CIRCUITOS AMPLIFICADORES JFET

LUIS GUSTAVO ESLAVA CARRERA, YESID ALBEIRO SOTAQUIRA CHAPARRO, DANIEL ESTEBAN GUERRERO
UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS DE AQUINO
TUNJA, COLOMBIA
ELECTRÓNICA II

Resumen— analizar desde la práctica el

comportamiento de los circuitos amplificadores
realizando un diseño que cumpla con los
requisitos para implementar un amplificador
Drain común, Source común, Gate común,
donde podamos ver tanto las señal de entrada
como la de salida de cada unos de los
amplificadores.
Palabras clave: señal, circuito, amplificador.
III. M​ARCO​ T​EÓRICO
● FET canal-n. ​Es un dispositivo de 3 terminales,
con una terminal capaz de controlar la corriente
(G) de las otras 3 terminales (D y S). La
construcción básica del JFET canal-n se muestra
en la siguiente figura. la mayor parte de la
estructura es de material tipo n que forma el
canal entre las capas interiores del material tipo
p.

Abstract—​ analyse from practice the behaviour

of amplifier circuits by performing a design
that meets the requirements required to
implement, a common drain amplifier,
common source, common gate, where we can
see both the input and output signals of each
amplifier.

Keywords: signal, circuit, amplifier.

I. INTRODUCCIÓN

Mediante la realización de un montaje físico y virtual se

hará los respectivos análisis de comportamiento de un
circuito amplificador JFET, con esto haremos una
comparación para saber que lo dicho en teoría tiene
relación en la práctica.
II. .OBJETIVOS
● Analizar el comportamiento del transistor FET
en circuitos de polarización.
● A partir de las mediciones obtenidas, comparar
los resultados teóricos con los resultados
prácticos.
● Utilizar herramientas de simulación para
analizar el comportamiento de los circuitos
implementados.
La parte superior (Drenaje) e inferior (Source) del
canal tipo n se encuentra conectada por medio de un
contacto tipo óhmico. Los 2 materiales de tipo p se
encuentran conectados entre si y también a una
terminal de compuerta (Gate). Por tanto el drenaje y
la fuente se hallan conectadas a los extremos del
canal tipo n y la entrada a las 2 capas de material
tipo p.
Cuando no hay aplicación de voltaje en las
terminales el JFET tiene 2 uniones p-n bajo
condiciones sin polarización. El resultado
es una región de agotamiento en cada unión
la cual se asemeja a la región de un diodo
sin polarización.

El voltaje de la compuerta VGS es el

voltaje que controla al JFET. Así como se
establecieron varias curvas para IC en
función de VCE para diferentes niveles de
IB para el transistor BJT, se pueden
desarrollar curvas de ID en función de VDS
para varios niveles de VGS para el JFET.
Para el dispositivo de canal-n el voltaje de
control VGS se hace mas y mas negativo a
partir de su nivel VGS=0

IV. PROCEDIMIENTO

DRAIN COMÚN

El efecto VGS aplicado de polaridad

negativa es el de establecer regiones de
agotamiento similares a las que se
obtuvieron con VGS=0, pero a niveles FIG.1 (SIMULACIÓN DE DRAIN COMÚN )
menores de VDS.
ANÁLISIS MATEMÁTICO ( DRAIN COMÚN)
Símbolos

Los símbolos gráficos para el JFET de

canal-n y de canal-p se presentan en la
siguiente figura:
 FIG. 3 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL
ENTRADA SALIDA DRAIN COMÚN)

SOURCE COMÚN

FIG.4 (MONTAJE SOURCE COMÚN )

ANÁLISIS MATEMÁTICO (SOURCE COMUN)

FIG.2 (SIMULACIÓN SEÑAL

ENTRADA-SALIDA DRAIN COMÚN )
 A esta frecuencia 275 khz se puede observar que la
señal tiene un desfase de 0 hacia arriba.

FRECUENCIAS BAJAS
Las frecuencias bajas en la práctica no se pudieron
observar ya que son demasiado pequeñas en
teoría las frecuencias bajas oscilan entre 35
Hz y 56 Hz

FIG.5 (SIMULACIÓN SEÑAL ​GATE COMÚN

ENTRADA-SALIDA SOURCE COMÚN )

FIG.6 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL

ENTRADA SALIDA SOURCE COMÚN)
FIG.7 (SIMULACIÓN DE GATE COMÚN )
ANÁLISIS DE FRECUENCIAS
ANÁLISIS MATEMÁTICO ( GATE COMÚN)

FIG.6.1 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL

ENTRADA SALIDA SOURCE COMÚN)
 FIG.9 (RESULTADO PRACTICA SEÑAL ENTRADA
FIG.8 (SIMULACIÓN SEÑAL
ENTRADA-SALIDA GATE COMÚN )
SALIDA GATE COMÚN)
V. CONCLUSIONES
● Se pudo identificar que el circuito de compuerta
común amplifica la señal en fase a frecuencias
medias, a frecuencias muy altas hay un desfase
desde cero arriba y en medias no se pudo
comprobar su comportamiento por lo que se
explicó anteriormente.
● En el modelo de drenaje común se comprobó
que es un circuito seguidor ya que su señal de
entrada es la misma de la salida.
● En el circuito de fuente común se pudo observar
que la señal de salida con respecto a la de
entrada tiene un desfase de 180° con respecto a
la señal de entrada.
V. REFERENCIAS
[1] Dispositivos Electronicos by
Thomas L. Floyd