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Tecnológico Nacional De

México

Instituto Tecnológico De Delicias

Ing. En Energías Renovables


Electrónica
DESCRIPCION Y CARACTERISTICAS DE LA CONFIGURACIÓN
DEL TRANSISTOR BJT
Integrantes del equipo:
Diana Lizeth Granados Gardea NC: 16540379
César Eduardo Romero Luján NC: 16540251
Estefanía Valles Esquivel NC: 16540507
Vanessa Villalobos Larrazolo NC: 16540518

CATEDRÁTICO: M.C. Luis Arturo Lara

18 septiembre 2019
Hora a entregar 8:00 am – 9 :00 am
OBJETIVO
Esta investigación se elaboró con el fin de conocer las características y el
funcionamiento del transistor BJT ya que es uno de los elementos más utilizados
en electrónica para el buen funcionamiento de los dispositivos electrónicos.
Se pretende que como alumnos sepamos identificar el funcionamiento de las
zonas de corte, saturación y activa del transistor.

INTRODUCCION
El transistor ha sido sin duda uno de los mejores inventos diseñados por el
hombre para operar en circuitos electrónicos ya que cumple funciones como
amplificador, oscilador o conmutador.
Fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en 1949. Se suele
denominar BJT por sus siglas en inglés (bipolar junction transistor)
Se trata de un dispositivo formado por dos uniones y que tiene 3 terminales
llamados: emisor, base y colector.
DESCRIPCION
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo electrónico, mediante el cual se puede
controlar una cierta cantidad de corriente por medio de otra cantidad de corriente,
este  dispositivo consta de 3 patitas, terminales o pines, cada uno de estos pines
tienen un nombre especial, es importante no olvidase de esos nombres, los cuales
son el colector, la base y el emisor, tal como se ve en la imagen, el orden de los
pines depende del transistor que se esté utilizando, para ello será necesario
recurrir a su hoja de datos, en la imagen se puede ver el orden de los pines
correspondientes para el transistor bipolar BC547B.
El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo
p, de acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos
de transistor bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el
funcionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y
de huecos (positivos), de allí el nombre de transistor bipolar o bjt (transistor de
unión bipolar).
CARACTERISTICAS
 Región activa directa en cuanto a la polaridad:
corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región
de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:


corriente de colector = corriente de emisor = 0, (I c = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay caída de voltaje).
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como
un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:


corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (I c ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos.
Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor
desciende por debajo del valor umbral VCE, sat. Cuando el transistor esta en
saturación, la relación lineal de amplificación I c=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.
CONCLUSION
Las distintas formas de uso del BJT hacen de él uno de los elementos más
importantes. Gracias a como fueron evolucionando los transistores, el
funcionamiento de muchos artefactos que tenemos y utilizamos cotidianamente se
fue haciendo más práctico para nosotros.

Fuentes de consulta

http://electronicadigiital.blogspot.com/2017/11/el-transistor-bjt-simbologia.html

http://electronicadigiital.blogspot.com/2017/11/transitores-bjt-definicion.html

http://electronicadigiital.blogspot.com/2017/11/el-transistor-bjt-funcionamiento-y.html