Circuitos Electrónicos 1 Ayudantía 2

AYUDANTÍA Nº2 : INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES

(2ª PARTE)

Ejercicio Nº1

Considere un material de silicio tipo P se fabrica usando una concentración 𝑁" = 10&' 𝑐𝑚 *+ para
todas las temperaturas.

1) Estime el valor de la conductividad a 20℃, asumiendo una movilidad de 1600 𝑐𝑚 - 𝑉𝑠

para los electrones y de 580 𝑐𝑚 - 𝑉𝑠 para los huecos a dicha temperatura.
2) Determine la concentración requerida de unas nuevas impurezas 𝑁0 de manera tal que
el material compensado tenga, a temperatura ambiente, una conductividad igual al
10% del valor obtenido anteriormente.

Ejercicio Nº2

Para el material de la figura, 𝑛2 = 1,45 ∙ 10&7 𝑐𝑚 *+ y 𝑁0 = 10&8 á𝑡𝑜𝑚𝑜𝑠 𝑐𝑚 + . Calcule:

1) La concentración de huecos antes de encender la luz.

2) La densidad de corriente de huecos en función de x, si la luz produce en la superficie
iluminada un aumento de la concentración de huecos igual a 11 veces su valor de
equilibrio. Suponer que la longitud de difusión para los portadores minoritarios del
material es 𝐿= = 12 ∙ 10*' 𝑐𝑚 y la constante de difusión es 𝐷= = 24 𝑐𝑚 - 𝑠 .
3) Los valores de corriente de huecos para x=0 y x=10*+ si el área de la sección es 1,5 [𝑐𝑚 - ].