UNIVERSIDAD CATOLICA

TRABAJO ELECTRONICA I

DIODOS

PROFESOR: ALVARO LOPEZ

ALUMNO: NICOLAS MORALES

Bogotá
2020
Contenido
DIODO ZENER ................................................................................................................................ 5
Caracterización del Zener ...................................................................................................... 5
Características del regulador de voltaje con diodo Zener .................................................... 5
Funcionamiento .................................................................................................................... 6
Aplicaciones........................................................................................................................... 7
Diodo Zener como regulador de voltaje .............................................................................. 8
DIODO LED..................................................................................................................................... 9
COMPOSICION DE LOS LED ................................................................................................... 9
CARACTERISTICAS DEL LED .................................................................................................. 10
FOTODIODO ................................................................................................................................ 11
¿Qué es un fotodiodo? ........................................................................................................ 11
¿Cómo funciona un fotodiodo? .......................................................................................... 11
Diferencia entre LDR o fotoresistencia, fototransistor y fotodiodo ................................... 11
Tipos de fotodiodo .............................................................................................................. 11
DIODO TUNEL .............................................................................................................................. 12
Característica de resistencia negativa del diodo Tunnel ..................................................... 13
DIODO VARICAP .......................................................................................................................... 14
DIODO SCHOTTKY........................................................................................................................ 15
FUNCIONAMIENTO.............................................................................................................. 15
Aplicaciones......................................................................................................................... 16
DIODO PIN ................................................................................................................................... 16
OPERACIÓN: ........................................................................................................................ 16
CARACTERISTICAS:............................................................................................................... 17
DIODO LASER ............................................................................................................................... 17
APLICACIÒN BÀSICA ............................................................................................................ 18
CARACTERISTICAS BASICAS ................................................................................................. 18
Diferencias del diodo láser con un diodo LED. .................................................................... 19
DIODO GUNN .............................................................................................................................. 19
DIODO OLED ................................................................................................................................ 20
ESTRUCTURA BASICA........................................................................................................... 20
PRINCIPAL FUNCIONAMIENTO ............................................................................................ 21
 DIODO ZENER

Caracterización del Zener

El diodo zener viene caracterizado por:
1. Tensión Zener Vz.
2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: ±5%)
3. Máxima corriente Zener en polarización inversa Iz.
4. Máxima potencia disipada. 5. Máxima temperatura de operación del zener.

Características del regulador de voltaje con diodo Zener

El diodo Zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este semiconductor
se fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias que van desde menos de 2
voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia que pueden disipar va desde 0.25
watts hasta50 watts o más.
La potencia que disipa un diodo Zener es simplemente la multiplicación del voltaje
para el que fue fabricado por la corriente que circula por él, es decir:
Pz = Vz x Iz
Donde:
- Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener
- Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)
- Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)
Ejemplo: La corriente máxima que un diodo Zener de 10 Voltios y 50 Watts, podrá
soportar será:
Iz = Pz / Vz = 50/10 = 5 Amperios

El diodo zener basa su funcionamiento en el efecto zener, de ahí su nombre.

Recordaremos que, en polarización inversa y alcanzada esta zona, a pequeños
aumentos de tensión corresponden grandes aumentos de corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha región cuando las condiciones de
polarización lo determinen y una vez hayan desaparecido éstas, recupera sus
propiedades como diodo normal, no llegando por este fenómeno a su destrucción
salvo que se alcance la corriente máxima de zener Imáx indicada por el fabricante.
Lógicamente la geometría de construcción es diferente al resto de los diodos,
estribando su principal diferencia en la delgadez de la zona de unión entre
los materiales tipo P y tipo N, así como de la densidad de dopado de los cristales
básicos.
Sus parámetros principales son:

Funcionamiento
. EL ZENER COMO COMPONENTE
 Como ha quedado expuesto, el diodo zener esta ideado para trabajar con
polarización inversa, careciendo de interés su funcionamiento en polarización
directa, que es igual al de cualquier diodo semiconductor.
La siguiente figura corresponde a su característica tensión-corriente, y en ella nos
apoyaremos para estudiar su funcionamiento.

Cuando el zener está polarizado inversamente con pequeños valores de tensión se

alcanza la corriente inversa de saturación prácticamente estable y de magnitudes
despreciables a efectos prácticos.
Si sigue aumentando la tensión de codo o de giro, donde los aumentos de corriente
son considerables frente a los aumentos de tensión (apréciese en torno a esta tensión
la curvatura de la grafica). Sobrepasada esta zona a pequeños incrementos de tensión
corresponden aumentos elevados de la corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la región de trabajo efectivo
del zener. Debemos hacer ciertas consideraciones en este momento.
 1. Se ha de asegurar que en régimen de trabajo, el diodo sea atravesado como
mínimo por una corriente inversa Iz expresada por el fabricante para excluir la
región de giro del funcionamiento normal.
 2. No se debe sobrepasar en ningún caso Iz max para asegurar la supervivencia
del componente.
 3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensión, Vz ;
aproximadamente el valor medio de ellos representa la tensión nominal del zener
Vz nom
Se suele expresar en las características un porcentaje de tolerancia sobre la tensión
nominal.
 4. La potencia disipada en cada momento, Pz vendrá expresada por el producto de
los valores instantáneos de Vz e Iz
 5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados representan la
región de trabajo
En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que en la región de trabajo,
el zener es capaz de mantener en sus extremos una tensión considerablemente
estable.
El zener como regulador de tension:
En muchas circunstancias la tension aplicada a una carga puede sufrir variaciones
indeseables que alteren el funcionamiento nomal de la misma. Estas variaciones
generalmente vienen provocadas por:
 1. Una variacion de la resistencia de carga, que lleva emparejada una variacion de
la intensidad de carga.
 2. Variaciones de la propia fuente de alimentacion.
 3. Por ambas causas.
Si elegimos un diodo zener de tension nominal igual a la que es necesaria aplicar a la
carga y somos capaces de hacerlo funcionar en su region de trabajo, conseguiremos
una tension sin apenas variaciones.
El objeto de este apartado es diseñar un circuito capaz de conseguirlo, para ellos nos
apoyaremos en ejemplos de cada una de las tres posibles situaciones.

Aplicaciones
DIODO ZENER COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN:
Se coloca el diodo Zener en paralelo con el circuito a proteger, si el voltaje de fuente
crece por encima de VZ el diodo conduce y no deja que el voltaje que llega al circuito
sea mayor a VZ. No se debe usar cuando VF > VZ por largos periodos de tiempo pues
en ese caso se daña el diodo. Se aplica acompañado de lámparas de neón o de
descargadores de gas para proteger circuitos de descargas eléctricas por rayos.

DIODO ZENER COMO CIRCUITO RECORTADOR:

Se usa con fuentes AC o para recortar señales variables que vienen de elementos
de medición (sensores). Cuando VX tiende a hacerse mayor que VZ el diodo entra en
conducción y mantiene el circuito con un voltaje igual a VZ.

CONEXIÓN ANTIPARALELO:
Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro negativo

Si el circuito tiene una resistencia equivalente RC la corriente en el diodo es:

Diodo Zener como regulador de voltaje

Se llama voltaje no regulado aquel que disminuye cuando el circuito conectado a él
consume más corriente, esto ocurre en las fuentes DC construidas con solo el
rectificador y el condensador de filtro, en los adaptadores AC-DC y en las baterías. Un
voltaje regulado mantiene su valor constante aunque aumente o disminuya
el consumo de corriente. Una de las muchas formas de regular un voltaje es con un
diodo Zener.

La condición de funcionamiento correcto es que VF en ningún momento sea menor a

VZ. El voltaje regulado sobre el circuito es VZ.
El cálculo del circuito consiste en conocer el valor adecuado de R, como dato se
requiere el valor de VF, se selecciona una corriente para el Zener (IZ) menor que su
corriente máxima, se calcula o mide la corriente que consume el circuito (IC) cuando
se le aplica VZ, y se calcula:

Para circuitos que consumen alta corriente se usa regulación en conjunto de un diodo
Zener y un transistor en ese caso el voltaje en el circuito es VZ - 07v.

DIODO LED

COMPOSICION DE LOS LED

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, ámbar, infrarrojo, entre otros.
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato.
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de
ZnO, cuya máxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a
altas densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de
corriente ofreciendo una buena luminosidad, utilizándose como dispositivo de
visualización en equipos portátiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p
obtenida por difusión de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado
en un substrato de GaAs, por el método de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
Actualmente se emplea los LED de GaAlAs debido a su mayor luminosidad.
El máximo de radiación se halla en la longitud de onda 660 nm.
LED anaranjado y amarillo: Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos
los rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de
longitud de onda más pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda
prohibida" mediante el aumento de fósforo en el semiconductor. Su fabricación es la
misma que se utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase
gaseosa, la formación de la unión p-n se realiza por difusión de Zn.
Como novedad importante en estos LED se mezcla el área emisora con una trampa
isoelectrónica de nitrógeno con el fin de mejorar el rendimiento.
LED verde: El LED verde está compuesto por GaP. Se utiliza el método de
crecimiento epitaxial del cristal en fase líquida para formar la unión p-n.
Al igual que los LED amarillos, también se utiliza una trampa isoelectrónica de
nitrógeno para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee una
baja probabilidad de transición fotónica, es importante mejorar la cristalinidad de la
capa n. La disminución de impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando la
cristalinidad.Su máxima emisión se consigue en la longitud de onda 555 nm

CARACTERISTICAS DEL LED

Dimensiones y color del diodo

Actualmente los LED tienen diferentes tamaños, formas y colores. Tenemos LED
redondos, cuadrados, rectangulares, triangulares y con diversas formas.
Los colores básicos son rojo, verde y azul, aunque podemos encontrarlos naranjas,
amarillos incluso hay un Led de luz blanca.
Las dimensiones en los LED redondos son 3mm, 5mm, 10mm y uno gigante de 20mm.
Los de formas poliédricas suelen tener unas dimensiones aproximadas de 5x5mm.
Consumo
El consumo depende mucho del tipo de LED que elijamos:

Color Luminosidad Consumo Longitud onda Diámetro

Rojo 1,25 mcd 10 mA 660 nm 3 y 5 mm

Verde, amarillo y 8 mcd 10 mA 3 y 5 mm

naranja

Rojo (alta luminosidad) 80 mcd 10 mA 625 nm 5 mm

Verde (alta luminosidad) 50 mcd 10 mA 565 nm 5 mm

Hiper Rojo 3500 mcd 20 mA 660 nm 5 mm

 Hiper Rojo 1600 mcd 20 mA 660 nm 5 mm

Hiper Verde 300 mcd 20 mA 565 nm 5 mm

Azul difuso 1 mcd 60º 470 5 mm

Rojo y verde 40 mcd 20 mA 10 mm

FOTODIODO

¿Qué es un fotodiodo?

Es un semiconductor de unión P-N, presenta sensibilidad a la presencia de luz

visible e infrarroja. Se podría considerar que un fotodiodo es la combinación de
un diodo común y una fotoresistencia o LDR y de igual manera que el diodo
común éste tiene su polarización. Cabe destacar que este componente electrónico
es mucho más lineal que una fotoresistencia o LDR.

¿Cómo funciona un fotodiodo?

Para un funcionamiento correcto, el fotodiodo es polarizado inversamente

permitiendo de esta manera el flujo de electrones o el flujo de la corriente en sentido
inverso. Estos componentes tienen un lente que permite concentrar la luz que
incide en ellos, por ello, cuando la luz que incide es de suficiente energía puede
excitar un electrón generando movimiento y permitiendo la creación de huecos con
carga positiva. Por lo tanto, entre mayor sea la intensidad de luz que incida en el
fotodiodo mayor será la corriente que fluye.

Diferencia entre LDR o fotoresistencia, fototransistor y fotodiodo

El tiempo de respuesta es la mayor diferencia que podemos encontrar entre el

fotodiodo y el LDR o fotoresistencia, siendo el tiempo de respuesta del fotodiodo
mucho más rápida que el LDR. El fototransistor en realidad es una combinación de
un fotodiodo y un transistor bipolar.

Tipos de fotodiodo

En este caso se presentan dos tipos de fotodiodos que corresponden al fotodiodo

PIN y al fotodiodo de avalancha, para ver más sobre la familia de sensores que
generan una señal eléctrica dependiendo de la luz u otra radiación electromagnética
que reciben, les recomendamos visitar el enlace de fotodetector.

A continuación, presentamos una descripción breve de los tipos de fotodiodos, para

conocer más sobre cada uno les proporcionamos un enlace subrayado que les
permitirá dirigirse a otra página y saber más sobre estos dispositivos electrónicos.
  Fotodiodo PIN: Es un material intrínseco semiconductor de los más comunes
ya que permite que la capa intrínseca se pueda modificar para optimizar la
eficiencia cuántica y el margen de frecuencia.
 Fotodiodo de avalancha: Tiene una estructura muy similar al fotodiodo
común, la ventaja es que permite trabajar con voltajes inversos mayores.
Normalmente se utiliza cuando la potencia recibida puede ser limitada ya que
su responsividad es mayor que los fotodiodos. Su uso no es recomendable en
proyectos en los cuales se emplean señales ya que introducen ruido al
circuito.

DIODO TUNEL

Es un diodo semiconductor que tiene una unión PN como los diodos convencionales,
pero tiene un dopaje 1000 veces mayor, en dicha unión se produce el efecto túnel que
origina una conductancia diferencial negativa en un intervalo de su curva característica
corriente- tensión (grafica 1), esto ocurre cuando la polarización está en directa, lo que
quiere decir es que cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje.

Gráfica 1
El diodo túnel también conocido como Esaki en honor a su inventor se comporta de una
manera muy interesante conforme se va aumentando una tensión aplicada en sentido
directo. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como
oscilador o como biestable (flip-flop en inglés). Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están
relativamente libres de los efectos de la radiación.

Produce un efecto túnel que en La mecánica cuántica nos dice que este efecto permite
que un electrón (o partícula cuántica) penetre y atraviese una zona que, en principio,
estaría prohibida. Con esto nos referimos a que el electrón no tiene suficiente energía
cinética (la que tiene debido a su velocidad, por hacer un análogo clásico) para atravesar
una zona, porque hay un potencial eléctrico, por ejemplo, que debería impedir su paso
por ahí.
Característica de resistencia negativa del diodo Tunnel

Este diodo se comporta de una manera muy interesante conforme se le va

aumentando una tensión aplicada en sentido directo.
– Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunnel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir).
– Si se sigue aumentando esta tensión la corriente aumentará hasta llegar un punto
después del cual la corriente disminuye.
– La corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un “valle” y ….
– Después volverá a incrementarse. En este momento la corriente continuará
aumentando conforme aumenta la tensión.

Este comportamiento de la corriente en función de la tensión en el diodo tunnel se

puede ver en el siguiente gráfico.

donde:

 Vp: Tensión pico

 Vv: Tensión de valle
 Ip: Corriente pico
 Iv: Corriente de valle
La región, en el gráfico, en que la corriente disminuye cuando la tensión aumenta
(entre Vp y Vv) se llama zona de resistencia negativa. El diodo tunnel se llama
también diodo Esaki en honor a su inventor japonés Leo Esaki.
Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso
más rápido que los diodos Schottky.
Desgraciadamente, este tipo de diodo no se puede utilizar en un proceso de
rectificación debido a que tiene una corriente de fuga muy grande cuando están
polarizados en inversa. Así que estos diodos sólo se encuentran en aplicaciones
reducidas como en circuitos osciladores de alta frecuencia.
 DIODO VARICAP

También conocido como “Diodo de Capacidad Variable” o “Varactor”, un Diodo

Varicap aprovecha determinadas técnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensión aplicada, como un capacitor (o condensador) variable.
Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico presenta características que son de
suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de
valores para obtener variaciones en la frecuencia de resonancia de un circuito tanque.
Este minúsculo componente nos permitirá construir entonces, diferentes modelos de
Osciladores Controlados por Tensión (vco) para nuestro Transceptor NeoTeo.
Veamos como funcionan y como haremos para identificar aquellos que resultarán
útiles para nuestros objetivos.
Cuando un diodo es polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que
forman los materiales N y P se agranda, se ensancha, toma mayores distancias a
partir del punto de unión de las junturas. Visto en forma metafórica y práctica, es el
equivalente a dos placas de un capacitor que van separándose a medida que la
tensión de alimentación se incrementa. Este incremento de tensión, provoca una
disminución de la capacidad equivalente final en los terminales del diodo (a mayor
distancia entre placas, menor capacidad final). Por este motivo queda claro el
concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de esta naturaleza
se encuentra en un punto de baja tensión de alimentación (no cero), mientras que la
mínima capacidad final estará determinada por cuánta tensión inversa pueda soportar
entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos, los más habituales suelen
encontrarse entre 3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para ejemplos como el diodo
bb148 de NXP.. Con una tensión menor a un volt alcanza su máxima capacidad,
llegando al mínimo valor con 12 o 13Volts, según podemos ver en la gráfica obtenida
de su hoja de datos.
Uno de los mayores problemas, cuando salimos a la cacería caníbal dediodos varicap,
dentro de los viejos selectores de canales de televisión, es saber si serán útiles para
nuestro propósito dentro del vco (Oscilador Controlado por Tensión) que tengamos en
mente, o en construcción. La regla a saber es muy sencilla y nos habla de que si
tenemos una cantidad constante de espiras en una inductancia o bobina, la variación
de capacidad nos permitirá aumentar o disminuir la frecuencia de trabajo de
nuestro vco. Muy sencillo: las espiras no varían, lo que debemos cambiar es la tensión
aplicada a los diodos varicap para emular un cambio de capacidad dentro del
circuito tanque L – C. Cuanto mayor sea el rango de variación de la capacidad, mayor
será el espectro de frecuencias a la que trabajará nuestro oscilador. Por supuesto,
aquí no hay magia, hay límites técnico – prácticos y los márgenes estarán delimitados
por todo el conjunto de materiales que forman el vco. Por lo tanto, debemos aprender
a “medirlos” a “ensayarlos” en forma estática y dinámica para poder determinar sus
valores máximos y mínimos de capacidad. Demos un vistazo a la teoría de trabajo que
abordaremos.
 DIODO SCHOTTKY

Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden
de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan
en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben
también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores
calientes.

FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material
semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera,
la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto
se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante
relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando
también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una
película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en
la figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la
movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica
será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.

Figura 1. Encapsulado comercial de un diodo Schottky.

En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones
del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la
ensambladura.

Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de
los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un
dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la
tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

Figura 3. Curva característica.

En los anexos podremos ver algunas características y curvas específicas de
funcionamiento del diodo Schottky ante diferentes parámetros tales como temperatura,
capacitancia, etc.

Aplicaciones
 En fuentes de baja tensión en la cuales las caídas en los rectificadores son
significativas.
 Circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y
mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía.
 Variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.

DIODO PIN

Diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor

intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da
nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por
una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν).
La región intrínseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La
región intrínseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores, pero hace que
el diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores rápidos, fotodetectores, y
aplicaciones de electrónica de potencia de alta tensión.

OPERACIÓN:
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección de alto nivel. En otras
palabras, la región intrínseca "i" se inunda con los portadores de carga de las regiones
de "n", "p" y. Su función se puede comparar a llenar un cubo de agua con
un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza el nivel del agujero en el que
comenzará a derramar. Del mismo modo, el diodo conducir la corriente una vez que
los electrones y los huecos inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el número
de electrones es igual al número de agujeros en la región intrínseca. Cuando el diodo
está polarizado hacia adelante, la concentración de portadores inyectada es
típicamente varios órdenes de magnitud más alta que la concentración de portadores
nivel intrínseco. Debido a esta inyección de alto nivel, que a su vez se debe al proceso
de agotamiento, el campo eléctrico se extiende profundamente en la región.
Este campo eléctrico ayuda en la aceleración del transporte de portadores de carga
desde la P a la región N, que se traduce en un funcionamiento más rápido del diodo,
por lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.

CARACTERISTICAS:
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de
baja frecuencia. A frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia casi
perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en la región intrínseca. A bajas
frecuencias, la carga se puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias más altas, no
hay tiempo suficiente para retirar la acusación, por lo que el diodo no se apaga nunca.
El diodo PIN tiene un mal tiempo de recuperación inverso.

La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua

de polarización a través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo
tanto, actúa como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede
variar en un amplio intervalo.

La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia baja
polarizado inversamente.

En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la

región intrínseca. Esta región de agotamiento es mucho más grande que en
un diodo PN, y casi constante de tamaño, independiente de la polarización inversa
aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que los pares electrón-hueco pueden
ser generados por un fotón incidente. Algunos dispositivos fotodetectores, tales
como fotodiodos PIN y fototransistores, utilizan una unión pin en su construcción.

El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El aumento de las

dimensiones de la región intrínseca permite que el diodo se vea como una resistencia
a frecuencias más bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar
el diodo y su capacitancia en derivación. Diodos PIN se adaptarán para un uso
particular.

DIODO LASER

Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual surge
cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado excitado a pasar
al estado de reposo, este proceso esta acompañado con la emisión de un fotón, con la
misma frecuencia y fase del fotón estimulante. Para que el numero de fotones
estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontánea, para que se
compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza espectral, es necesario
por un lado tener una fuerte inversión de portadores, la que se logra con una
polarización directa de la unión, y por el otro una cavidad resonante, la cual posibilita
tener una trayectoria de retroalimentación positiva facilitando que se emitan mas
fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas longitudes de onda haciendo mas
angosto al espectro emitido.

La presencia de una inversión grande de portadores y las propiedades de la cavidad

resonante hacen que las características de salida (potencia óptica como función de la
corriente de polarización) tenga un umbral a partir del cual se obtiene emisión
estimulada, el cual es función de la temperatura.

Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que
significa que todas las ondas luminosas están en fase entre sí. La idea básica de un
diodo láser consiste en usar una cámara resonante con espejos que refuerza la
emisión de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta
resonancia, un diodo láser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso,
enfocado y puro.

El diodo láser también se conoce como láser semiconductor o también conocidos

como láseres de inyección, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o
azul) y luz invisible (infrarroja).

Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.

APLICACIÒN BÀSICA

La aplicación básica que se le ha dado al diodo LASER es como fuente de

alimentación lumínica para sistemas de telecomunicaciones vía fibra óptica. El diodo
láser es capaz de proporcionar potencia óptica entre 0.005-25mW, suficiente para
transmitir señales a varios kilómetros de distancia y cubren un intervalo de longitud de
onda entre 920 y 1650 nm. Sin embargo para utilizar un diodo láser como fuente
lumínica, es necesario diseñar un sistema de control que mantenga el punto de
operación del sistema fijo, debido a que un corrimiento de este punto puede sacar al
diodo fuera de operación o incluso dañarlo.

CARACTERISTICAS BASICAS

Característica de salida de los diodos láser Dependencia de la característica de salida

como Función de la temperatura
Los diodos láser son más recomendables como fuentes ópticas para sistemas de
comunicación con grandes separaciones entre repetidores y altas velocidades de
transmisión. Se puede lograr distancias de 100Km sin repetidores con velocidades de
1 GHz.

Diferencias del diodo láser con un diodo LED.

LASER
*Más rápido
*Potencia de salida mayor
*Emisión coherente de luz
*Construcción es más compleja
*Actúan como fuente s adecuadas en Se acoplan a fibras ópticas en distancias
sistemas de telecomunicaciones
*Modulación a altas velocidades,
hasta GHz
LED
*Mayor estabilidad térmica
*Menor potencia de salida, mayor tiempo de
vida
*Emisión incoherente
*Mas económico
cortas de transmisión
*Velocidad de modulación hasta 200MHz

DIODO GUNN

Es un dispositivo semiconductor pasivo con dos.Los terminales, que se componen de

solo un material semiconductor dopado con n, a diferencia de otros diodos que
consisten en una unión p-n. Los diodos de Gunn se pueden fabricar a partir de
materiales que consisten en valles de energía múltiples, inicialmente vacíos y muy
espaciados en su banda de conducción como arseniuro de galio (GaAs), fosfuro de
indio (InP), nitruro de galio (GaN), telururo de cadmio (CdTe) , Sulfuro de Cadmio
(CdS), Arseniuro de Indio (InAs), Antimonida de Indio (InSb) y Selenida de Zinc
(ZnSe). El procedimiento general de fabricación implica el crecimiento de una capa
epitaxial en un sustrato n + degenerado para formar tres capas semiconductoras de
tipo n (Figura 1a), donde las capas extremas están fuertemente dopadas cuando se
comparan con la capa activa media.

Además, los contactos metálicos están provistos en cualquiera de los extremos del
diodo Gunn para facilitar la desviación. El símbolo del circuito para Diodo Gunn es
como se muestra en la Figura 1b y difiere de ese diodo normal para indicar la ausencia
de unión p-n.

Al aplicar una tensión continua a través de los terminales deEl diodo de Gunn, un
campo eléctrico se desarrolla a través de sus capas, la mayoría de las cuales aparece
en la región activa central. En las etapas iniciales, la conducción aumenta debido al
movimiento de electrones desde la banda de valencia hacia el valle inferior de la
banda de conducción.

La gráfica V-I asociada se muestra mediante la curva en la Región 1 (coloreada en

rosa) de la Figura 2. Sin embargo, después de alcanzar un cierto valor de umbral (Vth),
la corriente de conducción a través del diodo Gunndisminuye como lo muestra la curva
en la Región 2 (coloreada en azul) de la figura. Esto se debe a que, a voltajes más
altos, los electrones en el valle inferior de la banda de conducción se mueven hacia su
valle más alto, donde su movilidad disminuye debido a un aumento en su masa
efectiva. La reducción en la movilidad disminuye la conductividad que conduce a una
disminución en la corriente que fluye a través del diodo. Como resultado, se dice que
el diodo exhibe una región de resistencia negativa (región que abarca desde el punto
pico hasta el punto del valle) en la curva característica V-I. Este efecto se llama efecto
electrónico transferido y por lo tanto el Diodos de Gunn También se llaman
dispositivos de electrones transferidos.

Además, hay que señalar que la transferencia deEl efecto electrónico también se llama
efecto Gunn y lleva el nombre de John Battiscombe Gunn (J. B. Gunn) después de su
descubrimiento en 1963, que mostró que uno podría generar microondas al aplicar un
voltaje constante a través de un chip de semiconductor GaAs de tipo n. Sin embargo,
es importante tener en cuenta que el material utilizado para fabricar diodos de Gunn
debe ser necesariamente de tipo n, ya que el efecto electrónico transferido es válido
solo para electrones y no para agujeros. Además, como los GaAs son malos
conductores, los diodos de Gunn generan un calor excesivo y, por lo tanto, suelen
tener un disipador de calor. Además, en las frecuencias de microondas, un impulso de
corriente viaja a través de la región activa que se inicia a un valor de voltaje particular.
Este movimiento de pulso de corriente a través de la región activa reduce el gradiente
de potencial a través de él, lo que a su vez evita la formación de pulsos de corriente
adicionales. El siguiente pulso de corriente puede generarse solo cuando el pulso
generado previamente llega al extremo lejano de la región activa, lo que aumenta el
gradiente de potencial una vez más. Esto indica que el tiempo que tarda el impulso
actual en atravesar la región activa decide la velocidad a la que se generan los
impulsos actuales y, por lo tanto, fija la frecuencia operativa del diodo Gunn. Por lo
tanto, para variar la frecuencia de oscilación, uno tiene que variar el grosor de la región
activa central. Además, debe observarse que la naturaleza de la resistencia negativa
mostrada por el diodo de Gunn le permite funcionar como amplificador y como
oscilador. los ventaja de los diodos de Gunn Se encuentra en el hecho de que son
los más baratos.La fuente de microondas, de tamaño compacto, opera en un gran
ancho de banda y posee una estabilidad de alta frecuencia. Sin embargo, su voltaje de
activación es alto, son menos eficientes por debajo de 10 GHz y muestran una
estabilidad de temperatura deficiente. Sin embargo, Diodos de Gunn son
ampliamente utilizados

DIODO OLED

Un Diodo orgánico de emisión de luz, también conocido como OLED (acrónimo

inglés de organic light-emitting diode), es un diodo que se basa en una
capa electroluminiscente formada por una película de componentes orgánicos que
reaccionan, a una determinada estimulación eléctrica, generando y emitiendo luz por
sí mismos.

ESTRUCTURA BASICA
Un OLED está compuesto por dos finas capas orgánicas: una capa de emisión y una
capa de conducción, que a la vez están comprendidas entre una fina película que hace
de terminalánodo y otra igual que hace de cátodo. En general estas capas están
hechas de moléculas o polímeros que conducen la electricidad. Sus niveles de
conductividad eléctrica se encuentra entre el nivel de un aisladore y el de un
conductor, y por ello se los llama semiconductores orgánicos (ver polímero
semiconductor). La elección de los materiales orgánicos y la estructura de las capas
determinan las características de funcionamiento del dispositivo: color emitido, tiempo
de vida y eficiencia energética. Existen muchas tecnologías OLED diferentes, tantas
como la gran diversidad de estructuras (y materiales) que se han podido idear (e
implementar) para contener y mantener la capa electroluminiscente, así como según el
tipo de componentes orgánicos utilizados. Las principales ventajas de las pantallas
OLED son: más delgados y flexibles, más contrastes y brillos, mayor ángulo de visión,
menor consumo y, en algunas tecnologías, flexibilidad. Pero la degradación de los
materiales OLED han limitado su uso por el momento. Actualmente se está
investigando para dar solución a los problemas derivados de esta degradación, hecho
que hará de los OLED una tecnología que puede reemplazar la actual hegemonía de
las pantallasLCD (TFT) y de la pantalla de plasma. Por todo ello, OLED puede y podrá
ser usado en todo tipo de aplicaciones: televisores, monitores, pantallas
de dispositivos portátiles (teléfonos móviles, PDA, reproductores de audio...),
indicadores de información o de aviso, etc., con formatos que bajo cualquier diseño
irán desde unas dimensiones pequeñas (2 pulgadas) hasta enormes tamaños
(equivalentes a los que se están consiguiendo con LCD). Mediante los OLED también
se pueden crear grandes o pequeños carteles de publicidad, así como fuentes de luz
para iluminar espacios generales.[1] Además, algunas tecnologías OLED tienen la
capacidad de tener una estructura flexible, lo que ya ha dado lugar a desarrollar
pantallas plegables o enrollables, y en el futuro quizá pantallas sobre ropa y tejidos,
etc.

PRINCIPAL FUNCIONAMIENTO

Se aplica voltaje a través del OLED de manera que el ánodo sea positivo respecto del
cátodo. Esto causa una corriente de electrones que fluye en este sentido. Así, el
cátodo da electrones a la capa de emisión y el ánodo los sustrae de la capa de
conducción. Seguidamente,la capa de emisión comienza a cargarse negativamente
(por exceso de electrones), mientras que la capa de conducción se carga con huecos
(por carencia de electrones). Las fuerzas electrostáticas atraen a los electrones y a los
huecos, los unos con los otros, y se recombinan (en el sentido inverso de la carga no
habría recombinación y el dispositivo no funcionaría). Esto sucede más cerca de la
capa de emisión, porque en los semiconductores orgánicos los huecos se mueven
más que los electrones (no ocurre así en los semiconductores inorgánicos). La
recombinación es el fenómeno en el que unátomo atrapa un electrón. Dicho electrón
pasa de una capa energética mayor a otra menor, liberándose una energía igual a la
diferencia entre energías inicial y final, en forma de fotón. La recombinación causa una
emisión de radiación a una frecuencia que está en la región visible, y se observa un
punto de luz de un color determinado. La suma de muchas de estas recombinaciones,
que ocurren de forma simultánea, es lo que llamaríamos imagen.