Se aplica un voltaje positivo en el Gate (VGS) y

el Source y el Drain se conectan a tierra: 1. Los

huecos libres en la región de canal se repelen
de tal forma que se crea una región de
agotamiento en la región de canal. Los huecos
se van hacia abajo. 2. Los electrones libres de
las regiones de S y D son atraídos hacia la
región de canal de tal forma que se crea una
región n (CANAL N) que conecta las regiones de
S y D. Si ahora se aplica un voltaje entre D y S la
corriente pasará entre D y S llevada por los
electrones libres del canal
Vt es el voltaje VGS necesario para que se
forme un canal conductor. Para un MOSFET
canal n Vt>0. La profundidad del canal será
proporcional a (VGS -Vt ) Entre el electrodo del
G y el canal n se forma una especie de
condensador (SiO2 dieléctrico) y por ende un E
que controlará la conductividad del canal y así
la corriente entre D y S al aplicarse un VDS.
El MOSFET se comporta como una resistencia
lineal controlada por el VGS