Difusión  Es el mecanismo por el cual la materia se transporta a través de la

materia.

Mecanismos de Difusión 

 Interdifusión  Movimiento de átomos distintos en direcciones

opuestas.
 Autodifusión  Movimiento a nivel atómico de los átomos de una
posición en la red a otra dentro de un material.
 Mecanismo sustitucional o vacancia.

Tipos de Difusión 

 Intersticial  Difusión de una a otra posición.

 Por Límite de Grano  A lo largo de los límites de grano más rápida que
la de volumen.
 Por Superficie  A lo largo de la superficie de las grietas.
 Por Vacancia  De los átomos cuando un átomo deja una posición de
la red regular.
 Por Volumen  A través del interior de los granos.

Defectos 

Tipos de defectos 

 Defectos Lineales  Provocan una distorsión de la red centrada en

torno a la línea.
Origen  Solidificación o deformación plástica de los materiales.
 Dislocaciones  Imperfecciones lineales en una red de un material
cristalino.
o De Borde  Dislocación introducida en la red al agregar un medio
plano adiciona del átomo.
o De Tornillo  Producida al torcer un cristal de forma que un plano
atómico produce una rampa o escalón en espiral alrededor de la
dislocación.
o Mixta  Componente de Borde y de Tornillo.
 Defectos Puntuales  Alteraciones o discontinuidades puntuales en la
red cristalina.
Origen  Las vacancias se crean en el cristal durante la
solidificación a altas temperaturas o como consecuencia del
movimiento de átomos durante el calentamiento o el procesado
del material, introducción de impurezas o por aleación.
 Tipos 
o Vacancias  Puntos de red vacíos en la estructura del material.
o Átomos Sustituciones  Cuando un átomo diferente sustituye
a un átomo original.
o Átomos intersticiales  Son átomos que ocupan lugares que
no están en la estructura cristalina.
 Defectos Superficiales  Son las fronteras de planos que separan un
material en regiones de la misma estructura cristalina pero con
orientaciones cristalográficas distintas.
 Defectos Volumétricos
 Esfuerzo de Perls Navarro  Esfuerzo cortante, depende del vector de
Burges y el espaciamiento interplanar.
 Defecto Frenkel  Par de defectos puntuales que se producen cuando
un ion se mueve para crear un sitio intersticial dejando atrás una
vacancia.
 Defecto Schottky  Es un par de vacancia en un material de enlace
iónico, deben faltar tanto un anión como un catión de la red si se desea
presentar la naturalidad eléctrica del cristal.