Circuitos Electrónicos 1 Ayudantía 3

AYUDANTÍA Nº3: SEMICONDUCTORES

Ejercicio Nº1
Conteste las siguientes preguntas:

1) ¿Cuál es la clasificación de los sólidos según su conductividad y de qué depende dicho término?
2) Describa la disposición de las bandas de energía en sólidos conforme la clasificación de
conductividad.
3) Describa la razón de usar impurezas en la fabricación de semiconductores y de qué tipo pueden
ser.
4) ¿Qué significa un semiconductor en condición de desequilibrio? Describa un proceso al cual se
llega a ese estado.
5) Describa la juntura de un diodo en condición de polarización inversa. ¿Por qué razón el diodo no
conduce corriente?

Ejercicio Nº2
Una muestra de Silicio de tipo N, en equilibrio térmico y a 300K, posee una resistividad igual a 50 [Ω ∙ cm], una
concentración intrínseca de 1,4 ∙ 10-. [cm/0 ] y una densidad de estados de la banda de conducción de
10-1 [cm/0 ]. Además, las movilidades de electrones y huecos son de 1600 [cm3 𝑉 /- 𝑠 /- ] y 600 [cm3 𝑉 /- 𝑠 /- ]
respectivamente. Calcular:

1) Concentración de electrones y huecos.

2) Localización del nivel de Fermi.
3) Probabilidad de que un estado del nivel dador esté ocupado y la probabilidad de que no esté
ocupado. (El nivel dador vale 𝐸7 − 𝐸9 = 50[𝑚𝑒𝑉] )

Ejercicio Nº3
A temperatura ambiente, a un semiconductor de silicio cuya concentración intrínseca es aproximadamente
10-= [m/0 ] se le agrega una concentración de impurezas 𝑁9 = 103. [m/0 ]. Además, se sacó del equilibrio
inyectando un exceso de portadores de 10-? [m/0 ]. Calcular:

1) La razón 𝑝 𝑛.
2) ¿En qué tanto se ve incrementada la concentración de huecos y electrones debido al proceso de
inyección?
3) ¿El régimen es de baja o alta inyección?

Ejercicio Nº4
Dado un diodo de silicio a temperatura ambiente con los siguientes parámetros:

NC = 9 ∙ 1033 m-0 ; NG = 2 ∙ 1033 m-0 ; µJ = 0,03 m3 V -- s -- ; µN = 0,05 m3 V -- s -- ; τN = τJ = 1 µs

nQ = 1,48 ∙ 10-= m-0

Exprese la corriente I en función de la tensión V.