Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con

JFET

John Alexander Merchán Castillo.

Marzo 2019.

Universidad Nacional Abierta Y A Distancia.

Ingeniería En Telecomunicaciones.
Electrónica Análoga
GRUPO_243006_7
 INTRODUCCION
FET o Field efect transistor, este dispositivo realiza una tensión que
genera un campo eléctrico. Este compuesto por sus terminales puerta
(G), fuente (S), y drenador (D). El efecto depende del material en que
se cree el canal de conducción canal n o canal p.

La ecuación de entrada está dada por la curva característica de

transferencia universal, donde se pueden deducir de manera analítica el
funcionamiento del JFET. Cuando la tensión en la puerta y fuente sea
menor que el módulo de tensión de estrangulamiento cae el JFET en zona
de saturación. La zona óhmica es la zona bajo la curva
Si |VGS| > |Vp| la corriente de drenaje es cero ID=0

La ecuación de salida esta dada por la curva característica de drenaje, la

corriente de drenaje aumenta, así como la tensión de salida drenaje
fuente, es decir que a partir de una tensión la corriente deja de aumentar.
De tal manera la comprensión del funcionamiento del transistor es un
análisis riguroso, el cual pretende hacer entender las funciones como
amplificador, interruptor o también resistencia.
 CONTENIDO
1. Argumentación.

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.

a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG
debe ser alto?
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con
JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar
trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución llamada amplificador
de baja señal con JFET, el cual permite restaurar señales débiles en los diferentes
circuitos de transmisión y recepción de información las especificaciones dadas
para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: 2N3819
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño
se trabajara IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la

empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica,
una argumentación y la validación de la solución. Además, de ser aprobada la
propuesta, se deberá realizar una implementación real y para ello se contará con
acceso a los laboratorios.

Actividades a desarrollar

Individuales:

1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)
 Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador
Fuente Autor.

1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2,

Cada estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de
funcionamiento del circuito anterior.

Argumentación.

(Segunda Semana).

El jfet n con auto polarización:

Utiliza una fuente DC y una serie de resistencias en el drenaje en la fuente y en la
compuerta. Define el voltaje con puerta fuente que a su vez controla corriente del
drenaje.
Un transistor tiene una curva de transconductancia no lineal que relaciona la
corriente del drenaje con el voltaje compuerta fuente. Dentro de la región de
saturación escoge un punto de operación dependiendo los valores de las
resistencias.
La corriente de la compuerta es = 0
𝑉
Si miramos la 𝐼𝐷 = − 𝑅𝐺𝑆 quiere decir que es una pendiente negativa esto indica
𝑆
un comportamiento igual a:
 Punto de
operacion

Resistencia de la compuerta RG

Los condensadores son cortos abiertos, y la resistencia de mas de 1M , toda

la tensión en un circuito en serie va a caer en la resistencia de mayor valor.

El voltaje de la compuerta es 0 V.

Por medio del voltaje de compuerta de salida comprendemos cual es el

punto de operación de la siguiente forma:

VGS= -ID *RS

Que por medio de las mallas de Kirchhoff identificamos los puntos en la
recta.

Al hallar el punto de operación Q, ID = IDSS/2

Y VGS = RS *IDS/2
Luego resolvemos las mallas de Kirchhoff de la segunda malla que es la de
salida:

VDD= VDD+VDS+RS*IS
VDD= VDS +(RD+RS)*ID
VDS=VDD-(RD+RS)*ID
POR LO CUAL

VDS CORTE =VDD ID SATURACION = VDD /(RD+RS)

La resistencia de drenaje RD = (VCC – VD) / ID

Debemos conocer el voltaje drenaje fuente Ds
𝑉𝐺𝑆 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
La resistencia fuente Rs = 𝐼𝐷𝑆𝑆

𝑉𝐺𝑆 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 se encuentra en el datasheet del jfet pero este debe solo se debe tener
en cuenta + o – la mitad.

Y la corriente de compuerta de saturación de corte 𝐼𝐷𝑆𝑆 igual se encuentra en el

datasheet.
D
ID 3mA
VD 10V
VGSOFF 8V
VCC 20V
RD 3,3K
RS 500
VGS 1,5 V

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: 2N3819
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V

𝑉𝐺𝑆 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
Rs = 𝐼𝐷𝑆𝑆
 −8 𝑉
16𝑚𝐴

La resistencia de compuerta es de 500 ohmios

VGS = - ID∙ RS
-8 V= - ID∙ ∙ 500Ω

8
500
𝑉𝐺𝑆
−𝐼𝐷 =
𝑅𝑠

8
𝐼𝐷 =
500
𝐼𝐷 = 0.016
𝐼𝐷 = 16 mA

RS = VGS (off) / IDSS

RS = -8v / 16mA

−𝟖𝑽
Rs = 𝟏𝟔 𝒎𝑨

Gm = ID / VGS

Gm = 3mA / -1.5V

Gm = -2ms

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

RD = (20 – 10) / 3mA

RD = (10) / 3mA
RD = 3.3 K Ω
AV = -Gm∙ RD
Av = -6m*3.3 K Ω
Av = 6.66

Gm = ID / VGS
Gm = 3mA / -1.5V

Gm = -2ms

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.

-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

RD = (VCC – VD) / ID

RD = (20 – 10) / 3mA

RD = (10) / 3mA
RD = 3.3 K Ω

-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
𝑉𝐺𝑆 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒
Rs = 𝐼𝐷𝑆𝑆
−8 𝑉
16 𝑚𝐴

1. La resistencia de compuerta es de 500 ohmios

-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de
RG debe ser alto?
La polarización del jfet es tipo N, y es auto polarización, el valor de RG es
alto por que es necesario que toda la tensión en un circuito en serie va a caer
en la resistencia de mayor valor. La idea es que la tensión no pase a tierra si
no a compuerta (Gateway).
 -Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

Reactancia es la oposición al flujo de corriente alterna.

1
𝑋𝑐 =
2∗𝜋∗𝑓∗𝐶

1
𝑋𝑐 =
2 ∗ 3.14 ∗ 1𝑘 𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹
1
𝑋𝑐 =
2 ∗ 3.14 ∗ 1 𝐻𝑧 ∗ 10𝑢𝐹

Xc = 15.92

1
𝑋𝑐 =
2∗𝜋∗𝑓∗𝐶

1
𝑋𝑐 =
2 ∗ 3.14 ∗ 1𝑘 𝐻𝑧 ∗ 0.1𝑢𝐹
1
𝑋𝑐 =
2 ∗ 3.14 ∗ 1 𝐻𝑧 ∗ 0.1𝑢𝐹

Xc = 1592.35

-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

AV = -Gm∙ RD
Av = -6m*3.3 K Ω
Av = 6.66
2. Solución.
(Tercera semana)

2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto
en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes
mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.

-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- Valor de VDS.

- Valor de VGD.

- Valor de la corriente ID.

amplificadorjfet.pd
sprj
 CONCLUSIONES

El análisis del JFET tiene un análisis mas riguroso que el BJT, ya que las
resistencias son las que permiten el funcionamiento de este. Estas resistencias
como son la RD y la RS si queremos que funcionen en el laboratorio deben ser lo
mayormente parecidos a los resultados obtenidos, así garantizaremos las mismas
mediciones.

Podemos deducir que para el análisis de JFET, se analizan dos ecuaciones la de

entrada y la de salida para permitir utilizarlo, la autopolarizacion utiliza solo una
fuente y la resistencia RS polariza la compuerta, el VGS decide cuanta es la
corriente de drenaje ID, y es igual a IS, RG debe ser grande de megaohmnios.

El punto de operación en auto polarización de entrada, depende de VGS e ID, y el

punto de operación de salida del JFET será VDSQ,IDQ. Y IDQ para VGSQ.
 BIBLIOGRAFIA

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica

Análoga para Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.
action?ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-

167). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.
action?ppg=127&docID=11201676&tm=1482089571374

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus

aplicaciones(pp.154-178). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.
action?ppg=171&docID=10433916&tm=1482091898589

Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET.

[Video] Recuperado
de https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-

166). Recuperado
de https://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2538/lib/unadsp/reader
.action?ppg=127&docID=4499427&tm=1547220910363