role Ver =Vog+ Von + Ver Vsr = Voc +Vee+Ver como es T= E> Ver =0 como es 7" Ver =0 © Ga Bela ° Debemos recalear que las ecuaciones @ y @ son dependientes del cireuito, por lo que para circuitos més complejos, en vez. de ser dos, serdn mAs; en concreto, si en el circuito hay mas de un nodo y més de dos mallas, aparecerin més inedgnitas que las seis magni- tudes del transistor; en consecuencia, ademés de las ecuaciones anteriores, deberemos aplicar la LKC en los otros nodes (pero no en el transistor), y la LKT en otras mallas que no contengan al transistor. Resumiendo, por ahora hemos obtenido cuatro ecuaciones, aplicando las leyes de Kirch- hoff tanto en el transistor como en el circuito, Pero necesitamos otras dos ecuacioncs, We donde las sacaremos? Del circuito no se pueden deducir mas ecuaciones, ya que he- ‘mos obtenido todas las que se pueden obtener: hemos aplicado la LKC en el tinico nodo del circuito y hemos obtenido al ecuacién @; después, hemos aplicado la LKT entre los terminales del transistor y en las dos mallas del circuito y hemos obtenido las ecuaciones ©,@y8. Asi pues, las dos ecuaciones que faltan deben ser las ecuaciones de comportamiento que reflejan el funcionamiento interno del transistor. (Debemos recalear de nuevo que, a pe- sar de que las dos primeras ecuaciones vistas se eumplen siempre en el transistor, no re- flejan el funcionamiento interno del transistor, sino su relacién con el mundo externo, es decir, las leyes de Kirchhoff: por esa razén no son ecuaciones de eomportamiento del transistor.) Para obtener las dos ecuaciones de comportamiento que reflejan el funcionamicnto in- temo del transistor se debe analizar experimentalmente el comportamiento del transis- tor. Para ello, se emplean las curvas caracteristicas que veremos en el apartado siguiente, No obstante, podemos decir que esas ecuaciones serén de la forma: ° ° SC op Ves)386 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Resulta evidente que cn las cuatro tltimas ecuaciones no aparecen mas que cuatro i cégnitas: Ip, Vn, Zoy Vce- En eonsecuencia, Ins dos primeras ecuaciones no son necesa- rias, porque en cllas aparecen dos incdgnitas que no estan en las otras cuatro ecuaciones: en conereto, Ir y Vac. Resumiendo, tal y como hemos dicho al principio, para analizar el comportamiento estitico de un transistor se deden caleular seis magnitudes eléctricas, que constituyen el punto de operacién del transistor: Op, Fo. Ips Fags Vers ¥p0- Pero como las dos prime~ ras ecuaciones obtcnidas, @ y @, siempre se cumplen en los transistores bipolares, po- demos eliminar de la lista de las seis las dos magnitudes que aparecen a la izquierda de dichas ceuaciones, ya que siempre podremos calcular répidamente Js y Vac una ver co- nocidas las otras cuatro magnitudes. Por cllo, para simplificar un poco las cosas, a partir de ahora diremos que s6lo se necesitan cuatro magnitudes para analizar el comporta- miento estético de un transistor bipolar: punto de operacién del transistor O(Tg, Io Veg. Vex) En consecuencia, a partir de ahora s6lo emplearemos las dos primeras ecuaciones de manera implicita; es decir, no las escribiremos explicitamente, salve que sea necesario (€n los ejercicios veremos que a veces es necesario escribir la ecuacién entre las corrien- tes del transistor), y tinicamente utilizaremos las dos ecuaciones de comportamiento del transistor y las ecuaciones correspondiente al circuito (tantas como sean necesarias). Curvas caracteristicas de lus (ransistures bipulares: Dado que el transistor tiene tres terminales, para caracterizar su comportamicnto no bas- ta una séla curva 0 ecuacién, como acabamos de ver: se necesitan dos. En este apartado vamos a ver cémo se obtienen experimentalmente esas dos curvas para el transistor co- nectado en el circuito de la figura siguiente, asi como las caracteristicas de dichas cur- vas. (variable) Como hemos dicho, se trata de obtener dos curvas, una correspondiente a la relacién en- tre la corriente y Ia tonsién del circuito de entrada (la funcidn g de Ia ecuacién @ ante- riot) y la otra correspondiente a la relacién entre las magnitudes del eircuito de salida (la funcién fde Ia ccuacién @ anterior). Precisamente por eso se necesitan dos amperimetros (uno para medir la corriente Ip en el circuito de entrada y otro para medir J- en el circuito de salida) y dos voltimetros (uno para medir la tensidn de entrada, ge, y otto para medir la tensién de salida, Mc). Los valores de los dos generadores presentes en el circuito se van variando para obtener las curvas del transistor punto a punto,7. Transistores 387 Si analizamos la relacién entre las magnitudes del cireuito de entrada, veremos que la tensién Vgg también tiene cierta influencia sobre la curva (Fy, Vz), pero dicha influencia es tan pequefia que es practicamente despreciable, Por esa razén, la ceuacién @, cuya exptesién genética era ly g(Vge, Vee)» Se simplifica asi: Jp = g(Vpp). L Ty influencia Yaw Vie De esa manera, la curva del circuito de entrada es comparable con la curva caraeteristica del diodo rectificador y, por ello, para esta curva caracteristica de entrada de! transistor © utilizan las mismas tres aproximaciones del diodo reetificador. Este resultado no debe resultar chocante, ya que esta curva no es més que la representacién grifica del compor- tamiento de la unin base-emisor, Las curvas caracteristicas correspondientes a las magnitudes de salida son Ias de Ia figu- 1m siguiente. Cabe destacar que estas curvas son dependientes de la cortiente Zp y que dicha dependencia es precisamente la que permite el control de la corriente Io, ya que para cada valor de J se obtiene una curva caracteristica (Jc, Vea) diferente. To4 mA 100 oA F; ool 2 3 4 5 6 ¥ 8 o wy % Es evidente que las ecuaciones correspondientes a las curvas caraeteristicas del transis- torno son lineales. Este detalle complica enormemente el andlisis matemitico de un cir- cuito con transistores. Para soslayar dicho problema, igual que sc hace con otros cle- ‘mentos no lineales, también para el transistor se utilizan aproximaciones lineales.388 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos De la misma manera que en los diodos las ecuaciones correspondientes a las diferentes aproximaciones dependen de la polarizacién, también en los transistores, dependiendo de las polarizacioncs de las dos uniones PN, cambia cl comportamiento de! transistor, por lo que se distinguen las denominadas zonas de funcionamiento, que proporcionan ecuaciones y condiciones diferentes para las aproximaciones. Como ya sabemos, en un transistor hay dos uniones PN, por lo que existen cuatro posi- bilidades de polarizar ambas uniones: unién BE: LP. LP. | DP. | DP. unién Bi tp, [ DP. | LP. | DP. No obstante, aunque las cuatro polarizaciones son posibles, normalmente no se utilizan Jas cuatro por la siguiente razén: debido a la estructura fisica del transistor, e! comporta- miento de los terminales de emisor y colector es intercambiable, ya que ambos son muy similares. En efecto, cuando hemos presentado el simbolo del transistor bipolar, ya he~ mos indicado que es simétrico en lo que al coleetor y al emisor se refiere, ya qué no se puede distinguir entre ambos terminales si no aparece la flecha indicadora de! tipo de transistor, emisor 2 _colector ? colector ? 3 cemisor ? 4 base T base De hecho, ¢s el nivel relativo de polarizacién de las dos uniones del transistor el que de- termina qué terminal es el que cmitira las cargas y cusl el que las recoleetaré, es decir, cui se comportard como emisor y eudl como colector. Pero aunque fisicamente ambos terminales son muy similares, no son idénticos, ya que el fabricante del transistor ha diseflado uno de ellos especificamente para que trabaje co- mo emisor (y por eso le ha asignado la letra £) y el otto como colector (por lo que le ha asignado Ia letra C). Por ello, se distinguen dos modos de funcionamiento: funciona- miento directo 0 normal, en cl que el terminal con la letra £ funciona como emisor, y funcionamiento inverso, en el que el terminal con la letra Cse comporta como emisor y el que tiene asignada la letra Ze comporta como colector. Como ya hemos indicado, es la polarizacién relativa de ambas uniones la que determina el modo de funcionamiento: el funcionamiento directo se produce cuando el nivel de po- larizacion de la unién BE es mayor que el de la unidn BC, es decir, en un transistor NPN cuando se cumple que Vgz > Vgc; por cl contrario, cl modo de funcionamiento inverso: se produce cuando el nivel de polatizacién de la unién BE es menor que el de la unién BC, es decir, en un transistor NPN cuando se cumple que Vag < Vac. En los circuitos comunes, los transistores se polarizan en el modo de funcionamiento directo; por eso se Ie denomina modo de funcionamiento normal. Por el contrario, el modo de funciona miento inverso tinicamente se utiliza a nivel de investigacién. Por lo tanto, el funcionamiento normal de un transistor NPN sélo se consigue con tres de {a cuatro polarizaciones posibles presentadas ms arriba, ya que cuando la unién BE esté LP. y la unién BC esté DP., entonces no se cumple la condicién zx > Vac. Por €30, sélo hay que analizar tres zonas de funcionamiento,7. Transistores 389 Zonas de funcionamiento de los transistores bipolares Corte: Esta zona de funcionamiento se produce cuando ambas uniones, tanto la unién base-emisor (BE) como la base-colector (BC), estin polarizadas inversamente. En con- secuencia, para verificar que el transistor est en esta zona de funcionamiento basta con comprobar que Vag 0,7 V y que Vacs 0,7 V (normalmente sélo se suele verificar la primera condicién). Como hemos visto, a través de una unién PN inversamente polari- zada no cireula corriente; por ello, en esta zona de funcionamiento las corrientes por to- dos los terminales serén cero: Ic = 0 (ecuacién @), 1 =0 (ecuacién @) ¢ Jp = 0. Istas son precisamente las ecuaciones que nos faltaban para poder determinar el punto de ope~ racion del transistor en un circuito dado (en lugar de les funciones no lineales fy 2). couaciones: [o=0(@), n= 0 (@); condicién: Vgp-<0,7 V Regién Activa Normal (R.A.N.): Esta zona de funcionamiento se produce cuando la unién emisor-base (BZ) esta D.P. y la unién base-colector (BO) esté [.P.; en este caso, ‘aunque sélo una de las uniones est directamente polarizada, debido a la estructura parti- cular del transistor, las eargas se moverdn a través de las dos uniones PN —es decir, ha- bré corriente en ambas uniones—, pero siendo la corriente de base mucho menor que la de colector. (Para més aclaraciones, ver el apéndice 3.) Como la unién BE esta directamente polarizada, sc cumple que Vze=0,7 V (ecuacién ©). Para conseguir Ia otra ecuacién que falta, se deben analizar las curvas caracteristicas de salida del transistor. Haciéndolo, se concluye experimentalmente que existe una rela- cidin fija cntic las cortientes fc © Ip: folly — fi (couacién ©). El cocficiente f es un pa- rémetro del transistor; varia segin el tipo de transistor y se le denomina ganancia de corriente. Su valor suele estar en el intervalo 50 ¥ 200, pero en la mayoria de nuestros ejercicios, para simplificar los eélculos, normalmente tomaremos f= 100. Para verificar que el transistor esté en esta zona de funcionamiento nos debemos asegu- rar de que la unién BC esti inversamente polarizada, para lo que basta comprobar que Veg = 0,2 V; es decir, se debe cumplir que Vac = 0,5 V, ya que, como a través de la unién BC circula corriente, a pesar de estar LP., si se incrementa un poco la tensién, la corriente se inerementa muchisimo, por eso entra cn polarizacién directa eon 0,5 voltios, y no con 0,7 V, como seria de esperar en una unién aislada. ecuscianes; “ =P (@), Vsr=0,7 V (@); condicién: Vop20,2V 2 Utilizando esas ecuaciones se pueden deducir otras relaciones. Por ejemplo, como la re- Incién entre las eorrientes de colector y hase en la RAN es constante (precisamente f), también serd constante la relacién entre las corrientes de emisor y colector; efecti mente, se trata del parémetro a del transistor y su valor suele estar entre 0,95 V 0,97. ‘Veamos pues cémo obtener dicho pardmetro a. Reeordemos para ello que la LKC se cumple siempre en los transistores, es decir, la ecuacién @ inicial: If = Iy + Ic. Sus~ tituyendo cn ella la relacién entre Joe Jy: +B B Ltig= Fig > uF B B Ip B+ Teniendo en cuenta los valores habituales de estos dos pardmetros del transistor, resulta evidente que los valores de las corrientes Zc ¢ J 90n muy similares; la eortiente de base, por el contrario, es mucho més pequefia Ip=Ipt Ic390 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Saturaci6n: Cuando las dos uniones estan D.P., se dice que el transistor est en satura- cién, En consecuencia, habri corriente a través de ambas uniones; pero en este caso Ip seré mucho mayor, por lo que no se cumpliré la relacién constante anterior entre Ic ¢ Ip. Teniendo eso en cuenta, es facil deducir cual debe ser la condicién a cumplir para que el transistor esté en saturacién: Fo/Ty = 8, precisamente, Las ecuaciones, por su parte, son consecuencia del hecho de que ambas uniones estén D.P.: Vp =0,7 V (ccuacién @) y Ver =0,2 V (ecuacién @), precisamente, ya que se supone que cuando Vgc = 0,5 V (y no 0,7 V), la unién BC estaré D,P. ccuaciones: Vop=0,2 V ( Van-0,7 V (@); —condicién: & =p la Esas tras zonas de funcionamiento también se pueden ver en la curva caracteristica de salida del transistor: Ecuaciones de comportamiento de los transistores bipolares: aproxi- maciones A modo de resumen, he aqui las ecuaciones y condiciones que se cumplen en las tres 70- nas de funeionamiento: Zona de funcionamiento | _ Corte RAN. | Saturacion Eeuaciones: 13-0 Vor=0,7V | Yop =0,7¥ 1e=0 d © Te Veg =0,2V (p=0) 5 Condiciones: Pygs0.7V | Vop20,2V Jegg Ip Recordemos de nuevo que dichas ecuaciones no son més que aproximaciones lineales de las funciones no lineales fy g. También queremos recalcar que las igualdades en las condiciones se cumplen en las fronteras entre zonas de funcionamiento adyacentes, asi camo las ecuaciones de ambos lados de 1a frontera.7. Transistores 391 Es decir, en la frontera entre corte y Ia RAN., se tiene que Vgp = 0,7 V, Jp =O € I= 0. Por otra parte, en la frontera entre la R.A.N. y saturacién, se tiene que Ver =0,2 V, Joly = By Vas=0,7 V. Gréficamente, las aproximaciones realizadas se reflejan en la curva caracteristica de sa- lida det transistor como sc indica en la figura siguiente (Ia curva caracteristica de entrada @s la correspondiente a la segunda aproximacién del diodo): I, Modelos circuitales de los transistores bipolares A las ecuaciones de las zonas de funcionamiento anteriores les corresponden modelos circuitales lineales, igual que a los diodos. He aqui dichos modelos: Modelo circuital Ecuaciones Condicién ec $ B Corte: ¢0 Saturacion:392 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Aunque en este tema utilizaremos es0s modelos, de cara al tema siguiente es interesante indiear que también se emplean modelos ideales del transistor, especialmente cuando se trata de analizar el comportamiento logico de los circuitos digitales. En las puertas logi- «as, los transistores fincionan bien en corte, bien en saturacién, pero nunca en la R.A.N. (salvo en estados transitorios, que no analizaremos). Asi, el modelo ideal correspon- diente a la regién de corte es el circuito abierto anterior, mientras que el correspondiente ala regidn de saturacién es el de la figura siguiente, en el que los generadores de tensién lun sido sustituids por cortucircuilos, ya que sus Valores Sou muy peyueos: Ecuaciones modelo ideal Saturaci6 Anilisis de un circuito con transistores El estado de un transistor bipolar viene dado por el punto de operacién, es decir, el con- junto de tensiones y corrientes del transistor, que serén dependientes del circuito de po- larizacién, Supongamos que tenemos que analizar el circuito con transistor de la figura siguiente (queremos suponer que en este momento ya no es necesario indicar que dicho ciscuito es idéntico al de la pégina 383). Vin Si queremos calcular cl punto de operacién del transistor, deberemos seguir los pasos iguicntes: 1, Escribir las ecuaciones correspondientes al circuito: asi, en este caso par- ticular, obiendremos dos ecuaciones, aplicando la LKT en las mallas de entrada y salida. Pero como en dichas ecuaciones aparecen cuatro incég- nitas, necesitaremos otras dos ecuaciones. 2, Escribir las ecuaciones de comportamiento del transistor: asf, obtendre~ ‘mos otras dos ecuaciones. Por lo tanto, cl sistema de ccuaciones asi obte~ nido tiene solucién, ya que consta de cuatro ecuaciones con cuatro in- eégnitas, Como el transistor es un elemento no lineal, también las ecua- ciones son no lineales. En consecuencia, tenemos que resolver un siste- ‘ma de cenaciones no lincales, para lo que podemos utilizar dos métodos: 8, Utilizando las aproximaciones lineales del transistor (vistas en el apartado anterior), b. Graficamente.7. Transistores 393 En la resolucién mediante las aproximaciones, se debe sustitur el transistor por el mo- delo correspondiente y analizar el eircuito resultante. Las aproximaciones son las vistas, cn el apartado anterior y dependen de la zona de funcionamicnto en la que sc encucntre cl transistor. Como es précticamente imposible saber a priori en qué zona de funciona~ miento ya a estar un transistor en un eireuito determinado, empezaremos suponiendo ue el transistor se encuentra en una zona dada, es decir, haremos una hipStesis; se susti- tuye entonces el transistor por el modelo correspondiente a dicha hipdtesis y ce analiza el circuito. Para finalizar, se debe verificar que la hipétesis hecha es correcta; si no lo fuera, se deberia probar con otra hipétesis, repitiéndose este proceso hasta dar con la hi- pétesis correcta, Resolucién grifiea: supongamos que deseamos obtener Ia solucién exacta y que cono- ems las curvas caracteristicas de entrada (Ip, Var) y de salida (Zo, Vp) del transistor. Asi, podremos caleular las denominadas rectas de carga de los circuitos de entrada y de salida y gracias a ellas obtener gréficamente el punto de operacién Como ya sabemos, la recta de carga no es més que la ecuacién que relaciona la tension. entre dos puntos determinados de un circuito y la cortiente que circula entre ellos, sca cual sea el elemento conectado entre esos dos puntos. Como se trata de una ecuacién i- neal, al representarla en un plano se obtiene una linea recta; de ahi su nombre. Utilizando las ecuaciones correspondientes al citcuito, podremos obtener ta ecuacién de ln recta de carga enrrespondiente al cirenita de entrada. J; In + | cireuito de Vyq (_Snttada - |e LKT en la malla de entrada: View reeta de carga del eireuito de entrada: Para representar yrdficamente dicha revia de carga de cutrada sobre el plany (0p, Var) bastan dos puntos, que pueden ser los puntos de interseecién con los ejes. He aqui: 7 Iq = 22 30 Re Varo =Van Ahora, utilizando esa recta de carga de entrada y la curva caracteristica de entrada del transistor, (Jp, Var), Se calculan los valores de la corriente de base (Jag) que circula por el transistor en ese circuito concreto y de la tensién entre la base y el emisor (Vazg), en definitiva, el punto de operacién de entrada:394 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Curva caracteristica de |< entrada del transistor Ve punto de operacién de R entrada y og entrada Recta de carga del a circuito de entrada OF M5 a No hace falta decir cudl es 1a condicién para que el transistor no esté en corte, es decir, para que Ing no sea cero o para que la unién BE esté D.P.: Vax = 0.7 V, ya que si no no habrd puntos de corte entre la recta de carga y la curva caracteristica de entrada del tran- sistor. De igual manera, utilizando las ecuaciones cireuitales, se obtiene la ecuacién de la recta de carga correspondiente al circuito de salida: Yoo LKT en la malla de salida: Veo = Rele + Ver recta de carga del cireuito de salida: Tgual que antes, para representar esa recta de carga de salida sobre el plano (Ic, Ves) bastan dos puntos, que pueden ser los puntos de interseccién con los ejes. He aqui: Veo cuando Ver=0, Teg == Ro cuando Zo= 0, Vows =Vec Si ahora representamos gréficamente esa recta de carga de salida en el mismo plano (Jc, Vcq) que las curvas caracteristicas de salida del transistor, obtendremos varios puntos de interseccién, uno para cada valor representado de la corriente de base. Por lo tanto, ze6- ‘mo saber euall de ellos es el punto de operacién’? La respuesta es inmediata: seré el punto de interseecién entre Ia recta de carga de salida y Ia curva correspondiente al valor de Ia corriente de base calculada en el cireuito de entrada (Ig). Ese sera el punto de opera- cién de salida:7. Transistores 395 punto de opera- ‘cin de salida lea = Ing Recta de carga del cireuito de satida De esta manera, hemos calculado el par de valores fog ¥ Vegg que nos faltaban para completar el punto de operacidn del transistor. A veces ocurre que queremos obtener la solucién exacta de un circuito pero no dispone- mos de la curva caracteristica de entrada del transistor. Si observamos la primera solu- cién obtenida gréficamente, resulta evidente que el valor de la tensién srg rondara los 0,7 V (puede que sea 0.8 V, 0 0,75 V...), debido a que la curva de entrada del transistor ¢s bastante vertical a partir de los 0,7 voltios. Debido a ello, el valor de la corriente de base depende mucho mas de ta recta de carga de entrada del circuito que de la curva caracteristica del propio transistor. Por esa razén, aunque Ia solucién correspondiente al circuito de entrada no sea lo més exacta posible, cl error cometido a la entrada tiene muy poca influeneia sobre la solucién de la salida, Por lo tanto, en esos casos, se lleva a cabo una resolucién que es mezela de las dos vis- tas: la solucién del circuito de entrada se obticne mediante las aproximaciones lincales, suponiendo que es Vag ~ 0,7 V (siempre que cl transistor no esté en corte, por su- puesto); y el valor de Ia eorriente Ig ast obtenido es el que posteriormente se emplearé sobre las curvas de salida para encontrar Ia solucién exacta del cireuito de salida. Modos de conectar los transistores bipolares en los circuitos En los dos circuitos empleados hasta ahora para presentar las ecuaciones de comporta- miento del transistor y sus curvas caracteristicas, el transistor estaba canectado de ta misma manera: ¢l emisor es el punto de referencia y los otros dos terminales forman parte de los circuitos de entrada y salida, De esa manera, para analizar el comportamien- to del transistor, se utilizan las tensiones Vag y Vcr. Pero a pesar de que esa forma de conectar el transistor es la mds habitual, no es la tmnica, ya que es posible tomar cualquier terminal como referencia, para formar la entrada y la salida:396 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Estructura de emisor comin: Estructura de base comin: Estructura de colector comin: ‘Nosotros, en los ejercicios, por simplificar, emplearemos siempre las magnitudes corres- pondientes a la estructura de emisor comin. * Transistores unipolares 0 de efecto de campo En los transistores unipolares, como hemos indicado al ver la clasificacién de fos tran- sistores, la magnitud de control es la tensién y, en consecuencia, el esquema genético queda como sigue: i=farc)7. Transistores 397 También hemos dicho que se les denomina unipolares porque, para generar la cortiente elkcttica, s6lo se mueven los portadores de carga de un tipo: s6lo los electrones en los transistores de canal N, 0 sélo los huecos en los transistores de canal P. Como hemos in- dicado en la clasificacién, también se les da cl nombre de FET (Field Effect Transistor), debido a que la influencia del campo eléctrico sabre su funcionamiento es fundamental. Aunque, al igual que en los transistores bipolares, el fundamento de estos transistores también es la existencia de dos uniones PN, dichas uniones se materiatizan de manera muy diferente, no s6lo en comparacién con los transistores bipolares, sino también com- parando entre los dos tipos de transistores agrupados bajo la denominacién FET. Esos dos tipos de FET son: JFET, transistores de efecto de campo de unién (Junction Field Effect Transistor), y FETMOS, transistores de efecto de campo metal-5xido-semicon- ductor (Metal-Oxide-Semiconductor). Por simplificar, a estos titimos se les da el nom- bre de MOS sin mds. (Ver el apéndice 3.) En los dos subapartados siguientes veremos resumidamente las caracteristicas de ambos tipos de transistores (simbolos, curvas ca~ racteristicas, ccuaciones de comportamicnto y modelos). JFET, transistores de efecto de campo de unién transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P {? drenador f? drenador & € Ree S- fuente sa S fuente Los nombres de los terminales son los siguientes: G puerta (gate), que es el terminal de control; por tanto, es similar a la base de los transistores bipolares. 5 fuente (source), genera o envia los portadores de carga; por tanto, es similar al emisor de los transistores bipolares. 1D drenador (drain), recoge los portadores de carga enviados por la fuente: por tanto, es similar al colector de los transistores bipolares. Igual que en los transistores bipolares, cl sentido de la flecha presente en el simbolo indica qué tipo de transistor es, pero en este caso Ia flecha se coloca sobre Ia puerta: si Ia fecha esti dirigida de la puerta hacia adentro, es un transistor de canal N; si la flecha es- (4 dirigida de la puerta hacia afuera, ¢s un transistor de canal P. También igual que en los transistores bipolares, el simbolo es simétrico; es decir, no es posible distinguir entre la fuente y el drenador, si no se escriben las letras correspon- dicntes a los terminales. Pero al eontrario que cn los transistores bipolaes, en los que la flecha que indica el tipo de transistor csté siempre sobre el emisor, aqui la flecha no ayu- da en absoluto para distinguir entre los terminales S y D, ya que esté siempre sobre la puerta, Por esa razén, a veces, Se utilizan los simbolos siguientes, en los que la puerta se dibuja mas cercana a la fuente. Estos simbolos se emplean sobre todo en esquemas muy pequeiios, en los que poner las letras de los terminales puede ser dificil. transistor JFET de canal N transistor JFET de canal P eT398 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Para analizat ¢l comportamicnto estacionatio de estos transistores tinicamente se nece~ sitan tres magnitudes: Zp, Vps y Ves (tensién de control). La razén estriba en el modo de funcionamiento: para conseguir el funcionamiento ade- cuado de estos transistores, las dos uniones PN se deben polarizar inversamente; es de- cir, debe ser Vgs <0 en los transistores de canal N y Vos> 0 en los de canal P, De esa manera, los portadores de carga enviados por la fuente (electrones en el transistor de ca~ nal N y huecos en el de canal P), por efecto de la tensidn Yps, se moverdn directamente hacia el drenador, generando la corriente Jp, y éa seré la Unica corriente que atraviese el canal, debido a que las dos uniones PN estin LP. Por esa razén, la corriente de puerta es sicmpre nula: /g~0. (En caso de polarizar diree- tamente las uniones PN, se obtendria otro modo de funcionamiento en el que, al igual que en los transistores bipolares, se moverian los dos tipos de portadores de carga, pero 0 no seria un transistor JFET.) Teniendo en cuenta todo Io dicho, aplicando Ia ley de Kirchhoff de las corrientes al transistor, se deduce que: Zs = Zp. Es precisamente por eso por lo que una s6la corriente basta para reflejar el comportamiento del transistor JFET. Por otto lado, sélo se necesitan dos tensiones, ya que la tercera (es decir, Vp) sla resta de las otras dos, ya que en este caso también se cumple la ley de las tensiones de Kirch- hoff entre los tres terminales, igual que hemos visto para los transistores bipolares, canal N eae eo Vos bs 4 AL igual que con los transistores bipolares, las diferencias entre los transistores JFET de canal N y de canal P son tinicamente los sentidos opuestos de las corrientes y los signos ‘opuestos de las tensiones, por lo que a partir de ahora s6lo analizaremos el de canal N, Resumicudy, el punto de operaciou de ests tausistores ser: O(Vesg, Ang, Vso). Esas tres magnitudes, como podiamos esperar, estan relacionadas; para ser mAs exactos, digamos que la cortiente Jp depende de las dos tensiones: Jp = fas, Vps)- Para buscar dicha funcién matemitica sc utiliza cl eircuito de la figura siguiente; se ana- liza experimentalmente e1 comportamiento del transistor de canal N y se obtienen dos curvas, Por una parte, se analiza la influencia de la tensién de control sobre la corriente Jp, manteniendo constante la tensién Vps en un valor tal que el transistor esté en satura- cidn; a dicha curva se le denomina curva de transferencia, ya que refleja la influencia de tuna magnitud de entrada sobre una magnitud de salida. Después, se analiza la influencia de la otra tensién sobre la corriente fp, para varios valores de la tensién de control; esta Ultima curva es la curva caracteristica del transistor JFET de canal N.7. Transistores 399 Curva de transferencia: Ip = { Vgs), con Vps constante de manera que el transitor esté en saturacién (es decir, se debe cumplir que Vps> Frsues Como veremos més adelante) 1, Toss Vo cadena Yes EI fabricante suele proporcionar los valores de los dos parimetros indicados en la curva: Ings €s la corriente de saturacién, es decir, la mayor corriente que puede circular por el canal sicndo F%5~ 0, 0, lo que cs lo mismo, cuando las dos uniones estén casi dirceta- mente polarizadas. Vsoys por su parte, es la tensién de estrangulamiento; con ese valor de la tensién, el canal desaparece y, en conseeuencia, no hay camino por el que pueda circular la corrientes se dice entonces que la puerta ha estrangulado el canal (tener en cuenta que es siempre Vgsy<0). ‘Teniendo en cuenta que esa curva de transferencia es una parébola, es muy ficil com- probar matemiéticamente que la ecuacién que fa representa es la siguiente, en donde Veg y Vesoy son negativas. Por medio de esa ecuacién, se calcula el valor de la corriente de saturacién Jp,,, corres- pondiente a un valor determinado de la tensién Msg, y ese valor es muy itil para deter- minar las zonas de funcionamiento del transistor JFET, como veremos a continuacién, Curva earacteristica: p= flVns, Vos). Las curvas ideales tienen el aspecto siguiente: GSO Vos = Vasey (<0) Vos400 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Como resulta evidente, estas curvas son muy parecidas a las de los transistores bipola- res. En consecuencia, para los transistores IFET también hay tres zonas de funciona- miento, precisamente las que hemos indicado en la figura anterior: Corte, cuando el canal esté estrangulado, es decir, cuando Vesp + Vesey (<0), ya que entonees se tiene que Jp9= 0. Zona Shmiea, mientras se tiene que Vesyrs Vaso < 0 y Vso < Vnssas €l canal se com- porta como una resistencia, Saturacién, cuando Vessq = Voso $ 0Y Voso ® Vasu la comtiente se manticne constan- tea pesar de aumentar el valor de pg, ya que cl canal es demasiado estrecho en las cer- canfas del drenador como para permitir el paso de una corriente mayor. (Hay que recalcar las diferencias existentes en relacién a los nombres de las zonas de funcionamiento de los transistores bipolares. En efecto, lo que en los transistores bipola- res era 1a saturacién, en el transistor JFET es la zona éhmica, y lo que en los bipotares era la regién activa normal, en el JFET es la saturacién; por lo tanto, deberemos prestar atencién y no confundir los nombres!) El otro pardmetro que aparece en las curvas, Vnss, se ealeula experimentalmente y es el valor de la tensién necesaria para estrangular el canal en las cercanias del drenador: Vass =|Vesoq| > 0. Por otra parte, el pardmetro que aparece en la condicién que distingue en- tre Ia zona Shmica y Ia saturacién, Vpsuy S¢ calcula linealmente, teniendo en cuenta los valores Apss y Vpss. En etecto, como hemos mdicado antes, teniendo en cuenta la ecua- cién de la curva de transferencia, se calcula la cottiente Zp, otrespondiente a una ten- sign dada Voso. Conocido ese valor, se obtiene Vns.o, mediante una regla de tres: 2 | a Feso Vosay En definitiva, en un transistor JFET, la frontera entre la zona éhmica y la saturacién —Vpsyar—10 es constante, sino que depende de la tensién que se impone en la puerta, ‘A modo de resumen, he aqui las ecuaciones y condiciones que se eumplen en esas tres zonas de funcionamiento: Zona de funcionamiento | Corte | Zona dhmica | Saturacién Ecuaciones: Ip=0 Ip e Ip = Kl pgs ‘os | donde: donde: Rpg = LBS. =[1- Yee Joss Fosotr Condiciones: Yoso =Vasy | Vasu *¥asq=9 | Vasu = Yas = (<0) y y Ysa $ Vnsat Vso = Vnscae7. Transistores 401 He aqui los modelos circuitales correspondientes a esas ecuaciones: Modelo circuital © Ecuaciones Condiciones 9D Corte: So ‘| icteeatia abierto s D ye tote ohmica: “| Rog Ss D G T, Saturacién me Ss Transistores MOS Como se indica en el apéndice 3, entre los transistores MOS, segun su estruetura fisica, se distinguen dos tipos diferentes: el transistor MOS de enriquecimiento (el més corriente) y el transistor MOS de empobrecimiento, Dentro de cada uno de esos tipos, igual que antes, se distinguen dos subtipos, segiin el canal: transistor MOS de canal N, NMOS para simplificar, y transistor MOS de canal P, PMOS. ‘NMOS de enriquecimiento PMOS de enriqueeimiento to to drenador drenadot ‘Simbolos: |~a-e B 24 [ee B G sustrato G sustrato puerta puerta 9s #5 fuente fuente402 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos NMOS de empobrecimiento __ PMOS de empobrecimiento bp to drenador drenador Simbolos: 4 | +4 | pi G sustrato G sustrato posta pustia +8. % fuente fuente Como resulta evidente, los simbolos son muy similares; en efecto, 1a tinica diferencia entre los simbolos de los transistores de enriquecimiento y de los de empobrecimiento (aparte del sentido de la flecha, ya que eso s6lo indica el tipo de canal, PMOS 0 NMOS, ¥ cs igual tanto para los transistores de enriquecimicnto como para los de empobr imiento) es la siguiente: mientras que en el simbolo de los transistores de enriquecimien- to el canal se representa por tres lineas separadas, en los de empobrecimiento aparece una Gnica linea més larga. La razén reside en la estructura fisica de los transistores: en los de empobrecimiento siempre existe un canal que unc los terminales D y S; por el contrario, en los de enriquecimiento, las zonas D y S estén fisicamente separadas, es de- cir, son independientes; no existe canal entre ellas, s6lo estd el sustrato, y el canal ne- cesario para que pueda circular la corriente de un terminal al otto se crea dependiendo de la polarizacién externa impuesta en la puerta (ver apéndice 3). En lo que respecta a los nombres de los terminales, son idénticos a los del transistor JFET: G, Sy D; pero B (el sustrato, bulk) es nuevo: no es un terminal que tome parte en el funcionamiento del transistor, sino la base fisica sobre Ia que se ha construido el tran- sistor MOS, Debido a ello, normalmente se conecta con alguno de los otros terminales (n particular, con el terminal tomado como referencia, normalmente 5). Cuando se debe dibujar el esquema circuital en un espacio muy reducido, los simbolos anteriores resultan excesivamente complicados; por ello, se emplean los simbolos sim- plificados siguientes: transistores de enriquecimiento transistores de empobrecimiento NMOS PMOS, wet my $ a0 A AL Para analizar el comportamiento estético de estos cut igual que con at transis tores JFET, s6lo se necesitan tres magnitudes: Ip, Vis y Vos (la tensién de control). La razin ¢s la misma que la indicada para los transistores JFET. La iinica diferencia es ésta: se cumple siempre que 1g ~=0, ya que la puerta est siempre cléctricamente aislada del semiconductor, debido a la capa de éxido de la estructura MOS. (Por eso también se les da el nombre IGFET: Isolated Gate FET.) En este caso, por tanto, no hay que preo- cuparse de la polarizacién de las uniones, ya que no puede ocurrir un funcionamiento inadecuado. No obstante, se debe asegurar la polarizacién adecuada para crear el canal entre los terminales S y D (en los transistores de enriquecimiento) 0 para estrechar el canal existente (en los fransistores de empobrecimiento). Debido a eso, el terminal G se debe conectar con Ia tensién adecuada para cada caso:7. Transistores 403 NMOS de enriquecimiento PMOS de te Gp NMOS de empobrecimiento PMOS de empobrecimiento ty 4, S » =bs & =O. 4 , SIE os ie ie 6M -— fs - ald ° Tgual que antes, como la ‘nica diferencia entre los transistores de canal N y de canal P 8 el sentido contrario de la corriente y de la tensién, a partir de ahora s6lo analizaremos alde canal N. FI punto de operncidn de estos transistares ser: O(Ves. In, Vos). Tgnal que para los tran- sistores JFET, la funeidn Ip ~ f(¥¢s. Vps) se obtiene experimentalmente, utilizando un cireuito similar, y aqui también se obtienen las dos curvas del JFEET. Curva de transferencia: /p = f(s), Vos constante (transistor en saturacién). NMOS de enriquecimicnto NMOS de empobrecimicnto Ab 1, igsach Joss 8 Vv. Vy, V, Vise to) = Como resulta evidente, la curva del transistor de empobrecimiento es igual gue la del transistor JFET, pero en el transistor MOS es posible imponer tensiones Vgs positivas, ya que eso no impide el correcto funcionamiento del transistor, lo que si ocurria en los IFET. La eurva del transistor de enriquecimiento, por el contrario, esta desplazada en comparacién con las anteriores, ya que en ese caso primero se debe crear el canal, supe- rando fa tensién V7, para que a partir de ahi circule corriente. El fabricamte, igual que con los transistores JFET, suele proporcionar los valores de los parimetros indicados en las curvas: Zpss, la corriente de saturacién; Vagy, la tensién de estrangulamiento (<0); Vp, la tensién de umbral; Ly, ¥ Voson- Ademés de esos parimetros, el fabrieante suele proporcionar también el valor de la resistencia del canal, Ros, para los transistores de en- riquecimiento.404 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Curva earacteristica: [, =fVps, Vs). Las curvas ideales tienen el aspecto siguiente: NMOS de empobreeimiento Rees No hace falta decir, ya que queda reflejado en las propias figuras, que se distinguen las mismas tres zonas de funcionamiento de los transistores JFET: corte, zona éhmica y saturacién, Las ecuaciones de comportamiento y los modelos circuitales correspondientes a los tran- sistores MOS de empobrecimiento son idénticos a los del JFET, ya que en las curvas aparecen los mismos parimetros. La tnica diferencia es que la tensién Vgs puede ser po- sitiva, Debido a ello, 1a nica cosa que cambia en comparacién con los modelos del tran- sistor JFET es la condicidn para estar en la zona éhmica o en saturacién (es decir, para no estar en corte): en donde, para cl transistor JFET, pone Vasy'< Vaso < 0, para cl tran- sistor de empobrecimiento debe poner Vesqy = Vasq sin més. Pero Ia otra condicién, precisamente la que sirve para distinguir entre la zona dhmica y la saturacién, se mantiene igual, es decir, Vpsg < Voss: © Vos = Vpssa- Por ¢80, como las ecuaciones y los modelos son idénticos, no los repetiremos aqui (ver las paginas 400 y 401) Sin embargo, aunque las ecuaciones del transistor MOS de enriquecimiento son muy si- milares, hay algunas diferencias, como vamos a ver a continuacién7. Transistores 405 La primera diferencia es la ecuacién correspondiente a la curva de transferencia, ya que, en comparacién con las otras, esta desplazada hacia la derecha sobre ¢l eje horizontal. He aqui, por tanto, la ecuacién que hay que emplear para calcular la cortiente Jp cuando i transistor esté en saturacién: 2 Ip ‘no'{ Ves-Vo Vem — Vr Igual que antes, por medio de esa ecuacién se calcula la corriente de saturacién, Zpsar, correspondiente a un valor dado de la tensién de control Meso. Por otra parte, la frontera entre saturacién y la zona Shmica se indica mediante la tensién Voss; para calcula este valor, ademés de la cortiente Ipyq, Se debe utilizar el valor de la resistencia R,s proporcionado por el fabricante, de esta manera: Vos = Ros Tosa ‘A modo de resumen, he aqui las ecuaciones y condiciones que se cumplen en las tres zonas de funeionamiento, para cl transistor MOS de enriquecimiento: Zona de funcionamiento| Corte | Zona éhmica Saturacion Ecuaciones: Ip Ip = "BS. 1p = Kien Ros a xa(Yos-Vr | Vesa — Vr. Condiciones: Vasg = Vr Vosg= Vr Vas = Vr y ¥ Vso = Vos Vos9 = Voge Los modelos circuitales correspondientes al transistor MOS de enriquecimiento son los mismos que los vistos para cl JFET, sin mas que cambiar las ecuaciones, Para acabar, debemos introducir los modelos ideales de los transistores MOS de enti- quecimiento, ya que son esos modelos los que se utilizan para analizar el comporta- iento de los circuitos digitales, es decir, aquellos circuitos que procesan sefiales digita- les. En el caso de los transistores bipolares, ya hemos indicado que en los circuitos digitales funcionan en corte o en saturacién, segtin los dos valores de las sefiales digitales (ver ca- pitulo 8); por otra parte, sus modelos ideales son el cireuito abierto y el cortocircuito, respectivamente, Enel caso de los transistores MOS ocurre algo parecido, pero éstos trabajan en corte an Ia zona Shmica para los dos valores de las setiales digitales. El modelo ideal del corte eel circuito abierto, igual que antes; el modelo de la zona Shmica deberia ser una resis- tencia, pero si se supone que se trata de una resistencia de pequeiio valor, entonecs se puede utilizar el cortocircuito como modelo ideal de la zona Shmica:406 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos D modelo ideal Zona éhmic: Vg =0V Ss A pesar de que el error cometido al utilizar el cortocireuito como modelo del transistor MOS puede ser bastante grande (ya que la resistencia Rns puede ser de unos cuantos kQ), en lo referente al comportamiento digital dicho error no tiene excesiva importancia, ya que lo que se busca no es tanto obtener valores exactos de las tensiones y corrientes, como saber en qué zona de funcionamiento se encuentra el transistor, lo cual se puede conseguir con valores aproximados; es decir, en un circuito digital, normalmente sélo se necesita saber si el valor de Ia tensidn de salida correspondiente a un valor dado de la tensién de entrada es alto 0 bajo. En los ejercicios veremos ebmo descubrir en qué zona de funcionamiento se encuentra un transistor (bipolar o FET) en un citcuito determinado, segin los valores de la tension de entrada.7. Transistores 407 Ejercicios resueltos 7.1. Transistores bipolares 1, Analiza el circuito de la figura, es decir, calcula el punto de opera~ cién del transistor: Q(Vax, Ls, Ve Jc)-{Cuanto vale la diferencia de potencial entre los puntos Py T? \5kQ Resolucién: Resulta evidente que el circuito de la figura es idéntico al que hemos utilizado para ex- plicar la teoria, es decir, el circuito mas simple que podemos encontrar con un transistor, ya que sélo ticne dos mallas, quees el menor ngimero de mallas nevesatio pata alimentar al transistor. Por ello, para analizar dicho circuito las tinicas magnitudes desconocidas que aparecen son las propias del transistor. He aqui: 20V Es decir, tenemos que calcular cuatro magnitudes: Vc, Is, Vex € Ic (conviene recordar Io indicada en In teoria acerea de las magnitudes Vpc e /,). Par tanto, necesitamos cuatra ceuaciones: dos serén las ecnaciones de comportamiento del transistor, dependientes de la zona de funcionamicnto, y las otras dos las deduciremos del cireuito, siendo éstas in- dependientes de la zona de funcionamiento del transistor si las escribimos en funcién de Jas cuatro magnitudes genéricas, es decir, sin sustituir el transistor por ningin modelo particular. Asi pues, empezaremos escribiendo las ecuaciones correspondientes al circuito; para ello, en este easo, basta con aplicar Ia LKT en las mallas de entrada y de salida. He aqui (n caso de duda, repasar en la pigina 385 cémo se obtienen dichas ecuaciones): TKT en la malla de entrada: © 10=1/, +V/pp (tesistencia en MQ -> Ip en oA) LKT en la malla de salida: § @ 20= Sf, +Vce (resistencia en kQ —> J,en mA)408 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Ahora, para obtener las otras dos ecuaciones, debemos hacer una hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor. A igual que en tos circuitos con diodos, aqui también, para hacer la hipétesis se puede examinar el circuito previamente, por si nos da alguna pista acerca de I zona de funcio- namiento mas probable, con el fin de facilitar nuestro trabajo; aunque también podemos empezar realizando una hipétesis cualquiera, sin mas predmbulos. Parece evidente que para atacar el primer camino, conviene tener cierta experiencia, es decir, conviene haber analizado previamente algunos circuitos con transistores, de manera que eon slo mirar el cireuito seamos capaces de descubrir pistas acerca de la zona de funcionamiento del transistor, Por eso, en este momento supondremos que no somos capaces de encontrar dichas pistas, por lo que empezaremos desde el desconocimiento mas absoluto. Como tenemos tres opciones para hacer la hipétesis acerca de la zona de funcionamien del transistor (corte, regiGn activa normal y saturacién), .por donde empezamos? Pues, cuando no tengamos ninguna pista, no importa por donde empezar, por lo que procura~ remos hacerlo de manera sistem tica: primeramente, supondremos que el transistor esté en corte; si después de hacer los edlculos pertinentes no se cumple la condicién, enton- ces supondremos que esta en la regidn activa normal; si de nuevo no se cumple la condi- cién, supondremos que el transistor esté en saturacién. Visto que no se han cumplido las dos condiciones anteriores, parece légico pensar que la dltima si se eumplird; y de hecho asi serf si en el camino no hemos cometido ningimn error. Precisamente por esa posibili- dad, conviene verificar también la condicién correspondiente a la tercera hipotesis: si no se cumple, seré prueba evidente de que en algun momento hemos cometido un error, ya que esta claro que el transistor debe estar en alguna de las tres zonas de funcionamiento. I" hipétesis. Transistor en corte: Eouaciones: @ Jp=0 @ Ip =0 Condicién: Vgp < 0,7 V Asi pues, éste es el sistema de ecuaciones que tenemos que resolver © 10-15 +V xe © 20=5lo+Vex e Iy=0 OMA, Vag =10V, Vop=20V Ahora debemos verificar Ia hipétesis. Es evidente que como: Vg = 10 V > 0,7 V, no se cumple Ia condicién para que el transistor esté en corte. En consecuencia deberemas hacer Ia segunda hipétesis. No obstante, antes de continuar, quetemos recalear las "pistas" que hemos comentado mis arriba, Para ello, supondremos que el valor de la tensién impuesta en la mala de en- trada es desconocida, vi, y queremos calcular cual es el valor maximo de dicha tensién para que el transistor esté en corte: LKT em la malla de entrada: v, obligindole a cumplir la condicién del corte: Vge= v,<0,7 V Up +Vggs encorte Ig=0 > Var=v,7. Transistores 409 Es decir, si la tensién de entrada es inferior a 0,7 V, el transistor estard en corte; en caso contrario, cuando la tensidn de entrada es superior a 0,7 V, el transistor no estard en cor- fe, pero no se puede decir si estard en la R.A.N. o en saturacién. 2* hipétesis. Transistor cn regién activa normal (R.A.N.): = Aly Feunciones: @ V=07V @ Condicién: Vee 0,2. Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver cs cl siguiente: ° 10=1lg+Vgg (pen) e 20=SIe+Ver (UeenmA) e Vag = 0,7 o Te= 1001, (ATENCIONE: si Ig en «A — Je también en oA) Solucién: /y: 3 A, Ie ,93mA, Kag=0,7 V, Voe= 15,35 V Verificacién de la hipétesis: Voz = 15,35 V> 0,2 V; la 2 hipétesis es correcta. En consecuencia, la solucién correspondiente a la segunda hipdtesis es correcta y pode mos decir que el transistor esté en la R.A.N. y que su punto de operacién es: A continuacién podemos calcular la diferencia de potencial entre los puntos Py 7. En la figura se ve claramente que los puntos Py T son los terminales de Ia resistencia de co- lector de $ kQ. Por tanto, aplicando la ley de Ohm calcularemos Vpr: Vir= le + He aqui la solucién del circuito grificamente: 0,93 mA ,5k@ Para finalizar, haremos el balance de potencias, con el fin de verificar que la solucién es correcta, Para cllo, consideraremos los elementos uno a uno y malla a malla:410 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Fn la malla de entrada: generador de tensién de 10 V, Pipy =10 V-9,3 «A =93 oW (cedida) resistencia de 1 MQ, Piyq =9,3 V-9,3 «A = 86,49 ccW (absorbida) unién BE del transistor, Prg =0,7 V-9,3 2A = 6,51 cW (absorbida) Balance de potencias (malla de entrada): 2P, = 93 «W = EP, = 86,49 «W +6,51 oW En la malla de salid: gencrador de tensién de 20 V, Poy = 20 V-0,93 mA = 18,6 mW (cedida) resistencia de 5 kQ, Pag = 4,65 V-0,93 mA = 4,32 mW (absorbida) transistor entre CE, Prog = 15,35 V-0,93 mA = 14,28 mW (absorbida) Balance de potencias (alla de salida): BP, =18,6 mW =2P, =4,32 mW +14,28 mW Queremos resaltar un par de cosas sobre esos balances de potencias, Para empezar, al hacer el balance de potencias del circuito, se puede hacer un tinico balance, teniendo en cuenta todos los elementos, 0, por el contratio, se puede hacer como acabamos de hacer: dos balances, uno para Ia entrada y otro para la salida, ya que el resultado final es el mismo. En segundo lugar, resulta evidente que la potencia cedida por el generador de la malla de entrada es despreciable comparada con la cedida por el generador de la malla de salida, en conereto: jes doscientas veces més pequefia! Por esa razén, aunque el tran- sistor absorbe potencia tanto en la entrada como en la salida, normalmente se desprecia Ia potencia absorbida por la unién de entrada, por ser pequefia, En consecuencia, cuando s6lo se quiere calcular la potencia absorbida por el transistor, se hace Pr ~ Ie Vee: 2. Analiza el circuito de la figura en régimen permanente: +12V7. Transistores a En primer lugar, tenemos que destacar lo siguiente: el eircuito de la figura es muy habi- tual en amplificadores basados en transistores, en los que, para conseguir Ia amplifica- cién deseada, se conectan varias “etapas" unas detris de otras; asi pues, las de la figura anterior son dos “etapas" de un circuito amplificador, En la figura resulta evidente que ambas etapas estin conectadas mediante un condensador; por otra parte, también la se- fial de entrada que se desea amplificar (sefial variable en el tiempo, vj) se introduce a la base del transistor de la ctapa de la izquicrda mediante otro condensador, asi como la sefial de salida amplificada (v,) obtenida en el colector del transistor de la ctapa de la de~ recha, se conectaria mediante otto condensador a una hipétetica etapa siguiente. En re~ ssumen, la ctapa de la izquierda es la entrada; mientras que la de la derecha cs la salida. Este tipo de cireuitos se utilizan para amplificar pequefias seiiales variables en el tiempo, Pero esa capacidad de amplificacién de los transistores no es la que sirve de base a los circuitos digitales utilizados en la construccién de ordenadores, en los que los transisto- res estarén en corte o en saturacién. Por eso, en este libro sélo analizamos los circuitos en régimen permanente, porque no nos interesa tanto saber cudl es el factor de amplifi- cacién de un circuito, como saber cual es el punto de operacién del transistor en régimen permanente, es decir, saber cual cs la zona de funcionamicnto del transistor. En cual quier caso, esa informacién también es muy importante en circuitos amplificadores, ya que la capacidad de amplificacién de un circuito depende del punto de operacién. Resu- miendo, sélo analizaremos los circuitos con transistores en régimen permanente, sin sefiales de entrada variables. Sabemos que un condensador en régimen permanente en eircuitos de corriente continua se comporta como un cireuito abierto, Debido a ello, en los circuitos como el de la figu- 1, las etapas unidas mediante condensadores son independientes en régimen permanen- te. De la misma manera, debido al condensador de la entrada, la etapa de entrada en régimen permanente queda aislada de Ia scfial variable exterior. Teniendo todo eso en cuenta, se deduce que en régimen permanente deberemos analizar dos circuitos de pola- rizacién independientes. He aqui: +12V 60kQ 5002 p=80 “s circuito de polarizacién de salida Ahora, antes de resolver ambos circuitos, debemos resaltar que esa forma de polariza- cién del transistor es muy habitual, siendo equivalente a la de la figura siguiente.412 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 15kQ circuito de polarizacién de entrada 12 v( Es decir, se utiliza un tinico generador de tensién para polarizar las dos uniones del tran- sistor. Analicemos ahora los dos circuitos de manera independiente. Circuito de polarizacién de entrada: Primero indicaremos las magnitudes a calcular. +12 V To amall 152 if, ‘] * +e Y, = 100 y, BE. Ecuaciones correspondientes al circuito (recordemos otra ver que, en easo de duda, se puede consultar en Ia pagina 385 edmo se obticnen estas ecuaciones): IKT enla malla de entrada: @ 12 =2/,+Vgz_ (resistencia en MQ —r/ en Joen mA) Al hacer Ia hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor, slo debemos recordar lo dicho en el ejercicio anterior para tener una "pista": como la tensién de ali- mentacién de la base del transistor (12 V) es mayor que 0.7 V, podemos estar seguros de que el transistor no estaré en corte; asi pues, haremos la siguiente hipotesis: 1" hipétesis. Transistor en R.A.N.: Ecuaciones: @ Vgp=0,7V © Ie =fly Condicién: Ves2 0,2 V En consecuencia, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © 12-2 + ee (gen oA) © = 15Ig+ Veg (cen mA) © Vax =0,7 @ — 1e= 1001p (ATENCION! Jp cn. cA -> Ie también en oA)7. Transistores 413 Soluciém: J,= 5,65 oA, Io=0,565 mA, Var=0,7 V, Vcr=3,525 V Verificacién de la hipétesis: cg = 3,525 V > 0,2 V; en consecuencia, la hipdtesis es correcta; es decir, el transistor est en la regién activa normal, Circuito de polarizacién de salida: Como antes, primero las magnitudes a calcular. +12. V Ecuaciones correspondientes al circuito: LKT ena malla de entrada: ® 12 =60%y | Vpz (resistencia cn k@ > yen mA) IKT ena malla de salida: © 12=0,5/¢+Vce (resistencia en k@ -> [cen mA) Tgual que antes, como Ia tensién en la matla de entrada (12 V) es mayor que 0,7 V, po- demos estar seguros de que el transistor no estard en corte, por lo que haremos Ia si- guicnte hipétesis: T* hipétesis. Transistor en R.A.N.: IV @ Ice=Blp Condicién: Vex= 0,2 V Ecuaciones: @ Var = En consecuencia, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © 12= 609 +V pp (pen mA) © 120,56 + ce (cen mA) © ¥—=0,) © [c= 80ly Solucién: J 19 mA, Io= 15,1 mA, Ver=0,7 V, Ver= 4,5 V Verificacién de la hipétesis: Vcp=4,5 V > 0,2 V; por tanto, la hipétesis es correcta; es decir, el transistor esté en la regién activa normal. Resumicndo, ambos transistores estén en la regién activa normal, siendo ésa una de las caracteristicas de los circuitos amplificadores.414 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 3. Resuelve el circuito de la figura. Este citcuito es casi idéntico al del ejercicio 1. La diferencia més destacable es la ausen- cia de la resistencia de base y la presencia de una resistencia de emisor. Como veremos, en este caso nevesitaremos utilizar la ecuacién que relaciona las tres corrientes del tran- sistor, I = Ip + Ic, obtenida al aplicar la LKC, debido a que la corricnte de emisor atra~ vViesa la resistencia de 2,2 kQ, por lo que aparecerd en las ecuaciones correspondientes al circuito. Como siempre, comenzaremos indicando sobre el cireuito las magnitudes a ealeular. Ecuaciones correspondientes al circuito: LKT en la malla de entrada: a B I a) Vor = Ven + Vag + Ver sv@) e como P= B: Vpg=0 © 5= Fy +2,2e (resistencia en kQ > [gen mA)7. Transistores 415 LKT en la malla de salida: Ver +Ven+V er © 1S=Ue + hee 422g (resistencias en kQ > dpe Toon mA) Examinando ambas ecunciones, se ve que la eorriente de emisor aparece en la dos, debi- do.a que Ia resistencia de emisor (la de 2,2 kQ) esté en la rama comiin a ambas mallas. Igual que antes, debido a que la tensién impuesta en la malla de entrada (5 V) es mayor que 0,7 V, podemos estar seguros de que cl transistor no estard en corte; por ello, hare~ mos la siguiente hipétesis: 1" hipétesis. Transistor en RA.N.: Ecuaciones: © Vn=0,7V @ 1c=Bls Condicién: Veg2 0,2 V Pero como en esas cuatro ecuaciones aparecen cinco inedgnitas (Ip, Je. Ie, Vee Y Vows necesitamos otra ccuacién, precisamente Ia correspondiente a la corriente de emisor: © ip=Ig+le Asi pues, el sistema de ecuaciones que debemos resolver es el siguiente: © 5=V se +22 (een mA) 15 = Ue +V og +2,2p (Iced en mA) Solucién: [,~ 1,95 mA, Ip~ 19 xA, Io 1,94 mA, Vog-0,7 V, Voe~ 8,76 V Verificacién de la hipétesis: Vcr = 8,76 V > 0,2 V; en consecuencia, la hipétesis es cotrecta; es decir, el transistor estd en la regién activa normal,416 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 4, Para el circuito de la figura, calcula las tensiones Vc, Vx y Vs. gEn qué zona de funcionamiento esta cl transistor? 425. 8202 180 ka c Bl g=80 E Resolucién: En la figura se observa que este cireuito es una mezcla de los anteriores: por una parte, para polarizar la unién base-emisor, sc utiliza el mismo generador que para polarizar el colector; por otra parte, debido a Ia presencia de la resistencia de emisor, necesitaremos también la ecuacién J = Ig + Te obtenida al aplicarle al transistor la LKC. Como siempre, comenzaremos indicando las magnitudes a calcular. 425 V ‘Feuaciones del cireuito: (resistencias en kQ -> cortientes en mA) s20auy¢ 180 kQ. = IKT en la malla de entrada: © 25= 1801p + Vag + 0,2 LKT en la malla de salida: © 25=0,82)- + Vee +0,2lp Como antes, debido a que la tensién de polarizacién de la malla de entrada (25 V) es mayor que 0,7 V, podemos estar seguros que el transistor no esté en corte; ast pucs, hharemos Ia siguiente hipétesis: T* hipétesis. Transistor en R.A.N.: Eeuaciones: @ Vgp=0,7V © Io=fly — Condicién: Vop20,2 V También necesitamos la ecuacidn de la corriente deemisor: © — Ip =Ip+Io7. Transistores 47 En consecuencia, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © 25 =180Ly + Vag + 0,20 © 25 =0,82lo + Veg + 0,2 © Vee =0,7 © ie= 80g © k=htk Solucién: J,=0,12mA, p= 10 mA, Io=9,9mA, Ves=0,7 V, Ves=14,87V Verificacién de la hipétesis: Vcr= 14,87 V> 0,2 V; por tanto, la hipétesis es correcta; es decir, el transistor estd en la regién activa normal. Ahora, para calcular las tensiones Vs, Vz y Vc, aplicaremos la LKT entre esos puntos y el punto de referencia, He aqui: Je * Vp=02lg 9 > =2V al g- + hy” Vu= Vogt 0.2g > ete V;, 200 y Vo =Ven+0,2ip 5.418 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos La caracteristica de este cireuito cs que cl transistor esté conectado en el modo denomi- nado de base comiin. Pero, como hemos indicado en 1a teoria, nosotros utilizaremos las mismas magnitudes que para la estructura de emisor comiin. Por otra parte, las tensiones de los puntos superior ¢ inferior son +10 V y -10 V, respec- tivamente; es decir, hay dos generadores de tensién, uno para polarizar la unién base- emisor y el otro para polarizar la unién colector-base. En la figura siguiente se presenta el esquema del circuito que debemos analizar, en el cual ce han representado explicita- mente ambos generadores de tensién + 10V' *) +0V ~)4,7kQ p= 100 ~~ = _ L 3,3 kQ Como siempre, empezaremos indicando las magnitudes a calcular. Para quien tiene poca experiencia en la resolucién de este tipo de circuitos, puede resultar dificil indicar las corrientes directamente en ta figura original, ya que parece que Ia corriente de base no tiene camino por el que circular, es decir, parece que Ia base del transistor est en circui- to abierto, Pero eso no es mds que apariencia, ya que en la base se conectan los dos ge- neradores de tensién, como se observa en la figura anterior. Por ello, con el fin de desta car los caminos de las corricntes, las hemos indieado sobre las dos figuras, para que el lector pueda comparar ambas. +10V Como se puede observar, el generador superior proporciona Ia corriente de colector, mientras que el inferior proporciona la de emisor, y ambas cotrientes se unen en la base del transistor, para dar lugar a la corriente de base, cumpliendo la ecuacién que ya cono- cemos. Es decir, aunque la tensién de la base es 0 V, si circula corriente hacia el tran- sistor, ya que en ese punto se unen los dos generadores.7. Transistores 419 Pero el leetor debe tener muy claro que el simbolo que aparece en 1a base indica tinica- mente que é¢ es el punto de referencia o de 0 V, y que no es un elemento del circuito, por lo que por é1 no circula corriente, en contra de lo que parece en Ia figura de la dere cha; la corriente de base que aparece en la figura de la derecha circula hacia el transistor porque en ese punto se unen las corrientes proporcionadas por los dos generadores, pero no proviene del simbolo de "tierra", como se observa en la figura de la izquierda, Después de indicar cuales son las magnitudes necesarias para resolver el circuito, pode~ ‘mos proceder a escribir las ecuaciones. He aqui: A+lOV 47ka Eeuaciones del cireuito: Sie (resistencias en kQ > | i cotrientes en mA) os Ver LKT en la malla inferior: = = = © 0-(-10)= Vag 43,37 Vor a9 a] Ip LKT en el azo externo: ‘i ' © 10-(-10) =4, 7p 1 Fog 13,325 -10V En Ja figura en la que aparecen explicitamente los dos generadores, se observa que la tensién total impuesta en el lazo externo (es decir, Ia diferencia de potencial entre el punto superior y cl inferior) es la suma de los valores de los dos generadores, 20 V, co- ‘mo ha quedado plasmado en la segunda ceuacién: 10 — (-10). Por otra parte, al escribir 1a primera ecuacién, hemos tomado en cuenta la diferencia de potencial entre la base y 1 punto inferior, ya que ésa es la tension impuesta en esa malla inferior. Como antes, por ser la tensién impuesta en Ia malla que comprende Ia unién base- emisor (10 V) mayor que 0,7 V, podemos estar seguros de que el transistor no estar en corte; asi pues, haremos la siguiente hipétesis: 1* hipétesis. Transistor en R.A Teuaciones: © Fgs-0,7V © Io -flg Condicién: Fore 0,2 V ‘También necesitamos la ecuacién de la cotriente deemisor. © Ij Inte En consecuencia, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguient 10=Voe+33le © 20=4,7e + ¥ ce +3,3lp © Vae=0,7 © c= 100s ® Ip=ly+Io420 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Solucién: J; = 2,82 mA, Ig= 27,9 oA, Io= 2,79 mA, Vax =0,7 V, Ver=— 2,41 V Verificacién de la hipétesis: Vox =—2,41 V < 0,2 V; la hipétesis es falsa, En consecuencia, deberemos hacer la segunda hipétesis: 2* hipétesis, Transistor en saturacién: Eouaciones: © Vag=0,7V © Veg=02V_ — Condicién: 1, = Bly EI nuevo sistema de ecnaciones a resolver queda como sigue: © 10-0 p5+3,3lp LHe + Vee +3,3le Solucién: J; =2,82 mA, /e= 2,23 mA, [p=0,58 mA, Vpz=0,7V, Voe= 0,2 V Verificacién de la hipdtesis: 2.23 mA < 58 mA (10013): ¢s decir, la segunda hipétesis es correcta; el transistor est en saturacién, 6. Resolucién:7. Transistores 421 Como siempre, empezaremos indicando Ias magnitudes a calcular. Pero en este caso de~ beremos hacerlo con cierta precaucién, debido al nodo que aparece en el colector del transistor, el cual no existia en ninguno de los ejereicios anteriores, ya que ahora la Corriente que circula por la resistencia de 1 kQ no es la comtiente de colector, sino otra diferente. Por es0, ademés de las ecuaciones habituales, también deberemos aplicar la LIKC en ese nodo. Vesmoslo en la figura siguiente: tee Vv 1k Eeuaciones del circuito: (resistencias en kQ -> corrientes en mA) LKC enel nodo del colector: © I=Igtle LKTen la malla de la unién basc-cmisor: @ 15=11+200/y + Vag +0,1p LKT en la malla colector-emisor: © 15-11 + Vex + 0,1 Como antes, a causa del valor de la tensién impuesta en la malla base-emisor (15 V), po- demos estar seguros de que el transistor no estaré en corte; asi, la hipétesis ser: 1" hipétesis. Transistor en R.A.N.: Ecuaciones: © Vpg=0,7V @ Ic =f Condicién: Vp 20,2 V ‘Tambign necesitamos la ecuacién de la corriente deemisor: @ — Ip =p +Ic Asi, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © hile © 15 = 10+ 20015 + Mpg + 0,1 © 1S HL Mey 1 Oy © — Vae=0,7 © c= 100Iy © = g=IgtIe ,OmA, Vp \7V, Vew=9,89 V Verificacién de la hipétesis: Vez =9,89 V > 0,2 V; la hipétesis es correcta; es decir, el transistor esta en la regién activa normal.422 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 7. Enel cireuito de la figura: ASV 05K + oh sv Vien =1,7 V\ z a) Encuentra en qué zona de funcionamiento esté el transistor. b) (En qué estado esti el LED? ©) {Cudnto vale la potencia absorbida por el LED? d) Si sustituimos el LED por una resistencia R, calcula cudl debe ser el valor de R para que la tensién de colector del transistor sea de 2,5 V. Resolucién: ‘Como siempre, empezaremos indicando las magnitudes a calcular y luego escribiremos las ecuaciones del circuito. En este caso, ademés del transistor, aparece un diodo LED. St vf En consccuencia: Eeuaciones del circuito: LKT en la malla base-emisor: © 5=1g+ Vp +V isp LKT en la malla colector-emisor: @ 5=0,5o+ Vee + Vio At hacer Ia hipétesis acerea de Ia zona de funcionamiento del transistor, deducimos que no estard en corte, por ser la tensién de entrada (5 V) suficientemente alta. Por ello, 1a corriente de emisor no seré nula; en consecuencia, el diodo LED estaré directamente po- larizado. Asi, la respuesta de las dos primeras preguntas la obtendremos simultdnea- mente, ya que In zona de fieionamiento del ransistr y ol etd del LED estén rela cionades.7. Transistores 423 Asi, como en este circuito hay un transistor y un diodo, la hipétesis ser doble, He aqui: 1" hipétesis. Transistor en RA.N., diode LEDD.P.: Eeuaciones: © ~-0,7V © 1e=flp © Vign=1,7V Condiciones: Vor202V Te~ ape 0 También necesitamos la ecuacién de la corriente de emisor: @ In + Ie El sistema de ecuaciones a resolver sera el siguient © SH Mg tM gp +V xy © 5=0,5Ic+Ver + Vien © ¥_=0,7 © = 100y e 160 mA, [p= 262,6 mA, Vag =0,7 V, Vor=—126,7 V, Vien=1,7 V Verificactén de la hipétesis: /;~ 262,6 mA> 0; Vog=—126,7 V <0,2 V; la hipétesis no es correcta, En consecuencia, deberemos hacer la segunda hipétesis: 2* hipétesis, Transistor en saturacién, diodo LED D.P.: Ecuaciones: @ V_-0,7V © Veg 02V— © Vigp-1,7V Condiciones: To 0; .7V424 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Por tanto, la 2* hipdtesis es correcta: el transistor esti en saturacién y el LED D.P. a) Punto de operacién del transistor (en saturacién): Ons = 2,6 mA; Vz — 0,7 Vi Ic— 6,2 mA; Vos= 0,2 V) 'b) Punto de operacién del diodo LED (directamente polarizado): Qrspllsp= 8,8 mA; Vigp= 1.7 V) ¢) Ahora, el cdlculo de la potencia absorbida por el LED es inmediato: 4,96 mW. Pusdabrortidas = ¥ Len“ fxg = 1,7 V-8,8 mA d) Si sustituimos el diodo LED por una resistencia, el circuito a analizar seré el de la figura siguiente, por lo que las ecuaciones del circuito serdn distintas de las ante- riores: ‘Eeuaciones del circuito: LKT cn Ia malla base-emisor: ly —_ © 51g +V gp + Riz LKT en la malla colector-emisor: aes " J Ti © 5=0,5Ie+V cg + Rp Resulta evidente que ademas de Ins inedgnitas habituales (Fp, Vag, Jos Vows 1), apa eee una incégnita nueva, R; por eso, ademis de las ecuaciones habituales, necesitaremos una mds, pero ,cuél? Parece claro que debe ser la expresién matemética que nos da la tensién del colee- tor, obienida al aplicar li LT desde el colecior al punt de referencia, porque ese ¢s el dato exacto que se nos da en el enunciado: la tensién del colector debe ser de 2,5 V. He aqui dicha ecuacién: © V% 5 V = Vogt Rip Ahora, haremos la hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor: I* hipétesis. Transistor en RA.N.: Eeuaciones: © Vgc=0,7V © Ic =lg ——Condicién: crx 0,2 V ‘También necesitamos la ceuacién de la corriente de cmisor: @ Ip =Ip+Ie7. Transistores 425 Asi, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © 551g + Vpn + Rl © 5=0,5i¢+ Von + Rip © 2,5=K ey + Rly © Ve =0,7 © — [c= 100ly © k=lbthe 05 mA, 75V, R= 0,842 kQ ,75 V < 02 V; hipétesis falsa. Solucién: i¢=5mA, 1p=50 «A, fe= Vas =0,7'V, Ves Verificacién de la hipétesis: Ver En consecuencia, debemos hacer la segunda hipétesis: 2* hipétesis, Transistor en saturacién: i © ¥e5=07V © Ves=0.2V To = Bly Asi, cl sistema de ccuaciones a resolver ¢s el siguiente: © 5=1p + Vor + Rls © 5=0,5ic+ Vee +Rle © 2,5=Ven + Rip © ¥xe=0,7 © Vee=02 @ Ig=Iptlo Soluciém: o=5 mA, Jp=2mA, fp=7 mA, \2V, R= 328,62 Verificacién de Ia hipétesis: c= 5 mA <200 mA (1001s) cs decir, la 2* hipétesis es correcta: el transistor esti cn saturacién. Punto de operacién del transistor: Para que la tensién de colector del transistor sea de 2,5 V, se necesita que el valor de la resistencia R sca: R=328,60]426 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 8. Enel circuito de la figura: a) Calcula el valor de la resistencia R para que la tensidn de base del transistor sea de 1,71 V. b) Indica en qué zona de funcionamiento estard el transistor para ese valor de R y obtén el punto de operacién. c) {Cudnto valen, en ese caso, las tensiones de colector, Vc, y de emisor, V;? Resolucién: a) Como siempre, primero indicaremos las magnitudes a caleular y escribiremos las ecuaciones del cireuito, Para ello, en este caso, tenemos que tener en cuenta que la base del transistor, B, es un nodo en el que se conectan tres elementos: la resisten- cia R, la resistencia de 1 kQ y la propia base del transistor. Por ello, las corrientes que circularén por esos elementos serén diferentes, como se ha indicado en la figura siguiente: 10V Eeuaciones del circuito: LKT en la malla base-emisor: 150.2 I, LR Te © = V 9p 40,Up LT en la malla colector-emisor: © 10= 015104 Veg 40,1 - LKT en el lazo exteno de Ia izquierda: @ 10=RI, +1 LKC en el nodo B: © Ip=I,417. Transistores 427 Igual que en el ejercicio anterior, ademés de las incdgnitas habituales (Is, Vers Ics Vex, Is) y de las dos corrientes extras (Ig, 1), aparece una incdgnita mds, R; por allo, ademés de las ecuaciones habituales necesitamos otra, pero jcudl? Parece claro que en este caso debe ser la expresién matemética que nos da la ten sién de la base de! transistor, obtenida aplicando la LKT desde la base al punto de referencia, ya que ese valor es canacida: dehe ser 1,71 V. He aqui, pues, dicha ecuacién: e Vp =1,T1V =Vpg+0,Ug =U Ahora haremos la hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor: 1° hipétesis. Transistor en RAN. Ecuaciones: @ Vge=0,7V @ I, =flg Condicién: Vce20,2 V ‘También necesitamos la ecuacién de la corriente de emisor: © I; Ig tTe Sistema de ecuaciones a resolver: © = Ppp 40,15 10=0.151o+ Ver +0.Ma 10 = Rip +10 Ipatytl 1,715 Vgp +0,1lp =U Vag = 0,7 Jo= 1001, © i=Itle Solucién: [= 1,71 mA, fp= 10,1 mA, [p= Van=0,7'V, Ver’ mA, c= 10 mA, Z_=1,81 mA, A9V, R=4,58 KO Verificacién de la hipétesis: Vox =7,49 V > 0,2 V; hipétesis correcta; el transistor esté en la regién activa normal, Para que la tensién de la base del transistor sea 1,71 V, el valor necesario de la resistencia R es: R=458 kD b) Punto de operacién del transistor: €) Tensiones de colector y de emisor:428 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Para calcular las tensiones Vz y Vc aplicaremos la LKT desde esos puntos al de re- ferencia. He aqui: (Wg= 1,71 V) Vp -OMp > FR=hory] Vo=Ver+ Olle + [Fe=83V] 9. Analiza el circuito de la figura: Resolucién: Como siempre, indicaremos las magnitudes a caleular y escribiremos las ecuaciones del cireuito, En este caso, ademas del transistor, hay tres diodos; por tanto: 20V Ecuaciones del circuito: : LKT en fa malla base-emisor: 8,2 kee. @ p= VartUy LKT en la malla colector-emisor: © 0-820 Mee He TKT en el bucle exterior de Ia izquierda @ 20=10/+3%p LKC en el nodo B: © [=Ip+lp7. Transistores 429 Dado que en este circuito hay un transistor y tres diodos en serie, la hipétesis ser4 doble. He aqui: 1* hipétests. Transistor en R.A.N,, diodos D. Ecuaciones: @ Vgn=0,7 volt @ 1, =flp @ Vp=0,7V Condiciones: Ver20.2V Inz0 También necesitamos la ecuacién de la corriente deemisor: © — Ip =Iy+ I El sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © Wy=V yg + Uy © 0 =8Me +V og Hp © = 20=101+ 34 ° T= 1p + Ip © Fee =0,7 @ ° ° Solucién: Jp= 1,4mA, Ip= 13,9 A, Io= 1,39 mA, I= 1,79 mA, p= 1,78 mA TV, Vor=1,2V, Vo=07V Vos. Verificacién de la hipétesis: Vog=7,2 V>0,2V; Ip=1,78 mA >0; es decir, la hipdtesis es correcta; el transistor esta en la R.A.N. y los diodos D.P. Puntos de operacién del transistor y de los diodos: On Ty = 13,9 «A Ving = 0,7 VIo= 1,39 mA Von =7,2 Vy, Opp = 1,78 mA; Vp. ) 10. Analiza el circuito de la figura: Resolucién:430 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Aunque hay dos transistores, el andlisis del circuito se realiza de la manera habitual: pri- mero se deben indicar las magnitudes circuitales a calcular y después se deben escribir las ccuaciones del circuito. Como se observa en Ia figura, hay diez ineégnitas, cinco por cada transistor: O1Aar Aer» Tete Vests Voss) ¥ Qe» ex Tea Ver» Vow) En consecuencia, necesitamos diez ecuaciones: cuatro de ellas serén las ecuaciones de comportamiento de los transistores; otras dos seran las correspondientes a las corrientes de emisor, ya que en ambos transistores necesitamos /;; asi pues, las cuatro ecuaciones restantes deberemos obtenerlas del circuito, aplicando las leyes de Kirchhoff: como en el cireuito hay tres mallas, deberemos aplicar In LKT tres veces para obtener tres ecua- ciones, mientras que la LKC s6lo deberemos aplicarla una vez en el circuito (ojo!, porque en los transistores también se aplica la LKC, pero esas ecuaciones ya estin con- tadas), en el emisor del transistor 7; 0 en la base del transistor 75. He aqui dichas ceua- ciones: Ecuaciones del circuito: LK en la malla de entrada: © 5=V op +¥ pe +p LRT en la malla de salida: @ 10=Ver. +0, LKT en el bucle central: © 10=V ep +V p52 +0,Upo LKC en el emisor E,oen la base By: @ Ip = Tgp Las ecuaciones de las cortientes de emisor de los dos transistores: LKC en el transistor LKC en el transistor T: ® Ipy= Ip + Ie @ In=Intle Como en el circuito hay dos transistores, la hipdtesis es doble, He aqui:7. Transistores 431 1* hipétesis. Transistor 7; en R.A.N,, transistor 7, en RA.N. Ecuaciones: @ Vx;=0,7 volt © I, = Aly © Vor2=0,7 volt © Ie =Blp2 Condiciones: Vou 20,2 V Von=0,2V EI sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © 5=V sei + Vge2 +0, Ue © 10=Veg3 +0, gy © 10= Vex, +V gg +0,U p> e Jey = Inn ° ° ° ° ° © Soluecién: J;)=36 mA, Ip.= 356 oA, Ica = 35,6 MA, Vge2= 0,7 V, Vern = 6,4 Vy Ie1= 356 oA, Ip) = 3,53 oA, fey = 353 A, Vo = 0,7 V, Vor =5,7 V Verificacién de la hipstesis: Vom) = 5,7 V>0,2V; Vom 6.4V>0,2V; s decir, la hipétesis es correcta; los transistores estén en la R.A.N. 11. Enel circuito de la figura: 3ko. 01kQ432 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos a) {Cuél debe ser el valor de la resistencia R para que el transistor empiece a conducir, es decir, que salga de la regién de corte y en- tre en la region activa normal? b) En qué zona de funcionamiento estar el transistor si R = 600 Q? Resolucién: a) Como siempre, indicaremos las magnitudes a calcular y escribiremos las eeuacio- nes del circuito. Para ello, en este aso, igual que en el ejercicio 8, tenemos que tener en cuenta que en la base del transistor, B, hay un nodo. En consecuencia: $v Eeuaciones del circuito: orale LKT en la malla base-emisor: @ Ry = 5g +V ag + Sle LKT en la malla colector-emisor: @ 5=01lo+ Ver + Sle LKT en el lazo extemo de Ia izquierda: @ 5=314+Rp IKC en el nodo B: © I=lg+Ip ‘También necesitamos la ecuacién de la corriente de cmisor: @ Jp =Ip+Ic Resulta evidente que, ademiés de las cortientes y tensiones, hay una incdgnita més: R Por tanto, en este circuito hay un total de ocho ineégnitas. Por ahora hemos ob- tenido las cineo ecuaciones anteriores del citeuito; pero, ademds de ésas, necesita- ‘mos otras tres ecuaciones. {Cudles? Podemos pensar que otras dos serdn las ecua- ciones de comportamiento del transistor; pero ain asi nos faltaria otra ecuacién. {Cémo la obtendremos? La respuesta es sencilla: en este caso, las ecuaciones de ‘comportamicnto del transistor no son dos, sino tres, preeisamente el mimero de ‘ccuaciones que necesitamos. ,Cémo puede ser eso asi? La razén cs que en este ca- s0 no tenemos que hacer una hipétesis acerea de la zona de funcionamiento del transistor, ya que sabemos que debe estar en la frontera entre la repidn de corte y la region activa normal, porque es precisamente en esa fronteta cuando empieza a conducir. Por esa razén, se cumplen las ecuaciones de ambas zonas de funciona miento. ‘Transistor en la frontera entre la RA.N. y corte : Ecuaciones: @ I,=0 @ I= © Vee =0,7V Por otra parte, la condicién a verificar ser la de la regi6n activa normal, es decir: Condicién: Yop 0,2.V7. Transistores 433 Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © Rg=UMy + Vag + Se $= OMe +Veg + STg 5=31+Ry I-Ig+k, Iytly eoeoace Veg = 0,7 mA, 1=Ig= 1,43 mA, Vag 1.7 -V, Vee = 5 V, R= 0,488 k@ Verificacién de la condiclion: Vog=5 V >0,2 V; transistor esta en la regién activa normal, pero todavia saliendo de corte. En consecueneia, para que el transistor esté en la frontera entre la regién activa ‘normal y corte, 0 sea, para que empiece a conducir, la resistencia R debe ser: R=RES | Y en ese caso el punto de operacién del transistor es: Podriamos haber resuelto el problema analizando el cireuito desde otro punto de vista; podriamos haber calculado cual es el valor limite de la resistencia R para que cl transistor est en una zona de funcionamiento determinada —por ejemplo, para que esté en corte—, Veamos este punto de vista: ‘Transistor en corte: ‘Ecuaciones: @ i, Condicién: Vgp<0,7 V 0 or, Sistema de ecuaciones a resolver: Rig = Up +V gg + 5] 5=0,UotVeg + Sle 5=3/+ Rly I= Igt+ty Ip=Ip tle Is=0 1o=0434 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Pero de este modo slo obtenemos siete ecuaciones, a pesar de tener ocho incégni- tas. {Cémo resolveremos ahora este problema? Pues muy fécilmente: buscaremos la solucién del sistema de ccuaciones suponiendo que Res conocida; es decir, utili- zaremos R a modo de parimetro y asi calcularemos el resto de las inedgnitas en fiancién de ésa. 5 SR Solucién: Zp ena p Me 34+R° 34R sv ‘A continuacién, en ver de verificar si se eumple Ia condicién de corte, se In hare- ‘mos cumplit, porque queremos que el transistor esté en esa zona de funcionamien- to: es decir, le obligamos al transistor a que esté en corte. De esa manera, la propia condicién es la octava ecuacién que necesitamos; eso si, es una desigualdad o ine- cuacién. Obligando a cumplir la condicién: Vip5 = 3 +R 0,7 Es evidente que al obligar a que se cumpla la condicién, hemos obtenido la ecua- j6n que debe cumplir Ia resistencia R para que el transistor esté en earte. De esa ‘Ultima ecuacidn resulta: Es decir, cuando el valor de la resistencia R sea inferior a 488 Q, el transistor es- tard en corte; cuando sea precisamente R = 488 Q, e! transistor estaré en la frontera de In regién de corte, es decir, estaré a punto de entrar en la regién activa normal, siendo ése el mismo valor que hemos obtenido antes. Finalmente, cuando R sea su- perior a 488 ©, podemos estar seguros de que el transistor no estard en corte, Comparando ambos modos de resolucién, dedueimos Io siguiente: en el primer ‘modo, hemos obtenido un valor conereto para la resistencia R, ya que le hemos obligado al transistor a estar en un punto de operacién concreto. En el segundo mo- 4o, por el contrario, hemos obtenido un margen de valores para la resistencia R, ya que no le hemos obligado al transistor a estar en un punto de operacién concreto, sino en cualquier punto de una zona de funcionamiento. Por esa razén, Ia segunda resolucién nos proporciona més informacién que la primera, ya que asi sabemos que ese valor limite de la resistencia R para que el transistor esté en corte es ‘méximo; 0 minimo para que el transistor esté en la regidn activa normal. 1b) Ahora, el valor de la resistencia R es conocido, 600 2. Como acabamos de ver, el transistor no estaré en corte, porque se cumple que 600 Q > 488 Q. Pero, a pesar de saber eso, no sabemos si el transistor estard en la regién activa normal o en sa- turacién. Por eso, deberemos hacer una hipétesis acerca de la zona de funciona- miento del transistor. Eso si, se cumplen las ecuaciones anteriores, siendo el tinico cambio el valor de R. ¥* hipétesis. Transistor en RA.N.: Fouaciones; @ Vgp=0.7V @ k Bly — Condicién: Vce2 0,2 V ‘Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver queda como sigue:7. Transistores 435 12, © 0,62, = Uy + Vee + Sle © 5=01o+V e+ Sle © 5=3/+0,6l, © faith © tip tIe © Vpp-0,7 @ [c= 100l, Solucién: 1p=0,26 «A, [p= 26,32 «A, Ip = 26,58 A, I= I= 1,39 mA, 86 -V 07V, Vor Verifieacién de Ia condicién: Vcx~ 4,86 V>0,2 V; 3 decir, la hipétesis es correcta; el transistor est4 en la regién activa normal, En este caso, el punto de operacién del transistor es: Para el circuito de la figura de la izquierda, encuentra en qué zona de funcionamiento est el transistor. Ademids, calcula las tensiones de todos los nodos del transistor (Vp, Vey V,) y las corrientes de sus ter- minales (Ip, [c.¢ Ip). A continuacién, si se sustituye el gencrador de corriente por uno de tension y sc introducen dos diodos, como se indica cn la figura de la derecha, calcula el valor limite de la resistencia R para que el transis tor esté en la region activa normal. Qué es ese valor, maximo o mi- nimo? Justifica tu respuesta. (Sup6n que los diodos son de silicio y utiliza la segunda aproximacion.) Asy Asv 1kQ436 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Resoluetinz a) Como siempre, empezaremos por indicar las magnitudes a caleular y escribir las ecuaciones del circuito. 5 “4 val 0,25 mA 4) v, Ecuaciones del circuito: De la figura se deduce que la cortiente de base del transistor es la proporcionada por el generador de corvicnte, ¢s decir: @ Jp —0.25 mA. Por eso, al escribir las ecuaciones del circuito, no utilizaremos la ecuacién obtenida al aplicar 1a LKT en Ja malla base-emisor, porque en ese caso apareceria como incdgnita aiiadida la tensién en bomes del generador de corriente, y no es ése mestro deseo: LKT ena malla base-emisor: Vj, =10/;+Vgp+2lp (no la utilizaremos) TXT en la malla colector-emisor; @ S=WUp+Vcq +21 EouaciGn de la corriente deemisor: @ Ip =Iy +I¢ Al hacer la hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor, deberemos tener en cuenta que no estaré en corte, por no ser Z mula, En consecuencia, haremos la hipétesis siguiente: ‘1 hipétesis. Transistor en R.A.N.: Teuaciones: © Vae-0,7V © Ic-fly Condicién: Veg=02V Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: oe Jp= 0,25 SU t+ Veg + 2p p= Ig +Ie Vag = 0,7 Te= 100Iy7. Transistores 437 Solucién: J, =0,25 mA, [c= 25 mA, Ip = 25,25 mA, Vex = 0,7 V, Ver = ~70,5 V Verificactén de 1a hipétesis: ¥c.=—70,5 V <0,2 V; 0 sea, hipétesis incorrecta, En consecuencia, deberemos realizar la segunda hipétesis: 2 hipétesis. Transistor en saturacién: Fouaciones: © Vee-0,7V © Voe~0.2V Condicién; c= Bly Por tanto, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © — 5=025 © S2Mot Vogt 2p e Intly © = Var=0,7 © Vee=02 Soluciém: 1-025 mA, Jo= 1.43 mA, Jp= 1.68 MA, Vor=0.7V. Ver=0.2V Verificacién de la hipétesis: 7,= 1,43 mA < 25 mA (100J,); es decir, la 2* hipétesis es correcta; el transistor esti en saturacién, Punto de operacién del transistor: Ahora, para calcular las tensiones Vp, Vp y Vc, aplicaremos la LKT entre esos puntos y el de referencia, He aqui: Vp -2tp Vz 3,379) Vo=Vort+2p > [¥p=407¥] Vo=Vegt2lp > b) Para empezar, debemos cambiar las magnitudes a caleular, ya que no son las mis- mas que antes.438 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Sv ‘Ecuaciones del cireuito: LKT en la malla basc-emisor: © Wp =V og + 2p TKT ena malla colector-emisor: § @ S= Rig +Vex +20 IKT en la malla de la izquierda: = @ © 5=10142V, LKC en el nodo B: © 1=i,+1y En To que respecta a 1a zona de funcionamiento del transistor, sabemos que debe estar en la regién activa normal, porque eso es lo que perseguimos. Pero, ,e6mo estaran los dos diodos? Para que ambos estén directamente polarizados, necesitan una tensidn superior a 1,4 V. Dado que la tensién de entrada es de 5 V, es lo sufi- cientemente alta como para polarizarlos direetamente, asi como para llevar al tran- sistor a la R.A.N. En consecuencia: Transistor en RAN,, diodos D-P.: Ecuaciones: © Van=0,7V © [c=flg — @ Vp-0,7V Condiciones: Ver=02V Ipz0 ‘También necesitamos 1a ecuacién de la corriente de emisor: © [p= Ig +]c ‘Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: © Wy =p +2 S= Riot Vou + 2g $=10142¥p I=Ig+ly Veg = 0,7 Te= 100ly Vp=0,7 In=latle eoceeaoee7. Transistores 439 13. ‘Igual que en el ejercicio anterior, calcularemos 1a solucién suponiendo que R es. conocida; es decir, utilizaremos el valor de R como parémetro, de manera que ‘cbtendremos el resto de las incégnitas en funcién de ella. Soluctén: Zp = 3,47 ocA, Jc= 0,347 mA, [p= 035 mA, 7=0,36 mA, Ip=0357 mA, Var =0.7V. Veg =4.3-0,347R Resulta evidente que se cumple la condicién para que los dos diodos estén directa mente polarizados, ya que Ip > 0. Ahora, le haremos cumplir a 1a solucién Ia condicién para que el transistor esté en la region activa normal: ‘Obligando a cumplir la condicién: Veg =4,3-0,347R 20,2 De esta tiltima ecuacién, se obtienc el valor: Es decir, cuando el valor de la resistencia R sea menor que 11,8 kQ, el transistor cestard en la regién activa normal; cuando sea exactamente R = 11,8 kQ, el transis- tor estard en la frontera de la regiéa activa normal, es decir a punto de entrar en sa- turacién, Finalmente, cuando el valor de R sea superior a 11,8 kQ, el transistor es- tar en saturacién (como el lector puede comprobar fécilmente, cs imposible que el transistor esté en corte para cualquier valor de 2), P or esa razén, podemos decir que ese valor limite de R es méximo para que el transistor esté en la RAN, Analiza el circuito de 1a figura en estos dos casos: cuando Vry — 0 V y cuando Vz = 10 V. zCudles son los valores limite de la tensién Vp para que el transistor 7 esté en la regién activa normal? fy 240 Ql Vig =1,7 VA,440 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Aunque empezaremos como siempre, indicando sobre el esquema del circnito las mag- nitudes a caleular, después procederemos a analizar el cireuito de manera intuitiva, por- que es bastante mas facil; de hecho, si se quiere hacer sisteméticamente, no es ffi acer- tar con la hipétesis correcta: al haber dos transistores, un diodo Zener y un diodo LED, te6ticamente hay 54 hipétesis posibles. gov Come se observa en Ia figura, hay trece inedgnitas: cuatro magnitudes del transistor 7; Cav Vari, tor, Vom), dos magnitudes del diodo Zener (Vz, 7), cinco magnitudes del transistor T> (Tim, Vas2, tex, Vero, 4m), una magnitud del diodo LED (Vep) —ya que la corriente que circula por el LED es la corriente de colector, Zc, del transistor 7 — y la corriente que llega al nodo By, J. En consecucneia, necesitaremos trece ecuaciones: cuatro de ellas serén las ecuaciones de comportamiento de tos dos transistores; otra seré Ia ecuacién de Ia corriente de emisor del transistor 7» (aplicando la LKC en el transistor); otra ser la ecuacién de comporta- miento del diodo Zener; otra mis, Ia del diodo LED; y las seis ecuaciones restantes las deberemos obtener del circuito, aplicando las leyes de Kirchhoff: como en el circuito hay cinco mallas, deberemos aplicar la LKT cinco veees para obtener cinco ecuaciones, mientras que la LKC sélo la aplicaremos una ver en el circuito (ojo, porque ya hemos dicho que hay que aplicaria en el transistor 72), concretamente en el coleetor del transis- tor 7,0 en Ia base del transistor 7, por ser ese punto el nodo By. He aqui las ecuaciones: Eeuaciones del circuito: LKT en la malla de entrada del transistor 7): Alay + Vari LKT en el lazo de salida del transistor 7): 247 + ogy LKT en la malla formada por el transistor 7; y el diodo Zener: © Veg) =-Vpz LKT en la malla de entrada del transistor Ts: © VP pz =Voe2 +027 Ig LKT en la malla de salida del transistor 7: 10 =V yep + ¥ee2 + 9,27 py LKC en el colector C0 en la base B, © 1H Ie 4lzt+lp LKC en el transistor T @ Ig = lap +Ie27. Transistores 4a Pero ahora, en lugar de hacer la hipétesis (basta recordar que hay 54 posibles), analiza- remos intuitivamente qué es lo que ocurre en cada uno de los casos. a) Cuando ’z9 ~0, si analizamos Ia ecuacién que se cumple en In entrada del transis- tor Ty, @ 0=2,4 15, +V ges resulta evidente que el transistor 7; tiene que estar en corte, debido a que la tensién impuesta en 1a unién base-emisor es inferior a 0,7 V. Como consecuencia de ello, se simplifica la hipétesis acerea del funcionamiento del resto de los elementos; por infentaremos hacer la més légica, es decir, teniendo en cuenta los sentidos de las corrientes. He aqui: 1" hipétesis. 7; en corte, Zener LP. en la regién Zener, LED D.P., y 7; en la RAN. Eouaciones: © Jyi=0 © Ia=0 © Vp2=-5V © Vizp=1,7V © Vs2.=0.7V © 12100, Condiciones: Vg: =0.7 V iz20 Asp te220 ¥ p22 02V Resolviendo el sistema de ecuaciones formado por las trece ecuaciones anteriores, se obtiene la solucién siguiente: Solucién: {y,=0mA, Icy VVea=5V, Jm.= 15,9 mA, Imp =0,16 mA, Ic= 15,8 mA, Vpp2= 0,7 V, Vor=4V, Vpx=-S V, 1z=20,7 MA, Viep= 1,7 V, hev= 15,8 mA ‘Verificacién de 1a hipétesis: Vie. 0V<0,7V; Iz=20,7 mA > 0; Trepp =15,8 mA>0; Vem=4V>0,2V porlo tanto, la hipétesis es correcta, b) Cuando gp = 10 V, si analizamos nuevamente la ecuacién de entrada del transis tor T;, se deduce que cn este caso T, no puede estar en corte. ¥ ahi esté el proble- ‘ma, porque puede estar en la R.A.N. o en saturacién. El problema es que hacer una hipétesis y resolver las ecuaciones pertinentes puede resultar excesivamente largo, para llegar a la conclusién de que la hipdtesis cra falsa. Por eso, primero volvere- ‘mos a analizar el cireuito intuitivamente, para ver cudl de esas dos hipétesis es la mas plausible, Para ello, supongamos que cl transistor 7 esté en la R.A.N. (sin suponer nada acerca del estado del resto de los componentes). En ese caso, como Vari = 0,7 V, ¢s inmediato calcular la corriente de base del transistor 7 aplicando la ecuacién © 10=2.4!4¥on > In=3,875mA442 Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Partiendo de ese valor, enseguida se puede calcular la corriente de colector del transistor 7}, sabiendo que se cumple que Zc; = 1005): 387,5 mA Esa comriente serd una parte de la corriente total J (recordemos la ecuacién decir, esa corriente circulara por la resistencia de 240 Q, junto con las corrientes ‘que necesiten el diodo Zener y la base del transistor T> (debido a que estos elemen- tos son pasivos, es imposible que envien corriente hacia el transistor 7). Por todo ilo, la corriente Zseré mayor que Ta corriente fc, que acabamos de calcular, o en ef ‘mejor de los casos, igual a clla, munca menor. En consecuencia: Tricama = 387,5 A Asi, aplicando ahora la ley de Ohm a la resistencia de 240 Q, calcularemos el valor minimo de la tensidn entre sus extremos para que circule dicha corriente: Frrinima = 93 V ! Es decir, para que el transistor 7; esté en la R.A.N,, en el punto superior del eir- ‘uito deberiamos conectar un generador de tensién de al menos 93 V! Como el que hay sélo proporciona 10 V, de ahi se deduce que es imposible que el transistor 7, esté en la R.A.N. Por eso, como tampoco est en corte, deers estar en saturacidn. Partiendo de esa base, y analizando de nuevo el circuito intuitivamente, podemos reflexionar acerca del estado del resto de los componentes, antes de hacer ninguna hipétesis. He aqui dicha reflexién: ‘Para empezar, teniendo en cuenta la ecuacién ®, el diodo Zener tendré la siguiente tensién entre sus terminales: Voz=—Veei=-0,2 V. Por tanto, resulta evidente que el diodo Zener no puede estar en la regién Zener, a pesar de estar inversamente polarizado. En lo que respecta al transistor 75, teniendo en cuenta las ecuaciones @ y © simul- tineamente, se cumplird la siguiente ecuacién en la unién base-emisor: Voss = 0,2 V = Vap2 +0,27Lp9- De donde se deduce que el transistor 7; debe estar en corte, debido a que la tensién mpuesta en su entrada es inferior a 0,7 V. Finalmente, el estado del diodo LED esté intimamente ligado al del transistor 7): como la corriente Je es nula, podemos pensar que el LED estard inversamente polarizado. ‘Teniendo en cuenta todo lo anterior, haremos la hipstesis siguiente: I hipétesis. 7, en saturacién, diodo Zener inversamente polarizado en la re- gién normal, diodo LED inversamente polarizado, y T, en corte:7. Transistores 443 Eeuaciones: © Vari=0,7V © Vea =0.2V @ 1-0 © hzp=0 @ 1-0 @ la Condiciones: Ter < 100s SVeVor<0 Figp= 17 Fp. 0,7 V Resolviendo el sistema compuesto por esas trece ecuaciones, se obticne la solucién. ‘siguiente: Solucidn: fg) = 3,875 MA, Ic, = 40,83 mA, Vpe1=0,7 V, Yori = 0.2 V, d= 0 mA, Ip)= 0 mA, Ly 0 MA, Fgp9= 0,2 V, Vos Vpz=-0.2 V, 2=0 MA, Vien = 10 V Ver Tuzp= 0 mA Verificacién de la hipétesis: i, = 40,83 mA <387,5 mA (100p,): —5.V tomaran cada uno de ellos una parte de esa corriente J. Por esa raz6n, en el peor de Jos casos seré el transistor T; quien tome el valor méximo de J. En consecuencia: 10-0,2 0,24 Tes mA = 40,83 mA Basdndonos en ese valor maximo de la corriente de colector, podemos calcular ‘cual serd el valor méximo de la cortiente de base: Toy 40.83 A= oA, Tob = 60 A= 408.3 i Teniendo de nucvo en cuenta la ecuacién @: I = “B8=TaL «0, 4083 mA -* Vpn s(2,4-0,4083+0,7)=1,68 V Resumiendo, para que el transistor 7; esté en la regién activa normal, Ia tensién de entrada tiene que estar dentro del margen: Calcula entre qué margen de valores (méximo y minimo) puede estar la resistencia R del circuito de la figura, para que el transistor esté en saturacién y el diodo Zener inversamente polarizado en la regién Zener. IV7. Transistores 445 Como siempre, primero indicaremos sobre el circuito las magnitudes a calcular, En este caso, ademas del transistor, también hay un diodo Zener. Por lo tanto: 15V I 8v WkQ Ecuaciones del circuito: LKC en el nodo de entrada: © fH i541, LET en la malla de entrada de la izquierda: @ 8-10/- Fy, LKT en la malla base-emisor: © Vyz = Rly +V og LKT en la mala colector-emisor: © 15=0, 7410 +V cg, En las ecuaciones anteriores aparecen ocho inedgnitas (adems de las corrientes y ten- siones, el valor de la resistencia R también es desconocido). En este caso no tenemos que hacer ninguna hipétesis, ya que queremos que el transistor esté en saturacién y el diodo Zener inversamente poiarizado en la regién Zener. Al ser el estado de funciona- miento de los dispositives conocido, obtendremos otras tres ecuaciones (dos del transis tor y una del diodo Zener), obteniendo en total siete ecuaciones. Por lo tanto, la ecuacién que falta deberemos obtenerla haciéndole eumplir al citcuito las condiciones necesarias para que los dispositivos estén en el estado descado, Estado, Transistor en saturacién, diodo Zener LP. en la regién Zener: Keuaciones: © Vep=0,7V — @ Vep-0,2V Condiciones: Ics 100g a) Ahora, para resolver el sistema de siete ecuaciones con ocho inedgnitas, tomaremos R como parimetro, obteniendo el resto de inedgnitas en funcién de R, y a continuacién les obligaremos a cumplir las condiciones: 1 [p= 20mA, Ip =(0.5-22) ey Soluciém: 1=0,5mA, Ip A, Var=0,7V. Vee=02V, Voo=-3V446 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Cumplimtento de las condiciones: J; = 20 mA <100/, = {os-72) 20 De estas dos ultimas ecuaciones se obtienen los dos valores limite siguientes para Ja resistencia R: Rs 11,5 kQ, para que el transistor esté en saturacién, R= 4,6 kQ, para que el Zener esté LP. en la region Zener. Por lo tanto, el valor de la resistencia & tiene que estar comprendido entre esos dos limites para que se cumplan ambos estados simulténeamente: A6kKQ = RSI 5kKO 15. En el cirenito de la figura: a) Calcula cual debe ser el valor de la resistencia R para que el diodo Zener empiece a conducir, {Qué es ese valor, maximo 0 minimo? b) Encuentra cn qué zona de funcionamiento esta cl transistor para el valor de R calculado en ¢l apartado anterior, sv 1kQ 500 2 R = 100 B He ') \P,=0,7V 5kQ | svC a) Antes de nada, reflexionemos brevemente acerca de lo que tenemos que hacer, es decir, aclaremos en qué estado tiene que estar el circuito. Queremos que el Zener comience a conducir, pero para ello hay dos opciones: puede estar D.P. 0 LP. en la regién Zener, ya que en ambos casos el Zener conduee. Observando el circuito, es evidente que la segunda opeién es la tinica posible, ya que el Zener no puede estar D.P.: la tensién més baja del circuito es 0 V, 1a del punto de referencia, siendo el resto de tensiones positivas; por lo tanto, la tensién en la zona N del diodo Zener ser mayor que la de la zona P, por lo que estaré inversamente polarizado.7. Transistores 447 ‘Aclarado lo anterior, haremos lo de siempre, indicar sobre el cireuito las magnitu- des a calcular y escribir las ecuaciones. Como en los ejercicios anteriores, ademés de las tensiones y corrientes, hay una inedgnita extra: R. Por esa razén, el estado de Jos componentes es conocido a priori, y deberemos obligar a que se cumplan las condiciones pertinentes para poder calcular el valor de R, 5Vv 1kQ 5002 sv Ecuaciones del cireuito: ~ LKT en la malla de entrada de la izquierda: © 5=5h LKT en la malla base-emisor: © Sl, = Rly +V ag LKC en el nodo de entrada: @ atl LKT en el lazo colector-emisor superior: @ SH=114t Veg LKT en la malla colector-emisor de la derecha: © Ves =0.51z-Voz LKC en el nodo de salida: © I=th, Aparecen diez ined gnitas (incluida R); en consecuencia, necesitamos cuatro ecua- ciones mis. Dos serdn las ecuaciones de comportamiento del transistor, depen- dientes de la zona de funcionamiento; otra sera la ecuacién de comportamiento del Zener; y 1a titima ecuacién seré la que obtengamos al obligar a que se cumpla la ‘condicién para que el Zener esté en el estado deseado, ‘A pesar de que no tenemos informacién acetca de la zona de funcionamiento del transistor, sf la tenemos sobre el estado de polarizacién del Zener. Por esa razén, &e seré nuestro punto de partida para deducir intuitivamente cul debe ser la zona ée funcionamiento del transistor. Estado, Diodo Zener LP. en la regién Zener; transistor 222: Ecuacién: @ Vpg=—Vz=-0,7 V Condicién: 1220 Teniendo en cuenta la ecuacién y condicidn del Zener, se decnce de Ia eeuacién © que es imposible que el transistor esté en saturacién, ya que: Veg =0,512 +0,720,2 V siempre, por ser /z2 0.448 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Por otra parte, como la tensién de entrada del transistor es mayor que 0,7 V, podemos estar seguros de que el transistor no estara en corte. Por lo tanto, haremos la siguiente hipdtesis acerca de la zona de funcionamicnto del transistor: 1° hipétesis. Transistor en RA.N.: Ecuaciones: © Ve5-0,7V © [100s Condicién: Vcr 20,2 V (como hemos visto, se cumple) Asi pues, el sistema de ecuaciones a resolver es el siguiente: @ 5-5 Sl, = Rly +V pp [p= Int ls SaUt Ver Veg = 0,51 - I=Igtlz Vpz=-0,7 Vas = 0,7 Ic= 1001 Soluei6n: = 1 mA, Ip 64-3 Yor V. = 36-52 ‘Cumpliendo la condicién: 7, = = mA20 > En consecuencia, para que el diodo Zener empieve justo a conducir, debera ser R 100 kQ, ya que para ese valor se tiene Jz = 0 siendo Vpz=-.7 V, es decir, el dio- do Zener estara LP., pero justo en la frontera entre la regién Zener y la regién nor- mal. Por otra parte, dicho valor es minimo, ya que al hacer cumplirse la condicion hemos deducido que 2 tiene que ser mayor que 100 k2 1b) Ahora, podemos ealcular la solucién para ese valor conereto de R: Solucién: s=1 mA, Ip=43 A, Io= 4,3 mA, [y= 1,043 mA, Vsx=0,7 V, Ves =0,7 V, Iz=0 mA, Vpz=—-0,7 V, I= 4,3 mA Verificacién de la hipétesis del transistor: Vcg=0,7 V > 0,2 cs decir, la hipétesis cs correcta; cl transistor esta en la regién activa normal.7. Transistores 16, Para el circuito de la figura 449 obtén y representa grificamente la curva de transferencia (v,, v;). Pa- ra cllo, analiza cémo influyen los cambios de la tensién de entrada (v) sobre la tensién de salida (y,). Resolucién: ‘Como siempre, primero indicaremos sobre el circuito las magnitudes a calcular; para ello, debemos tener en cuenta que la salida estd en circuito abierto, es decir, que salida no circularé corriente: 10 VI rf 10k2. Y,, (circuito abierto) A continuacién, escribiremos las ecuaciones que se cumplen en el cireuito: Ecuaciones del circuito: LKC en el nodo de entrada: © f=1+1 LXT en la malla de entrada de la izquierda: @ »,=201,+207 LKT en la malla base-emisor: @ 201 =901,+V 5x LKT en la malla colector-cmisor: 8 10=10/¢+Ver por la450 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos La tensién de entrada, v, €s variable (supondremos que entre esos dos puntos hay un ge- nerador de tensién variable y que su tensidn iré aumentando desde 0 V a 10 V) y tene- ‘mos que analizar su influencia sobre la tensién de salida, v,. Por ello, y dado que la ten- sién de salida no aparece en las ecuaciones anteriores, es conveniente buscar su expre- sién matemética. Aplicando la LKT en la salida: Vo = Ver Resumiendo, por ahora tenemos cuatro ecuaciones con siete incdgnitas (V1 nl, las Vans Je, Ves). Dos de las ecuaciones que faltan son las ecuaciones de comportamiento del transistor, dependientes de la zona de funcionamiento. Por ello, debemos hacer una hi- pétesis acerea de la zona de funcionamiento del transistor, teniendo en cuenta que de- penderd de la tensién de entrada; asi, la séptima ccuacién la obtendremos obligando a que se cumpla la condicién correspondiente a la hipétesis. He aqui: 1* hipétesis. Transistor en corte: Ecuaciones: @ [5-0 @ 1-0 Condicién: Vgp <0,7 V Ahora obtendremos 1a solucién del sistema formado por las seis ecuaciones tomando la tensién de entrada como pardmetro conocido: Solucién: roan mA, Iy-OmA, Fp, “3 V, Ie-OmA, Fe-10V Es decir, mientras la tensidn de entrada sea inferior a 1,4 V, el transistor estard en corte y la tensi6n de salida sera: v, = 10 V. ‘Obligando a cumplirse la condicién: V.pp = a 30,7 > Antes de seguir avanzando, merece la pena comentar el resultado anterior, ya que més de un lector ha podido pensar que le hemos hecho trampa, porque en algunos ejercicios anteriores hemos dicho que basta que Ia tensién de entrada sea superior a 0,7 V para que el transistor no esté en corte. Aclaremos esa "contradiecién". Para ello, con cl objetivo de simplificar nuestro circuito, obtendremos el circuito equiva- lente de Thévenin correspondiente a la seccisn de Ia entrada del eircuito que estamos analizando, entre los puntos B y £, es decir, entre la base y el emisor del transistor, entrada del circuito7. Transistores 451 La razén resulta evidente: si sustituimos 1a seccién de entrada de nuestro circuito por su equivalente de Thévenin, obtendremos el circuito més simple que se puede encontrar con umn transistor, y que ya hemos analizado en ejercicios anteriores. He aqui: 10V Ahora si, si repasamos el ejercicio 1, veremos que en ese circuito si se tiene que cumplir que la tensién de entrada sea inferior a 0,7 V para que el transistor esté en corte. Por lo tanto, en este caso, obtendremos el mismo resultado de la siguiente manera: LKT en la mala de entrada: Em =Rraly + Von ‘Transistor en corte (Jy = 0): Ey ~ Va Obligando a que cumpla la condicién para estar en corte: Vy, Ey 50,7 En consecueneia, el transistor estard en corte mientras sea Ey, < 0,7 V. Por lo tanto, en ‘nuestro caso no necesitamos calcular el cirenito equivalente de Thévenin completo, sino que basta con obtener la tensién equivalente de Thévenin, por ser el resultado indepen- diente de la resistencia equivalente de Thévenin, Asi pues, para obtener el valor de la tensién equivalente de Thévenin, debemos calcular la tensién que habra en el cireuito original entre los puntos B y £ estando en cireuito abierto (Ya5.q), escogiendo para cllo el camino més répido. Como entre tos punto B y E hay un circuito abierto, por la resistencia conectada con el punto B no circularé corriente (Io. = 0): En consecuencia, aplicando la LKT en la malla de entrada: 201+201=», — r="L mA 40452 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Para calcular Ia tensién de salida aplicaremos la LKT en ta malla de la derecha: Aid 2 Aplicando el resultado obtenido anteriormente: 74 50,7 V > v; = 1,4 V. Es decir, de este modo hemos obtenido la misma solucién que habiamos obtenido al principio anali- zando el eircuito original Vones, =H 7 Vg = -0= 20 > Ene Resumiendo, por el momento sabemos que entre tas tensiones de entrada y de salida se cumple la relacién siguiente: ysl4v 10. Ahora deberemos anatizar qué ocurre cuando sea v, = 1,4 V. Esta claro que el transistor no estaré en corte; en consecuencia, la hipétesis més Iégica sera suponer que ha pasado del corte a la regién activa normal: 2* hipétesis, Transistor en RA.N.: Eeuaciones: © Vpp=0,7V — @ Ie= 100fp Condicion: Veg 20,2 De nuevo, resolveremos el sistema formado por las seis ecuaciones tomando Ia tensién de entrada como parimetro: ‘Obligando a cumplir la condicién: Voz =(17-Sv)20,.2 > Es decir, mientras 1a tensién de entrada sea superior a 1,4 V pero inferior a 3,36 V, el transistor estard en la regién activa normal y Ia tension de salida sera v, = 17 — 5v, Asi pues, resumiendo, por el momento sabemos que entre las tensiones de entrada y de salida se cumple la relacién siguiente: yslaV = 14Vsvjs336V = 10V Suv. Igual que antes, comprobaremos que se obtiene el mismo resultado utilizando el circuit cequivalente de Thévenin correspondiente a la seccién de la entrada — entre los puntos ye7. Transistores 453 Si analizamos ese circuito equivalente: LKT en la malla de entrada: Transistor en RAN. (Var=0,7): LKT en la malla de salida: 10=10le+Ves = Obligando a cumplir la condicidn de RAN: Vox=0,2.V > 10-0,2 < fs? mA=098 mA Eins 0.98 Ry +70 100 Es decir, para ealcular el valor limite de Fp, necesitamos obtener previamente el valor de la resistencia equivalente de Thévenin. Asi, para caleular el valor de la resistencia equivalente de Thévenin, debemos obtener la resistencia equivalent entre los puntos B y E en el circuito original, después de anular cl generador de tensién de la entrada, mediante un cortocircuito. en serie, 20k En Ia figura se observa que las dos resistencias de 20 kQ estén en paralelo; su equivalente seré pues una resistencia de 10 kQ, que a su ver esta en serie con la resistencia de 90 kQ. Por tant Sustituyendo ese valor en la ecuacién anterior: Ey, < 1,68 V. Como Ep, = _ sys 3,36 V. Fs decir, hemos obtenido el mismo resultado por ambos métodos.454 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Finalmente, deberemos analizar qué ocurre cuando sea v,= 3,36 V. Resulta claro que el transistor no estard ni en corte ni en la regién activa normal; de manera que deberd estar en saturacién: 3* hipétesis. Transistor en saturacién: Ecuaciones: © Var=0,.7V — @ Ver=0,2,V Condicién: Ic 100lp De nuevo, resolveremos el sistema formado por las scis ccuaciones tomando la tensién de entrada como parimetro: Solucién: —f, =—i——— ‘Obligando a cumplir la condicién: [p= 98 = 100: Es decir, obtenemos el mismo valor limite que ya conociamos. Resumiendo, la relacién entre las tensiones de entrada y de salida es la siguiente: Y= 10V w= (17-5v)V Y= 0,2 V Grificamente: % ‘transistor en corte 10V transistor en la regién activa nommal av trmaatorn stusciéa ( ————— 14V.3,36V * En el capitulo siguiente veremos que esa curva de transferencia corresponde al mas bési- co de los cireuitos digitales, el inversor.7. Transistores 455 17. Para el circuito de la figura, dibuja la curva (Ic, v). fav 0,1 kQu Resolucién: Como siempre, empezaremos por indicar las magnitudes a calcular. Para simplificar, supondremos que las tensiones de los dos diodos son iguales, es decir, que los dos estan igualmente polarizados (ambos LP. o ambos D.P.); dicha hipétesis es vilida, teniendo en cuenta que ambos diodos estén en serie. De hecho, si uno estuviera D.P. y cl otro LP., como por estar en serie por los dos debe circular Ia misma corriente, dicha corriente seria nula aunque uno de ellos estuviera ).?. Por esa raz6n, basta con analizar dos estados: Si los dos diodos estin D.P., circularé corriente. Por el contrario, si alguno de ellos estuviera LP., no eircularia corriente, por lo que la conexién en serie de ambos se comportaria como si los dos estuvieran IP. A continuacién, escribiremos las ecuaciones que se cumplen en el circuito: Eeuaciones del circuito: LKT en la malla de entrada; ©, =W y+ 10ly + V yg LKT en la malla de salida: @ 10=0,1e + Vex Como en el ejercicio anterior, la tensién de entrada, v;, es variable (desde 0 V a 10V), y debemos analizar su influencia sobre la corriente de colector, fc.456 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Tenemos dos ceuaciones con seis incdgnitas (v}, Vp, Ip, Van Ic, Vor). Las ecuaciones restantes las obtendremos como sigue: dos serdn las ecuaciones de comportamiento del transistor y una la de los diodos. Por ello, deberemos hacer una hipétesis acerca de la 70- nna de funcionamicnto del transistor y de los diodos, teniendo en cuenta que dependeré de la tensién de entrada, Asi, la sexta ecuacién necesaria serd la que obtengamos al obli- gar a que se cumpla la condicién correspondiente a la hipdtesis que hayamos hecho. Pa- 1m empezar, podemos pensar que cuando la tensién de entrada sca muy bai, el transistor estara en corte y los diodos LP, por lo que ésa seré nucstra primera hipétesis: 1* hipétests. Transistor en corte, diodos LP. Ecuaciones: © Ty © 1-0 © 1-0 Condiciones: Vag 30,7 V Vps0,7 V Obtendremos 1a solucién del sistema compuesto por esas cinco ecuaciones, tomando la tensién de entrada como pardmetro: Solucién: v,=2V¥p+V pp, [p—Ip—O mA, [o— OMA, Veg 10V Cumpliendo las condiciones: _v, = 2Vp +V az $2°0,740,7 > Es decir, mientras la tensién de entrada sea inferior a 2,1 V, el transistor estard en corte y los diodos L., siendo la corriente de colector correspondiente J-= 0 mA. = 2,1 V Te=0 mA, Ahora debemos anatizar qué ocurre cuando v, = 2,1 V. Esté claro que dicha tensién es lo suficientemente alta como para sacar al transistor del corte y polarizar directamente los dos diodos, ya que cada uno sélo necesita 0,7 V; por lo tanto, entre los tres necesitan exactamente 2,1 V. En consecuencia, la hipétesis mas légica serd suponer que el transis- tor ha pasado de corte a la regién activa normal y que los diodos estén D.P.: 2 hipétesis, Transistor en R.A.N., diodos D.! Reuaciones: © Vpp=0,7V — @ [c= 100! Condiciones: Vee 20,2V Ipz0 De nuevo, obtendremos la solucién de! sistema compuesto por esas cinco ecuaciones, tomando la tensién de entrada como parametro: Solucién: Jy =p = 422: mA, Io=(20v,-42)mA, Vog =(14,2-2v,) V, Vez=0,7 V, Vo=0,7V Cumpliendo las condiciones: Vox =(14,2-2v,)20,2. > Ip 20 — v,22,1 V (se cumple) Es decir, cuando la tensién de entrada es superior a 2,1 V ¢ inferior a 7 V, el transistor estd en la regién activa normal, los diodos D-P., y la cotriente de colector es: Tc =(20v, —42) mA7. Transistores 457 Resumiendo, por ahora sabemos que la relacién entre la corriente de colector y la ten- sién de entrada cumple lo siguiente: Y= 2IVsys7V_ > Ahora debemos anatizar qué ocurre cuando v;= 7 V. Esta claro que el transistor no esta 14 ni en corte ni en la regién activa normal; en consecuencia, deberd estar en saturacién; «80 si, los dos diodos seguiran DP. 3* hipétesis. Transistor en saturacién, diodos D.P.: Ecuaciones; @ Ver=0,7V © Vcr=02V © Mp=0,7V Condiciones: Te =100ly Ipz0 De nuevo, obtendremos la solucién del sister tomando la tensién de entrada como parmetto: -2,1 10 7 V, Von =0,2V, Vr vompuesto por esas cinco ecuaciones, Solucién: 1, mA, /o= 98 mA, Vos ‘Cumpliendo Ias condiciones: 7, = 98 = 200- Es decir, hemos obtenido el valor limite que ya conociamos. Por otra parte, obligando a que se cumpla la condicién de los diodos, se obtiene el resultado anterior, v, 22,1 V. Asi pues, resumiendo, sabemos que la relacién entre la corriente de colector y la ten- sidn de entrada cumple lo siguiente: y=2,1¥ T= 0mA 2Vsys7V To= (20v,- 42) mA TV sy, [p= 98 mA transistor en saturacién diodos DP. transistor en regién activa normal, ‘transistor en corte diodos LP, 21V mv458 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 18. Para el circuito de la figura, obtén la curva de transferencia (y,, v,). ty 10kQ 100 k@ 230 kQ * Como siempre, primero indicaremos las magnitudes a calcular; para ello tendremos en cuenta que la salida esté en circuito abierto, es decir, que por ahi no circularé corriente: A continuacién, escribiremos las ecuaciones que se cumplen en el circuit: Ecuaciones del circuito: LKC en el nodo de entrada: © i=1+h LRT en la malla de entrada de la izquierda: @ y,=1005,+¥p- Foz LKT en la malla base-emisor: © —V pz = 2301p +V ne LKT en la malla colector-emisor: @ 15 =10/e+V og La tensién de entrada, v, ¢s variable (supondremos que va aumentando de 0 V a 15 V) y tenemos que analizar su influencia sobre la tensién de salida, v,. Debido a que en las ecuaciones anteriores no aparece la tensin de salida, necesitamos escribir una ecuacién en la que aparezea, Aplicando la LKT en la salida: vy = Veg7. Transistores 459 Por ahora tenemos cuatro ecuaciones con nueve inedgnitas (vi, I Vox I Vz Ins Vanes Tex Vce). El resto de ecuaciones que faltan serdn: dos ecuaciones de comportamiento del transistor, una del diodo rectificador y una del Zener, todas ellas dependientes de la zona de funcionamiento correspondiente, Por ello, deberemos hacer una hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor y acerca de la polarizacién de los diodos, teniendo en cuenta que sera dependiente de la tensibn de entrada. La tiltima ecuacién, la novena, la obtendremos obligando a que sc cumplan las condiciones correspondicntes a la hipé- tesis hecha. He aqui: I" hipétesis. Transistor en corte, diodo LP., Zener LP. en la regién normal: Feuaciones: © Ig-0 @1c-0 @ Ip-0 © 1-0 Condiciones: Vag 0,7 V Vps07V -3V 5% pz50,7V Ahora obtendremos la solucién del sistema compuesto por esas ocho ecuaciones, toman- do la tensién de entrada como pardmetro conocido: Solucién: 1,= Ip=Ip= Pon Ves= 15 V = Voz = -0.7V Es decir, mientras la tensién de entrada sea inferior a 1.4 V, el transistor estard en corte, y el diodo rectificador 1.P. Pero en lo que respecta al diodo Zener, sélo se deduce que no est en la regién Zener (como se cumple que Vpz 2 -0,7 V, podemos estar seguros de que ser ¥pz=-3 V); asi, podriamos pensar que podria estar D.P. (por ser Vpz= 0,7 V> -0,7 V) pero debemos tener muy claro que eso es imposible: por estar el terminal positi- vo del Zener a 0 V y porque la tensién del terminal negativo serd siempre positiva; es decir, el Zener estard siempre 1.P. por estat todas las tensiones del circuito comprendidas entre 0 Vy 15 V. Teniendo todo eso en cuenta, se deduce que v,~ 15 V. Resumiendo, por ahora sabemos que la relacin entre Ia tensién de entrada y la de salida serf como sigue: iV. Ws Ahora tenemos que analizar qué ocurre cuando v;z 1,4 V. Esté claro que cl transistor no estara en corte ni el diodo LP.; asi, la hipétesis més ldgica seré suponer que el transistor hha pasado del corte a ta regién activa normal y que el diodo estaré D.P. Pero, {qué cocurre con el Zener? Por el momento, supondremos que la tensién de entrada no es lo suficientemente alta como para llevar al Zener a la regién Zener, por lo que seguiremos suponiendo que esté LP, en la regién normal: 2*hipétesis. ‘Transistor en RLA.N., diodo D.P., Zener LP. en la regién normal Ecusciones: © Veg=0,7V © [c=100, @ ¥p=0,7V © 1-0 Condiciones: Veg 20,2V Ip20 BV eV p220,7V460 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos De nuevo, obtendremos la solucién del sistema de ocho ecuaciones tomando la tensién de entrada como parimetro conocido: y-L4 330 -14 Solucién: J, = [p= mA, [,-0mA, Ip mA, ¥p=0,7V, 3, Var=0,7V, Ving =(0,28-0.7%,) V. Ver =(19.24-3,03v,) V ‘Cumpliendo las condiciones: pz =(0,28-0,7v,)V=-3V + ¥,54,7V Veg =(19,24-3,03r,) V2 0,2V > v,=6,28V 14 330 Para que se cumplan las tres condiciones, hemos abtenido tres valores diferentes para Ia tensién de entrada. Analicemoslos uno a uno. En primer lugar, para que el diodo rectifi- cador esté D.P., basta que la tensidn de entrada sea superior a 1,4 V, y estamos seguros de que 30 ¢s asi porque ése ha sido nuestro punto de partida para hacer la segunda hipé- tesis. En segundo lugar, para que el Zener esté I.P. en la regién normal, la tensién de en- trada tiene que ser inferior a 4,7 V. Finalmente, el transistor estaré en Ia R.A.N. mientras la tension de entrada sea interior a 6,28 V. Ahora nos podemos preguntar: ;cudl es el siguiente valor limite de la tensién de entrada para el que tendremos que cambiar la hipétesis? La respuesta es inmediata: a partir de una tensién de 4,7 V, cambiaré cl estado de polarizacién del Zener, sin que cambic la zona de funcionamiento del transistor. mAzO => y214V En consecuencia, mientras la tension de entrada sea superior a 1,4 V ¢ inferior a 4,7 V, ¢l transistor estard en la regién activa normal, el diodo rectificador DP. y el Zener LP. en la regién normal, siendo la tensidn de salida y, = (19,24 - 3,03v,). Resumiendo, por ahora sabemos que la relacién etnre la tensién de entrada y la de salida serd: ystaV > 14Veve47V_ = 3V 3,03y) V. Ahora tenemos que analizar qué ocurre cuando v; = 4,7 V. De los resultados anteriores se deduce que el transistor permanecerd todavia en la regién activa normal, ya que para salir de ella necesitaria una tensién superior a 6,28 V (si no cambiase el estado del resto de los componentes); por otra parte, el diodo rectificador seguira D.P., pero el Zener pa- saré a estar LP. en la regién Zener, por ser éste el clemento que nota el cambio de la ten- sién de entrada: 3*hipétesis. Transistor en RA.N., diodo D.P., Zener LP. em la regién Zener: Eeuaciones: @ Vy¢=0,7V @ [c= 100g @ ¥p=0,7V © ¥pz2=-3V Condiciones: Voe20,2V Ip>0 k>07. Transistores 461 De nuevo, obtendremos la solucién del sistema de ocho ecuaciones tomando la tensién de entrada como parimetro conocido: 37 iA, Ig= 10d, Jo= 1 mA, Ty 4,7 100 100 LTV, Var 7 V, Voz=-3 V, Voe=5V y7 37 ‘Cumpliendo as condiciones: /, mA =O — v,23,7 V (se cumple) L — Az0 > y24,7V le p= "ap MAE O > 124.7 V (se cumple) Veg=5V>02V (se cumple) Es decir, cuando v,= 4,7 V, se cumplen las tres condiciones (Ia del transistor, la del dio do reetificador y Ia del Zener) para cualquier valor de la tensién de entrada, siendo la tensién de salida v,=5 V. Este hecho indica que esa hipStesis es la tiltima, porque cuando la tensién de salida sea superior a 4,7 V, no cambiaré el estado de los componentes. Eso mismo se puede inferir analizando el circuito intuitivamente: estando el Zener 1.P., cuando entra en la regién Zener (por ser el valor de la tensién de entrada lo suficientemente grande) la tensién en- tre sus terminales se mantendré constante (exactamente 3 V); a causa de ello, tampoco variard la polarizacién de Ia unién base-emisor del transistor, por lo que el transistor per- manecerd en la R.A.N. a pesar de que aumente el valor de la tensién de entrada, ya que el exceso de comriente que legue del generador de entrada se iré por el Zener, legando a la base del transistor una corriente constante (10 2A). Resumiendo, la relacién entre la tensién de entrada y la de salida es la siguiente: ysl4v0 ve 15 V 14Ven247V > y,=(19,24-53,03v) V 47Vsy > Graficamente: ‘transistor on corte diodo LP, Zener 1 P_ en la region normal transistor en le tegién activa normal diodo DP. Zener LP. en ta rogién nonmal sv}/-—_ Transistor en la region activa nonmal diodo D.P. Zener LP. en la regién Zener 14V 47V :462 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 19, Las curvas caracteristicas de salida del transistor del circuito de la figura se han obtenido experimentalmente (ver la figura utilizada en la resolucién), Dibuja sobre esas curvas la recta de carga de salida del cireuito y calcula el punto de operacién de salida del transistor (cy Ve). i Vv J 1kQ Resolucién: En la figura resulta evidente que la corriente de base del transistor es conocida, 40 oA. Pero, para poder obtener graficamente el punto de operacién del transistor, ademas de la corriente de base, necesitamos la ecuacién de la recta de carga del circuito. Para obte- netla, basta con aplicar la LKT en la malla de salida y reescribir de manera adecuada la ccuacién obtenida, He aqui: 10Vv 0 oA, + —G LKT en la malla colector-emisor: 10= Ue + Vee reescribiendo Ia ecuacién: Io=10-Vee (reota de carga) Para representar gréficamente esa ecuacién sobre las curvas caraeteristicas del transistor, al ser una recta, basta con dos puntos: escogeremos los puntos de interseccién con los jes eoordenados. Punto de interseccién con el eje vertical: Vor=0 = > I= 10mA Punto de interseecién con el eje horizontal: fo=0 > ew = 107. Transistores 463 Vou = 4,9 V 1 EI punto de operacién es el punto de interseccién entre la recta de carga del cireuito y la curva caraeteristica del transistor correspondiente a la corriente de base Ip ~ 40 «A. La mayor 0 menor exactitud de los valores indicados sobre la figura superior depende de las escalas coneretas de los ejes. Por ello, los valores indicados son aproximadas. 20. Las curvas caracteristicas de salida del transistor del circuito de la fi- gura han sido obtenidas experimentalmente. Por otra parte, también es conocida la recta de carga del circuito, siendo sus puntos de inter- seccién con los ejes los siguientes: [gy = 12 mA; Vem = 9 V. (Ver la figura utilizada en la resolucién del ejercicio.) Teniendo en cuenta esos datos, calcula los valores siguientes: los valores de Veo y Re del circuito, cl punto de operacién del transistor Cn, Vics Tes Ves) y B- Veo464 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Resolucién: Sabemos que el punto de operacién del transistor es el punto de interseccién entre la recta de carga del circuito y las curvas caracteristicas del transistor; pero el problema reside en que hay una multitud de puntos para diferentes valores de la corriente de base. Por ello, para obtener gréficamente el punto de operacién del transistor, primeramente deberemos obtener cl valor de la corriente de base. Para ello, aplicaremos la LKT en la mala de entrada: tie Be Ro Js 20,7V 07 250Ka V4 e Vee LKTen la malla base-emisor; 20,7 =250]y + Vse Como en esa ecuacién aparecen dos incégnitas (lp, Vzq), para poder calcular el valor de la corriente de base es absolutamente imprescindible hacer una hipdtesis acerca de la z0- na de funcionamiento del transistor. Como la tensién de entrada (20,7 V) es lo suficien- temente alta, podemos estar seguros de que el transistor no estaré en corte; por ello, ha- remos la siguiente hipéte I" hipétesis. Transistor en RA.N.: Ecuaciones:; Vag =0,7 V Te = Bly Condicién: Von = 0,2V Resulta evidente que de esas dos ecuaciones de comportamiento, s6lo podemos utilizar Ja primera, porque en la segunda aparece la ganacia de corriente del transistor, f, que es desconocida (de hecho, es uno de los valores que tenemos que caleular). Pero, por suerte, basta con Ia primera ecuacién para obtener el valor de la corriente de base. Sustituyendo el valor de la tensién base-emisor (Vsx = 0,7 V) en la ecuacién obte- nida aplicando la LKT en la entrada de! cireuito: 20,7-Var Tora mA 1 En consecuencia, podemos caleular el punto de operacién del transistor, grificamente:7. Transistores 465 PUNTO DE OPERACION recta de carga o 12 Ves =147 V t Vow Como en el ejercicio anterior, los valores mostrados sélo son aproximados. Pero, como siempre, para obtener ese punto de operacién hemos hecho una hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor, por lo que ahora debemos verificar si se cumple la condicién correspondiente, de manera que podamos considerar ese punto de operacién como correcto. No hay ni que decir que tan pronto como hemos obtenido el punto de interseccién, también hemos obtenido la verificacién deseada: Veug= 1,7 V>0,2V se cumple Ahora, una vez. conocidas las corrientes de base y de colector, podemos calcular la ga- nancia de corriente del transistor, 6: Para obtener los parimetros del circuito, nos basaremos en 1a informacién aportada por la recta de carga del mismo, cuya ecuacién genérica se deduce del circuit LKT en a malla colector-emisor: Veo = Role + Vex Ahora, teniendo en cuenta las intersecciones con los cjes correspondientes a esa ecua- cidn y los valores conocidos de los mismos, calcularemos los parémetros desconocidos del circuito (oc y Ro). He aqui: Veo Voe=0 > I= 12mA= Re / [o=0 > Vem=9V=Veo De estas dos ecuaciones, se obtienen los valores siguientes:466 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 7.2. Transistores JFET 1. Para el circuito de la figura, calcula cuanto valdra la tensién Vps del transistor JFET cuando Vs = 0 V. Los parametros caracteristicos del transistor JFET son: Ips = 10 mA, Vosay= —4 V. 36092 V (#)wv Ves( + Resolucién: Debe resultarnos evidente que el transistor JFET no estard en corte, por ser Vggq =0 V> Vesgp Peto puede estar en la zona dhmica o en saturacién, por lo que deberemos hacer una hipdtesis acerca de su zona de funcionamiento, ero previamente a la hipétesis escribiremos Ia ecuacién correspondiente a la seccién de salida del circuito, aplicando la LKT en 1a malla de satida, tenicndo en cucnta para cllo Jas magnitudes del transistor. LKT en la mallla de salida: = >) OV @ 10=360%p + Fos Founcién: @ Condiciones: Veg Vosg=0V y Vnsg 4 V. En consccuencia, el transistor JFET no std en la zona Shmica, Por lo tanto, deberemos hacer una segunda hipétesis: 2* hipétesis. Transistor JFET en saturacién: Beuscién: @ — Ip =KIpss Condiciones: Vass Vosos0V_ y Voso® Vosw Como antes, primero debemos calcular el valor del pardmetro K (Vsw, ya esté calcula- do), Para ello, recordemos cémo se calcula Ki =f Vi a, oy Fe) En consecuencia, la ecuacién correspondiente a saturacién es:468 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Utilizando las dos ecuaciones obtenidas hasta ahora, buscaremos el estado del transistor: Ecuacién del cireuito: © 10=3601p + ¥p5 Ecuacién del transistor: @ Jp =O. (en A, porque la resistencia esta en Q) Solucién: Ing=10 mA, Vpsg= 6,4 V Recordemos que obtendriamos ¢! mismo resultado sustituyendo el transistor por su mo- delo circuital equivatente: 360 2 oe *)i0v AV > Vos 4V Vosyy=-4 V Vasg--4V_ nv se cumple lag=0 MA, Vesq=0V, Vsq=20V En consecuencia, deberemos hacer una segunda hipétesis: 2" hipétesis. Transistor JFET en saturacién: 2 1 - Vesa Ecuaciones: © 16-0, © Bp= boa = Iass'|I- ox Condiciones: Vass Vosg=0V y Vnsg® Vins En la ecuacién © se observa que la corriente Jp depende de la tensién Vs; ademas, Ia ley de dependencia es cuadritica:470 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Por otra parte, sustituyendo la ecuacion @ en la ®, se deduce que Is = Jp. Sustituyendo esta igualdad en las otras dos ecuaciones, se obtienen las siguientes: e 0= Vos +p e 20 =3,61p + Vs +Un Ahora, de la ecuacién @ se deduce que Jp = —Vgsi sustituyendo esta igualdad en la ecua- cién ©, se obtiene la ecuacién cuadratica siguiente: “L6Vo5=16+VEs+8Ves V3, +9,6V gs + 16=0 cuya solucién es la siguiente: Y= 296 #196 4-116 _ -9,625,3 ee 21 2 Es decir, existen dos soluciones: Vs =-215 Vy Vos=-145 V. Antes de continuar calculando el resto de las incégnitas, merece la pena verificar si se cumplen las condiciones, para no tener que repetir dos veces los céleulos en caso negati- vo, Sabemos que se tiene que cumplir que 0 = Vaso = Voseps Ya que sino el transistor es- taria en corte o mal polarizado, Se observa que ambas soluciones son negativas, por lo que el transistor esta correctamente polarizado. Pero mientras el primer valor (-2,15 V) €$ mayor que la tensién de estrangulamiento, no lo es el segundo (-7,45 V): Vosop=—4 V < Ves =-2.15V <0 se cumple la condicién Vesug=-4V > Vogn=-1ASV no se cumple Ia condicion Es decir, segiin la segunda solucién, el transistor esta en corte, y ya hemos visto que eso 8 imposible en este circuito. Por lo tanto, la segunda solucién no tiene sentido y no la debemos tomar en cuenta. Asi pues, tenemos una solucién tinica: Vai 15 V Teniendo en cuenta dicha solucién, calcularemos los valores del resto de las magnitudes 0, lo que ¢s lo mismo, obtendremos cl estado del transistor: Solucién: Igg=0 mA, Ing =Isq =2,15 mA, Vaso =~2.15 V, Vos = 10,13 V Ahora debemos verificar la segunda condicién de nuestra hipétesis. Es decir, si el transistor estd en saturacién, se debe cumplir que Vngp = Vossas Primero debemos calcular la tensién Vps.q, correspondiente a la Veso calculada:7. Transistores 471 Voss Vas * FPS Ing os En este caso, como acabamos de caleular, Vpsg ~ 10,13 V > 0,86 V. Es decir, se cumple la condicién, por lo que el transistor esté en saturacién. 3. Enel circuito de la figura, calcula las tensiones de los tres terminales del transistor JFET, es decir, Vg, Vp y Vs. hisy 200 ka Como siempre, primero indicaremos las magnitudes a calcular y luego escribiremos las ecuaciones necesarias, 15V LKC en el nodo de entrada: © f= Ig +l LKT en la malla de entrada: @ 100L, = Vos +1,5ly LKT en el bucle de entrada: @ 15 = 200/, +100/, LKC en el transistor: © Is=Ie4ly LKT en la malla de salida: ® 15 =Up +Vps +1,5ls Igual que en el ejercicio anterior, al ser la tensién Vgs desconocida, no sabemos si las uniones PN estarin I.P. 0 no; por eso, también aqui hemos considerado la corriente I como ineégnita.472 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Ahora podemos hacer la hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor JFET. He aqui: 1* hipétesis. Transistor JFET en corte: Ecuaciones: © Jg=0, @ Ip=0 Condicién: Vesos Vosop ‘Sustituyendo estas dos iltimas ecuaciones en las cinco anteriores, obtendremos 1a solu- cién del circuito: Soluctén: Ing = Igp = Tog= 0 MA, = I= SOWA, Vesg =5V. Vosp =15 V Verificacién de la hipétesis: Vaso=5 V > Voug=-3 V nose cumple En conseeuencia, deberemos hacer una segunda hipétesis: 2* hipétesis, Transistor JFET en saturacién: 2 Vso Ecuaciones: @ G-0, @ |, Vso Tomat = Ins Condiciones: Vesey Vosos0V ¥ Voso® Vasu ‘Como en el ejercicio anterior, de la ceuacién @ sc deduce que la corricnts J, depende de la tensién Vos: ademés, la ley de dependencia es cuadritica: 2 ° toro mat -7Se] = (3+ Vaso) mA Por otra parte, al ser Zq~0, se tiene que Js ~ Ip, y ademés, de las ecuaciones @ y @ se deduce que f = fy = 50 YA. Teniendo eso en cuenta, de la ccuacién @ se deduce lo si- guiente: @ S=Vesth5ln > Ip 1,5 Sustituyendo ese resultado en la ecuacién @, se obtiene la ecuacién cuadritica siguiente: AGRes 294 Vis +6Vos > 4SV 25+ 10 gs + 8,5 =0 Como antes, esa ecnacién tiene dos soluciones: Ves~—I Vy Ves B-5.7'V: Ahora hay que comprobar si se cumple la condicién. Es decir, si es 0 = Ves = Vesey Mientras que el primer valor (-1 V) es mayor que la tensién de estrangulamiento, no lo es el segundo (-5,7 V): Vesyy—-3 V Vesp=-5,7V no se cumple Ia condicién7. Transistores 473 Es decir, sélo hay que tomar en cuenta la primera solucién: Ve TV) Basandonos en esa solucién, calcularemos los valores del resto de las magnitudes del circuito, es decir, obtendremos el estado del transistor: Soluctén: Zg9=0 mA, Ing =Isg= 4 MA, 1, = = 50 HA, Vosg 1 V, Vosg =5.V Ahora es el momento de verificar si se cumple la segunda condicién asociada a la hipé- tesis. Recordemos que se tiene que cumplir que Vaso = Voss para que el transistor esté en saturacién. Por lo tanto, primero debemos caleular Ia tensién Vps,q, correspondiente a Ia solucién Vgsp. He aqui: Your =3¥ En este caso, como acabamos de ealcular, tenemos que Vso ~ 5 V > 1,33 V. Es decir, s© cumple Ia condicién, por lo que el transistor esta en saturactén. En conseeuencia, Ios tensiones de los terminales del transistor serdn las siguientes: 1,33V ¥s—1slp-OV Ve= Ves+V¥s=5V Vp =Vpg +V5=11V 7.3. Transistores MOS 1. Enel circuito de la figura, calcula cuanto vale la tensién Vos del transistor MOS de empobrecimiento cuando Vg5=—1 V. Los parime- tros caracteristicos del transistor son: Ipss= 8 MA, Vesa = 5 V. ) 8202 Igual que en el ejercicio 1 del apartado anterior, resulta evidente que el transistor MOS no est en corte, por ser Vgs=—1 V > Vessay=-3 V. Para saber en qué zona de funciona- miento est4, deberemos hacer Ia hipétesis correspondiente.474 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos En primer lugar, eseribiremos la ecuacién correspondiente a la salida del circuito apli- cando la LKT en la malla de salida, teniendo para ello en cuenta las magnitudes del transistor. No hace falta decir que, en los transistores MOS, /¢=0 sicmpre. ‘LKT en la malla de salida: © 5=8201)+V a5 ‘Eouacién: eh Fos. Ros Condiciones: Voso= Vasey Y Vosos Vos La resistencia interna Rps se calcula como sigue: R PS Toss Ings 8 MA =6259 Con las dos ccuaciones obtenidas hasta ahora, caleularemos el estado del transistor: Ecuacién del cireuito: © 5 = 8201p +V ps Ecuacién del transistor: © Vp5=625Ip Solucién: Ing =3,46 mA, Vng=2,16 V En lo que respecta a las condiciones, ya hemos visto que la primera se cumple; es decir, el transistor no esté en corte. Para verificar la segunda condicién, necesitamos Vigan Asi pues, la segunda condicién correspondiente a la hipétesis hecha queda: Vns < 3,2 V, para que el transistor esté en la zona éhmica. En este caso, como acabamos de calcular, tenemos que Vingg = 2,16 V < 3,2 V. En consecuencia, se cumple la condicién, por lo que el transistor NMOS de empobrecimiento est4 en la zona éhmica y la tensién Vos toma el valor:7. Transistores 475 2, Analiza el circuito de la figura, 5VI Ip es 78m4 Vesa =-2V ¥)2ma Ves Resolucién: Como siempre, empezaremos indicando las magnitudes a caleular. Esté claro que las ecuaciones del circuito estén condicionadas por el generador de corriente, debido a que la tensién entre sus terminales es desconocida. Pero sabemos que se cumple que fs = 2 mA. Por otra parte, como es Ig = 0, se cumple que Ip = fs. Por Pero necesitamos otra ccuacién eircnital que relacione las tensiones del transistor, por- que esas tensiones aparecen en las ecuaciones de comportamiento del transistor. Para obtenerla, intentando soslayar la presencia en la misma de la tension en bornes del gene- rador de cortiente, haremos lo siguiente: caleularemos la tensién del punto S por cami- nos que no contengan el generador de corriente, teniendo en venta que la tensidn Vs es la diferencia de potencial entre el punto Sy el de referencia, asi: ama, por la izquierda:476 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Ahora podemos hacer Ja hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor. Para empezar, es evidente que el transistor no esti en corte, por ser Jp = 2 mA # 0. En consecuencia, nuestra primera hipétesis seré otra. He aqui: 1* hipétesis. Transistor NMOS de empobrecimiento en saturactén: wouelin: = © Ip * Ing vos: Yes Condiciones: Vesg= Vesuy ¥ Vos Voswut De la ecuacién @ se deduce que la corriente Jp depende de la tensién Vas: ademés, la ley de dependencia es cuadritica: > LZ 2 Veso| _ 5, ‘| =2-(24 Veg)” mA Por otra parte, sustituyendo la ecuacién @ en la ®, se obticne Ia siguiente ecuacién cua- deities Ip =2-(24V 5) mA=2mA > (2+V sp)’ =1 — solucion: (2+ Vosp) = #1 Es decir, hay dos soluciones: Vos=—1 V y Ves=-3 V. Como en el ejercicio anterior, primero comprobaremos si se cumple la primera condi- ida, es decir, si es Vosg = Voss! Vosuy=-2 V < Vesor=-1 V se cumple Ia condicién Vos =—2 V > Vosn=-3 V no se cumple la condicién ‘Scgin la segunda solucién, el transistor esta en corte, y ya hemos visto que eso es impo- sible en este citcuito. Asi, la segunda solucién no es valida y no se debe tener en cuenta. Por Io tanto, queda una tinica solucién: 7 LV. ‘Teniendo en cuenta ese valor, calcularemos el resto de magnitudes del circuito, es decir, obtendremos el estado del transistor: Solucién: fgg=0 MA, Ing =Igg= 2A, Vesg 1V, Yp=4V ‘Ahora debemos verificar si se cumple Ia segunda condicién: para que el transistor esté en saturacién, se tiene que cumplir que Vasg = Vos Para poder verificarlo, primero tenemos que calcular la tensién Vp. comespondiente al valor calculado Vgso: ‘Como acabamos de calcular, se tiene que Vpg9 = 4 V > 0,5 V. En consccuencia, se cumple la condicién, por lo que el transistor esta en saturacién,7. Transistores 477 3. Enel circuito de la figura, calcula las tensiones de los tres terminales del transistor NMOS de empobrecimiento, Vi, Vn y Vs. Vv 17 kQl 1kQ Resolucin: Como siempre, indicaremos las magnitudes y escribiremos las ecuaciones del circuito, IOV KC en el transistor: Ip=Ig+Ip, 17kQ-}/y como [g=0-- © Jy =Iy Z LKT en la malla de entrada: 0 = 10001g + Vgs + Us ‘os como Ig=0-> © Ves = -Us Vos — = 1kQ\w4s — LKT ena malla de salida: ® 10 =17Ip +V’ps +Us Ahora haremos la hipétesis acerea de la zona de funcionamiento del transistor NMOS. He aqui: 1* hipétests. Transistor NMOS de empobrecimiento en corte: Ecuacién: © Ip=0 Condicién: Vesos Vasyr Sustituyendo esta tiltima ecuacién en las tres anteriores, obtendremos la solucién del cireuito: Soluciém: Ing = fog = lag = 0 mA, Vasq= OV, Vpsg= 10 V Verificacién de la hipétesis: Vgsg=0 V > Vgsy=-2 V no se cumple En conseeuencia, debemos hacer una segunda hipétesis: 2* hipétesis. Transistor NMOS de empobrecimiento en saturacién: 7 Eeuacién: © p= Taw tos - Condiciones: Vosg=Vasur y Vaso Vorsua478 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos ‘Como en el ejercicio anterior, de la ecuacién @ se deduce que la corriente Jp depende de Ja tensién V¢s; ademis, la ley de dependencia es cuadritica: (-2v) ‘Tomando en cuenta la ecuacién © (Up =—Fgg ¥ la que acabamos de obtener, se deduce que: 2 Vy ®t tna =] 0,25:(2+ Vaso)” mA ~4Ves=(24Voso) > Vs + 8V gs +4=0 Esta ecuacién tiene dos soluciones: Vgs~—0,54 V y Vas=—7,5 V. Comprobemos si se cumple la primera condicién, es decir, si es Vaso 2 Vas! Vosup=-2 V Vosqn=-1,5V nose cumple la condicién En consceuencia, sélo la primera solucién es valida: Veso=-0,54V Basandonos en esa solucién, podemos calcular el resto de las magnitudes del circuito, es decir, el estado del transistor: Solucién: [9-0 MA, Ing Ig = 0,54 MA, Vesa ~ 0.54 V, Vso = 0.35 V Verifiquemos ahora si se cumple Ia segunda condicién asociada a Ia hipétesis que hemos hecho. Es decir, veamos si se cumple que Ving = Visas para que el transistor esté en saturacién. Para ello, en primer lugar debemos calcular 1a tensién Vos correspondiente al valor Vp caleulado, He aqui: ‘Como acabamos de calcular, en este caso se tiene que Vasg = 0,35 V < 1,07 V. En con- sceucncia, no se cumple la condicién, por lo que cl transistor no esté cn saturacién. Por Jo tanto, deberemos hacer la tercera hip Stesis: 3* hipétesis. Transistor NMOS en la zona éhmica: Ecuacién: © 1,- “2 Ros Condiciones: Vgsg= Vasa ¥ Yns0=Vnsu yi El pardmtero Rpg de la ecuacién @ se calcula as: Rpg = “288 = 2V_. 240 Ipss | 1mA7. Transistores 479 Teniendo en cuenta ese valor, la ecuacién @ queda como sigue: © Vas Ip Sustituyendo ahora la ecuacién © en la @, se deduce lo siguiente: 10 = 17Ip + 2p + Up = 20] Solucién: fgg~0 MA, Ing Is 0,5 mA, Veso= 0,5 V, Vosg=1V Verifiquemos ahora si se cumplen las condiciones asociadas a la hipdtesis. Es decir, si son Faso = Vosyr¥ Voso < Vsen Para ello, primero debemos calcular Vis: (05 v)}" Poses =2.V 1,125 V ss [ Ty) ] Vesey =-2V < Vosg=-0,5 V se cumple la primera condicién Vos= VV Vos=0,1V En este momento, en lo que respecta a la zona de funcionamiento del transistor NMOS, podemos decir lo siguiente. En primer lugar, como es Vgs=0 V, resuilta evidente que el transistor no estara en corte, por ser Vgs=0 V > Vesay——l V. En segundo lugar, y esto también por set Vgs= 0 V, la frontera entre saturacién y la zona éhmica vendra dada por la tension: Vga = Vpss=— [Vasyl = 1 V; ademas, como acabamos de obtener, se tiene que Vs =0,1 V, de donde resulta evidente que el transistor NMOS no puede estar en sa~ turaci6n, por ser Fps =0,1 V < Vsgqr = 1 V. En consecuencia, para que sea Vs= 9,9 V, 1 transistor debe estar en lazona éhmica: euacién: @ 1,- "es Ros La resistencia Rps del transistor NMOS se ealeula como sigue: Toss 0,5 mA ps. _1V__okg teniendo en cuenta ese valor, la ecuacién @ queda asi: @ = Vps= 2p.7. Transistores 481 ‘Ahora podemos obtener Ia solucién de ese sistema de dos ecuaciones: Solucion: Tgg=0 MA, Ing =I59=0,05 mA, Ves =0V, Vnsq= 0,1 V Con esos valores, se obtiene el valor de la resistencia R: TOR KQ 5. Enel circuito de la figura, calcula las tensiones de los tres terminales del transistor NMOS de enriquecimiento, V, Voy Vs. AsV 10 kal V,=2V —| Voson = 5V Igy = 3,6 mA SKQL. Ry, = 1,25 kQ Yosv Resolucién: Como siempre, indicaremos las magnitudes y escribiremos las ecuaciones pertinentes. Abs Vv ay TXT en la malla de entrada: Slo 0=Ves+SIs-5 = =0 is © V5 =5-5Ip bs = LKT en la malla de salida: see 5—(-5)=10Ip + Vag +515 > svV @ 10=15Iy + Vos Ahora podemos hacer Ia hipétesis acerca de la zona de funcionamiento del transistor NMOS. He aqui: 1" hipétesis. Transistor NMOS de enriquecimiento en corte: Eeuacién: @ Ip-0 Condicién: Vesos Vr Sustituyendo esta iltima ecuacién en las dos anteriores, se obtiene la solucién del cir- cnito:482 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Soluciém: Ing = Isp = Iog= 0 MA, Vesq= 5 V. Voso= 10 V Verificacién de Ia hip6tesis: Voso=5V>Vr=2V no se cumple En consecuencia, debemos hacer una segunda hipdtesis: 2* hipétesis. Transistor NMOS cn saturacién: Eeuacién: e Condiciones: Vgsg2Vr y Vnsg2 Vos De la ecuacién @ se deduce que la cortiente fp depende de la tensidn Ves; ademés, la ley de dependencia es cuadritica: ® I, 6 mA (“23 5-2 Teniendo en cuenta esta tiltima ceuacién y Ia ecuacién @, se deduce que: on 2 4 Ip ZB = 04(Faso-2) = 2459 - esq + 3=0 Esta eouacién tiene dos soluciones: Vgs~3 V y Ves~ 0,5 V. Comprobaremos ahora si se cumple la primera condicién. Es decir, si es Vosp = Vt Vp=2VVesq=0,5V no se cumple la condicion Es decir, s6lo es vélida la primera soluecién: Vesq~ Partiendo de ese valor, calcularemos el resto de las magnitudes, es decir, obtendremos el estado del transistor: Solucién: fgg-0 MA, Ing ~Isq= 0.4 MA, Vasg= 3 V. Vpso= 4 V Verifiquemos ahora si se cumple Ia segunda condicién de la hipdtesis. Es decir, veamos sies Voso = Vosan para que el transistor esté en saturacién, Por lo tanto, primero debemos calcula Var He aqui: Vosue = Rpslp = 1,25 k2-0,4 mA 5 V Como acabamos de calcular, en este caso se tiene que Vpsq = 4 V > 0,5 V. Es decir, se cumple la condicién, por lo que el transistor esta en saturacién, En consecuencia, las tensiones en los terminales del transistor serén las siguientes: =Ves=3Y) (eave Vast = J7. Transistores 483 6. Enel circuito de la figura, calcula las tensiones de los tres terminales del transistor NMOS de enriquecimiento, V, Vo y Vs. +10 V 10MQ oka Indicaremos las magnitudes a calcular y escribiremos las ecuaciones. Como se cumple que 1g=0, se deduce que fy = 1 ¢ Is = Ip. En consecuencia: +10 V LKT en la malla de entrada: © 10000/, = Ves + 6%y LkTen el lazo de entrada: @ 10 = 10000, + 100002, LT en la malla de said © 10=61p+V ps +6ly En lo que respecta a la zona de funcionamiento del transistor NMOS de enriqueci- miento, haremos la siguiente hipétesis: T* hipétesis. Transistor NMOS cn corte: Eeuacién: ® 1-0 Condicién: VesosVr Sustituyendo esta Ultima en las tres anteriores, se obtione la solucién del circuito: Soluciém: Ing = Iso = Iog= 0 mA, h=1=0,5 pA, Vaso=5 V. Vaso = 10 V Verificacién de Ia hipétesis: Vosy—5 V>Vr-1V no se cumple Asi pues, deberemos hacer una segunda hipétesis:484 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 2* hipétesis. Transistor NMOS en saturacién: as vi euacién: © 15 = Loses = Inon "| 22 Veson- Vr Condiciones: Vasg> Vr ¥ Vnsg> Vosue De Ia ecuacién @ se deduce que Ia corriente Tp depende de la tensién Ves; ademés, ta ley de dependencia es cuadritica: 2 © tp=05ma-( "92-1 p= 0,5 ma-("S2=") 0,5(Yoso1)° mA Teniendo en cuenta la ecuacién anterior y las @ y @, se obtiene lo siguiente: 5-% Gon = 0:5(¥eso-I)° + BWasy- SV esp -2=0 Esta ecuacién tiene dos soluciones: Vos=2 Vy Ves=-0,33 V. Verifiquemos ahora si se enmple In primera eondicién. Rs decir, si et Vosp™ Vat Vp=1V < Vosgi=2 V se cumple la condicién Vp=1V > Vesqm=—0,33 V nose cumple la condicién Es decir, s6lo es valida la primera solucién: Vesg=2V Partiendo de ella, obtendremos el resto de las magnitudes del circuito, es decir, obten- dremos cl estado del transistor: Solueién: Fog =0 mA, Ipp= Ig = 0,5 mA, I, = L,= 0,5 HA, Ves =2 Vs Vosg=4V Verifiquemos ahora si se cumple la segunda condicién asociada a la hipStesis. Es decir, veamnos si Vnsq = Vpsvar para que el transistor esté en saturacién, Por lo tanto, primero tenemos que ealoular Vise He aqui: Voss = Ryslp = 2kQ-0,5 mA =1V Como acahamos de calcular, en este caso se tiene que Vpsg= 4 V > 1 V. Es decir, se cumple la condicién, por lo que el transistor esté en saturacién, En consecuencia, las tensiones en los terminales del transistor serdn las siguientes: Vs= Ve Vos=3V Vg= 100007, =5V Vp=Vpst Vg=7V7. Transistores 485 7, Enel cireuito de la figura, calcula cual debe ser el valor de la resis- tencia R para que la corriente de drenador del transistor NMOS de enriquecimiento sea de 0,4 mA. fey R Vp=2V Vos = 5V Le} [J = 900 HA Rug = 5kKQ Resolucién: Empezaremos indicando las magnitudes y escribiendo las ecuaciones circuitales. Ave Vv R Se observa que Vgs= Vg. Ty LKT en la malla de salida: © 10= Rpt Vys En lo que respecta a la zona de funcionamiento del transistor NMOS, podemos decir que no puede estar en corte, ya que queremos que sea Jy = 0,4 mA. En consecuencia, empezaremos haciendo la siguiente hipétesis: 1* hipétesis. Transistor NMOS en saturacion: Eeuacién: @ Vaso Vy ‘Dow * 3s 7 Vesou Vr Condiciones: Vesg2 Vr y Vnsg2 Vor Sustituyendo en la ecuacién @ el valor /p= 0,4 mA: @ [p=0,4mA= 0,9 ma.(“8 Es decir, se obtiene la ecuacién cuadratica siguiente: Veg -4¥ es = 0 Esta ecuacién tiene dos soluciones: Vos=4 V y Vos= 0 V.486 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Verifiquemos ahora si se cumple la primera condicién, Es decir, veamos si esVso = Vt Vr=2VVes=0V no se cumple ta condicién Es decir, s6lo es valida la primera solucié Ves=4V ‘Teniéndola en cuenta, calcularemos el resto de las magnitudes, es decir, obtendremos el estado del transistor: Solucién: fg9=0 MA, Ing =Igg= 0,4 MA, Vgsp= 4 V. Vso =4V Verifiquemos ahora si se cumple la segunda condicién asociada a Ia hipdtesis. Es decir, veatnos si Vpso = Vosvae para que el transistor esté en saturacién, Por lo tanto, primero tenemos que caleular Vs He aqui: Vasa = Roly = 5kQ-0,4 mA = 2 V Como acabamos de calcular, en este caso s¢ tiene que Vpsp = 4 V > 2 V. Es decir, se cumple la condicién, por lo que el transistor esté en saturacién, Teniendo en cuenta los valores calculados, se obtiene el valor necesario de la resistencia R: R=151O 8. Para el circuito de la figura, obtén la curva de transferencia (v., ¥). Para ello, analiza cémo influyen las variaciones de la tensidn de en~ trada (v) sobre la tension de salida (v,). A20V Como siempre, empezaremos indicando las magnitudes a ealeular; para ello, tendremos en cuenta que la salida esta en cireuito abierto, es decir, que por la salida no circula corriente:7. Transistores 487 circuito abierto A continuacién, escribiremos las ecuaciones que se cumplen en el circuit Eeuaciones del circuito: LKT en la malla de salida: © 20=3,61p+Vps La tensién de entrada, v, €s variable (supondremos que entre esos dos puntos de entrada hay un generador de tensién variable, cuya tensién se inctementard desde 0 V a20 V). y tenemos que analizar su influencia sobre la tensién de salida, vp, Como en la ecuacién anterior no aparecen ni la tensién de entrada ni la de salida, debomos encontrar sus expresiones matematicas en funcidn de las otras magnitudes del circuito. Aplicando la LKT tanto en la entrada como en la salida, se obtiene que: y=Ves Y Ve=Vos Ahora, una vez escrita la ecuacién del cireuito, tenemos que obtener otra ecuacién, que seré la ecuacién de comportamiento del transistor, dependiente de la zona de funciona miento. Asi pues, procederemos a hacet las hipétesis pertinentes acerca de la zona de funcionamiento del transistor, que sabemos dependerdn del valor de la tensién de entra- daz I* hipétesis. Transistor en corte: Ecuacién: @ 1-0 Condicién: Voss Vr=1V Solucin: Jg=0mA, Ip=Is=0 mA, Vos= vy Vns=20V Obligando a cumplir la condicin: Vgs=vj<1V = Es decir, cuando la tensién de entrada es inferior a 1 V, el transistor esti en corte, siendo la tensién de satida v, = 20°V. Asi, por el momento sabemos que Ia relacién entre tas tensiones de entrada y de salida para ese circuito es de la forma: vislV OV Ahora debemos analizar qué ocurre cuando v2 1 V.488 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Esté claro que el transistor no estaré en corte; en consecuencia, la hipétesis mas légica serd suponer que ha pasado de corte a saturacién, debido a que el punto de operacién del transistor se mucve sobre la recta de carga del citcuito al variar la tensién de entrada: NMOS de enriquecimiento 2* hipétesis. Transistor en saturacién: Eeuacién: @ Ip = Ipyy = Condiciones: — Vasg2 Vr y Vnsq2Vnsw De esta tiltima ccuacién se deduce que la corriente Ip depende del valor de la tensién de entrada, Sustituyendo ese valor en la ecuacién @, obtendremos la expresién correspon- diente a la tensién de salida: © Vp5 =20-3,6Lp = 20-3,6(y,-1)” En lo que respecta a las condiciones que se deben cumplir para que el transistor esté en saturaeidn, es evidente que la primera se cumple, porque ése ha sido nuestro punto de partida al hacer la segunda hipétesis, es decir, que Vaso = v2 Vr= 1 V. Por el contrario, es necesario obligarle al circuito a cumplir la segunda condicién: tiene que serVinsp = V pss Para que el transistor esté en saturacién. Asi, primero tenemos que calcular Vipsyq Vos = Roglp = Vk02-(y;=1)? mA = (yj =1)? V Obligando a cumplir la condicién: Vs = 20-3,6(v; -1)° = (v; -1)” > En resumen, cunndo Ia tensién de entrada es superior a 1 V pero infrioy a 3,09 V, el transistor esti en saturacién, siendo la tensién de salida v, =20—-3,6(0, 1)"7. Transistores 489 Luego la relacién entre las tensiones de entrada y de salida en el nuevo margen de va- lores queda como sigue: yslV¥ 1Vsys309V_ > v,=2 Ahora tenemos que analizar qué ocurre cuando v;= 3,09 V. Esta claro que el transistor ‘no estaré ni en corte ni en saturacién, por lo que deberd estar en la zona Shmica, 3* hipétesis. Transistor en la zona Shmica: Ecuacién: © Vos = Roslp = Up Condiciones: — Vaso2Vr -y Vnsg Vas: La soluci6n del sistema compuesto por las dos ecuaciones es la siguiente: Solucién: i¢-0mA, Ip~Is~ 4,35 mA, Vos= vi, Vas ~4,35 V Obligando a cumplir la condici6n: ps = 4,35<(v,-1)) > 3,09 V) Es decir, hemos obtenide el valor limite inferior que ya conociamos. En resumidas cuentas, la relacién completa entre las tensiones de entrada y de salida cs la siguiente: yslV > %W=20V 1Vev2309V = 1, =20-3,60-1)'V 3,09Vsv > = 4,35 Graficamente: Yo transistor en corte 20V ‘transistor on saturacign 20 -3,6(y, -1)? transistor en la zona Shmica 435 v |_| 1v 3,09V ; Esta curva de transferencia corresponde al inversor NMOS.490 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos Ejercicios propuestos 71, Transistores bipolares 1, Analiza los circuitos de las figuras siguientes, es decir, indica en qué zona de funcionamiento esti el transistor y calcula las magnitudes in dicadas: SV {* mA ye y mA 1mA 7 0,1 mA 1mA + {5-100 Vor {5-10 15-100 Vee 2. Encuentra en qué zona de funcionamiento estar el transistor del cir- cuito de la figura, en estos dos casos: a) [p= 1 mA; b) J; = 0,1 mA. Asv ~o.1ka p= 100 3. Encuentra el estado del transistor del circuito de la figura y calcula las tensiones en sus tres terminales, Vs, Voy Vr.7. Transistores 491 4, Analiza los circuitos de las figuras siguientes. 10V » 4,7 kee av ——_—__ p=100 5. Indica en qué zona de funcionamiento estard el transistor del circuito de la figura, en los dos casos siguientes: a) R = 0,5 kQ; b) R= 5 kQ. 5Vv 100kQL_ R492 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 6, Analiza el circuito de la figura siguiente, 15V oxo 470 7. Analiza los circuitos de las figuras siguientes y calcula las tensiones en los terminales del transistor, Vn, Vey Ve ®@ trey oh i 1kQ -10V -2V 8. Toniendo en cuenta el circuito de 1a izquierda de la figura siguiente: a) Descubre en qué zona de funcionamiento estara el transistor 7, en estos dos casos: 1) v= 0 V y 2) v,= 4 V. gCudnto valdré en esos casos la diferencia de potencial entre el colector y el emi- sor, Vex? Db) Al circuito anterior se le afiade cl transistor T,, como se observa cn la figura de la derecha. Encuentra cn qué zona de funciona- miento estara el transistor 7, en los dos casos anteriores y cual sera el valor de la corriente /.7. Transistores 493 9. 10. Analiza el circuito de la figura siguiente. ,Cudnto vale la tensién V,? +16V 1k) — 11, El diodo LED del circuito de la figura proporciona luz verde y cuan- do esté conduciendo su tensién es de 2,3 V. Si la ganancia de corriente del transistor es 150, ;cudnto vale la corriente que circula por el diodo cuando el transistor esté en saturacién? ;Cual es el valor de la tensién V,, para que el transistor entre en saturacién?494 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 20V 1kQ 4% Ge <= _\47 x Bo 150 12. Para los dos circuitos de las figuras siguientes, calcula: a) El valor limite de 1a resistencia R para que el transistor empiece aconducir. idue 5 ese valor, maximo 0 minimo? ,Por qué? b) SiesR= | qué zona de fanelonamecio est el transis- tor? ;Por wet eres ¢) El valor limite de la resistencia re para que el transistor entre en. saturacién. {Qué es ese valor, maximo © minimo? {Por qué? + 12,7V Wel. “ioe racién.7. Transistores 495 14, En el circuito de la figura: a) {En qué zona de funcionamiento debe estar el transistor 7; para que el transistor 7, empiece a conducir? ; Cuil debe ser el valor de la resistencia R para que eso ocurra? Si el transistor 7; esti en saturacién, jen qué zona de funciona- micnto estard cl transistor 7)? {Cudnto valdrd la tensién de sali- da, V,, en ese caso? {Qué seré ese valor, maximo o minimo? b) sv jee 15, Para los circuitos siguientes, obtén la curva de transferencia (v,, v). sv 1kQ496 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 16. Para los circuits siguientes, obtén la curva (Io, v). SV, e | = H}282 {5-0 = 17. El transistor del circuito de la figura siguiente tiene una ganancia de corriente de 80, Representa grificamente las rectas de carga corres- pondientes a los circuitos de entrada y de salida. Sies Ry = 390 kQ, (cual es el punto de operacién? Amv T5kQ p-80 18. La curva caracteristica de un transistor es conocida, precisamente la de la figura c. Se conecta dicho transistor en el circuito de la figura a y se miden las magnitudes indicadas en la figura; teniendo en cuenta 0s valores, {cual sera el valor aproximado de la corriente de base? Y encl circuito de la figura b, zcudnto valdra la corriente de colec- tor? 30V i Vv se -~ QS + at7. Transistores 497 Jo mA @ 19, Las curvas caracteristicas de los transistores de los circuitos siguien- tes son conocidas (precisamente la figura c del ejercicio anterior). Calcula el punto de operacién de cada transistor (es decir, I Ic, Vax ¥ Vee) y su ganancia de corriente (p). 10 V, 7 1kQ 15,7V. A 0,25 MQ498 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos 7.2, Transistores JFET 1. Enel circuito de la figura, calcula cudnto valdré la tensién Vps del transistor JFET cuando Vs = 0 V y cuando Vgs = -2,2 V. Los para- _ caracteristicos del transistor JFET son: Inc = 10 MA, Voog = )3,6kQ y G Ke 10V 2. Analiza los circuitos de las figuras siguientes. +15V Aov @ 2,2kQ > ska 5 Togs = MA 4 Ips =30 mA -2V. Vv Vou =-3V on, =6V 3. Encuentra el estado de los transistores de las figuras siguientes y cal- cula las tensiones en sus terminales, Vo, Vp y Vs @ A20v t Ings =5 MA Voy =-5 V 10 MQ. Qe 7 1Ka ot7. Transistores 499 73. Transistores MOS 1. Analiza los circuitos de las figuras siguientes. +15 V 2. Enel circuito de la figura, calcula cual debe ser el valor de la resis- tencia R para que la corriente de drenador del transistor NMOS de empobrecimiento sea de 100 aA. 10V R 3. Enel circuito de la figura, obtén la tensién de drenador, Vp, del tran- sistor NMOS de empobrecimiento en los casos: v,= 0 V, v;=5 V, % =10Vyv,=20V.500 ‘Analisis bésico de circuitos eléctricos y electrénicos hoov 20 kL V,=2V Voom =5V vom] f Ty, = 900 cA Ros =5kQ 4. En el circuito de la figura, calcula la tensidn de drenador, Vp, del transistor NMOS de enriquecimiento. AsV 100 ko V,=2V Vesa =4-V {J 1, =1 mA. Rps = 2 kQ 5. En cl circuito de la figura, calcula cual debe ser el valor de la resistencia R para que la tensién de drenador del transistor NMOS de enriquecimiento sea de 0,1 V. +5 ¥