INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

ESIME UNIDAD AZCAPOTZALCO

Alumno: SALAZAR TREJO EMMANUELLE

Electrónica Industrial
GRUPO:6RV1

PROF: Adrián Carlos Amezcua Magaña

TAREA U2-6 MOSFET, PARAMETROS.

1. Drain to Source Voltage

Máximo voltaje de la fuente al drenador que el dispositivo puede bloquear en el estado de

apagado (V ¿¿ DSS)¿, para el encapsulado 2N700 se tiene un valor de 60 Vdc.

2. Drain to Gate Voltage

Voltaje de la puerta al drenador (V ¿¿ DGR)¿, para el encapsulado 2N700 se tiene un valor

de 60 Vdc.

3. Gate to Source Voltage

Máximo voltaje de la fuente a la puerta que el dispositivo puede bloquear en el estado de

apagado (V ¿¿ GS)¿, para el encapsulado 2N700 se tiene una tolerancia de ±20 % (en
continua).

4. Drain Current

Máxima corriente que puede fluir por el dispositivo en el estado de encendido ( I ¿¿ D)¿, para
el encapsulado 2N700 se tiene un valor de 200 mAdc (en continua).

5. Drain to Source Breakdown Voltage

Voltaje de Ruptura entre la Fuente y el Drenador, el cual se refiere a una expansión del
parámetro V DSS (V ¿¿(BR )DSS) ¿, para el encapsulado 2N700 se tiene un valor mínimo de 60
Vdc.

6. Zero Gate Voltage Drain Current

Es la máxima corriente de fuga que el dispositivo permite en su máximo rango de V DSS durante
el estado de apagado ( I ¿¿ D SS)¿ , para el encapsulado 2N700 se tiene un valor 1 mAdc cuando
V DSS =48 Vdc , V GS=0 ,Tj=125C °

7. Gate to Source Leakage Current

Es la máxima corriente de fuga que pasa a través del MOSFET para que este encendido
( I ¿¿ G SS) ¿, para el encapsulado 2N700 se tiene un valor de 1 nAdc

8. Gate to Source Threshold Voltage

Voltaje de Umbral, es el voltaje requerido para la activación o desactivación del MOSFET ¿ ¿,

para el encapsulado 2N700 se tiene un valor que varia de 0.8 a 3 Vdc.
9. Drain to Source On Resistance rDS(ON)
 Son los valore máximos de la resistencia para garantizar que el MOSFET trabaje como un
buen interruptor cuando este encendido, para el encapsulado 2N700 se tiene un valor que
varía de 5 a 6 Ω según los parámetros del MOSFET en cuanto a su V GSe I D .

Bibliografía

Datasheet 2N700

Webgrafía

https://assets.nexperia.com/documents/application-note/AN11158.pdf