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Cuarta edición

ELECTRÓNICA
DE POTENCIA

MUHAMMAD H. RASHID
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
CUARTA EDICIÓN

Muhammad H. Rashid
Fellow IET,
Life Fellow IEEE
Electrical and Computer
Engineering
University of West Florida

Traducción
Rodolfo Navarro Salas
Ingeniero Mecánico
Universidad Nacional Autónoma de México

Revisión técnica
Brahim El Filali
Academia de Sistemas
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería
y Tecnologías Avanzadas (UPIITA)
Instituto Politécnico Nacional, México
Datos de catalogación bibliográfica

RASHID, MUHAMMAD, H
Electrónica de potencia
Cuarta edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2015

ISBN: 978-607-32-3325-5
Área: Ingeniería

Formato: 20 × 25.5 cm Páginas: 680

Authorized translation from the English language edition entitled Power Electronics, 4th Edition, by Muhammad H. Rashid,
published by Pearson Education, Inc., publishing as Prentice Hall, Copyright © 2014. All rights reserved.
ISBN 9780133125900

Traducción autorizada de la edición en idioma inglés titulada Power Electronics, 4a edición, por Muhammad H. Rashid,
publicada por Pearson Education, Inc., publicada como Prentice Hall, Copyright © 2014. Todos los derechos reservados.

Esta edición en español es la única autorizada.

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CUARTA EDICIÓN, 2015

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El préstamo, alquiler o cualquier otra forma de cesión de uso de este ejemplar requerirá también la autorización del editor
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ISBN LIBRO IMPRESO: 978-607-32-3325-5


ISBN E-BOOK: 978-607-32-3328-6

Impreso en México. Printed in Mexico.


1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 - 18 17 16 15

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A mis padres, mi esposa Fatema, y
mis hijos: Fa-eza, Farzana, Hasan, Hannah, Laith, Laila y Nora
Contenido

Prefacio xvii
Acerca del autor xxiii

Capítulo 1 Introducción 1
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 2
1.2 Historia de la electrónica de potencia 4
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 6
1.4 Diseño de equipo electrónico de potencia 10
1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11
1.6 Efectos periféricos 12
1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15
1.7.1 Características ideales 15
1.7.2 Características de los dispositivos prácticos 16
1.7.3 Especificaciones de un conmutador 18
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19
1.9 Características de control de dispositivos de potencia 25
1.10 Opciones de dispositivos 25
1.11 Módulos de potencia 29
1.12 Módulos inteligentes 29
1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31
Resumen 32
Referencias 32
Preguntas de repaso 33
Problemas 33

PARTE I Diodos de potencia y rectificadores 35

Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados 35


2.1 Introducción 36
2.2 Lo básico de los semiconductores 36
2.3 Características del diodo 38
2.4 Características de recuperación inversa 41
2.5 Tipos de diodos de potencia 44
2.5.1 Diodos de uso general 44
2.5.2 Diodos de recuperación rápida 45
2.5.3 Diodos Schottky 46
v
vi Contenido

2.6 Diodos de carburo de silicio 46


2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47
2.8 Modelo SPICE de diodo 48
2.9 Diodos conectados en serie 49
2.10 Diodos conectados en paralelo 53
2.11 Carga RC conmutada por diodo 54
2.12 Carga RL conmutada por diodo 56
2.13 Carga LC conmutada por diodo 58
2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61
2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 68
Resumen 72
Referencias 72
Preguntas de repaso 73
Problemas 73

Capítulo 3 Diodos rectificadores 79


3.1 Introducción 80
3.2 Parámetros de desempeño 80
3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 82
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85
3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga
altamente inductiva 92
3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 94
3.7 Rectificadores trifásicos 98
3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 102
3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 106
3.10 Comparaciones de diodos rectificadores 108
3.11 Diseño de un circuito rectificador 108
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 120
3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 124
3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127
3.14.1 Capacitores de película de ca 127
3.14.2 Capacitores de cerámica 128
3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio 128
3.14.4 Capacitores de tantalio sólido 129
3.14.5 Supercapacitores 129
Resumen 129
Referencias 129
Preguntas de repaso 130
Problemas 130

PARTE II Transistores de potencia y convertidores de CD a CD 134

Capítulo 4 Transistores de potencia 134


4.1 Introducción 135
4.2 Transistores de carburo de silicio 136
4.3 MOSFETs de potencia 137
Contenido vii

4.3.1 Características en estado estable 140


4.3.2 Características de conmutación 143
4.3.3 MOSFETs de carburo de silicio 145
4.4 COOLMOS 147
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149
4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs 149
4.5.2 Estructuras de JFET de carburo de silicio 153
4.6 Transistores bipolares de unión 156
4.6.1 Características de estado estable 157
4.6.2 Características de conmutación 161
4.6.3 Límites de conmutación 168
4.6.4 BJTs de carburo de silicio 169
4.7 IGBTs 170
4.7.1 IGBTs de carburo de silicio 173
4.8 SITs 174
4.9 Comparaciones de transistores 175
4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 175
4.11 Limitaciones de di/dt y dv/dt 179
4.12 Funcionamiento en serie y en paralelo 182
4.13 Modelos SPICE 184
4.13.1 Modelo SPICE de un BJT 184
4.13.2 Modelo SPICE de MOSFET 186
4.13.3 Modelo SPICE de IGBT 187
4.14 Control de compuerta de MOSFET 189
4.15 Control de compuerta de JFET 191
4.16 Excitación de base de BJT 192
4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 197
4.17.1 Transformadores de pulsos 199
4.17.2 Optoacopladores 199
4.18 Circuitos integrados de excitación de compuerta 200
Resumen 202
Referencias 203
Preguntas de repaso 206
Problemas 208

Capítulo 5 Convertidores CD-CD 210


5.1 Introducción 211
5.2 Parámetros de desempeño de convertidores CD-CD 211
5.3 Principio de la operación de reducción 212
5.3.1 Generación del ciclo de trabajo 216
5.4 Convertidor reductor con carga RL 217
5.5 Principio de la operación de elevación 222
5.6 Convertidor elevador con una carga resistiva 225
5.7 Parámetros que limitan la frecuencia 227
5.8 Clasificación de los convertidores 228
5.9 Reguladores en modo de conmutación 232
5.9.1 Reguladores reductores 233
5.9.2 Reguladores elevadores 237
5.9.3 Reguladores reductores-elevadores 241
viii Contenido

5.9.4 Reguladores Cúk 245


5.9.5 Limitaciones de la conversión con una sola etapa 251
5.10 Comparación de los reguladores 252
5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 253
5.12 Convertidor elevador alimentado por diodo rectificador 256
5.13 Modelos promediados de convertidores 258
5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 264
5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 268
5.16 Circuito integrado excitador para convertidores 273
Resumen 275
Referencias 277
Preguntas de repaso 279
Problemas 279

PARTE III Inversores 282

Capítulo 6 Convertidores CD-CA 282


6.1 Introducción 283
6.2 Parámetros de desempeño 283
6.3 Principio de funcionamiento 285
6.4 Puentes inversores monofásicos 289
6.5 Inversores trifásicos 295
6.5.1 Conducción de 180 grados 296
6.5.2 Conducción durante 120 grados 303
6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 306
6.6.1 Modulación por ancho de pulsos múltiples 306
6.6.2 Modulación por ancho de pulso senoidal 309
6.6.3 Modulación por ancho de pulso senoidal modificada 312
6.6.4 Control por desplazamiento de fase 315
6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 316
6.7.1 PWM senoidal 317
6.7.2 PWM de 60 grados 320
6.7.3 PWM por terceros armónicos 320
6.7.4 Modulación por vector espacial 323
6.7.5 Comparación de las técnicas de PWM 335
6.8 Reducciones armónicas 335
6.9 Inversores con fuente de corriente 340
6.10 Inversor de enlace de cd variable 342
6.11 Inversor elevador 344
6.12 Diseño del circuito inversor 349
Resumen 354
Referencias 354
Preguntas de repaso 356
Problemas 357

Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes 361


7.1 Introducción 362
7.2 Inversores resonantes en serie 362
Contenido ix

7.2.1 Inversores resonantes con interruptores unidireccionales 363


7.2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores
bidireccionales 372
7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 378
7.3.1 Respuesta de frecuencia para carga en serie 378
7.3.2 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo 381
7.3.3 Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo 383
7.4 Inversores resonantes en paralelo 384
7.5 Control de voltaje de inversores resonantes 388
7.6 Inversor resonante clase E 390
7.7 Rectificador resonante clase E 394
7.8 Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero 398
7.8.1 Convertidor resonante ZCS tipo L 399
7.8.2 Convertidor resonante ZCS tipo M 402
7.9 Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero 402
7.10 Comparaciones entre convertidores ZCS y convertidores
resonantes ZVS 406
7.11 Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes 407
7.12 Inversores resonantes de enlace de CD 409
Resumen 413
Referencias 414
Preguntas de repaso 414
Problemas 415

Capítulo 8 Inversores multinivel 417


8.1 Introducción 417
8.2 Concepto multinivel 418
8.3 Tipos de inversores multinivel 420
8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 420
8.4.1 Principio de funcionamiento 421
8.4.2 Características del inversor con diodo fijador 422
8.4.3 Inversor con diodo fijador mejorado 424
8.5 Inversor multinivel con capacitores volantes 426
8.5.1 Principio de funcionamiento 426
8.5.2 Características del inversor con capacitores volantes 428
8.6 Inversor multinivel en cascada 429
8.6.1 Principio de funcionamiento 429
8.6.2 Características del inversor en cascada 431
8.7 Aplicaciones 433
8.7.1 Compensación de potencia reactiva 433
8.7.2 Interconexión espalda con espalda 435
8.7.3 Excitadores de velocidad ajustable 435
8.8 Corrientes de dispositivo de conmutación 436
8.9 Balanceo del voltaje de capacitor de enlace de CD 437
8.10 Características de los inversores multinivel 438
8.11 Comparaciones de convertidores multinivel 439
Resumen 440
Referencias 440
x Contenido

Preguntas de repaso 441


Problemas 441

PARTE IV Tiristores y convertidores tiristorizados 443

Capítulo 9 Tiristores 443


9.1 Introducción 443
9.2 Características del tiristor 444
9.3 Modelo de tiristor de dos transistores 447
9.4 Encendido del tiristor 449
9.5 Apagado del tiristor 451
9.6 Tipos de tiristores 453
9.6.1 Tiristores controlados por fase 453
9.6.2 Tiristores bidireccionales controlados por fase 454
9.6.3 Tiristores asimétricos de conmutación rápida 455
9.6.4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz 456
9.6.5. Tiristores de tríodo bidireccionales 456
9.6.6. Tiristores de conducción inversa 457
9.6.7 Tiristores apagados por compuerta 457
9.6.8 Tiristores controlados por FET 462
9.6.9 MTOs 463
9.6.10 ETOs 464
9.6.11 IGCTs 465
9.6.12 MCTs 466
9.6.13 SITHs 469
9.6.14 Comparaciones de tiristores 470
9.7 Funcionamiento en serie de tiristores 475
9.8 Funcionamiento en paralelo de tiristores 478
9.9 Protección contra di/dt 479
9.10 Protección contra dv/dt 480
9.11 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.1 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.2 Modelo SPICE de GTO 484
9.11.3 Modelo SPICE de MCT 486
9.11.4 Modelo SPICE de SITH 486
9.12 DIACs 486
9.13 Circuitos de disparo de tiristor 489
9.14 Transistor de una unión 492
9.15 Transistor de una unión programable 494
Resumen 496
Referencias 497
Preguntas de repaso 500
Problemas 501

Capítulo 10 Rectificadores controlados 503


10.1 Introducción 504
10.2 Convertidores monofásicos completos 504
10.2.1 Convertidor monofásico completo con carga RL 508
Contenido xi

10.3 Convertidores monofásicos duales 511


10.4 Convertidores trifásicos completos 514
10.4.1 Convertidor trifásico completo con carga RL 518
10.5 Convertidores trifásicos duales 520
10.6 Control de modulación por ancho de pulso 523
10.6.1 Control de PWM 524
10.6.2 PWM senoidal monofásica 526
10.6.3 Rectificador trifásico de PWM 527
10.7 Convertidores monofásicos en serie 531
10.8 Convertidores de doce pulsos 534
10.9 Diseño de circuitos de convertidor 536
10.10 Efectos de las inductancias de carga y fuente 542
Resumen 544
Referencias 544
Preguntas de repaso 546
Problemas 546

Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA 552


11.1 Introducción 553
11.2 Parámetros de desempeño de controladores de voltaje de CA 554
11.3 Controladores monofásicos de onda completa con cargas
resistivas 555
11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 559
11.5 Controladores trifásicos de onda completa 563
11.6 Controladores trifásicos de onda completa conectados en delta 568
11.7 Cambiadores de conexión de transformador monofásico 572
11.8 Cicloconvertidores 577
11.8.1 Cicloconvertidores monofásicos 577
11.8.2 Cicloconvertidores trifásicos 580
11.8.3 Reducción de los armónicos de salida 581
11.9 Controladores de voltaje de ca con control de PWM 584
11.10 Convertidor matricial 586
11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 588
11.12 Efectos de las inductancias de fuente y carga 596
Resumen 597
Referencias 597
Preguntas de repaso 598
Problemas 598

Los capítulos 12 a 15 se encuentran en español en el sitio Web del libro

PARTE V Electrónica de potencia: aplicaciones y protecciones 602

Capítulo 12 Sistemas flexibles de transmisión de ca 602


12.1 Introducción 603
12.2 Principio de transmisión de potencia 604
12.3 Principio de compensación en derivación 606
xii Contenido

12.4 Compensadores en derivación 608


12.4.1 Reactor controlado por tiristor 608
12.4.2 Capacitor conmutado por tiristor 609
12.4.3 Compensador de VAR estático 612
12.4.4 Compensador de VAR estático avanzado 613
12.5 Principio de compensación en serie 615
12.6 Compensadores en serie 617
12.6.1 Capacitor en serie conmutado por tiristor 617
12.6.2 Capacitor en serie controlado por tiristor 619
12.6.3 Capacitor en serie controlado por conmutación forzada 620
12.6.4 Compensador de VAR estático en serie 621
12.6.5 SSVC avanzado 621
12.7 Principio de compensación por ángulo de fase 624
12.8 Compensador de ángulo de fase 627
12.9 Controlador de flujo de potencia unificado 628
12.10 Comparaciones de compensadores 629
Resumen 631
Referencias 631
Preguntas de repaso 632
Problemas 632

Capítulo 13 Fuentes de alimentación 634


13.1 Introducción 635
13.2 Fuentes de alimentación de cd 635
13.2.1 Fuentes de alimentación de cd en modo conmutado 636
13.2.2 Convertidor de retorno 636
13.2.3 Convertidor directo 640
13.2.4 Convertidor balanceado 645
13.2.5 Convertidor de medio puente 647
13.2.6 Convertidor de puente completo 650
13.2.7 Fuentes de alimentación de cd resonantes 653
13.2.8 Fuentes de alimentación bidireccionales 655
13.3 Fuentes de alimentación de ca 655
13.3.1 Fuentes de alimentación de ca en modo conmutado 657
13.3.2 Fuentes de alimentación de ca resonantes 657
13.3.3 Fuentes de alimentación de ca bidireccionales 658
13.4 Conversiones en múltiples etapas 659
13.5 Circuitos de control 660
13.6 Consideraciones de diseño magnético 664
13.6.1 Diseño del transformador 664
13.6.2 Inductor de cd 668
13.6.3 Saturación magnética 669
Resumen 670
Referencias 670
Preguntas de repaso 671
Problemas 671
Contenido xiii

Capítulo 14 Propulsores de cd 675


14.1 Introducción 676
14.2 Características básicas de los motores de cd 677
14.2.1 Motor de cd de excitación independiente 677
14.2.2 Motor de cd de excitación en serie 680
14.2.3 Relación de engranes 682
14.3 Modos de funcionamiento 684
14.4 Propulsores monofásicos 686
14.4.1 Propulsores monofásicos de semiconvertidor 688
14.4.2 Propulsores monofásicos de convertidor completo 689
14.4.3 Propulsores monofásicos de convertidor dual 690
14.5 Propulsores trifásicos 694
14.5.1 Propulsores trifásicos de semiconvertidor 694
14.5.2 Propulsores trifásicos de convertidor completo 694
14.5.3 Propulsores trifásicos de convertidor dual 695
14.6 Propulsores de convertidor cd-cd 698
14.6.1 Principio del control de potencia 698
14.6.2 Principio del control de freno regenerativo 700
14.6.3 Principio del control de freno reostático 703
14.6.4 Principio del control de frenado combinado regenerativo
y reostático 704
14.6.5 Propulsores de convertidor cd-cd de dos y cuatro cuadrantes 705
14.6.6 Convertidores cd-cd multifásicos 706
14.7 Control de lazo cerrado de propulsores de cd 709
14.7.1 Función de transferencia de lazo abierto 709
14.7.2 Función de transferencia de lazo abierto de motores
de excitación independiente 710
14.7.3 Función de transferencia de lazo abierto de motores
excitados en serie 713
14.7.4 Modelos de control de convertidor 715
14.7.5 Función de transferencia de lazo cerrado 717
14.7.6 Control de corriente de lazo cerrado 720
14.7.7 Diseño de un controlador de corriente 724
14.7.8 Diseño de un controlador de velocidad 725
14.7.9 Propulsor alimentado por convertidor cd-cd 729
14.7.10 Control de lazo de fase sincronizada 730
14.7.11 Control de propulsores de cd por microcomputadora 732
Resumen 734
Referencias 734
Preguntas de repaso 735
Problemas 736

Capítulo 15 Propulsores de ca 740


15.1 Introducción 741
15.2 Propulsores de motores de inducción 741
15.2.1 Características de desempeño 743
15.2.2 Características de par motor-velocidad 745
xiv Contenido

15.2.3 Control por voltaje del estator 750


15.2.4 Control por voltaje del rotor 754
15.2.5 Control por frecuencia 763
15.2.6 Control por voltaje y frecuencia 765
15.2.7 Control por corriente 770
15.2.8 Control por velocidad de deslizamiento constante 775
15.2.9 Control por voltaje, corriente y frecuencia 776
15.3 Control de lazo cerrado de motores de inducción 778
15.4 Dimensionamiento de las variables de control 782
15.5 Controles vectoriales 784
15.5.1 Principio básico del control vectorial 784
15.5.2 Transformación directa y del eje de cuadratura 786
15.5.3 Control vectorial indirecto 791
15.5.4 Control vectorial directo 795
15.6 Propulsores de motor sincrónico 797
15.6.1 Motores de rotor cilíndrico 798
15.6.2 Motores de polos salientes 801
15.6.3 Motores de reluctancia 802
15.6.4 Motores de reluctancia conmutados 803
15.6.5 Motores de imán permanente 805
15.6.6 Control de lazo cerrado de motores sincrónicos 808
15.6.7 Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas 810
15.7 Diseño de un controlador de velocidad para propulsores
de motores sincrónicos de imán permanente (PMSM) 812
15.7.1 Diagrama de bloques del sistema 812
15.7.2 Lazo de corriente 814
15.7.3 Controlador de velocidad 815
15.8 Control de un motor de pasos 818
15.8.1 Motores de pasos de reluctancia variable 818
15.8.2 Motores de pasos de imán permanente 821
15.9 Motores de inducción lineal 825
15.10 Circuito integrado de alto voltaje para propulsores de motor 828
Resumen 833
Referencias 834
Preguntas de repaso 835
Problemas 836

Los capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el sitio Web del libro

Chapter 16 Introduction to Renewable Energy 840


16.1 Introduction 841
16.2 Energy and Power 842
16.3 Renewable Energy Generation System 843
16.3.1 Turbine 844
16.3.2 Thermal Cycle 845
Contenido xv

16.4 Solar Energy Systems 847


16.4.1 Solar Energy 847
16.4.2 Photovoltaic 850
16.4.3 Photovoltaic Cells 850
16.4.4 PV Models 851
16.4.5 Photovoltaic Systems 857
16.5 Wind Energy 860
16.5.1 Wind Turbines 860
16.5.2 Turbine Power 861
16.5.3 Speed and Pitch Control 864
16.5.4 Power Curve 865
16.5.5 Wind Energy Systems 866
16.5.6 Doubly Fed Induction Generators 869
16.5.7 Squirrel-Cage Induction Generators 870
16.5.8 Synchronous Generators 871
16.5.9 Permanent-Magnet Synchronous Generators 872
16.5.10 Switched Reluctance Generator 873
16.5.11 Comparisons of the Wind Turbine Power Configurations 873
16.6 Ocean Energy 874
16.6.1 Wave Energy 874
16.6.2 Mechanism of Wave Generation 875
16.6.3 Wave Power 876
16.6.4 Tidal Energy 879
16.6.5 Ocean Thermal Energy Conversion 881
16.7 Hydropower Energy 882
16.7.1 Large-Scale Hydropower 882
16.7.2 Small-Scale Hydropower 883
16.8 Fuel Cells 886
16.8.1 Hydrogen Generation and Fuel Cells 887
16.8.2 Types of Fuel Cells 888
16.8.3 Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cells (PEMFC) 889
16.8.4 Direct-Methanol Fuel Cells (DMFC) 890
16.8.5 Alkaline Fuel Cells (AFC) 892
16.8.6 Phosphoric Acid Fuel Cells (PAFC) 893
16.8.7 Molten Carbonate Fuel Cells (MCFC) 894
16.8.8 Solid Oxide Fuel Cells (SOFC) 895
16.8.9 Thermal and Electrical Processes of Fuel Cells 896
16.9 Geothermal Energy 900
16.10 Biomass Energy 900
Summary 901
References 901
Review Questions 902
Problems 903

Chapter 17 Protections of Devices and Circuits 907


17.1 Introduction 907
17.2 Cooling and Heat Sinks 908
xvi Contenido

17.3 Thermal Modeling of Power Switching Devices 913


17.3.1 Electrical Equivalent Thermal Model 914
17.3.2 Mathematical Thermal Equivalent Circuit 916
17.3.3 Coupling of Electrical and Thermal Components 917
17.4 Snubber Circuits 919
17.5 Reverse Recovery Transients 920
17.6 Supply- and Load-Side Transients 926
17.7 Voltage Protection by Selenium Diodes and Metaloxide Varistors 929
17.8 Current Protections 931
17.8.1 Fusing 931
17.8.2 Fault Current with Ac Source 934
17.8.3 Fault Current with Dc Source 936
17.9 Electromagnetic Interference 939
17.9.1 Sources of EMI 940
17.9.2 Minimizing EMI Generation 940
17.9.3 EMI Shielding 941
17.9.4 EMI Standards 941
Summary 942
References 943
Review Questions 943
Problems 944

Apéndice A Circuitos trifásicos A-1

Apéndice B Circuitos magnéticos A-5

Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-13

Apéndice D Análisis transitorio de CD A-19

Apéndice E Análisis de Fourier A-23

Apéndice F Transformación en un marco de referencia A-26

Bibliografía B-1

Respuestas a problemas seleccionados R-1

Índice I-1
Prefacio
Esta nueva edición de Electrónica de potencia se planeó como libro de texto para un curso de
electrónica de potencia y convertidores estáticos de potencia, de nivel licenciatura de ingenie-
ría eléctrica o electrónica. También lo pueden utilizar como libro de texto estudiantes de maes-
tría, y como libro de referencia ingenieros practicantes interesados en el diseño y aplicaciones
de electrónica de potencia. Los requisitos son conocimientos básicos de electrónica y circuitos
eléctricos. El contenido de este libro está más allá de un curso de un semestre. Aun cuando el
tiempo asignado a un curso de electrónica de potencia de nivel licenciatura suele ser de sólo un
semestre, la electrónica de potencia ha llegado a un punto en el cual es difícil cubrir la materia
completa en ese tiempo. A nivel licenciatura, los capítulos 1 a 11 deben bastar para obtener un
buen conocimiento de electrónica de potencia. Los capítulos 12 a 15 (en español en el sitio Web
de este libro) se pueden dejar para otro curso, o incluirlos en uno de maestría. Quien desee
profundizar un poco más, puede revisar los capítulos 16 y 17, que se encuentran en inglés en la
página Web de este libro. La tabla P.1 muestra los temas sugeridos para un curso de un semes-
tre de “Electrónica de potencia” y la tabla P.2 para un curso de un semestre de “Electrónica de
potencia y excitadores de motor”.

TABLA P.1 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia

Capítulo Temas Secciones Clases


1 Introducción 1.1 a 1.12 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.4, 2.6–2.7, 2.11 a 2.16 3
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.11 5
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.9 3
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.9 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.7 7
7 Inversores de pulso resonantes 7.1 a 7.5 3
9 Tiristores 9.1 a 9.10 2
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.5 6
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 3
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

xvii
xviii Prefacio

TABLA P.2 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia y excitadores de motores

Capítulo Temas Secciones Clases


1 Introducción 1.1 a 1.10 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.7 2
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.8 4
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.8 1
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.8 4
4 Propulsores de cd 14.1 a 14.7 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.10 5
9 Tiristores 9.1 a 9.6 1
Apéndice Circuitos trifásicos A 1
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.7 5
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 2
Apéndice Circuitos magnéticos B 1
5 Propulsores de ca 15.1 a 15.9 6
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

Los fundamentos de electrónica de potencia están bien establecidos y no cambian con


tanta rapidez. Sin embargo, las características de los dispositivos mejoran continuamente y
también aparecen nuevos dispositivos. La electrónica de potencia, que emplea el método as-
cendente, estudia las características de los dispositivos y las técnicas de conversión, y por con-
siguiente sus aplicaciones; además, pone énfasis en los principios básicos de las conversiones
de potencia. Esta nueva edición de Electrónica de potencia ha sido completamente revisada y
actualizada, y entre los cambios más importantes se encuentran los siguientes:

 r &NQMFBVONÊUPEPBTDFOEFOUFFOMVHBSEFVOPEFTDFOEFOUF&TEFDJS EFTQVÊTEFFTUV-
diar los dispositivos se presentan las especificaciones del convertidor, antes de considerar
las técnicas de conversión.
 r $POTJEFSBFMEFTBSSPMMPEFEJTQPTJUJWPTEFDBSCVSPEFTJMJDJP 4J$

 r 1SFTFOUBMPTNPEFMPTQSPNFEJBEPSFTEFDPOWFSUJEPSFTDEDE
 r "NQMÎBMBTTFDDJPOFTTPCSFUÊDOJDBEFQVOUBEFNPEVMBDJÓOQPSWFDUPSFTQBDJBM
 r *OUFHSBMPTDJSDVJUPTEFFYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUBBMPTDBQÎUVMPTSFMBDJPOBEPTDPOMPTEJT-
positivos de potencia y convertidores.
 r &YQBOEFMPTNÊUPEPTEFDPOUSPMUBOUPBMPTFYDJUBEPSFTEFDEDPNPBMPTEFDB
 r "HSFHBFYQMJDBDJPOFTBMPMBSHPEFMUFYUP

Para un mejor aprovechamiento, el libro se ha dividido de cinco partes:

Parte I: Diodos de potencia y rectificadores (capítulos 2 y 3).


Parte II: Transistores de potencia y convertidores de cd a cd (capítulos 4 y 5).
Parte III: Inversores (capítulos 6, 7 y 8).
Parte IV: Tiristores y convertidores tiristorizados (capítulos 9, 10 y 11).
Parte V: Electrónica de potencia. Aplicaciones y protecciones (capítulos 12, 13, 14 y 15
se encuentran en español en el sitio Web) (capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el
sitio Web).
Prefacio xix

Temas como los circuitos trifásicos, circuitos magnéticos, funciones de conmutación de


convertidores, análisis de transitorios en circuitos de cd, análisis de Fourier y transformación
mediante marco de referencia se revisan en los apéndices. La electrónica de potencia se ocupa
de las aplicaciones de electrónica de estado sólido para el control y conversión de energía eléc-
trica. Las técnicas de conversión requieren la conmutación del estado de encendido y apagado
de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrónicos de bajo nivel, que nor-
malmente se componen de circuitos integrados y componentes discretos, generan las señales de
compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Los microprocesadores y los circuitos
integrados procesadores de señales están reemplazando a los circuitos integrados y a los com-
ponentes discretos.
Un dispositivo de potencia ideal no debe tener limitaciones de conmutación de encendido
y conmutación de apagado en función de tiempo de encendido, tiempo de apagado, corriente,
y capacidades de manejo de voltaje. La tecnología de semiconductores de potencia está permi-
tiendo el acelerado desarrollo de dispositivos de potencia de conmutación rápidos con límites
de corriente y voltaje cada vez mayores. Los dispositivos de conmutación de potencia como los
BJT de potencia, MOSFET de potencia, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO, MTO,
ETO, IGCT, y otros dispositivos semiconductores se utilizan cada vez más en una amplia gama
de productos.
Conforme la tecnología evoluciona y la electrónica de potencia encuentra más aplica-
ciones se siguen desarrollando nuevos dispositivos de potencia con capacidad de más altas
temperaturas y menos pérdidas. A lo largo de los años se ha presentado un gran avance en
dispositivos semiconductores de potencia. Sin embargo, los dispositivos fabricados a base de sili-
cio ya casi llegaron a su límite. Gracias a la investigación y desarrollo recientes, la electrónica de
potencia de carburo de silicio (SiC) ha dejado de ser una promisoria tecnología del futuro para
convertirse en una potente alternativa de la tecnología de silicio (Si) de punta en aplicaciones
de alta eficiencia, alta frecuencia y alta temperatura. La electrónica de potencia de SiC tiene
valores de voltaje más altos, caídas de voltaje más bajas, temperaturas máximas más altas y
conductividades térmicas más altas. Se espera que los dispositivos de potencia de SiC evolucio-
nen durante los próximos años, lo que conduciría a una nueva era de la electrónica y aplicacio-
nes de potencia.
Con la disponibilidad de dispositivos de conmutación más rápidos, las aplicaciones de
microprocesadores modernos y procesamiento de señales digitales en la sintetización de la es-
trategia de control de dispositivos de potencia de compuerta que cumplan con las especifica-
ciones de conversión están ampliando el alcance de la electrónica de potencia. La revolución
de la electrónica de potencia ha cobrado impulso desde principios de la década de 1990. Ha
empezado una nueva era en la electrónica de potencia. Es el comienzo de la tercera revolución
de la electrónica de potencia en el procesamiento de energía renovable y ahorros de energía en
todo el mundo. Dentro de los próximos 30 años la electrónica de potencia conformará y con-
dicionará el empleo de la electricidad en todas partes entre su generación y sus usuarios. Las
aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia no se han explorado del todo, pero nos
hemos esforzado por cubrir la mayor cantidad posible de aplicaciones potenciales.
Todos los comentarios y sugerencias con respecto a este libro son bienvenidos y deben ser
enviados al autor.
Dr. Muhammad H. Rashid
Profesor de Ingeniería eléctrica y computación
University of West Florida
11000 University Parkway
Pensacola, FL 32514-5754
E-mail: mrashid@uwf.edu
xx Prefacio

SUPLEMENTOS PARA EL PROFESOR (EN INGLÉS)


Los profesores que utilicen este libro como texto en un curso tendrán a su disposición suple-
mentos adicionales en la siguiente página:
www.pearsonenespanol.com/rashid.
Para acceder a estos materiales haga clic en Recursos para el profesor. Esto lo enviará a nuestro
catálogo en inglés, donde deberá hacer clic en Download Resources. Aquí podrá inscribirse y
pedir un código de acceso para profesor. En un lapso promedio de 48 horas recibirá un correo
electrónico de confirmación con el código de acceso, con el cual deberá buscar el texto en el
catálogo en línea y hacer clic en el botón Instructor Resources. En el lado izquierdo de su com-
putadora seleccione un suplemento y aparecerá una página de inicio de sesión. Una vez que
haya entrado podrá acceder al material para el profesor. Cabe recordar que este material se
encuentra en idioma inglés.
Los suplementos incluyen lo siguiente:

 r .BOVBMEFMQSPGFTPS
 r %JBQPTJUJWBTFO1PXFS1PJOU

SOFTWARE PSPICE Y ARCHIVOS DE PROGRAMA


Los esquemas PSpice versión estudiantil y/o el software de captura Orcad se pueden obtener o
descargar de

Cadence Design Systems, Inc.


2655 Seely Avenue
San Jose, CA 95134

Sitios web: http://www.cadence.com


http://www.orcad.com
http://www.pspice.com

El sitio web http:uwf.edu/mrashid contiene todos los esquemas PSpice, el software de captura
Orcad y los archivos Mathcad para usarlos con este libro.
Nota importante: los archivos esquemáticos PSpice (con extensión .SCH) requieren el
archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el cual
se incluye con los archivos esquemáticos y debe incluirse en el menú Análisis de los esquemas
PSpice. Asimismo, los archivos esquemáticos Orcad (con las extensiones .OPJ y .DSN) requie-
ren el archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el
cual se incluye con los archivos esquemáticos Orcad, y debe incluirse en el menú de ajustes de
Simulación PSpice del software de captura Orcad. Sin estos archivos incluidos mientras se eje-
cuta la simulación, ésta no funcionará y producirá errores.

RECONOCIMIENTOS
Muchas personas contribuyeron a esta edición e hicieron sugerencias basadas en su experiencia
en el salón de clases como profesores o estudiantes. Quiero dar las gracias a las siguientes per-
sonas por sus comentarios y sugerencias:

Mazen Abdel-Salam, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Arabia Saudita
Muhammad Sarwar Ahmad, Azad Jammu and Kashmir Universtiy, Pakistán
Eyup Akpnar, Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, BUCA-IZMIR, Turquía
Prefacio xxi

Dionysios, Aliprantis, Iowa State University


Johnson Asumadu, Western Michigan University
Ashoka K. S. Bhat, University of Victoria, Canadá
Fred Brockhurst, Rose-Hulman Institution of Technology
Jan C. Cochrane, The University of Melbourne, Australia
Ovidiu, Crisan, University of Houston
Joseph M. Crowley, University of Illinois, Urbana-Champaign
Mehrad Ebsani, Texas A & M University
Alexander E. Emanuel, Worcester Polytechnic Institute
Prasad Enjeti, Texas A & M University
George Gela, Ohio State University
Ahteshamul Haque, Jamia Millia Islamia Univ-Nueva Delhi, India
Herman W. Hill, Ohio University
Constantine J. Hatziadoniu, Southern Illinois University, Carbondale
Wahid Hubbi, New Jersey Institute of Technology
Marrija Ilic-Spong, University of Illinois, Urbana-Champaign
Kiran Kumar Jain, J B Institute of Engineering and Technology, India
Fida Muhammad Khan, Air University-Islamabad, Pakistán
Potitosh Kumar Shaqdu khan, Multimedia University, Malasia
Shahidul I. Khan, Concordia University, Canadá
Hussein M. Kojabadi, Sahand University of Technology, Irán
Nanda Kumar, Singapore Institute of Management (SIM) University, Singapur
Peter Lauritzen, University of Washington
Jack Lawler, University of Tennessee
Arthur R. Miles, North Dakota State University
Medhat M. Morcos, Kansas State University
Hassan Moghbelli, Purdue University Calumet
Khan M. Nazir, University of Management and Technology, Pakistán
H. Rarnezani-Ferdowsi, University of Mashhad, Irán
Saburo Mastsusaki, TDK Corporation, Japón
Vedula V. Sastry, Iowa State University
Elias G. Strangas, Michigan State University
Hamid. A. Toliyat, Texas A & M University
Selwyn Wright, The University of Huddersfield, Queensgate, RU
S. Yuvarajan, North Dakota State University
Shuhui Li, University of Alabama
Steven Yu, Belcan Corporation, USA
Toh Chuen Ling, Universiti Tenaga Nasional, Malasia
Vipul G. Patel, Government Engineering College, Gujarat, India
L. Venkatesha, BMS College of Engineering, Bangalore, India
Haider Zaman, University of Engineering & Technology (UET), Abbottabad Campus,
Pakistán
Mostafa F. Shaaban, Ain-Shams University, El Cairo, Egipto

Ha sido un gran placer trabajar con la editora, Alice Dworkin y el equipo de producción de
Abinaya Rajendran, así como con el gerente de producción Irwin Zucker. Por último, doy las
gracias a mi familia por su amor, paciencia y comprensión.

Muhammad H. Rashid
Pensacola, Florida
Acerca del autor

Muhammad H. Rashid es profesor de ingeniería eléctrica y computación en la University of


West Florida; antes trabajaba en la University of Florida como profesor y director del programa
conjunto UF/UWF. Rashid recibió su licenciatura en ingeniería eléctrica de la Bangladesh
University of Engineering and Technology, y su maestría y doctorado de la University of
Birmingham, en el Reino Unido. Con anterioridad, fungió como profesor de ingeniería eléc-
trica y presidente del departamento de ingeniería en la Indiana University de Purdue en Fort
Wayne. También fue profesor asistente invitado de ingeniería eléctrica en la University of
Connecticut, profesor asociado de ingeniería eléctrica en la Concordia University (Montreal,
Canadá), profesor de ingeniería eléctrica en la Purdue University Calumet y profesor invitado
de ingeniería eléctrica en la King Fadh University of Petroleum and Minerals (Arabia Saudita).
Se ha desempeñado como ingeniero de diseño y desarrollo en Brush Electrical Machines Ltd.
(Inglaterra, RU), como ingeniero investigador en Lucas Group Research Centre (Inglaterra,
RU), y como conferencista y jefe del departamento de ingeniería de control en el Higher
Institute of Electronics (Libia y Malta).
El doctor Rashid está activamente involucrado en la docencia, investigación y dictado de
conferencias en electrónica, electrónica de potencia y ética profesional. Ha publicado 17 libros
inscritos en la Biblioteca del Congreso de los Estados Unidos, y más de 160 artículos técnicos.
Sus obras se utilizan como libros de texto en todo el mundo. Electrónica de potencia se ha
traducido al español, portugués, indonesio, coreano, italiano, chino y persa, e inclusive en la
edición económica hindú. Microelectrónica, otra obra suya, está traducida al español en México
y España, así como al italiano y al chino.
Ha recibido muchas invitaciones de gobiernos y agencias extranjeros para impartir con-
ferencias magistrales y consultas; de universidades del extranjero para fungir como sinodal ex-
terno en exámenes de licenciatura, maestría y doctorado; de agencias de financiamiento para
revisar propuestas de investigación, y de universidades estadounidenses y del extranjero para eva-
luar casos de promoción de profesores. El doctor Rashid se ha desempeñado como empleado
regular o consultor en Canadá, Corea, el Reino Unido, Singapur, Malta, Libia, Malasia, Arabia
Saudita, Pakistán y Bangladesh. Ha viajado a casi todos los estados de los Estados Unidos, y
a muchos países (Japón, China, Hong Kong, Indonesia, Taiwán, Malasia, Tailandia, Singapur,
India, Pakistán, Turquía, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Qatar, Libia, Jordania,
Egipto, Marruecos, Malta, Italia, Grecia, Reino Unido, Brasil y México) para dictar conferen-
cias y presentar ensayos.
Es miembro de la Institution of Engineering and Technology (IET, RU) y miembro
permanente del Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE, E.U.A). Fue electo
miembro del IEEE con mención honorífica por “Liderazgo en docencia de electrónica de po-
tencia y contribuciones a la metodología de análisis y diseño de convertidores de potencia de
xxiii
xxiv Acerca del autor

estado sólido”. En 1991 el doctor Rashid recibió el Outstanding Engineer Award del Institute
of Electrical and Electronics Engineers; en 2002 recibió el Educational Activity Award (EAA),
Meritorious Achievement Award in Continuing Education del IEEE con mención honorífica
“Por contribuciones al diseño y suministro de educación continua en electrónica de potencia y
simulación asistida por computadora”. Asimismo, en 2008, el Undergraduate Teaching Award
del IEEE con mención honorífica “Por su distinguido liderazgo y dedicación en la evaluación
del programa de licenciatura de ingeniería eléctrica, la motivación de los estudiantes y la publi-
cación de libros de texto sobresalientes”.
Actualmente el doctor Rashid se desempeña como evaluador del programa ABET de
ingeniería eléctrica y computación, y también del programa (general) de ingeniería. Es edi-
tor de Power Electronics and Applications y Nanotechnology and Applications de CRC Press.
Funge como consejero editorial de Electric Power and Energy con Elsevier Publishing. Dicta
conferencias y conduce talleres de trabajo en Educación Basada en Resultados (OBE, por sus
siglas en inglés) y sus implementaciones incluyen evaluaciones. Es conferencista distinguido de
la Education Society del IEEE y orador regional (anteriormente Conferencista Distinguido)
de la Industrial Applications Society del IEEE. También es autor del libro Process of Outcome-
Based Education-Implementation, Assessment and Evaluations.
C A P Í T U L O 1

Introducción

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:
 r
%FTDSJCJSRVÊFTMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
 r
&OVNFSBSMBTBQMJDBDJPOFTEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
 r
%FTDSJCJSMBFWPMVDJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
 r
&OVNFSBSMPTUJQPTQSJODJQBMFTEFDPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJB
 r
&OVNFSBSMBTQBSUFTQSJODJQBMFTEFMFRVJQPFMFDUSÓOJDPEFQPUFODJB
 r
&OVNFSBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTJEFBMFTEFEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOEFQPUFODJB
 r
&OVNFSBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTZFTQFDJGJDBDJPOFTEFEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓO
EFQPUFODJBQSÃDUJDPT
 r &OVNFSBSMPTUJQPTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB
 r %FTDSJCJSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPMEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB
 r &OVNFSBSMPTUJQPTEFNÓEVMPTEFQPUFODJBZMPTFMFNFOUPTEFNÓEVMPTJOUFMJHFOUFT

Símbolos y sus significados


Símbolos Significado
fs, Ts 'SFDVFODJBZQFSJPEPEFVOBGPSNBEFPOEB 
SFTQFDUJWBNFOUF
IRMS 7BMPSSNTEFVOBTFÒBMEFPOEB
IED, ISNT $PNQPOFOUFTEFDEZSNTEFVOBGPSNBEFPOEB 
SFTQFDUJWBNFOUF
PD, PON, PSW, PG %JTJQBDJÓOEFQPUFODJBUPUBM QPUFODJBFOFTUBEPEF
FODFOEJEP QPUFODJBEFDPONVUBDJÓO QPUFODJBEF
FYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUB SFTQFDUJWBNFOUF
td, tr, tn, ts, tf, tP 5JFNQPEFSFUBSEP TVCJEB FODFOEJEP BMNBDFOBNJFOUP 
DBÎEBZBQBHBEPEFVOBGPSNBEFPOEBEFDPONVUBDJÓO
υT υP 4VNJOJTUSPEFFOUSBEBEFDBJOTUBOUÃOFPZWPMUBKFEFTBMJEB 
SFTQFDUJWBNFOUF
Vm .BHOJUVEQJDPEFVOWPMUBKFEFTVNJOJTUSPEFDBTFOPJEBM
Vs 7PMUBKFEFTVNJOJTUSPEFDE
υH, VG 4FÒBMJOTUBOUÃOFBZTFÒBMDEEFFYDJUBDJÓOEFCBTF
DPNQVFSUBEFVOEJTQPTJUJWP SFTQFDUJWBNFOUF
υG, υGS, υB 7PMUBKFTJOTUBOUÃOFPTEFFYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUB 
DPNQVFSUBGVFOUFZCBTFEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB 
SFTQFDUJWBNFOUF
δ $JDMPEFUSBCBKPEFVOBTFÒBMQVMTBOUF

1
2 Capítulo 1 Introducción

1.1 APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA


-BEFNBOEBEFDPOUSPMEFMBQPUFODJBFMÊDUSJDBQBSBTJTUFNBTEFFYDJUBDJÓOEFNPUPSFTFMÊD
USJDPTZEFDPOUSPMFTJOEVTUSJBMFTFYJTUJÓEVSBOUFNVDIPTBÒPT ZFTUPDPOEVKPBMUFNQSBOPEF
TBSSPMMPEFMTJTUFNB8BSE-FPOBSEQBSBPCUFOFSVOWPMUBKFWBSJBCMFEFDEQBSBFMDPOUSPMEF
FYDJUBEPSFTEFNPUPSFTEFDE-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBIBSFWPMVDJPOBEPFMDPODFQUPEFDPO
USPMEFQPUFODJBQBSBMBDPOWFSTJÓOEFMBQPUFODJBZQBSBFMDPOUSPMEFFYDJUBEPSFTEFNPUPSFT
FMÊDUSJDPT
-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBDPNCJOBQPUFODJB FMFDUSÓOJDBZDPOUSPM&MDPOUSPMTFPDVQB
EFMFTUBEPFTUBCMFZMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEJOÃNJDBTEFMPTTJTUFNBTEFMB[PDFSSBEP-BQPUFODJBTF
PDVQBEFMFRVJQPEFQPUFODJBFTUÃUJDPZSPUBUPSJPQBSBMBHFOFSBDJÓO USBOTNJTJÓOZEJTUSJCVDJÓO
EF FOFSHÎB FMÊDUSJDB -B FMFDUSÓOJDB TF PDVQB EF MPT EJTQPTJUJWPT EF FTUBEP TÓMJEP Z DJSDVJUPT
QBSB QSPDFTBS TFÒBMFT Z BTÎ DVNQMJS DPO MPT PCKFUJWPT EF DPOUSPM EFTFBEPT -B electrónica de
potenciaTFQVFEFEFGJOJSDPNPMBBQMJDBDJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFFTUBEPTÓMJEPQBSBFMDPOUSPMZ
DPOWFSTJÓOEFMBQPUFODJBFMÊDUSJDB)BZNÃTEFVOBGPSNBEFEFGJOJSMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
5BNCJÊOTFQPESÎBEFGJOJSDPNPFMBSUFEFDPOWFSUJSFOFSHÎBFMÊDUSJDBEFVOBGPSNBBPUSB EF
NBOFSBFGJDJFOUF MJNQJB DPNQBDUBZSPCVTUBBGJOEFVUJMJ[BSMBQBSBTBUJTGBDFSMBTOFDFTJEBEFT
EFTFBEBT&OMBGJHVSBTFNVFTUSBMBJOUFSSFMBDJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBDPOMBQP
UFODJB MBFMFDUSÓOJDBZFMDPOUSPM-BGMFDIBBQVOUBFOMBEJSFDDJÓOEFMGMVKPEFDPSSJFOUFEFM
ÃOPEP "
BMDÃUPEP ,
4FQVFEFFODFOEFSZBQBHBSDPOVOBTFÒBMEJSJHJEBIBDJBMBUFSNJOBM
DPNQVFSUB (
1PSMPDPNÙO TJOTFÒBMEFDPNQVFSUBQFSNBOFDFBQBHBEB TFDPNQPSUBDPNP
VODJSDVJUPBCJFSUPZTPQPSUBVOWPMUBKFBUSBWÊTEFMBTUFSNJOBMFT"Z,

Compuerta Cátodo

Potencia

Control
analógico 兩 Digital

Dispositivos Equipo de
electrónicos potencia
兩 Circuitos estático 兩 Rotatorio

Electrónica

Ánodo

FIGURA 1.1
3FMBDJÓOFOUSFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBZQPUFODJB FMFDUSÓOJDBZDPOUSPM
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 3

-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBTFCBTBQSJODJQBMNFOUFFOMBDPONVUBDJÓOEFEJTQPTJUJWPTTF
NJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB$POFMEFTBSSPMMPEFMBUFDOPMPHÎBEFTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB 
MBT DBQBDJEBEFT EF NBOFKP EF QPUFODJB Z MB WFMPDJEBE EF DPONVUBDJÓO EF MPT EJTQPTJUJWPT EF
QPUFODJBIBONFKPSBEPFOPSNFNFOUF&MEFTBSSPMMPEFMBUFDOPMPHÎBEFMPTNJDSPQSPDFTBEPSFT
ZMBNJDSPDPNQVUBEPSBUJFOFVOHSBOJNQBDUPFOFMDPOUSPMZTÎOUFTJTEFMBFTUSBUFHJBEFDPOUSPM
EFMPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB&MNPEFSOPFRVJQPEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
VUJMJ[B 
TFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBRVFTFQVFEFODPOTJEFSBSDPNPFMNÙTDVMP Z 
FMF
NFOUPTNJDSPFMFDUSÓOJDPTRVFUJFOFOMBQPUFODJBZMBJOUFMJHFODJBEFVODFSFCSP
-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBZBTFGJODÓVOJNQPSUBOUFMVHBSFOMBUFDOPMPHÎBNPEFSOBZ
BIPSBTFVUJMJ[BFOVOBHSBOWBSJFEBEEFQSPEVDUPTEFBMUBQPUFODJB DPNPDPOUSPMFTEFDBMFOUB
NJFOUP DPOUSPMFTEFJMVNJOBDJÓO DPOUSPMFTEFNPUPSFT BSUÎDVMPTEFQPUFODJB TJTUFNBTEFQSP
QVMTJÓOEFWFIÎDVMPT ZTJTUFNBTEFDPSSJFOUFEJSFDUBZBMUPWPMUBKF )7%$
&TEJGÎDJMJNBHJOBS
MPTMÎNJUFTEFUSBOTNJTJPOFTEFDBGMFYJCMFT '"$5T
QBSBMBTBQMJDBDJPOFTEFMBFMFDUSÓOJDBEF
QPUFODJB FOFTQFDJBMDPOMBTUFOEFODJBTBDUVBMFTFOFMEFTBSSPMMPEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBZ
NJDSPQSPDFTBEPSFT chips
-BUBCMBNVFTUSBBMHVOBTBQMJDBDJPOFTEFMBFMFDUSÓOJDBEFQP
UFODJB<>

TABLA 1.1 "MHVOBTBQMJDBDJPOFTEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB

"CSFQVFSUBTEFDPDIFSB $POUBDUPSFTEFFTUBEPTÓMJEP
"CSFQVFSUBTFMÊDUSJDPT $POUSPMFTEFDBMFGBDDJÓO
"DFMFSBEPSFTEFQBSUÎDVMBT $POUSPMFTEFIPSOP
"DFSÎBT $POUSPMFTEFNPUPS
"JSFBDPOEJDJPOBEP $POUSPMFTEFNPUPSEFJOEVDDJÓOMJOFBM
"MBSNBT $POUSPMFTEFTFÒBMFTEFUSÃGJDP
"MBSNBTDPOUSBSPCP $POUSPMFTEFUFNQFSBUVSB
"NQMJGJDBEPSFTEFBVEJP $IBSPMBTEFDBMFOUBNJFOUPEFBMJNFOUPT
"NQMJGJDBEPSFTEFSBEJPGSFDVFODJB %FGMFYJPOFTEF57
"SSBORVFEFNÃRVJOBTTÎODSPOBT %FTUFMMBEPSFT
"SSBORVFEFUVSCJOBEFHBT %FTUFMMBEPSFTMVNJOPTPT
"SUÎDVMPTEFQPUFODJB &MFDUSPEPNÊTUJDPT
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBBFSPOÃVUJDPT &MFDUSPJNBOFT
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBFTQBDJBMFT &MFWBEPSFT
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBJOJOUFSSVNQJEB &ODFOEJEPFMFDUSÓOJDP
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBMÃTFS &OFSHÎBSFOPWBCMFJODMVJEBMBUSBOTNJTJÓO 
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBQBSBSBEBSTPOBS EJTUSJCVDJÓOZBMNBDFOBNJFOUP
"SUÎDVMPTEFQPUFODJBTPMBS &YDJUBEPSFTEFHFOFSBEPS
"SUÎDVMPTGPUPHSÃGJDPT &YDJUBEPSFTEFNPUPS
"TQJSBEPSBT 'ÃCSJDBTEFQBQFM
"UFOVBEPSFT 'JCSBTTJOUÊUJDBT
"UFOVBEPSFTEFMV[ 'POÓHSBGPT
#BMBTUPTQBSBMÃNQBSBTEFBSDPEFNFSDVSJP 'PUPDPQJBT
#BOEBTUSBOTQPSUBEPSBT (BMWBOPQMBTUJBFMFDUSPNFDÃOJDB
#PNCBTZDPNQSFTPSFT (FOFSBEPSFTVMUSBTÓOJDPT
$BMFOUBEPSFT (SBCBDJPOFTNBHOÊUJDBT
$BMFOUBNJFOUPQPSJOEVDDJÓO (SÙBTZNBMBDBUFT
$BSHBEPSEFCBUFSÎBT )FSSBNJFOUBTNBOVBMFTEFQPUFODJB
$%EFBMUPWPMUBKF )7%$
 )PSOPT
$JSDVJUPTEFUFMFWJTJÓO )PSOPTEFDFNFOUP
$PCFSUPSFTFMÊDUSJDPT *MVNJOBDJÓOEFBMUBGSFDVFODJB
$PNQFOTBDJÓOSFBDUJWBWPMUBNQFSF 7"3
 *NBOFT
$PNQVUBEPSBT *NQSFOUBT

continúa

4 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.1 continuación

*OUFSSVQUPSFTEFDJSDVJUPFTUÃUJDPT 3FHVMBEPSFT
+VFHPT 3FHVMBEPSFTEFWPMUBKF
+VHVFUFT 3FMFWBEPSFTEFFOHBODIF
-BWBEPSBT 3FMFWBEPSFTEFFTUBEPTÓMJEP
-PDPNPUPSBT 3FMFWBEPSFTFTUÃUJDPT
.ÃRVJOBTEFDPTFS 3FTJTUFODJBQBSBFTUVGBFMÊDUSJDB
.ÃRVJOBTFYQFOEFEPSBT 4FDBEPSBTEFSPQB
.ÃRVJOBTIFSSBNJFOUB 4FDBEPSBTFMÊDUSJDBT
.F[DMBEPSBT 4FSWPTJTUFNBT
.JOFSÎB 4JTUFNBTEFTFHVSJEBE
.PEFMPTEFUSFOFT 4PMEBEPSBT
.PMJOJMMPT 4PQMBEPSFT
.POUBDBSHBT 5FNQPSJ[BEPSFT
1BOUBMMBT 5SBOTNJTPSFTEFNVZCBKBGSFDVFODJB 7-'

1FSGPSBDJÓOEFQP[PTEFQFUSÓMFP 5SBOTQPSUBEPSFTEFQFSTPOBT
1SFDJQJUBEPSFTFMFDUSPTUÃUJDPT 5SBOTQPSUFQÙCMJDP
1SPDFTBEPSFTEFBMJNFOUPT 5SFOFT
1SPDFTBNJFOUPRVÎNJDP 7BSJMMBEFDPOUSPMEFSFBDUPSOVDMFBS
1SPZFDUPSFTEFDJOF 7FIÎDVMPTFMÊDUSJDPT
1VCMJDJEBE 7FOUJMBEPSFT
3FGSJHFSBEPSFT 7FOUJMBEPSFTFMÊDUSJDPT
Fuente:3FG

1.2 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA


-BIJTUPSJBEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBDPNFO[ÓDPOMBJOUSPEVDDJÓOEFMSFDUJGJDBEPSEFBSDP
EFNFSDVSJPFO-VFHPMFTJHVJFSPOFMSFDUJGJDBEPSEFUBORVFEFNFUBM FMSFDUJGJDBEPSEF
UVCPEFWBDÎPDPOUSPMBEPQPSSFKJMMB FMJHOJUSÓO FMGBOPUSÓOZFMUJSBUSÓO MPTDVBMFTTFJOUSPEV
KFSPOHSBEVBMNFOUF&TUPTEJTQPTJUJWPTTFVUJMJ[BSPOFOFMDPOUSPMEFQPUFODJBIBTUBMBEÊDBEB
EF
-B QSJNFSB SFWPMVDJÓO FMFDUSÓOJDB TF JOJDJÓ FO  DPO MB JOWFODJÓO EFM USBOTJTUPS EF
TJMJDJPQPS#BSEFFO #SBUUBJOZ4DIPLMFZFO#FMM5FMFQIPOF-BCPSBUPSJFT-BNBZPSQBSUFEF
MBTUFDOPMPHÎBTFMFDUSÓOJDBTBWBO[BEBTEFMBBDUVBMJEBEUVWJFSPOTVPSJHFOFOFTFJOWFOUP$PO
FMUJFNQP MBNJDSPFMFDUSÓOJDBNPEFSOBFWPMVDJPOÓBQBSUJSEFMPTTFNJDPOEVDUPSFTEFTJMJDJP
&MTJHVJFOUFQBTPJNQPSUBOUF FO UBNCJÊOPDVSSJÓFO#FMM-BCPSBUPSJFTGVFFMJOWFOUPEFM
USBOTJTUPSEFEJTQBSPPNPN FMDVBMTFEFGJOJÓDPNPVOUJSJTUPSPSFDUJGJDBEPSDPOUSPMBEPQPS
TJMJDJP 4$3

-BTFHVOEBSFWPMVDJÓOFMFDUSÓOJDBDPNFO[ÓFODPOFMEFTBSSPMMPEFMUJSJTUPSDPNFS
DJBMEF(FOFSBM&MFDUSJD$PNQBOZ&TFGVFFMQSJODJQJPEFVOBOVFWBFSBEFMBFMFDUSÓOJDBEF
QPUFODJB%FTEFFOUPODFTTFIBOJOUSPEVDJEPNVDIPTUJQPTEJGFSFOUFTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPO
EVDUPSFT EF QPUFODJB Z UÊDOJDBT EF DPOWFSTJÓO -B SFWPMVDJÓO NJDSPFMFDUSÓOJDB OPT QFSNJUJÓ
QSPDFTBS VOB FOPSNF DBOUJEBE EF JOGPSNBDJÓO B VOB JODSFÎCMF WFMPDJEBE MB SFWPMVDJÓO EF MB
FMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBOPTQFSNJUFDPOGPSNBSZDPOUSPMBSHSBOEFTDBOUJEBEFTEFQPUFODJBDPO
VOBFGJDJFODJBDBEBWF[NBZPS(SBDJBTBMBVOJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB FMNÙTDVMP DPO
MB NJDSPFMFDUSÓOJDB  FM DFSFCSP  BIPSB FTUÃO FNFSHJFOEP NVDIBT BQMJDBDJPOFT QPUFODJBMFT EF
MBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBZFTUBUFOEFODJBDPOUJOVBSÃ&OMPTQSÓYJNPTBÒPTMBFMFDUSÓOJDB
EFQPUFODJBDPOGPSNBSÃZBDPOEJDJPOBSÃMBFMFDUSJDJEBEFOBMHVOBQBSUFEFMBSFEEFUSBOTNJ
TJÓOFOUSFTVHFOFSBDJÓOZUPEPTTVTVTVBSJPT-BSFWPMVDJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBIB
DPCSBEPJNQVMTPEFTEFGJOBMFTEFMBEÊDBEBEFZQSJODJQJPTEFMBEF<>-BGJHVSB
NVFTUSBVOBDSPOPMPHÎBEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
Amplio uso de
superconductores
IA
NC
Rejilla de OTE
control de tubos DE P
NICA
de vacío ERA
D EL E CTRÓ
E LOS E LA
Tiratrón
TUBOS
DE VACÍO CIÓN D
HVDC Transición REVOLU Relevadores de estado sólido
de cátodo de pantalla
ERA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Cortacircuitos
caliente Tiristor Robots domésticos

Motores de ca de Vehículos eléctricos


Ignitrón
velocidad variable
Cicloconvertidor MCI
de ferrocarril Miembros artificiales
IGT Plantas de potencia solar
Motor de Tiristor de compuerta
tiratrón Cargador de de apagado Transistor bipolar 400V/400A
frecuencia 20 MW, MOSFET de potencia
Triac Televisores a color
25/60 Hz Microprocesador de 8 bits
de panel plano
Transistor de silicio Microprocesador de 16 bits

Circuito Alto desempeño


Invención integrado Activadores de motor de velocidad ajustable
del transistor de bipolar Sistema acondicionador en línea de potencia activa
germanio Fuente de alimentación ininterrumpible
Circuitos integrados MOS

FIGURA 1.2
)JTUPSJBEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB $PSUFTÎBEFM5FOOFTTFF$FOUFSGPS3FTFBSDIBOE%FWFMPQNFOU DFOUSPBGJMJBEP 6OJWFSTJUZPG5FOOFTTFF

6 Capítulo 1 Introducción

"OUFMBDSFDJFOUFEFNBOEBEFFOFSHÎBFOUPEPFMNVOEP TFWJTMVNCSBVOBOVFWBFSBEF
FOFSHÎB SFOPWBCMF -B FMFDUSÓOJDB EF QPUFODJB FT VOB QBSUF JOUFHSBM EF MB FOFSHÎB SFOPWBCMF
QBSBTVUSBOTNJTJÓO EJTUSJCVDJÓOZBMNBDFOBNJFOUP-BJOWFTUJHBDJÓOZQSPEVDDJÓOEFBVUPNÓ
WJMFTEFCBKPDPOTVNPEFDPNCVTUJCMFUBNCJÊODPOEVDJSÃOBNÃTBQMJDBDJPOFTZBMEFTBSSPMMPEF
MBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
"USBWÊTEFMUJFNQPIBIBCJEPVOHSBOJODSFNFOUPFOMBFMBCPSBDJÓOEFEJTQPTJUJWPTTF
NJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB<>4JOFNCBSHP MPTEJTQPTJUJWPTBCBTFEFTJMJDJPZBDBTJMMFHBOB
TVTMÎNJUFT%FCJEPBMBJOWFTUJHBDJÓOZEFTBSSPMMPEVSBOUFMPTÙMUJNPTBÒPT MBFMFDUSÓOJDBEF
QPUFODJBEFDBSCVSPEFTJMJDJP 4J$
IBQBTBEPEFTFSVOBQSPNJTPSJBUFDOPMPHÎBEFMGVUVSPQBSB
DPOWFSUJSTFFOVOBQPUFOUFBMUFSOBUJWBEFMBUFDOPMPHÎBEFTJMJDJP 4J
EFQVOUBFOBQMJDBDJPOFT
EFBMUBFGJDJFODJB BMUBGSFDVFODJBZBMUBUFNQFSBUVSB-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBBCBTFEF4J$
DBSCVSPEFTJMJDJPQBSBGBCSJDBSFMFNFOUPTEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
QFSNJUFVOWPMUBKFNÃT
BMUP NFOPSFTDBÎEBTEFWPMUBKF UFNQFSBUVSBTNÃYJNBTNÃTBMUBT ZDPOEVDUJWJEBEFTUÊSNJDBT
NÃTBMUBT-PTGBCSJDBOUFTTPODBQBDFTEFEFTBSSPMMBSZQSPDFTBSUSBOTJTUPSFTEFBMUBDBMJEBEB
DPTUPTRVFQFSNJUFOJOUSPEVDJSOVFWPTQSPEVDUPTFOÃSFBTEFBQMJDBDJÓOEPOEFMPTCFOFGJDJPTEF
MBUFDOPMPHÎBEFM4J$QFSNJUFOWFOUBKBTTJHOJGJDBUJWBTFOFMTJTUFNB<>
)BFNQF[BEPVOBOVFWBFSBFOMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB<>&TFMDPNJFO[PEFMBUFS
DFSBSFWPMVDJÓOEFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBFOFMÃNCJUPEFMQSPDFTBNJFOUPEFFOFSHÎBSFOP
WBCMFZBIPSSPTEFFOFSHÎBFOUPEPFMNVOEP4FFTQFSBRVFEVSFPUSPTBÒPT

1.3 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA


1BSBDPOUSPMPBDPOEJDJPOBNJFOUPEFMBFOFSHÎBFMÊDUSJDBTFSFRVJFSFDPOWFSUJSMBEFVOBGPSNB
BPUSB ZMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPONVUBDJÓOEFMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBQFSNJUFOUBMDPO
WFSTJÓO -PT DPOWFSUJEPSFT FTUÃUJDPT EF QPUFODJB SFBMJ[BO FTUBT GVODJPOFT EF DPOWFSTJPOFT EF
QPUFODJB6ODPOWFSUJEPSTFQVFEFDPOTJEFSBSDPNPVOBNBUSJ[EFDPONVUBDJÓOFOMBDVBMVOP
PNÃTDPONVUBEPSFTTFDPOFDUBOBMBGVFOUFEFQPUFODJBQBSBPCUFOFSFMWPMUBKFPDPSSJFOUFEF
TBMJEBEFTFBEPT-PTDJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJBTFDMBTJGJDBOFOTFJTUJQPT

1. %JPEPTSFDUJGJDBEPSFT
2. $POWFSUJEPSFTDEDB SFDPSUBEPSFTEFDE

3. $POWFSUJEPSFTDEDB JOWFSTPSFT

4. $POWFSUJEPSFTDBDE SFDUJGJDBEPSFTDPOUSPMBEPT

5. $POWFSUJEPSFTDBDB DPOUSPMBEPSFTEFWPMUBKFEFDB

6. $PONVUBEPSFTFTUÃUJDPT

&OMPTTJHVJFOUFTDPOWFSUJEPSFTTFVUJMJ[BOEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOTÓMPQBSBJMVTUSBS
MPTQSJODJQJPTCÃTJDPT-BBDDJÓOEFDPONVUBDJÓOEFVODPOWFSUJEPSQVFEFTFSSFBMJ[BEBQPSNÃT
EFVOEJTQPTJUJWP-BFMFDDJÓOEFVOEJTQPTJUJWPQBSUJDVMBSEFQFOEFEFMPTSFRVFSJNJFOUPTEF
WPMUBKF DPSSJFOUFZWFMPDJEBEEFMDPOWFSUJEPS
Diodos rectificadores. 6ODJSDVJUPSFDUJGJDBEPSBCBTFEFEJPEPTDPOWJFSUFWPMUBKFEFDB
FOVOWPMUBKFGJKPEFDE GJHVSB
6OEJPEPDPOEVDFDVBOEPTVWPMUBKFEFMÃOPEPFTNÃTBMUP
RVFFMWPMUBKFEFMDÃUPEP ZPGSFDFVOBDBÎEBEFWPMUBKFNVZQFRVFÒB JEFBMNFOUFVOWPMUBKF
DFSP QFSPRVFTVFMFTFSEF76OEJPEPTFDPNQPSUBDPNPVODJSDVJUPBCJFSUPDVBOEP
TV WPMUBKF EF DÃUPEP FT NÃT BMUP RVF FM WPMUBKF EF ÃOPEP  Z PGSFDF VOB SFTJTUFODJB NVZ
BMUB JEFBMNFOUFJOGJOJUB QFSPRVFUÎQJDBNFOUFFTEFLΩ&MWPMUBKFEFTBMJEBFTVOBDEQVM
TBOUFQFSPTFEJTUPSTJPOBZDPOUJFOFBSNÓOJDPT&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTFDBMDVMBDPNP
vo 130.
=Vm/π&MWPMUBKFEFFOUSBEBviBMSFDUJGJDBEPSQVFEFTFSNPOPGÃTJDPPUSJGÃTJDP
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 7

vs
Vm

vs  Vm sent

Diodo D1 0 
 2
 
vs  Vm sent
Vm
vi suministro  Resistencia de carga
de ca vo
 Vm
R
vs  vo 


0 
Diodo D2  2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda de voltaje

FIGURA 1.3
3FDUJGJDBDJÓONPOPGÃTJDBBCBTFEFEJPEPT

Convertidores cd-cd. 6ODPOWFSUJEPSDEDEUBNCJÊOTFDPOPDFDPNPrecortadorPre-


gulador de conmutaciónFOMBGJHVSBTFNVFTUSBVOSFDPSUBEPSEFUSBOTJTUPS"MFODFOEFS
FMUSBOTJTUPSQDPOMBBQMJDBDJÓOEFVOWPMUBKFEFDPNQVFSUBVGE MBGVFOUFEFDETFDPOFDUB
BMBDBSHBZFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFTBMJEBFTvo = +Vs$VBOEPFMUSBOTJTUPSQTFBQBHBBM
SFUJSBSFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBVGE MBGVFOUFTFEFTDPOFDUBEFMBDBSHBZFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFP
EFTBMJEBFTvo =&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTFWVFMWFVo PROM
= tVsT = δVs1PS
DPOTJHVJFOUF TFQVFEFIBDFSRVFFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPWBSÎFDPOUSPMBOEPFMDJDMPEF
USBCBKP&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPvoTFDPOUSPMBWBSJBOEPFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOt EFM
USBOTJTUPSQ4JTFTFMQFSJPEPEFSFDPSUF FOUPODFTt = δT EPOEFδFTFMciclo de trabajo
EFMSFDPSUBEPS

vGE

1
IGBT
Vs Q1
 0 t
VGE  t1 T t1
Fuente vo 
de cd  T
C Vs
Dm a Vo  Vs
r vo
g
a

 0 t
 t1 T
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.4
$POWFSUJEPSDEDE
8 Capítulo 1 Introducción

vg1, vg2
1

0 t
 T T
vg3, vg4 2
M3 1
M1
0 t
 G T T
vg1  vo
Fuente Vs 2
V
de cd s  Carga  vg3
 
vo
M2 0 t
T T
M4
2
G vs


(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.5
$POWFSUJEPSDEDBNPOPGÃTJDP

Convertidores cd-ca. 6ODPOWFSUJEPSDEDBUBNCJÊOTFDPOPDFDPNPinversor&OMBGJ


HVSBTFNVFTUSBVOJOWFSTPSEFUSBOTJTUPSNPOPGÃTJDP$VBOEPMPT.04'&5MZMTF
FODJFOEFO BM BQMJDBS WPMUBKFT EF DPNQVFSUB  FM WPMUBKF EF MB GVFOUF Vs BQBSFDF B USBWÊT EF MB
DBSHBZFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFTBMJEBFTvo = +Vs."TJNJTNP DVBOEPMPT.04'&5MZM
TFFODJFOEFOBMBQMJDBSWPMUBKFTEFDPNQVFSUB FMWPMUBKFEFMBGVFOUFEFDEVsBQBSFDFBUSBWÊT
EFMBDBSHBFOMBEJSFDDJÓOPQVFTUB&TEFDJS FMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFTBMJEBFTvo = −Vs4JMPT
USBOTJTUPSFTMZMDPOEVDFOEVSBOUFVOBNJUBEEFVOQFSJPEPZMZMDPOEVDFOEVSBOUF
MBPUSBNJUBE FMWPMUBKFEFTBMJEBFTBMUFSOP&MWBMPSSNTEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFWVFMWF
Vo SNT
= VS4JOFNCBSHP FMWPMUBKFEFTBMJEBDPOUJFOFBSNÓOJDPT MPTDVBMFTTFQPESÎBOGJMUSBS
BOUFTEFBMJNFOUBSMBDBSHB
Convertidores ca-cd. &OMBGJHVSBTFNVFTUSBVODPOWFSUJEPSNPOPGÃTJDPDPOEPT
UJSJTUPSFTOBUVSBMFTDPONVUBEPT1PSMPDPNÙO VOUJSJTUPSQFSNBOFDFBQBHBEPZTFQVFEFFO
DFOEFSBQMJDÃOEPMFVOQVMTPEFDPNQVFSUBEFBQSPYJNBEBNFOUF7DPOVOBEVSBDJÓOEF
μT$VBOEPFMUJSJTUPSTTFFODJFOEFDPOVOÃOHVMPEFSFUSBTPEFωt = α FMWPMUBKFEFMB
GVFOUFBQBSFDFBUSBWÊTEFMBDBSHBZFMUJSJTUPSTTFBQBHBBVUPNÃUJDBNFOUFBMSFEVDJSTFTVDP
SSJFOUFBDFSPFOFMJOTUBOUFωt = π$VBOEPFMUJSJTUPSTTFFODJFOEFDPOVOÃOHVMPEFSFUSBTP
EFωt = π + α MBQBSUFOFHBUJWBEFMWPMUBKFEFBMJNFOUBDJÓOBQBSFDFBUSBWÊTEFMBDBSHBFOMB
EJSFDDJÓOQPTJUJWBZFMUJSJTUPSTTFBQBHBBVUPNÃUJDBNFOUFDVBOEPTVDPSSJFOUFllega a cero o
se anulaFOFMJOTUBOUFωt =π&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTFDBMDVMBNFEJBOUFVo 130.
=
+DPTα
Vmπ$POVOÃOHVMPEFSFUSBTPEFα = FTUFDPOWFSUJEPSGVODJPOBDPNPTJGVFSB
VOSFDUJGJDBEPSEFEJPEPT DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB&MWBMPSQSPNFEJPEFMWPMUBKFEF
TBMJEBvoTFQVFEFDPOUSPMBSWBSJBOEPFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMPTUJSJTUPSFTPFMÃOHVMPEF
SFUSBTPEFEJTQBSP α-BFOUSBEBPBMJNFOUBDJÓOQVFEFTFSVOBGVFOUFNPOPGÃTJDBPUSJGÃTJDB
&TUPTDPOWFSUJEPSFTUBNCJÊOTFDPOPDFODPNPrectificadores controlados
Convertidores ca-ca. &TUPTDPOWFSUJEPSFTTFVUJMJ[BOQBSBPCUFOFSVOBGVFOUFEFWPMUBKF
WBSJBCMFvoBQBSUJSEFVOBGVFOUFEFDBGJKBMBGJHVSBNVFTUSBVODPOWFSUJEPSNPOPGÃTJDP
DPOVO53*"$6O53*"$QFSNJUFRVFMBDPSSJFOUFGMVZBFOBNCBTEJSFDDJPOFTZTFQVFEF
FODFOEFSBQMJDBOEPWPMUBKFQPTJUJWPBMBDPNQVFSUBFOFMJOTUBOUFωt = αQBSBRVFVOBDPSSJFOUF
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 9

vs
Vm

vs  Vm sent
2
0 t
Tiristor T1 

 
vs  Vm sent Vm
Fuente  Resistencia de carga vo
Vm
de ca

R
vs  vo 

 t
0
 2
Tiristor T2 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.6
$POWFSUJEPSDBDENPOPGÃTJDP

GMVZBFOMBEJSFDDJÓOQPTJUJWB ZUBNCJÊOFOFMJOTUBOUFωt = π + αQBSBRVFVOBDPSSJFOUFGMVZB


FOMBEJSFDDJÓOOFHBUJWB&MWPMUBKFEFTBMJEBTFDPOUSPMBWBSJBOEPFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFM
53*"$PFMÃOHVMPEFSFUSBTPEFEJTQBSP α&TUPTUJQPTEFDPOWFSUJEPSFTUBNCJÊOTFDPOPDFO
DPNPcontroladores de voltaje de ca
Conmutadores estáticos. $PNP MPT EJTQPTJUJWPT EF QPUFODJB TF QVFEFO PQFSBS DPNP
DPONVUBEPSFTFTUÃUJDPTPDPOUBDUPSFT TVBMJNFOUBDJÓOQVFEFTFSEFDBPEFDEZTFDPOPDFO
DPNPconmutadores estáticos de caPconmutadores de cd

vs
Vm
vs  Vm sent

0 t
 2

Vm
vo
TRIAC Vm

 

Carga 0 t
Fuente vs  Vm sent vo  2
resistiva, 
de ca
R

  Vm

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.7
$POWFSUJEPSDBDBNPOPGÃTJDP
10 Capítulo 1 Introducción

Red eléctrica principal 1

Carga

Red
eléctrica
principal 2
Transformador Conmutador
Rectificador/cargador Inversor aislador estático de derivación

Batería

FIGURA 1.8
%JBHSBNBEFCMPRVFTEFVOBGVFOUFEFBMJNFOUBDJÓOJOJOUFSSVNQJCMF 614


"NFOVEPTFDPOFDUBOFODBTDBEBWBSJBTFUBQBTEFDPOWFSTJÓOQBSBQSPEVDJSMBTBMJEBEF
TFBEB DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB-BSFEFMÊDUSJDBQSJODJQBMQSPQPSDJPOBMBBMJNFOUBDJÓO
EFDBOPSNBMBMBDBSHBBUSBWÊTEFMBEFSJWBDJÓOFTUÃUJDB&MDPOWFSUJEPSDBDEDBSHBMBCBUFSÎB
EF FNFSHFODJB EF MB SFE FMÊDUSJDB QSJODJQBM  &M DPOWFSUJEPS DEDB TVNJOJTUSB MB QPUFODJB EF
FNFSHFODJBBMBDBSHBBUSBWÊTEFVOUSBOTGPSNBEPSBJTMBEPS/PSNBMNFOUFMBTSFEFTFMÊDUSJDBT
QSJODJQBMFTZTFDPOFDUBOBMBNJTNBGVFOUFEFDB
-BTGJHVSBTBJMVTUSBOMPTDPODFQUPTCÃTJDPTEFEJGFSFOUFTUJQPTEFDPOWFSTJÓO&M
WPMUBKFEFFOUSBEBBVODJSDVJUPSFDUJGJDBEPSQPESÎBTFSNPOPGÃTJDPPUSJGÃTJDP"TJNJTNP VO
JOWFSTPSQVFEFQSPEVDJSVOWPMUBKFEFTBMJEBEFDBNPOPGÃTJDPPUSJGÃTJDP1PSDPOTJHVJFOUF 
VODPOWFSUJEPSQPESÎBTFSNPOPGÃTJDPPUSJGÃTJDP
-BUBCMBSFTVNFMPTUJQPTEFDPOWFSTJÓO TVTGVODJPOFTZTVTTÎNCPMPT<>&TUPTDPO
WFSUJEPSFTTPODBQBDFTEFDPOWFSUJSFOFSHÎBEFVOBGPSNBBPUSBZIBMMBSOVFWBTBQMJDBDJPOFT 
DPNPTFJMVTUSBFOMBGJHVSB QBSBUSBOTGPSNBSMBFOFSHÎBEFVOBQJTUBEFCBJMFFOVOBGPSNB
ÙUJM<>

1.4 DISEÑO DE EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA


&MEJTFÒPEFVOFRVJQPFMFDUSÓOJDPEFQPUFODJBQVFEFDPOTUBSEFDVBUSPQBSUFT

1. %JTFÒPEFDJSDVJUPTEFQPUFODJB
2. 1SPUFDDJÓOEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB
3. %FUFSNJOBDJÓOEFMBFTUSBUFHJBEFDPOUSPM
4. %JTFÒPEFDJSDVJUPTMÓHJDPTZEFDPNQVFSUB

&OMPTTJHVJFOUFTDBQÎUVMPTTFEFTDSJCFOZBOBMJ[BOWBSJPTUJQPTEFDJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEF
QPUFODJB&OFMBOÃMJTJTTFTVQPOFRVFMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBTPODPONVUBEPSFTJEFBMFTB
NFOPTRVFTFEJHBMPDPOUSBSJPTFPNJUFOMPTFGFDUPTEFJOEVDUBODJBQBSÃTJUBEFDJSDVJUP MBTSF
TJTUFODJBTEFDJSDVJUPZMBJOEVDUBODJBEFGVFOUF-PTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBZDJSDVJUPTQSÃDUJ
DPTTFBQBSUBOEFFTUBTDPOEJDJPOFTJEFBMFTZTVTEJTFÒPTUBNCJÊOTFWFOBGFDUBEPT/PPCTUBOUF 
FOMBQSJNFSBFUBQBEFMEJTFÒPFMBOÃMJTJTTJNQMJGJDBEPEFVODJSDVJUPFTNVZÙUJMQBSBFOUFOEFS
DÓNPGVODJPOBFMDJSDVJUPZFTUBCMFDFSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTZMBFTUSBUFHJBEFDPOUSPM
1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11

TABLA 1.2 5JQPTEFDPOWFSTJÓOZTÎNCPMPT

$POWFSTJÓOEFB /PNCSFEFMDPOWFSUJEPS 'VODJÓOEFMDPOWFSUJEPS 4ÎNCPMPEFMDPOWFSUJEPS

$BBDE 3FDUJGJDBEPS $BQBSBDPSSJFOUFVOJQPMBS DE

$EBDE 3FDPSUBEPS $EDPOTUBOUFBDEWBSJBCMFPDE


WBSJBCMFBDEDPOTUBOUF

$EBDB *OWFSTPS $EBDBEFWPMUBKFZGSFDVFODJB


EFTBMJEBEFTFBEPT

$BBDB $POUSPMBEPSEFWPMUBKF $BEFGSFDVFODJBZPNBHOJUVE


EFDB DJDMPDPOWFSUJEPS  EFTFBEBBQBSUJSHFOFSBM
DPOWFSUJEPSNBUSJDJBM NFOUFEFVOBDBEFMÎOFB
EFBMJNFOUBDJÓO

"OUFTEFDPOTUSVJSVOQSPUPUJQPFMEJTFÒBEPSEFCFJOWFTUJHBSMPTFGFDUPTEFMPTQBSÃNFUSPT
EFM DJSDVJUP Z MBT JNQFSGFDDJPOFT EF MPT EJTQPTJUJWPT
 F JODMVTJWF NPEJGJDBS FM EJTFÒP TJ GVFSB
OFDFTBSJP4ÓMPIBTUBRVFFMQSPUPUJQPFTUÊDPOTUSVJEPZTFIBZBQSPCBEP FMEJTFÒBEPSQVFEF
DPOGJBSFOMBWBMJEF[EFMEJTFÒPZFTUJNBSDPONÃTDFSUF[BBMHVOPTEFMPTQBSÃNFUSPTEFMDJSDVJUP
QPSFKFNQMP JOEVDUBODJBQBSÃTJUB


1.5 DETERMINACIÓN DE VALORES DE LA MEDIA CUADRÁTICA


DE FORMAS DE ONDA
1BSBEFUFSNJOBSDPOQSFDJTJÓOMBTQÊSEJEBTQPSDPOEVDDJÓOFOVOEJTQPTJUJWPZMBTDBQBDJEB
EFTEFDPSSJFOUFEFMEJTQPTJUJWPZDPNQPOFOUFT TFEFCFODPOPDFSFMWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUF
$POGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFSBSBTDPNPTJOVTPJEFTPSFDUÃOHVMPTTJNQMFT ZFTUPQVFEF
12 Capítulo 1 Introducción

Rectificador
de diodos

Loseta del piso (25 kg) Generador


LED
Resorte C
FIGURA 1.9 Engranaje Carga
.PEFMPFRVJWBMFOUFEFVOBQJTUBEFCBJMFQBSB
HFOFSBDJÓOEFFOFSHÎBFuente:3FG

BDBSSFBS QSPCMFNBT BM EFUFSNJOBS MPT WBMPSFT SNT &M WBMPS SNT EF VOB POEB i t
 TF DBMDVMB
DPNP
T
1
Irms = i2 dt  

C T L0
EPOEFTFTFMQFSJPEP4JVOBPOEBTFQVFEFEJWJEJSFOBSNÓOJDPTDVZPTWBMPSFTSNTTFQVFEFO
DBMDVMBSJOEJWJEVBMNFOUF MPTWBMPSFTSNTEFMBGPSNBEFPOEBTFQVFEFOBQSPYJNBSEFNBOFSB
TBUJTGBDUPSJBDPNCJOBOEPMPTWBMPSFTSNTEFMPTBSNÓOJDPT&TEFDJS FMWBMPSSNTEFMBGPSNBEF
POEBTFDBMDVMBDPNPTJHVF

Irms = 2I 2cd + I 2rms(1) + I 2rms(2) + g + I 2rms(n)  

EPOEFIDE =BMDPNQPOFOUFEFDEISNT 
FISNT n
TPOMPTWBMPSFTSNTEFMPTDPNQPOFOUFTCÃTJDP
ZnÊTJNP SFTQFDUJWBNFOUF
-BGJHVSBNVFTUSBMPTWBMPSFTSNTEFEJGFSFOUFTGPSNBTEFPOEBRVFDPNÙONFOUFTF
FODVFOUSBOFOMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB

1.6 EFECTOS PERIFÉRICOS


&MGVODJPOBNJFOUPEFMPTDPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJBTFCBTBQSJODJQBMNFOUFFOMBDPONVUBDJÓOEF
EJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBFODPOTFDVFODJB MPTDPOWFSUJEPSFTQSPWPDBOBSNÓOJDPT
EFDPSSJFOUFZWPMUBKFFOFMTJTUFNBEFBMJNFOUBDJÓOZFOMBTBMJEBEFMPTDPOWFSUJEPSFT-PTDPOWFS
UJEPSFTTVFMFOPDBTJPOBSQSPCMFNBTEFEJTUPSTJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEB HFOFSBDJÓOEFBSNÓOJDPT
FOFMTJTUFNBEFBMJNFOUBDJÓOFJOUFSGFSFODJBDPOMPTDJSDVJUPTEFDPNVOJDBDJÓOZTFÒBMJ[BDJÓO-P
RVFOPSNBMNFOUFTFSFRVJFSFFTDPMPDBSGJMUSPTFOMBFOUSBEBZTBMJEBEFVOTJTUFNBDPOWFSUJEPS
QBSBSFEVDJSFMOJWFMEFBSNÓOJDPTBVOBNBHOJUVEBDFQUBCMF-BGJHVSBNVFTUSBFMEJBHSBNB
EFCMPRVFTEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJBHFOFSBMJ[BEP-BBQMJDBDJÓOEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
QBSBQSPQPSDJPOBSMBTDBSHBTFMFDUSÓOJDBTTFOTJUJWBTQMBOUFBVOSFUPTPCSFMPTBTQFDUPTEFDBMJEBE
EFMBQPUFODJBZDSFBQSPCMFNBTFJORVJFUVEFTRVFMPTJOWFTUJHBEPSFTEFCFOSFTPMWFS-BTDBOUJEB
EFTEFFOUSBEBZTBMJEBEFMPTDPOWFSUJEPSFTQVFEFOTFSEFDBPEFDE'BDUPSFTDPNPEJTUPSTJÓO
1.6 Efectos periféricos 13

Ip

Ip
Irms 
2
TT0 Onda senoidal
completa
(a)

T
Ip
k
Irms  Ip
2
T0
k
T0 Senoidal T
pulsante
(b)

Ip 1/2
Irms  Ip k sen T0(1  k) cos (1  k)

2 2

Senoidal controlada t1
t1 T0 k1
por fase T

(c)

T
Ip Irms  Ip k
T0
k
T
T0 Cuadrada
(d)

T 1/2
Ib Irms  k(I b2  IaIb  Ia2)/3
Ia
T0
k
T
T0 Rectangular
(e)

T
Ip k
Irms  Ip
3
T0
k
T
T0 Triangular
(f)

FIGURA 1.10
7BMPSFTSNTEFGPSNBTEFPOEBRVFTFTVFMFOFODPOUSBS
14 Capítulo 1 Introducción

Potencia Filtro de Convertidor Filtro Salida


Fuente entrada de potencia de salida

Generador conmutador
de la señal de control

FIGURA 1.11
4JTUFNBDPOWFSUJEPSEFQPUFODJBHFOFSBMJ[BEP

BSNÓOJDBUPUBM 5)%
GBDUPSEFEFTQMB[BNJFOUP %'
ZGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEB *1'
TPO
NFEJEBTEFMBDBMJEBEEFVOBGPSNBEFPOEB1BSBEFUFSNJOBSUBMFTGBDUPSFTTFSFRVJFSFIBMMBSFM
DPOUFOJEPBSNÓOJDPEFMBTGPSNBTEFPOEB-BFWBMVBDJÓOEFMEFTFNQFÒPEFVODPOWFSUJEPS TVT
WPMUBKFTZDPSSJFOUFTEFFOUSBEBZTBMJEB TFFYQSFTBOFOVOBTFSJFEF'PVSJFS-BDBMJEBEEFVO
DPOWFSUJEPSEFQPUFODJBTFKV[HBQPSMBDBMJEBEEFTVTGPSNBTEFPOEBEFWPMUBKFZEFDPSSJFOUF
-BFTUSBUFHJBEFDPOUSPMQBSBMPTDPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJBEFTFNQFÒBVOBQBSUFJNQPS
UBOUFFOMBHFOFSBDJÓOEFBSNÓOJDPTZMBEJTUPSTJÓOEFMBPOEBEFTBMJEB ZTFQVFEFEJTFÒBSQBSB
NJOJNJ[BSPSFEVDJSFTUPTQSPCMFNBT-PTDPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJBQVFEFOQSPWPDBSJOUFSGF
SFODJBEFSBEJPGSFDVFODJBEFCJEPBMBSBEJBDJÓOFMFDUSPNBHOÊUJDB BEFNÃTTFQVFEFOHFOFSBS
TFÒBMFT EF FSSPS FO MPT DJSDVJUPT EF DPNQVFSUB &TUB JOUFSGFSFODJB TF QVFEF FWJUBS NFEJBOUF
blindaje conectado a tierra
$ÓNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB MBQPUFODJBGMVZFEFMBGVFOUFBMBTBMJEB-BTGPSNBTEF
POEBFOEJGFSFOUFTQVOUPTUFSNJOBMFTQPESÎBOTFSEJGFSFOUFTBNFEJEBRVFTFQSPDFTFOFODBEB
FUBQB)BZRVFUFOFSQSFTFOUFRVFFYJTUFOEPTUJQPTEFGPSNBTEFPOEBVOBBMOJWFMEFQPUFODJB
ZPUSBQSPEVDJEBQPSMBTFÒBMEFCBKPOJWFM HFOFSBEBTQPSMBDPONVUBDJÓOPQPSFMHFOFSBEPS
EFDPOUSPMEFDPNQVFSUB&TUPTEPTOJWFMFTEFWPMUBKFEFCFOBJTMBSTFVOPEFPUSPEFNPEPRVF
OPJOUFSGJFSBOFOUSFTÎ
-BGJHVSBNVFTUSBFMEJBHSBNBEFCMPRVFTEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJBUÎQJDPRVF
JODMVZFBJTMBNJFOUPT SFUSPBMJNFOUBDJÓOZTFÒBMFTEFSFGFSFODJB<>-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
FTVOBNBUFSJBJOUFSEJTDJQMJOBSJB ZFMEJTFÒPEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJBOFDFTJUBUFOFSFO
DVFOUBMPTJHVJFOUF

 r %JTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBDPOTVTDBSBDUFSÎTUJDBTGÎTJDBT SFRVFSJNJFOUPT
EFFYDJUBDJÓOZTVQSPUFDDJÓOQBSBMBVUJMJ[BDJÓOÓQUJNBEFTVTDBQBDJEBEFT
 r 5PQPMPHÎBTEFDPOWFSUJEPSEFQPUFODJBQBSBPCUFOFSMBTBMJEBEFTFBEB
 r &TUSBUFHJBTEFcontrolEFMPTDPOWFSUJEPSFTQBSBPCUFOFSMBTBMJEBEFTFBEB
 r .JDSPFMFDUSÓOJDB BOBMÓHJDB Z NJDSPFMFDUSÓOJDB EJHJUBM QBSB JNQMFNFOUBS MBT FTUSBUFHJBT
EFDPOUSPM
 r &MFNFOUPTEFFOFSHÎBDBQBDJUJWPTZNBHOÊUJDPTQBSBBMNBDFOBSZGJMUSBSMBFOFSHÎB
 r .PEFMBEPEFEJTQPTJUJWPTEFDBSHBFMÊDUSJDBSPUBUPSJPTZFTUÃUJDPT
 r (BSBOUÎBEFMBDBMJEBEEFMBTGPSNBTEFPOEBHFOFSBEBTZVOBMUPGBDUPSEFQPUFODJB
 r .JOJNJ[BDJÓOEFMBJOUFSGFSFODJBEFSBEJPGSFDVFODJBZFMFDUSPNBHOÊUJDB &.*

 r 0QUJNJ[BDJÓOEFMPTDPTUPT QFTPTZFGJDJFODJBEFMBFOFSHÎB
1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15

Alimentación principal

Entrada Filtro
Excitación Filtro
FF1
de compuerta de salida
FB1 E
X
C Circuito de
FB2 I I I
S S potencia
T Carga
O O A &
FF1 L L
Controlador D protección
O
REF1 R
FB1 FB2

Aislamiento
(ISOL)
ISOL – Aislamiento
FB – Retroalimentación
FF – Alimentación directa
Fuente
de potencia

Alimentación auxiliar

FIGURA 1.12
%JBHSBNBEFCMPRVFTEFVODPOWFSUJEPSUÎQJDPEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBFuente3FG

1.7 CARACTERÍSTICAS Y ESPECIFICACIONES DE CONMUTADORES


)BZNVDIPTUJQPTEFEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOEFQPUFODJB4JOFNCBSHP DBEBVOPUJFOFTVT
WFOUBKBTZEFTWFOUBKBTZFTBEFDVBEPQBSBBQMJDBDJPOFTFTQFDÎGJDBT-BNPUJWBDJÓOEFUSÃTEFM
EFTBSSPMMPEFDVBMRVJFSEJTQPTJUJWPOVFWPFTMPHSBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFVOiTÙQFSEJTQPTJUJWPu
1PSDPOTJHVJFOUF MBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDVBMRVJFSEJTQPTJUJWPSFBMTFQVFEFODPNQBSBSZFWBMVBS
FOSFMBDJÓODPOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTJEFBMFTEFVOTÙQFSEJTQPTJUJWP

1.7.1 Características ideales


-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFVODPONVUBEPSJEFBMTPO

1. $VBOEPFMDPONVUBEPSFTUÊFODFOEJEP EFCFUFOFS B
MBDBQBDJEBEEFDPOEVDJSVOBBMUB
DPSSJFOUFEJSFDUBIF RVFUJFOEBBJOGJOJUP C
VOBCBKBDBÎEBEFWPMUBKFEJSFDUPVON RVF
UJFOEBBDFSP Z D
VOBCBKBSFTJTUFODJBRON RVFUJFOEBBDFSP6OBCBKBSFTJTUFODJBRON
QSPWPDBVOBCBKBQÊSEJEBEFQPUFODJBPONFOFTUBEPEFFODFOEJEP/PSNBMNFOUFTFIBDF
SFGFSFODJBBFTUPTTÎNCPMPTFODPOEJDJPOFTEFFTUBEPFTUBCMFEFDE
2. &OFTUBEPEFBQBHBEP FMDPONVUBEPSEFCFUFOFS B
MBDBQBDJEBEEFTPQPSUBSVOBMUPWPM
UBKFEJSFDUPPJOWFSTP VFR RVFUJFOEBBJOGJOJUP C
VOBCBKBDPSSJFOUFEFGVHBIOFF RVF
UJFOEBBDFSP Z D
VOBBMUBSFTJTUFODJBROFFRVFUJFOEBBJOGJOJUP6OBBMUBR''QSPWPDB
16 Capítulo 1 Introducción

VOBCBKBQÊSEJEBEFQPUFODJBPOFF/PSNBMNFOUFTFIBDFSFGFSFODJBBFTUPTTÎNCPMPTFO
DPOEJDJPOFTEFFTUBEPFTUBCMFEFDE
3. %VSBOUF FM QSPDFTP EF FODFOEJEP Z BQBHBEP EFCF FODFOEFSTF Z BQBHBSTF JOTUBOUÃOFB
NFOUFEFNPEPRVFFMEJTQPTJUJWPTFQVFEBPQFSBSBBMUBTGSFDVFODJBT1PSUBOUP EFCF
UFOFS B
VOCBKPUJFNQPEFSFUSBTPtd RVFUJFOEBBDFSPVOCBKPUJFNQPEFTVCJEBtr RVF
UJFOEBBDFSP D
VOCBKPUJFNQPEFBMNBDFOBNJFOUPts RVFUJFOEBBDFSP Z E
VOCBKP
UJFNQPEFDBÎEBtG RVFUJFOEBBDFSP
4. 1BSBFMFODFOEJEPZFMBQBHBEPEFCFSFRVFSJS B
VOBCBKBQPUFODJBEFFYDJUBDJÓOEFDPN
QVFSUB PG  RVF UJFOEB B DFSP C
 VO CBKP WPMUBKF EF FYDJUBDJÓO EF DPNQVFSUB VG  RVF
UJFOEBBDFSP Z D
VOBDPSSJFOUFEFFYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUBIG RVFUJFOEBBDFSP
5. 5BOUPFMFODFOEJEPDPNPFMBQBHBEPEFCFOTFSDPOUSPMBCMFT1PSDPOTJHVJFOUF TFEFCF
FODFOEFSDPOVOBTFÒBMEFDPNQVFSUB QPSFKFNQMP QPTJUJWB
ZEFCFBQBHBSTFDPOPUSB
TFÒBMEFDPNQVFSUB QPSFKFNQMP DFSPPOFHBUJWB

6. 1BSBFMFODFOEJEPZFMBQBHBEPTFEFCFSFRVFSJSTÓMPVOBTFÒBMQVMTBOUF FTEFDJS VO
QFRVFÒPQVMTPDPOVOBODIPNVZQFRVFÒPtw RVFUJFOEBBDFSP
7. %FCFUFOFSVOBBMUBdvdt RVFUJFOEBBJOGJOJUP&TEFDJS FMDPONVUBEPSEFCFTFSDBQB[
EFNBOFKBSMPTSÃQJEPTDBNCJPTEFMWPMUBKFBUSBWÊTEFÊM
8. %FCFUFOFSVOBBMUBdidt RVFUJFOEBBJOGJOJUP&TEFDJS FMDPONVUBEPSEFCFTFSDBQB[
EFNBOFKBSVOBSÃQJEBTVCJEBEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFÊM
9. 3FRVJFSFNVZCBKBJNQFEBODJBUÊSNJDBEFMBVOJÓOJOUFSOBBMBNCJFOUFRIA RVFUJFOEB
BDFSPEFNPEPRVFQVFEBUSBOTNJUJSGÃDJMNFOUFDBMPSBMBNCJFOUF
10. 4FOFDFTJUBMBDBQBDJEBEEFTPQPSUBSDVBMRVJFSGBMUBEFDPSSJFOUFEVSBOUFMBSHPUJFNQP
FTEFDJS EFCFUFOFSVOBMUPWBMPSEFit RVFUJFOEBBJOGJOJUP
11. 4FSFRVJFSFVODPFGJDJFOUFEFUFNQFSBUVSBOFHBUJWPFOMBDPSSJFOUFDPOEVDJEBQBSBRVF
IBZBVOSFQBSUPJHVBMEFDPSSJFOUFDVBOEPMPTEJTQPTJUJWPTTFPQFSFOFOQBSBMFMP
12. 6OCBKPQSFDJPFTVOBDPOTJEFSBDJÓONVZJNQPSUBOUFQBSBFMSFEVDJEPDPTUPEFMFRVJQP
FMFDUSÓOJDPEFQPUFODJB

1.7.2 Características de los dispositivos prácticos


%VSBOUFFMQSPDFTPEFFODFOEJEPZBQBHBEPEFVOEJTQPTJUJWPEFDPONVUBDJÓOQSÃDUJDPDPNP
FMRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBSFRVJFSFUJFNQPTEFSFUSBTP td
EFTVCJEB tr
EFBMNB
DFOBNJFOUP ts
ZEFDBÎEB tf
GJOJUPT$POGPSNFMBDPSSJFOUFEFMEJTQPTJUJWPiswTVCFEVSBOUF
FMFODFOEJEP FMWPMUBKFvswBUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWPDBF$POGPSNFMBDPSSJFOUFEFMEJTQPTJUJWP
DBFEVSBOUFFMBQBHBEP FMWPMUBKFBUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWPTVCF&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBO
MBTGPSNBTEFPOEBUÎQJDBTEFMPTWPMUBKFTvswZDPSSJFOUFTiswEFMEJTQPTJUJWP&MUJFNQPEFFO
DFOEJEP tPO
EFVOEJTQPTJUJWPFTMBTVNBEFMUJFNQPEFSFUSBTPZFMUJFNQPEFTVCJEB FOUBOUP
RVFTVUJFNQPEFBQBHBEP tPGG
FTMBTVNBEFMUJFNQPEFBMNBDFOBNJFOUPZFMUJFNQPEFDBÎEB
&O DPOUSBTUF DPO VO DPONVUBEPS JEFBM TJO QÊSEJEBT  VO EJTQPTJUJWP EF DPONVUBDJÓO QSÃDUJDP
EJTJQBQBSUFEFFOFSHÎBBMDPOEVDJSZDPONVUBS-BDBÎEBEFWPMUBKFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWP
EFQPUFODJBRVFDPOEVDFFTBMNFOPTEFMPSEFOEF7 QFSPBNFOVEPFTNÃTBMUP IBTUBEF
WBSJPTWPMUT&MPCKFUJWPEFDVBMRVJFSEJTQPTJUJWPOVFWPFTNFKPSBSMBMJNJUBDJÓOJNQVFTUBQPS
MPTQBSÃNFUSPTEFDPONVUBDJÓO
-BQÊSEJEBEFQPUFODJBQSPNFEJPFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOPONFTUÃEBEBQPS

t
1 n

PON = p dt  

Ts L0
1.7 Características y especificaciones de conmutadores 17

vSW
VCC

VSW(sat)
0 t
ton toff
iSW
ISWs

ISW0
0 t

td tr tn ts tf to
VCC iG
IGS
RL
0 t
iSW Ts  I/fs

 vG
iG
VSW VG(sat)

0 t
PSW
 VG conmutador


0 t
(a) Conmutador controlado (b) Formas de onda de conmutador

FIGURA 1.13
'PSNBTEFPOEBUÎQJDBTEFWPMUBKFTZDPSSJFOUFTEFVOEJTQPTJUJWP

EPOEFTsEFOPUBFMQFSJPEPEFDPOEVDDJÓOZpFTMBQÊSEJEBJOTUBOUÃOFBEFQPUFODJB FTEFDJS FM


QSPEVDUPEFMBDBÎEBEFWPMUBKFvswBUSBWÊTEFMDPONVUBEPSQPSMBDPSSJFOUFDPOEVDJEBisw
-BT
QÊSEJEBTEFQPUFODJBTFJODSFNFOUBOEVSBOUFFMFODFOEJEPZBQBHBEPEFMDPONVUBEPSQPSRVF
EVSBOUFMBUSBOTJDJÓOEFVOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOBPUSPUBOUPFMWPMUBKFDPNPMBDPSSJFOUFUJF
OFOWBMPSFTTJHOJGJDBUJWPT-BQÊSEJEBEFQPUFODJBSFTVMUBOUFQPSDPONVUBDJÓOPSWEVSBOUFMPT
QFSJPEPTEFFODFOEJEPZBQBHBEPFTUÃEBEBQPS
td tr ts tf
PSW = fs a p dt + pdt + pdt + pdtb 

L0 L0 L0 L0

EPOEFfs =TsFTMBGSFDVFODJBEFDPONVUBDJÓOtd, tr, tsZtfTPOFMUJFNQPEFSFUSBTP FMUJFNQP


EF TVCJEB  FM UJFNQP EF BMNBDFOBNJFOUP  Z FM UJFNQP EF DBÎEB  SFTQFDUJWBNFOUF 1PS DPOTJ
HVJFOUF MBEJTJQBDJÓOEFQPUFODJBEFVOEJTQPTJUJWPEFDPONVUBDJÓOFTUÃEBEBQPS
PD = PON + PSW + PG  

18 Capítulo 1 Introducción

EPOEFPGFTMBQPUFODJBEFFYDJUBDJÓOPDPOUSPMEFDPNQVFSUB-BTQÊSEJEBTEFQPUFODJBPON
EF FODFOEJEP Z MBT QÊSEJEBT EF QPUFODJB EF DPNQVFSUB PG EVSBOUF FM QSPDFTP EF FODFOEJEP
QPSMPHFOFSBMTPOCBKBTDPNQBSBEBTDPOMBQÊSEJEBEFDPONVUBDJÓOPSWEVSBOUFFMUJFNQPEF
USBOTJDJÓODVBOEPVODPONVUBEPSFTUÃFOFMQSPDFTPEFFODFOEFSPBQBHBS&OMBQSÃDUJDBTF
QVFEFPNJUJSMBQÊSEJEBEFQPUFODJBEFDPNQVFSUBPGBMDBMDVMBSMBTQÊSEJEBTUPUBMFTEFQPUFO
DJBPG-BDBOUJEBEUPUBMEFQÊSEJEBEFFOFSHÎB MBDVBMFTFMQSPEVDUPEFPDQPSMBGSFDVFODJB
EFDPONVUBDJÓOfs QPESÎBTFSVOBDBOUJEBETJHOJGJDBUJWBTJFMDPONVUBEPSGVODJPOBSBBVOBBMUB
GSFDVFODJBFOFMSBOHPEFMPTL)[

1.7.3 Especificaciones de un conmutador


-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTQSÃDUJDPTEJGJFSFOEFMBTEFVOEJTQPTJUJWP
JEFBM-PTGBCSJDBOUFTQSPQPSDJPOBOIPKBTEFEBUPTRVFEFTDSJCFOMPTQBSÃNFUSPTEFMEJTQPTJUJWP
ZTVTWBMPSFT&YJTUFONVDIPTQBSÃNFUSPTRVFTPOJNQPSUBOUFTQBSBMPTEJTQPTJUJWPT-PTNÃT
TJHOJGJDBUJWPTTPO

Valores de voltaje7PMUBKFTEJSFDUPFJOWFSTPQJDPSFQFUJUJWPT ZVOBDBÎEBEFWPMUBKFEJ


SFDUPFOFTUBEPEFFODFOEJEP
Valores de corriente$PSSJFOUFTQSPNFEJP FGJDB[ SNT
QJDPSFQFUJUJWB QJDPOPSFQFUJUJWB 
ZEFGVHBFOFTUBEPBQBHBEP
Velocidad de conmutación o frecuencia -B USBOTJDJÓO EF VO FTUBEP UPUBMNFOUF OP DPO
EVDUPSBVOFTUBEPUPUBMNFOUFDPOEVDUPS FODFOEJEP
ZEFVOFTUBEPUPUBMNFOUFDPOEVD
UPSBVOFTUBEPUPUBMNFOUFOPDPOEVDUPS BQBHBEP
TPOQBSÃNFUSPTNVZJNQPSUBOUFT&M
QFSJPEPEFDPONVUBDJÓOTsZMBGSFDVFODJBfsFTUÃOEBEPTQPS

1 1
fs = =  

Ts td + tr + tn + ts + tf + to

EPOEFtoFTFMUJFNQPEVSBOUFFMDVBMFMDPONVUBEPSQFSNBOFDFBQBHBEP-BSFHVMBDJÓOEF
MPTUJFNQPTJNQMJDBEPTFOFMQSPDFTPEFDPONVUBDJÓOEFVODPONVUBEPSQSÃDUJDP DPNP
TFNVFTUSBFOMBGJHVSBC MJNJUBFMQFSJPEPEFDPONVUBDJÓONÃYJNP1PSFKFNQMP TJ
td = tr = tn = ts = tf = to =μT Ts =μTZMBGSFDVFODJBNÃYJNBQFSNJUJEBFTfS NÃY
=
Ts =L)[
Valor de didt&MEJTQPTJUJWPOFDFTJUBVOBDBOUJEBENÎOJNBEFUJFNQPBOUFTEFRVFUPEB
TV TVQFSGJDJF DPOEVDUPSB FOUSF FO KVFHP QBSB TPQPSUBS UPEB MB DPSSJFOUF 4J MB DPSSJFOUF
TFFMFWBDPOSBQJEF[ FMGMVKPEFDPSSJFOUFQVFEFDPODFOUSBSTFFOVOÃSFBEFUFSNJOBEBZ
FMEJTQPTJUJWPQVFEFEBÒBSTF/PSNBMNFOUF FMWBMPSEFdidtEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFM
EJTQPTJUJWPTFMJNJUBDPOFDUBOEPVOQFRVFÒPJOEVDUPSFOTFSJFDPOFMEJTQPTJUJWP DPOPDJEP
DPNPsupresor en serie
Valor de dvdt6OEJTQPTJUJWPTFNJDPOEVDUPSUJFOFVOBDBQBDJUBODJBEFVOJÓOJOUFSOBCj
4JFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMDPONVUBEPSDBNCJBDPOSBQJEF[EVSBOUFFMFODFOEJEP FMBQBHBEP
ZUBNCJÊONJFOUSBTTFDPOFDUBBMBBMJNFOUBDJÓOQSJODJQBM MBDPSSJFOUFJOJDJBM MBDPSSJFOUF
CjdvdtRVFGMVZFBUSBWÊTEFCjQVFEFTFSNVZBMUB ZFMEJTQPTJUJWPTFEBÒBSÎB&MWBMPSEF
dvdtEFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWPTFMJNJUBDPOFDUBOEPVODJSDVJUPRCBUSBWÊTEFM
EJTQPTJUJWP DPOPDJEPDPNPsupresor en derivación PTJNQMFNFOUFDJSDVJUPsnubber
Pérdidas por conmutación:%VSBOUFFMFODFOEJEPMBDPSSJFOUFEJSFDUBTFFMFWBBOUFTEFRVF
FMWPMUBKFEJSFDUPDBJHB ZEVSBOUFFMBQBHBEPFMWPMUBKFEJSFDUPTFFMFWBBOUFTEFRVFMBDPS
SJFOUFDBJHB-BFYJTUFODJBTJNVMUÃOFBEFWPMUBKFZDPSSJFOUFBMUPTFOFMEJTQPTJUJWPSFQSFTFOUB
QÊSEJEBTEFQPUFODJBDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB1PSTVSFQFUJUJWJEBESFQSFTFOUBOVOB
QBSUFTJHOJGJDBUJWBEFMBTQÊSEJEBT ZBNFOVEPFYDFEFOMBTQÊSEJEBTFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19

Requerimientos de excitación de compuerta: &M WPMUBKF Z MB DPSSJFOUF EF MB FYDJUBDJÓO P
DPOUSPMEFDPNQVFSUBTPOQBSÃNFUSPTJNQPSUBOUFTQBSBFODFOEFSZBQBHBSVOEJTQPTJUJWP
-B QPUFODJB EF FYDJUBDJÓO EF DPNQVFSUB Z FM SFRVFSJNJFOUP EF FOFSHÎB TPO QBSUFT NVZ
JNQPSUBOUFTEFMBTQÊSEJEBTZEFMDPTUPUPUBMEFMFRVJQP$POSFRVFSJNJFOUPTEFQVMTPT
EF DPSSJFOUF HSBOEFT Z MBSHPT QBSB FM FODFOEJEP Z BQBHBEP  MBTQÊSEJEBT QPS FYDJUBDJÓO
EFDPNQVFSUBQVFEFOTFSTJHOJGJDBUJWBTFOSFMBDJÓODPOMBTQÊSEJEBTUPUBMFT ZFMDPTUPEFM
DJSDVJUPEFFYDJUBDJÓOQVFEFTFSNÃTBMUPRVFFMEFMEJTQPTJUJWP
Área de operación segura SOA
-BDBOUJEBEEFDBMPSHFOFSBEPFOFMEJTQPTJUJWPFTQSP
QPSDJPOBMBMBQÊSEJEBEFQPUFODJB FTEFDJS FMQSPEVDUPEFMWPMUBKFQPSMBDPSSJFOUF1BSB
RVFFTUFQSPEVDUPTFBDPOTUBOUFP = viFJHVBMBMWBMPSNÃYJNPQFSNJTJCMF MBDPSSJFOUF
EFCF TFS JOWFSTBNFOUF QSPQPSDJPOBM BM WPMUBKF &TUP EB FM MÎNJUF EF ÃSFB EF PQFSBDJÓO
TFHVSBFOMPTQVOUPTEFGVODJPOBNJFOUPQFSNJTJCMFTEFFTUBEPFTUBCMFFOMBTDPPSEFOBEBT
WPMUBKFDPSSJFOUF
I*t para fundido: &TUFQBSÃNFUSPTFSFRVJFSFQBSBTFMFDDJPOBSFMGVTJCMF-BItEFMEJT
QPTJUJWPEFCFTFSNFOPSRVFMBEFMGVTJCMFQBSBRVFFMEJTQPTJUJWPFTUÊQSPUFHJEPDPOUSB
GBMMBTEFDPSSJFOUF
Temperaturas1PSMPHFOFSBM MBTUFNQFSBUVSBTNÃYJNBTQFSNJTJCMFTFOMBVOJÓO FOWPM
UVSBZBMNBDFOBNJFOUP PTDJMBOFOUSFP$ZP$QBSBMBVOJÓOZMBFOWPMUVSB ZFOUSF
−P$ZP$QBSBFMBMNBDFOBNJFOUP
Resistencia térmica 3FTJTUFODJB UÊSNJDB FOUSF MB VOJÓO Z MB FOWPMUVSB  QIC SFTJTUFODJB
UÊSNJDBFOUSFFOWPMUVSBZEJTJQBEPS QCS ZSFTJTUFODJBUÊSNJDBFOUSFEJTJQBEPSZNFEJP
BNCJFOUF QSA-BEJTJQBDJÓOEFQPUFODJBTFEFCFFMJNJOBSEFJONFEJBUPEFMBPCMFBJO
UFSOBBUSBWÊTEFMFNQBRVFZQPSÙMUJNPIBDJBFMNFEJPEFFOGSJBNJFOUP&MUBNBÒPEF
MPTDPONVUBEPSFTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBFTNVZQFRVFÒP EFOPNÃTEFNN Z
MBDBQBDJEBEUÊSNJDBEFVOEJTQPTJUJWPEFTOVEPFTNVZCBKBQBSBFMJNJOBSDPOTFHVSJEBE
FMDBMPSHFOFSBEPQPSMBTQÊSEJEBTJOUFSOBT1PSMPHFOFSBMMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBTF
NPOUBOTPCSFEJTJQBEPSFTEFDBMPS&ODPOTFDVFODJB MBFMJNJOBDJÓOEFMDBMPSSFQSFTFOUB
VOBMUPDPTUPEFMFRVJQP

1.8 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA


%FTEFFMEFTBSSPMMPEFMQSJNFSUJSJTUPS4$3BGJOFTEF MPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFT
EFQPUFODJBIBOFYQFSJNFOUBEPFOPSNFTBWBODFT)BTUBMPTUJSJTUPSFTDPOWFODJPOBMFTTF
VUJMJ[BCBOFYDMVTJWBNFOUFQBSBDPOUSPMBSQPUFODJBFOBQMJDBDJPOFTJOEVTUSJBMFT"QBSUJSEFFTF
BÒPTFQSPEVKFSPOWBSJPTUJQPTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBZGVFSPODPNFSDJBM
NFOUFEJTQPOJCMFT-BGJHVSBNVFTUSBMBDMBTJGJDBDJÓOEFMPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB 
IFDIPTEFTJMJDJPPEFDBSCVSPEFTJMJDJP4JOFNCBSHP MPTEJTQPTJUJWPTEFDBSCVSPEFTJMJDJPFTUÃO
FOQSPDFTPEFEFTBSSPMMP6OBHSBONBZPSÎBEFEJTQPTJUJWPTTPOEFTJMJDJP&TUPTEJTQPTJUJWPTTF
QVFEFOEJWJEJSFOHFOFSBMFOUSFTUJQPT 
EJPEPTEFQPUFODJB 
USBOTJTUPSFT Z 
UJSJTUPSFT
:TFQVFEFOTVCEJWJEJSBÙONÃT FODJODPUJQPT 
EJPEPTEFQPUFODJB 
UJSJTUPSFT 
USBO
TJTUPSFTEFQPUFODJBEFVOJÓOCJQPMBS #+5T
 
USBOTJTUPSFTEFQPUFODJBEFFGFDUPEFDBNQP
TFNJDPOEVDUPSFTEFÓYJEPNFUÃMJDP .04'&5T
Z 
USBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFDPNQVFSUBBJT
MBEB *(#5T
ZUSBOTJTUPSFTEFJOEVDDJÓOFTUÃUJDB 4*5T

-PTQSJNFSPTEJTQPTJUJWPTTFGBCSJDBCBODPOTJMJDJPZMPTOVFWPTTFGBCSJDBODPODBSCVSP
EFTJMJDJP-PTEJPEPTTFGBCSJDBODPOTÓMPVOBVOJÓOpn MPTUSBOTJTUPSFTUJFOFOEPTVOJPOFTpn,
ZMPTUJSJTUPSFTUJFOFOUSFTVOJPOFTpn"NFEJEBRVFMBUFDOPMPHÎBBWBO[BZMBFMFDUSÓOJDBEF
QPUFODJBFODVFOUSBNÃTBQMJDBDJPOFT FMEFTBSSPMMPEFOVFWPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBDPODBQB
DJEBEFTEFNÃTBMUBUFNQFSBUVSBZCBKBTQÊSEJEBTTJHVFTVBWBODF
20 Capítulo 1 Introducción

Semiconductores de potencia

Silicio Carburo de silicio

Diodos Transistores
Diodos Transistores Tiristores

Transistor de Tiristor para Schottky-Diode MOSFET


Diodo Schottky
unión bipolar control de fase

Diodo Epitaxial NPN Diodo JBS


Tiristor rápido
(PIN) PNP

Diodo doble- MOSFET Simétrico Diodo PIN


mente difundido Asimétrico
(PIN) Conducción
Mejora y canal N inversa
GTO
(Tiristor apagado
Convencional por compuerta)
S-FET
Cool-MOS
Simétrico
Mejora y canal P Asimétrico
Conducción
inversa
IGBT IGCT
(Tiristor conmutado
por compuerta
aislada)
NPT Convencional
PT Trench-IGBT Asimétrico
Conducción
Bajo VC(sat) inversa
Alta velocidad MCT Baja impedancia en el mercado
(Tiristor MOS
de control)

Tipo P
Tipo N
MTO
(Tiristor MOS
de apagado)

FIGURA 1.14
$MBTJGJDBDJÓOEFMPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB<3FG 4#FSOFU>

-PTFMFDUSPOFTEFDBSCVSPEFTJMJDJPSFRVJFSFODBTJUSFTWFDFTNÃTFOFSHÎBQBSBBMDBO[BSMB
CBOEBEFDPOEVDDJÓOFODPNQBSBDJÓODPOFMTJMJDJP&ODPOTFDVFODJB MPTEJTQPTJUJWPTBCBTFEF
4J$TPQPSUBOWPMUBKFTZUFNQFSBUVSBTNÃTBMUPTRVFTVTDPOUSBQBSUFTEFTJMJDJP6OEJTQPTJUJWPB
CBTFEF4J$QVFEFUFOFSMBTNJTNBTEJNFOTJPOFTRVFVOEJTQPTJUJWPEFTJMJDJPQFSPQVFEFTPQPS
UBSWFDFTFMWPMUBKF"EFNÃT VOEJTQPTJUJWPEF4J$QVFEFUFOFSVOFTQFTPSEFVOEÊDJNPEFM
EFVOEJTQPTJUJWPEFTJMJDJP QFSPTPQPSUBFMNJTNPWBMPSEFWPMUBKF&TUPTEJTQPTJUJWPTNÃTEFMHB
EPTTPONÃTSÃQJEPTZPTUFOUBONFOPTSFTJTUFODJB MPDVBMTJHOJGJDBRVFTFEJTJQBNFOPTFOFSHÎB
FOGPSNBEFDBMPSDVBOEPVOEJPEPPUSBOTJTUPSEFDBSCVSPEFTJMJDJPDPOEVDFFMFDUSJDJEBE
-BJOWFTUJHBDJÓOZFMEFTBSSPMMPIBOMMFWBEPBMBDBSBDUFSJ[BDJÓOEF.04'&5TEFQPUFO
DJB)4J$QBSBCMPRVFBSWPMUBKFTIBTUBEFL7B"< >$VBOEPTFDPNQBSBODPOFM
*(#5EF4JEFL7EFÙMUJNBHFOFSBDJÓO FM.04'&5EF4JEFL7UJFOFVONFKPSEFT
FNQFÒP<>4FIBSFQPSUBEPVO*(#5EFDBOBM/EFL7)4J$DPOVOBCBKBSFTJTUFODJB
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 21

FOFTUBEPFODFOEJEPZSÃQJEBDPONVUBDJÓO<>&TUPT*(#5< >FYIJCFOVOBGVFSUFNP
EVMBDJÓOEFDPOEVDUJWJEBEFOMBDBQBEFEFSJWBZVOBNFKPSBTJHOJGJDBUJWBFOMBSFTJTUFODJBFO
FTUBEPEFDPOEVDDJÓOFODPNQBSBDJÓODPOFM.04'&5EFL74FFTQFSBRVFMPTEJTQPTJUJWPT
EFQPUFODJBEF4J$FWPMVDJPOFOFOMPTQSÓYJNPTBÒPT MPRVFDPOEVDJSÎBBVOBOVFWBFSBEFMB
FMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBZBQMJDBDJPOFT
-BGJHVSBNVFTUSBFMSBOHPEFQPUFODJBEFTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBDPNFSDJBM
NFOUFEJTQPOJCMFT&OMBUBCMBTFNVFTUSBOMPTWBMPSFTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEF
QPUFODJBUBNCJÊOEJTQPOJCMFTDPNFSDJBMNFOUF FOMPTRVFMBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVD
DJÓOTFQVFEFEFUFSNJOBSBQBSUJSEFMBDBÎEBEFWPMUBKFFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEFMEJTQPTJUJWP
B MB DPSSJFOUF FTQFDJGJDBEB -B UBCMB  NVFTUSB MPT TÎNCPMPT Z MBT DBSBDUFSÎTUJDBT v-i EF EJT
QPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBEFVTPDPNÙO-PTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBDBFO
EFOUSPEFVOPEFMPTUSFTUJQPTEJPEPT UJSJTUPSFTZUSBOTJTUPSFT6OEJPEPRVFDPOEVDFPGSFDF
VOBNVZQFRVFÒBSFTJTUFODJBDVBOEPTVWPMUBKFEFÃOPEPFTNÃTBMUPRVFFMWPMUBKFEFDÃUPEP 
ZVOBDPSSJFOUFGMVZFBUSBWÊTEFMEJPEP1PSMPDPNÙO VOUJSJTUPSTFQPOFFOFTUBEPEFDPOEVD
DJÓOBMBQMJDBSMFVOQVMTPEFDPSUBEVSBDJÓO UÎQJDBNFOUFEFNμ6OUJSJTUPSPGSFDFVOBCBKB
SFTJTUFODJBFOFMFTUBEPEFDPOEVDDJÓOFOUBOUPRVFFOFMFTUBEPEFCMPRVFPTFDPNQPSUBDPNP
VODJSDVJUPBCJFSUPZPGSFDFVOBSFTJTUFODJBNVZBMUB

6500 V/600 A 12000 V/1500 A


V[V] (Eupec) (Mitsubishi) 7500 V/1650 A
(Eupec)
6500 V/2650 A
12000 (ABB)
SCR
5500 V/2300 A
104 (ABB)
IGBT (mercado)
7500 GTO 6000 V/6000 A GTO
6000 (Mitsubishi)
5500
IGCT (mercado) 6000 V/6000 A IGCT
3300 (IGCT de Mitsubishi
anunciado)
2500 3300 V/1200 A
Módulo (Eupec) 4800 V/5000 A
(Westcode)
1700 2500 V/1800 A
Press-Pack (Fuji) 4500 V/4000 A
(Mitsubishi)
103 1700 V/2400 A
Módulo (Eupec)

1000 V/100 A
MOSFET de potencia
(SanRex)
200 V/500 A
(Semikron)
200

102

60 V/1000 A
(Semikron)

102 200 500 103 2400 4000 6000 104 l [A]

FIGURA 1.15
3BOHPTEFQPUFODJBEFTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBDPNFSDJBMNFOUFEJTQPOJCMFT
<3FG 4#FSOFU>
22 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.3 7BMPSFTEFEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB

5JFNQPEF 3FTJTUFODJBFO
5JQPEF 7BMPSEFWPMUBKF 'SFDVFODJB DPONVUBDJÓO DPOEVDDJÓO
EJTQPTJUJWP %JTQPTJUJWPT DPSSJFOUF TVQFSJPS )[
μT

%JPEPTEF %JPEPTEF 6TP 7"   L m  N


QPUFODJB QPUFODJB HFOFSBM 7"   L m  N
7"   L m  N
7"  L m  N
"MUBWFMPDJEBE 7"  L m  N
7"  L m  N
7"  L   
4DIPUULZ 7"  L   N
5SBOTJTUPSFT 5SBOTJTUPSFT 4FODJMMPT 7"  L   N
EFQPUFODJB CJQPMBSFT 7"  L  N
7"  L  N
%BSMJOHUPO 7"  L  N
.04'&5T 4FODJMMPT 7" L  
COOLMOS 4FODJMMPT 7" L   N
7" L   N
7" L   Ω
*(#5T 4FODJMMPT 7" L m  N
7" L m  
7" L m  
7" L m N
7" L m  N
4*5T 7" L   
5JSJTUPSFT 5JSJTUPSFT #BKBWFMPDJEBE 7"   m  N
SFDUJGJDBEPSFT DPOUSPMBEPT DPONVUBEBQPS 7"   m  N
DPOUSPMBEPT QPSGBTF MÎOFB 7"   m  N
QPSTJMJDJP
7"   m  N
7"   m  N
5JSJTUPSFTEF "MUBWFMPDJEBEEF 7"  L m  N
BQBHBEPGPS[BEP CMPRVFPJOWFSTP 7"  L m  N
7"  L m  N
7"  L m  N
7"  L m  N
#JEJSFDDJPOBMFT 7"  L m  N
RCT 7"  L m  N
("55 7"  L m  N
%JTQBSBEPTQPSMV[ 7"  m  N
5JSJTUPSFTEF (50 7"  L m  N
BVUPBQBHBEP )%(50 7"  L m  N
1VMTF(50 7"  L m  N
4*5) 7"  L m  N
MTO 7"   L m N
&50 7"   L m  N
*($5 7"   L m  N
53*"$T #JEJSFDDJPOBMFT 7"  m  N
.$5T 4FODJMMPT 7"   L m N
7"   L m N
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 23

TABLA 1.4 $BSBDUFSÎTUJDBTZTÎNCPMPTEFBMHVOPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB

%JTQPTJUJWPT 4ÎNCPMPT $BSBDUFSÎTUJDBT

A ID K ID
VAK Diodo
Diodo 0
 VAK 

IA Disparado por compuerta


IA G
VAK
Tiristor A K 0
 VAK 

SITH A K
G IA Disparado por compuerta
IA
GTO VAK
A   K 0
VAK

A K
MCT
G
Cátodo
Compuerta Compuerta
MTO de encendido de apagado

Ánodo Tiristores
Cátodo
Compuerta de apagado
ETO Compuerta de encendido

Ánodo
Cátodo
Compuerta (encendido y apagado)
IGCT

Ánodo

IA Disparado por compuerta


IA B
TRIAC VAB
A G Disparado por compuerta 0

IA Disparado por compuerta


A K
LASCR VAK
IA G 0

IC C IC IBn IBn
IB1
IB
NPN BJT B
IB1
IE 0 VCE
E

C VGSn
IC
IC VGSn
VGS1
IGBT VGS1
G
VT
IE 0 VCE
E
Transistores
D
ID
ID VGS 0
MOSFET VGS1
VGSn
de canal N G
VGSn
0 VDS
S
D
ID
VGS1  0 V
SIT VGS1 VGSn
VGSn
0 VDS
S
24 Capítulo 1 Introducción

6OUSBOTJTUPSTFBDUJWBDPOMBBQMJDBDJÓOEFVOWPMUBKFEFDPOUSPMEFDPNQVFSUB&OUBOUP
FMWPMUBKFEFDPNQVFSUBQFSNBOF[DBBQMJDBEPFMUSBOTJTUPSQFSNBOFDFFODPOEVDDJÓO ZDBNCJB
BMFTUBEPEFCMPRVFPTJTFSFUJSBEJDIPWPMUBKF&MWPMUBKFDPMFDUPSFNJTPSEFVOUSBOTJTUPSCJQP
MBS TJNQMFNFOUF#+5
EFQFOEFEFTVDPSSJFOUFEFCBTF&ODPOTFDVFODJB TFQVFEFSFRVFSJS
VOBDBOUJEBETJHOJGJDBUJWBEFDPSSJFOUFEFCBTFQBSBMMFWBSVO#+5BMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓOEF
CBKBSFTJTUFODJB1PSPUSBQBSUF FMWPMUBKFESFOBKFGVFOUFEFVOUSBOTJTUPSUJQP.04 TFNJDPO
EVDUPSEFÓYJEPNFUÃMJDP
EFQFOEFEFTVWPMUBKFEFDPNQVFSUBZEFRVFTVDPSSJFOUFEFDPN
QVFSUBTFBJOTJHOJGJDBOUF1PSDPOTJHVJFOUFVO.04'&5OPSFRVJFSFDPSSJFOUFEFDPNQVFSUB 
ZMBQPUFODJBEFDPNQVFSUBQBSBMMFWBSVO.04'&5BMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓOEFCBKBSFTJT
UFODJB FT JOTJHOJGJDBOUF 4F QSFGJFSF VO EJTQPTJUJWP TFNJDPOEVDUPS DPO DPOUSPM EF DPNQVFSUB
UJQP.04ZFMEFTBSSPMMPEFMBUFDOPMPHÎBEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBTJHVFQSPHSFTBOEPDPNP
DPSSFTQPOEF
-BGJHVSBNVFTUSBMBTBQMJDBDJPOFTZSBOHPEFGSFDVFODJBEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFO
DJB-PTWBMPSFTEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBNFKPSBOEFGPSNBDPOUJOVBZIBCSÎBRVFWFSJGJDBS
MPTRVFFTUÊOEJTQPOJCMFT6OEJTQPTJUJWPEFTÙQFSQPUFODJBEFCFUFOFS 
VOWPMUBKFDFSPFO
FTUBEPEFDPOEVDDJÓO  
TPQPSUBSVOWPMUBKFJOGJOJUPFOFTUBEPEFCMPRVFP  
NBOFKBSVOB
DPSSJFOUFJOGJOJUB Z 
VOUJFNQPDFSPEFFODFOEJEPZBQBHBEP MPRVFIBSÎBRVFUVWJFSBVOB
WFMPDJEBEEFDPONVUBDJÓOJOGJOJUB
$POFMEFTBSSPMMPEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBEF4J$ FMUJFNQPEFDPONVUBDJÓOZMBSFTJT
UFODJBFODPOEVDDJÓOTFSFEVDJSÎBOEFNBOFSBTJHOJGJDBUJWB BMBWF[RVFFMWBMPSEFWPMUBKFEFM
EJTQPTJUJWPTFJODSFNFOUBSÎBDBTJWFDFT1PSDPOTJHVJFOUF TFFTQFSBRVFDBNCJFOMBTBQMJDB
DJPOFTEFMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBRVFTFJMVTUSBOFOMBGJHVSB

Tren eléctrico
100M Rango actual del producto
Plan de desarrollo futuro
HV. DC.
Fuente de potencia
10M ininterrumpible
(UPS)
Capacidad de potencia (VA)

1M Control de motor

GTO
Tiristor Máquina robótica de soldar
100k

Soldadora, TM
MOSBIOP &
fábrica de TM
10k IGBTMOD
hierro, Módulos
alimentación Módulos de Automóvil
de potencia transistor
MOSFET Fuente de potencia
para uso Mod de conmutación
1k químico

Refrigerador Videograbadora
Fuente de potencia para audio
TRIAC
100 MOSFET
Lavadora discreto
Acondicionador de aire Horno de microondas

10
10 100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia de funcionamiento (Hz)

FIGURA 1.16
"QMJDBDJPOFTEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB $PSUFTÎBEF1PXFSFY *OD

1.10 Opciones de dispositivos 25

1.9 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA


4FQVFEFIBDFSRVFMPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBGVODJPOFODPNPDPONVUBEP
SFTBMBQMJDBSTFÒBMFTEFDPOUSPMBMBUFSNJOBMDPNQVFSUBEFUJSJTUPSFT ZBMBCBTFEFUSBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
-BTBMJEBSFRVFSJEBTFPCUJFOFBMWBSJBSFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFFTUPTEJTQPTJUJ
WPTEFDPONVUBDJÓO-BGJHVSBNVFTUSBMPTWPMUBKFTEFTBMJEBZMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPM
EFEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOEFQPUFODJBRVFTFVUJMJ[BODPNÙONFOUF6OBWF[RVFVOUJSJT
UPSFTUÃFONPEPEFDPOEVDDJÓO MBTFÒBMEFDPNQVFSUBEFNBHOJUVE ZBTFBQPTJUJWBPOFHBUJWB 
RVFEBTJOFGFDUPZFTUPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB
$VBOEPVOEJTQPTJUJWPTFNJDPOEVDUPSEFQPUFODJBFTUÃFONPEPEFDPOEVDDJÓOOPSNBM 
BUSBWÊTEFÊMPDVSSFVOBQFRVFÒBDBÎEBEFWPMUBKF&OMBTGPSNBTEFPOEBEFMWPMUBKFEFTBMJEB
RVFTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBFTUBTDBÎEBTEFWPMUBKFTFDPOTJEFSBOJOTJHOJGJDBOUFTZ BNFOPT
RVFTFFTQFDJGJRVFEFPUSBNBOFSB FTUBTVQPTJDJÓOTFNBOUFOESÃBMPMBSHPEFMPTTJHVJFOUFT
DBQÎUVMPT
-PT EJTQPTJUJWPT EF DPONVUBDJÓO TFNJDPOEVDUPSFT EF QPUFODJB TF QVFEFO DMBTJGJDBS DPO
CBTFFO

1. &ODFOEJEPZBQBHBEPOPDPOUSPMBEPT QPSFKFNQMP EJPEP



2 &ODFOEJEPDPOUSPMBEPZBQBHBEPOPDPOUSPMBEP QPSFKFNQMP 4$3

3. &ODFOEJEPDPOUSPMBEPZDBSBDUFSÎTUJDBTEFBQBHBEP QPSFKFNQMP #+5 .04'&5 (50 
4*5) *(#5 4*5 .$5

4. 3FRVFSJNJFOUP EF TFÒBM EF DPNQVFSUB DPOUJOVB QPS FKFNQMP  #+5  .04'&5  *(#5 
4*5

5. 3FRVFSJNJFOUPEFQVMTPEFDPNQVFSUB QPSFKFNQMP 4$3 (50 .$5

6. $BQBDJEBEEFTPQPSUBSWPMUBKFCJQPMBS QPSFKFNQMP 4$3 (50

7. $BQBDJEBE EF TPQPSUBS WPMUBKF VOJQPMBS QPS FKFNQMP  #+5  .04'&5  (50  *(#5 
.$5

8. $BQBDJEBEEFDPSSJFOUFCJEJSFDDJPOBM QPSFKFNQMP 53*"$ 3$5

9. $BQBDJEBEEFDPSSJFOUFVOJEJSFDDJPOBM QPSFKFNQMP 4$3 (50 #+5 .04'&5 .$5 
*(#5 4*5) 4*5 EJPEP

-BUBCMBNVFTUSBMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPONVUBDJÓOFOGVODJÓOEFTVWPMUBKF DPSSJFOUF
ZTFÒBMFTEFDPNQVFSUB

1.10 OPCIONES DE DISPOSITIVOS


"VORVFFYJTUFONVDIPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFT OJOHVOPEFFMMPTUJFOFMBTDBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT$POTUBOUFNFOUFTFIBDFONFKPSBTBMPTRVFZBFYJTUFOZTFDPOUJOÙBDPOFMEFTBSSPMMP
EF OVFWPT EJTQPTJUJWPT 1BSB BQMJDBDJPOFT EF BMUB QPUFODJB DPO BMJNFOUBDJÓO EF DB EF  B
)[MBTPQDJPOFTNÃTFDPOÓNJDBTTPOMPTUJSJTUPSFTEFDPOUSPMEFGBTFZCJEJSFDDJPOBMFT-PT
$00-.04ZMPT*(#5TPOMPTSFFNQMB[PTQPUFODJBMFTEFMPT.04'&5ZMPT#+5 SFTQFDUJWB
NFOUF FOBQMJDBDJPOFTEFCBKBZNFEJBOBQPUFODJB-PT(50ZMPT*($5TPONÃTBEFDVBEPT
QBSBBQMJDBDJPOFTEFBMUBQPUFODJBRVFSFRVJFSFODPONVUBDJÓOGPS[BEB$POFMBWBODFDPOUJOVP
EFMBUFDOPMPHÎB MPT*(#5TFFNQMFBODBEBWF[NÃTFOBQMJDBDJPOFTEFBMUBQPUFODJB ZMPT.$5
QVFEFOIBMMBSBQMJDBDJPOFTQPUFODJBMFTRVFSFRVJFSBOWPMUBKFTEFCMPRVFPCJEJSFDDJPOBMFT
$PO VOB MBSHB MJTUB EF EJTQPTJUJWPT EJTQPOJCMFT DPNP TF NVFTUSB FO MB UBCMB   FT VOB
UBSFB BCSVNBEPSB EFDJEJS DVÃM TFMFDDJPOBS "MHVOPT EF MPT EJTQPTJUJWPT RVF BQBSFDFO FO MB
MJTUB FTUÃO QMBOFBEPT QBSB BQMJDBDJPOFT FTQFDJBMJ[BEBT &M EFTBSSPMMP DPOUJOVP EF FTUSVDUVSBT
26 Capítulo 1 Introducción

vG
1
Señal de
compuerta  0 t
vG
  1
Tiristor vo
Voltaje de Voltaje de Vs
entrada R salida
Vs vo

  0 t
(a) Tiristor conmutador

SITH vG
A K

 0 t
A vG
   1
GTO K vo
A K Vs
Vs R vo
MCT
G
  0
t1 T
t

(b) GTO/MTO/ETO/IGBT/MCT/SITH conmutador (Para MCT, la polaridad de VG se invierte como se muestra)

vB
1

  0 t
 t1 T
vo
vB Vs
Vs  R vo

  0 t
t1 T
(c) Transistor conmutador

 C
D G
G IGBT vGS
 1
vGS
E
Vs S 0 t
t1 T
vo
 Vs
R
vo


 0 t
t1 T
(d) MOSFET/IGBT conmutado

FIGURA 1.17
$BSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPMEFEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOEFQPUFODJB
TABLA 1.5 $BSBDUFSÎTUJDBTEFDPONVUBDJÓOEFTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB

5JQPEF %JTQPTJUJWP $PNQVFSUB 1VMTPEF &ODFOEJEP "QBHBEP 7PMUBKF 7PMUBKF $PSSJFOUF $PSSJFOUF
EJTQPTJUJWP DPOUJOVB DPNQVFSUB DPOUSPMBEP DPOUSPMBEP VOJQPMBS CJQPMBS VOJEJSFDDJPOBM CJEJSFDDJPOBM

%JPEPT %JPEPEFQPUFODJB Y Y
5SBOTJTUPSFT BJT Y Y Y Y Y
.04'&5 Y Y Y Y Y
COOLMOS Y Y Y Y Y
*(#5 Y Y Y Y Y
SIT Y Y Y Y Y
5JSJTUPSFT SCR Y Y Y Y
RCT Y Y Y Y
53*"$ Y Y Y Y
(50 Y Y Y Y Y
MTO Y Y Y Y Y
&50 Y Y Y Y Y
*($5 Y Y Y Y Y
4*5) Y Y Y Y Y
MCT Y Y Y Y Y

27
28 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.6 0QDJPOFTEFEJTQPTJUJWPTQBSBEJGFSFOUFTOJWFMFTEFQPUFODJB

0QDJPOFT #BKBQPUFODJB .FEJBOBQPUFODJB "MUBQPUFODJB


3BOHPEFQPUFODJB )BTUBL8 BL8 .ÃTEFL8
5PQPMPHÎBTVTVBMFTEF DBDE DEDE DBDE DEDE DEDB DBDE DEDB
DPOWFSUJEPS
4FNJDPOEVDUPSFT .04'&5 .04'&5 *(#5 5JSJTUPS *(#5 *($5
EFQPUFODJBUÎQJDPT
5FOEFODJBEFMBUFDOPMPHÎB "MUBEFOTJEBEEF 7PMVNFOZQFTPT "MUBQPUFODJBOPNJOBM
 QPUFODJB  QFRVFÒPT  EFMDPOWFSUJEPS
"MUBFGJDJFODJB #BKPDPTUPZBMUB 1PUFODJBEFBMUBDBMJEBE
 FGJDJFODJB  ZFTUBCJMJEBE
"QMJDBDJPOFTUÎQJDBT %JTQPTJUJWPTEFCBKB 7FIÎDVMPTFMÊDUSJDPT &OFSHÎBSFOPWBCMF
 QPUFODJB 5FDIPTGPUPWPMUBJDPT 5SBOTQPSUF
&MFDUSPEPNÊTUJDPT %JTUSJCVDJÓOEFQPUFODJB
*OEVTUSJB
Fuente: 3FG ,BTNJFSLPXTLJZDPMBCPSBEPSFT

TFNJDPOEVDUPSBTOVFWBT EFNBUFSJBMFTZEFGBCSJDBDJÓOUSBFBMNFSDBEPNVDIPTEJTQPTJUJWPT
OVFWPTDPOBMUPTWBMPSFTEFQPUFODJBZDBSBDUFSÎTUJDBTNFKPSBEBT-PTEJTQPTJUJWPTFMFDUSÓOJDPT
EFQPUFODJBNÃTDPNVOFTQBSBBQMJDBDJPOFTEFCBKBZNFEJBOBQPUFODJBTPOMPT.04'&5ZMPT
*(#5MPTUJSJTUPSFTZMPT*(5TFVTBOQBSBVOSBOHPEFQPUFODJBNVZBMUP
-BUBCMBNVFTUSBMBTPQDJPOFTEFEJTQPTJUJWPTQBSBEJGFSFOUFTBQMJDBDJPOFTBEJGFSFOUFT
OJWFMFTEFQPUFODJB<>-BPQDJÓOEFMPTEJTQPTJUJWPTEFQFOEFSÃEFMUJQPEFBMJNFOUBDJÓOEFFO
USBEBDBPDE"NFOVEPFTOFDFTBSJPVUJMJ[BSNÃTEFVOBFUBQBEFDPOWFSTJÓO1PSMPHFOFSBM 
DVBOEPTFWBBTFMFDDJPOBSVOEJTQPTJUJWPTFTVFMFUFOFSQSFTFOUFMBTTJHVJFOUFTSFDPNFOEBDJP
OFTQBSBMBNBZPSÎBEFMBTBQMJDBDJPOFT BUFOEJFOEPBMUJQPEFBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEB

Con una fuente de entrada de cd:

1. 7FSJGJRVFTJVO.04'&5EFQPUFODJBQVFEFTBUJTGBDFSFMWPMUBKF MBDPSSJFOUFZMBGSFDVFO


DJBEFMBTBQMJDBDJPOFTQMBOFBEBT
2. 4JOPFODVFOUSBVO.04'&5EFQPUFODJBBEFDVBEP WFSJGJRVFTJVO*(#5QVFEFTBUJTGB
DFSFMWPMUBKF MBDPSSJFOUFZMBGSFDVFODJBEFMBTBQMJDBDJPOFTQMBOFBEBT
3. 4J OP FODVFOUSB VO .04'&5 P VO *(#5 EF QPUFODJB BQSPQJBEP  WFSJGJRVF TJ VO (50
P VO *(#5 QVFEFO TBUJTGBDFS FM WPMUBKF  MB DPSSJFOUF Z MB GSFDVFODJB EF MBT BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT

Con una fuente de entrada de ca:

1. 7FSJGJRVFTJVO53*"$QVFEFTBUJTGBDFSFMWPMUBKF MBDPSSJFOUFZMBGSFDVFODJBEFMBTBQMJ


DBDJPOFTQMBOFBEBT
2. 4JOPFODVFOUSBVO53*"$BEFDVBEP WFSJGJRVFTJVOUJSJTUPSQVFEFTBUJTGBDFSFMWPMUBKF MB
DPSSJFOUFZMBGSFDVFODJBEFMBTBQMJDBDJPOFTQMBOFBEBT
3. 4JOPFODVFOUSBVO53*"$PVOUJSJTUPSBQSPQJBEP TFQVFEFVUJMJ[BSVOSFDUJGJDBEPSEF
EJPEPTQBSBDPOWFSUJSMBGVFOUFEFDBFOVOBGVFOUFEFDE7FSJGJRVFTJVO.04'&5P
VO *(#5 QVFEFO TBUJTGBDFS FM WPMUBKF  MB DPSSJFOUF Z MB GSFDVFODJB EF MBT BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT
1.12 Módulos inteligentes 29

1.11 MÓDULOS DE POTENCIA


)BZEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBEJTQPOJCMFTDPNPVOJEBETFODJMMBPDPNPNÓEVMP"NFOVEPVO
DPOWFSUJEPSEFQPUFODJBSFRVJFSFEPT DVBUSPPTFJTEJTQPTJUJWPT TFHÙOTVUPQPMPHÎB1BSBDBTJ
UPEPTMPTUJQPTEFEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBTFEJTQPOFEFNÓEVMPTEFQPUFODJBEPCMFT FODPO
GJHVSBDJÓOEFNFEJPQVFOUF
DVÃESVQMFT FODPOGJHVSBDJÓOEFQVFOUFDPNQMFUP
PTÊYUVQMFT
FODPOGJHVSBDJÓOUSJGÃTJDB
-PTNÓEVMPTPGSFDFOMBWFOUBKBEFCBKBTQÊSEJEBTFODPOEVDDJÓO 
DBSBDUFSÎTUJDBTEFBMUPWPMUBKFZDPSSJFOUF ZWFMPDJEBENÃTBMUBRVFMBEFMPTEJTQPTJUJWPTDPOWFO
DJPOBMFT*ODMVTJWF BMHVOPTNÓEVMPTDVFOUBODPOQSPUFDDJÓODPOUSBUSBOTJUPSJPTZDJSDVJUPTEF
FYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUB

1.12 MÓDULOS INTELIGENTES


4FEJTQPOFDPNFSDJBMNFOUFDJSDVJUPTEFFYDJUBDJÓOEFDPNQVFSUBQBSBBDUJWBSEJTQPTJUJWPTJO
EJWJEVBMFTPNÓEVMPT-PTmódulos inteligentes RVFDPOTUJUVZFOMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBEF
QVOUB JOUFHSBOFMNÓEVMPEFQPUFODJBZFMDJSDVJUPQFSJGÊSJDP FMDVBMDPOTUBEFBJTMBNJFOUP
EFFOUSBEBPTBMJEBEF FJOUFSGB[DPO MBTFÒBMZFMTJTUFNBEFBMUPWPMUBKF VODJSDVJUPEFFYDJ
UBDJÓO VODJSDVJUPEFQSPUFDDJÓOZEJBHOÓTUJDP DPOUSBDPSSJFOUFFYDFTJWB DPSUPDJSDVJUPT VOB
DBSHBBCJFSUB TPCSFDBMFOUBNJFOUP ZWPMUBKFFYDFTJWP
DPOUSPMEFNJDSPDPNQVUBEPSB ZVOB
BMJNFOUBDJÓO EF QPUFODJB EF DPOUSPM -PT VTVBSJPT TÓMP UJFOFO RVF DPOFDUBS MBT GVFOUFT EF
QPUFODJBFYUFSOBT GMPUBOUFT
6ONÓEVMPJOUFMJHFOUFUBNCJÊOTFDPOPDFDPNPpotencia inteli-
gente&TUPTNÓEVMPTTFVUJMJ[BODBEBWF[NÃTFOMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB<>-BUFDOPMPHÎB
EFQPUFODJBJOUFMJHFOUFTFQVFEFDPOTJEFSBSDPNPVOBDBKBRVFDPNVOJDBMBGVFOUFEFQPUFODJB
DPO DVBMRVJFS DBSHB -B GVODJÓO EF DBKB EF DPNVOJDBDJÓO TF SFBMJ[B DPO DJSDVJUPT MÓHJDPT EF
TFNJDPOEVDUPSFT EF ÓYJEP NFUÃMJDP DPNQMFNFOUBSJPT $.04
 EF BMUB EFOTJEBE  TV GVODJÓO
EFEFUFDDJÓOZQSPUFDDJÓODPODJSDVJUPTBOBMÓHJDPTCJQPMBSFTZDJSDVJUPTEFEFUFDDJÓO ZTVGVO
DJÓOEFDPOUSPMEFQPUFODJBDPOEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBZTVTDJSDVJUPTEFFYDJUBDJÓOBTPDJB
EPT&OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMEJBHSBNBEFCMPRVFTGVODJPOBMEFVOTJTUFNBEFQPUFODJB
JOUFMJHFOUF<>
-PTDJSDVJUPTBOBMÓHJDPTTFVUJMJ[BOQBSBDSFBSMPTTFOTPSFTOFDFTBSJPTQBSBBVUPQSPUFDDJÓO
ZQBSBQSPQPSDJPOBSVOSÃQJEPMB[PEFSFUSPBMJNFOUBDJÓORVFTFBDBQB[EFEFUFOFSFMGVODJP
OBNJFOUPEFMNJDSPQSPDFTBEPSTJODBVTBSEBÒPTDVBOEPMBTDJSDVOTUBODJBTEFMTJTUFNBFYDFEFO
MBTDPOEJDJPOFTOPSNBMFTEFGVODJPOBNJFOUP1PSFKFNQMP MPTNJDSPQSPDFTBEPSFTEFQPUFODJB
JOUFMJHFOUFTTFEFCFOEJTFÒBSQBSBRVFEFKFOEFGVODJPOBSTJORVFTVGSBOEBÒPTDVBOEPPDVSSF
VODPSUPDJSDVJUPBUSBWÊTEFVOBDBSHBDPNPFMEFWBOBEPEFVONPUPS$POUFDOPMPHÎBEFQP
UFODJBJOUFMJHFOUFTFNPOJUPSFBMBDPSSJFOUFEFDBSHB ZFMWPMUBKFRVFFYDJUBMPTDPONVUBEPSFT
EFQPUFODJBTFDPSUBTJFNQSFRVFTPCSFQBTFVOMÎNJUFQSFFTUBCMFDJEP"EFNÃTEFMPBOUFSJPS TF
TVFMFOJODMVJSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFQSPUFDDJÓODPOUSBTPCSFDPSSJFOUFDPNPTPCSFWPMUBKFZTPCSF
DBMFOUBNJFOUP QBSBFWJUBSGBMMBTEFTUSVDUJWBT"DPOUJOVBDJÓOTFFOVNFSBOBMHVOPTGBCSJDBOUFT
EFEJTQPTJUJWPTZNÓEVMPT BTÎDPNPTVTTJUJPT8FC

"EWBODFE1PXFS5FDIOPMPHZ *OD XXXBEWBODFEQPXFSDPN


"##4FNJDPOEVDUPST XXXBCCTFNDPN
#IBSBU)FBWZ&MFDUSJDBMT-UE IUUQXXXCIMFEODPN
$PNQPVOE4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXDPNQPVOETFNJDPOEVDUPSOFU
$PMMNFS4FNJDPOEVDUPS *OD XXXDPMMNFSDPN
$SFF1PXFS IUUQXXXDSFFDPN
%ZOFY4FNJDPOEVDUPS XXXEZOFYTFNJDPN
&VQFD XXXFVQFDDPNQJOEFYIUN
'BJSDIJME4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXGBJSDIJMETFNJDPN
30 Capítulo 1 Introducción

Tecnología de potencia inteligente

Transistores de potencia bipolares

Dispositivos MOSFETs de potencia


de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada
Control de
potencia Tiristores controlados por MOS

Circuitos de 30-V CMOS


excitación
Desplazamiento de nivel de alto voltaje

Fuente de
potencia Carga
Circuitos Transistores bipolares de alta velocidad
analógicos
Amplificadores operacionales
Detección y
protección
Sobrevoltaje/subvoltaje
Circuitos de
detección Sobretemperatura

Sobrecorriente/sin carga

Circuitos
Interfaz lógicos CMOS de alta densidad

FIGURA 1.18
%JBHSBNBEFCMPRVFTGVODJPOBMEFVOBQPUFODJBJOUFMJHFOUF<3FG+#BMJHB>

'.$$&6301& IUUQXXXGNDDHSPVQDPN
'VKJ&MFDUSJD XXXGVKJFMFDUSJDDPKQFOHEFOTIJTDEJOEFYIUN
)BSSJT$PSQ XXXIBSSJTDPN
)JUBDIJ-UE1PXFS%FWJDFT XXXIJUBDIJDPKQQTF
)POEB3%$P-UE IUUQXPSMEIPOEBDPN
*OGJOFPO5FDIOPMPHJFT XXXJOGFOFPODPN
*OUFSOBUJPOBM3FDUJGJFS XXXJSGDPN
.BSDPOJ&MFDUSPOJD%FWJDFT *OD XXXNBSDPOJDPN
.JDSPTFNJ$PSQPSBUJPO IUUQXXXNJDSPTFNJDPN
.JUTVCJTIJ4FNJDPOEVDUPST XXXNJUTVCJTIJFMFDUSJDDPN
.JUFM4FNJDPOEVDUPST XXXNJUFMTFNJDPN
.PUPSPMB *OD XXXNPUPSPMBDPN
/BUJPOBM4FNJDPOEVDUPST *OD XXXOBUJPOBMDPN
/JIPO*OUFSOBUJPOBM&MFDUSPOJDT$PSQ XXXBCCTFNDPNFOHMJTITBMFTCIUN
0O4FNJDPOEVDUPS XXXPOTFNJDPN
1IJMMJQT4FNJDPOEVDUPST XXXTFNJDPOEVDUPSTQIJMMJQTDPNDBUBMPH
1PXFS*OUFHSBUJPOT XXXQPXFSJOUDPN
1PXFSFY *OD XXXQXSYDPN
1PXFS5FDI *OD XXXQPXFSUFDIDPN
1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31

3$"$PSQ XXXSDBDPN
3PDLXFMM"VUPNBUJPO IUUQXXXBCDPN
3PDLXFMM*OD XXXSPDLFMMDPN
3FMJBODF&MFDUSJD XXXSFMJBODFDPN
3FOFTBT&MFDUSPOJDT$PSQPSBUJPO IUUQXXXSFOFTBTDPN
4JFNFOT XXXTJFNFOTDPN
4JMJDPO1PXFS$PSQ XXXTJMJDPOQPXFSDPN
4FNJLSPO*OUFSOBUJPOBM XXXTFNJLSPODPN
4FNFMBC-JNJUT IUUQXXXTFNFMBCUUDPN
4JMJDPOJY *OD XXXTJMJDPOJYDPN
5PLJO *OD XXXUPLJODPN
5PTIJCB"NFSJDB&MFDUSPOJD$PNQPOFOUT 
*OD XXXUPTIJCBDPNUBFD
5SBO4J$4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXUSBOTJDDPN
6OJUSPEF*OUFHSBUFE$JSDVJUT$PSQ XXXVOJUSPEFDPN
8FTUDPEF4FNJDPOEVDUPST-UE XXXXFTUDPEFDPNXTQSPEIUNM
:PMF%FWFMPQNFOU IUUQXXXZPMFGS

1.13 DIARIOS Y CONFERENCIAS SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA


&YJTUFONVDIBTSFWJTUBTQSPGFTJPOBMFTZDPOGFSFODJBTEPOEFTFQVCMJDBOMPTOVFWPTEFTBSSPMMPT
FMJCSBSZExploreEFM*OTUJUVUFPG&MFDUSJDBMBOE&MFDUSPOJDT&OHJOFFST *&&&
FTVOBFYDFMFOUF
IFSSBNJFOUBQBSBFODPOUSBSBSUÎDVMPTQVCMJDBEPTFOMPTEJBSJPTZSFWJTUBTEFM*&5 ZFOMBTSFWJT
UBTEFM*&&& BTÎDPNPFODPOGFSFODJBTQBUSPDJOBEBT"MHVOPTEFFMMPTTPO

*&&&F@-JCSBSZ IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Industrial Electronic Magazine IUUQJFFFJFTPSHJOEFYQIQQVCTNBHB[JOF
IEEE Industry Applications Magazine IUUQNBHB[JOFJFFFQFTPSH
IEEE Power & Energy Magazine IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Transactions on Aerospace Systems XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industrial Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industry Applications XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Delivery XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Electric Power XXXJFUPSH1VCMJTI
"QQMJFE1PXFS&MFDUSPOJDT$POGFSFODF "1&$
M
&VSPQFBO1PXFS&MFDUSPOJDT$POGFSFODF &1&$

*&&&*OEVTUSJBM&MFDUSPOJDT$POGFSFODF *&$0/

*&&&*OEVTUSZ"QQMJDBUJPOT4PDJFUZ *"4
"OOVBM.FFUJOH
*OUFSOBUJPOBM$POGFSFODFPO&MFDUSJDBM.BDIJOFT *$&.

*OUFSOBUJPOBM1PXFS&MFDUSPOJDT$POGFSFODF *1&$

*OUFSOBUJPOBM1PXFS&MFDUSPOJDT$POHSFTT $*&1

*OUFSOBUJPOBM5FMFDPNNVOJDBUJPOT&OFSHZ$POGFSFODF */5&-&$

1PXFS$POWFSTJPO*OUFMMJHFOU.PUJPO 1$*.

1PXFS&MFDUSPOJDT4QFDJBMJTU$POGFSFODF 1&4$

32 Capítulo 1 Introducción

RESUMEN
"NFEJEBRVFMBUFDOPMPHÎBEFMPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTZDJSDVJUPTJOUFHSBEPTBWBO[B 
FM QPUFODJBM QBSB MBT BQMJDBDJPOFT EF FMFDUSÓOJDB EF QPUFODJB TF BNQMÎB DBEB WF[ NÃT :B TF
EJTQPOF DPNFSDJBMNFOUF EF NVDIPT EJTQPTJUJWPT TFNJDPOEVDUPSFT EF QPUFODJB TJO FNCBSHP 
FM EFTBSSPMMP FO FTUB EJSFDDJÓO DPOUJOÙB 1PS MP DPNÙO  MPT DPOWFSUJEPSFT EF QPUFODJB TF DMB
TJGJDBO FO TFJT DBUFHPSÎBT 
 SFDUJGJDBEPSFT 
 DPOWFSUJEPSFT DBDE 
 DPOWFSUJEPSFT DBDB 
DPOWFSUJEPSFTDEDE 
DPOWFSUJEPSFTDEDB Z 
DPONVUBEPSFTFTUÃUJDPT&MEJTFÒPEFDJSDVJ
UPTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJBSFRVJFSFBTVWF[FMEJTFÒPEFDJSDVJUPTEFDPOUSPMZQPUFODJB-PT
BSNÓOJDPTEFWPMUBKFZDPSSJFOUFHFOFSBEPTQPSMPTDPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJBTFQVFEFOSFEVDJS
PNJOJNJ[BS
DPOVOBFMFDDJÓOBQSPQJBEBEFMBFTUSBUFHJBEFDPOUSPM

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TNBMMTDBMFHFOFSBUJPOTZTUFNGPSBTVTUBJOBCMFEBODFDMVCuIEEE Industry Applications Magazine TFQ
UJFNCSFPDUVCSF 

[11]i1PXFS4J$4JMJDPODBSCJEFEFWJDFTGPSQPXFSFMFDUSPOJDTNBSLFU4UBUVTGPSFDBTUTu 
Yole
Development-ZPO 'SBODJBIUUQXXXZPMFGS"DDFTBEPFOTFQUJFNCSFEF
[12] 3BCLPXTLJ + %1FGUJTJT Z)/FF 
i4JMJDPODBSCJEFQPXFSUSBOTJTUPST"OFXFSBJOQPXFS
FMFDUSPOJDTJTJOJUJBUFEuIEEE Industrial Electronics Magazine KVOJP 

[13]1BMNPVS +8 
i)JHIWPMUBKFTJMJDPODBSCJEFQPXFSEFWJDFTu QSFTFOUBEPFOVOTFNJOBSJPEF
"31"&1PXFS5FDIOPMPHJFT "SMJOHUPO 7" FMEFGFCSFSP
[14] 3ZV 4) 4,SJTIOBTXBNJ #)VMM +3JDINPOE ""HBSXBM Z")FGOFS 
iL7 "
)4J$QPXFS%.04'&5u Proceedings of the IEEE International Symposium on Power Semiconductor
Devices and IC’s (ISPSD’06
/ÃQPMFT *UBMJB KVOJP 

[15]%BT . 2;IBOH 3$BMMBOBO ZDPMBCPSBEPSFT 
i"L7)4J$/DIBOOFM*(#5XJUI
MPX 3EJGG  PO BOE GBTU TXJUDIJOHu Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and
Related Materials (ICSCRM’07
,JPUP +BQÓO PDUVCSF
Problemas 33

PREGUNTAS DE REPASO
1.1 y2VÊFTMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
1.2 y$VÃMFTTPOMPTWBSJPTUJQPTEFUJSJTUPSFT
1.3 y2VÊFTVODJSDVJUPEFDPONVUBDJÓO
1.4 y$VÃMFTTPOMBTDPOEJDJPOFTQBSBRVFVOUJSJTUPSDPOEV[DB 
1.5 y$ÓNPTFQVFEFBQBHBSVOUJSJTUPSRVFFTUÃFONPEPEFDPOEVDDJÓO
1.6 y2VÊFTMBDPONVUBDJÓOFOMÎOFB
1.7 y2VÊFTVOBDPONVUBDJÓOGPS[BEB
1.8 y$VÃMFTMBEJGFSFODJBFOUSFVOUJSJTUPSZVOB53*"$
1.9 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO(50
1.10 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO.50
1.11 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO&50
1.12 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO*($5
1.13 y2VÊFTFMUJFNQPEFBQBHBEPPCMPRVFPEFVOUJSJTUPS
1.14 y2VÊFTVODPOWFSUJEPS
1.15 y$VÃMFTFMQSJODJQJPEFDPOWFSTJÓOEFDBBDE
1.16 y$VÃMFTFMQSJODJQJPEFDPOWFSTJÓOEFDBBDB
1.17 y$VÃMFTFMQSJODJQJPEFDPOWFSTJÓOEFDEBDE
1.18 y$VÃMFTFMQSJODJQJPEFDPOWFSTJÓOEFDEBDB
1.19 y$VÃMFTTPOMPTQBTPTJNQMJDBEPTFOFMEJTFÒPEFFRVJQPEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
1.20 y$VÃMFTTPOMPTFGFDUPTQFSJGÊSJDPTEFMFRVJQPEFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB
1.21 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPMEFMPT(50TZMPTUJSJTUPSFT
1.22 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPMEFMPTUJSJTUPSFTZMPTUSBOTJTUPSFT
1.23 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPOUSPMEFMPT#+5ZMPT.04'&5
1.24 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO*(#5
1.25 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO.$5
1.26 y$VÃMFTMBDBSBDUFSÎTUJDBEFDPOUSPMEFVO4*5
1.27 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOUSFMPT#+5ZMPT*(#5 
1.28 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOUSFMPT.$5ZMPT(50
1.29 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOUSFMPT4*5)ZMPT(50
1.30 y$VÃMFTTPOMPTUJQPTEFDPOWFSTJÓOZTVTTÎNCPMPT
1.31 y$VÃMFTTPOMPTCMPRVFTQSJODJQBMFTEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJBUÎQJDP
1.32 y$VÃMFTTPOMPTUFNBTRVFEFCFOBCPSEBSTFFOFMEJTFÒPEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJB
1.33 y$VÃMFTTPOMBTWFOUBKBTEFMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBEF4J$TPCSFMPTEF4J
1.34 y$VÃMFTTPOMBTSFHMBTQBSBTFMFDDJPOBSVOEJTQPTJUJWPQBSBEJGFSFOUFTBQMJDBDJPOFT

PROBLEMAS
1.1 &MWBMPSQJDPEFMBGPSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBDPNPTFNVFT
USBFOMBGJHVSBBFTIP = "4JTo =NTZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMFMBDPSSJFOUFSNT
IRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
1.2 &MWBMPSQJDPEFMBGPSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBDPNPTFNVFT
USBFOMBGJHVSBCFTIP = "4JFMDJDMPEFUSBCBKPk =ZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMF
MBDPSSJFOUFSNTIRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
1.3 &MWBMPSQJDPEFMBGPSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBDPNPTFNVFT
USBFOMBGJHVSBDFTIP = "4JFMDJDMPEFUSBCBKPk =ZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMF
MBDPSSJFOUFSNTIRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
1.4 &MWBMPSQJDPEFMBGPSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBDPNPTFNVFT
USBFOMBGJHVSBEFTIP = "4JFMDJDMPEFUSBCBKPk =ZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMFMB
DPSSJFOUFSNTIRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
34 Capítulo 1 Introducción

1.5 -BGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBFTDPNPTFNVFTUSBFOMB
GJHVSBF4JIa = " Ib ="ZFMDJDMPEFUSBCBKPk =ZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMFMB
DPSSJFOUFSNTIRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
1.6 &MWBMPSQJDPEFMBGPSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBDPNPTFNVFT
USBFOMBGJHVSBGFTIP = "4JFMDJDMPEFUSBCBKPk =ZFMQFSJPEPT =NT DBMDVMFMB
DPSSJFOUFSNTIRMSZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.BUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWP
PARTE I Diodos de potencia
y rectificadores

C A P Í T U L O 2

Diodos de potencia
y circuitos RLC conmutados

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:
 r &YQMJDBSMBTQSJODJQBMFTGVODJPOFTEFMPTEJPEPTEFQPUFODJB
 r %FTDSJCJSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFVOEJPEPZTVTNPEFMPTEFDJSDVJUP
 r &OVNFSBSMPTUJQPTEFEJPEPTEFQPUFODJB
 r &YQMJDBSFMGVODJPOBNJFOUPFOTFSJFZFOQBSBMFMPEFEJPEPT
 r %FSJWBSFMNPEFMP41*$&EFVOEJPEP
 r &YQMJDBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFEJPEPTEFQPUFODJB
 r $BMDVMBSMBDPSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFEJPEPT
 r $BMDVMBSMPTWPMUBKFTEFFTUBEPFTUBCMFFOMPTUFSNJOBMFTEFMDBQBDJUPSEFVODJSDVJUPRCZMBDBOUJ-
EBEEFFOFSHÎBBMNBDFOBEB
 r $BMDVMBSMBTDPSSJFOUFTEFFTUBEPFTUBCMFFOMPTUFSNJOBMFTFMJOEVDUPSEFVODJSDVJUPRLZMBDBOUJ-
EBEEFFOFSHÎBBMNBDFOBEB
 r $BMDVMBSMPTWPMUBKFTEFFTUBEPFTUBCMFFOFMDBQBDJUPSEFVODJSDVJUPLCZMBDBOUJEBEEFFOFSHÎB
BMNBDFOBEB
 r $BMDVMBSFMWPMUBKFEFFTUBEPFTUBCMFFOFMDBQBDJUPSEFVODJSDVJUPRLCZMBDBOUJEBEEFFOFSHÎB
BMNBDFOBEB
 r %FUFSNJOBSMBTEFSJWBEBTJOJDJBMFTdi/dtZdv/dtEFDJSDVJUPTRLC

Símbolos y sus significados


Símbolo Significado
iD, υD $PSSJFOUFZWPMUBKFJOTUBOUÃOFPTFOVOEJPEP SFTQFDUJWBNFOUF
i(t), iS(t) $PSSJFOUFZDPSSJFOUFEFBMJNFOUBDJÓOJOTUBOUÃOFBT SFTQFDUJWBNFOUF
ID, VD $PSSJFOUFZWPMUBKFFOVOEJPEPEFDE SFTQFDUJWBNFOUF
IS $PSSJFOUFEFGVHB PEFTBUVSBDJÓOJOWFSTB

IO $PSSJFOUFEFTBMJEBEFFTUBEPFTUBCMF
IS1, IS2 $PSSJFOUFTEFGVHB PEFTBUVSBDJÓOJOWFSTB
EFMPTEJPEPT%1Z%2,
SFTQFDUJWBNFOUF
IRR $PSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB
trr 5JFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB
(continúa)
35
36 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

(continuación)
Símbolo Significado
VT 7PMUBKFUÊSNJDP
VD1, VD2 $BÎEBTEFWPMUBKFBUSBWÊTEFMPTEJPEPT%1Z%2 SFTQFDUJWBNFOUF
VBR, VRM 7PMUBKFTEFSVQUVSBJOWFSTPZSFQFUJUJWPNÃYJNP SFTQFDUJWBNFOUF
υR, υC, υL 7PMUBKFTJOTUBOUÃOFPTBUSBWÊTEFVOSFTJTUPS VODBQBDJUPS DPOEFOTBEPS

ZVOJOEVDUPS SFTQFDUJWBNFOUF
VCO, υs, VS 7PMUBKFTJOJDJBMFT JOTUBOUÃOFPEFBMJNFOUBDJÓOZEFBMJNFOUBDJÓOEFDE
FOVODBQBDJUPS SFTQFDUJWBNFOUF
QRR $BSHBJOWFSTBEFBMNBDFOBNJFOUP
T $POTUBOUFEFUJFNQPEFVODJSDVJUP
n $POTUBOUFEFFNJTJÓOFNQÎSJDB

2.1 INTRODUCCIÓN
4FIBOFODPOUSBEPNVDIBTBQMJDBDJPOFTQBSBMPTEJPEPTFODJSDVJUPTEFJOHFOJFSÎBFMFDUSÓOJDB
ZFMÊDUSJDB-PTEJPEPTEFQPUFODJBEFTFNQFÒBOVOSPMJNQPSUBOUFFODJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEF
QPUFODJBQBSBMBDPOWFSTJÓOEFFOFSHÎBFMÊDUSJDB&OFTUFDBQÎUVMPTFBOBMJ[BOBMHVOPTDJSDVJUPT
B CBTF EF EJPEPT RVF DPNÙONFOUF TF VUJMJ[BO FO FMFDUSÓOJDB EF QPUFODJB QBSB FM NBOFKP EF
QPUFODJB
6OEJPEPBDUÙBDPNPDPONVUBEPSQBSBSFBMJ[BSWBSJBTGVODJPOFT QPSFKFNQMPDPNPDPONV-
UBEPSFTFOSFDUJGJDBEPSFT DPOEVDDJÓOMJCSFFOSFHVMBEPSFTEFDPONVUBDJÓO JOWFSTJÓOEFDBSHBFO
VODBQBDJUPSZUSBOTGFSFODJBEFFOFSHÎBFOUSFDPNQPOFOUFT BJTMBNJFOUPEFWPMUBKF SFUSPBMJNFOUB-
DJÓOEFFOFSHÎBEFTEFMBDBSHBBMBGVFOUFEFQPUFODJB ZSFDVQFSBDJÓOEFFOFSHÎBBUSBQBEB
-PTEJPEPTEFQPUFODJBTFQVFEFODPOTJEFSBSDPNPDPONVUBEPSFTJEFBMFTQBSBMBNBZPSÎB
EFMBTBQMJDBDJPOFTBVORVFMPTEJPEPTQSÃDUJDPTTFBQBSUBOEFMBTDBSBDUFSÎTUJDBTJEFBMFTZUJFOFO
DJFSUBTMJNJUBDJPOFT-PTEJPEPTEFQPUFODJBTPOTJNJMBSFTBMPTEJPEPTEFTFÒBMEFVOJÓOpn/P
PCTUBOUF MPTEJPEPTEFQPUFODJBQPTFFONBZPSFTDBQBDJEBEFTEFNBOFKPEFQPUFODJB WPMUBKFZ
DPSSJFOUFRVFMPTEJPEPTEFTFÒBMPSEJOBSJPT-BSFTQVFTUBBMBGSFDVFODJB PWFMPDJEBEEFDPO-
NVUBDJÓO
FTCBKBFODPNQBSBDJÓODPOMBEFMPTEJPEPTEFTFÒBM
-PTJOEVDUPSFTLZMPTDBQBDJUPSFTCTPOFMFNFOUPTEFBMNBDFOBNJFOUPEFFOFSHÎBZQPS
MPDPNÙOTFVUJMJ[BOFODJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJB1BSBDPOUSPMBSMBDBOUJEBEEFUSBOTGF-
SFODJBEFFOFSHÎBFOVODJSDVJUPTFVUJMJ[BVOEJTQPTJUJWPTFNJDPOEVDUPSEFQPUFODJB6OQSFSSF-
RVJTJUPQBSBFOUFOEFSFMGVODJPOBNJFOUPEFMPTTJTUFNBTZDJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJBFT
UFOFSVOBDMBSBDPNQSFOTJÓOEFMPTDPNQPSUBNJFOUPTEFDPONVUBDJÓOEFMPTDJSDVJUPTRC, RL,
LC ZRLC&OFTUFDBQÎUVMPVUJMJ[BSFNPTVOEJPEPDPOFDUBEPFOTFSJFDPOVODPONVUBEPSQBSB
FYQPOFSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJB BMBWF[RVFBOBMJ[BSFNPTDJSDVJUPTEF
DPONVUBDJÓORVFDPOTUFOEFR, L ZC&MEJPEPQFSNJUFVOGMVKPEFDPSSJFOUFVOJEJSFDDJPOBM Z
FMDPONVUBEPSSFBMJ[BMBTGVODJPOFTEFDPOEVDDJÓOZCMPRVF

2.2 LO BÁSICO DE LOS SEMICONDUCTORES


-PTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJBTFGBCSJDBODPOTJMJDJPNPOPDSJTUBMJOPEFBMUBQV-
SF[B4FQSPEVDFODSJTUBMFTEFWBSJPTNFUSPTEFMBSHPZDPOFMEJÃNFUSPSFRVFSJEP EFIBTUB
 NN
 FO IPSOPT EFOPNJOBEPT EF zona de flotación %F DBEB FOPSNF DSJTUBM TF SFCBOBO
EFMHBEBTPCMFBT MBTDVBMFTTFTPNFUFOMVFHPBOVNFSPTPTQBTPTEFQSPDFTBNJFOUPQBSBDPOWFS-
UJSMBTFOEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB
2.2 Lo básico de los semiconductores 37

TABLA 2.1 1
 BSUFEFMBUBCMBQFSJÓEJDBRVFNVFTUSBMPTFMFNFOUPTVUJMJ[BEPTFONBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT

(SVQP

1FSJPEP ** *** *7 V 7*
2 B $ / O
#PSP $BSCÓO /JUSÓHFOP 0YÎHFOP
3 "M SJ 1 4
"MVNJOJP 4JMJDJP 'ÓTGPSP "[VGSF
4 ;O (B (F "T 4F
$JOD (BMJP (FSNBOJP "STÊOJDP 4FMFOJP
5 $E *O 4O 4O 5F
$BENJP *OEJP &TUBÒP "OUJNPOJP 5FMVSJP
6 )H
.FSDVSJP
4FNJDPOEVDUPSFT 4J
FMFNFOUBMFT 4JMJDJP
(F
(FSNBOJP
4FNJDPOEVDUPSFT 4J$ (B"T
DPNQVFTUPT $BSCVSPEFTJMJDJP "STFOJVSPEFHBMJP
4J(F
(FSNBOJPEFTJMJDJP

-PTTFNJDPOEVDUPSFTNÃTDPNÙONFOUFVUJMJ[BEPTTPOFMTJMJDJPZFMHFSNBOJP<> (SVQP
*7EFMBUBCMBQFSJÓEJDBDPNPTFNVFTUSBFOMBUBCMB
ZFMBSTFOJVSPEFHBMJP (SVQP7
-PT
NBUFSJBMFTEFTJMJDJPDVFTUBONFOPTRVFMPTEFHFSNBOJPZQFSNJUFORVFMPTEJPEPTPQFSFOB
BMUBTUFNQFSBUVSBT SB[ÓOQPSMBDVBMSBSBWF[TFVUJMJ[BOMPTEJPEPTEFHFSNBOJP
&MTJMJDJPQFSUFOFDFBMHSVQP*7EFMBUBCMBQFSJÓEJDBEFFMFNFOUPT FTEFDJSRVFUJFOF
DVBUSPFMFDUSPOFTQPSÃUPNPFOTVÓSCJUBFYUFSOB6ONBUFSJBMEFTJMJDJPQVSPTFDPOPDFDPNP
semiconductor intrínsecoDPOVOBSFTJTUJWJEBERVFFTEFNBTJBEPCBKBQBSBTFSVOBJTMBEPS ZEF-
NBTJBEPBMUBQBSBTFSVODPOEVDUPS5JFOFBMUBSFTJTUJWJEBEZNVZBMUBSFTJTUFODJBEJFMÊDUSJDB EF
NÃTEFL7DN
-BSFTJTUJWJEBEEFVOTFNJDPOEVDUPSJOUSÎOTFDPZTVTQPSUBEPSFTEFDBSHB
RVFFTUÃOEJTQPOJCMFTQBSBDPOEVDDJÓOQVFEFODBNCJBSTF GPSNBSTFFODBQBTZgraduarseNF-
EJBOUFMBJNQMBOUBDJÓOEFJNQVSF[BTFTQFDÎGJDBT"MQSPDFTPEFBHSFHBSJNQVSF[BTTFMFMMBNB
dopado FMDVBMJNQMJDBRVFTFBHSFHVFVOTPMPÃUPNPEFMBJNQVSF[BQPSNÃTEFVONJMMÓOEF
ÃUPNPTEFTJMJDJP"QMJDBOEPEJGFSFOUFTJNQVSF[BT OJWFMFTZGPSNBTEFEPQBEP BMUBUFDOPMPHÎB
EFGPUPMJUPHSBGÎB DPSUFDPOMÃTFS HSBCBEP BJTMBNJFOUPZFNQBRVFUBEP TFQSPEVDFOEJTQPTJ-
UJWPTEFQPUFODJBUFSNJOBEPTBQBSUJSEFWBSJBTFTUSVDUVSBTEFDBQBTTFNJDPOEVDUPSBTUJQPnZ
UJQPp

 r Material tipo n4JFMTJMJDJPQVSPTFEPQBDPOVOBQFRVFÒBDBOUJEBEEFVOFMFNFOUPEFM


HSVQP*7 DPNPGÓTGPSP BSTÊOJDPPBOUJNPOJP DBEBÃUPNPEFMdopanteGPSNBVOFOMBDF
DPWBMFOUFEFOUSPEFMBSFEDSJTUBMJOBEFMTJMJDJPZEFKBVOFMFDUSÓOTVFMUP&TUPTFMFDUSPOFT
TVFMUPTBVNFOUBOFOHSBONFEJEBMBDPOEVDUJWJEBEEFMNBUFSJBM$VBOEPFMTJMJDJPTFEPQB
MFWFNFOUFDPOVOBJNQVSF[BDPNPFMGÓTGPSP FMEPQBEPTFEFOPUBDPNPdopado nZFM
NBUFSJBMSFTVMUBOUFTFDPOPDFDPNPsemiconductor tipo n$VBOEPTFEPQBNVDIP TFEF-
OPUBDPNPEPQBEPn+ZFMNBUFSJBMTFDPOPDFDPNPsemiconductor tipo n+
38 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

 r Material tipo p: 4J FM TJMJDJP QVSP TF EPQB DPO VOB QFRVFÒB DBOUJEBE EF VO FMFNFOUP EFM
HSVQP*** DPNPCPSP HBMJPPJOEJP TFJOUSPEVDFVOMVHBSWBDÎPMMBNBEPhuecoFOMBSFE
DSJTUBMJOBEFMTJMJDJP"OÃMPHPBVOFMFDUSÓO VOIVFDPTFQVFEFDPOTJEFSBSDPNPVOQPSUBEPS
EFDBSHBNÓWJMZBRVFQVFEFTFSPDVQBEPQPSVOFMFDUSÓOBEZBDFOUF FMRVFBTVWF[EFKB
VOIVFDPEFUSÃT&TUPTIVFDPTJODSFNFOUBOFOHSBONFEJEBMBDPOEVDUJWJEBEEFMNBUFSJBM
$VBOEPFMTJMJDJPTFEPQBMFWFNFOUFDPOVOBJNQVSF[BDPNPFMCPSP FMEPQBEPTFEFOP-
NJOBdopado pZFMNBUFSJBMSFTVMUBOUFTFDPOPDFDPNPsemiconductor tipo p4JTFEPQB
GVFSUFNFOUF TFEFOPNJOBEPQBEPp+ZFMNBUFSJBMTFDPOPDFDPNPsemiconductor tipo p+

1PSDPOTJHVJFOUF IBZFMFDUSPOFTMJCSFTEJTQPOJCMFTFOVONBUFSJBMUJQPnZIVFDPTMJCSFTEJT-
QPOJCMFT FO VO NBUFSJBM UJQP p &O VO NBUFSJBM UJQP p MPT IVFDPT TF EFOPNJOBO QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPTZMPTFMFDUSPOFTTFEFOPNJOBOQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPT&OFMNBUFSJBMUJQPnMPT
FMFDUSPOFTSFDJCFOFMOPNCSFEFQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPTZMPTIVFDPTFMEFQPSUBEPSFTNJOPSJ-
UBSJPT&TUPTQPSUBEPSFTTFHFOFSBOEFGPSNBDPOUJOVBQPSMBBHJUBDJÓOUÊSNJDB TFDPNCJOBOZ
SFDPNCJOBOTFHÙOTVUJFNQPEFWJEB ZBMDBO[BOVOBEFOTJEBEEFFRVJMJCSJPEFQPSUBEPSFTEF
BQSPYJNBEBNFOUF10B13DN3FOVOSBOHPEFP$ BP$1PSUBOUP VODBNQPFMÊDUSJDP
BQMJDBEPQVFEFIBDFSRVFGMVZBDPSSJFOUFFOVONBUFSJBMUJQPnPUJQPp
&MDBSCVSPEFTJMJDJP 4J$
 NBUFSJBMDPNQVFTUPEFM(SVQP*7EFMBUBCMBQFSJÓEJDB
FT
VO OVFWP NBUFSJBM QSPNFUFEPS QBSB BQMJDBDJPOFT EF BMUB QPUFODJB Z BMUB UFNQFSBUVSB <> &M
4J$UJFOFVOBBODIBCBOEBQSPIJCJEB PCSFDIBFOFSHÊUJDB FTEFDJSMBFOFSHÎBOFDFTBSJBQBSB
FYDJUBSMPTFMFDUSPOFTEFMBCBOEBEFWBMFODJBEFMNBUFSJBMIBDJBMBCBOEBEFDPOEVDDJÓO-PT
FMFDUSPOFTEFMDBSCVSPEFTJMJDJPSFRVJFSFODBTJUSFTWFDFTNÃTFOFSHÎBQBSBBMDBO[BSMBCBOEB
EFDPOEVDDJÓORVFFMTJMJDJP&ODPOTFDVFODJB MPTEJTQPTJUJWPTEFDBSCVSPEFTJMJDJPTPQPSUBO
WPMUBKFT Z UFNQFSBUVSBT NVDIP NÃT BMUPT RVF TVT DPOUSBQBSUFT EF TJMJDJP -PT EJTQPTJUJWPT EF
TJMJDJP QPSFKFNQMP OPQVFEFOTPQPSUBSDBNQPTFMÊDUSJDPTEFNÃTEFL7DN.JFOUSBTRVF
MPTFMFDUSPOFTFOFMDBSCVSPEFTJMJDJPSFRVJFSFONÃTFOFSHÎBQBSBTFSFNQVKBEPTIBDJBMBCBOEB
EF DPOEVDDJÓO  FM NBUFSJBM QVFEF TPQPSUBS DBNQPT FMÊDUSJDPT NVDIP NÃT JOUFOTPT  IBTUB 
WFDFTFMNÃYJNPQBSBFMTJMJDJP1PSDPOTJHVJFOUF VOEJTQPTJUJWPEF4J$QVFEFUFOFSMBTNJTNBT
EJNFOTJPOFTRVFVOPEFTJMJDJPQFSPQVFEFTPQPSUBSWFDFTFMWPMUBKF*ODMVTJWF VOEJTQPTJUJWP
EF4J$QVFEFUFOFSVOFTQFTPSEFNFOPTEFVOEÊDJNPEFMEFVOEJTQPTJUJWPEFTJMJDJP QFSP
TPQPSUBFMNJTNPWPMUBKF&TUPTEJTQPTJUJWPTNÃTEFMHBEPTTPONÃTSÃQJEPTZUJFOFONFOPTSF-
TJTUFODJB MPRVFTJHOJGJDBNFOPSFOFSHÎBQÊSEJEBFOGPSNBEFDBMPSDVBOEPVOEJPEPPUSBOTJTUPS
EFDBSCVSPEFTJMJDJPDPOEVDFFMFDUSJDJEBE

Puntos clave de la sección 2.2

 r 4F PCUJFOFO FMFDUSPOFT P IVFDPT BHSFHBOEP JNQVSF[BT BM TJMJDJP P HFSNBOJP QVSP QPS
NFEJPEFVOQSPDFTPEFEPQBKF-PTFMFDUSPOFTTPOMPTQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPTFOFMNB-
UFSJBMUJQPnFOUBOUPRVFMPTIVFDPTTPOMPTQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPTFOVONBUFSJBMUJQPp
1PSDPOTJHVJFOUF MBBQMJDBDJÓOEFVODBNQPFMÊDUSJDPQVFEFIBDFSRVFGMVZBDPSSJFOUFFO
VONBUFSJBMUJQPnPUJQPp

2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO


6OEJPEPEFQPUFODJBFTVOEJTQPTJUJWPEFVOJÓOpnEFEPTUFSNJOBMFT< >ZOPSNBMNFOUFVOB
VOJÓO pn TF GPSNB QPS BMFBDJÓO  EJGVTJÓO Z DSFDJNJFOUP FQJUBYJBM -BT UÊDOJDBT NPEFSOBT EF
DPOUSPMFOMPTQSPDFTPTEFEJGVTJÓOZDSFDJNJFOUPFQJUBYJBMQFSNJUFOPCUFOFSMBTDBSBDUFSÎTUJDBT
EFTFBEBTFOFMEJTQPTJUJWP-BGJHVSBNVFTUSBVOBWJTUBEFDPSUFEFVOBVOJÓOpnZFMTÎNCPMP
EFEJPEP
2.3 Características del diodo 39

Ánodo Cátodo Ánodo Cátodo


p n
iD iD
D1

vD vD
   

(a) Unión pn (b) Símbolo de diodo

FIGURA 2.1
6OJÓOpnZTÎNCPMPEFEJPEP

$VBOEPFMQPUFODJBMEFMÃOPEPFTQPTJUJWPDPOSFTQFDUPBMDÃUPEP TFEJDFRVFFMEJPEPFTUÃ
QPMBSJ[BEPEJSFDUPZFMEJPEPDPOEVDF6OEJPEPRVFDPOEVDFUJFOFVOBDBÎEBEFWPMUBKFEJSFDUP
SFMBUJWBNFOUFQFRVFÒBBUSBWÊTEFÊMMBNBHOJUVEEFFTUBDBÎEBEFQFOEFEFMQSPDFTPEFGBCSJ-
DBDJÓOZEFMBUFNQFSBUVSBFOMBVOJÓO$VBOEPFMQPUFODJBMEFMDÃUPEPFTQPTJUJWPDPOSFTQFDUP
BMÃOPEP TFEJDFRVFFMEJPEPFTUÃQPMBSJ[BEPJOWFSTP&ODPOEJDJPOFTEFQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB
GMVZFVOBQFRVFÒBDPSSJFOUFJOWFSTB UBNCJÊODPOPDJEBDPNPcorriente de fuga
FOFMSBOHPEF
NJDSPPNJMJBNQFSFT ZFTUBDPSSJFOUFEFGVHBJODSFNFOUBMFOUBNFOUFTVNBHOJUVEDPOFMWPMUBKF
JOWFSTPIBTUBRVFTFBMDBO[BFMWPMUBKFEFBWBMBODIBP[FOFS-BGJHVSBBNVFTUSBMBTDBSBD-
UFSÎTUJDBTv-iEFFTUBEPQFSNBOFOUFEFVOEJPEP&OMBQSÃDUJDB VOEJPEPDBTJTJFNQSFTFQVFEF
DPOTJEFSBSDPNPVODPONVUBEPSJEFBM DVZBTDBSBDUFSÎTUJDBTTFNVFTUSBOFOVOBGJHVSBC
-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iRVFTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBBTFFYQSFTBONFEJBOUFVOBFDVB-
DJÓODPOPDJEBDPNPecuación de diodo de Schockley ZFODPOEJDJPOFTEFGVODJPOBNJFOUPEF
FTUBEPFTUBCMFTFFYQSFTBDPNP
ID = IS 1 e VD/nVT − 12 

EPOEFID =DPSSJFOUFBUSBWÊTEFMEJPEP "


VD =WPMUBKFBUSBWÊTEFMEJPEPDPOFMÃOPEPQPTJUJWPDPOSFTQFDUPBMDÃUPEP 7
IS =DPSSJFOUFEFGVHB PEFTBUVSBDJÓOJOWFSTB
QPSMPDPNÙOFOFMSBOHPEF−6B
10−15"
n =DPOTUBOUF FNQÎSJDB DPOPDJEB DPNP coeficiente de emisión P factor de idealidad,
DVZPWBMPSWBSÎBEFB
&MDPFGJDJFOUFEFFNJTJÓOnEFQFOEFEFMNBUFSJBMZEFMBDPOTUSVDDJÓOGÎTJDBEFMEJPEP1BSBEJPEPT
EFHFSNBOJPTFDPOTJEFSBRVFnFT1BSBEJPEPTEFTJMJDJPFMWBMPSQSPOPTUJDBEPEFnFT QFSP
QBSBMBNBZPSÎBEFMPTEJPEPTEFTJMJDJPQSÃDUJDPT FMWBMPSEFnDBFEFOUSPEFMSBOHPEFB

iD iD

ID

VBR
VD
0 vD 0 vD

Corriente
de fuga
inversa

(a) Práctico (b) Ideal FIGURA 2.2


$BSBDUFSÎTUJDBTv-iEFVOEJPEP
40 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

VTFOMBFDVBDJÓO 
FTVOBDPOTUBOUFMMBNBEBvoltaje térmico ZTFFYQSFTBDPNP

kT
VT = 

EPOEFq =DBSHBEFVOFMFDUSÓO× 10−DPVMPNC $



T =UFNQFSBUVSBBCTPMVUBFOHSBEP,FMWJO ,= 273 + P$

k =DPOTUBOUFEF#PMU[NBOO× 10−23+,
"VOBUFNQFSBUVSBEFP$FOMBVOJÓO MBFDVBDJÓO 
EB

kT 1.3806 × 10−23 × 1 273 + 252


VT = = ≈ 25.7 mV
q 1.6022 × 10−19

"VOBUFNQFSBUVSBFTQFDJGJDBEB MBDPSSJFOUFEFGVHBISFTVOBDPOTUBOUFQBSBVOEJPEPEBEP
-BDBSBDUFSÎTUJDBEFMEJPEPEFMBGJHVSBBTFQVFEFEJWJEJSFOUSFTSFHJPOFT
3FHJÓOEFQPMBSJ[BDJÓOEJSFDUB EPOEFVD > 0
3FHJÓOEFQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB EPOEFVD < 0
3FHJÓOEFSVQUVSB EPOEFVD < − VBR
Región de polarización directa. &O MB SFHJÓO EF QPMBSJ[BDJÓO EJSFDUB  VD >  -B DP-
SSJFOUFBUSBWÊTEFMEJPEPIDFTNVZQFRVFÒBTJFMWPMUBKFEFMEJPEPVDBUSBWÊTEFMEJPEPFT
NFOPSRVFVOWBMPSFTQFDÎGJDPVTD UÎQJDBNFOUF7
&MEJPEPDPOEVDFQPSDPNQMFUPTJVD
FTNÃTBMUPRVFFTUFWBMPSVTD FMDVBMTFDPOPDFDPNPvoltaje de umbral, voltaje de corte, Pvol-
taje de encendido1PSDPOTJHVJFOUF FMWPMUBKFEFVNCSBMFTVOWPMUBKFBMDVBMFMEJPEPDPOEVDF
QPSDPNQMFUP
$POTJEFSFNPTVOQFRVFÒPWPMUBKFFOFMEJPEPVD =7 n = ZVT =N71PSMB
FDVBDJÓO 
QPEFNPTIBMMBSMBDPSSJFOUFIDDPSSFTQPOEJFOUFBUSBWÊTEFMEJPEPDPNP

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 = IS[e 0.1/1 1×0.02572 − 1] = IS 1 48.96 − 12 = 47.96 IS

MBRVFTFQVFEFBQSPYJNBSDPNPID ≈ IS e VD/nVT = 48.96 IS,FTEFDJS DPOVOFSSPSEF"


NFEJEBRVFvDTFJODSFNFOUB FMFSSPSTFSFEVDFDPOSBQJEF[
1PSDPOTJHVJFOUF DPOVD >7 FMDVBMFTHFOFSBMNFOUFFMDBTP ID >> IS ZMBFDVBDJÓO

TFQVFEFBQSPYJNBSEFOUSPEFEFFSSPSB

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 ≈ IS e VD/nVT 

Región de polarización inversa. &OMBSFHJÓOEFQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB VD <4JVDFT


OFHBUJWPZ VD >> VT ,MPDVBMPDVSSFDVBOEPVD < −7 FMUÊSNJOPFYQPOFODJBMFOMBFDVB-
DJÓO 
TFWVFMWFNVZQFRVFÒPFODPNQBSBDJÓODPOMBVOJEBEZMBDPSSJFOUFIDFOFMEJPEPFT

ID = IS 1 e − VD|/nVT − 12 ≈ −IS 

EPOEFTFWFRVFMBDPSSJFOUFIDFOFMEJPEPFOMBEJSFDDJÓOJOWFSTBFTDPOTUBOUFFJHVBMBIS

Región de ruptura. &O MB SFHJÓO EF SVQUVSB FM WPMUBKF JOWFSTP FT BMUP  QPS MP HFOFSBM
NBZPSRVF7-BNBHOJUVEEFMWPMUBKFJOWFSTPQVFEFFYDFEFSVOWPMUBKFFTQFDJGJDBEPDP-
OPDJEPDPNPvoltaje de ruptura VBR$POVOQFRVFÒPDBNCJPFOFMWPMUBKFJOWFSTPNÃTBMMÃEF
VBR MBDPSSJFOUFJOWFSTBTFJODSFNFOUBDPOSBQJEF[&MGVODJPOBNJFOUPFOMBSFHJÓOEFSVQUVSB
2.4 Características de recuperación inversa 41

OP TFSÃ EFTUSVDUJWP  TJFNQSF RVF MB EJTJQBDJÓO EF QPUFODJB TF NBOUFOHB EFOUSP EF VO iOJWFM
TFHVSPuFTQFDJGJDBEPFOMBIPKBEFEBUPTEFMGBCSJDBOUF4JOFNCBSHP BNFOVEPFTOFDFTBSJP
MJNJUBSMBDPSSJFOUFJOWFSTBFOMBSFHJÓOEFSVQUVSBQBSBMJNJUBSMBEJTJQBDJÓOEFQPUFODJBEFOUSP
EFVOWBMPSQFSNJTJCMF

Ejemplo 2.1 Cálculo de la corriente de saturación


-BDBÎEBEFMWPMUBKFEJSFDUPEFVOEJPEPEFQPUFODJBFTVD =7DPOID ="4VQPOJFOEPRVFn = 2
ZVT =N7 EFUFSNJOFMBDPSSJFOUFEFTBUVSBDJÓOJOWFSTBIS

Solución

4JBQMJDBNPTMBFDVBDJÓO 
QPEFNPTDBMDVMBSMBDPSSJFOUFEFGVHB PEFTBUVSBDJÓO
ISDPNP

300 = Is<e ××10−3) −>

MBDVBMEBIS =× 10−"

Puntos clave de la sección 2.3

 r 6OEJPEPFYIJCFVOBDBSBDUFSÎTUJDBv-iOPMJOFBM DPNQVFTUBEFUSFTSFHJPOFTQPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB QPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB ZSVQUVSB&OMBDPOEJDJÓOEFEJSFDUBMBDBÎEBFOFMEJPEP
FTQFRVFÒB QPSMPHFOFSBMEF74JFMWPMUBKFJOWFSTPFYDFEFFMWPMUBKFEFSVQUVSBFM
EJPEPQVFEFEBÒBSTF

2.4 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA


-BDPSSJFOUFFOVOEJPEPEFVOJÓOFODPOEJDJÓOEFQPMBSJ[BDJÓOEJSFDUBTFEFCFBMFGFDUPOFUP
EFMPTQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPTZNJOPSJUBSJPT6OBWF[RVFVOEJPEPFTUÃFOFMNPEPEFDPO-
EVDDJÓOEJSFDUBZMVFHPTVDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPTFSFEVDFBDFSP EFCJEPBMDPNQPSUB-
NJFOUPOBUVSBMEFTVDJSDVJUPPBMBBQMJDBDJÓOEFVOWPMUBKFJOWFSTP
FMEJPEPDPOUJOÙBDPOEV-
DJFOEPHSBDJBTBMPTQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPTRVFQFSNBOFDFOHVBSEBEPTFOMBVOJÓOpnZFO
MB NBZPS QBSUF EFM NBUFSJBM TFNJDPOEVDUPS -PT QPSUBEPSFT NJOPSJUBSJPT SFRVJFSFO VO DJFSUP
UJFNQPQBSBSFDPNCJOBSTFDPODBSHBTPQVFTUBTZQBSBOFVUSBMJ[BSTF&TUFUJFNQPTFEFOPNJOB
tiempo de recuperación inversa EFMEJPEP-BGJHVSBNVFTUSBEPTDBSBDUFSÎTUJDBTEFSFDVQF-
SBDJÓOJOWFSTBEFEJPEPTEFVOJÓO0CTFSWFRVFMBTDVSWBTEFSFDVQFSBDJÓORVFBQBSFDFOFOMB
GJHVSBOPFTUÃOBFTDBMBZTÓMPJOEJDBOTVTGPSNBT-BDPMBEFMQFSJPEPEFSFDVQFSBDJÓOTF
FYQBOEFQBSBJMVTUSBSMBOBUVSBMF[BEFMBSFDVQFSBDJÓOBVORVFFOSFBMJEBEta > tb&MQSPDFTP
EFSFDVQFSBDJÓOTFJOJDJBFOFMJOTUBOUFt = t0DVBOEPFMEJPEPDPNJFO[BBDBFSEFMBDPSSJFOUFEF
FTUBEPEFDPOEVDDJÓOIFBSB[ÓOEFdi/dt = −IF/(t1 − t0
&MEJPEPTJHVFDPOEVDJFOEPDPOVOB
DBÎEBEFWPMUBKFEJSFDUPEFVF
-B DPSSJFOUF FO EJSFDDJÓO EJSFDUB IF DBF B DFSP FO FM JOTUBOUF t = t1 Z MVFHP DPOUJOÙB
GMVZFOEPFOMBEJSFDDJÓOJOWFSTBQPSRVFFMEJPEPFTUÃJOBDUJWPZOPFTDBQB[EFCMPRVFBSFM
GMVKPEFDPSSJFOUFJOWFSTB&OFMJOTUBOUFt = t2 MBDPSSJFOUFJOWFSTBBMDBO[BVOWBMPSEFIRR
ZFMWPMUBKFFOFMEJPEPDPNJFO[BBJOWFSUJSTF"MDPNQMFUBSTFFMQSPDFTPEFSFDVQFSBDJÓOFO
FMJOTUBOUFt = t3 FMWPMUBKFJOWFSTPFOFMEJPEPBMDBO[BVOWBMPSQJDPEFV3.4&MWPMUBKFFOFM
EJPEPQBTBBUSBWÊTEFVOQFSJPEPEFPTDJMBDJÓOUSBOTJUPSJPQBSBDPNQMFUBSMBSFDVQFSBDJÓOEF
42 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

IF trr IF trr
ta
VF VF ta
t2 t2
t t
0.25 IRR 0 t0 t1 Q1 Q2
0
t0
t1

IRR IRR
tb tb
VRM VRM
(a) Recuperación suave (b) Recuperación abrupta

FIGURA 2.3
$BSBDUFSÎTUJDBTEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB

MBDBSHBHVBSEBEBIBTUBRVFDBFBTVWPMUBKFJOWFSTPEFGVODJPOBNJFOUPOPSNBM&MQSPDFTP
DPNQMFUPFTOPMJOFBM<>ZMBGJHVSBTÓMPJMVTUSBFMQSPDFTP)BZEPTUJQPTEFSFDVQFSBDJÓO
TVBWFZEVSB PBCSVQUB
&MUJQPEFSFDVQFSBDJÓOTVBWFFTFMNÃTDPNÙO&MUJFNQPEFSFDV-
QFSBDJÓOJOWFSTBTFJOEJDBDPNPtrrZTFNJEFBQBSUJSEFMDSVDFJOJDJBMQPSDFSPEFMBDPSSJFOUF
FO FM EJPEP IBTUB RVF MB DPSSJFOUF JOWFSTB IRR MMFHB B  EF TV WBMPS NÃYJNP P QJDP
 &M
trrDPOTUBEFEPTDPNQPOFOUFT taZtb&MtaWBSJBCMFTFEFCFBMBMNBDFOBNJFOUPEFDBSHBFO
MBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPEFMBVOJÓOZSFQSFTFOUBFMUJFNQPFOUSFFMDSVDFQPSDFSPZMBDP-
SSJFOUFJOWFSTBQJDPIRR&MtbTFEFCFBMBMNBDFOBNJFOUPEFDBSHBFOMBNBTBEFMNBUFSJBMEFM
TFNJDPOEVDUPS-BSB[ÓOtb/taTFDPOPDFDPNPfactor de suavidad 4'
1BSBGJOFTQSÃDUJDPT MP
RVF OPT EFCF JOUFSFTBS FT FM UJFNQP EF SFDVQFSBDJÓO UPUBM trr Z FM WBMPS QJDP EF MB DPSSJFOUF
JOWFSTBIRR

t rr = t a + t b 

-BDPSSJFOUFJOWFSTBQJDPTFQVFEFFYQSFTBSFOGVODJÓOEFMBEFSJWBEBJOWFSTBdi/dtDPNP

di
IRR = t a  

dt

&M tiempo de recuperación inversa trr TFEFGJOFDPNPFMJOUFSWBMPEFUJFNQPFOUSFFMJOTUBOUFFO


RVFMBDPSSJFOUFQBTBQPSDFSPEVSBOUFFMDBNCJPEFDPOEVDDJÓOEJSFDUBIBTUBMBDPOEJDJÓOEF
CMPRVFPJOWFSTPZFMNPNFOUPFORVFMBDPSSJFOUFJOWFSTBIBEFDBÎEPBEFTVWBMPSQJDP
JOWFSTPIRR-BWBSJBCMFtrrEFQFOEFEFMBUFNQFSBUVSBEFMBVOJÓO MBWFMPDJEBEEFDBÎEBEFMB
DPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUP ZMBDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPBOUFTEFMBDPONVUBDJÓO IF
-Bcarga de recuperación inversa QRRFTMBDBOUJEBEEFQPSUBEPSFTEFDBSHBRVFGMVZFB
USBWÊTEFMEJPEPFOEJSFDDJÓOJOWFSTBEFCJEPBMDBNCJPEFDPOEVDDJÓOEJSFDUBBDPOEJDJÓOEF
CMPRVFPJOWFSTP&MÃSFBFODFSSBEBQPSMBDVSWBEFMBDPSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFUFS-
NJOBTVWBMPS&TEFDJS QRR = Q1 + Q
-BDBSHBEFBMNBDFOBNJFOUP MBDVBMFTFMÃSFBFODFSSBEBQPSMBDVSWBEFMBDPSSJFOUFEF
SFDVQFSBDJÓO FTBQSPYJNBEBNFOUF

1 1 1
QRR = Q1 + Q2 ≅ I t + IRRt b = IRRt rr  

2 RR a 2 2
2.4 Características de recuperación inversa 43

PCJFO

2QRR
IRR ≅  

t rr

4JJHVBMBNPTMBIRREFMBFDVBDJÓO 
DPOMBIRREFMBFDVBDJÓO 
PCUFOFNPT

2QRR
t rrt a =  

di/dt

4JtbFTJOTJHOJGJDBOUFDPNQBSBEPDPOta MPRVFTVFMFTFSFMDBTP BVORVFMBGJHVSBBNVFTUSB


RVFtb > ta), trr ≈ ta ZMBFDVBDJÓO 
TFWVFMWF

2QRR
t rr ≅  

C di/dt

di
IRR = 2QRR  

C dt

&OMBTFDVBDJPOFT 
Z 
TFWFRVFFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBtrrZMBDPSSJFOUFEF
SFDVQFSBDJÓOJOWFSTBQJDPIRREFQFOEFOEFMBDBSHBEFBMNBDFOBNJFOUPQRRZEFMBEFSJWBEB
di/dtJOWFSTB PSFBQMJDBEB
-BDBSHBEFBMNBDFOBNJFOUPEFQFOEFEFMBDPSSJFOUFFOTFOUJEP
EJSFDUPFOFMEJPEPIF-BDPSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBQJDPIRR MBDBSHBJOWFSTBQRRZFM
4' GBDUPSEFTVBWJEBE
TPOEFJOUFSÊTQBSBFMEJTFÒBEPSEFMDJSDVJUP ZFTUPTQBSÃNFUSPTDPNÙO-
NFOUFTFJODMVZFOFOMBTIPKBTEFFTQFDJGJDBDJPOFTEFMPTEJPEPT
4JVOEJPEPFTUÃFOMBDPOEJDJÓOEFQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB GMVZFVOBDPSSJFOUFEFGVHBEF-
CJEPBMPTQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPT&OUPODFTMBBQMJDBDJÓOEFVOWPMUBKFFOTFOUJEPEJSFDUPIBSÎB
RVFFMEJPEPDPOEVKFSBDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUP4JOFNCBSHP TFSFRVJFSFVODJFSUPUJFNQP
DPOPDJEPDPNPtiempo de recuperación directa (o de encendido
BOUFTEFRVFUPEPTMPTQPSUBEP-
SFTNBZPSJUBSJPTQSFTFOUFTFOUPEBMBVOJÓODPOUSJCVZBOBMGMVKPEFDPSSJFOUF4JMBWFMPDJEBEEF
FMFWBDJÓOEFMBDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPFTBMUBZMBDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPTFDPODFOUSB
FOVOBQFRVFÒBÃSFBEFMBVOJÓO FMEJPEPQVFEFGBMMBS1PSDPOTJHVJFOUF FMUJFNQPEFSFDVQF-
SBDJÓOEJSFDUBMJNJUBMBWFMPDJEBEEFFMFWBDJÓOEFMBDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPZMBWFMPDJEBE
EFDPONVUBDJÓO

Ejemplo 2.2 Cálculo de la corriente de recuperación inversa


&MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFVOEJPEPFTtrr = 3 μTZMBWFMPDJEBEEFDBÎEBEFMBDPSSJFOUFFOFM
EJPEPFTdi/dt ="μT%FUFSNJOF B
MBDBSHBEFBMNBDFOBNJFOUPQRR Z C
MBDPSSJFOUFJOWFSTBQJDP
IRR

Solución
trr = 3 μTZdi/dt ="μT
a. 1PSMBFDVBDJÓO 


t = 0.5 × 30A/μs × 1 3 × 10−6 2 2 = 135 μC


1 di 2
QRR =
2 dt rr
44 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b. 1PSMBFDVBDJÓO 




di
IRR = 2QRR = 22 × 135 × 10−6 × 30 × 106 = 90 A
C dt

Puntos clave de la sección 2.4

 r %VSBOUFFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBtrr FMEJPEPTFDPNQPSUBFGFDUJWBNFOUFDPNP
VO DPSUPDJSDVJUP Z OP FT DBQB[ EF CMPRVFBS FM WPMUBKF JOWFSTP  QFSNJUF RVF MB DPSSJFOUF
JOWFSTBGMVZB ZMVFHPEFSFQFOUFDPSUBMBDPSSJFOUF&MQBSÃNFUSPtrrFTJNQPSUBOUFQBSB
BQMJDBDJPOFTEFDPONVUBDJÓO

2.5 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA


-PJEFBMTFSÎBRVFVOEJPEPOPUVWJFSBUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB4JOFNCBSHP FMDPTUP
EFGBCSJDBDJÓOEFVOEJPEPTFNFKBOUFTFQVFEFFMFWBS&ONVDIBTBQMJDBDJPOFTMPTFGFDUPTEFM
UJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBOPTPOJNQPSUBOUFTZTFQVFEFOVTBSEJPEPTEFCBKPDPTUP
%FQFOEJFOEPEFMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFSFDVQFSBDJÓOZEFMBTUÊDOJDBTEFGBCSJDBDJÓO MPT
EJPEPTEFQPUFODJBTFQVFEFODMBTJGJDBSFOMBTUSFTTJHVJFOUFTDBUFHPSÎBT

1. %JPEPTFTUÃOEBSPEFVTPHFOFSBM
2. %JPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEB
3. %JPEPT4DIPUULZ

-PTEJPEPTEFVTPHFOFSBMFTUÃOEJTQPOJCMFTIBTUBQBSB7 " ZMPTEJPEPTEFSFDVQF-


SBDJÓOSÃQJEBIBTUBQBSB7 "&MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBWBSÎBFOUSFμTZ
5 μT-PTEJPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEBTPOFTFODJBMFTQBSBDPONVUBDJÓOEFBMUBGSFDVFODJBEF
DPOWFSUJEPSFTEFQPUFODJB-PTEJPEPT4DIPUULZUJFOFOVOCBKPWPMUBKFFODPOEJDJÓOEFDPOEVD-
DJÓOZVONVZQFRVFÒPUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓO QPSMPHFOFSBMEFOBOPTFHVOEPT-BDPSSJFOUF
EFGVHBTFJODSFNFOUBDPOMBDBQBDJEBEEFWPMUBKFZTVTDBQBDJEBEFTTFMJNJUBOB7 "
6OEJPEPDPOEVDFDVBOEPTVWPMUBKFEFÃOPEPFTNÃTBMUPRVFFMEFMDÃUPEP ZMBDBÎEBEFWPM-
UBKFEJSFDUPEFVOEJPEPEFQPUFODJBFTNVZCBKP UÎQJDBNFOUFEF7B7
-BTDBSBDUFSÎTUJDBTZMJNJUBDJPOFTQSÃDUJDBTEFFTUPTUJQPTSFTUSJOHFOTVTBQMJDBDJPOFT

2.5.1 Diodos de uso general


-PT EJPEPT SFDUJGJDBEPSFT EF VTP HFOFSBM UJFOFO VO UJFNQP EF SFDVQFSBDJÓO JOWFSTB SFMBUJWB-
NFOUFHSBOEF QPSMPHFOFSBMEFμT ZTFVUJMJ[BOFOBQMJDBDJPOFTEFCBKBWFMPDJEBE EPOEF
FMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOOPFTDSÎUJDP QPSFKFNQMP SFDUJGJDBEPSFTZDPOWFSUJEPSFTEFEJPEPT
QBSBBQMJDBDJPOFTEFCBKBTGSFDVFODJBTEFFOUSBEBIBTUBGSFDVFODJBTEFL)[ZDPOWFSUJEPSFT
DPONVUBEPTQPSMÎOFB
&TUPTEJPEPTBCBSDBODBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFEFNFOPTEF"IBTUB
WBSJPTNJMFTEFBNQFSFT DPODBQBDJEBEFTEFWPMUBKFEFTEF7IBTUBEFBMSFEFEPSEFL71PS
MPHFOFSBMFTUPTEJPEPTTFGBCSJDBOQPSEJGVTJÓO4JOFNCBSHP MPTSFDUJGJDBEPSFTEFBMFBDJÓORVF
TFVTBOFOGVFOUFTEFQPUFODJBQBSBTPMEBSTPONÃTFDPOÓNJDPTZSPCVTUPT ZTVTDBQBDJEBEFT
QVFEFOTFSIBTUBEF7 "
2.5 Tipos de diodos de potencia 45

FIGURA 2.4
7BSJBTDPOGJHVSBDJPOFTEFEJPEPTEFVTPHFOFSBM
$PSUFTÎBEF1PXFSFY *OD


-BGJHVSBNVFTUSBWBSJBTDPOGJHVSBDJPOFTEFEJPEPTEFVTPHFOFSBM MBTDVBMFTCÃTJDB-
NFOUFQFSUFOFDFOBEPTUJQPT6OPTFMMBNBvástago PEFMUJQP montado en vástagoFMPUSPTF
MMBNBdisco, paquete prensadoPUJQPdisco de hockey&OFMUJQPNPOUBEPFOWÃTUBHP FMWÃTUBHP
QPESÎBTFSFMÃOPEPPFMDÃUPEP

2.5.2 Diodos de recuperación rápida


-PT EJPEPT EF SFDVQFSBDJÓO SÃQJEB UJFOFO VO UJFNQP EF SFDVQFSBDJÓO CBKP  OPSNBMNFOUF EF
NFOPTEFμT4FVUJMJ[BOFODJSDVJUPTDPOWFSUJEPSFTEFDEBDEZEFDEBDB EPOEFMBWFMPDJEBE
EFSFDVQFSBDJÓOTVFMFTFSEFJNQPSUBODJBDSÎUJDB&TUPTEJPEPTJODMVZFODBQBDJEBEFTEFWPMUBKF
EFTEF7IBTUBBMSFEFEPSEFL7 ZEFTEFNFOPTEF"IBTUBDJFOUPTEFBNQFSFT
1PSMPHFOFSBM QBSBDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFEFNÃTEF7MPTEJPEPTEFSFDVQFSBDJÓO
SÃQJEBTFGBCSJDBONFEJBOUFEJGVTJÓOZFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOTFDPOUSPMBDPOVOBEJGVTJÓO
EFQMBUJOPVPSP1BSBDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFEFNFOPTEF7 MPTEJPEPTFQJUBYJBMFTQSPQPS-
DJPOBOWFMPDJEBEFTEFDPONVUBDJÓONÃTSÃQJEBTRVFMBTEFMPTEJPEPTGBCSJDBEPTQPSEJGVTJÓO
-BCBTFEFMPTEJPEPTFQJUBYJBMFTFTBOHPTUB QPSMPRVFFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEBFT
NVZCBKP EFMPSEFOEFOT&OMBGJHVSBTFNVFTUSBOEJPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEBEF
WBSJPTUBNBÒPT

FIGURA 2.5
%JPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEB
$PSUFTÎBEF1PXFSFY *OD

46 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.5.3 Diodos Schottky


&OVOEJPEP4DIPUULZFMQSPCMFNBEFBMNBDFOBNJFOUPEFDBSHBEFVOBVOJÓOpnTFQVFEFFMJ-
NJOBS PNJOJNJ[BS
MPDVBMTFMPHSBTJTFFTUBCMFDFVOBiCBSSFSBEFQPUFODJBMuDPOVODPOUBDUP
FOUSF VO NFUBM Z VO TFNJDPOEVDUPS 4F EFQPTJUB VOB DBQB EF NFUBM TPCSF VOB EFMHBEB DBQB
FQJUBYJBMEFTJMJDJPUJQPn-BCBSSFSBEFQPUFODJBMTJNVMBFMDPNQPSUBNJFOUPEFVOBVOJÓOpn
-BBDDJÓOSFDUJGJDBEPSBEFQFOEFTÓMPEFMPTQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPT ZFODPOTFDVFODJBOPIBZ
QPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPTFYDFEFOUFTQBSBSFDPNCJOBSTF&MFGFDUPEFSFDVQFSBDJÓOTFEFCFÙOJ-
DBNFOUFBMBDBQBDJUBODJBQSPQJBEFMBVOJÓOEFMTFNJDPOEVDUPS
-BDBSHBSFDVQFSBEBEFVOEJPEP4DIPUULZFTNVDIPNFOPSRVFMBEFVOEJPEPFRVJWB-
MFOUFEFVOJÓOpn:BRVFFTUPTFEFCFTÓMPBMBDBQBDJUBODJBEFMBVOJÓO FTFOHSBONFEJEB
JOEFQFOEJFOUF EF MB EFSJWBEB JOWFSTBdi/dt 6O EJPEP 4DIPUULZ UJFOF VOB DBÎEB EF WPMUBKF FO
TFOUJEPEJSFDUPSFMBUJWBNFOUFCBKB
-BDPSSJFOUFEFGVHBEFVOEJPEP4DIPUULZFTNÃTBMUBRVFMBEFVOEJPEPEFVOJÓOpn
6OEJPEP4DIPUULZDPOWPMUBKFEFDPOEVDDJÓOSFMBUJWBNFOUFCBKPUJFOFVOBDPSSJFOUFEFGVHB
SFMBUJWBNFOUFBMUB ZWJDFWFSTB&ODPOTFDVFODJB FMWPMUBKFNÃYJNPBENJTJCMFEFFTUFEJPEPTF
TVFMFMJNJUBSB7-BTDBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFEFMPTEJPEPT4DIPUULZWBSÎBOEFB"
-PTEJPEPT4DIPUULZTPOJEFBMFTQBSBGVFOUFTEFQPUFODJBEFDEEFCBKPWPMUBKF4JOFNCBSHP 
FTUPTEJPEPTUBNCJÊOTFVUJMJ[BOFOGVFOUFTEFQPUFODJBEFCBKBDPSSJFOUFQBSBVOBFGJDJFODJB
JODSFNFOUBEB&OMBGJHVSB TFNVFTUSBOSFDUJGJDBEPSFT4DIPUULZEVBMFTEFZ"

Puntos clave de la sección 2.5

 r %FQFOEJFOEPEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOEFDPONVUBDJÓOZEFMBDBÎEBFOFTUBEPEFDPO-
EVDDJÓO MPTEJPEPTEFQPUFODJBTFDMBTJGJDBOFOUSFTUJQPTEFVTPHFOFSBM EFSFDVQFSBDJÓO
SÃQJEBZ4DIPUULZ

FIGURA 2.6
3FDUJGJDBEPSFTEVBMFTEFDFOUSP4DIPUULZEF
Z"$PSUFTÎBEF7JTIBZ*OUFSUFDIOPMPHZ *OD

2.6 DIODOS DE CARBURO DE SILICIO


&MDBSCVSPEFTJMJDJP 4J$
FTVONBUFSJBMOVFWPQBSBMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB4VTQSPQJFEB-
EFTGÎTJDBTTVQFSBOQPSNVDIPMBTEFM4JZMBTEFM(B"T1PSFKFNQMP MPTEJPEPT4DIPUULZEF4J$
GBCSJDBEPTQPS*OGJOFPO5FDIOPMPHJFT<>UJFOFOQÊSEJEBTEFQPUFODJBVMUSBCBKBTZBMUBDPOGJB-
CJMJEBE5BNCJÊODVFOUBODPOMBTTJHVJFOUFTQSPQJFEBEFTTPCSFTBMJFOUFT

 r $BSFDFOEFUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB
 r 0CTFSWBOVODPNQPSUBNJFOUPEFDPONVUBDJÓOVMUSBSSÃQJEB
 r 4VDPNQPSUBNJFOUPEFDPONVUBDJÓOOPTFWFBGFDUBEPQPSMBUFNQFSBUVSB
2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47

iD
IF

SiC
t

Si
FIGURA 2.7
$PNQBSBDJÓOEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB

-BDBSHBEFBMNBDFOBNJFOUPUÎQJDBQRRFTEFO$QBSBVOEJPEPEF7 "ZEFO$
QBSBVOEJTQPTJUJWPEF7 "
-BDBSBDUFSÎTUJDBEFCBKBSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFMPTEJPEPTEF4J$ DPNPTFNVFTUSBFOMB
GJHVSB BQBSFDFBDPNQBÒBEBQPSVOBCBKBDPSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB"IPSSBFOFS-
HÎBFONVDIBTBQMJDBDJPOFTDPNPGVFOUFTEFQPUFODJB DPOWFSTJÓOEFFOFSHÎBTPMBS USBOTQPSUFT
Z PUSBT BQMJDBDJPOFT DPNP FRVJQP EF TPMEBS Z BDPOEJDJPOBEPSFT EF BJSF -PT EJTQPTJUJWPT EF
QPUFODJBEF4J$PGSFDFONBZPSFGJDJFODJB VOUBNBÒPNFOPSZBMUBGSFDVFODJBEFDPONVUBDJÓO 
B MB WF[ RVF QSPEVDFO VOB JOUFSGFSFODJB FMFDUSPNBHOÊUJDB &.*
 NVDIP NFOPS FO VOB HSBO
EJWFSTJEBEEFBQMJDBDJPOFT

2.7 DIODOS SCHOTTKY DE CARBURO DE SILICIO


-PTEJPEPT4DIPUULZTFVUJMJ[BOQSJNPSEJBMNFOUFFOBQMJDBDJPOFTEFBMUBGSFDVFODJBZDPONV-
UBDJÓOSÃQJEB.VDIPTNFUBMFTQVFEFODSFBSVOBCBSSFSB4DIPUULZFOTFNJDPOEVDUPSFTEF4J
PEF(B"T6OEJPEP4DIPUULZTFGPSNBVOJFOEPVOBSFHJÓOTFNJDPOEVDUPSBEPQBEB QPSMP
HFOFSBMEFMUJQPn DPOVONFUBMDPNPPSP QMBUBPQMBUJOP"EJGFSFODJBEFMEJPEPEFVOJÓOpn,
IBZVOBVOJÓOGPSNBEBQPSVONFUBMZFMTFNJDPOEVDUPS MPRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBZTV
TÎNCPMPFOMBGJHVSBC&MEJPEP4DIPUULZPQFSBTÓMPDPOQPSUBEPSFTNBZPSJUBSJPT ZDPNPOP
IBZQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPTUBNQPDPIBZDPSSJFOUFEFGVHBJOWFSTB DPNPTVDFEFFOMPTEJPEPT
EFVOJÓOpn-BSFHJÓONFUÃMJDBTFFODBSHBGVFSUFNFOUFEFMPTFMFDUSPOFTEFMBCBOEBEFDPO-
EVDDJÓO ZMBSFHJÓOTFNJDPOEVDUPSBUJQPnFTUÃMFWFNFOUFEPQBEB"MTPNFUFSTFBQPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB MPT FMFDUSPOFT EF BMUB FOFSHÎB EF MB SFHJÓO n TF JOZFDUBO FO MB SFHJÓO NFUÃMJDB EPOEF
DFEFOSÃQJEBNFOUFTVFOFSHÎBFYDFEFOUF%BEPRVFOPFYJTUFOQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPT ÊTUFFT
VOEJPEPEFDPONVUBDJÓOSÃQJEB
-PTEJPEPT4DIPUULZEF4J$DVFOUBODPOMBTTJHVJFOUFTDBSBDUFSÎTUJDBT

 r 1ÊSEJEBTNÎOJNBTEFDPONVUBDJÓOQPSMBCBKBDBSHBEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB
 r 5SBOTJUPSJPEFDPSSJFOUFPMBGBTFUSBOTJUPSJBEFDPSSJFOUFUPUBMNFOUFFTUBCMF HSBODPOGJB-
CJMJEBEZSPCVTUF[
 r #BKPTDPTUPTEFMTJTUFNBHSBDJBTBMPTSFEVDJEPTSFRVFSJNJFOUPTEFFOGSJBNJFOUP
 r %JTFÒPTEFBMUBGSFDVFODJBZTPMVDJPOFTEFNBZPSEFOTJEBEEFQPUFODJB

&TUPTEJTQPTJUJWPTUBNCJÊOUJFOFOCBKBDBQBDJUBODJBEFEJTQPTJUJWPRVFNFKPSBMBFGJDJFODJBUPUBM
EFMTJTUFNB TPCSFUPEPBBMUBTGSFDVFODJBTEFDPONVUBDJÓO
48 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Semiconductor

Contacto óhmico Contacto óhmico

Ánodo Cátodo
Tipo n

iD
Metal

Ánodo Cátodo
vD

(a) (b)

FIGURA 2.8
&TUSVDUVSBJOUFSOBCÃTJDBEFVOEJPEP4DIPUULZ

2.8 MODELO SPICE DE DIODO


&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBFMNPEFMP41*$&EFVOEJPEP<>-BDPSSJFOUFIDFOFMEJPEP
RVFEFQFOEFEFTVWPMUBKFFTUÃSFQSFTFOUBEBQPSVOBGVFOUFEFDPSSJFOUFRsFTMBSFTJTUFODJB
FOTFSJFZTFEFCFBMBSFTJTUFODJBEFMTFNJDPOEVDUPSUBNCJÊOTFMFDPOPDFDPNPresistencia
masivaZEFQFOEFEFMBDBOUJEBEEFEPQBEP-PTNPEFMPTEFTFÒBMQFRVFÒBZFTUÃUJDPTHFOF-
SBEPTQPS41*$&TFNVFTUSBOFOMBTGJHVSBTDZE SFTQFDUJWBNFOUFCDFTVOBGVODJÓO
OP MJOFBM EFM WPMUBKF vD FO FM EJPEP Z FT JHVBM B CD = dqd/dvD  EPOEF qd FT MB DBSHB FO MB
DBQBEFBHPUBNJFOUP41*$&HFOFSBMPTQBSÃNFUSPTEFTFÒBMQFRVFÒBBQBSUJSEFMQVOUPEF
GVODJPOBNJFOUP
-BJOTUSVDDJÓOEFNPEFMP41*$&EFVOEJPEPUJFOFMBGPSNBHFOFSBM

.MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3 ...... PN=VN)

%/".&FTFMOPNCSFEFMNPEFMPZQVFEFDPNFO[BSDPODVBMRVJFSDBSÃDUFSTJOFNCBSHP TV
UBNBÒPEFQBMBCSBOPSNBMNFOUFTFMJNJUBB%FTFMTÎNCPMPEFUJQPEFEJPEPQBSBMPTEJPEPT
1 1 wZ7 7 wTPOMPTQBSÃNFUSPTEFMNPEFMPZTVTWBMPSFT SFTQFDUJWBNFOUF
&OUSFMPTNVDIPTQBSÃNFUSPTEFEJPEP MPTJNQPSUBOUFT< >QBSBDPONVUBDJÓOEFQP-
UFODJBTPO

*4 $PSSJFOUFEFTBUVSBDJÓO
#7 7PMUBKFEFSVQUVSBJOWFSTP
*#7 $PSSJFOUFEFSVQUVSBJOWFSTB
55 5JFNQPEFUSÃOTJUP
$+0 $BQBDJUBODJBpnEFQPMBSJ[BDJÓODFSP

%BEPRVFMPTEJPEPTEF4J$VUJMJ[BOVOUJQPEFUFDOPMPHÎBUPUBMNFOUFOVFWP FMVTPEFNPEFMPT
41*$& QBSB EJPEPT EF TJMJDJP QVFEF QSFTFOUBS VOB DBOUJEBE JNQPSUBOUF EF FSSPSFT 4JO FN-
CBSHP MPTGBCSJDBOUFT<>QSPQPSDJPOBOMPTNPEFMPT41*$&EFEJPEPTEF4J$
2.9 Diodos conectados en serie 49

RS

ID 

D1 VD ID CD

K
(a) Diodo (b) Modelo SPICE

A
A

RS

RS



VD RD CD
VD ID



K
K
(c) Modelo de señal pequeña (d) Modelo estático

FIGURA 2.9
.PEFMP41*$&EFEJPEPQPMBSJ[BEPBMBJOWFSTB

Puntos clave de la sección 2.8

 r -PTQBSÃNFUSPT41*$& MPTDVBMFTTFQVFEFOUPNBSEFMBTIPKBTEFEBUPT QVFEFOBGFDUBS


EFNBOFSBDPOTJEFSBCMFFMDPNQPSUBNJFOUPUSBOTJUPSJPEFVODJSDVJUPEFDPONVUBDJÓO

2.9 DIODOS CONECTADOS EN SERIE


&ONVDIBTBQMJDBDJPOFTEFBMUPWPMUBKF QPSFKFNQMP MÎOFBTEFUSBOTNJTJÓOEFDPSSJFOUFEJSFDUB
ZBMUPWPMUBKF<)7%$>
VOEJPEPDPNFSDJBMNFOUFEJTQPOJCMFOPQVFEFTBUJTGBDFSMBDBQBDJEBE
EFWPMUBKFSFRVFSJEBZMPTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFQBSBJODSFNFOUBSMBTDBQBDJEBEFTEFCMP-
RVFPJOWFSTP
50 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

iD
iD

VD1 VD2
vD
VD1 0
D1 
 vD
 IS1


D2
VD2

 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v– i

FIGURA 2.10
%PTEJPEPTDPOFDUBEPTFOTFSJFDPOQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTB

$POTJEFSFNPT EPT EJPEPT DPOFDUBEPT FO TFSJF DPNP TF NVFTUSB FO MB GJHVSB B -BT
WBSJBCMFTiDZvDTPOMBDPSSJFOUFZFMWPMUBKF SFTQFDUJWBNFOUF FOMBEJSFDDJÓOEJSFDUBVD1 Z
VD2TPOMPTWPMUBKFTJOWFSTPTDPNQBSUJEPTQPSMPTEJPEPTD1ZD2 SFTQFDUJWBNFOUF&OMBQSÃD-
UJDB MBTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMNJTNPUJQPEFEJPEPTEJGJFSFOQPSMBTUPMFSBODJBTFOTVTQSPDFTPT
EFQSPEVDDJÓO-BGJHVSBCNVFTUSBEPTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFUBMFTEJPEPT&OMBDPOEJDJÓO
EFQPMBSJ[BDJÓOEJSFDUBBNCPTEJPEPTDPOEVDFOMBNJTNBDBOUJEBEEFDPSSJFOUF ZMBDBÎEBEF
WPMUBKFEJSFDUPEFDBEBEJPEPTFSÎBDBTJJHVBM4JOFNCBSHP FOMBDPOEJDJÓOEFCMPRVFPJOWFSTP
DBEBEJPEPUJFOFRVFDPOEVDJSMBNJTNBDPSSJFOUFEFGVHBZ QPSDPOTJHVJFOUF MPTWPMUBKFTEF
CMPRVFPQVFEFOTFSCBTUBOUFEJGFSFOUFT
&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVOBTPMVDJÓOTFODJMMBQBSBFTUFQSPCMFNB MBDVBMDPOTJTUF
FOIBDFSRVFFMWPMUBKFTFDPNQBSUBQPSJHVBMDPOFDUBOEPVOSFTJTUPSBUSBWÊTEFDBEBEJPEP
"MDPNQBSUJSFMWPMUBKFQPSJHVBMMBDPSSJFOUFEFGVHBEFDBEBEJPEPTFSÎBEJGFSFOUF DPNPTF
NVFTUSBFOMBGJHVSBC QPSRVFMBDPSSJFOUFEFGVHBUPUBMEFCFTFSDPNQBSUJEBQPSVOEJPEP
ZTVSFTJTUPS

iD

iD VD1  VD2
vD
 0
IR1 D1
VD1
R1 IS1  IS1
 vD
 
IS2 IS2
VD2
R2 D2
 IR2 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v –i

FIGURA 2.11
%JPEPTDPOFDUBEPTFOTFSJFDPODBSBDUFSÎTUJDBTEFWPMUBKFDPNQBSUJEPFOFTUBEPFTUBCMF
2.9 Diodos conectados en serie 51

Rs
R1 D1
Voltaje Cs
Voltaje
compartido
compartido
en estado
Cs en estado
estable D2 transitorio FIGURA 2.12
R2 Rs
%JPEPTFOTFSJFDPOSFEFTRVFDPNQBSUFO
WPMUBKFFODPOEJDJPOFTFTUBCMFTZUSBOTJUPSJBT

Is = IS1 + IR1 = IS2 + IR2 

4JOFNCBSHP IR1 = VD1/R1FIR2 = VD2/R2 = VD1/R2-BFDVBDJÓO 


EBMBSFMBDJÓOFOUSFR1
ZR2QBSBWPMUBKFDPNQBSUJEPQPSJHVBMDPNP

VD1 VD1
IS1 + = IS2 +  

R1 R2

4JMBTSFTJTUFODJBTTPOJHVBMFT FOUPODFTR = R1 = R2ZMPTWPMUBKFTFOMPTEPTEJPEPTTFSÎBOBMHP


EJGFSFOUFTEFQFOEJFOEPEFMBTEFTJHVBMEBEFTEFMBTEPTDBSBDUFSÎTUJDBTv-i-PTWBMPSFTEFVD1 Z
VD2TFEFUFSNJOBODPOMBTFDVBDJPOFT 
Z 


VD1 VD2
IS1 + = IS2 + 

R R

VD1 + VD2 = VS 

-PTWPMUBKFTDPNQBSUJEPTFODPOEJDJPOFTUSBOTJUPSJBT QPSFKFNQMP EFCJEPBMBTDBSHBTEFDPO-


NVUBDJÓO MBTBQMJDBDJPOFTJOJDJBMFTEFMWPMUBKFEFFOUSBEB
TFMPHSBODPOFDUBOEPDBQBDJUPSFTB
USBWÊTEFDBEBEJPEP DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB-BSFTJTUFODJBRsMJNJUBMBWFMPDJEBEEF
FMFWBDJÓOEFMWPMUBKFEFCMPRVFP

Ejemplo 2.3 Cómo determinar los resistores que comparten voltaje


-BGJHVSBBNVFTUSBEPTEJPEPTDPOFDUBEPTFOTFSJFQBSBDPNQBSUJSVOWPMUBKFJOWFSTPUPUBMEFVD =L7
-BTDPSSJFOUFTEFGVHBJOWFSTBTEFMPTEPTEJPEPTTPOIS1 =N"FIS2 =N" B
%FUFSNJOFMPTWPM-
UBKFTFOMPTEJPEPTTJMBTSFTJTUFODJBTRVFDPNQBSUFOFMWPMUBKFTPOJHVBMFT R1 = R2 = R =LΩ C

%FUFSNJOFMBTSFTJTUFODJBTRVFDPNQBSUFOFMWPMUBKFR1ZR2TJMPTWPMUBKFTFOMPTEJPEPTTPOJHVBMFT 
VD1 = VD2 = VD D
6TF14QJDFQBSBDPNQSPCBSTVTSFTVMUBEPTEFMJODJTP B
-PTQBSÃNFUSPTEFM
NPEFMP14QJDFEFMPTEJPEPTTPO#7=L7F*4=N"QBSBFMEJPEPD1 F*4=N"QBSBFMEJPEPD2

Solución
a. IS1 =N" IS2 =N" ZR1 = R2 = R =LΩ−VD = −VD1 − VD2PVD2 = VD − VD1
$POMBFDVBDJÓO 


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R R
52 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

  4VTUJUVZFOEPVD2 = VD − VD1ZEFTQFKBOEPFMWPMUBKFFOFMEJPEPD1 PCUFOFNPT

+ 1 IS2 − IS1 2
VD R
VD1 =
2 2


1 35 × 10−3 − 30 × 10−3 2 = 2750 V


5 kV 100 kΩ
= +
2 2

  ZVD2 = VD − VD1 =L7− 2750 =7


b. IS1 =N" IS2 =N" ZVD1 = VD2 = VD/2 =L7$POMBFDVBDJÓO 


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R1 R2

  MBDVBMEBMBSFTJTUFODJBR2QBSBVOWBMPSDPOPDJEPEFR1DPNP

VD2R1
R2 =
− R1(IS2 − IS1 2
 

VD1

  4VQPOJFOEPRVFR1 =LΩ PCUFOFNPT

2.5 kV × 100 kΩ
R2 = = 125 kΩ
2.5 kV − 100 kΩ × (35 × 10−3 − 30 × 10−3 2

c. &MDJSDVJUPEFEJPEPTQBSBMBTJNVMBDJÓODPO14QJDFTFNVFTUSBFOMBGJHVSB-BMJTUBEFM
BSDIJWPEFMDJSDVJUPFTMBTJHVJFOUF

Ejemplo 2.3 Circuito de diodos que comparten el voltaje


VS 1 0 DC 5KV
R 1 2 0.01
R1 2 3 100K
R2 3 0 100K
D1 3 2 MOD1
D2 0 3 MOD2
.MODEL MOD1 D (IS=30MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.MODEL MOD2 D (IS=35MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.OP ; Análisis de punto de funcionamiento
en cd
.END

R 2
1
0.01 ⍀
D1 R1
100 k⍀

Vs 5 kV 3

D2 R2
FIGURA 2.13 100 k⍀
$JSDVJUPEFEJPEPTQBSBMBTJNVMBDJÓO14QJDF
EFMFKFNQMP 0
2.10 Diodos conectados en paralelo 53

  -PTSFTVMUBEPTEFMBTJNVMBDJÓO14QJDFTPO

NOMBRE D1 D2
ID –3.00E–02 ID1=–30 mA –3.50E–02 ID2=–35 mA
VD –2.75E+03 VD1=–2750 V esperando –2750 V –2.25E+03 VD2=–2250 V
esperando –2250 V
REQ 1.00E+12 RD1=1 GΩ 1.00E+12 RD2=1 GΩ

Nota41*$&EBMPTNJTNPTWPMUBKFTFTQFSBEPT4FJOTFSUBVOBQFRVFÒBSFTJTUFODJBR =NΩ
QBSBFWJUBSVOFSSPSEF41*$&EFCJEPBVOMB[PEFWPMUBKFEFSFTJTUFODJBDFSP

Puntos clave de la sección 2.9

 r $VBOEPTFDPOFDUBOFOTFSJFEJPEPTEFMNJTNPUJQPOPDPNQBSUFOFMNJTNPWPMUBKFJO-
WFSTPQPSMBTEFTJHVBMEBEFTFOTVTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iJOWFSTBT4FSFRVJFSFRVFMBTSFEFT
RVFDPNQBSUFOWPMUBKFMPIBHBOQPSJHVBM

2.10 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO


&OBQMJDBDJPOFTEFBMUBQPUFODJBMPTEJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPQBSBJODSFNFOUBSMBDBQB-
DJEBE EF DPOEVDJS DPSSJFOUF QBSB TBUJTGBDFS MPT SFRVFSJNJFOUPT EF DPSSJFOUF EFTFBEPT -BT SF-
QBSUJDJPOFTEFDPSSJFOUFEFMPTEJPEPTTFSÎBOEFBDVFSEPDPOTVTSFTQFDUJWBTDBÎEBTEFWPMUBKF
EJSFDUP-BSFQBSUJDJÓOVOJGPSNFEFMBDPSSJFOUFTFMPHSBQSPQPSDJPOBOEPJOEVDUBODJBTJHVBMFT
QPS FKFNQMP  FO MPT DBCMFT
 P DPOFDUBOEP SFTJTUPSFT RVF DPNQBSUFO DPSSJFOUF MP RVF QVFEF
OPTFSQSÃDUJDPQPSMBTQÊSEJEBTEFQPUFODJB
MPBOUFSJPSTFJMVTUSBFOMBGJHVSB&TQPTJCMF
NJOJNJ[BSFTUFQSPCMFNBTFMFDDJPOBOEPEJPEPTDPODBÎEBTEFWPMUBKFEJSFDUPJHVBMFTPEJPEPTEFM
NJTNPUJQP"MFTUBSMPTEJPEPTDPOFDUBEPTFOQBSBMFMP MPTWPMUBKFTEFCMPRVFPJOWFSTPTEFDBEB
EJPEPTFSÎBOMPTNJTNPT
-PTSFTJTUPSFTEFMBGJHVSBBBZVEBOBDPNQBSUJSMBDPSSJFOUFFODPOEJDJPOFTFTUBCMFT
-B SFQBSUJDJÓO EF MB DPSSJFOUF FO DPOEJDJPOFT EJOÃNJDBT TF MPHSB DPOFDUBOEP JOEVDUPSFT
BDPQMBEPTDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC4JMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFD1TFJODSFNFOUB MBL
di/dtBUSBWÊTEFL1TFJODSFNFOUBZTFJOEVDFVOWPMUBKFDPSSFTQPOEJFOUFEFQPMBSJEBEPQVFTUB
BUSBWÊTEFMJOEVDUPSL2&MSFTVMUBEPFTVOBUSBZFDUPSJBEFCBKBJNQFEBODJBBUSBWÊTEFMEJPEP
D2ZMBDPSSJFOUFTFEFTQMB[BBD2-PTJOEVDUPSFTQVFEFOHFOFSBSQJDPTEFWPMUBKFZTFSDBSPTZ
WPMVNJOPTPT TPCSFUPEPFODPOEJDJPOFTEFDPSSJFOUFTBMUBT

iD iD

D2 D1
D1 D2
 
R2 R1
vD vD
 
R1 R2
L2 L1

FIGURA 2.14
(a) Estado estable (b) Repartición dinámica %JPEPTDPOFDUBEPTFOQBSBMFMP
54 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Puntos clave de la sección 2.10

 r $VBOEPEJPEPTEFMNJTNPUJQPTFDPOFDUBOFOQBSBMFMP OPDPNQBSUFOMBNJTNBDPSSJFOUF
FOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEFCJEPBMBTEFTJHVBMEBEFTFOTVTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEJSFDUBT4F
SFRVJFSFRVFMBTSFEFTRVFDPNQBSUFODPSSJFOUFMPIBHBOQPSJHVBM

2.11 CARGA RC CONMUTADA POR DIODO


-BGJHVSBBNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRC1PSTJNQMJDJEBE MPTEJPEPTTF
DPOTJEFSBOJEFBMFT1PSiJEFBMuTFFOUJFOEFRVFFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBtrrZMBDBÎEB
EFWPMUBKFEJSFDUPVDTPOJOTJHOJGJDBOUFT&TEFDJS trr =ZVD =&MWPMUBKFGVFOUFVSFTVO
WPMUBKFDPOTUBOUFEFDE$VBOEPFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = MBDPSSJFOUFEF
DBSHBiRVFGMVZFBUSBWÊTEFMDBQBDJUPSTFDBMDVMBDPO

t
i dt + yc 1 t = 02
1
Vs = yR + yc = yR + 

CL
t0

yR = Ri 

$POMBDPOEJDJÓOJOJDJBMvc (t = 0) = MBTPMVDJÓOEFMBFDVBDJÓO 


 MBDVBMTFEFSJWBFOFM
"QÊOEJDF% FDVBDJÓO%
EBMBDPSSJFOUFEFDBSHBiDPNP

Vs −t/RC
i1 t2 = e  

&MWPMUBKFvcFOFMDBQBDJUPSFT
t
yc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − e −t/RC 2 = Vs 1 1 − e −t/τ 2
1


CL
0

EPOEFτ = RCFTMBDPOTUBOUFEFUJFNQPEFVOBDBSHBRC-BWFMPDJEBEEFDBNCJPEFMWPMUBKF
EFMDBQBDJUPSFT

dyc Vs −t/RC
= e  

dt RC

ZMBWFMPDJEBEJOJDJBMEFDBNCJPEFMWPMUBKFEFMDBQBDJUPS FOFMJOTUBOUFt =


TFPCUJFOFDPOMB
FDVBDJÓO 

`
dyc Vs
=  

dt t =0 RC

0CTFSWFNPTRVFDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = FMWPMUBKFBUSBWÊTEFMDBQB-


DJUPSFTDFSP&MWPMUBKFVSEFBMJNFOUBDJÓOEFDEBQBSFDFSÃFOMBSFTJTUFODJBRZMBDPSSJFOUFTF
FMFWBSÃJOTUBOUÃOFBNFOUFBVS/R&TEFDJS MBJOJDJBMdi/dt = ∞
Nota:$PNPMBDPSSJFOUFiFOMBGJHVSBBFTVOJEJSFDDJPOBMZOPUJFOEFBDBNCJBSTV
QPMBSJEBE FMEJPEPOPUJFOFOJOHÙOFGFDUPTPCSFFMGVODJPOBNJFOUPEFMDJSDVJUP
2.11 Carga RC conmutada por diodo 55

Vs i
R

S1 D1 i Vs
0.368
R
 t0  0 t
R vR vc
  Vs
Vs Vs
  0.632 Vs
  RC
C vc
 0 t
 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.15
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRC

Puntos clave de la sección 2.11

 r -BDPSSJFOUFEFVODJSDVJUPRCRVFTVCFPDBFFYQPOFODJBMNFOUFDPOVOBDPOTUBOUFEF
UJFNQPEFDJSDVJUPOPJOWJFSUFTVQPMBSJEBE-Bdv/dtJOJDJBMEFVODBQBDJUPSEFDBSHBFOVO
DJSDVJUPRCFTVs/RC

Ejemplo 2.4 Cómo determinar la corriente pico y la pérdida de energía en un circuito RC


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOR = 44 ΩZC =μ'&MDBQBDJUPSUJFOFVO
WPMUBKFJOJDJBMVc0 = Vc(t = 0) =74JTFDJFSSBFMJOUFSSVQUPSS1FOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B

MBDPSSJFOUFQJDPFOFMEJPEP C
MBFOFSHÎBEJTJQBEBFOFMSFTJTUPSR Z D
FMWPMUBKFFOFMDBQBDJUPSFOFM
JOTUBOUFt = 2 μT

Solución
&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEB
a. 4FQVFEFVUJMJ[BSMBFDVBDJÓO 
DPOVs = Vc0ZMBDPSSJFOUFQJDPIpFOFMEJPEPFT
Vc0 220
IP = = = 5A
R 44

V0 i
S1 R

t0 
i R vR 0 t
 vc
D1 V0


C Vco vc


0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.16
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRC
56 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b. -BFOFSHÎBWEJTJQBEBFT

W = 0.5CV 2c0 = 0.5 × 0.1 ∗ 10−6 × 2202 = 0.00242 J = 2.42 mJ

c. $PORC = 44 ×μ =μTZt = t1 = 2 μT FMWPMUBKFFOFMDBQBDJUPSFT

vc 1 t = 2 μs 2 = Vc0e −t/RC = 220 × e −2/4.4 = 139.64 V

Nota: $PNP MB DPSSJFOUF FT VOJEJSFDDJPOBM  FM EJPEP OP BGFDUB FM GVODJPOBNJFOUP EFM
DJSDVJUP

2.12 CARGA RL CONMUTADA POR DIODO


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRL$VBOEPFMJOUFSSVQUPSS1
TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = MBDPSSJFOUFiBUSBWÊTEFMJOEVDUPSTFJODSFNFOUBZTFFYQSFTBDPNP

di
Vs = vL + vR = L + Ri 

dt
$POMBDPOEJDJÓOJOJDJBMi(t = 0) = MBTPMVDJÓOEFMBFDVBDJÓO 
 MBDVBMTFSFTVFMWFFOFM
"QÊOEJDF% FDVBDJÓO%
SFTVMUB

i 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2 
Vs


R
-BWFMPDJEBEEFDBNCJPEFFTUBDPSSJFOUFTFPCUJFOFDPOMBFDVBDJÓO 
DPNP

di Vs −tR/L
= e  

dt L
ZMBWFMPDJEBEJOJDJBMEFFMFWBDJÓOEFMBDPSSJFOUF FOFMJOTUBOUFt =
TFPCUJFOFDPOMBFDVB-
DJÓO 


`
di Vs
=  

dt t =0 L

vL
Vs
S1 D1 i
0.368 Vs
 t0 
0 t
R vR
 V i
 Is  s
Vs Vs R
  0.632 Is
L
L vL R
  0 t

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.17
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRL
2.12 Carga RL conmutada por diodo 57

&MWPMUBKFvLBUSBWÊTEFMJOEVDUPSFT

vL 1 t2 = L
di
= Vse −tR/L 

dt

EPOEFL/R = τFTMBDPOTUBOUFEFUJFNQPEFVOBDBSHBRL
0CTFSWFNPTRVFDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = MBDPSSJFOUFFTDFSP
ZFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMBSFTJTUFODJBRFTDFSP&MWPMUBKFEFBMJNFOUBDJÓOVSEFDEBQBSFDFSÃB
USBWÊTEFMJOEVDUPSL&TEFDJS

di
VS = L
dt

FMDVBMEBMBWFMPDJEBEJOJDJBMEFDBNCJPEFMBDPSSJFOUFDPNP

di VS
=
dt L

MBDVBMFTJHVBMBMBFDVBDJÓO 
4JOPIVCJFSBJOEVDUPS MBDPSSJFOUFTFFMFWBSÎBJOTUBOUÃOFB-
NFOUF1FSPEFCJEPBMJOEVDUPSMBDPSSJFOUFTFFMFWBSÃDPOVOBQFOEJFOUFJOJDJBMEFVS/LZMB
DPSSJFOUFTFQVFEFBQSPYJNBSBi = VS*t/L
Nota: D1FTUÃDPOFDUBEPFOTFSJFDPOFMJOUFSSVQUPSZFWJUBSÃDVBMRVJFSGMVKPEFDPSSJFOUF
OFHBUJWBBUSBWÊTEFMJOUFSSVQUPSTJIBZVOWPMUBKFEFBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEBEFDB QFSPOPFT
BQMJDBCMFQBSBVOBGVFOUFEFDE/PSNBMNFOUF VOJOUFSSVQUPSFMFDUSÓOJDP #+5P.04'&5P
*(#5
OPQFSNJUJSÃFMGMVKPEFDPSSJFOUFJOWFSTB&MJOUFSSVQUPS KVOUPDPOFMEJPEPD1 FNVMBFM
DPNQPSUBNJFOUPEFDPONVUBDJÓOEFVOJOUFSSVQUPSFMFDUSÓOJDP
-BTGPSNBTEFPOEBEFMWPMUBKFvLZMBDPSSJFOUFTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBC4Jt >> L/R,
FMWPMUBKFBUSBWÊTEFMJOEVDUPSUJFOEFBDFSPZTVDPSSJFOUFBMDBO[BVOWBMPSEFFTUBEPFTUBCMF
EFIs = Vs/R4JMVFHPTFIBDFVOJOUFOUPEFBCSJSFMJOUFSSVQUPSS1 MBFOFSHÎBBMNBDFOBEB
FOFMJOEVDUPS =Li2
TFUSBOTGPSNBSÃFOVOBMUPWPMUBKFJOWFSTPBUSBWÊTEFMJOUFSSVQUPSZ
FM EJPEP &TUB FOFSHÎB TF EJTJQB FO GPSNB EF DIJTQBT B USBWÊT EFM JOUFSSVQUPS FT QSPCBCMF
RVFFMEJPEPD1 TFEBÒFFOFTUFQSPDFTP1BSBTVQFSBSTFNFKBOUFTJUVBDJÓOTFDPOFDUBVOEJPEP
DPNÙONFOUFDPOPDJEPDPNPdiodo de conducción libreBUSBWÊTEFVOBDBSHBJOEVDUJWB DPNP
TFNVFTUSBFOMBGJHVSBB
Nota:$PNPMBDPSSJFOUFiRVFBQBSFDFFOMBGJHVSBBFTVOJEJSFDDJPOBMZOPUJFOEFB
DBNCJBSTVQPMBSJEBE FMEJPEPOPUJFOFOJOHÙOFGFDUPFOFMGVODJPOBNJFOUPEFMDJSDVJUP

Puntos clave de la sección 2.12

 r -BDPSSJFOUFEFVODJSDVJUPRLRVFTFFMFWBPDBFFYQPOFODJBMNFOUFDPOVOBDPOTUBOUFEF
UJFNQPEFDJSDVJUPTJOJOWFSUJSTVQPMBSJEBE-Bdi/dtJOJDJBMFOVODJSDVJUPRLFTVs/L

Ejemplo 2.5 Cómo determinar la corriente de estado estable y la energía almacenada


en un inductor
&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPRLEFEJPEPDPOVS = 220 V, R = 40 Ω ZL =N)&MJOEVDUPS
OPUJFOFDPSSJFOUFJOJDJBM4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B
MBDPSSJFOUFEF
FTUBEPFTUBCMFFOFMEJPEP  C
MBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPS Z D
MBdi/dtJOJDJBM
58 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Solución
-BTGPSNBTEFPOEBTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBC
a. 4FQVFEFVUJMJ[BSMBFDVBDJÓO 
DPOt = ∞ZMBDPSSJFOUFQJDPEFFTUBEPFTUBCMFFT

VS 220
IP = = = 55 A
R 4

b. -BFOFSHÎBHVBSEBEBFOFMJOEVDUPSFOFMFTUBEPFTUBCMFZFOFMJOTUBOUFt RVFUJFOEFB∞FT

W = 0.5 L I 2P = 0.5  5  10−3552 = 7.563 mJ

c. 4FQVFEFVTBSMBFDVBDJÓO 


QBSBEFUFSNJOBSMBdi/dtJOJDJBMDPNP

di VS 220
= = = 44 A/ms
dt L 5  10−3

d. $POL/R =N)=NTZτ = t1 =NT MBFDVBDJÓO 


EBMBDPSSJFOUFFOFMJOEVDUPS
DPNP

i 1 t = 1 ms 2 = 1 1 − e −tR/L 2 =  1 1 − e −1/1.25 2 = 30.287 A


VS 220
R 4

2.13 CARGA LC CONMUTADA POR DIODO


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBLC&MWPMUBKFEFGVFOUFVsFT
VOWPMUBKFDPOTUBOUFEFDE$VBOEPTFDJFSSBFMJOUFSSVQUPSS1FOFMJOTUBOUFt = MBDPSSJFOUF
EFDBSHBiEFMDBQBDJUPSTFFYQSFTBDPNP
t
i dt + vc 1 t = 02 
di 1
Vs = L + 

dt C Lt0

$POMBTDPOEJDJPOFTJOJDJBMFTi(t =
Zvc(t =
TFQVFEFEFTQFKBSMBFDVBDJÓO 
QBSBMB
DPSSJFOUFiEFMDBQBDJUPSDPNP FOFM"QÊOEJDF% FDVBDJÓO%

i
Ip

S1 D1
 i 
t0 0
t1/2
t
vL t1
L vc
  2Vs
Vs Vs
  Vs t1   LC
C vc
 0 t
 t1

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.18
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBLC
2.13 Carga LC conmutada por diodo 59

C
i1 t2 = Vs sen ω0t 

CL
= Ip sen ω0t 

EPOEFω0 = 1/1LCZMBDPSSJFOUFQJDPIpFT

C
Ip = Vs  

CL

-BWFMPDJEBEEFTVCJEBEFMBDPSSJFOUFTFPCUJFOFDPOMBFDVBDJÓO 
DPNP

di Vs
= cos ω0t 

dt L

ZMBFDVBDJÓO 
EBMBWFMPDJEBEEFTVCJEBJOJDJBMEFMBDPSSJFOUF FOFMJOTUBOUFt =
DPNP

`
di Vs
=  

dt t =0 L

&MWPMUBKFvcBUSBWÊTEFMDBQBDJUPSTFPCUJFOFDPNP

t
vc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − cos ω0 t2 
1


C L0

&OFMJOTUBOUF t = t 1 = π1LC,MBDPSSJFOUFiFOFMEJPEPDBFBDFSPZFMDBQBDJUPSTFDBSHBB
2Vs&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMWPMUBKFvLZMBDPSSJFOUFi

Notas:

 r $PNP OP IBZ SFTJTUFODJB FO FM DJSDVJUP  OP QVFEF IBCFS QÊSEJEB EF FOFSHÎB 1PS DPOTJ-
HVJFOUF TJOSFTJTUFODJB MBDPSSJFOUFEFVODJSDVJUPLCPTDJMBZMBFOFSHÎBTFUSBOTGJFSFEFC
BLZWJDFWFSTB
 r D1 TFDPOFDUBFOTFSJFDPOFMJOUFSSVQUPSFJNQFEJSÃRVFBUSBWÊTEFÊTUFGMVZBDPSSJFOUF
OFHBUJWB4JOFMEJPEP FMDJSDVJUPLCDPOUJOVBSÃPTDJMBOEPQPSTJFNQSF/PSNBMNFOUFVO
JOUFSSVQUPSFMFDUSÓOJDP #+5 .04'&5P*(#5
OPQFSNJUJSÃFMGMVKPJOWFSTPEFMBDP-
SSJFOUF&MJOUFSSVQUPS KVOUPDPOFMEJPEPD1 FNVMBFMDPNQPSUBNJFOUPEFDPONVUBDJÓO
EFVOJOUFSSVQUPSFMFDUSÓOJDP
 r -BTBMJEBEFMDBQBDJUPSCTFQVFEFDPOFDUBSBPUSPTDJSDVJUPTTJNJMBSFTRVFJODMVZBOVO
JOUFSSVQUPS ZVOEJPEPDPOFDUBEPFOTFSJFDPOVOLZVOCQBSBPCUFOFSNÙMUJQMPTEFM
WPMUBKFEFBMJNFOUBDJÓOEFDEVS&TUBUÊDOJDBTFVUJMJ[BQBSBHFOFSBSVOBMUPWPMUBKFQBSB
BQMJDBDJPOFTEFQPUFODJBQVMTBOUFZTVQFSDPOEVDDJÓO

Ejemplo 2.6 Cómo determinar el voltaje y la corriente en un circuito LC


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBLCEPOEFFMDBQBDJUPSUJFOFVOWPMUBKF
JOJDJBM Vc (t = 0) = −Vc0 = V0 −7DBQBDJUBODJB C = 20 μ' FJOEVDUBODJBL =μ)
60 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i
Ip
S1

t0 
0 t
i L vL t1/2
vc
 Vc 0
D1 t1   LC

 0 t
C Vc 0 vc
FIGURA 2.19 
 Vc 0 t1
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOB
DBSHBLC (a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B


MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊTEFMEJPEP C
FM
UJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEP Z D
FMWPMUBKFEFFTUBEPFTUBCMFGJOBMEFMDBQBDJUPS

Solución
a. $POMBley del voltaje de Kirchhoff ,7-
QPEFNPTFTDSJCJSMBFDVBDJÓOQBSBMBDPSSJFOUFiDPNP

t
i dt + vc 1 t = 02 = 0
di 1
L +
dt C Lt0

  ZMBDPSSJFOUFiDPOMBTDPOEJDJPOFTJOJDJBMFTEFi(t = 0) =Zvc (t = 0) = −Vc0TFEFTQFKBDPNP

C
i1 t2 = Vc0 sen ω0 t
CL

  EPOEF ω0 = 1/1LC = 106/120 × 80 = 25,000 rad/s.-BDPSSJFOUFQJDPIpFT

C 20
Ip = Vc0 = 220 = 110 A
CL C 80

b. $POt = t 1 = π 1LC,MBDPSSJFOUFFOFMEJPEPTFWVFMWFDFSPZFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOt1EFM


EJPEPFT

t 1 = π 1LC = π 120 × 80 = 125.66 μs

c. &TGÃDJMEFNPTUSBSRVFFMWPMUBKFFOFMDBQBDJUPSFT
t
vc 1 t2 =
1
i dt − Vc0 = − Vc0 cos ω0 t
C L0

$POt = t1 =μT vc(t = t1) = −DPTπ = −7

Nota­TUFFTVOFKFNQMPEFJOWFSTJÓOEFMBQPMBSJEBEEFVODBQBDJUPS"MHVOBTBQMJDBDJP-
OFTTVFMFOSFRVFSJSVOWPMUBKFDPOQPMBSJEBEPQVFTUBBMWPMUBKFEJTQPOJCMF

Puntos clave de la sección 2.13

 r -BDPSSJFOUFEFVODJSDVJUPLCFYQFSJNFOUBPTDJMBDJPOFTSFTPOBOUFTDPOVOWBMPSQJDPEF
VS (C/L
&MEJPEPD1FMGMVKPJOWFSTPEFMBDPSSJFOUFZFMDBQBDJUPSTFDBSHBBVS
2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61

2.14 CARGA RLC CONMUTADA POR DIODO


&OMBGJHVSBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRLC4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJF-
SSBFOFMJOTUBOUFt = QPEFNPTVUJMJ[BSMBMFZEFMWPMUBKFEF,JSDIIPGGQBSBFTDSJCJSMBFDVBDJÓO
QBSBMBDPSSJFOUFiFOMBDBSHBDPNP

i dt + vc 1 t = 02 = Vs
di 1
L + Ri + 

dt CL

DPOMBTDPOEJDJPOFTJOJDJBMFTi(t =
Zvc(t = 0) = Vc0"MEJGFSFODJBSMBFDVBDJÓO 
ZEJWJEJS
BNCPTNJFNCSPTFOUSFLTFPCUJFOFMBFDVBDJÓODBSBDUFSÎTUJDB

d 2i R di i
+ + = 0 

dt 2 L dt LC

&ODPOEJDJPOFTGJOBMFTFTUBCMFT FMDBQBDJUPSTFDBSHBBMWPMUBKFEFMBGVFOUFVsZMBDPSSJFOUF
FTUBCMFFTDFSP&MDPNQPOFOUFGPS[BEPEFMBDPSSJFOUFFOMBFDVBDJÓO 
UBNCJÊOFTDFSP
-BDPSSJFOUFTFEFCFBMDPNQPOFOUFOBUVSBM
-BFDVBDJÓODBSBDUFSÎTUJDBFOFMEPNJOJPEFsEF-BQMBDFFT

R 1
s2 + s + = 0 

L LC

ZMBTSBÎDFTEFMBFDVBDJÓODVBESÃUJDB 
FTUÃOEBEBTQPS

R 2
a b −
R 1
s1, 2 = − {  

2L C 2L LC

%FGJOBNPT EPT QSPQJFEBEFT JNQPSUBOUFT EF VO DJSDVJUP EF TFHVOEP PSEFO FM factor de amor-
tiguamiento,

R
α =  

2L
ZMBfrecuencia de resonancia,

1
ω0 =  

1LC

S1
R
⫹ i ⫹
t⫽0 D1
L vL


Vs Vs
⫺ ⫹

C Vc 0 vc
⫺ ⫺

FIGURA 2.20
$JSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBRLC
62 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

4JTVTUJUVJNPTMBTEFGJOJDJPOFTBOUFSJPSFTFOMBFDVBDJÓO 
PCUFOFNPT

s1, 2 = − α { 3α2 − ω20 

-BTPMVDJÓOQBSBMBDPSSJFOUF MBDVBMEFQFOEFEFMPTWBMPSFTEFαZω0 TFHVJSÎBVOPEFMPTUSFT


DBTPTQPTJCMFT

Caso 1. 4Jα = ω0 MBTSBÎDFTTPOJHVBMFT s1 = s2 ZFMDJSDVJUPTFDPOPDFDPNPcríticamente


amortiguado-BTPMVDJÓOBEPQUBMBGPSNB
i1 t2 = 1 A1 + A2t2 e s1t 

Caso 2. 4Jα > ω0 MBTSBÎDFTTPOSFBMFTZTFEJDFRVFFMDJSDVJUPFTUÃsobreamortiguado-B


TPMVDJÓOBEPQUBMBGPSNB
i1 t2 = A1e s1t + A2e s2t 

Caso 3. 4Jα < ω0 MBTSBÎDFTTPODPNQMFKBTZTFEJDFRVFFMDJSDVJUPFTUÃsubamortiguado


-BTSBÎDFTTPO
s1,2 = − α { jωr 

EPOEFωrTFDPOPDFDPNPfrecuencia de repique PGSFDVFODJBSFTPOBOUFBNPSUJHVBEB


Zωr
ωr = 3ω20 − α2.-BTPMVDJÓOBEPQUBMBGPSNB
i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωrt + A2 sen ωrt2  

MBDVBMFTVOBsinusoide amortiguada Pdecadente

4FVUJMJ[BVODJSDVJUPRLCTVCBNPSUJHVBEPDPONVUBEPQBSBDPOWFSUJSVOWPMUBKFEFGVFOUF
EFDEFOVOWPMUBKFEFDBBMBGSFDVFODJBSFTPOBOUFBNPSUJHVBEB&TUFNÊUPEPTFFTUVEJBDPO
NBZPSEFUBMMFFOFMDBQÎUVMP

Notas:

 r -BT DPOTUBOUFT A1 Z A2 TF EFUFSNJOBO B QBSUJS EF MBT DPOEJDJPOFT JOJDJBMFT EFM DJSDVJUP
1BSBEFTQFKBSEPTDPOTUBOUFTTFSFRVJFSFOEPTFDVBDJPOFTMJNJUBOUFTDPOMBTDPOEJDJPOFT
JOJDJBMFTi(t =
Zdi/dt(t =
-BSB[ÓOEFα/ω0TFDPOPDFDPNÙONFOUFDPNPMBrazón
amortiguada, δ = R/22C/L.1PSMPHFOFSBMMPTDJSDVJUPTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJBFTUÃO
TVCBNPSUJHVBEPTEFNPEPRVFMBDPSSJFOUFFOFMDJSDVJUPFTDBTJTFOPJEBM QBSBQSPEVDJS
VOBTBMJEBEFDBDBTJTFOPJEBMPQBSBBQBHBSVOEJTQPTJUJWPTFNJDPOEVDUPSEFQPUFODJB
 r &ODPOEJDJPOFTDSÎUJDBTZTVCBNPSUJHVBEBT MBDPSSJFOUFi(t
OPPTDJMBSÃZOPTFSFRVJFSFFM
EJPEP
 r -BT FDVBDJPOFT 
 
 Z 
 TPO MBT GPSNBT HFOFSBMFT QBSB MB TPMVDJÓO EF DVB-
MFTRVJFS FDVBDJPOFT EJGFSFODJBMFT EF TFHVOEP HSBEP -B GPSNB QBSUJDVMBS EF MB TPMVDJÓO
EFQFOEFSÃEFMPTWBMPSFTEFR, LZC

Ejemplo 2.7 Cómo determinar la corriente en un circuito RLC


&MDJSDVJUPRLCEFTFHVOEPHSBEPEFMBGJHVSBUJFOFVOBGVFOUFEFWPMUBKFEFDE Vs =7 JO-
EVDUBODJBL =N) DBQBDJUBODJBC =μ' ZSFTJTUFODJBR = 160 Ω&MWBMPSJOJDJBMEFMWPMUBKFEFM
DBQBDJUPSFTvc(t = 0) = Vc0 =ZDPSSJFOUFi(t = 0) =4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = 0,
2.14 Carga RLC conmutada por diodo 63

EFUFSNJOF B
VOBFYQSFTJÓOQBSBMBDPSSJFOUFi(t
Z C
FMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEP D
5SBDFVO
CPTRVFKPEFi(t
6TF14QJDFQBSBUSB[BSMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBiDPOR = 50 Ω, 160 Ω ZΩ

Solución
a. 4FHÙOMBFDVBDJÓO 
α = R/2L = 160 × 103/(2 × 2) =ƭSBET ZTFHÙOMBFDVBDJÓO

ω0 = 1/1LC = 105 rad/s.-BGSFDVFODJBEFSFQJRVFPSFTPOBOUFTFWVFMWF

ωr = 21010 − 16 × 108 = 91,652 rad/s

  $PNPα < ω0 FMDJSDVJUPFTUÃTVCBNPSUJHVBEPZMBTPMVDJÓOFTEFMBGPSNB

i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωr t + A2 sen ωr t2

  $POt = 0, i(t = 0) =ZSFTVMUBA1 =-BTPMVDJÓOFT

i1 t 2 = e −αtA2 sen ωr t

  -BEFSJWBEBEFi(t
FT
di
= ωr cos ωrt A2e −αt − α sen ωr t A2e −α
dt
  $VBOEPFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = FMDBQBDJUPSPGSFDFVOBCBKBJNQFEBODJBZFM
JOEVDUPSVOBBMUBJNQFEBODJB-BWFMPDJEBEJOJDJBMEFTVCJEBEFMBDPSSJFOUFFTUÃMJNJUBEBTÓMP
QPSFMJOEVDUPSL&OUPODFTDPOt = MBEFSJWBEBdi/dtEFMDJSDVJUPFTVs/L1PSDPOTJHVJFOUF 

`
di Vs
= ωr A2 =
dt t =0 L
  MBDVBMEBMBDPOTUBOUFDPNP
Vs 220 × 1,000
A2 = = = 1.2 A
ωrL 91,652 × 2
  -BFYQSFTJÓOGJOBMQBSBMBDPSSJFOUFi(t
FT

i1 t2 = 1.2 sen1 91,652t2 e −40,000tA

b. &MUJFNQPEFDPOEVDDJÓOt1EFMEJPEPTFPCUJFOFDVBOEPi =&TEFDJS


π
ωrt 1 = π o t1 = = 34.27 μs
91,652
c. -BGJHVSBNVFTUSBFMCPTRVFKPEFMBGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUF

i, amp
1.2

0.8
1.2e⫺40,000t
0.4

0 ␻r t

⫺0.4

⫺0.8 ⫺1.2e⫺40,000t
FIGURA 2.21
⫺1.2 'PSNBEFPOEBEFDPSSJFOUFQBSB
FMFKFNQMP
64 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

D1 2 R 3 L
i
1 4
50  2 mH
 160 
320 
vs C 0.05 F


0
(a) Circuito

vs

220 V

0 1 ns 1 ms t, ms
(b) Voltaje de entrada

FIGURA 2.22
$JSDVJUPRLCQBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF

d. &OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMDJSDVJUPQBSBMBTJNVMBDJÓODPO14QJDF<>-BMJTUBEFMBSDIJWPEFM
DJSDVJUPFTMBTJHVJFOUF

Ejemplo 2.7 Circuito RLC con Diodo


.PARAM VALU = 160 ; Definir parámetro VALU
.STEP PARAM VALU LIST 50 160 320 ; Variar parámetro VALU
VS 1 0 PWL (0 0 INS 220V 1MS 220V) ; Lineal por partes
R 2 3 {VALU} ; Resistencia variable
L 3 4 2MH
C 4 0 0.05UF
D1 1 2 DMOD ; Diodo con modelo DMOD
.MODEL DMOD D(IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de
diodo
.TRAN 0.1US 60US ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

&OMBGJHVSBTFNVFTUSBMBHSÃGJDB14QJDFEFMBDPSSJFOUFI(R
BUSBWÊTEFMBSFTJTUFODJBR-B
DPSSJFOUFEFQFOEFEFMBSFTJTUFODJBR$POVOWBMPSBMUPEFR MBDPSSJFOUFTFBNPSUJHVBNÃT ZDPO
VOWBMPSCBKPUJFOEFNÃTIBDJBVOBTFOPJEF$POR = MBDPSSJFOUFQJDPFTVs (C/L) = 220 ×
μN
="6OEJTFÒBEPSEFDJSDVJUPTQPESÎBTFMFDDJPOBSVOWBMPSEFSB[ÓOEFBNPSUJHVB-
NJFOUPZMPTWBMPSFTEFR, LZCQBSBHFOFSBSMBGPSNBEFTFBEBEFMBGPSNBEFPOEBZMBGSFDVFODJB
EFTBMJEB
2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65

Circuito RLC con un diodo Temperatura 27.0


1.0 A

50 
0.8 A

160 
0.6 A

320 
0.4 A

0.2 A

0.0 A
0 s 10 s 20 s 30 s 40 s 50 s 60 s
I(L) Tiempo C1  14.385 , 913.522 m
C2  0.000, 0.000
dif  14.385 , 913.522 m

FIGURA 2.23
(SÃGJDBTEFMFKFNQMP

Puntos clave de la sección 2.14

 r -BDPSSJFOUFEFVODJSDVJUPRLCEFQFOEFEFMBSB[ÓOEFBNPSUJHVBNJFOUPδ = (R/2)(C/L

-PT DJSDVJUPT FMFDUSÓOJDPT EF QPUFODJB TVFMFO FTUBS TVCBNPSUJHVBEPT EF NPEP RVF MB
DPSSJFOUFFOFMDJSDVJUPFTDBTJTFOPJEBM

2.15 DIODOS DE CONDUCCIÓN LIBRE CON CARGA RL CONMUTADA


4JFMJOUFSSVQUPSS1RVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBTFDJFSSBEVSBOUFFMUJFNQPt1 TFFTUBCMFDF
VOBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFMBDBSHBMVFHP TJFMJOUFSSVQUPSTFBCSFTFEFCFQSPQPSDJPOBSVOBUSB-
ZFDUPSJBQBSBMBDPSSJFOUFFOMBDBSHBJOEVDUJWB%FMPDPOUSBSJP MBFOFSHÎBJOEVDUJWBJOEVDFVO
WPMUBKFNVZBMUPZFTUBFOFSHÎBTFEJTJQBDPNPDBMPSFOGPSNBEFDIJTQBTBUSBWÊTEFMJOUFSSVQ-
UPS&TUPTFTVFMFIBDFSDPOFDUBOEPVOEJPEPDmDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB FMDVBMTF
DPOPDFDPNPdiodo de conducción libre&MEJPEPDmTFSFRVJFSFQBSBQSPCBSVOBUSBZFDUPSJB
QBSBMBDPSSJFOUFEFDBSHBJOEVDUJWB&MEJPEPD1TFDPOFDUBFOTFSJFDPOFMJOUFSSVQUPSFJNQF-
EJSÃDVBMRVJFSGMVKPEFDPSSJFOUFOFHBUJWBBUSBWÊTEFMJOUFSSVQUPSTJIBZVOWPMUBKFEFBMJNFO-
UBDJÓOEFFOUSBEBEFDB1FSPQBSBBMJNFOUBDJÓOEFDE DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB OP
IBZOFDFTJEBEEFMEJPEPD1&MJOUFSSVQUPS KVOUPDPOFMEJPEPD1 JNJUBFMDPNQPSUBNJFOUPEF
DPONVUBDJÓOEFVOJOUFSSVQUPSFMFDUSÓOJDP
&OFMJOTUBOUFt = 0 + EFTQVÊTEFVOUJFNQPGJOJUP FOFMNPNFOUPFORVFFMSFMPKTF
QPOFFONBSDIBEFTQVÊTEFDFSP
FMJOUFSSVQUPSTFBDBCBEFDFSSBSZMBDPSSJFOUFBÙOFTUÃFO
DFSP4JOVOJOEVDUPS MBDPSSJFOUFTFFMFWBSÎBBMJOTUBOUFQFSPDPOFMJOEVDUPSMBDPSSJFOUFTF
FMFWBSÃ FYQPOFODJBMNFOUF DPO VOB QFOEJFOUF JOJDJBM EF Vs/L  DPNP MP EB MB FDVBDJÓO 

66 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

S1
D1

 t0 i  i1
R L L I1
 
Vs Vs Dm Vs Vs i2
 
L R R
if
 
Modo 1 Modo 2
(a) Diagrama del circuito (b) Circuitos equivalentes

I1 i

i1 i2

0 t
i1
I1 i2

t1 t2

0 t
(c) Formas de onda

FIGURA 2.24
$JSDVJUPDPOVOEJPEPEFDPOEVDDJÓOMJCSF

&MGVODJPOBNJFOUPEFMDJSDVJUPTFQVFEFEJWJEJSFOEPTNPEPT&MNPEPDPNJFO[BDVBOEPFM
JOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = ZFMNPEPFNQJF[BDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSF&O
MBGJHVSBCTFNVFTUSBOMPTDJSDVJUPTFRVJWBMFOUFTEFBNCPTNPEPT-BTWBSJBCMFTi1Fi2TF
EFGJOFODPNPMBTDPSSJFOUFTJOTUBOUÃOFBTFONPEPZNPEP SFTQFDUJWBNFOUFt1Zt2TPOMBT
EVSBDJPOFTDPSSFTQPOEJFOUFTEFFTUPTNPEPT

Modo 1. %VSBOUFFTUFNPEPMBDPSSJFOUFi1FOFMEJPEP MBDVBMFTTJNJMBSBMBEFMBFDVB-


DJÓO 
FT

i1 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2 
Vs


R
$VBOEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSFFOFMJOTUBOUFt = t1 BMGJOBMEFFTUFNPEP
MBDPSSJFOUFFO
FTFJOTUBOUFFT

I1 = i1 1 t = t 1 2 = 1 1 − e −tR/L 2 
Vs


R
4JFMUJFNQPt1FTMPCBTUBOUFMBSHP MBDPSSJFOUFQSÃDUJDBNFOUFBMDBO[BVOBDPSSJFOUFFO
FTUBEPFTUBCMFEF Is = Vs/RRVFGMVZFBUSBWÊTEFMBDBSHB

Modo 2. &TUFNPEPDPNJFO[BDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSFZMBDPSSJFOUFEFDBSHBFN-
QJF[BBGMVJSBUSBWÊTEFMEJPEPDmEFDPOEVDDJÓOMJCSF3FEFGJOJFOEPFMPSJHFOEFMUJFNQPBM
DPNJFO[PEFFTUFNPEP MBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFMEJPEPEFDPOEVDDJÓOMJCSFTFEFUFSNJOBDPO
2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 67

di2
0 =L + Ri2 

dt
DPOMBDPOEJDJÓOJOJDJBMi2(t = 0) = Is-BTPMVDJÓOEFMBFDVBDJÓO 
EBMBDPSSJFOUFEFDPO-
EVDDJÓOMJCSFif = i2DPNP

i2 1 t 2 = I1e −tR/L 

ZFOFMJOTUBOUFt = t2FTUBDPSSJFOUFEFDBFFYQPOFODJBMNFOUFBDBTJDFSPTJFNQSFRVFt2 >> L/R


-BTGPSNBTEFPOEBEFMBTDPSSJFOUFTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBD
Nota-BGJHVSBDNVFTUSBRVFFOMPTJOTUBOUFTt1Zt2 MBTDPSSJFOUFTIBOBMDBO[BEPMBT
DPOEJDJPOFTFTUBCMFT­TUPTTPOMPTDBTPTFYUSFNPT/PSNBMNFOUFVODJSDVJUPPQFSBFODPOEJ-
DJPOFTDFSP EFNPEPRVFMBDPSSJFOUFQFSNBOFDFDPOUJOVB

Ejemplo 2.8 Cómo determinar la energía almacenada en un inductor con un diodo


de conducción libre
&OMBGJHVSBBMBSFTJTUFODJBFTJOTJHOJGJDBOUF R =
FMWPMUBKFEFMBGVFOUFFTVs =7 DPOTUBOUF
EFUJFNQP
ZMBJOEVDUBODJBEFMBDBSHBFTL = 220 μ) B
5SBDFMBGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊT
EFMBDBSHBTJFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBEVSBOUFt1 = 100 μTZMVFHPTFBCSF C
%FUFSNJOFMBFOFSHÎBGJOBM
HVBSEBEBFOFMJOEVDUPSEFDBSHB

Solución
a. &MEJBHSBNBEFMDJSDVJUPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB DPOVOBDPSSJFOUFJOJDJBMDFSP$VBOEPTF
DJFSSBFMDJSDVJUPFOFMJOTUBOUFt =  MBDPSSJFOUFFOMBDBSHBTVCFMJOFBMNFOUFZTFFYQSFTBDPNP

i1 t 2 =
Vs
t
L

  ZDVBOEPt = t1, I0 = Vst1/L = 200 × 100/220 ="

Vs i
I0  t1
L

0 t
t1

S1 id
D1 I0

 t0 id
i 0 t
t1

Vs Vs Dm L if
 I0
if t1
 t
0
t1
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.25
$JSDVJUPEFEJPEPDPODBSHBL
68 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b. $VBOEPFMJOUFSSVQUPSS1TFBCSFFOFMJOTUBOUFt = t1 MBDPSSJFOUFEFDBSHBDPNJFO[BBGMVJSB


USBWÊTEFMEJPEPDm$PNPOPIBZOJOHÙOFMFNFOUPEJTJQBUJWP SFTJTUJWP
FOFMDJSDVJUP MBDP-
SSJFOUFEFDBSHBQFSNBOFDFDPOTUBOUFFOI0 ="ZMBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSFT
L0 =+-BGJHVSBCNVFTUSBMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUF

Puntos clave de la sección 2.15

 r 4JMBDBSHBFTJOEVDUJWB TFEFCFDPOFDUBSVOEJPEPBOUJQBSBMFMPDPOPDJEPDPNPEJPEPEF
DPOEVDDJÓOMJCSFBUSBWÊTEFMBDBSHBBGJOEFQSPQPSDJPOBSVOBUSBZFDUPSJBQBSBRVFGMVZB
MBDPSSJFOUFJOEVDUJWB%FMPDPOUSBSJP MBFOFSHÎBQVFEFRVFEBSBUSBQBEBFOVOBDBSHB
JOEVDUJWB

2.16 RECUPERACIÓN DE LA ENERGÍA ATRAPADA CON UN DIODO


&OFMDJSDVJUPJEFBM<>TJOQÊSEJEBTEFMBGJHVSBB MBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSTF
RVFEBBUSBQBEBBIÎQPSRVFOPIBZSFTJTUFODJBFOFMDJSDVJUP&OVODJSDVJUPQSÃDUJDPFTSFDP-
NFOEBCMFNFKPSBSMBeficienciaDPOFMSFHSFTPEFMBFOFSHÎBBMNBDFOBEBBMBGVFOUFEFBCBTUF-
DJNJFOUP&TUPTFQVFEFIBDFSBHSFHBOEPBMJOEVDUPSVOTFHVOEPEFWBOBEPZDPOFDUBOEPVO
EJPEPD1 DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB&MJOEVDUPSZFMEFWBOBEPTFDVOEBSJPTFDPNQPS-
UBODPNPVOUSBOTGPSNBEPS&MTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSTFDPOFDUBEFUBMNPEPRVFTJv1
FTQPTJUJWP v2TFBOFHBUJWPDPOSFTQFDUPBv1ZWJDFWFSTB&MEFWBOBEPTFDVOEBSJPRVFGBDJMJUBFM
SFHSFTPEFMBFOFSHÎBBMNBDFOBEBBMBGVFOUFBUSBWÊTEFMEJPEPD1TFDPOPDFDPNPdevanado de
retroalimentación4VQPOJFOEPVOUSBOTGPSNBEPSDPOJOEVDUBODJBNBHOFUJ[BDJÓOLN FMDJSDVJUP
FRVJWBMFOUFFTFMRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC
4JFMEJPEPZFMWPMUBKFTFDVOEBSJP WPMUBKFEFTVNJOJTUSP
TFSFGJFSFOBMMBEPQSJNBSJPEFM
USBOTGPSNBEPS FMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFFTDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBD-PTQBSÃNFUSPTi1
Fi2EFGJOFOMBTDPSSJFOUFTQSJNBSJBZTFDVOEBSJBEFMUSBOTGPSNBEPS SFTQFDUJWBNFOUF
-Brelación de vueltas EFVOUSBOTGPSNBEPSJEFBMTFEFGJOFDPNP

N2
a =  

N1

&MGVODJPOBNJFOUPEFMDJSDVJUPTFQVFEFEJWJEJSFOEPTNPEPT&MNPEPDPNJFO[BDVBOEPFM
JOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt =ZFMNPEPDPNJFO[BDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSF
-PTDJSDVJUPTFRVJWBMFOUFTEFMPTNPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSBB DPOt1Zt2MBTEVSBDJPOFT
EFMNPEPZFMNPEP SFTQFDUJWBNFOUF

Modo 1. %VSBOUFFTUFNPEPFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt =&MEJPEPD1


TFQPMBSJ[BBMBJOWFSTBZMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFÊM DPSSJFOUFTFDVOEBSJB
FTai2 =Pi2 =
$POMBMFZEFMWPMUBKFEF,JSDIIPGGFOMBGJHVSBBQBSBFMNPEP Vs = (vD − Vs)/a ZÊTUB
QSPQPSDJPOBFMWPMUBKFJOWFSTPFOFMEJPEPDPNP

vD = Vs 1 1 + a2  

4VQPOJFOEPRVFOPIBZDPSSJFOUFJOJDJBMFOFMDJSDVJUP MBDPSSJFOUFEFMQSJNBSJPFTMBNJTNBRVF
MBDPSSJFOUFFOFMJOUFSSVQUPSisZTFFYQSFTBDPNP

di1
Vs = Lm  

dt
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 69

 vD 

S1 D1 i2
N1 : N2
 t0 i1
 

Vs Vs v1 v2




N1 : N2

(a) Diagrama del circuito

S1 ai2 N1 : N2
 is t0 i2 
i1
 D1 vD

 
Vs Vs Lm v1 v2
 
Vs
N2  

a
 N1
Transformador
ideal
(b) Circuito equivalente

S1

 t0 is ai2 
i1 D1
 vD /a

 
Vs Vs en el modo 1 Lm en el modo 2
 
  N2 Vs /a
a 
 N1

(c) Circuito equivalente, referido al lado primario

FIGURA 2.26
$JSDVJUPDPOEJPEPEFSFDVQFSBDJÓOEFFOFSHÎB<3FG 4%FXBO>

MBDVBMEB

i1 1 t2 = is 1 t2 =
Vs
t para 0 ≤ t ≤ t 1  

Lm

&TUFNPEPFTWÃMJEPQBSB≤ t ≤ t1ZUFSNJOBDVBOEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSFFOFMJOTUBOUFt = t1


"MGJOBMEFFTUFNPEPMBDPSSJFOUFEFMQSJNBSJPFT

Vs
I0 = t 

Lm 1
70 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

ai2  0

 is   ai2
D1 D1 vD  0
 vD /a
v1 Lm Lm 
Vs Vs    Vs
 Vs /a

i1
i1  a
 
Modo 1 Modo 2
(a) Circuito equivalente

Vs i1
I0  t1
Lm
t2
0 t
t1 (t1  t2)
ai2
Vs
t1
Lm
t1
0 t
Vs is
t1
Lm

0 t

v1
Vs

0 t
Vs /a

v2
aVs

0 t

Vs
vD
Vs(1  a)

aVs

Vs
Vs
0 t
(b) Formas de onda

FIGURA 2.27
$JSDVJUPTFRVJWBMFOUFTZGPSNBTEFPOEB
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 71

Modo 2. %VSBOUFFTUFNPEPFMJOUFSSVQUPSTFBCSF FMWPMUBKFBUSBWÊTEFMJOEVDUPSTF


JOWJFSUFZFMEJPEPD1TFQPMBSJ[BFOTFOUJEPEJSFDUP6OBDPSSJFOUFGMVZFBUSBWÊTEFMTFDVOEBSJP
EFMUSBOTGPSNBEPSZMBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSTFSFHSFTBBMBGVFOUF"MBQMJDBSMBMFZ
EFMWPMUBKFEF,JSDIIPGGZSFEFGJOJSFMPSJHFOEFMUJFNQPBMJOJDJPEFFTUFNPEP MBDPSSJFOUFEFM
QSJNBSJPTFEFGJOFDPNP

di1 Vs
Lm + = 0 

dt a
DPOMBDPOEJDJÓOJOJDJBMi1(t = 0) = I0 QPEFNPTEFUFSNJOBSMBDPSSJFOUFDPNP

i1 1 t2 = −
Vs
t + I0 con 0 ≤ t ≤ t 2 

aLm

&MUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEPD1TFEFUFSNJOBBQBSUJSEFMBDPOEJDJÓOt1(t = t2) =EFMB


FDVBDJÓO 
ZFT
aLmI0
t2 = = at 1 

Vs

&MNPEPFTWÃMJEPDPO≤ t ≤ t2"MGJOBMEFFTUFNPEPDPOt = t2UPEBMBFOFSHÎBBMNBDFOBEB


FOFMJOEVDUPSLmTFSFHSFTBBMBGVFOUF&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBOMBTEJWFSTBTGPSNBTEF
POEBEFMBTDPSSJFOUFTZEFMWPMUBKFDPOa =

Ejemplo 2.9 Cómo determinar la energía a recuperar en un inductor con un diodo de


retroalimentación
&OFMDJSDVJUPEFSFDVQFSBDJÓOEFFOFSHÎBEFMBGJHVSBB MBJOEVDUBODJBEFNBHOFUJ[BDJÓOEFMUSBOT-
GPSNBEPSFTLm = 250 μH, N1 =ZN2 =-BTJOEVDUBODJBTZSFTJTUFODJBTEFiGVHBuEFMUSBOTGPS-
NBEPSTPOJOTJHOJGJDBOUFT&MWPMUBKFEFGVFOUFFTVs =7ZOPIBZDPSSJFOUFJOJDJBMFOFMDJSDVJUP4J
FMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBEVSBOUFVOUJFNQPt1 = 50 μTZMVFHPTFBCSF B
EFUFSNJOFFMWPMUBKFJOWFSTP
EFMEJPEPD1 C
DBMDVMFFMWBMPSQJDPEFMBDPSSJFOUFEFMQSJNBSJP D
DBMDVMFFMWBMPSQJDPEFMBDP-
SSJFOUFEFMTFDVOEBSJP E
EFUFSNJOFFMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEPD1 Z F
EFUFSNJOFMBFOFSHÎB
BMJNFOUBEBQPSMBGVFOUF

Solución
-BSFMBDJÓOEFWVFMUBTFTa = N2/N1 = 100/10 =
a. $POMBFDVBDJÓO 
FMWPMUBKFJOWFSTPEFMEJPEPFT

vD = Vs 1 1 + a2 = 220 × 1 1 + 102 = 2420 V

b. $POMBFDVBDJÓO 


FMWBMPSQJDPEFMBDPSSJFOUFEFMQSJNBSJPFT

Vs 50
I0 = t = 220 × = 44 A
Lm 1 250

c. &MWBMPSQJDPEFMBDPSSJFOUFEFMTFDVOEBSJPFTI 0′ = I0/a = 44/10 = 4.4 A.


d. $POMBFDVBDJÓO 
FMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEPFT

aLmI0 10
t2 = = 250 × 44 × = 500 μs
Vs 220
72 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

e. -BFOFSHÎBEFMBGVFOUFFT 
t1 t1
Vs 1 V 2s 2
W = vi dt = Vs t dt = t
L0 L0 Lm 2 Lm 1

  6UJMJ[BOEPI0PCUFOJEBEFMBFDVBDJÓO 
UFOFNPT

W = 0.5LmI 20 = 0.5 × 250 × 10−6 × 442 = 0.242 J = 242 mJ

Puntos clave de la sección 2.16


 r -BFOFSHÎBBUSBQBEBEFVOBDBSHBJOEVDUJWBTFQVFEFSFUSPBMJNFOUBSBMBGVFOUFEFFO-
USBEBBUSBWÊTEFVOEJPEPDPOPDJEPDPNPEJPEPEFSFUSPBMJNFOUBDJÓO

RESUMEN
-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFMPTEJPEPTQSÃDUJDPTEJGJFSFOEFMBTEFMPTEJPEPTJEFBMFT&MUJFNQPEF
SFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFTFNQFÒBVOQBQFMJNQPSUBOUF TPCSFUPEPFOBQMJDBDJPOFTEFDPONVUB-
DJÓOEFBMUBWFMPDJEBE-PTEJPEPTTFQVFEFODMBTJGJDBSFOUSFTUJQPT 
EJPEPTEFVTPHFOFSBM

EJPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEB Z 
EJPEPT4DIPUULZ"VORVFVOEJPEP4DIPUULZTFDPN-
QPSUBDPNPVOEJPEPEFVOJÓOpn OPIBZVOJÓOGÎTJDBQPSDPOTJHVJFOUF VOEJPEP4DIPUULZFT
VOEJTQPTJUJWPQPSUBEPSNBZPSJUBSJP1PSPUSBQBSUF VOEJPEPEFVOJÓOpnFTVOEJPEPQPSUBEPS
UBOUPNBZPSJUBSJPDPNPNJOPSJUBSJP
4JMPTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFQBSBJODSFNFOUBSMBDBQBDJEBEEFCMPRVFPEFWPMUBKF 
TF SFRVJFSFO SFEFT RVF DPNQBSUBO WPMUBKF FO DPOEJDJPOFT FTUBCMFT Z USBOTJUPSJBT $VBOEP MPT
EJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPQBSBJODSFNFOUBSMBDBQBDJEBEEFDPOEVDJSDPSSJFOUF UBNCJÊOTF
SFRVJFSFOFMFNFOUPTRVFDPNQBSUBODPSSJFOUF
&OFTUFDBQÎUVMPIFNPTWJTUPMBTBQMJDBDJPOFTEFEJPEPTEFQPUFODJBFOMBJOWFSTJÓOEFWPM-
UBKFEFVODBQBDJUPS FOMBDBSHBEFVODBQBDJUPSBVOWPMUBKFNBZPSRVFFMEFFOUSBEBEFDE FO
MBBDDJÓOEFDPOEVDDJÓOMJCSFZFOMBSFDVQFSBDJÓOEFFOFSHÎBEFVOBDBSHBJOEVDUJWB
-BFOFSHÎBTFQVFEFUSBOTGFSJSEFVOBGVFOUFEFDEBDBQBDJUPSFTFJOEVDUPSFTDPOVOJOUF-
SSVQUPSVOJEJSFDDJPOBM6OJOEVDUPSUSBUBEFNBOUFOFSDPOTUBOUFTVDPSSJFOUFBMQFSNJUJSRVFFM
WPMUBKFBUSBWÊTEFÊMDBNCJF FOUBOUPRVFVODBQBDJUPSUSBUBEFNBOUFOFSDPOTUBOUFTVWPMUBKF
BMQFSNJUJSRVFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFÊMDBNCJF

REFERENCIAS
[1] 3BTIJE .) 
Microelectronic Circuits: Analysis and Design#PTUPO$FOHBHF1VCMJTIJOH
$BQÎUVMP
[2] (SBZ 13 Z3(.FZFS 
Analysis and Design of Analog Integrated Circuits /VFWB:PSL
+PIO8JMFZ4POT$BQÎUVMP
[3] *OGJOFPO5FDIOPMPHJFTPower Semiconductors. 
"MFNBOJB 4JFNFOTXXXJOGJOFPODPN
[4] 3BTIJE  .) 
 SPICE for Circuits and Electronics Using Pspice &OHMFXPPE $MJGGT  /+
1SFOUJDF)BMM*OD
[5] 3BTIJE .) 
SPICE for Power Electronics and Electric Power #PDB3BUPO '-5BZMPS
'SBODJT
[6] 5VJOFOHB 18 
SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using Pspice&OHMFXPPET
$MJGGT1SFOUJDF)BMM
[7] %FXBO  4#  Z " 4USBVHIFO 
 Power Semiconductor Circuits /VFWB :PSL +PIO 8JMFZ 
4POT$BQÎUVMP
Problemas 73

[8] ,SJIFMZ  /  Z #FO:BBLPW 


 i4JNVMBUJPO #JUT "EEJOH UIF 3FWFSTF 3FDPWFSZ 'FBUVSF UP B
(FOFSJD%JPEFuIEEE Power Electronics Society Newsletter. 4FHVOEPUSJNFTUSF 

[9] 0[QJOFDJ # Z-5PMCFSU 
i4JMJDPO$BSCJEF4NBMMFS 'BTUFS 5PVHIFSuIEEE Spectrum PDUVCSF

PREGUNTAS DE REPASO
2.1 y$VÃMFTTPOMPTUJQPTEFEJPEPTEFQPUFODJB 
2.2. y2VÊFTVOBDPSSJFOUFEFGVHBEFEJPEPT 
2.3 y2VÊFTVOUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFEJPEPT
2.4 y2VÊFTVOBDPSSJFOUFEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFEJPEPT 
2.5 y2VÊFTVOGBDUPSEFTVBWJEBEEFEJPEPT 
2.6 y$VÃMFTTPOMPTUJQPTEFSFDVQFSBDJÓOEFEJPEPT 
2.7 y$VÃMFTTPOMBTDPOEJDJPOFTQBSBRVFTFJOJDJFVOQSPDFTPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB 
2.8 y&ORVÊUJFNQPFOFMQSPDFTPEFSFDVQFSBDJÓOFMWPMUBKFJOWFSTPEFEJPEPBMDBO[BTVWBMPSQJDP 
2.9 y$VÃMFTMBDBVTBEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBFOVOEJPEPEFVOJÓOpn 
2.10 y$VÃMFTFMFGFDUPEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB
2.11 y1PSRVÊFTOFDFTBSJPVUJMJ[BSEJPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEBQBSBDPONVUBDJÓOEFBMUBWFMPDJEBE 
2.12 y2VÊFTVOUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOEJSFDUB 
2.13 y$VÃMFTTPOMBTQSJODJQBMFTEJGFSFODJBTFOUSFEJPEPTEFVOJÓOpnZEJPEPT4DIPUULZ 
2.14 y$VÃMFTTPOMBTMJNJUBDJPOFTEFMPTEJPEPT4DIPUULZ 
2.15 y2VÊFTFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBUÎQJDPEFEJPEPTEFVTPHFOFSBM 
2.16 y2VÊFTFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBUÎQJDPEFEJPEPTEFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEB 
2.17 y$VÃMFTTPOMPTQSPCMFNBTEFEJPEPTDPOFDUBEPTFOTFSJF ZDVÃMFTTPOMBTQPTJCMFTTPMVDJPOFT 
2.18 y$VÃMFTTPOMPTQSPCMFNBTEFEJPEPTDPOFDUBEPTFOQBSBMFMP ZDVÃMFTTPOMBTQPTJCMFTTPMVDJPOFT 
2.19 4JEPTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFDPOWPMUBKFTJHVBMFTDPNQBSUJEPT yQPSRVÊEJGJFSFOMBTDPSSJFOUFT
EFGVHBEFMPTEJPEPT 
2.20 y2VÊFTMBDPOTUBOUFEFUJFNQPEFVODJSDVJUPRL 
2.21 y2VÊFTMBDPOUBOUFEFUJFNQPEFVODJSDVJUPRC 
2.22 y2VÊFTMBGSFDVFODJBSFTPOBOUFEFVODJSDVJUPLC 
2.23 y2VÊFTGBDUPSEFBNPSUJHVBNJFOUPEFVODJSDVJUPRLC 
2.24 y$VÃMFTMBEJGFSFODJBFOUSFMBGSFDVFODJBSFTPOBOUFZMBGSFDVFODJBEFSFQJRVFPGSFDVFODJBSFTP-
OBOUFBNPSUJHVBEBEFVODJSDVJUPRLC
2.25 y2VÊFTVOEJPEPEFDPOEVDDJÓOMJCSF ZDVÃMFTTVQSPQÓTJUP 
2.26 y2VÊFTMBFOFSHÎBBUSBQBEBEFVOJOEVDUPS 
2.27 y$ÓNPTFSFDVQFSBMBFOFSHÎBBUSBQBEBDPOVOEJPEP 
2.28 y$VÃMTFSÃFMFGFDUPEFUFOFSVOJOEVDUPSHSBOEFFOVODJSDVJUPRL 
2.29 y$VÃMTFSÃFMFGFDUPEFUFOFSVOBSFTJTUFODJBNVZQFRVFÒBFOVODJSDVJUPRLC 
2.30 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOUSFVODBQBDJUPSZVOJOEVDUPSDPNPFMFNFOUPTEFBMNBDFOBNJFOUPEF
FOFSHÎB 

PROBLEMAS
2.1  &MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFVOEJPEPFTtrr = 5 μTZMBWFMPDJEBEEFDBÎEBEFMBDPSSJFOUF
EFMEJPEPFTdi/dt ="μT4JFMGBDUPSEFTVBWJEBEFT4'= EFUFSNJOF(a)MBDBSHBBMNBDFOBEB
QRRZ(b)MBDPSSJFOUFJOWFSTBQJDPIRR
2.2  &MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFVOEJPEPFTtrr = 5 μTZMBWFMPDJEBEEFDBÎEBEFMBDPSSJFOUF
EFMEJPEPFTdi/dt ="μT4JFMGBDUPSEFTVBWJEBEFT4'= EFUFSNJOF(a)MBDBSHBBMNBDF-
OBEBQRRZ(b)MBDPSSJFOUFJOWFSTBQJDPIRR
74 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.3 &MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBEFVOEJPEPFTtrr = 5 μTZFMGBDUPSEFTVBWJEBEFTSF =


5SBDF(a)MBDBSHBBMNBDFOBEBQRRZ(b)MBDPSSJFOUFJOWFSTBQJDPIRRDPOUSBMBWFMPDJEBEEFDBÎEB
EFMBDPSSJFOUFEFEJPEPEF"μTBL"μTDPOVOJODSFNFOUPEF"μT
2.4 -PTWBMPSFTNFEJEPTEFVOEJPEPBVOBUFNQFSBUVSBEFP$TPO

VD =7DPOID ="
=7DPOID ="

  %FUFSNJOF(a)FMDPFGJDJFOUFEFFNJTJÓOn Z(b)MBDPSSJFOUFEFGVHBIs
2.5  -PTWBMPSFTNFEJEPTEFVOEJPEPBVOBUFNQFSBUVSBEFP$TPO

VD =7DPOID ="
VD =7DPOID ="

  %FUFSNJOF(a)FMDPFGJDJFOUFEFFNJTJÓOn,Z(b)MBDPSSJFOUFEFGVHBIS
2.6 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBZFMWPMUBKFBUSBWÊTEFDBEBVOP
TFNBOUJFOFJHVBMBMDPOFDUBSVOSFTJTUPSRVFDPNQBSUFFMWPMUBKF EFUBMNPEPRVFVD1 = VD2 =
7ZR1 =LΩ-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMPTEJPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1%FUFSNJOF
MBTDPSSJFOUFTEFGVHBEFDBEBEJPEPZMBSFTJTUFODJBR2BUSBWÊTEFMEJPEPD2

i
150

100

50
2200 2000 1600 1200 800 400 200
v
0.5 1.0 2 3
5 mA

10 mA

15 mA

20 mA

25 mA

30 mA

FIGURA P2.6

2.7  %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBZFMWPMUBKFBUSBWÊTEFDBEBVOP
TFNBOUJFOFJHVBMDPOFDUBOEPSFTJTUPSFTRVFDPNQBSUFOFMWPMUBKF EFUBMNPEPRVFVD1 = VD2 =
L7ZR1 =LΩ-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMPTEJPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1%FUFSNJOF
MBTDPSSJFOUFTEFGVHBEFDBEBEJPEPZMBSFTJTUFODJBR2BUSBWÊTEFMEJPEPD2
2.8 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPZMBDBÎEBEFWPMUBKFEJSFDUPBUSBWÊTEFDBEBEJPEPFTEF7
-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMPTEJPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1%FUFSNJOFMBTDPSSJFOUFTFOTFO-
UJEPEJSFDUPBUSBWÊTEFDBEBEJPEP
Problemas 75

2.9  %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPZMBDBÎEBEFWPMUBKFEJSFDUPBUSBWÊTEFDBEBVOPFTEF7-BT
DBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMPTEJPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1%FUFSNJOFMBTDPSSJFOUFTFOTFOUJEP
EJSFDUPBUSBWÊTEFDBEBEJPEP
2.10 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB DPOSFTJTUPSFTRVFDPNQBS-
UFODPSSJFOUF-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iEFMPTEJPEPTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1-BDPSSJFOUFUPUBM
FTIT ="&MWPMUBKFBUSBWÊTEFVOEJPEPZTVSFTJTUFODJBFTv =7%FUFSNJOFMPTWBMPSFTEF
MBTSFTJTUFODJBTR1ZR2TJMPTEJPEPTDPNQBSUFOMBDPSSJFOUFQPSJHVBM
2.11 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOQBSBMFMPDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBDPOSFTJTUPSFTRVFDPNQBS-
UFODPSSJFOUF-BTDBSBDUFSÎTUJDBTv-iTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1-BDPSSJFOUFUPUBMFTIT ="
&MWPMUBKFBUSBWÊTEFVOEJPEPZTVSFTJTUFODJBFTvD =7%FUFSNJOFMPTWBMPSFTEFMBTSFTJTUFO-
DJBTR1ZR2TJMPTEJPEPTDPNQBSUFOQPSJHVBMMBDPSSJFOUFUPUBM
2.12 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB-BSFTJTUFODJBBUSBWÊTEFMPT
EJPEPTFTR1 = R2 =LΩ&MWPMUBKFEFFOUSBEBEFDEFTL7-BTDPSSJFOUFTEFGVHBTPOIS1 =
N"FIS2 =N"%FUFSNJOFFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMPTEJPEPT
2.13 %PTEJPEPTTFDPOFDUBOFOTFSJFDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB-BTSFTJTUFODJBTBUSBWÊTEFMPT
EJPEPTTPOR1 = R2 =LΩ&MWPMUBKFEFFOUSBEBEFDEFTL7-BTDPSSJFOUFTEFGVHBTPOIS1 =
N"FIS2 =N"%FUFSNJOFFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMPTEJPEPT
2.14 -BTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFEFVODBQBDJUPSTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB1%FUFSNJOFMBT
DBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFQSPNFEJP NFEJBDVBESÃUJDB SNT
ZQJDPEFMDBQBDJUPS4VQPOHBIp =
"EFTFNJPOEBTFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 250 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs
⫺200

FIGURA P2.14

2.15 -BGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFEFVOEJPEPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB1%FUFSNJOFMBTDBQBDJ-
EBEFTEFDPSSJFOUF QSPNFEJP NFEJBDVBESÃUJDB SNT
ZQJDPEFMEJPEP4VQPOHBIP ="EFVOB
TFNJPOEBTFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 500 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.15

2.16 -BGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJPEPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB14JMBDPSSJFOUF
SNTFTI3.4 =" EFUFSNJOFMBDPSSJFOUFQJDPIFZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPIPROMEFMEJPEP
2.17 -BGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJPEPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB14JMBDPSSJFOUF
QSPNFEJPFTI130. =" EFUFSNJOFMBDPSSJFOUFQJDPIpZMBDPSSJFOUFSNTI3.4EFMEJPEP
2.18 &OMBGJHVSB1TFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFRVFGMVZFBUSBWÊTEFVOEJPEP
%FUFSNJOFMBTDBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFQSPNFEJP SNT ZQJDPEFMEJPEP4VQPOHBIp ="DPO
VOBTFNJPOEBTFOPJEBMEF" QJDP

76 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i, A
Ip t1 ⫽ 100 ␮s, t2 ⫽ 200 ␮s,
t3 ⫽ 400 ␮s, t4 ⫽ 800 ␮s, t5 ⫽ 1 ms
fs ⫽ 250 Hz
150
100

0 t
t1 t2 t3 t4 t5 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.18

2.19 &OMBGJHVSB1TFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFRVFGMVZFBUSBWÊTEFVOEJPEP
%FUFSNJOFMBTDBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFQSPNFEJP SNT ZQJDPEFMEJPEP4VQPOHBIp ="TJO
VOBTFNJPOEBTFOPJEBM
2.20 EOMBGJHVSB1TFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFRVFGMVZFBUSBWÊTEFVOEJPEP4J
MBDPSSJFOUFSNTFTI3.4 =" EFUFSNJOFMBDPSSJFOUFQJDPIPZMBDPSSJFOUFQSPNFEJPI130.EFM
EJPEP
2.21 &OMBGJHVSB1TFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFRVFGMVZFBUSBWÊTEFVOEJPEP4J
MBDPSSJFOUFSNTFTI130. =" EFUFSNJOFMBDPSSJFOUFQJDPIPZMBDPSSJFOUFSNTI3.4EFMEJPEP
2.22 &MDJSDVJUPEFEJPEPRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBUJFOFVS = 220 V, R =ΩZ$= 10 μ'&M
DBQBDJUPSUJFOFVOWPMUBKFJOJDJBMEFV$0 (t = 0) =4JFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = 0,
EFUFSNJOF B
MBDPSSJFOUFQJDPEFMEJPEP C
MBFOFSHÎBEJTJQBEBFOFMSFTJTUPSR,Z D
FMWPMUBKFEFM
DBQBDJUPSFOFMJOTUBOUFt = 2 μT
2.23 &OMBGJHVSB1TFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOR = 22 ΩZC = 10 μ'4JFMJOUFSSVQUPSS1TF
DJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOFMBFYQSFTJÓOQBSBFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMDBQBDJUPSZMBFOFSHÎB
QFSEJEBFOFMDJSDVJUP

C R
⫹ ⫺
i Vc 0 ⫽ 220
S1 D1
FIGURA P2.23

2.24 &MDJSDVJUPRL EFEJPEPRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBUJFOFVS = 110 V, R =Ω ZL =N)


&MJOEVDUPSOPUJFOFDPSSJFOUFJOJDJBM4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B
MB
DPSSJFOUFFTUBCMFEFMEJPEP C
MBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSL,Z D
MBdi/dtJOJDJBM
2.25 &MDJSDVJUPRL EFEJPEPRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBUJFOFVS = 220 V, R =Ω ZL =N)
&MJOEVDUPSOPUJFOFDPSSJFOUFJOJDJBM4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B
MB
DPSSJFOUFFTUBCMFEFMEJPEP C
MBFOFSHÎBBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSL,Z D
MBdi/dtJOJDJBM
2.26 &OMBGJHVSBTFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPDPOR = 10 Ω, L =N) ZVs =74JVOBDP-
SSJFOUFEFDBSHBEF"GMVZFBUSBWÊTEFMEJPEPDmEFDPOEVDDJÓOMJCSFZFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSB
FOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOFMBFYQSFTJÓOQBSBMBDPSSJFOUFiRVFGMVZFBUSBWÊTEFMJOUFSSVQUPS

S1

⫹ t⫽0 i
R
Dm
Vs

L 10 A

FIGURA P2.26
Problemas 77

2.27 4JFMJOEVDUPSEFMDJSDVJUPRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBUJFOFVOBDPSSJFOUFJOJDJBMEFI0 EFUFSNJOF


MBFYQSFTJÓOQBSBFMWPMUBKFBUSBWÊTEFMDBQBDJUPS
2.28  4J FM JOUFSSVQUPS S1 EF MB GJHVSB 1 TF DJFSSB FO FM JOTUBOUF t =   EFUFSNJOF MB FYQSFTJÓO QBSB
(a)MBDPSSJFOUFi(t
RVFGMVZFBUSBWÊTEFMJOUFSSVQUPS Z(b)MBWFMPDJEBEEFTVCJEBdi/dtEFMBDP-
SSJFOUF(c)5SBDFMBTDVSWBTEFi(t
Zdi/dt(d)y$VÃMFTFMWBMPSEFMBWFMPDJEBEdi/dtJOJDJBM 1BSBMB
GJHVSB1F EFUFSNJOFÙOJDBNFOUFMBWFMPDJEBEdi/dtJOJDJBM

S1 S1 S1
R R

⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i


⫹ ⫹ ⫹

Vs Vs Vs Vs Vs Vs L
L ⫺ C V0 ⫺


⫺ ⫺ ⫺

(a) (b) (c)


S1 S1
L1

⫹ i t⫽0 D1 ⫹ t⫽0 20 ␮H
H ⫽ 0.5 ⍀
⫹ L ⫹
Vs Vs Vs Vs
⫺ ⫺ 10 ␮F C

C V0 L2 ⫽ 10 ␮H
⫺ ⫺ ⫺

(d) (e)

FIGURA P2.28

2.29  &MDJSDVJUPEFEJPEPDPOVOBDBSHBLCRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBUJFOFVOWPMUBKFJOJDJBMVC
(t = 0) = FOFMDBQBDJUPS WPMUBKFEFBMJNFOUBDJÓOEFDEVS =7 DBQBDJUBODJBC = 10 μ'FJO-
EVDUBODJBL = 50 μ)4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF B
MBDPSSJFOUFQJDP
BUSBWÊTEFMEJPEP C
FMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEP Z D
FMWPMUBKFFTUBCMFGJOBMFOFMDBQBDJUPS
2.30 &MDJSDVJUPEFTFHVOEPHSBEPEFMBGJHVSBUJFOFVOWPMUBKFEFGVFOUFVs =7 JOEVDUBODJB
L =N) DBQBDJUBODJBC = 10 μ' ZSFTJTUFODJBR = 22 Ω&MWPMUBKFJOJDJBMEFMDBQBDJUPSFTVc0 =
74JFMJOUFSSVQUPSTFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF(a)VOBFYQSFTJÓOQBSBMBDPSSJFOUF Z
(b)FMUJFNQPEFDPOEVDDJÓOEFMEJPEP(c)5SBDFVOBDVSWBEFi(t

2.31 3FQJUBFMFKFNQMPTJL = 4 μ)
2.32 3FQJUBFMFKFNQMPTJC =μ'
2.33 3FQJUBFMFKFNQMPTJR = 16 Ω
2.34 &OMBGJHVSBBMBSFTJTUFODJBFTJOTJHOJGJDBOUF R =
FMWPMUBKFEFGVFOUFFTVS =7 DPOT-
UBOUFEFUJFNQP
ZMBJOEVDUBODJBEFMBDBSHBFTL =N) B
5SBDFMBGPSNBEFPOEBEFMBDP-
SSJFOUFTJFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBEVSBOUFFMJOTUBOUFt1 = 100 μTZMVFHPTFBCSF C
%FUFSNJOFMB
FOFSHÎBGJOBMBMNBDFOBEBFOFMJOEVDUPSEFMBDBSHBL
2.35 &OFMDJSDVJUPEFSFDVQFSBDJÓOEFFOFSHÎBEFMBGJHVSBB MBJOEVDUBODJBNBHOFUJ[BOUFEFMUSBOT-
GPSNBEPSFTLm = 150 μH, N1 = ZN2 =-BTJOEVDUBODJBTZSFTJTUFODJBTEFGVHBEFMUSBOTGPS-
NBEPSTPOJOTJHOJGJDBOUFT&MWPMUBKFEFGVFOUFFTVs =7ZOPIBZDPSSJFOUFJOJDJBMFOFMDJSDVJUP
4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBEVSBOUFFMJOTUBOUFt1 = 100 μTZMVFHPTFBCSF EFUFSNJOF(a)FMWPMUBKF
JOWFSTPEFMEJPEPD1(b)DBMDVMFMBDPSSJFOUFQJDPEFMQSJNBSJP(c)DBMDVMFMBDPSSJFOUFQJDPFOFM
TFDVOEBSJP(d)EFUFSNJOFFMUJFNQPEVSBOUFFMDVBMFMEJPEPD1DPOEVDF Z(e)EFUFSNJOFMBFOFSHÎB
TVNJOJTUSBEBQPSMBGVFOUF
2.36 3FQJUBFMFKFNQMPTJL = 450 μ)
78 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.37 3FQJUBFMFKFNQMPTJN1 =ZN2 =


2.38 3FQJUBFMFKFNQMPTJN1 =ZN2 =
2.39 &OMBGJHVSB1TFNVFTUSBVODJSDVJUPEFEJPEPEPOEFMBDPSSJFOUFEFDBSHBGMVZFQPSMBDBSHB
BUSBWÊTEFMEJPEPDm4JFMJOUFSSVQUPSS1TFDJFSSBFOFMJOTUBOUFt = EFUFSNJOF(a)FYQSFTJPOFT
QBSBvc(t), ic(t
Fid(t
(b)FMUJFNQPt1DVBOEPFMEJPEPEFKBEFDPOEVDJS(c)FMUJFNQPtqDVBOEPFM
WPMUBKFBUSBWÊTEFMDBQBDJUPSTFWVFMWFDFSP Z(d)FMUJFNQPSFRVFSJEPQBSBSFDBSHBSFMWPMUBKFEF
TVNJOJTUSPVs

L D1

S1 vc id
⫹ ⫺ ia
⫹ ⫺ ⫹ ic
t⫽0 Vs
Ia
Vs Dm

FIGURA P2.39
C A P Í T U L O 3

Diodos rectificadores

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
r &OVNFSBSMPTUJQPTEFEJPEPTSFDUJGJDBEPSFT BTÎDPNPTVTWFOUBKBTZEFTWFOUBKBT
 r &YQMJDBSFMGVODJPOBNJFOUPZDBSBDUFSÎTUJDBTEFMPTEJPEPTSFDUJGJDBEPSFT
 r &OVNFSBSZDBMDVMBSMPTQBSÃNFUSPTEFEFTFNQFÒPEFMPTEJPEPTSFDUJGJDBEPSFT
 r "OBMJ[BSZEJTFÒBSDJSDVJUPTEFEJPEPTSFDUJGJDBEPSFT
 r &WBMVBSFMEFTFNQFÒPEFEJPEPTSFDUJGJDBEPSFTNFEJBOUFTJNVMBDJPOFT41*$&
 r %FUFSNJOBSMPTFGFDUPTEFMBJOEVDUBODJBEFDBSHBFOMBDPSSJFOUFRVFDJSDVMBBUSBWÊTEFMBDBSHB
 r %FUFSNJOBSMPTDPNQPOFOUFTEF'PVSJFSEFMBTTBMJEBTEFMSFDUJGJDBEPS
 r %JTFÒBSGJMUSPTEFTBMJEBQBSBEJPEPTSFDUJGJDBEPSFT
 r %FUFSNJOBSMPTFGFDUPTEFMBTJOEVDUBODJBTEFGVFOUFFOFMWPMUBKFEFTBMJEBEFMSFDUJGJDBEPS

Símbolos y sus significados


Símbolos Significado
ID(prom); ID(rms) $PSSJFOUFTQSPNFEJPZSNTEFEJPEP SFTQFDUJWBNFOUF

Io(prom); Io(rms) $PSSJFOUFTQSPNFEJPZSNTEFTBMJEB SFTQFDUJWBNFOUF

Ip; Is $PSSJFOUFTSNTFOFMQSJNBSJPZTFDVOEBSJPEFVOUSBOTGPSNBEPSEFFOUSBEB 
SFTQFDUJWBNFOUF
Pcd; Pca 1PUFODJBTEFTBMJEBEFDEZDB SFTQFDUJWBNFOUF

RF; TUF; PF 'BDUPSEFSJ[PEFTBMJEB GBDUPSEFVUJMJ[BDJÓOEFMUSBOTGPSNBEPS ZGBDUPS


EFQPUFODJB SFTQFDUJWBNFOUF
vD(t); iD(t) 7PMUBKFZDPSSJFOUFEFEJPEPJOTUBOUÃOFPT SFTQFDUJWBNFOUF

vs(t); vo(t); vr(t) 7PMUBKFTEFBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEB TBMJEB ZSJ[P SFTQFDUJWBNFOUF

Vm; Vo(prom); Vo(rms) 7PMUBKFTEFTBMJEBQJDP QSPNFEJP ZSNT SFTQFDUJWBNFOUF

Vr(pp); Vr(p); Vr(rms) 7PMUBKFTEFTBMJEBQJDPBQJDP QJDP ZSNT SFTQFUJWBNFOUF

n; Vp; Vs 3FMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS WPMUBKFSNTFOFMQSJNBSJP ZWPMUBKF


FOFMTFDVOEBSJP SFTQFDUJWBNFOUF

79
80 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3.1 INTRODUCCIÓN
-PTEJPEPTUJFOFOVOBNQMJPVTPFOSFDUJGJDBEPSFT6OrectificadorFTVODJSDVJUPRVFDPOWJFSUF
VOBTFÒBMEFDBFOVOBTFÒBMVOJEJSFDDJPOBM6OSFDUJGJDBEPSFTVOUJQPEFDPOWFSUJEPSEFDBB
DE6OSFDUJGJDBEPSUBNCJÊOQVFEFDPOTJEFSBSTFDPNPVODPOWFSUJEPSEFWBMPSBCTPMVUP4JvsFT
VOWPMUBKFEFFOUSBEBEFDB MBGPSNBEFPOEBEFMWPMUBKFEFTBMJEBvoUFOESÎBMBNJTNBGPSNB 
QFSPMBQBSUFOFHBUJWBBQBSFDFSÃDPNPVOWBMPSQPTJUJWP&TEFDJS vo=vT%FQFOEJFOEPEFM
UJQPEFBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEB MPTSFDUJGJDBEPSFTTFDMBTJGJDBOFOEPTUJQPT 
NPOPGÃTJDPT
Z 
USJGÃTJDPT6OSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPQVFEFTFSEFNFEJBPOEBPEFPOEBDPNQMFUB6O
SFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFNFEJBPOEBFTFMUJQPNÃTTFODJMMP QFSPOPTFTVFMFVUJMJ[BSFOBQMJ-
DBDJPOFTJOEVTUSJBMFT&OGVODJÓOEFTVTFODJMMF[MPTEJPEPTTFDPOTJEFSBOJEFBMFT1PSiJEFBMu
RVFSFNPTEFDJSRVFFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBtrrZMBDBÎEBEFWPMUBKFFOTFOUJEPEJSFDUP
VDTPOJOTJHOJGJDBOUFT&TEFDJS trr=ZVD=

3.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO


"VORVFFMWPMUBKFEFTBMJEBEFMSFDUJGJDBEPSRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBEFCJFSBTFSJEFBM-
NFOUFVOBDEQVSB MBTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPSQSÃDUJDPDPOUJFOFBSNÓOJDPTPSJ[PT DPNPTF
NVFTUSBFOMBGJHVSBC6OSFDUJGJDBEPSFTVOQSPDFTBEPSEFQPUFODJBRVFEFCFQSPEVDJSVO
WPMUBKFEFTBMJEBEFDEDPOVOBDBOUJEBENÎOJNBEFDPOUFOJEPEFBSNÓOJDPT"MNJTNPUJFNQP 
EFCFNBOUFOFSMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBMPNÃTTFOPJEBMQPTJCMFZFOGBTFDPOFMWPMUBKFEFFO-
USBEB EFNPEPRVFFMGBDUPSEFQPUFODJBTFBDBTJMBVOJEBE-BDBMJEBEEFQSPDFTBNJFOUPEF
MBQPUFODJBEFVOSFDUJGJDBEPSSFRVJFSFMBEFUFSNJOBDJÓOEFMDPOUFOJEPEFBSNÓOJDPTEFMBDP-
SSJFOUFEFFOUSBEB FMWPMUBKFEFTBMJEBZMBDPSSJFOUFEFTBMJEB1PEFNPTVUJMJ[BSMBTFYQBOTJPOFT
FOTFSJFEF'PVSJFSQBSBEFUFSNJOBSFMDPOUFOJEPEFBSNÓOJDPTEFWPMUBKFTZDPSSJFOUFT1PSMP
DPNÙO FMEFTFNQFÒPEFVOSFDUJGJDBEPSTFFWBMÙBFOGVODJÓOEFMPTTJHVJFOUFTQBSÃNFUSPT

&MWBMPSpromedioEFMWPMUBKFEFTBMJEB PEFDBSHB
VDE
&MWBMPSpromedioEFMBDPSSJFOUFEFTBMJEB PEFDBSHB
IDE
-BQPUFODJBEFDEEFTBMJEB

Pcd = Vcd Icd 

vo
salida con rizo

CA
vs vo
CD cd ideal

0 t

(a) rectificador (b) Voltaje de salida

FIGURA 3.1
3FMBDJÓOEFFOUSBEBZTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPS
3.2 Parámetros de desempeño 81

&MWBMPSEFMBSBÎ[NFEJBDVBESÃUJDB SNT
EFMWPMUBKFEFTBMJEB VSNT
&MWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUF ISNTEFTBMJEB
-BQPUFODJBEFTBMJEBEFDB

Pca = Vrms Irms 

-Beficiencia Prelación de rectificación


EFVOSFDUJGJDBEPS MBDVBMFTVOBDJGSBEFNÊSJUP
ZOPTQFSNJUFDPNQBSBSMBFGJDBDJB TFEFGJOFDPNP
Pcd
η = 

Pca
0CTFSWFNPTRVFηOPFTMBFGJDJFODJBEFQPUFODJB&TMBFGJDJFODJBEFDPOWFSTJÓO MBDVBM
NJEFMBDBMJEBEEFMBGPSNBEFPOEBEFTBMJEB1BSBVOBTBMJEBEFDEQVSB MBFGJDJFODJBEFDPOWFS-
TJÓOTFSÎBMBVOJEBE
4FQVFEFDPOTJEFSBSRVFFMWPMUBKFEFTBMJEBDPOTUBEFEPTDPNQPOFOUFT 
FMWBMPSEFDE
Z 
FMDPNQPOFOUFEFDBPSJ[P
&MWBMPSeficaz SNT
EFMDPNQPOFOUFEFDBEFMWPMUBKFEFTBMJEBFT

Vca = 2V 2rms − V 2cd 




&Mfactor de forma FMDVBMNJEFMBGPSNBEFMWPMUBKFEFTBMJEB FT


Vrms
FF = 

Vcd

&Mfactor de rizo FMDVBMNJEFFMDPOUFOJEPEFSJ[P TFEFGJOFDPNP


Vca
 RF =  

Vcd

4VTUJUVZFOEPMBFDVBDJÓO 
FOMBFDVBDJÓO 
FMGBDUPSEFSJ[PTFFYQSFTBDPNP
Vrms 2
(RF) = a b − 1 = 2FF 2 − 1 

B Vcd
&Mfactor de utilización del transformadorTFEFGJOFDPNP
Pcd
(TUF) = 

Vs Is

EPOEFVsFIsTPOFMWPMUBKFSNTZMBDPSSJFOUFSNTEFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS SFTQFDUJWB-
NFOUF-BQPUFODJBEFFOUSBEBTFQVFEFEFUFSNJOBSEFGPSNBBQSPYJNBEBJHVBMBOEPMBQPUFO-
DJBEFFOUSBEBDPOMBQPUFODJBEFDBEFTBMJEB&TEFDJS FMGBDUPSEFQPUFODJBFTUÃSFMBDJPOBEP
QPS
Pca
(PF) = 

VsIs

&MGBDUPSEFDSFTUB $'
FMDVBMNJEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBQJDPIT(QJDP
DPNQBSBEBDPO
TVWBMPSSNTIs TVFMFTFSEFJOUFSÊTQBSBFTQFDJGJDBSMBTDBQBDJEBEFTEFDPSSJFOUFQJDPEFEJT-
QPTJUJWPTZDPNQPOFOUFT&M$'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBTFEFGJOFDPNP
Is(pico)
(CF) = 

Is
82 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.2

 r &MEFTFNQFÒPEFVOSFDUJGJDBEPSRVFDJFSUPTQBSÃNFUSPTNJEFOFTEFGJDJFOUF-BDPSSJFOUF
BUSBWÊTEFMBDBSHBTFQVFEFIBDFSDPOUJOVBBHSFHBOEPVOJOEVDUPSZVOEJPEPEFDPOEVD-
DJÓOMJCSF&MWPMUBKFEFTBMJEBFTEJTDPOUJOVPZDPOUJFOFBSNÓOJDPTRVFTPONÙMUJQMPTEFMB
GSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓO

3.3 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEDIA ONDA


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVODJSDVJUPSFDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUBDPOVOUSBOTGPSNBEPS
DPOEFSJWBDJÓODFOUSBM%VSBOUFFMNFEJPDJDMPQPTJUJWPEFMWPMUBKFEFFOUSBEB FMEJPEPD 
DPOEVDFZFMEJPEPDFTUÃFOcondición de bloqueo. &MWPMUBKFEFFOUSBEBBQBSFDFBUSBWÊTEF
MBDBSHB%VSBOUFFMNFEJPDJDMPOFHBUJWPEFMWPMUBKFEFFOUSBEB FMEJPEPDDPOEVDFNJFOUSBT
RVFFMEJPEPDFTUÃFOcondición de bloqueo. -BQBSUFOFHBUJWBEFMWPMUBKFEFFOUSBEBBQBSFDF
BUSBWÊTEFMBDBSHBDPNPVOWPMUBKFQPTJUJWP&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBMBGPSNBEFPOEBEFM
WPMUBKFEFTBMJEBBMPMBSHPEFVODJDMPDPNQMFUP$PNPOPIBZDPSSJFOUFEJSFDUBRVFGMVZBB
USBWÊTEFMUSBOTGPSNBEPS OPIBZOJOHÙOQSPCMFNBEFTBUVSBDJÓOEFMOÙDMFPEFMUSBOTGPSNBEPS
&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPFT

T/2
2 2Vm
Vcd = Vm sen ωt dt = = 0.6366Vm 

T L0 π

vs
Vm

vs V m sen t

0 t
 2

Vm

vo
Vm

vD1
0 t
D1  2
vD
0 t
 2
vs
R io
vp
vo
vs vD2 vD1
D2
vD1 0 vD2 0

vD2 2V m

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.2
3FDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUBDPOUSBTGPSNBEPSDPOEFSJWBDJÓODFOUSBM
3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 83

vs
Vm

0 t
 2

Vm

vo
Vm

io
  
D1 D3 0 t
 2
vD
 t
vp vs R vo 2

D4 D2
   Vm
vD3, vD4 vD1, vD2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.3
3FDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUB

&O MVHBS EF VUJMJ[BS VO USBOTGPSNBEPS DPO EFSJWBDJÓO DFOUSBM QPESÎBNPT VUJMJ[BS DVBUSP
EJPEPT DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB%VSBOUFFMNFEJPDJDMPQPTJUJWPEFMWPMUBKFEFFO-
USBEBMBQPUFODJBTFBCBTUFDFBMBDBSHBBUSBWÊTEFMPTEJPEPTDZD%VSBOUFFMDJDMPOFHBUJWP
MPTEJPEPTDZDDPOEVDFO-BGPSNBEFPOEBEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
CZFTTJNJMBSBMBEFMBGJHVSBC&MWPMUBKFJOWFSTPQJDPEFVOEJPEPFTTÓMPVm&TUFDJS-
DVJUPTFDPOPDFDPNPrectificador de onda completa Ppuente rectificador ZDPNÙONFOUFTF
VUJMJ[BFOBQMJDBDJPOFTJOEVTUSJBMFT< >
&OMBUBCMBTFFOVNFSBOBMHVOBTEFMBTWFOUBKBTZEFTWFOUBKBTEFMPTDJSDVJUPTEFMBT
GJHVSBTZ

TABLA 3.1 7FOUBKBTZEFTWFOUBKBTEFSFDUJGJDBEPSFTFOQVFOUFZEFEFSJWBDJÓODFOUSBM

7FOUBKB %FTWFOUBKBT

5SBOTGPSNBEPS 4FODJMMP TÓMPEPTEJPEPT "CBTUFDJNJFOUPEFQPUFODJBCBKPMJNJUBEP NFOPT


DPOEFSJWBDJÓO -BGSFDVFODJBEFSJ[PFTEPT EF8
DFOUSBM WFDFTMBGSFDVFODJBEFTVNJOJTUSP $PTUPJODSFNFOUBEPEFCJEPBMUSBOTGPSNBEPSDPO
1SPQPSDJPOBBJTMBNJFOUP EFSJWBDJÓODFOUSBM
FMÊDUSJDP -BDPSSJFOUFEJSFDUBRVFGMVZFBUSBWÊTEFDBEB
MBEPEFMTFDVOEBSJPJODSFNFOUBSÃFMDPTUPZFM
UBNBÒPEFMUSBOTGPSNBEPS
3FDUJGJDBEPSFO "EFDVBEPQBSBBQMJDBDJPOFT -BDBSHBOPQVFEFDPOFDUBSTFBUJFSSBTJOVO
QVFOUFPQVFOUF JOEVTUSJBMFTIBTUBEFL8 USBOTGPSNBEPSFOFMMBEPEFTBMJEB
SFDUJGJDBEPS -BGSFDVFODJBEFSJ[PFTEPT "VORVFOPTFSFRVJFSFVOUSBOTGPSNBEPSFOFM
WFDFTMBGSFDVFODJBEFTVNJOJTUSP MBEPEFFOUSBEBQBSBRVFFMSFDUJGJDBEPSGVODJPOF 
4FODJMMPEFVTBSFOVOJEBEFT TFTVFMFDPOFDUBSVOPQBSBBJTMBSFMÊDUSJDBNFOUF
DPNFSDJBMNFOUFEJTQPOJCMFT MBDBSHBRVFQSPWJFOFEFMBGVFOUFEFTVNJOJTUSP
84 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.1 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda


completa con un transformador con derivación central
4JFMSFDUJGJDBEPSEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWBR EFUFSNJOF B
MBFGJDJFODJB
C
FM'' D
FM3' E
FM56' F
FM1*VEFMEJPEPD G
FM$'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEB Z H
FMGBDUPS
EFQPUFODJBEFFOUSBEB1'

Solución
$POMBFDVBDJÓO 
FMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPFT

2Vm
Vcd = = 0.6366Vm
π

ZMBDPSSJFOUFEFMBDBSHBQSPNFEJPFT

Vcd 0.6366Vm
Icd = =
R R

-PTWBMPSFTSNTEFMWPMUBKFZEFMBDPSSJFOUFEFTBMJEBTPO

T/2 1/2
Vrms = c (Vm sen ωt)2 dt d
2 Vm
= = 0.707Vm
T L0 12
Vrms 0.707Vm
Irms = =
R R

$POMBFDVBDJÓO 
PDE= Vm
R,ZDPOMBFDVBDJÓO 
PDE= Vm
R
 a. $POMBFDVBDJÓO 
MBFGJDJFODJBη= Vm
 Vm
=
 b. $POMBFDVBDJÓO 
FMGBDUPSEFGPSNB''=VmVm=
 c. $POMBFDVBDJÓO FMGBDUPSEFSJ[PRF = 21.112 − 1 = 0.482 o 48.2%.
 d. &M WPMUBKF SNT EFM TFDVOEBSJP EFM USBOTGPSNBEPS Vs = Vm/12 = 0.707Vm. &M WBMPS SNT EF MB
DPSSJFOUFFOFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSIT=Vm/R-BDBQBDJEBEWPMUTBNQFSFT 7" 
EFMJOHMÊTvolt-ampere
EFMUSBOTGPSNBEPS VA = 22Vs Is = 22 × 0.707Vm × 0.5Vm/R.$POMB
FDVBDJÓO 

0.63662
TUF = = 0.81064 = 81.06%
22 × 0.707 × 0.5

e. &MWPMUBKFEFCMPRVFPJOWFSTPQJDP 1*7=Vm


f. Is QJDP
 = Vm/R F Is = Vm/R &M $' EF MB DPSSJFOUF EF FOUSBEB FT $' = Is QJDP
/Is =
1/0.707 = 12.
 g. &M1'EFFOUSBEBQBSBVOBDBSHBSFTJTUJWBTFDBMDVMBDPO

Pca 0.7072
PF = = = 1.0
VA 22 × 0.707 × 0.5

Nota56'==TJHOJGJDBRVFFMUSBOTGPSNBEPSEFFOUSBEB TJMPIBZ EFCFTFS


WFDFTNÃTHSBOEFRVFDVBOEPTFVUJMJ[BQBSBTVNJOJTUSBSQPUFODJBBQBSUJSEFVOWPMUBKFTFOPJEBMEFDB&M
SFDUJGJDBEPSUJFOFVO3'EFZVOBFGJDJFODJBEFSFDUJGJDBDJÓOEF
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85

Ejemplo 3.2 Cómo determinar la serie de Fourier del voltaje de salida para un rectificador de
onda completa
&MSFDUJGJDBEPSEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBRL6TFFMNÊUPEPEFMBTFSJFEF'PVSJFSQBSBPCUFOFS
FYQSFTJPOFTQBSBFMWPMUBKFEFTBMJEBv0 t


Solución
&MWPMUBKFEFTBMJEBEFMSFDUJGJDBEPSTFQVFEFEFTDSJCJSQPSVOBTFSJFEF'PVSJFS MBDVBMTFSFQBTBFOFM
"QÊOEJDF&
DPNPTJHVF


v0(t) = Vcd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =2,4, c

EPOEF
2π π
1 2 2Vm
Vcd = v0(t) d(ωt) = V sen ωt d(ωt) =
2π L0 2π L0 m π
2π π
1 2
an = v cos nωt d(ωt) = V sen ωt cos nωt d(ωt)
π L0 0 π L0 m
4Vm ∞ −1
= con n = 2, 4, 6, c
π a (n − 1)(n + 1)
n =2,4 c
,
=0 con n = 1, 3, 5, c
2π π
1 2
bn = v sen nωt d(ωt) = V sen ωt sen nωt d(ωt) − 0
π L0 0 π L0 m

4VTUJUVZFOEPMPTWBMPSFTEFanZbn MBFYQSFTJÓOQBSBFMWPMUBKFEFTBMJEBFT
2Vm 4Vm 4Vm 4Vm
v0(t) = − cos 2ωt − cos 4ωt − cos 6ωt − g 

π 3π 15π 35π

Nota-BTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUBDPOUJFOFTÓMPBSNÓOJDPTQBSFTZFM
TFHVOEPBSNÓOJDPFTFMNÃTEPNJOBOUF ZTVGSFDVFODJBFTf =)[
&MWPMUBKFEFTBMJEBFO
MBFDVBDJÓO 
TFQVFEFEFSJWBSNFEJBOUFVOBNVMUJQMJDBDJÓOEFFTQFDUSPEFMBGVODJÓOEF
DPONVUBDJÓO MPDVBMTFFYQMJDBFOFM"QÊOEJDF$

Puntos clave de la sección 3.3


 r )BZEPTUJQPTEFSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPTUSBOTGPSNBEPSDPOEFSJWBDJÓODFOUSBMZEF
QVFOUFEFEJPEPT4VEFTFNQFÒPFTDBTJJEÊOUJDP FYDFQUPRVFMBDPSSJFOUFEFMTFDVOEBSJP
BUSBWÊTEFMUSBOTGPSNBEPSDPOEFSJWBDJÓODFOUSBMFTVOJEJSFDDJPOBM DE
ZSFRVJFSFVOB
NBZPSDBQBDJEBEEF7" WPMUTBNQFSFT
&MUJQPEFEFSJWBDJÓODFOUSBMTFVUJMJ[BFOBQMJ-
DBDJPOFTEFNFOPTEF8ZSFDUJGJDBEPSDPOCBTFFOQVFOUFEFEJPEPTTFVUJMJ[BFO
BQMJDBDJPOFTRVFWBOEF8BL8&MWPMUBKFEFTBMJEBEFMPTSFDUJGJDBEPSFTDPOUJFOF
BSNÓOJDPTDVZBTGSFDVFODJBTTPONÙMUJQMPTEFf EPTWFDFTMBGSFDVFODJBEFTVNJOJTUSP


3.4 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL


$POVOBDBSHBSFTJTUJWB MBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFÊTUBFTJEÊOUJDBFOTVGPSNBBMWPMUBKFEFTBMJEB
&OMBQSÃDUJDB MBNBZPSÎBEFMBTDBSHBTTPOJOEVDUJWBTIBTUBDJFSUPHSBEPZMBDPSSJFOUFBUSBWÊT
EFMBDBSHBEFQFOEFEFTVSFTJTUFODJBRFJOEVDUBODJBL DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB
86 Capítulo 3 Diodos rectificadores

vo

Vm

io

is
D1 D3 0  2 t
R
io

⬃ vs Vo
L
Imáx
Io

Imín
D4 D2
E
 0    2 t
2
(a) Circuito (b) Formas de onda

is

Io

2
t
0 

Io

(c) Corriente de línea de alimentación

v
vo  Vm sen (t – )
Vm

t
0  2

io

0    
(d) Corriente discontinua

FIGURA 3.4
3FDUJGJDBEPSDPOCBTFFOQVFOUFEFEJPEPTDPNQMFUPDPODBSHBRL
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 87

4FBHSFHBVOBCBUFSÎBEFWPMUBKFEQBSBEFTBSSPMMBSFDVBDJPOFTHFOFSBMJ[BEBT4Jvs=Vm TFOωt=
12 VsTFOωt FTFMWPMUBKFEFFOUSBEB MBDPSSJFOUFiEFMBDBSHBTFDBMDVMBDPO
di0
L + Ri0 + E = 12 Vs sen ωt con i0 ≥ 0
dt
DVZBTPMVDJÓOFT
12Vs
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t −
E


Z R

EPOEFMBJNQFEBODJBEFMBDBSHBZ=<R+ ωL
> ÃOHVMPEFJNQFEBODJBEFMBDBSHB θ=UBO−
ωL/R
ZVsFTFMWBMPSSNTEFMWPMUBKFEFFOUSBEB
Caso 1: Corriente continua. -PTJHVJFOUFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC-BDPOTUBOUFA
FOMBFDVBDJÓO 
TFQVFEFEFUFSNJOBSBQBSUJSEFMBDPOEJDJÓODPOωt=π i=I

12Vs
A1 = aI0 +
E
− sen θb e (R/L)(π/ω)
R Z

-BTVTUJUVDJÓOEFAFOMBFDVBDJÓO 
EB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + aI0 + −
E E
i0 = sen θb e (R/L)(π/ω − t) − 

Z R Z R

&OVOBDPOEJDJÓOFTUBCMF i ωt=


=i ωt=π
&TEFDJS i ωt=
=I"QMJDBOEPFTUB
DPOEJDJÓOUFOFNPTFMWBMPSEFIDPNP

12Vs 1 + e −(R/L)(π/ω) E
I0 = sen θ −(R/L)(π/ω)
− con I0 ≥ 0 

Z 1 − e R

MBDVBM EFTQVÊTEFTVTUJUVJSIFOMBFDVBDJÓO 


ZTJNQMJGJDBS EB

12Vs
c sen(ωt − θ) + sen θ e −(R/L)t d −
2 E
i0 = −(R/L)(π/ω)
Z 1 − e R

con 0 ≤ (ωt − θ) ≤ π e i0 ≥ 0 

-BDPSSJFOUFSNTEFMEJPEPTFDBMDVMBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNPTJHVF
π 1/2
=c i20 d(ωt) d
1
ID(rms)
2π L
0

ZFOUPODFTTFQVFEFEFUFSNJOBSMBDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBDPNCJOBOEPMBDPSSJFOUFSNTEFDBEB
EJPEPDPNPTJHVF
Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 12Ir

-BDPSSJFOUFQSPNFEJPEFMEJPEPUBNCJÊOTFEFUFSNJOBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNPTJHVF
π
1
ID(av) = i0 d(ωt)
2π L
0
88 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Caso 2: Corriente discontinua a través de la carga. &TUP TF NVFTUSB FO MB GJHVSB
E -B DPSSJFOUF GMVZF B USBWÊT EF MB DBSHB TÓMP EVSBOUF FM QFSJPEP α ƪ ωt ƪ β %FGJOBNPT
x = E/Vm = E/12VsDPNPDPOTUBOUF emf
EFMBCBUFSÎBEFDBSHB MMBNBEBrelación de voltaje
-PTEJPEPTDPNJFO[BOBDPOEVDJSDVBOEPωt=αEBEBQPS

E
α = sen−1 = sen−1(x)
Vm

$POωt= α i ωt
=ZMBFDVBDJÓO 
EB

12Vs
A1 = c sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω)
E

R Z

MBDVBM EFTQVÊTEFTVTUJUVJSFOMBFDVBDJÓO 


EBMBDPSSJFOUFEFMBDBSHB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω − t) − 
E E
 i0 = 

Z R Z R

$POωt=β MBDPSSJFOUFEFDBFBDFSP Fi ωt=β


= &TEFDJS 

12Vs 12Vs
sen(β − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α − β)/ω −
E E
=0 

Z R Z R

%JWJEJFOEP MB FDVBDJÓO 


 FOUSF 12Vs/Z, Z TVTUJUVZFOEP R/Z = DPT θ Z ωL/R = UBO θ 
PCUFOFNPT

sen(β − θ) + a − sen(α − θ) b e tan(θ) −


x (α − β) x
=0 

cos(θ) cos(θ)

DPOFTUBFDVBDJÓOUSBOTDFOEFOUBMTFEFUFSNJOBβNFEJBOUFVONÊUPEPEFTPMVDJÓOJUFSBUJWP FO-
TBZPZFSSPS
$PNFO[BNPTDPOβ= FJODSFNFOUBNPTTVWBMPSFOVOBNVZQFRVFÒBDBOUJEBE
IBTUBRVFFMMBEPJ[RVJFSEPEFFTUBFDVBDJÓOTFBDFSP
$PNPFKFNQMP TFVUJMJ[Ó.BUIDBEQBSBEFUFSNJOBSFMWBMPSEFβQBSBθ=P P Zx=
B-PTSFTVMUBEPTTFNVFTUSBOFOMBUBCMB$POGPSNFxTFJODSFNFOUB βTFSFEVDF$PO
x= MPTEJPEPTOPDPOEVDFOZOPGMVZFDPSSJFOUF
-BDPSSJFOUFSNTEFMEJPEPTFEFUFSNJOBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNPTJHVF
β 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
1
2π L
α

-BDPSSJFOUFQSPNFEJPFOFMEJPEPUBNCJÊOTFEFUFSNJOBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNPTJHVF
β
1
ID(prom) = i0 d(ωt)
2π L
α

TABLA 3.2 7BSJBDJPOFTEFMÃOHVMPβDPOMBSFMBDJÓOEFWPMUBKF x

3FMBDJÓOEFWPMUBKF x           
βQBSBθ=°           

βQBSBθ=°           
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 89

Límite: Región discontinua/continua


0.8

0.6
Relación de voltaje de la carga

x( ) 0.4

0.2

0
0 0.2 0.4 0.60.8 1 1.2 1.4

2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.5
-ÎNJUFEFMBTSFHJPOFTDPOUJOVBZEJTDPOUJOVBQBSBVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDP

Condiciones límite-BDPOEJDJÓOQBSBMBDPSSJFOUFEJTDPOUJOVBTFEFUFSNJOBFTUBCMFDJFOEPI
JHVBMBDFSPFOMBFDVBDJÓO 

R π
Vs 12 1 + e −(L)(ω) E
0 = sen(θ) C R π S −
Z 1 − e −(L)(ω) R

MBDVBMTFQVFEFSFTPMWFSQBSBMBSFMBDJÓOEFWPMUBKFx = E/( 22Vs)DPNP

1 + e − 1 tan(θ) 2
π

x(θ): = c d sen(θ) cos(θ)


1 − e − 1 tan(θ) 2
 π 

-BHSÃGJDBEFMBSFMBDJÓOEFWPMUBKFxDPOFMÃOHVMPEFJNQFEBODJBθEFMBDBSHBTFNVFTUSBFOMB
GJHVSB&MÃOHVMPθEFMBDBSHBOPQVFEFFYDFEFSEFπ&MWBMPSEFxFTDPOθ=
SBE DPOθ=SBE P
ZDPOθ=

Ejemplo 3.3 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda


completa con una carga RL
&MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBBUJFOFL=N) R=Ω ZE=7&M
WPMUBKFEFFOUSBEBFTVs=7B)[ B
%FUFSNJOF 
MBDPSSJFOUFFTUBCMFIEFMBDBSHBDPOωt=

MBDPSSJFOUFQSPNFEJPEFMEJPEPID QSPN
 
MBDPSSJFOUFSNTID SNT
EFMEJPEP 
MBDPSSJFOUFSNT
EFTBMJEBIP SNT
Z 
FMGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEB1' C
6TF14QJDFQBSBUSB[BSMBHSÃGJDBEFMBDP-
SSJFOUFEFTBMJEBJOTUBOUÃOFBi4VQPOHBRVFMPTQBSÃNFUSPTEFMEJPEPTPO*4=&− #7=7
90 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Solución
/PTFTBCFTJMBDPSSJFOUFEFMBDBSHBFTDPOUJOVBPEJTDPOUJOVB4VQPOHBRVFFTDPOUJOVBZQSPTJHBDPOMB
TPMVDJÓO4JMBTVQPTJDJÓOOPFTDPSSFDUB MBDPSSJFOUFEFMBDBSHBFTDFSPZFOUPODFTDPOTJEFSFFMDBTPEF
VOBDPSSJFOUFEJTDPOUJOVB
a. R=Ω L=N) f=)[ ω=π×=SBET Vs=7 Z=<R+ ωL
>=
ω Zθ=UBO− ωL/R
=P

  1. -BDPSSJFOUFFTUBCMFEFMBDBSHBDPOωt= I="$PNPI> MBDPSSJFOUFFTDPOUJOVB


ZMBTVQPTJDJÓOFTDPSSFDUB
  2. -BJOUFHSBDJÓOOVNÊSJDBEFiFOMBFDVBDJÓO 
EBMBDPSSJFOUFQSPNFEJPEFMEJPEPDPNP
ID QSPN
="
  3. 1PSJOUFHSBDJÓOOVNÊSJDBEFi20FOUSFMPTMÎNJUFTωt=Zπ PCUFOFNPTMBDPSSJFOUFSNTEFM
EJPEPDPNPID SNT
="
  4. -BDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBI0(rms) = 12Ir = 12 × 28.50 = 40.3 A.
  5. -BQPUFODJBEFDBEFMBDBSHBFTPca = I 2rms R = 40.32×=L8&MGBDUPSEFQPUFODJB
EFFOUSBEBFT
Pca 4.061 × 10−3
PF = = = 0.84 (retraso)
VsIrms 120 × 40.3

Notas
1. i UJFOFVOWBMPSNÎOJNPEFFOωt=PZVOWBMPSNÃYJNPEF"FOωt=P
iTFIBDF"FOωt=θZ"FOωt=θ+π1PSDPOTJHVJFOUF FMWBMPSNÎOJNPEF
iPDVSSFBQSPYJNBEBNFOUFFOωt=θ
  2. -BBDDJÓOEFDPONVUBDJÓOEFMPTEJPEPTIBDFRVFMBTFDVBDJPOFTEFDPSSJFOUFTFBOOPMJOFB-
MFT6ONÊUPEPOVNÊSJDPEFTPMVDJÓOEFMBTDPSSJFOUFTEFEJPEPFTNÃTFGJDJFOUFRVFMBTUÊD-
OJDBTDMÃTJDBT4FVUJMJ[BVOQSPHSBNB.BUIDBEQBSBEFUFSNJOBSI ID QSPN
FID SNT
NFEJBOUF
JOUFHSBDJÓOOVNÊSJDB4FBOJNBBMPTFTUVEJBOUFTBWFSJGJDBSMPTSFTVMUBEPTEFFTUFFKFNQMPZ
BQSFDJBSMBVUJMJEBEEFMBTPMVDJÓOOVNÊSJDB TPCSFUPEPBMSFTPMWFSFDVBDJPOFTOPMJOFBMFTEF
DJSDVJUPTEFEJPEP

3 io
Vy
is D1 D3
1 R 2.5 ⍀
⫹ 0V
2 ⫹ 5
⬃ vs vo
L 6.5 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 10 V

FIGURA 3.6
3FDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPFODPOGJHVSBDJÓOEFQVFOUFEFEJPEPT
QBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF

 b. &O MB GJHVSB  TF NVFTUSB FM SFDUJGJDBEPS NPOPGÃTJDP FO DPOGJHVSBDJÓO EF QVFOUF EF EJPEPT
QBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF"DPOUJOVBDJÓOTFBQPSUBMBMJTUBEFMBSDIJWPEFMDJSDVJUP
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 91

Ejemplo 3.3 Rectificador monofásico con carga RL


VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
L 5 6 6.5MH
R 3 5 2.5
VX 6 4 DC 10V; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
D1 2 3 DMOD ; Modelo de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
VY 1 2 0DC
.MODEL DMOD D(IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1US 32MS 16. 667MS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

-BGJHVSBNVFTUSBMBHSÃGJDBHFOFSBEBQPS14QJDFEFMBDPSSJFOUFI EFTBMJEBJOTUBO-
UÃOFB MBDVBMEBI=" DPNQBSBEBDPOFMWBMPSFTQFSBEPEF"4FVUJMJ[ÓVOEJPEP
%CSFBLFOMBTJNVMBDJÓODPO14QJDFQBSBFTQFDJGJDBSMPTQBSÃNFUSPTEFMEJPEP

60 A

40 A

20 A
I (VX)
200 V

100 V

0V

⫺100 V
16 ms 18 ms 20 ms 22 ms 24 ms 26 ms 28 ms 30 ms 32 ms
V (3, 4) C1 ⫽ 22.747 m, 50.179
Time C2 ⫽ 16.667 m, 31.824
dif ⫽ 6.0800 m, 18.355

FIGURA 3.7
(SÃGJDBHFOFSBEBQPS14QJDFEFMFKFNQMP
92 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.4


 r 6OBDBSHBJOEVDUJWBQVFEFIBDFSRVFMBDPSSJFOUFEFMBDBSHBTFBDPOUJOVB&YJTUFVOWBMPS
DSÎUJDPEFMÃOHVMPEFJNQFEBODJBθEFMBDBSHBQBSBVOWBMPSEBEPEFMBDPOTUBOUFxEFMB
DBSHBemfQBSBNBOUFOFSDPOUJOVBMBDPSSJFOUFEFMBDBSHB

3.5 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON UNA CARGA ALTAMENTE


INDUCTIVA
$POVOBDBSHBSFTJTUJWB MBDPSSJFOUFEFFOUSBEBEFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPTFSÃVOBPOEB
TFOP$POVOBDBSHBEFJOEVDUPS MBDPSSJFOUFEFFOUSBEBTFEJTUPSTJPOBSÃDPNPTFNVFTUSBFO
MBGJHVSBD4JMBDBSHBFTBMUBNFOUFJOEVDUJWB TVDPSSJFOUFTFNBOUFOESÃDBTJDPOTUBOUF
DPOVOBQFRVFÒBDBOUJEBEEFDPOUFOJEPEFSJ[PZMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBTFSÃDPNPVOBPOEB
DVBESBEB$POTJEFSFNPTMBTGPSNBTEFPOEBEFMBGJHVSB EPOEFvsFTFMWPMUBKFTFOPJEBMEF
FOUSBEB isFTMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBEFFOUSBEB FisFTTVDPNQPOFOUFGVOEBNFOUBM
4JϕFTFMÃOHVMPFOUSFMPTDPNQPOFOUFTGVOEBNFOUBMFTEFMBDPSSJFOUFZFMWPMUBKFEFFO-
USBEB ϕTFDPOPDFDPNPángulo de desplazamiento&Mfactor de desplazamientoTFEFGJOFDPNP

DF = cos ϕ ()

&Mfactor armónico )'


EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBTFEFGJOFDPNP

I 2s − I 2s1 1/2 Is 2 1/2


HF = a b = ca b − 1d ()
I 2s1 Is1

EPOEFIsFTFMDPNQPOFOUFGVOEBNFOUBMEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBIs5BOUPIsDPNPIsFTUÃO
FYQSFTBEBTFOSNT&Mfactor de potencia EFFOUSBEB 1'
TFEFGJOFDPNP

Vs Is1 Is1
PF = cos ϕ = cos ϕ ()
Vs Is Is

vs
vs, is
Corriente de entrada
is

is1
Ip  Ip

0
t

Ip

Voltaje de entrada
Componente fundamental

FIGURA 3.8
'PSNBTEFPOEBEFMWPMUBKFZDPSSJFOUFEFFOUSBEB
3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga altamente inductiva 93

Notas
  1. &M)'NJEFMBEJTUPSTJÓOEFVOBGPSNBEFPOEBZUBNCJÊOTFDPOPDFDPNPdistorsión
armónica total 5)%

  2. 4JMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBisFTQVSBNFOUFTFOPJEBM Is=IsZFMGBDUPSEFQPUFODJB1'


FTJHVBMBMGBDUPSEFEFTQMB[BNJFOUP%'&MÃOHVMPEFEFTQMB[BNJFOUPϕTFDPOWJFSUFFO
FMÃOHVMPEFJNQFEBODJBθ=UBO− ωL/R
QBSBVOBDBSHBRL
  3. &MGBDUPSEFEFTQMB[BNJFOUP%'BNFOVEPTFDPOPDFDPNPfactor de potencia de des-
plazamiento %1'

  4. 6OSFDUJGJDBEPSJEFBMEFCFUFOFSη= VDB= 3'= 56'= )'=5)%=
Z1'=%1'=

Ejemplo 3.4 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un rectificador de onda


completa
&O MB GJHVSB B TF NVFTUSB VO SFDUJGJDBEPS NPOPGÃTJDP RVF BCBTUFDF B VOB DBSHB BMUBNFOUF
JOEVDUJWBDPNPVONPUPSEFDE-BSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPSFTMBVOJEBE-BDBSHB
FTUBMRVFFMNPUPSFYUSBFVOBDPSSJFOUFIa EFMBBSNBEVSBTJOSJ[PTDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
C%FUFSNJOF B
FM)'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBZ C
FM1'EFFOUSBEBEFMSFDUJGJDBEPS

vs
Vm

 2
0 t

Vm
Componente
is fundamental
Ia
is
  io  Ia 0 t
 2
D1 D3 Ia
vp vs
io

D4 D2 M Ia
 
0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.9
3FDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUBDPOVONPUPSEFDEDPNPDBSHB

Solución
1PSMPDPNÙOVONPUPSEFDEFTBMUBNFOUFJOEVDUJWPZBDUÙBDPNPGJMUSPBMSFEVDJSMBDPSSJFOUFEFSJ[PEF
MBDBSHB
 a. &OMBGJHVSBCTFNVFTUSBOMBTGPSNBTEFPOEBEFMBDPSSJFOUFZEFMWPMUBKFEFFOUSBEB-B
DPSSJFOUFEFFOUSBEBTFQVFEFFYQSFTBSFOVOBTFSJFEF'PVSJFSDPNPTJHVF
94 Capítulo 3 Diodos rectificadores


is(t) = Icd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =1,3, c

  EPOEF

2π 2π
1 1
Icd = i (t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 s 2π L0 a
2π π
1 2
an = i (t) cos nωt d(ωt) = I cos nωt d(ωt) = 0
π L0 s π L0 a
2π π
1 2 4Ia
bn = is(t) sen nωt d(ωt) = I sen nωt d(ωt) =
π L0 π L0 a nπ

  4VTUJUVZFOEPMPTWBMPSFTEFanZbn MBFYQSFTJÓOQBSBMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBFT

4Ia sen ωt
a + gb
sen 3ωt sen 5ωt
 is(t) = + + 

π 1 3 5

  &MWBMPSSNTEFMDPNQPOFOUFGVOEBNFOUBMEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBFT

4Ia
Is1 = = 0.90Ia
π 12

  &MWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBFT

1 2 1 2 1 2 1 2 1/2
Ia c 1 + a b + a b + a b + a b + g d = Ia
4
Is =
π 12 3 5 7 9

  $POMBFDVBDJÓO 

1 2 1/2
HF = THD = c a b − 1 d = 0.4843 o 48.43%
0.90

 b. &
 MÃOHVMPEFEFTQMB[BNJFOUPϕ=Z%'=DPTϕ=$POMBFDVBDJÓO 
FM1'= Is/Is
DPTϕ
= SFUSBTP


Puntos clave de la sección 3.5


 r &MGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEBEFVOSFDUJGJDBEPSDPODBSHBSFTJTUJWBFT1'=Z1'=
DPOVOBDBSHBBMUBNFOUFJOEVDUJWB&MGBDUPSEFQPUFODJBEFQFOEFSÃEFMBDBSHBJOEVD-
UJWBZEFMBDBOUJEBEEFEJTUPSTJÓOEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEB

3.6 RECTIFICADORES MULTIFÁSICOS EN ESTRELLA


)FNPTWJTUPFOMBFDVBDJÓO 
RVFFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPRVFTFQPESÎBPCUFOFSDPO
SFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPTEFPOEBDPNQMFUBFTVm MPTDVBMFTTFVUJMJ[BOFOBQMJDBDJPOFT
IBTUBVOOJWFMEFQPUFODJBEFL81BSBTBMJEBTEFQPUFODJBNBZPSFTTFVUJMJ[BOSFDUJGJDBEP-
SFTtrifásicosZpolifásicos-BTFSJFEF'PVSJFSEFMWPMUBKFEFTBMJEBEBEBQPSMBFDVBDJÓO 

JOEJDBRVFMBTBMJEBDPOUJFOFBSNÓOJDPTZRVFMBGSFDVFODJBEFMcomponente fundamental FTEPT
3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 95

WFDFT MB GSFDVFODJB EF MB GVFOUF f


 &O MB QSÃDUJDB FT VTVBM VUJMJ[BS VO GJMUSP QBSB SFEVDJS FM
OJWFMEFBSNÓOJDPTFOMBDBSHBFMUBNBÒPEFMGJMUSPTFSFEVDFBMBVNFOUBSMBGSFDVFODJBEFMPT
BSNÓOJDPT"EFNÃTEFMBNBZPSTBMJEBEFQPUFODJBEFMPTSFDUJGJDBEPSFTQPMJGÃTJDPT MBGSFDVFO-
DJBGVOEBNFOUBMEFMPTBSNÓOJDPTUBNCJÊOTFJODSFNFOUBZFTqWFDFTMBGSFDVFODJBEFMBGVFOUF
qf
&TUFSFDUJGJDBEPSUBNCJÊOTFDPOPDFDPNPSFDUJGJDBEPSFOFTUSFMMB
&MDJSDVJUPEFMSFDUJGJDBEPSEFMBGJHVSBBTFQVFEFBNQMJBSBNÙMUJQMFTGBTFTBMUFOFS
EFWBOBEPT NVMUJGÃTJDPT FO FM TFDVOEBSJP EFM USBOTGPSNBEPS DPNP TF NVFTUSB FO MB GJHVSB
B4FQVFEFDPOTJEFSBSRVFFTUFDJSDVJUPTFDPNQPOFEFqSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPTZEF
VOUJQPEFNFEJBPOEB&MEJPEPkÊTJNPDPOEVDFEVSBOUFFMQFSJPEPFORVFFMWPMUBKFEFMB
GBTFkÊTJNBFTNÃTBMUPRVFFMEFPUSBTGBTFT-BGJHVSBCNVFTUSBMBTGPSNBTEFPOEBEFMPT
WPMUBKFTZDPSSJFOUFT&MQFSJPEPEFDPOEVDDJÓOEFDBEBEJPEPFTπ/q
&OMBGJHVSBCTFPCTFSWBRVFMBDPSSJFOUFRVFGMVZFBUSBWÊTEFMEFWBOBEPTFDVOEBSJP
FTVOJEJSFDDJPOBMZRVFDPOUJFOFVODPNQPOFOUFEFDE4ÓMPVOEFWBOBEPTFDVOEBSJPDPOEVDF
DPSSJFOUFEVSBOUFVOUJFNQPQBSUJDVMBS ZQPSDPOTJHVJFOUFFMQSJNBSJPEFCFDPOFDUBSTFFOEFMUB

D1

v2  Vm sen  t D2
1
2

v2
3 D3
q
N
vq io 

4 D4

R vo
Dq


(a) Diagrama del circuito

v v1 v2 v3 v4 v5 vq
Vm

t
0   3 2
2 2
Vm

vo io  vo /R
Vm

D1 on D2 on D3 D4 D5 Dq
0 t
 2 4 6 8 10  2
q q q q q q
(b) Formas de onda

FIGURA 3.10
3FDUJGJDBEPSFTQPMJGÃTJDPTPNVMUJGÃTJDPT
96 Capítulo 3 Diodos rectificadores

QBSBFMJNJOBSFMDPNQPOFOUFEFDEFOFMMBEPEFFOUSBEBEFMUSBOTGPSNBEPS"TÎTFNJOJNJ[BFM
DPOUFOJEPBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUFEFMÎOFBFOFMQSJNBSJP
4VQPOJFOEPVOBPOEBDPTFOPEFTEFπ/qIBTUBπ/q FMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPEFVO
SFDUJGJDBEPSEFqGBTFTFTUÃEBEPQPS
π/q
2 q π
 Vcd = Vm cos ωt d(ωt) = Vm sen 

2π/q L0 π q
π/q 1/2
Vrms = c V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/q L0
q π 2π 1/2
= Vm c a + sen b d
1
  

2π q 2 q

4JMBDBSHBFTQVSBNFOUFSFTJTUJWB MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊTEFVOEJPEPFTIm=Vm/RZQPEF-
NPTDBMDVMBSFMWBMPSSNTEFVOBDPSSJFOUFEFEJPEP PDPSSJFOUFFOFMTFDVOEBSJPEFVOUSBOT-
GPSNBEPS
DPNP
π/q 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π L0

1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d =
1 Vrms
  

2π q 2 q R

Ejemplo 3.5 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico


en estrella
6O SFDUJGJDBEPS USJGÃTJDP FO FTUSFMMB UJFOF VOB DBSHB QVSBNFOUF SFTJTUJWB DPO R PINT %FUFSNJOF B
 MB
FGJDJFODJB C
FM'' D
FM3' E
FMGBDUPS56' F
FM1*7EFDBEBEJPEP Z E
MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊT
EFVOEJPEPTJFMSFDUJGJDBEPSTVNJOJTUSBVOBIcd="BVOWPMUBKFEFTBMJEBEFVcd=7

Solución
1BSBVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPq=FOMBTFDVBDJPOFT 
B 

 a. $PO MB FDVBDJÓO 


 Vcd = Vm F IDE = Vm/R $PO MB FDVBDJÓO 
 VSNT =
VmFISNT=Vm/R$POMBFDVBDJÓO 
PDE= Vm
/RDPOMBFDVBDJÓO

PDB= Vm
/R,ZDPOMBFDVBDJÓO 
MBFGJDJFODJBFT
(0.827Vm)2
η = = 96.77%
(0.84068Vm)2

 b. $POMBFDVBDJÓO 


FM''==P
c. $POMBFDVBDJÓO 
FMRF = 21.01652 − 1 = 0.1824 = 18.24%.
d. &M WPMUBKF SNT EFM TFDVOEBSJP EFM USBOTGPSNBEPS  Vs = Vm/12 = 0.707Vm. $PO MB FDVBDJÓO

MBDPSSJFOUFSNTEFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFT
0.4854Vm
Is = 0.4854Im =
R
  -BDBQBDJEBEEFWPMUTBNQFSFTEFMUSBOTGPSNBEPSQBSBq=FT

0.4854Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm ×
R
3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 97

  $POMBFDVBDJÓO 


0.8272
TUF = = 0.6643
3 × 0.707 × 0.4854
0.840682
PF = = 0.6844
3 × 0.707 × 0.4854

 e. &MWPMUBKFJOWFSTPQJDPEFDBEBEJPEPFTJHVBMBMWBMPSQJDPEFMWPMUBKFMÎOFBBMÎOFBEFMTFDVOEB-
SJP-PTDJSDVJUPTUSJGÃTJDPTTFSFQBTBOFOFM"QÊOEJDF"&MWPMUBKFEFMÎOFBBMÎOFBFT 13WFDFT
FMWPMUBKFEFGBTFZQPSDPOTJHVJFOUF FMPIV = 13 Vm.
 f. -BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFDBEBEJPEPFT

π/q
2 1 π
ID(prom) = Im cos ωt d(ωt) = Im sen ()
2π L0 π q

1BSBq= ID QSPN


=Im-BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFDBEBEJPEPFTID(prom
=="
ZÊTUBEBMBDPSSJFOUFQJDPDPNPIm=="

Ejemplo 3.6 Cómo determinar la serie de Fourier de un rectificador de q fases


 a. &YQSFTF FM WPMUBKF EF TBMJEB EF VO SFDUJGJDBEPS EF q GBTFT EF MB GJHVSB B FO VOB TFSJF EF
'PVSJFS
 b. 4Jq= Vm=7 ZMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOFTf=)[ EFUFSNJOFFMWBMPSSNTEFM
BSNÓOJDPEPNJOBOUFZTVGSFDVFODJB

Solución
 a. -BGJHVSBCNVFTUSBMBTGPSNBTEFPOEBQBSBqQVMTPTZMBGSFDVFODJBEFMBTBMJEBFTqWFDFTFM
DPNQPOFOUFGVOEBNFOUBM qf
1BSBEFUFSNJOBSMBTDPOTUBOUFTEFMBTFSJFEF'PVSJFSJOUFHSBNPT
BQBSUJSEFmπ/qBπ/qZMBTDPOTUBOUFTTPO

bn = 0
π/q
1
an = V cos ωt cos nωt d(ωt)
π/q L−π/q m
qVm sen[(n − 1)π/q] sen[(n + 1)π/q]
= e + f
π n − 1 n +1
qVm (n + 1) sen[(n − 1)π/q] + (n − 1) sen[(n + 1)π/q]
=
π n2 − 1

  %FTQVÊTEFTJNQMJGJDBSTFBQMJDBOMBTTJHVJFOUFTSFMBDJPOFTUSJHPOPNÊUSJDBT 

sen(A + B) = sen A cos B + cos A sen B


Z

sen(A − B) = sen A cos B − cos A sen B


PCUFOFNPT

π π
an sen sen b
2qVm nπ nπ
an = cos − cos ()
π(n2 − 1) q q q q
98 Capítulo 3 Diodos rectificadores

  1BSBVOSFDUJGJDBEPSDPOqQVMTPTQPSDJDMP MPTBSNÓOJDPTEFMWPMUBKFEFTBMJEBTPOFMqÊTJNP 
qÊTJNP qÊTJNP ZqÊTJNP ZMBFDVBDJÓO 
FTWÃMJEBQBSBn= q q q&MUÊSNJOP
TFO nπ/q
=TFOπ=ZMBFDVBDJÓOFT

− 2qVm π
acos sen b

an =
π(n − 1)
2 q q

&MDPNQPOFOUFEFDETFEFUFSNJOBDPOn=ZFT

a0 q π
Vcd = = Vm sen ()
2 π q

MBDVBMFTJHVBMBMBFDVBDJÓO 
-BTFSJFEF'PVSJFSEFMWPMUBKFEFTBMJEBvTFFYQSFTBDPNP

a0 ∞
v0(t) = + a an cos nωt
2 n =q,2q, c

  4VTUJUVZFOEPFMWBMPSEFan PCUFOFNPT


π
sen a1 −
q 2 nπ
 v0 = Vm a cos cos nωtb  

π q n =q,2q, c n − 1
2 q

b. $POq= FMWPMUBKFEFTBMJEBTFFYQSFTBDPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos 12ωt + g b


2 2
cos 6ωt − ()
35 143

&MTFYUPBSNÓOJDPFTFMEPNJOBOUF&MWBMPSSNTEFVOWPMUBKFTFOPJEBMFT1/12WFDFTTVNBHOJUVE
QJDP ZFMSNTEFMTFYUPBSNÓOJDPFTV6h = 0.9549Vm × 2/(35 × 12) = 6.56 V ZTVGSFDVFODJBFTf =
f=)[

Puntos clave de la sección 3.6


 r 6OSFDUJGJDBEPSQPMJGÃTJDPJODSFNFOUBMBDBOUJEBEEFDPNQPOFOUFTEFDEZSFEVDFMBDBO-
UJEBE EF MPT DPNQPOFOUFT BSNÓOJDPT &M WPMUBKF EF TBMJEB EF VO SFDUJGJDBEPS EF q GBTFT
DPOUJFOFBSNÓOJDPTDVZBTGSFDVFODJBTTPONÙMUJQMPTEFq qWFDFTMBGSFDVFODJBEFBMJNFO-
UBDJÓO
qf

3.7 RECTIFICADORES TRIFÁSICOS


1PSMPDPNÙO VOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPTFVUJMJ[BFOBQMJDBDJPOFTEFBMUBQPUFODJBZTFNVFTUSB
FOMBGJHVSB­TUFFTVOrectificadorEFonda completa1VFEFGVODJPOBSDPOPTJOUSBOTGPS-
NBEPSZQSPEVDFSJ[PTEFTFJTQVMTPTFOFMWPMUBKFEFTBMJEB-PTEJPEPTTFOVNFSBOFOPSEFOEF
TFDVFODJBTEFDPOEVDDJÓOZDBEBVOPDPOEVDFEVSBOUFHSBEPT-BTFDVFODJBEFDPOEVDDJÓO
EFMPTEJPEPTFTD−D D−D D−D D−D D−D ZD−D&MQBSEFEJPEPT
RVFFTUÃODPOEVDJFOEPTPOUBMRVFFMWPMUBKFFOTVTUFSNJOBMFTFTFMNÃTQPTJUJWPZFMNÃTOFHB-
UJWP&MWPMUBKFEFMÎOFBBMÎOFBFT13WFDFTFMWPMUBKFEFGBTFEFVOBGVFOUFUSJGÃTJDBDPOFDUBEB
FO:-BGJHVSBNVFTUSBMBTGPSNBTEFPOEBZMPTUJFNQPTEFDPOEVDDJÓOEFMPTEJPEPT<>
3.7 Rectificadores trifásicos 99

id1 io
Primario Secundario

ic
a c D1 D3 D5

vcn

n a ia R vo
  van 
vbn
b 
D4 D6 D2
b ib
c 

FIGURA 3.11
3FDUJGJDBEPSUSJGÃTJDP

Diodos que 56 61 12 23 34 45
conducen on
vcb vab vac vbc vba vca
3Vm

0
t
 2
 3Vm
 3
vL 2 2
3Vm

0
 2  4 5 2 t
3 3 3 3

ia
Corriente de línea
3Vm
R

0
 2  4 5 2  t
3 3 3 3
 3Vm
R
id1
Corriente de diodo

0
  7 2  t
3 3

FIGURA 3.12
'PSNBTEFPOEBZUJFNQPTEFDPOEVDDJÓOEFMPTEJPEPT
100 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4J Vm FT FM WBMPS QJDP EFM WPMUBKF EF GBTF  FOUPODFT MPT WPMUBKFT EF GBTF JOTUBOUÃOFPT TF
EFTDSJCFODPNPTJHVF
van = Vm sen(ωt) vbn = Vm sen(ωt − 120°) vcn = Vm sen(ωt − 240°)

$PNPFMWPMUBKFEFMÎOFBBMÎOFBTFBEFMBOUB°BMWPMUBKFEFGBTF MPTWPMUBKFTJOTUBOUÃOFPTEF
MÎOFBBMÎOFBTFEFTDSJCFODPNPTJHVF

vab = 13 Vm sen(ωt + 30°) vbc = 13 Vm sen(ωt − 90°)


vca = 13 Vm sen(ωt − 210°)

&MWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTFEFUFSNJOBDPNPTJHVF
π/6
2
Vcd = 13 Vm cos ωt d(ωt)
2π/6 L0
313
 = V = 1.654Vm  

π m
EPOEFVmFTFMWPMUBKFEFGBTFQJDP&MWPMUBKFEFTBMJEBSNTFT
π/6 1/2
Vrms = c 3V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/6 L0
913 1/2
=a b Vm = 1.6554Vm
3
 +  

2 4π

4JMBDBSHBFTQVSBNFOUFSFTJTUJWB MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊTEFVOEJPEPFTIm = 13 Vm/RZFM


WBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFFOFMEJPEPFT
π/6 1/2
ID(rms) = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
4
2π L0
1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6
 = 0.5518Im  

ZFMWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFFOFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFT 
π/6 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
8
2π L0
2 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6
 = 0.7804Im  

EPOEFImFTMBDPSSJFOUFEFMÎOFBQJDPFOFMTFDVOEBSJP
1BSBVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPq= MBFDVBDJÓO 
EBFMWPMUBKFEFTBMJEBJOTUBOUÃOFP
DPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos(12ωt) + g b 


2 2
 cos(6ωt) − 

35 143
3.7 Rectificadores trifásicos 101

Nota1BSBJODSFNFOUBSFMOÙNFSPEFQVMTPTFOMPTWPMUBKFTEFTBMJEBB TFDPOFDUBOFO
TFSJFEPTSFDUJGJDBEPSFTUSJGÃTJDPT-BFOUSBEBBVOSFDUJGJDBEPSFTVOTFDVOEBSJPDPOFDUBEP
FO:EFVOUSBOTGPSNBEPS ZMBFOUSBEBBMPUSPSFDUJGJDBEPSFTVOTFDVOEBSJPDPOFDUBEPFOEFMUB
EFVOUSBOTGPSNBEPS

Ejemplo 3.7 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico


6OSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPUJFOFVOBDBSHBSFTJTUJWBQVSBR%FUFSNJOF B
MBFGJDJFODJB C
FM'' D
FM3'
E
FM56' F
FMWPMUBKFJOWFSTPQJDP 1*7
EFDBEBEJPEP Z G
MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊTEFVOEJPEP
&MSFDUJGJDBEPSTVNJOJTUSBIDE="BVOWPMUBKFEFTBMJEBEFVDE =7ZMBGSFDVFODJBEFMB
GVFOUFFT)[

Solución
 a. $PO MB FDVBDJÓO 
 VDE = Vm F IDE = Vm/R $PO MB FDVBDJÓO 
 VSNT =
Vm F Io SNT
 = Vm/R $PO MB FDVBDJÓO 
 PDE = Vm
/R  DPO MB FDVBDJÓO

PDB = Vm
/RZDPOMBFDVBDJÓO 
MBFGJDJFODJBFT

(1.654Vm)2
η = = 99.83%
(1.6554Vm)2

 b. $POMBFDVBDJÓO 


FM''===
 c. $POMBFDVBDJÓO 
FMRF = 21.00082 − 1 = 0.04 = 4%.
 d. $POMBFDVBDJÓO 
FMWPMUBKFSNTEFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTVs =Vm$POMB
FDVBDJÓO 
MBDPSSJFOUFSNTEFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFT
Vm
Is = 0.7804Im = 0.7804 × 13
R
  -BDBQBDJEBE7"EFMUSBOTGPSNBEPS

Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm × 0.7804 × 13
R

  $POMBFDVBDJÓO 


1.6542
TUF = = 0.9542
3 × 13 × 0.707 × 0.7804
  &MGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEBFT
Pca 1.65542
PF = = = 0.956 (retraso)
VA 3 × 13 × 0.707 × 0.7804

e. $POMBFDVBDJÓO 


FMWPMUBKFQJDPEFMÎOFBBOFVUSPFTVm==7&MWPM-
UBKFJOWFSTPQJDPEFDBEBEJPEPFTJHVBMBMWBMPSQJDPEFMWPMUBKFEFMÎOFBBMÎOFBEFMTFDVOEBSJP 
PIV = 13 Vm = 13 × 169.7 = 293.9 V.
 f. -BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFDBEBEJPEPFT

π/6
4 2 π
ID(prom) − = Im cos ωt d(ωt) = Im sen = 0.3183Im
2π L0 π 6

-BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFDBEBEJPEPFTID QSPN
=="QPSDPOTJHVJFOUF MBDPSSJFOUF
QJDPFT*N=="
102 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Nota &TUF SFDUJGJDBEPS PGSFDF EFTFNQFÒPT DPOTJEFSBCMFNFOUF NFKPSBEPT FO DPNQBSB-


DJÓODPOMPTEFMSFDUJGJDBEPSQPMJGÃTJDPEFMBGJHVSBDPOTFJTQVMTPT

Puntos clave de la sección 3.7


 r 6OSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPIBNFKPSBEPDPOTJEFSBCMFNFOUFTVEFTFNQFÒPFODPNQBSBDJÓO
DPOFMEFMPTSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPT

3.8 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONECTADO A UNA CARGA RL


-BTFDVBDJPOFTEFSJWBEBTFOMBTFDDJÓOTFQVFEFOBQMJDBSQBSBEFUFSNJOBSMBDPSSJFOUFEFMB
DBSHBEFVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPDPOVOBDBSHBRL DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
&O
MBGJHVSBTFPCTFSWBRVFFMWPMUBKFEFTBMJEBFT
π 2π
vab = 12 Vab sen ωt para ≤ ωt ≤
3 3

EPOEFVabFTFMWPMUBKFSNTEFFOUSBEBEFMÎOFBBMÎOFB-BDPSSJFOUFFOMBDBSHBTFEFUFSNJOB
DPO
di0
L + Ri0 + E = 12 Vab sen ωt para i0 ≥ 0
dt

DVZBTPMVDJÓOUJFOFMBGPSNB

12Vab
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t − 
E
 

Z R

EPOEFMBJNQFEBODJBEFMBDBSHBZ=<R+ ωL
>ZFMÃOHVMPEFJNQFEBODJBEFMBDBSHBθ=
UBO− ωL/R
-BDPOTUBOUFAFOMBFDVBDJÓO 
TFEFUFSNJOBBQBSUJSEFMBDPOEJDJÓODPO
ωt=π i=I
12Vab π
A1 = c I0 + sen a − θb d e (R/L)(π/3ω)
E

R Z 3

Vy 4 io
ia
8
D1 D3 D5
0V R 2.5
van
1 6
0 ib
n 2 vo
L 1.5 mH
vbn 3
vcn
7
D4 D6 D2
ic Vx 10 V

FIGURA 3.13
3FDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPQBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF
3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 103

-BTVTUJUVDJÓOEFAFOMBFDVBDJÓO 
EB

12Vab 12Vab π
sen(ωt − θ) + c I0 + − sen a − θb d e (R/L)(π/3ω − t) −
E E
i0 =
Z R Z 3 R
 

&OVOBDPOEJDJÓOFTUBCMF i ωt=π


=i ωt=π
&TEFDJS i ωt=π
=I"QMJDBOEPFTUB
DPOEJDJÓOPCUFOFNPTFMWBMPSEFIDPNP

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ)e −(R/L)(π/3ω) E


 I0 = −(R/L)(π/3ω)
− para I0 ≥ 0 

Z 1 − e R

MBDVBM EFTQVÊTEFTVTUJUVJSFOMBFDVBDJÓO 


ZTJNQMJGJDBS EB

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ) (R/L)(π/3ω − t)


i0 = c sen(ωt − θ) + e d
Z 1 − e −(R/L)(π/3ω)
E
 − para π/3 ≤ ωt ≤ 2π/3 y i0 ≥ 0  

-BDPSSJFOUFSNTFOFMEJPEPTFEFUFSNJOBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNP
2π/3 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
2
2π L
π/3

ZMBDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBTFEFUFSNJOBFOUPODFTDPNCJOBOEPMBDPSSJFOUFSNTEFDBEBEJPEP
DPNP

Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 13 Ir

-BDPSSJFOUFQSPNFEJPFOFMEJPEPUBNCJÊOTFEFUFSNJOBDPOMBFDVBDJÓO 
DPNP
2π/3
2
ID(prom) = i d(ωt)
2π Lπ/3 0

Condiciones límite-BDPOEJDJÓOEFMBEJTDPOUJOVJEBEEFDPSSJFOUFTFEFUFSNJOBBOVMBOEPMB
DPSSJFOUFIFOMBFDVBDJÓO 

− θb − sen a − θb e − 1 L 2 1 3ω2
π
sen a
2π R π

12VAB . 3 3 E
D T − =0
Z −1 R
L 2 1 3ω 2
π
R
1 − e

MBDVBMTFQVFEFSFTPMWFSQBSBMBSFMBDJÓOEFWPMUBKF x = E/( 22VAB)DPNP

− θb − sen a − θb e − 1 3 tan(θ) 2
π
sen a
2π π

3 3
x(θ): = D T cos(θ)
1 − e − 1 3 tan(θ) 2
 π 

104 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Límite: Región discontinua/continua


1

0.95
Relación de voltaje de la carga

x() 0.9

0.85

0.8
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 
 2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.14
-ÎNJUFEFMBTSFHJPOFTDPOUJOVBZEJTDPOUJOVBQBSBVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDP

-BHSÃGJDBEFMBSFMBDJÓOEFWPMUBKFxFOGVODJÓOEFMÃOHVMPEFJNQFEBODJBθEFMBDBSHBTFNVFT-
USBFOMBGJHVSB&MÃOHVMPθEFMBDBSHBOPQVFEFTFSNBZPSRVFπ&MWBMPSEFxFTEF
DPOθ=SBE DPOθ= P
ZDPOθ=

Ejemplo 3.8 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico con
una carga RL
&MSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBUJFOFVOBDBSHBL=N) R=Ω Z
E=7&MWPMUBKFEFFOUSBEBEFMÎOFBBMÎOFBFTVab=7 )[ B
%FUFSNJOF 
MBDPSSJFOUFFTUBCMF
I0EFMBDBSHBDPOωt=π 
MBDPSSJFOUFQSPNFEJPFOFMEJPEPID QSPN
 
MBDPSSJFOUFSNTFOFMEJPEP
ID SNT
 
MBDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBIo SNT
Z 
FMGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEB1' C
6TF14QJDFQBSB
HSBGJDBSMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBEFTBMJEBio4VQPOHBMPTQBSÃNFUSPTEFEJPEP*4=&− #7=
7

Solución
 a. R=Ω L=N) f=)[ ω=π×=SBET Vab=7 Z=<R+ ωL
>
=Ω Zθ=UBO− ωL/R
=°
  1. -BDPSSJFOUFFTUBCMFEFDBSHBDPOωt=π I="
  2. -B JOUFHSBDJÓO OVNÊSJDB EF i FO MB FDVBDJÓO 
 EB MB DPSSJFOUF QSPNFEJP FO FM EJPEP
DPNPID QSPN
="%BEPRVFI> MBDPSSJFOUFEFDBSHBFTDPOUJOVB
  3. .FEJBOUF MB JOUFHSBDJÓO OVNÊSJDB EF i20 FOUSF MPT MÎNJUFT ωt = π Z π  PCUFOFNPT MB
DPSSJFOUFSNTFOFMEJPEPDPNPID SNT
="
3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 105

  4. -BDPSSJFOUFSNTEFTBMJEB ID(rms) = 13Io(rms) = 13 × 62.53 = 108.31 A.


  5. -BQPUFODJBEFDBEFMBDBSHBFTPac = I 2o(rms)R = 108.312 × 2.5 = 29.3 kW&MGBDUPSEFQP-
UFODJBEFFOUSBEBFT

Pca 29.3 × 103


PF = = = 0.92 (retraso)
312VsID(rms) 312 × 120 × 62.53

b. -BGJHVSBNVFTUSBFMSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPQBSBMBTJNVMBDJÓODPO14QJDF"DPOUJOVBDJÓOTF
EBMBMJTUBEFMBSDIJWPEFMDJSDVJUP

Ejemplo 3.8 Rectificador trifásico con carga RL


VAN 8 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
VBN 2 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 120DEG)
VCN 3 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 240DEG)
L 6 7 1.5MH
R 4 6 2.5
VX 7 5 DC 10V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 8 1 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 1 4 DMOD ; Modelo de diodo
D3 2 4 DMOD
D5 3 4 DMOD
D2 5 3 DMOD
D4 5 1 DMOD
D6 5 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1OUS 25MS 16.667MS 1OUS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.options ITL5=0 abstol = 1.000n reltol = .01 vntol = 1.000m
.END

-BGJHVSBNVFTUSBMBHSÃGJDBHFOFSBEBQPS14QJDFEFMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBEFTBMJEBi 
MBDVBMEBI=" DPNQBSBEBDPOFMWBMPSFTQFSBEPEF"&OMBTJNVMBDJÓODPO
14QJDFTFVUJMJ[ÓVOEJPEP%CSFBLQBSBJODMVJSMPTQBSÃNFUSPTEFEJPEPFTQFDJGJDBEPT

Puntos clave de la sección 3.8


 r 6OBDBSHBJOEVDUJWBQVFEFIBDFSRVFMBDPSSJFOUFEFMBDBSHBTFBDPOUJOVB&MWBMPSDSÎUJDP
EFMBDPOTUBOUFEFGVFS[BFMFDUSPNPUSJ[ FNG
EFMBDBSHBx =E/Vm
QBSBVOÃOHVMPEF
JNQFEBODJBEFDBSHBθEBEPFTNBZPSRVFFMEFVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPFTEFDJS x=
DPOθ=
 r $PO VOB DBSHB BMUBNFOUF JOEVDUJWB  MB DPSSJFOUF EF FOUSBEB EF VO SFDUJGJDBEPS TF USBOT-
GPSNBFOVOBPOEBDVBESBEBEFDBEJTDPOUJOVB
 r 1PSMPDPNÙO FMSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPTFVUJMJ[BFOBQMJDBDJPOFTJOEVTUSJBMFTRVFWBOEFTEF
L8IBTUBNFHBXBUUT&OMBUBCMBTFQSFTFOUBOMBTDPNQBSBDJPOFTEFSFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPTZUSJGÃTJDPT
106 Capítulo 3 Diodos rectificadores

112 A

108 A

104 A

100 A
I (VX)
300 V

280 V

260 V

240 V
16 ms 17 ms 18 ms 19 ms 20 ms 21 ms 22 ms 23 ms 24 ms 25 ms
V (4, 7) C1  18.062 m, 104.885
Tiempo C2  19.892 m, 110.911
dif  1.8300 m, 6.0260

FIGURA 3.15
(SÃGJDBHFOFSBEBQPS14QJDFQBSBFMFKFNQMP

TABLA 3.3 7FOUBKBTZEFTWFOUBKBTEFMPTSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPTZUSJGÃTJDPT

7FOUBKBT %FTWFOUBKBT

3FDUJGJDBEPS 1SPEVDFNÃTWPMUBKFEFTBMJEBZNÃT -BDBSHBOPTFQVFEFDPOFDUBSBUJFSSBTJO


USJGÃTJDP TBMJEBEFQPUFODJB IBTUBNFHBXBUUT VOUSBOTGPSNBEPSFOFMMBEPEFFOUSBEB
-BGSFDVFODJBEFSJ[PFTTFJTWFDFTMB .ÃTDPTUPTP EFCFVUJMJ[BSTFFOBQMJDBDJPOFT
GSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOZMBTBMJEB RVFMPSFRVJFSBO
DPOUJFOFNFOPTDPOUFOJEPEFSJ[PT
&MGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEBFT
NÃTBMUP

3FDUJGJDBEPS "EFDVBEPQBSBBQMJDBDJPOFTJOEVT- -BDBSHBOPTFQVFEFDPOFDUBSBUJFSSBTJO


NPOPGÃTJDP USJBMFTIBTUBEFL8 VOUSBOTGPSNBEPSFOFMMBEPEFFOUSBEB
-BGSFDVFODJBEFSJ[PFTEPTWFDFTMB "VORVFOPTFSFRVJFSFVOUSBOTGPSNBEPSFO
GSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓO FMMBEPEFFOUSBEBQBSBRVFGVODJPOFFMSFD-
UJGJDBEPS TFTVFMFDPOFDUBSVOPQBSBBJTMBS
4FODJMMPEFVTBSFOVOJEBEFTDPNFS-
FMÊDUSJDBNFOUFMBDBSHBRVFQSPWJFOFEFMB
DJBMNFOUFEJTQPOJCMFT
BMJNFOUBDJÓO

3.9 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA


$POVOBDBSHBBMUBNFOUFJOEVDUJWB MBDPSSJFOUFEFMBDBSHBEFVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPRVFBQB-
SFDFFOMBGJHVSBTFSÃDPOUJOVB DPODPOUFOJEPJOTJHOJGJDBOUFEFSJ[P
3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 107

&OMBGJHVSBTFNVFTUSBMBGPSNBEFPOEBEFMBDPSSJFOUFEFMÎOFB MBDVBMFTTJNÊUSJDB
DPOVOÃOHVMP q=p
DVBOEPFMWPMUBKFEFGBTFTFWVFMWFDFSP OPBTÎDVBOEPFMWPMUBKFEF
MÎOFBBMÎOFBvabTFWVFMWFDFSP1PSDPOTJHVJFOUF QBSBTBUJTGBDFSMBDPOEJDJÓOEFf x +π
=f x

MBDPSSJFOUFEFFOUSBEBTFEFTDSJCFQPS

π 5π
is(t) = Ia para ≤ ωt ≤
6 6
7π 11π
is(t) = − Ia para ≤ ωt ≤
6 6

MBDVBMTFFYQSFTBFOVOBTFSJFEF'PVSJFSDPNP
∞ ∞
is(t) = Icd + a (an cos(nωt) + bn sen(nωt)) = a cn sen(nωt + ϕn)
n =1 n =1

EPOEFMPTDPFGJDJFOUFTTPO
2π 2π
1 1
Icd = is(t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 2π L0 a
5π 11π

is(t) cos(nωt) d(ωt) = c π Ia cos(nωt) d(ωt) − 7π Ia cos(nωt) d(ωt)d = 0
1 1 6 6
an =
π L0 π L6 L6
5π 11π

is(t) sen(nωt) d(ωt) = c π Ia sen(nωt) d(ωt) − 7π Ia sen(nωt) d(ωt) d
1 1 6 6
bn =
π L0 π L6 L6

MBDVBM EFTQVÊTEFJOUFHSBSMBZTJNQMJGJDBSMBEBbnDPNP

− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
bn = para n = 1, 5, 7, 11, 13, c
nπ 2 3
bn = 0 para n = 2, 3, 4, 6, 8, 9, c
− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
cn = 2(an)2 + (bn)2 =
nπ 2 3

ϕn = arctan a b =0
an
bn

1PSDPOTJHVJFOUF MBTFSJFEF'PVSJFSEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBFTUÃEBEBQPS

a
413Ia sen(ωt) sen(5ωt) sen(7ωt)
is = − −
2π 1 5 7

− g b
sen(11ωt) sen(13ωt) sen(17ωt)
 + + − 

11 13 17

&MWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBBSNÓOJDBn-ÊTJNBFTUÃEBEPQPS

1 212Ia nπ
 Isn = (a2n + b2n)1/2 = sen  

12 nπ 3
108 Capítulo 3 Diodos rectificadores

&MWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFGVOEBNFOUBMFT

16
Is1 = I = 0.7797Ia
π a

-BDPSSJFOUFSNTEFFOUSBEB

5π/6 1/2
Is = c I 2a d(ωt) d
2 2
= Ia = 0.8165Ia
2π L
π/6 A3
Is 2 1/2
π 2 1/2
HF = c a b − 1 d = c a b − 1 d = 0.3108 o 31.08%
Is1 3
DF = cos ϕ1 = cos(0) = 1
Is1 0.7797
PF = cos(0) = = 0.9549
Is 0.8165

Nota4JDPNQBSBNPTFM1'DPOFMEFMFKFNQMP EPOEFMBDBSHBFTQVSBNFOUFSFTJTUJWB 
PCTFSWBNPTRVFFM1'EFFOUSBEBEFQFOEFEFMÃOHVMPEFMBDBSHB$POVOBDBSHBQVSBNFOUF
SFTJTUJWB 1'=

Puntos clave de la sección 3.9


 r $POVOBDBSHBBMUBNFOUFJOEVDUJWB MBDPSSJFOUFEFFOUSBEBEFVOSFDUJGJDBEPSTFUSBOT-
GPSNBFOVOBPOEBDVBESBEBEFDB&MGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEBEFVOSFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDPFT FMDVBMFTNBZPSRVFFOVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDP

3.10 COMPARACIONES DE DIODOS RECTIFICADORES


&MPCKFUJWPEFVOSFDUJGJDBEPSFTQSPEVDJSVOWPMUBKFEFTBMJEBEFDBBVOBQPUFODJBEFTBMJEB
EFDEEBEB1PSDPOTJHVJFOUF FTNÃTDPOWFOJFOUFFYQSFTBSMPTQBSÃNFUSPTEFEFTFNQFÒPFO
GVODJÓOEFVcdZPcd1PSFKFNQMP MBDBQBDJEBEZSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPSFOVO
DJSDVJUPEFSFDUJGJDBEPSTPOGÃDJMFTEFEFUFSNJOBSTJFMWPMUBKFSNTEFFOUSBEBBMSFDUJGJDBEPSFTUÃ
FOGVODJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEBSFRVFSJEPVcd&OMBUBCMBTFSFTVNFOMPTQBSÃNFUSPTJNQPS-
UBOUFT<>%FCJEPBTVTNÊSJUPTSFMBUJWPT QPSMPDPNÙOTFVTBOMPTSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPT
ZUSJGÃTJDPT

Puntos clave de la sección 3.10


 r -PTSFDUJGJDBEPSFTNPOPGÃTJDPTZUSJGÃTJDPT DVZPTNÊSJUPTTPOSFMBUJWPT QPSMPDPNÙOTF
VUJMJ[BOQBSBDPOWFSTJÓOEFDBBDE

3.11 DISEÑO DE UN CIRCUITO RECTIFICADOR


&MEJTFÒPEFVOSFDUJGJDBEPSDPOMMFWBEFUFSNJOBSMBTDBQBDJEBEFTEFEJPEPTTFNJDPOEVDUPSFT
/PSNBMNFOUF MBTDBQBDJEBEFTEFEJPEPTTFFTQFDJGJDBOFOGVODJÓOEFMBDPSSJFOUFQSPNFEJP MB
DPSSJFOUFSNT MBDPSSJFOUFQJDPZFMWPMUBKFQJDPJOWFSTP/PFYJTUFOQSPDFEJNJFOUPTFTUÃOEBSEF
EJTFÒP BVORVFTFSFRVJFSFEFUFSNJOBSMBTGPSNBTEFMBTDPSSJFOUFTZWPMUBKFTEFMEJPEP
3.11 Diseño de un circuito rectificador 109

TABLA 3.4 Parámetros de desempeño de diodos rectificadores con una carga resistiva

Rectificador monofásico Rectificador


con transformador Rectificador de seis fases Rectificador
Parámetros de desempeño de derivación central monofásico en estrella trifásico
Voltaje inverso pico
repetitivo, VRRM 3.14Vcd 1.57Vcd 2.09Vcd 1.05Vcd
Voltaje rms de
entrada por la pata del
transformador, Vs 1.11Vcd 1.11Vcd 0.74Vcd 0.428Vcd
Corriente promedio
en el diodo, ID(prom ) 0.50Icd 0.50Icd 0.167Icd 0.333Icd
Corriente pico repetitiva
en sentido directo, IFRM 1.57Icd 1.57Icd 6.28Icd 3.14Icd
Corriente rms en el
diodo, ID(rms) 0.785Icd 0.785Icd 0.409Icd 0.579Icd
Factor de forma
de la corriente de
diodo, ID(rms)/ID(prom) 1.57 1.57 2.45 1.74
Relación de rectificación, η 0.81 0.81 0.998 0.998
Factor de forma, FF 1.11 1.11 1.0009 1.0009
Factor de rizo, RF 0.482 0.482 0.042 0.042
Capacidad del primario
del transformador, VA 1.23Pcd 1.23Pcd 1.28Pcd 1.05Pcd
Capacidad del secundario
del transformador, VA 1.75Pcd 1.23Pcd 1.81Pcd 1.05Pcd
Frecuencia de rizo
de salida, fr 2fs 2fs 6fs 6fs

&OMBTFDVBDJPOFT 
Z 
PCTFSWBNPTRVFMBTBMJEBEFMPTSFDUJGJDBEPSFTDPOUJFOF
BSNÓOJDPT4FQVFEFOVUJMJ[BSGJMUSPTQBSBTVBWJ[BSFMWPMUBKFEFDEEFTBMJEBEFMSFDUJGJDBEPSZ
ÊTUPTTFDPOPDFODPNPfiltros de cd1PSMPDPNÙOMPTGJMUSPTEFDETPOEFMUJQPL C,ZLC DPNP
TF NVFTUSB FO MB GJHVSB  %FCJEP B MB BDDJÓO EF SFDUJGJDBDJÓO  MB DPSSJFOUF EF FOUSBEB EFM
SFDUJGJDBEPSUBNCJÊODPOUJFOFBSNÓOJDPTZTFVUJMJ[BVOfiltro de caQBSBFMJNJOBSBMHVOPTEFMPT
BSNÓOJDPTEFMTJTUFNBEFBMJNFOUBDJÓO&MGJMUSPEFDBTVFMFTFSEFMUJQPLC DPNPTFNVFTUSB
FOMBGJHVSB
/PSNBMNFOUF  FM EJTFÒP EFM GJMUSP SFRVJFSF EFUFSNJOBS MBT NBHOJUVEFT Z GSFDVFODJBT EF
MPT BSNÓOJDPT -PT QBTPT JNQMJDBEPT FO FM EJTFÒP EF SFDUJGJDBEPSFT Z GJMUSPT TF FYQMJDBO DPO
FKFNQMPT

Le Le

⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹

vo vR R vo Ce vR R vo Ce vR R

⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺
(a) (b) (c)

FIGURA 3.16
'JMUSPTEFDE
110 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li

⫹ ⫹

vs ⫽ Vm sen ␻t Ci Rectificador vo

⫺ ⫺

FIGURA 3.17
'JMUSPTEFDB

Ejemplo 3.9 Cómo determinar las capacidades de diodos a partir de sus corrientes
6OSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPBMJNFOUBVOBDBSHBBMUBNFOUFJOEVDUJWBEFUBMNPEPRVFMBDPSSJFOUFQSPNFEJPB
USBWÊTEFMBDBSHBFTIDE="ZFMDPOUFOJEPEFSJ[PFTJOTJHOJGJDBOUF%FUFSNJOFMBTDBQBDJEBEFTEFMPT
EJPEPTTJFMWPMUBKFEFMÎOFBBOFVUSPEFMBGVFOUFDPOFDUBEBFO:FTEF7B)[

Solución
&OMBGJHVSBTFNVFTUSBOMBTDPSSJFOUFTBUSBWÊTEFMPTEJPEPT-BDPSSJFOUFQSPNFEJPEFVOEJPEPFT
Id=="-BDPSSJFOUFSNTFT
π 1/2
Ir = c I 2cd d(ωt) d =
1 Icd
= 34.64 A
2π Lπ/3 13

&M PIV = 13 Vm = 13 × 12 × 120 = 294 V.

id1
Ia Ia ⫽ Icd

0 ␻t
␲ 2␲ ␲ 4␲ 5␲ 2␲
id2
3 3 3 3
Ia T

0 ␻t
id3
Ia

0 ␻t
id4

0 ␻t
id5
Ia

0 ␻t
id6
Ia

0 ␻t

FIGURA 3.18
$PSSJFOUFBUSBWÊTEFEJPEPT

Nota:&MGBDUPSEF 12TFVUJMJ[BQBSBDPOWFSUJSSNTFOWBMPSQJDP
3.11 Diseño de un circuito rectificador 111

Ejemplo 3.10 Cómo determinar las corrientes promedio y rms a través de un diodo a partir de
las formas de onda
-BGJHVSBNVFTUSBMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFVOEJPEP%FUFSNJOF B
MBDPSSJFOUFSNTZ C
MBDPSSJFOUF
QSPNFEJPBUSBWÊTEFMEJPEPTJt=μT t=μT t=μT f=)[ fs=L)[ Im=" F
Ia="

Solución
 a. &MWBMPS SNTTFEFGJOFDPNP
t t
1/2
ID(rms) = c I 2a dt d 
1 3
1 2 1
 (Im sen ωs t) dt + 

T L0 T Lt2
= (I 2t1 + I 2t2)1/2

  EPOEFωs=πfs= SBET t=π/ωs=μTZT=f

t 1/2
ID1(rms) = c (Im sen ωs t) dt d = Im
1 1
2 ft 1
  

T L0 A2
= 50.31 A

Z
t 2
ID2(rms) = a
3
1
 Ia dtb = Ia 2f(t 3 − t 2)  

TLt2

= 29.05 A

  4VTUJUVZFOEPMBTFDVBDJPOFT 
Z 
FOMBFDVBDJÓO 
FMWBMPSSNTFT

I 2m ft 1 1/2
 ID(rms) = c + I 2a f(t 3 − t 2) d  

2
= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A

 b. -BDPSSJFOUFQSPNFEJPTFDBMDVMBBQBSUJSEF
t t
ID(prom) = c Ia dt d
1 3
1 1
(Im sen ωs t) dt +
T L0 TLt2
= ID1(prom) + ID2(prom)

i i1 ⫽ Im sen ␻st
Im
i2
Ia

0 t
t1 t2 t3 T T ⫹ t1
T ⫽ 1/f

FIGURA 3.19
'PSNBEFPOEBEFDPSSJFOUF
112 Capítulo 3 Diodos rectificadores

  EPOEF
t1
1 I f
 Id1 =  ωs t) dt = m
(Im sen 

T L0 πfs
3 t
1
 Id2 = I dt = Ia f(t 3 − t 2)  

T Lt2 a

  1PSDPOTJHVJFOUF MBDPSSJFOUFQSPNFEJPFT

Im f
Icd = + Ia f(t 3 − t 2) = 7.16 + 5.63 = 12.79 A
πfs

Ejemplo 3.11 Cómo determinar la inductancia de la carga para limitar el contenido de


corriente de rizo
&MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPTFBMJNFOUBEFVOBGVFOUFEF7 )[-BSFTJTUFODJBEFMBDBSHBFTR=
Ω$BMDVMFFMWBMPSEFVOJOEVDUPSFOTFSJFLRVFMJNJUBMBDPSSJFOUFEFSJ[PIDBBNFOPTEFEFIDE

Solución
-BJNQFEBODJBEFMBDBSHB

 Z = R + j(nωL) = 2R2 + (nωL)2 θn 

Z
nωL
 θn = tan−1  

R
ZMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBFT

c
4Vm 1 1
 i0(t) = Icd − cos(2ωt − θ2) + cos(4ωt − θ4) cd  

π 2R + (nωL)
2 2 3 15

EPOEF

Vcd 2Vm
Icd = =
R πR

-BFDVBDJÓO 
EBFMWBMPSSNTEFMBDPSSJFOUFEFSJ[PDPNP

(4Vm)2 1 2 (4Vm)2 1 2
I 2ca = a b + a b + g
2π [R + (2ωL) ] 3
2 2 2
2π [R + (4ωL) ] 15
2 2 2

$POTJEFSBOEPTÓMPFMBSNÓOJDPEFNFOPSPSEFO n=
UFOFNPT

a b
4Vm
1
Ica =
12π 2R + (2ωL) 32 2

4JTFVUJMJ[BFMWBMPSEFIDEZMVFHPTFTJNQMJGJDB FMGBDUPSEFSJ[PFT

Ica 0.4714
RF = = = 0.05
Icd 21 + (2ωL/R)2
3.11 Diseño de un circuito rectificador 113

$POR=ΩZf=)[ FMWBMPSEFMBJOEVDUBODJBTFPCUJFOFDPNP=<+ ××


πL
>ZFTUPEBL=)
&OMBFDVBDJÓO 
TFWFRVFVOBJOEVDUBODJBFOMBDBSHBPGSFDFVOBBMUBJNQFEBODJBBMBTDPS-
SJFOUFTBSNÓOJDBTZBDUÙBDPNPVOGJMUSPBMSFEVDJSMPTBSNÓOJDPT4JOFNCBSHP FTUBJOEVDUBODJBSFUBSEB
MBDPSSJFOUFEFDBSHBDPOSFTQFDUPBMWPMUBKFEFFOUSBEB ZFOFMDBTPEFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFNFEJB
POEB  TF SFRVJFSF VO EJPEP EF DPOEVDDJÓO MJCSF QBSB QSPQPSDJPOBS VOB USBZFDUPSJB QBSB FTUB DPSSJFOUF
JOEVDUJWB

Ejemplo 3.12 Cómo determinar la capacitancia del filtro para limitar la cantidad de voltaje de
rizo de salida
6OSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPTFBCBTUFDFEFVOBGVFOUFEF7 )[-BSFTJTUFODJBEFMBDBSHBFTR=
Ω B
%JTFÒFVOGJMUSPCEFNPEPRVFFMGBDUPSEFSJ[PEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFBNFOPSRVF C

DPOFMWBMPSEFMDBQBDJUPSCEFMJODJTP B
DBMDVMFFMWPMUBKFQSPNFEJPEFMBDBSHBVDE

Solución
 a. $VBOEPFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPvsFOMBGJHVSBBFTNBZPSRVFFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFMDBQB-
DJUPSvo MPTEJPEPT DZDPDZD
DPOEVDFOFOUPODFTFMDBQBDJUPSTFDBSHBEFTEFMBGVFOUF
4JFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFBMJNFOUBDJÓOvsDBFQPSEFCBKPEFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFMDBQBDJUPS
vo MPTEJPEPT DZDPDZD
QPMBSJ[BOBMBJOWFSTBZFMDBQBDJUPSCeTFEFTDBSHBBUSBWÊTEF
MBSFTJTUFODJBEFMBDBSHBRL&MWPMUBKFEFMDBQBDJUPSvoWBSÎBFOUSFVOWBMPSNÎOJNPVo NÎO
ZVO
WBMPSNÃYJNPVo NÃY
MPDVBMTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC
    &MWPMUBKFEFSJ[PEFTBMJEB FMDVBMFTMBEJGFSFODJBFOUSFFMWPMUBKFNÃYJNPVo NÃY
ZFMWPM-
UBKFNÎOJNPVo NÎO
TFQVFEFFTQFDJGJDBSEFEJGFSFOUFTNBOFSBT DPNPTFNVFTUSBFOMBUBCMB
    4VQPOHBNPTRVFtcFTFMUJFNQPEFDBSHBZRVFtdFTFMUJFNQPEFEFTDBSHBEFMDBQBDJUPS
CF. &MDJSDVJUPFRVJWBMFOUFEVSBOUFFMQSPDFTPEFDBSHBTFNVFTUSBFOMBGJHVSBD%VSBOUF
FMJOUFSWBMPEFDBSHB FMDBQBDJUPSTFDBSHBEFTEFVo NÎO
IBTUBVm4VQPOHBNPTRVFBVOÃO-
HVMPα SBET
FMWPMUBKFEFFOUSBEBRVFFTUÃDBNCJBOEPBQPTJUJWPFTJHVBMBMWPMUBKFNÎOJNP
EFMDBQBDJUPSVo NÎO
BMGJOBMEFMBEFTDBSHBEFMDBQBDJUPS$POGPSNFFMWPMUBKFEFFOUSBEBTVCF
TFOPJEBMNFOUFEFTEFIBTUBVm FMÃOHVMPαTFQVFEFEFUFSNJOBSDPO

Vo(mín)
 Vo(mín) = Vm sen (α) o α = sen−1a b 

Vm

"MSFEFGJOJSFMPSJHFOEFMUJFNQP ωt=
BVOÃOHVMPπDPNPFMDPNJFO[PEFMJOUFSWBMP 
QPEFNPTEFEVDJSMBDPSSJFOUFEFEFTDBSHBBQBSUJSEFMBTEFTDBSHBTFYQPOFODJBMNFOUFEFMDBQB-
DJUPSBUSBWÊTEFR
1
i dt − vC(t = 0) + RL io = 0
Ce L o

  MBDVBM DPOVOBDPOEJDJÓOJOJDJBMEFvC ωt =


=Vm EB

Vm − t/R C
io = e L e
para 0 ≤ t ≤ t d
R

&MWPMUBKFEFTBMJEBJOTUBOUÃOFP PEFMDBQBDJUPS
voEVSBOUFFMQFSJPEPEFEFTDBSHBTFDBMDVMB
DPO

 vo(t) = RLio = Vm e −t/RLCe 

114 Capítulo 3 Diodos rectificadores

D io

vs
⫹ ⫹
vm
vs Ce RL vo

⫺ 0 ␻t ⫺

(a) Modelo del circuito

vo Vo(máx) Vo(mín)

␲ 2␲ 3␲ ␻t
tc td
T
vr 2
Vr(pp)

(b) Formas de onda del rectificador de onda completa

D1 D2 io io

vs ⫹

⬃ Ce vc Ce

Vm RL

0 ⫺
␻t

(c) Recarga (d) Descarga

FIGURA 3.20
3FDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPDPOGJMUSPC

TABLA 3.5 5ÊSNJOPTQBSBNFEJSWPMUBKFEFSJ[PEFTBMJEB

%FGJOJDJÓOEFMPTUÊSNJOPT 3FMBDJÓO
7BMPSQJDPEFMWPMUBKFEFTBMJEB Vo(máx) = Vm
7PMUBKFEFSJ[PEFTBMJEBEFQJDPBQJDP Vr pp
Vr(pp) = Vo(máx) − Vo(mín) = Vm − Vo(mín)
'BDUPSEFSJ[PEFMWPMUBKFEFTBMJEB Vr(pp) Vm − Vo(mín) Vo(mín)
RFv = = =1 −
Vm Vm Vm

7BMPSNÎOJNPEFMWPMUBKFEFTBMJEB Vo(mín) = Vm(1 − RFv)


3.11 Diseño de un circuito rectificador 115

  -B GJHVSB E NVFTUSB FM DJSDVJUP FRVJWBMFOUF EVSBOUF MB EFTDBSHB 1PEFNPT EFUFSNJOBS FM
UJFNQPEFEFTDBSHBtdPFMÃOHVMPEFEFTDBSHBβ SBET
DPNP
 ω t d = β = π/2 + α 

  &OFMJOTUBOUFt=td vo t
FOMBFDVBDJÓO 
TFWVFMWFJHVBMBVo NÎO
ZQPEFNPTSFMBDJPOBStd
DPOVo NÎO
NFEJBOUF

 v0 (t = t d) = V0(mín) = Vm e −td/RLCe  

  MBDVBMEBFMUJFNQPEFEFTDBSHBtdDPNP

t d = RL Ce ln a b
Vm
 

Vo(mín)

  4JJHVBMBNPTtdFOMBFDVBDJÓO 
QBSBtdFOMBFDVBDJÓO 
PCUFOFNPT

Vo(mín)
ω RL Ce ln a b = π/2 + α = π/2 + sen−1 a b
Vm
 

Vo(mín) Vm

  1PSDPOTJHVJFOUF FMGJMUSPEFDBQBDJUPSCeTFEFUFSNJOBDPO

Vo(mín)
π/2 + sen−1 a b
Vm
 Ce =  

ω RL ln a b
Vm
Vo(mín)

  3FEFGJOJFOEPFMPSJHFOEFMUJFNQP ωt=
FOπDVBOEPDPNJFO[BFMJOUFSWBMPEFEFTDBSHB 
QPEFNPTEFUFSNJOBSFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJP Vo QSPN
DPO

β π
£ cos(ωt) d(ωt) § 
Vm ωt
 Vo(prom) = e − R C d(ωt) +
L e 

π L 0 Lβ

3 ωRLCe 1 1 − e − ωR C 2 + sen β4
Vm β
= L e

  -BTFDVBDJPOFTBOUFSJPSFT<&DTZ>QBSBCZVo QSPN
TPOOPMJOFBMFT1PEFNPTEFSJWBS
FYQSFTJPOFTTJNQMFTFYQMÎDJUBTQBSBFMWPMUBKFEFSJ[PFOGVODJÓOEFMWBMPSEFMDBQBDJUPSTJTVQP-
OFNPTMPTJHVJFOUF
   r tcFTFMUJFNQPEFSFDBSHBEFMDBQBDJUPSCe
   r tdFTFMUJFNQPEFEFTDBSHBEFMDBQBDJUPSCe
  4JTVQPOFNPTRVFFMUJFNQPEFSFDBSHBtcFTQFRVFÒPDPNQBSBEPDPOFMUJFNQPEFEFTDBSHBtd 
FTEFDJS td>>tc MPRVFHFOFSBMNFOUFFTFMDBTP QPEFNPTSFMBDJPOBStcZtdDPOFMQFSJPEPTEF
MBBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEBDPNP

 t d = T/2 − t c ≈ T/2 = 1/2f  

  6UJMJ[BOEPMBFYQBOTJÓOFOTFSJFEF5BZMPSEFe−x=mxQBSBVOWBMPSQFRVFÒPEFx<< MB
FDVBDJÓO 
TFTJNQMJGJDBDPNP

Vo(mín) = Vm e −td/RLCe = Vm a1 − b
td
 

RLCe
116 Capítulo 3 Diodos rectificadores

  MBDVBMEBFMWPMUBKFEFSJ[PQJDPBQJDP Vr QQ
DPNP

td Vm
 Vr(pp) = Vm − Vo(mín) = Vm =  

RLCe 2fRLCe

  4FQVFEFVTBSMBFDVBDJÓO 
QBSBEFUFSNJOBSFMWBMPSEFMDBQBDJUPSCeDPOVOBSB[POBCMF
FYBDUJUVEQBSBMBNBZPSÎBEFMPTQSPQÓTJUPTQSÃDUJDPTFOUBOUPFMGBDUPSEFSJ[PFTUÊEFOUSP
EF0CTFSWBNPTFOMBFDVBDJÓO 
RVFFMWPMUBKFEFSJ[PEFQFOEFJOWFSTBNFOUFEFMB
GSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓO f EFMBDBQBDJUBODJBEFMGJMUSPCe ZEFMBSFTJTUFODJBEFMBDBSHB RL
    4JTVQPOFNPTRVFFMWPMUBKFEFTBMJEBEFDSFDFMJOFBMNFOUFEFVo NÃY
=Vm
BVo NÎO
EV-
SBOUFFMJOUFSWBMPEFEFTDBSHB FMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTFEFUFSNJOBBQSPYJNBEBNFOUFB
QBSUJSEF

Vm + Vo(mín)
c V + Vm a1 − b d
1 td
 Vo(prom) = = 

2 2 m RLCe

MBDVBM EFTQVÊTEFTVTUJUVJStd TFFTDSJCFDPNP

c V + Vma1 − bd = c2 − d
1 1 Vm 1
 Vo(prom) = 

2 m RL2fCe 2 RL2fCe

&MGBDUPSEFSJ[P3'TFEFUFSNJOBBQBSUJSEF

Vr(pp)/2 1
 RF = =  

Vo(prom) 4RLfCe − 1

1PS MP HFOFSBM MB GVFOUF EF BMJNFOUBDJÓO GJKB FM WPMUBKF EF FOUSBEB QJDP  Vm  Z FM WPMUBKF NÎ-
OJNP Vo NÎO
 QVFEF IBDFSTF WBSJBS EFTEF DBTJ  IBTUB Vm BM WBSJBS MPT WBMPSFT EF Ce  f  Z RL
1PSDPOTJHVJFOUF FTQPTJCMFEJTFÒBSVOWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPVo DE
FOFMSBOHPEFVm
B Vm 1PEFNPT EFUFSNJOBS FM WBMPSEFMDBQBDJUPSCeQBSBTBUJTGBDFSUBOUP VOWBMPSFTQFDÎGJDP
EFMWPMUBKFNÎOJNPVo NÎO
DPNPFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPVo QSPN
EFNPEPRVFVo NÎO
=
VP(QSPN
−Vm

 a. -BFDVBDJÓO 
TFQVFEFEFTQFKBSDPOCe

a1 + b = a1 + b = 175 μF
1 1 1 1
Ce =
4fR RF 4 × 60 × 500 0.05

 b. $POMBFDVBDJÓO 


FMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPFT

c2 − d = c2 − d = 153.54 V
Vm 1 169 1
Vo(prom) =
2 RL2fCe 2 500 × 2 × 60 × Ce

Ejemplo 3.13 Cómo determinar los valores de un filtro de salida LC para limitar la cantidad
del voltaje de rizo de salida
6OGJMUSPLCDPNPFMEFMBGJHVSBDTFVUJMJ[BQBSBSFEVDJSFMDPOUFOJEPEFSJ[BEPEFMWPMUBKFEFTBMJEB
EFVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUB-BSFTJTUFODJBEFMBDBSHBFTR=Ω MBJOEVDUBODJBEF
MBDBSHBFTL=N) ZMBGSFDVFODJBEFMBGVFOUFFT)[ PSBET
 B
%FUFSNJOFMPTWBMPSFTEFLe
ZCeEFNPEPRVFFM3'EFMWPMUBKFEFTBMJEBTFB C
6TF14QJDFQBSBDBMDVMBSMPTDPNQPOFOUFT
EF'PVSJFSEFMWPMUBKFEFTBMJEBv4VQPOHBMPTQBSÃNFUSPTEFEJPEP*4=&− #7=7
3.11 Diseño de un circuito rectificador 117

Le

XL ⫽ n ␻Le ⫹
R
⫹ 1
⫺ Vnh(n␻) Xc ⫽ Ce Von(n ␻)
n ␻ Ce
L

FIGURA 3.21
$JSDVJUPFRVJWBMFOUFQBSBMPTBSNÓOJDPT

Solución
 a. &OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFQBSBMPTBSNÓOJDPT1BSBGBDJMJUBSFMQBTPEFM
nÊTJNPBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUFEFSJ[PQPSFMGJMUSPEFDBQBDJUPS MBJNQFEBODJBEFMBDBSHB
EFCFTFSNVDIPNBZPSRVFMBEFMDBQBDJUPS&TEFDJS

1
2R2 + (nωL)2 >>
nωCe

  1PSMPHFOFSBM MBTJHVJFOUFSFMBDJÓOTBUJTGBDFFTUBDPOEJDJÓO

10
 2R2 + (nωL)2 =  

nωCe

  ZFOFTUBDPOEJDJÓO FMFGFDUPEFMBDBSHBFTJOTJHOJGJDBOUF&MWBMPSSNTEFMn-ésimoDPNQPOFOUF
BSNÓOJDP RVF BQBSFDF FO MB TBMJEB TF EFUFSNJOB DPO MB SFHMB EJWJTPSB EF WPMUBKF Z TF FYQSFTB
DPNP

− 1/(nωCe) −1
 Von = ` ` Vnh = ` ` Vnh 

(nωLe) − 1/(nωCe) (nω) Le Ce − 1


2

  -BDBOUJEBEUPUBMEFWPMUBKFEFSJ[BEPBDBVTBEFUPEPTMPTBSNÓOJDPTFT

∞ 1/2
 Vca = a a V 2on b  

n =2,4,6, c

1BSB VO WBMPS FTQFDJGJDBEP EF VDB Z DPO FM WBMPS EF Ce EF MB FDVBDJÓO 
 TF QVFEF DBMDVMBS
FM WBMPS EF Le 1PEFNPT TJNQMJGJDBS FM DÃMDVMP DPOTJEFSBOEP TÓMP FM BSNÓOJDP EPNJOBOUF
$POMBFDVBDJÓO 
WFNPTRVFFMTFHVOEPBSNÓOJDPFTFMEPNJOBOUFZTVWBMPSSNTFT
V2h = 4Vm/(312π)ZWBMPSEFDE VDE = Vm/π
    $POn= MBTFDVBDJPOFT 
Z 
EBO

−1
Vca = Vo2 = ` ` V2h
(2ω)2Le Ce − 1

&MWBMPSEFMGJMUSPEFDBQBDJUPSCeTFDBMDVMBDPNPTJHVF

10
2R2 + (2ωL)2 =
2ωCe
118 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3 Le 8 Rx 7 i
Vy 30.83 mH 80 m⍀
is
1 D1 D3 R 40 ⍀

⫹ 0V ⫹ 5
2
⬃ vs vo Ce 326 ␮F L 10 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 0V

FIGURA 3.22
3FDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPQBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF

  P
10
Ce = = 326 μF
4πf 2R + (4πfL)2
2

  4FHÙOMBFDVBDJÓO 
FM3'TFEFGJOFDPNP

12
` ` = 0.1
Vca Vo2 V2h 1 1
RF = = = =
  Vcd Vcd Vcd (4πf)2Le Ce − 1 3 [(4πf)2Le Ce − 1]

  o (4πf)2Le Ce − 1 = 4.714 y Le = 30.83 mH.

 b. &
 OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPQBSBTJNVMBDJÓODPO14QJDF4FBHSFHB
VOBQFRVFÒBSFTJTUFODJBRxQBSBFWJUBSQSPCMFNBTEFDPOWFSHFODJBFO14QJDFEFCJEPBVOBUSB-
ZFDUPSJBEFDEEFSFTJTUFODJBDFSPGPSNBEBQPSLeZCe"DPOUJOVBDJÓOTFQSFTFOUBMBMJTUBEFM
BSDIJWPEFMDJSDVJUP

Ejemplo 3.13 Rectificador monofásico con filtro LC


VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
CE 7 4 326UF ; Utilizado para converger la solución
RX 8 7 80M
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 4 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 1 2 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 2 3 DMOD ; Modelos de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
3.11 Diseño de un circuito rectificador 119

.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros de modelo de diodo


.TRAN 10US 50MS 33MS 50US ; Análisis transitorio
.FOUR 120HZ V(6,5) ; Análisis de Fourier del voltaje de salida
.options ITL5=0 abstol=1.000u reltol=.05 vntol=0.01m
.END

 -PTSFTVMUBEPTEFMBTJNVMBDJÓODPO14QJDFEFMWPMUBKFEFTBMJEB7  
TPOMPTTJHVJFOUFT

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA V (6,5)


COMPONENTE DE CD = 1.140973E+02
ARMÓNICO. FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 1.200E+02 1.304E+01 1.000E+00 1.038E+02 0.000E+00
2 2.400E+02 6.496E-01 4.981E-02 1.236E+02 1.988E+01
3 3.600E+02 2.277E-01 1.746E-02 9.226E+01 -1.150E+01
4 4.800E+02 1.566E-01 1.201E-02 4.875E+01 -5.501E+01
5 6.000E+02 1.274E-01 9.767E-03 2.232E+01 -8.144E+01
6 7.200E+02 1.020E-01 7.822E-03 8.358E+00 -9.540E+01
7 8.400E+02 8.272E-02 6.343E-03 1.997E+00 -1.018E+02
8 9.600E+02 6.982E-02 5.354E-03 -1.061E+00 -1.048E+02
9 1.080E+03 6.015E-02 4.612E-03 -3.436E+00 -1.072E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 5.636070E+00 POR CIENTO

MPDVBMWFSJGJDBFMEJTFÒP

Ejemplo 3.14 Cómo determinar los valores de un filtro LC de entrada para limitar la cantidad
de rizado en la corriente de entrada
6OGJMUSPLCEFFOUSBEBDPNPFMEFMBGJHVSBTFVUJMJ[BQBSBSFEVDJSMPTBSNÓOJDPTFOMBDPSSJFOUFEF
FOUSBEBFOFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBB-BDPSSJFOUFEFDBSHBFTUÃMJCSF
EFSJ[BEPZTVWBMPSQSPNFEJPFTIa4JMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOFTf=)[ PSBET
EFUFSNJOFMB
GSFDVFODJBSFTPOBOUFEFMGJMUSPEFNPEPRVFMBDPSSJFOUFBSNÓOJDBEFFOUSBEBUPUBMTFSFEV[DBBEFM
DPNQPOFOUFGVOEBNFOUBM

Solución
-BGJHVSBNVFTUSBFMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFQBSBFMn-ÊTJNPDPNQPOFOUFBSNÓOJDP&MWBMPSSNTEFM
nÊTJNPBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUFRVFBQBSFDFFOMBGVFOUFEFTVNJOJTUSPTFPCUJFOFDPOMBSFHMBEJWJTPSB
EFDPSSJFOUF 

Isn = ` `I = ` ` Inh
1/(nωCi) 1
 

(nωLi − 1/(nωCi) nh (nω)2Li Ci − 1

EPOEFInhFTFMWBMPSSNTEFMnÊTJNPBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUF-BDBOUJEBEUPUBMEFDPSSJFOUFBSNÓOJDBFO
MBMÎOFBEFBMJNFOUBDJÓOFT
∞ 1/2
Ih = a a I 2sn b
n =2,3, c
120 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li
XL ⫽ n␻Li

1
Isn Xc ⫽ Ci Inh(n␻)
n ␻Ci

FIGURA 3.23
$JSDVJUPFRVJWBMFOUFQBSBDPSSJFOUFBSNÓOJDB

ZFMGBDUPSBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEB DPOFMGJMUSP
FT


Isn 2 1/2
=c a a b d 
Ih
 r = 

Is1 n =2,3, c Is1

4FHÙOMBFDVBDJÓO 
 I1h = 4Ia /12 π e Inh = 4Ia/( 12 nπ) para n = 3, 5, 7, . . . . $POMBTFDVB-
DJPOFT 
Z 
PCUFOFNPT
∞ Isn 2 ∞ (ω2LiCi − 1)2
 r2 = a a b = a ` ` 

n =3,5,7, c n [(nω) Li C i − 1]
Is1 2 2 2
n =3,5,7, c

MB DVBM TF QVFEF SFTPMWFS QBSB FM WBMPS EF Li C i  1BSB TJNQMJGJDBS MPT DÃMDVMPT DPOTJEFSBNPT TÓMP FM
UFSDFSBSNÓOJDP < ××π×
 Li C i m>ω Li C im
==PL i C i=× −ZMB
GSFDVFODJBEFMGJMUSPFT1/2Li Ci = 327.04 rad/s,P)[4VQPOJFOEPRVFC i=μ' PCUFOFNPT
L i=N)

Nota:&MGJMUSPEFDBTFTVFMFTJOUPOJ[BSDPOMBGSFDVFODJBBSNÓOJDBJNQMJDBEB QFSPTFSF-
RVJFSFVODVJEBEPTPEJTFÒPQBSBFWJUBSMBQPTJCJMJEBEEFSFTPOBODJBDPOFMTJTUFNBEFQPUFODJB
-BGSFDVFODJBSFTPOBOUFEFMUFSDFSBSNÓOJDPEFMBDPSSJFOUFFT×=SBET

Puntos clave de la sección 3.11


 r &MEJTFÒPEFVOSFDUJGJDBEPSSFRVJFSFEFUFSNJOBSMBTDBQBDJEBEFTEFMPTEJPEPTZMBTDB-
QBDJEBEFTEFMPTDPNQPOFOUFTEFGJMUSPFOMBFOUSBEBZFOMBTBMJEB4FVUJMJ[BVOGJMUSPEF
DEQBSBTVBWJ[BSFMWPMUBKFEFTBMJEBZVOGJMUSPEFDBQBSBSFEVDJSMBDBOUJEBEEFJOZFDDJÓO
BSNÓOJDBFOMBBMJNFOUBDJÓOEFFOUSBEB

3.12 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC


&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBFMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFEFVOSFDUJGJDBEPSEFPOEBDPNQMFUBDPOVO
GJMUSPLC4VQPOHBNPTRVFFMWBMPSEFCeFTNVZHSBOEF EFNPEPRVFTVWPMUBKFOPDPOUJFOF
SJ[BEPDPOVOWBMPSQSPNFEJPEFVo DE
LeFTMBJOEVDUBODJBUPUBM JODMVZFOEPMBJOEVDUBODJBEF
MBMÎOFBPGVFOUF ZQPSMPHFOFSBMTFDPMPDBFOMBFOUSBEBQBSBRVFBDUÙFDPNPVOBJOEVDUBODJB
EFDBFOMVHBSEFVOBCPCJOBEFDE
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 121

vs

Vm

Le io Vcd
Icd

vs 0  2 t

Vm
Ce Vcd iL

continua
0  2 t
 discontinua
0       t
(a) Circuito equivalente (b) Formas de onda

FIGURA 3.24
7PMUBKFEFTBMJEBDPOGJMUSPLC

4JVDEFTNFOPSRVFVm MBDPSSJFOUFiDPNJFO[BBGMVJSFOα MPDVBMFTUÃEBEPQPS


Vcd = Vm sen α
2VFBTVWF[EB
Vcd
α = sen−1 = sen−1x
Vm

EPOEFx=VDE/Vm-BDPSSJFOUFEFTBMJEBI0FTUÃEBEBQPS

diL
Le = Vm sen ωt − Vcd
dt
MBDVBMTFQVFEFSFTPMWFSQBSBi

t
ω
1
i0 = (Vm sen ωt − Vcd) d(ωt)
ωLe Lα
Vm Vcd
 = (cos α − cos ωt) − (ωt − α) para ωt ≥ α 

ωLe ωLe

&MWBMPSDSÎUJDPEFωt=β=π+αFOMBRVFMBDPSSJFOUFiDBFBDFSPTFQVFEFEFUFSNJOBSB
QBSUJSEFMBDPOEJDJÓOi ωt= β =π+α=
-BDPSSJFOUFQSPNFEJPIDETFDBMDVMBDPNPTJHVF
π +α
1
Icd = i0(t) d(ωt)
π Lα

MBDVBM EFTQVÊTEFJOUFHSBSMBZTJNQMJGJDBSMB EB

π
c 21 − x2 + x a − b d 
Vm 2
Icd = 

ωLe π 2
122 Capítulo 3 Diodos rectificadores

1BSB VDE =   MB DPSSJFOUF QJDP RVF QVFEF GMVJS B USBWÊT EFM SFDUJGJDBEPS FT IQL = Vm/ωLe
/PSNBMJ[BOEPIDEDPOSFTQFDUPBIQL PCUFOFNPT

π
= 21 − x2 + x a − b 
Icd 2
 k(x) = 

Ipk π 2

/PSNBMJ[BOEPFMWBMPSSNTISNT DPOSFTQFDUPBIQL PCUFOFNPT

π +α
i0(t)2 d(ω . t)
Irms 1
 kr(x) = = 

Ipk B π Lα
1VFTUPRVFαEFQFOEFEFMBSFMBDJÓOEFWPMUBKFx MBTFDVBDJPOFT 
Z 
EFQFOEFOEFx
-BUBCMBNVFTUSBMPTWBMPSFTEFk x
Zkr x
FOGVODJÓOEFMBSFMBDJÓOEFWPMUBKFx
$PNPFMWPMUBKFQSPNFEJPEFMSFDUJGJDBEPSFTVDE=Vm /π MBDPSSJFOUFQSPNFEJPFT
JHVBMB
2 Vm
Icd =
πR
1PSDPOTJHVJFOUF
π
c 21 − x2 + x a − b d
2 Vm Vm 2
= Icd = Ipk k(x) =
πR ωLe π 2

MBDVBMEBFMWBMPSDSÎUJDPEFMBJOEVDUBODJBLcr =Le
QBSBVOBDPSSJFOUFDPOUJOVBDPNP

πR π
c 21 − x2 + x a − b d 
2
 Lcr = 

2ω π 2
1PSDPOTJHVJFOUF QBSBRVFVOBDPSSJFOUFDPOUJOVBGMVZBBUSBWÊTEFMJOEVDUPS FMWBMPSEFLe
EFCFTFSNBZPSRVFFMWBMPSEFLcr&TEFDJS

πR π
c 21 − x2 + x a − b d 
2
 Le > Lcr = 

2ω π 2

Caso discontinuo. -BDPSSJFOUFFTEJTDPOUJOVBTJωt=βƪ π+α


&MÃOHVMP βBMDVBM
MBDPSSJFOUFFTDFSPTFQVFEFEFUFSNJOBSTJFOMBFDVBDJÓO 
TFFTUBCMFDFBDFSP&TEFDJS 
cos(α) − cos(β) − x(β − α) = 0

MBDVBMFOGVODJÓOEFxTFFTDSJCFDPNP

 21 − x2 − x(β − arcsen(x)) = 0 

Ejemplo 3.15 Cómo determinar el valor crítico del inductor para que fluya corriente continua
a través de la carga
&MWPMUBKFSNTEFFOUSBEBBMDJSDVJUPEFMBGJHVSBBFTEF7 )[ B
4JFMWPMUBKFEFDE
EFTBMJEBFTVDE=7DPOIDE=" EFUFSNJOFMPTWBMPSFTEFMBJOEVDUBODJBDSÎUJDB Lcr α 
FISNT C
4JIDE="ZLe=N) VTFMBUBCMBQBSBEFUFSNJOBSMPTWBMPSFTEFVDE 
α βFISNT
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 123

TABLA 3.6 $PSSJFOUFOPSNBMJ[BEBBUSBWÊTEFMBDBSHB


x Icd/Ipk% Irms/Ipk% α Grados β Grados
       
    
     
     
    
    
    
     
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    

Solución
ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, Vm = 12 × 120 = 169.7 V.
 a. 3FMBDJÓOEFWPMUBKFx=VDE/VN===α=TFO x
=-BFDVB-
DJÓO 
EBMBSFMBDJÓOEFDPSSJFOUFQSPNFEJPk=IDE/IQL=="TÎQVFT IQL=
IDE/k=="&MWBMPSDSÎUJDPEFMBJOEVDUBODJBFT
Vm 169.7
Lcr = = = 11.59 mH
ωIpk 377 × 38.84

  -BFDVBDJÓO 
EBMBSFMBDJÓOEFDPSSJFOUFSNTkS=ISNT/IQL=1PSDPOTJHVJFOUF

Irms = kr Ipk = 0.324 × 38.84 = 12.58 A.

 b. -F=N) IQL=VN ωLF


= ×N)
="
Icd 15
k = = = 21.66%
Ipk 69.25

  6UJMJ[BOEPJOUFSQPMBDJÓOMJOFBMPCUFOFNPT

(xn +1 − xn)(k − kn)


x = xn +
kn +1 − kn
(65 − 60)(21.66 − 23.95)
= 60 + = 61.32%
15.27 − 23.95
Vcd = xVm = 0.6132 × 169.7 = 104.06 V
(αn +1 − αn)(k − kn)
α = αn +
kn +1 − kn
124 Capítulo 3 Diodos rectificadores

(40.54 − 36.87)(21.66 − 23.95)


= 36.87 + = 37.84°
15.27 − 23.95

(βn +1 − βn)(k − kn)


β = βn +
kn +1 − kn

(220.54 − 216.87)(21.66 − 23.95)


= 216.87 + = 217.85°
15.27 − 23.95

Irms (kr(n +1) − kr(n))(k − kn)


kr = = kr(n) +
Ipk kn +1 − kn

(26.58 − 31.05)(21.66 − 23.95)


= 31.05 + = 29.87%
15.27 − 23.95

1PSDPOTJHVJFOUF ISNT=×IQL=×="

Puntos clave de la sección 3.12


 r $POVOBMUPWBMPSEFMBDBQBDJUBODJBCeEFMGJMUSPEFTBMJEB FMWPMUBKFEFTBMJEBQFSNBOFDF
DBTJDPOTUBOUF4FSFRVJFSFVOWBMPSNÎOJNPEFMBJOEVDUBODJBLeQBSBNBOUFOFSVOBDPSSJ-
FOUFDPOUJOVB1PSMPDPNÙO FMJOEVDUPSLeTFDPMPDBFOFMMBEPEFFOUSBEBQBSBRVFBDUÙF
DPNPVOJOEVDUPSEFDBFOMVHBSEFVOBCPCJOBEFDE

3.13 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y LA CARGA


&OMBTEFSJWBDJPOFTEFMPTWPMUBKFTEFTBMJEBZMPTDSJUFSJPTEFEFTFNQFÒPEFSFDUJGJDBEPSFT TF
TVQVTPRVFMBGVFOUFOPUFOÎBJOEVDUBODJBTOJSFTJTUFODJBT4JOFNCBSHP FOVOUSBOTGPSNBEPSZ
GVFOUFQSÃDUJDPTTJFNQSFFTUÃOQSFTFOUFTZFMEFTFNQFÒPEFMPTSFDUJGJDBEPSFTTVGSFVOQFRVFÒP
DBNCJP&MFGFDUPEFMBJOEVDUBODJBEFMBGVFOUF FMDVBMFTNÃTTJHOJGJDBUJWPRVFFMEFMBSFTJTUFODJB 
TFQVFEFFYQMJDBSFOSFMBDJÓODPOMBGJHVSBB
&MEJPEPRVFDPOEVDFFTFMEFWPMUBKFNÃTQPTJUJWP$POTJEFSFNPTFMQVOUPωt=πEPOEF
MPTWPMUBKFTvDBZvbcTPOJHVBMFT DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC-BDPSSJFOUFIcdTJHVFGMV-
ZFOEPBUSBWÊTEFMEJPEPD%FCJEPBMBJOEVDUBODJBLMBDPSSJFOUFOPEFDBFBDFSPEFJONF-
EJBUPZMBUSBOTGFSFODJBEFDPSSJFOUFOPPDVSSFEFGPSNBJOTUBOUÃOFB-BDPSSJFOUFidEFDSFDFZ
FMSFTVMUBEPFTVOWPMUBKFJOEVDJEPBUSBWÊTEFLEF+ vZFMWPMUBKFEFTBMJEBTFWVFMWFv=
vca+v"MNJTNPUJFNQPMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFD idTFJODSFNFOUBEFTEFDFSP FJOEVDF
VOWPMUBKFJHVBMBUSBWÊTEFLEF−vZFMWPMUBKFEFTBMJEBTFWVFMWFv=vbc−v&MSFTVM-
UBEPFTRVFMPTWPMUBKFTFOFMÃOPEPEFMPTEJPEPTDZDTPOJHVBMFTZBNCPTEJPEPTDPOEVDFO
EVSBOUFVODJFSUPQFSJPEPFMDVBMTFMMBNBángulo de conmutación Ptraslape
μ&TUBUSBOTGF-
SFODJBEFDPSSJFOUFEFVOEJPEPBPUSPTFMMBNBconmutación-BSFBDUBODJBDPSSFTQPOEJFOUFB
MBJOEVDUBODJBTFDPOPDFDPNPreactancia de conmutación
&MFGFDUPEFFTUFUSBTMBQFFTSFEVDJSFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPEFMPTDPOWFSUJEPSFT&M
WPMUBKFBUSBWÊTEFLFT

di
 vL2 = L2  

dt
3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 125

L3

c   vL3  id1 Icd


vcn D1 D3 D5
id5
 L1
id3
 van  a  vL1 

vbn M
D4 D6 D2
 L2
b
 vL2 
(a) Diagrama del circuito

v vL2
Vm
vac
vbc
vL1

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

Vm
id id5 id1 id3 id5
Icd

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

(b) Formas de onda

FIGURA 3.25
3FDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPDPOJOEVDUBODJBTEFMBGVFOUF

4VQPOJFOEPVOJODSFNFOUPMJOFBMEFMBDPSSJFOUFiEFBIDE PVOBdi/dt=ĴiĴt
QPEFNPTFT-
DSJCJSMBFDVBDJÓO 
DPNP

 vL2 ∆t = L2 ∆i 

ZFTUPTFSFQJUFTFJTWFDFTQBSBVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDP6UJMJ[BOEPMBFDVBDJÓO 
MBSFEVD-
DJÓOEFMWPMUBKFQSPNFEJPEFCJEPBMBTJOEVDUBODJBTEFDPONVUBDJÓOFT

1
Vx = 2(vL1 + vL2 + vL3) ∆t = 2f(L1 + L2 + L3) ∆i
T
 = 2f(L1 + L2 + L3)Icd  

4JUPEBTMBTJOEVDUBODJBTTPOJHVBMFTZLc=L=L=L MBFDVBDJÓO 


TFFTDSJCFDPNP

 Vx = 6fLc Icd 

EPOEFfFTMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOFOIFSU[
126 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.16 Cómo determinar el efecto de la inductancia de línea en el voltaje de salida de


un rectificador
6OSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPSFDJCFBMJNFOUBDJÓOEFVOBGVFOUFEFBMJNFOUBDJÓOEF7)[DPOFDUBEBFO
:-BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFMBDBSHBFTEF"ZTVSJ[BEPFTJOTJHOJGJDBOUF$BMDVMFFMQPSDFOUBKF
EFSFEVDDJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEBEFCJEPBMBDPONVUBDJÓOTJMBJOEVDUBODJBEFMÎOFBQPSGBTFFTEFN)

Solución
Lc=N) Vs = 208/13 = 120 V, f = 60 Hz, Icd = 60 A, y Vm = 12 × 120 = 169.7 V.$POMBFDV-
BDJÓO 
VDE=×=7-BFDVBDJÓO 
EBMBSFEVDDJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEB

100
Vx = 6 × 60 × 0.5 × 10−3 × 60 = 10.8 V o 10.8 × = 3.85%
280.7

ZFMWPMUBKFEFTBMJEBFGFDUJWPFT −
=7

Ejemplo 3.17 Cómo determinar el efecto del tiempo de recuperación del diodo en el voltaje
de salida de un rectificador
-PTEJPEPTFOFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBBUJFOFOVOUJFNQPEFSFDVQF-
SBDJÓOJOWFSTBEFtrr=μTZFMWPMUBKFSNTEFFOUSBEBFTVs=7%FUFSNJOFFMFGFDUPEFMUJFNQP
EFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBFOFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPTJMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOFT B
fs=L)[
Z C
fs=)[

Solución
&MUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBBGFDUBSÎBFMWPMUBKFEFTBMJEBEFMSFDUJGJDBEPS&OFMSFDUJGJDBEPSEFPOEB
DPNQMFUBEFMBGJHVSBBFMEJPEPDOPTFCMPRVFBPBQBHBFOωt=πFOWF[EFFMMP TJHVFDPOEVDJFOEP
IBTUBRVFt=π/ω+trr$PNPDPOTFDVFODJBEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB FMWPMUBKFEFTBMJEBQSP-
NFEJPTFSFEVDFZMBGPSNBEFPOEBEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
4JFMWPMUBKFEFFOUSBEBFTv = Vm sen ωt = 12 Vs sen ωt,MBSFEVDDJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPFT

trr
cos ωt trr
c− d
2 2Vm
Vrr = Vm sen ωt dt =
T L0 T ω 0

Vm
= (1 − cos ωt rr)
π
 Vm = 12 Vs = 12 × 120 = 169.7 V  

vo

Vm
trr

T
t
0
T
2

FIGURA 3.26
&GFDUPEFMUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTBFOFMWPMUBKFEFTBMJEB
3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127

4JOUJFNQPEFSFDVQFSBDJÓOJOWFSTB MBFDVBDJÓO 


EBFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPVcd=Vm=
7
 a. $POtrr=μTZfs=)[ MBFDVBDJÓO 
EBMBSFEVDDJÓOEFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJP
DPNP
Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr)
π
= 0.061Vm = 10.3 V o 9.51% de Vcd

b. $POtrr=μTZfs=)[ MBFDVBDJÓO 


EBMBSFEVDDJÓOEFMWPMUBKFEFDEEFTBMJEB
Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr) = 5.65 × 10−5 Vm
π
= 9.6 × 10−3 V o 8.88 × 10−3% de Vcd

Nota:&MFGFDUPEFtrrFTTJHOJGJDBUJWPQBSBGVFOUFTEFBMUBGSFDVFODJB ZQBSBFMDBTPEFVOB
GVFOUFOPSNBMEF)[TVFGFDUPQVFEFDPOTJEFSBSTFJOTJHOJGJDBOUF

Puntos clave de la sección 3.13


 r 6OBGVFOUFEFBMJNFOUBDJÓOQSÃDUJDBUJFOFVOBSFBDUBODJBEFGVFOUF&ODPOTFDVFODJB MB
USBOTGFSFODJBEFDPSSJFOUFEFVOEJPEPBPUSPOPQVFEFTFSJOTUBOUÃOFB)BZVOUSBTMBQF
DPOPDJEPDPNPÃOHVMPEFDPONVUBDJÓO FMDVBMSFEVDFFMWPMUBKFEFTBMJEBFGFDUJWPEFMSFD-
UJGJDBEPS&MFGFDUPEFMUJFNQPJOWFSTPEFMEJPEPQVFEFTFSTJHOJGJDBUJWPQBSBVOBGVFOUF
EFBMUBGSFDVFODJB

3.14 CONSIDERACIONES PRÁCTICAS PARA SELECCIONAR INDUCTORES Y CAPACITORES


-PTJOEVDUPSFTFOFMMBEPEFTBMJEBDPOEVDFODPSSJFOUFEFDE6OJOEVDUPSEFDE PCMPRVFBEPS

SFRVJFSFNÃTGMVKPZNBUFSJBMFTNBHOÊUJDPTFODPNQBSBDJÓODPOVOJOEVDUPSEFDB$PNPSFTVM-
UBEP VOJOEVDUPSEFDEFTNÃTDPTUPTPZQFTBNÃT
-PTDBQBDJUPSFTTFVUJMJ[BOFYUFOTBNFOUFFOFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBZBQMJDBDJPOFTEFGJM-
USBEPEFDB GJMUSBEPEFDE ZBMNBDFOBNJFOUPEFFOFSHÎB5BNCJÊOTFJODMVZFOJMVNJOBDJÓOQPS
EFTDBSHBEFBMUBJOUFOTJEBE )*%
BQMJDBDJPOFTEFBMUPWPMUBKF JOWFSTPSFT DPOUSPMEFNPUPSFT 
GPUPGMBTI GVFOUFTEFQPUFODJB QPUFODJBQVMTBOUFEFBMUBGSFDVFODJB DBQBDJUPSFT3' NFNPSJB
GMBTIZNPOUBKFTVQFSGJDJBM&YJTUFOEPTUJQPTEFDBQBDJUPSFTUJQPDBZUJQPDE-PTDBQBDJUPSFT
DPNFSDJBMNFOUFEJTQPOJCMFTTFDMBTJGJDBOFODJODPDBUFHPSÎBT<> 
DBQBDJUPSFTEFQFMÎDVMBEFDB

 DBQBDJUPSFT EF DFSÃNJDB 
 DBQBDJUPSFT FMFDUSPMÎUJDPT EF BMVNJOJP 
 DBQBDJUPSFT EF
UBOUBMJPTÓMJEPT Z 
TVQFSDBQBDJUPSFT

3.14.1 Capacitores de película de ca


&TUFUJQPEFDBQBDJUPSFTFNQMFBVOBQFMÎDVMBEFQPMJQSPQJMFOPNFUBMJ[BEBRVFQSPQPSDJPOBVO
NFDBOJTNPEFBVUPSSFHFOFSBDJÓOFOFMDVBMVOBSVQUVSBEJFMÊDUSJDBiFWBQPSBuMBNFUBMJ[BDJÓOZ
BÎTMBFTBÃSFBEFMDBQBDJUPSFONJDSPTFHVOEPT-PTDBQBDJUPSFTEFQFMÎDVMBPGSFDFOUPMFSBODJBT
EFDBQBDJUBODJBBKVTUBEBT DPSSJFOUFTEFGVHBNVZCBKBT ZQFRVFÒPTDBNCJPTEFDBQBDJUBODJB
DPOMBUFNQFSBUVSB&TUPTDBQBDJUPSFTQSFTVNFOEFCBKBTQÊSEJEBTEPOEFVOGBDUPSEFEJTJQBDJÓO
NVZ CBKP Z VOB SFTJTUFODJB FO TFSJF FRVJWBMFOUF &43
 QFSNJUFO VOB EFOTJEBE EF DPSSJFOUF
SFMBUJWBNFOUFBMUB
128 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4POFTQFDJBMNFOUFBEFDVBEPTQBSBBQMJDBDJPOFTEFDBQPSTVDPNCJOBDJÓOEFBMUBDBQB-
DJUBODJBZCBKP%'RVFQFSNJUFBMUBTDPSSJFOUFTEFDB4JOFNCBSHP TPOEFEJNFOTJPOFTZQFTP
SFMBUJWBNFOUFHSBOEFT
-PTDBQBDJUPSFTEFQFMÎDVMBUJFOFOVOBNQMJPVTPFOBQMJDBDJPOFTEFFMFDUSÓOJDBEFQP-
UFODJBJODMVZFOEP QFSPOPMJNJUÃOEPTFB BDPQMBNJFOUPEFDE GJMUSBEPEFDEEFTBMJEB DPNP
iTOVCCFSTu*(#5 ZFODJSDVJUPTEFDPSSFDDJÓOEFGBDUPSEFQPUFODJBEPOEFTVNJOJTUSBOMBQP-
UFODJBSFBDUJWBEFBEFMBOUP ,7"3
QBSBDPSSFHJSMBDPSSJFOUFSFUSBTBEBQSPWPDBEBQPSDBSHBT
JOEVDUJWBT%POEFTFSFRVJFSFODPSSJFOUFTSNTZQJDPNVZBMUBTTFVUJMJ[BOFMFDUSPEPTEFIPKB
EFBMVNJOJP

3.14.2 Capacitores de cerámica

&TUPTDBQBDJUPSFTIBOMMFHBEPBTFSDBQBDJUPSFTEFVTPHFOFSBMQSFEPNJOBOUFT TPCSFUPEPFO
iDIJQTuEFUFDOPMPHÎBEFNPOUBKFTVQFSGJDJBM 4.5
EPOEFTVCBKPDPTUPMPTIBDFBUSBDUJWPT
$POMBFNFSHFODJBEFVOJEBEFTNVMUJDBQBEJFMÊDUSJDBTNÃTEFMHBEBTDPOWPMUBKFTOPNJOBMFTEF
NFOPTEF7 TFEJTQPOFEFWBMPSFTEFDBQBDJUBODJBEFDJFOUPTEFNJDSPGBSBET&TUPJOWBEFMB
DBQBDJUBODJBUSBEJDJPOBMBMUB-PTDBQBDJUPSFTEFDFSÃNJDBOPTFQPMBSJ[BO QPSMPRVFTFQVFEFO
VUJMJ[BSFOBQMJDBDJPOFTEFDB

3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio

6ODBQBDJUPSFMFDUSPMÎUJDPEFBMVNJOJPTFDPNQPOFEFVOFMFNFOUPDBQBDJUPSFOSPMMBEPJNQSFH-
OBEP DPO FMFDUSPMJUP MÎRVJEP  DPOFDUBEP B UFSNJOBMFT Z TFMMBEP FO VOB MBUB &TUPT DBQBDJUPSFT
IBCJUVBMNFOUFPGSFDFOWBMPSFTEFDBQBDJUBODJBEFμ'B'ZWBMPSFTEFWPMUBKFEFTEF7IBTUB
7&MDJSDVJUPFRVJWBMFOUFRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBNPEFMBFMGVODJPOBNJFOUPOPS-
NBMEFVODBQBDJUPSFMFDUSPMÎUJDPEFBMVNJOJP BTÎDPNPTVDPNQPSUBNJFOUPEFTPCSFWPMUBKFZ
WPMUBKFJOWFSTP
-BDBQBDJUBODJB$FTMBDBQBDJUBODJBFRVJWBMFOUFZEFDSFDFBMJODSFNFOUBSTFMBGSFDVFODJB
-BSFTJTUFODJBRsFTMBSFTJTUFODJBFOTFSJFFRVJWBMFOUF ZEFDSFDFBMJODSFNFOUBSTFMBGSFDVFODJBZMB
UFNQFSBUVSB4FJODSFNFOUBDPOFMWPMUBKFOPNJOBM-PTWBMPSFTUÎQJDPTWBOEFNΩBΩ ZRsFT
JOWFSTBNFOUFQSPQPSDJPOBMBMBDBQBDJUBODJBQBSBVOWPMUBKFOPNJOBMEBEP-BJOEVDUBODJBLs
FTMBJOEVDUBODJBFOTFSJFFRVJWBMFOUFZFTSFMBUJWBNFOUFJOEFQFOEJFOUFUBOUPEFMBGSFDVFODJB
DPNPEFMBUFNQFSBUVSB-PTWBMPSFTUÎQJDPTWBOEFO)BO)
RpFTMBSFTJTUFODJBFOQBSBMFMPFRVJWBMFOUFZFYQMJDBMBDPSSJFOUFEFGVHBFOFMDBQBDJUPS
%FDSFDFBMJODSFNFOUBSTFMBDBQBDJUBODJB UFNQFSBUVSB ZWPMUBKF ZTFJODSFNFOUBNJFOUSBTTF
BQMJDBFMWPMUBKF-PTWBMPSFTUÎQJDPTTPOEFMPSEFOEFC.ΩDPOCFOμ' QPSFKFNQMP VO

Ls Rs

Rp Dz C

FIGURA 3.27
$JSDVJUPFRVJWBMFOUF
Referencias 129

DBQBDJUPSEFμ'UFOESÎBVOBRpEFBQSPYJNBEBNFOUF.Ω&MEJPEP[FOFS%NPEFMBFM
DPNQPSUBNJFOUPEFTPCSFWPMUBKFZWPMUBKFJOWFSTP-BBQMJDBDJÓOEFVOTPCSFWPMUBKFEFMPSEFO
EF7NÃTBMMÃEFMBDBQBDJEBEEFQJDPTEFWPMUBKFEFMDBQBDJUPSQSPWPDBBMUBDPSSJFOUFEFGVHB

3.14.4 Capacitores de tantalio sólido


"MJHVBMRVFMPTDBQBDJUPSFTFMFDUSPMÎUJDPTEFBMVNJOJP MPTDBQBDJUPSFTEFUBOUBMJPTÓMJEPTPOEJT-
QPTJUJWPTQPMBSFT WPMUBKFJOWFSTPNÃYJNPEF7
DPOUFSNJOBMFTQPTJUJWBZOFHBUJWBEJTUJOUBTZ
TFPGSFDFOFOVOBWBSJFEBEEFFTUJMPT-PTWBMPSFTEFDBQBDJUBODJBUÎQJDPTTPOEFμ'Bμ'
ZMPTWBMPSFTEFWPMUBKFWBOEFTEF7IBTUB7-BTDPNCJOBDJPOFTEFDBQBDJUBODJBWPMUBKF
NÃYJNBTUÎQJDBTTPOBQSPYJNBEBNFOUFEFμ'B7QBSBMPTFTUJMPTEFDPOFYJÓOBMÃNCSJDB
ZEFμ'B7QBSBMPTFTUJMPTEFNPOUBKFTVQFSGJDJBM

3.14.5 Supercapacitores
-PT TVQFSDBQBDJUPSFT PGSFDFO WBMPSFT EF DBQBDJUBODJB FYUSFNBEBNFOUF BMUPT GBSBET
 FO VOB
BNQMJBWBSJFEBEEFPQDJPOFTEFFODBQTVMBEPRVFTBUJTGBSÃOFMNPOUBKFTVQFSGJDJBMEFCBKPQFSGJM
B USBWÊT EF PSJGJDJPT Z MPT SFRVFSJNJFOUPT EF FOTBNCMF EF BMUBEFOTJEBE 1PTFFO DBQBDJEBEFT
JMJNJUBEBTEFDBSHBZEFTDBSHB OPSFRVJFSFOSFDJDMBKF VOBMBSHBEVSBDJÓOEFBÒPT CBKBSFTJT-
UFODJBFOTFSJFFRVJWBMFOUF EVSBDJÓOFYUFOEJEBEFMBCBUFSÎBIBTUBWFDFTZBMUPTEFTFNQFÒPT
DPOQSFDJPTCBKPT-BDBQBDJUBODJBPTDJMBFOUSF'Z'

Puntos clave de la sección 3.14

 r 6OJOEVDUPSEFDEUJFOFVODPTUPNÃTBMUPZVOQFTPNBZPS)BZEPTUJQPTEFDBQBDJUPSFT
EFDBZDE-PTDBQBDJUPSFTDPNFSDJBMNFOUFEJTQPOJCMFTTFQVFEFODMBTJGJDBSFODJODPDBU-
FHPSÎBT B
 DBQBDJUPSFT EF QFMÎDVMB EF DB C
 DBQBDJUPSFT EF DFSÃNJDB D
 DBQBDJUPSFT
FMFDUSPMÎUJDPTEFBMVNJOJP E
DBQBDJUPSFTEFUBOUBMJPTÓMJEPT Z F
TVQFSDBQBDJUPSFT

RESUMEN
)BZEJGFSFOUFTUJQPTEFSFDUJGJDBEPSFTTFHÙOMBTDPOFYJPOFTEFMPTEJPEPTZFMUSBOTGPSNBEPS
EFFOUSBEB-PTQBSÃNFUSPTEFEFTFNQFÒPEFMPTSFDUJGJDBEPSFTFTUÃOEFGJOJEPTZTFIBEFNPT-
USBEPRVFTVEFTFNQFÒPWBSÎBDPOTVTUJQPT-PTSFDUJGJDBEPSFTHFOFSBOBSNÓOJDPTFOMBDBSHBZ
FOMBMÎOFBEFBMJNFOUBDJÓOFTUPTBSNÓOJDPTTFQVFEFOSFEVDJSDPOGJMUSPT-BTJOEVDUBODJBTEF
MBGVFOUFZEFMBDBSHBUBNCJÊOJOGMVZFOFOFMEFTFNQFÒPEFMPTSFDUJGJDBEPSFT

REFERENCIAS
[1] 4DIBFGFS + 
Rectifier Circuits-Theory and Design /VFWB:PSL 8JMFZ4POT
[2] -FF 38 
Power Converter Handbook-Theory Design and Application. $BOBEJBO(FOFSBM
&MFDUSJD 1FUFSCPSPVHI 0OUBSJP
[3] -FF :4 Z.)-$IPX 
Power Electronics Handbook FEJUBEPQPS.)3BTIJE 4BO
%JFHP $""DBEFNJD1SFTT$BQÎUVMP
[4] *&&& 4UBOEBSE  
 Practices and Requirements for General Purpose Thyristor Drives 
1JTDBUBXBZ /+
[5] Capacitors for Power Electronics-Application Guides 
 $%. $PSOFMM %VCJMJFS  -JCFSUZ 
$BSPMJOBEFM4VSIUUQXXXDEFDPNDBUBMPHBDDFTBEPFOOPWJFNCSF
130 Capítulo 3 Diodos rectificadores

PREGUNTAS DE REPASO
 3.1 y2VÊFTMBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFVOUSBOTGPSNBEPS
 3.2 y2VÊFTVOSFDUJGJDBEPS y$VÃMFTMBEJGFSFODJBFOUSFVOSFDUJGJDBEPSZVODPOWFSUJEPS 
 3.3 y2VÊFTMBDPOEJDJÓOEFCMPRVFPEFVOEJPEP
 3.4 y$VÃMFTTPOMPTQBSÃNFUSPTEFEFTFNQFÒPEFVOSFDUJGJDBEPS 
 3.5 y$VÃMFTMBJNQPSUBODJBEFMGBDUPSEFGPSNBEFVOSFDUJGJDBEPS 
 3.6 y$VÃMFTMBJNQPSUBODJBEFMGBDUPSEFSJ[PEFVOSFDUJGJDBEPS
 3.7 y2VÊFTMBFGJDJFODJBEFSFDUJGJDBDJÓO 
 3.8 y$VÃMFTMBJNQPSUBODJBEFMGBDUPSEFVUJMJ[BDJÓOEFVOUSBOTGPSNBEPS
 3.9 y2VÊFTFMGBDUPSEFEFTQMB[BNJFOUP
 3.10 y2VÊFTFMGBDUPSEFQPUFODJBEFFOUSBEB
 3.11 y2VÊFTFMGBDUPSBSNÓOJDP
 3.12 y2VÊFTFMWPMUBKFEFTBMJEBEFDEEFVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUB 
 3.13 y2VÊFTMBGSFDVFODJBGVOEBNFOUBMEFMWPMUBKFEFTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDP
EFPOEBDPNQMFUB
 3.14 y$VÃMFTTPOMBTWFOUBKBTEFVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPTPCSFVOPNPOPGÃTJDP 
 3.15 y$VÃMFTTPOMBTEFTWFOUBKBTEFVOSFDUJGJDBEPSQPMJGÃTJDPEFNFEJBPOEB 
 3.16 y$VÃMFTTPOMBTWFOUBKBTEFVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPTPCSFVOPEFTFJTGBTFTFOFTUSFMMB
 3.17 y$VÃMFTTPOMBTGVODJPOFTEFMPTGJMUSPTFODJSDVJUPTSFDUJGJDBEPSFT 
 3.18 y$VÃMFTTPOMBTEJGFSFODJBTFOUSFGJMUSPTEFDBZDE
 3.19 y$VÃMFTTPOMPTFGFDUPTEFMBTJOEVDUBODJBTEFGVFOUFFOFMWPMUBKFEFTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPS
 3.20 y$VÃMFTTPOMPTFGFDUPTEFMBTJOEVDUBODJBTEFDBSHBFOMBTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPS 
 3.21 y2VÊFTVOBDPONVUBDJÓOEFEJPEPT
 3.22 y2VÊFTFMÃOHVMPEFDPONVUBDJÓOEFVOSFDUJGJDBEPS

PROBLEMAS
 3.1 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWB R=Ω FMWPMUBKF
EFBMJNFOUBDJÓOQJDPVm=7 ZMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOf=)[%FUFSNJOFFMWPMUBKFEF
TBMJEBQSPNFEJPEFMSFDUJGJDBEPSTJMBJOEVDUBODJBEFMBGVFOUFFTJOTJHOJGJDBOUF
 3.2 3FQJUBFMQSPCMFNBTJMBJOEVDUBODJBEFMBGVFOUFQPSGBTF JODMVJEBMBJOEVDUBODJBEFGVHBEFM
USBOTGPSNBEPS
FTLc=N)
 3.3 &MSFDUJGJDBEPSEFTFJTGBTFTFOFTUSFMMBEFMBGJHVSBUJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWBEFR=Ω 
FMWPMUBKFQJDPEFBMJNFOUBDJÓOVm=7 ZMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOf=)[%FUFSNJOFFM
WPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPEFMSFDUJGJDBEPSTJMBJOEVDUBODJBEFMBGVFOUFFTJOTJHOJGJDBOUF
 3.4 3FQJUBFMQSPCMFNBTJMBJOEVDUBODJBEFGVFOUFQPSGBTF JODMVJEBMBJOEVDUBODJBEFGVHBEFMUSBOT-
GPSNBEPS
FTLc=N)
 3.5 &MSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPEFMBGJHVSBUJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWBEFR=ΩZTFBMJ-
NFOUBDPOVOBGVFOUFEF7 )[&MQSJNBSJPZFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSEFFOUSBEB
FTUÃODPOFDUBEPTFO:%FUFSNJOFFMWPMUBKFEFTBMJEBQSPNFEJPEFMSFDUJGJDBEPSTJMBTJOEVDUBODJBT
EFMBGVFOUFTPOJOTJHOJGJDBOUFT
 3.6 3FQJUBFMQSPCMFNB4JMBJOEVDUBODJBEFMBGVFOUFQPSGBTF JODMVZFOEPMBJOEVDUBODJBEFGVHBEFM
USBOTGPSNBEPS
FTLc=N)
 3.7 4FSFRVJFSFRVFFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFMBGJHVSBBTVNJOJTUSFVOWPMUBKFQSPNFEJPEF
VDE=7BVOBDBSHBSFTJTUJWBEFR=Ω%FUFSNJOFMPTWBMPSFTEFWPMUBKFZDPSSJFOUFEFMPT
EJPEPTZFMUSBOTGPSNBEPS
 3.8 4FSFRVJFSFRVFVOSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPTVNJOJTUSFVOWPMUBKFQSPNFEJPEFVDE=7DPOVOB
DPSSJFOUFMJCSFEFSJ[BEPEFIDE ="&MQSJNBSJPZFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃODP-
OFDUBEPTFO:%FUFSNJOFMPTWBMPSFTEFMWPMUBKFZDPSSJFOUFEFMPTEJPEPTZFMUSBOTGPSNBEPS
Problemas 131

 3.9 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBRL4JFMWPMUBKFQJDPEFFOUSBEBFT
Vm=7 MBGSFDVFODJBEFBMJNFOUBDJÓOf=)[ZMBSFTJTUFODJBEFMBDBSHBR=Ω EFUFS-
NJOFMBJOEVDUBODJBEFMBDBSHBLQBSBMJNJUBSMPTBSNÓOJDPTEFMBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFMBDBSHBB
EFMWBMPSQSPNFEJPIDE
 3.10 &M SFDUJGJDBEPS USJGÃTJDP FO FTUSFMMB EF MB GJHVSB B UJFOF VOB DBSHB RL 4J FM WPMUBKF QJDP FO FM
TFDVOEBSJPQPSGBTFFTVm=7B)[ ZMBSFTJTUFODJBEFMBDBSHBFTR=Ω EFUFSNJOFMB
JOEVDUBODJBEFDBSHBLQBSBMJNJUBSMPTBSNÓOJDPTEFMBDPSSJFOUFEFDBSHBBEFMWBMPSQSPNFEJP
IDE
 3.11 &MWPMUBKFEFMBCBUFSÎBRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSB1FTE=7ZTVDBQBDJEBEFTEF8I
-BDPSSJFOUFEFSFDBSHBQSPNFEJPEFCFTFSIDE="&MWPMUBKFEFFOUSBEBBMQSJNBSJPFTVp=
7 )[ ZMBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPSFTh=$BMDVMF(a)FMÃOHVMPEFDPOEVDDJÓO
δEFMEJPEP(b)MBSFTJTUFODJBRRVFMJNJUBMBDPSSJFOUF(c)MBDBQBDJEBEEFQPUFODJBPREFR(d)&M
UJFNQPEFSFDBSHBhoFOIPSBT(e)MBFGJDJFODJBEFMSFDUJGJDBEPSη Z(f)FMWPMUBKFJOWFSTPQJDP 1*7

EFMEJPEP

n:1 R D1

io

vp vs E

FIGURA P3.11

 3.12 &MWPMUBKFEFMBCBUFSÎBEFMBGJHVSB1FTE=7ZTVDBQBDJEBETPO8I-BDPSSJFOUFEF
SFDBSHBQSPNFEJPEFCFTFSIDE="&MWPMUBKFEFFOUSBEBBMQSJNBSJPFTVp=7 )[ Z
MBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPSFTh=$BMDVMF(a)FMÃOHVMPEFDPOEVDDJÓOδEFMEJPEP
(b)MBSFTJTUFODJBRRVFMJNJUBMBDPSSJFOUF(c)MBDBQBDJEBEEFQPUFODJBPREFR;(d)FMUJFNQPEF
SFDBSHBhoFOIPSBT(e)MBFGJDJFODJBEFMSFDUJGJDBEPSη Z(f)FM1*7EFMEJPEP
 3.13 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBBUJFOFL=N) 3 =Ω ZE=
7&MWPMUBKFEFFOUSBEBFTVs=7B)[(a)%FUFSNJOF 
MBDPSSJFOUFFTUBCMFBUSBWÊTEF
MBDBSHBIFOωt= 
MBDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFMEJPEPID QSPN
 
MBDPSSJFOUFSNTBUSBWÊT
EFMEJPEPID SNT
Z 
MBDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBIo SNT
(b)6TF14QJDFQBSBUSB[BSMBHSÃGJDBEFMB
DPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBEFTBMJEBi04VQPOHBMPTQBSÃNFUSPTEFEJPEP*4=&− #7=7
 3.14 &MSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBUJFOFVOBDBSHBL=N) R=ΩZE
=7&MWPMUBKFEFFOUSBEBEFMÎOFBBMÎOFBFTVab=7 )[(a)%FUFSNJOF 
MBDPSSJFOUF
FTUBCMFBUSBWÊTEFMBDBSHBIoFOΩt=π 
MBDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFMEJPEPID QSPN
 

MBDPSSJFOUFSNTBUSBWÊTEFMEJPEPID SNT
Z 
MBDPSSJFOUFSNTEFTBMJEBIo SNT
(b)6TF14QJDF
QBSBUSB[BSMBHSÃGJDBEFMBDPSSJFOUFJOTUBOUÃOFBEFTBMJEBiO4VQPOHBMPTQBSÃNFUSPTEFEJPEP*4=
&− #7=7
 3.15 6OBGVFOUFEF7 )[BMJNFOUBFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFMBGJHVSBB-BSFTJTUFODJBEF
MBDBSHBFTRL=Ω(a)%JTFÒFVOGJMUSP$EFNPEPRVFFMGBDUPSEFSJ[PEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFB
NFOPSRVF(b)$POFMWBMPSEFMDBQBDJUPSCeEFMJODJTP B
DBMDVMFFMWPMUBKFQSPNFEJPBUSBWÊT
EFMBDBSHB VDE
132 Capítulo 3 Diodos rectificadores

 3.16 3FQJUBFMQSPCMFNBQBSBFMSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSB1

 vD 
is D1

  

vp vs  Vm sen t R vo

  
Diagrama del circuito

FIGURA P3.16

 3.17 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFNFEJBPOEBEFMBGJHVSB1UJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWBR
%FUFSNJOF(a)MBFGJDJFODJB(b)FM''(c)&M3'(d)FM56'(e)FM1*7EFMEJPEP(f)FM$'EFMB
DPSSJFOUFEFFOUSBEB Z(g)FM1'EFFOUSBEB4VQPOHBVm=7
 3.18 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFNFEJBPOEBEFMBGJHVSB1FTUÃDPOFDUBEPBVOBGVFOUFEF)[
&YQSFTFFMWPMUBKFJOTUBOUÃOFPEFTBMJEBFOVOBTFSJFEF'PVSJFS
 3.19 &MWPMUBKFSNTEFFOUSBEBBMDJSDVJUPEFMBGJHVSBBFTEF7 )[(a)4JFMWPMUBKFEFTBMJEB
EFDEFTVDE=7DPOIDE=" EFUFSNJOFMPTWBMPSFTEFJOEVDUBODJBLe αFISNT(b)4JIDE=
"ZLe=N) VTFMBUBCMBQBSBDBMDVMBSMPTWBMPSFTEFVDE α βFISNT
 3.20 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBSFTJTUJWBRZBUSBWÊTEFFMMBTFDPOFDUB
VODBQBDJUPSC-BDPSSJFOUFQSPNFEJPBUSBWÊTEFMBDBSHBFTIDE4VQPOJFOEPRVFFMUJFNQPEFSF-
DBSHBEFMDBQBDJUPSFTJOTJHOJGJDBOUFDPNQBSBEPDPOFMUJFNQPEFEFTDBSHB EFUFSNJOFMPTBSNÓOJDPT
EFMWPMUBKFSNTEFTBMJEB VDB
 3.21 &MGJMUSPLCRVFTFNVFTUSBFOMBGJHVSBDTFVUJMJ[BQBSBSFEVDJSFMDPOUFOJEPEFSJ[PEFMWPMUBKF
EFTBMJEBEFVOSFDUJGJDBEPSEFTFJTGBTFTFOFTUSFMMB-BSFTJTUFODJBEFMBDBSHBFTR=Ω MBJOEVD-
UBODJBEFMBDBSHBFTL=N) ZMBGSFDVFODJBEFMBGVFOUFFTEF)[%FUFSNJOFMPTQBSÃNFUSPT
EFGJMUSPLeZCeEFNPEPRVFFMGBDUPSEFSJ[PEFMWPMUBKFEFTBMJEBTFB
 3.22 &MSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPEFMBGJHVSBUJFOFVOBDBSHBRLZTFBMJNFOUBDPOVOBGVFOUFDPOFDUBEBFO
:(a)6TFFMNÊUPEPEFMBTFSJFEF'PVSJFSQBSBPCUFOFSFYQSFTJPOFTQBSBFMWPMUBKFEFTBMJEBvo t
ZMB
DPSSJFOUFFOMBDBSHBi0 t
(b)4JFMWPMUBKFEFGBTFQJDPFTVm=7B)[ZMBSFTJTUFODJBEF
MBDBSHBFTR=Ω EFUFSNJOFMBJOEVDUBODJBEFMBDBSHBLQBSBMJNJUBSMBDPSSJFOUFEFSJ[PB
EFMWBMPSQSPNFEJPIcd.
 3.23 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFNFEJBPOEBEFMBGJHVSB1UJFOFVOEJPEPEFDPOEVDDJÓOMJCSFZ
VOBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFMBDBSHBQSPNFEJPMJCSFEFSJ[PEFIa(a)5SBDFMBTGPSNBTEFPOEBEFMBT
DPSSJFOUFTFOD DmZFOFMQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS(b)FYQSFTFMBDPSSJFOUFFOFMQSJNBSJP

 vD 

  D1  io 
R vR

vp vs  Vm sen t vo Dm 
L vL
   

Diagrama del circuito

FIGURA P3.23
Problemas 133

DPNPTFSJFEF'PVSJFS Z(c)EFUFSNJOFFM1'EFFOUSBEBZFM)'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBBMSFDUJ-
GJDBEPS4VQPOHBVOBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS
 3.24 &MSFDUJGJDBEPSNPOPGÃTJDPEFPOEBDPNQMFUBEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDPSSJFOUFFOMBDBSHBQSP-
NFEJPMJCSFEFSJ[PEFIa(a)5SBDFMBTGPSNBTEFPOEBEFMBTDPSSJFOUFTFOD DZFOFMQSJNBSJP
EFMUSBOTGPSNBEPS(b)FYQSFTFMBDPSSJFOUFFOFMQSJNBSJPDPNPVOBTFSJFEF'PVSJFS Z(c)EFUFS-
NJOFFM1'EFFOUSBEBZFM)'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBBMSFDUJGJDBEPS4VQPOHBVOBSFMBDJÓOEF
WVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS
 3.25 &MSFDUJGJDBEPSQPMJGÃTJDPFOFTUSFMMBEFMBGJHVSBBUJFOFUSFTQVMTPTZTVNJOJTUSBVOBDPSSJFOUF
QSPNFEJPBUSBWÊTEFMBDBSHBMJCSFEFSJ[BEPEFIa&MQSJNBSJPZFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS
FTUÃODPOFDUBEPTFO:4VQPOHBVOBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS(a)5SBDFMBTGPSNBT
EFPOEBEFMBTDPSSJFOUFTFOD D DZFOFMQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS(b)FYQSFTFMBDPSSJFOUF
FOFMQSJNBSJPDPNPVOBTFSJFEF'PVSJFS Z(c)EFUFSNJOFFM1'EFFOUSBEBZFM)'EFMBDPSSJFOUFEF
FOUSBEB
 3.26 3FQJUBFMQSPCMFNBTJFMQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃDPOFDUBEPFOEFMUBZFMTFDVOEBSJP
FO:
 3.27 &MSFDUJGJDBEPSQPMJGÃTJDPFOFTUSFMMBEFMBGJHVSBBUJFOFTFJTQVMTPTZTVNJOJTUSBVOBDPSSJFOUF
QSPNFEJPBUSBWÊTEFMBDBSHBMJCSFEFSJ[BEPEFIa&MQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃDPOFDUBEP
FOEFMUBZFMTFDVOEBSJPFO:4VQPOHBVOBSFMBDJÓOEFWVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS(a)5SBDFMBT
GPSNBTEFPOEBEFMBTDPSSJFOUFTFOD D DZFOFMQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS(b)FYQSFTF
MBDPSSJFOUFFOFMQSJNBSJPDPNPVOBTFSJFEF'PVSJFS Z(c)EFUFSNJOFFM1'EFFOUSBEBZFM)'EFMB
DPSSJFOUFEFFOUSBEB
 3.28 &MSFDUJGJDBEPSUSJGÃTJDPEFMBGJHVSBTVNJOJTUSBVOBDPSSJFOUFBUSBWÊTEFMBDBSHBMJCSFEFSJ[BEP
EFIa&MQSJNBSJPZFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃODPOFDUBEPTFO:4VQPOHBVOBSFMBDJÓOEF
WVFMUBTEFMUSBOTGPSNBEPS(a)5SBDFMBTGPSNBTEFPOEBEFMBTDPSSJFOUFTFOD D DZEFMB
DPSSJFOUFEFGBTFFOFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPS(b)FYQSFTFMBDPSSJFOUFEFGBTFFOFMTFDVOEB-
SJPDPNPVOBTFSJFEF'PVSJFS Z(c)EFUFSNJOFFM1'EFFOUSBEBZFM)'EFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEB
 3.29 3FQJUBFMQSPCMFNBTJFMQSJNBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃDPOFDUBEPFOEFMUBZFMTFDVOEBSJPFO
:
 3.30 3FQJUBFMQSPCMFNBTJFMQSJNBSJPZFMTFDVOEBSJPEFMUSBOTGPSNBEPSFTUÃODPOFDUBEPTFOEFMUB
 3.31 &MSFDUJGJDBEPSEFEPDFGBTFTFOFTUSFMMBEFMBGJHVSBBUJFOFVOBDBSHBQVSBNFOUFSFTJTUJWBDPO
RPINT%FUFSNJOF(a)MBFGJDJFODJB(b)FM''(c)FM3'(d)FMGBDUPSEF56'(e)FM1*7EFDBEB
EJPEP Z(f)MBDPSSJFOUFQJDPBUSBWÊTEFVOEJPEPTJFMSFDUJGJDBEPSTVNJOJTUSBIDE="DPOVO
WPMUBKFEFTBMJEBEFVDE=7
 3.32 &MSFDUJGJDBEPSFOFTUSFMMBEFMBGJHVSBBUJFOFq= Vm=7 ZMBGSFDVFODJBEFBMJNFOUB-
DJÓOFTf=)[%FUFSNJOFFMWBMPSSNTEFMBSNÓOJDPEPNJOBOUFZTVGSFDVFODJB
PARTE II Transistores de potencia y
convertidores de CD a CD
C A P Í T U L O 4

Transistores de potencia

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
 r &OVNFSBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFVOJOUFSSVQUPSEFUSBOTJTUPSJEFBM
 r %FTDSJCJSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPONVUBDJÓOEFEJGFSFOUFTUSBOTJTUPSFTEFQPUFODJBDPNP
.04'&5T $00-.04 #+5T *(#5TZ4*5T
 r %FTDSJCJSMBTMJNJUBDJPOFTEFMPTUSBOTJTUPSFTDPNPJOUFSSVQUPSFT
 r %FTDSJCJSMPTSFRVFSJNJFOUPTEFDPOUSPMEFDPNQVFSUBZMPTNPEFMPTEFUSBOTJTUPSFTEFQPUFODJB
 r %JTFÒBSDJSDVJUPTEFQSPUFDDJÓOdi/dtZdv/dtQBSBUSBOTJTUPSFT
 r %FUFSNJOBSDPOGJHVSBDJPOFTQBSBRVFGVODJPOFOUSBOTJTUPSFTFOTFSJFZFOQBSBMFMP
 r %FTDSJCJSMPTNPEFMPT41*$&EF.04'&5T #+5TF*(#5T
 r %FUFSNJOBS MBT DBSBDUFSÎTUJDBT Z SFRVFSJNJFOUPT EF DPOUSPM EF DPNQVFSUB EF #+5T  .04'&5T 
+'&5TF*(#5T
 r %FTDSJCJSMBTUÊDOJDBTEFBJTMBNJFOUPFOUSFFMDJSDVJUPEFBMUPOJWFMEFQPUFODJBZFMDJSDVJUPEF
DPOUSPMEFDPNQVFSUBEFCBKPOJWFM

Símbolos y su significado
Símbolo Significado
i; v $PSSJFOUFZWPMUBKFWBSJBCMFTJOTUBOUÃOFPT SFTQFDUJWBNFOUF
I; V $PSSJFOUFZWPMUBKFEFDEGJKPT SFTQFDUJWBNFOUF
IG; ID; IS; IDS $PSSJFOUFTEFDPNQVFSUB ESFOBKF GVFOUFZEFESFOBKFTBUVSBEBEF
.04'&5T SFTQFDUJWBNFOUF
IB; IC; IE; ICS $PSSJFOUFTEFCBTF DPMFDUPS FNJTPSZEFDPMFDUPSTBUVSBEBEF#+5T 
SFTQFDUJWBNFOUF
VGS; VDS 7PMUBKFTEFDPNQVFSUBGVFOUFZESFOBKFGVFOUFEF.04'&5T 
SFTQFDUJWBNFOUF
VBE; VCE 7PMUBKFTEFCBTFFNJTPSZDPMFDUPSFNJTPSEF#+5T SFTQFDUJWBNFOUF
IC; VGS; VCE $PSSJFOUFEFDPMFDUPS WPMUBKFTEFDPNQVFSUBGVFOUFZDPMFDUPSFNJTPSEF
*(#5T SFTQFDUJWBNFOUF
TA; TC; TJ; TS 5FNQFSBUVSBTBNCJFOUF EFDÃQTVMB VOJÓOZEJTJQBEPS SFTQFDUJWBNFOUF
td; tr; tn; ts; tf; to 5JFNQPEFSFUSBTP TVCJEB FODFOEJEP BMNBDFOBNJFOUP DBÎEBZBQBHBEPEF
VOUSBOTJTUPSEFDPONVUBDJÓO SFTQFDUJWBNFOUF

134
4.1 Introducción 135

Símbolo Significado
βF (= hFE); αF (BOBODJBEFDPSSJFOUFFOTFOUJEPEJSFDUPZSFMBDJPOFTEFDPSSJFOUFDPMFDUPS
FNJTPSEF#+5T SFTQFDUJWBNFOUF
RC; RD; RG 3FTJTUFODJBTEFDPMFDUPS ESFOBKFZDPNQVFSUB SFTQFDUJWBNFOUF

4.1 INTRODUCCIÓN
-PT USBOTJTUPSFT EF QPUFODJB IBO DPOUSPMBEP MBT DBSBDUFSÎTUJDBT EF FODFOEJEP Z BQBHBEP -PT
USBOTJTUPSFT  RVF TF VUJMJ[BO DPNP FMFNFOUPT EF DPONVUBDJÓO  GVODJPOBO FO MB SFHJÓO EF TB
UVSBDJÓO  MP RVF QSPWPDB VOB CBKB DBÎEB EF WPMUBKF FO FTUBEP EF DPOEVDDJÓO FODFOEJEP -B
WFMPDJEBEEFDPONVUBDJÓOEFMPTUSBOTJTUPSFTNPEFSOPTFTNVDIPNBZPSRVFMBEFMPTUJSJTUPSFT
ZUJFOFOVOBNQMJPVTPFODPOWFSUJEPSFTEFDEBDEZEFDEBDB DPOMPTEJPEPTDPOFDUBEPTFO
QBSBMFMPBMBJOWFSTBQBSBQSPQPSDJPOBSVOGMVKPEFDPSSJFOUFCJEJSFDDJPOBM4JOFNCBSHP TVT
DBQBDJEBEFTEFWPMUBKFZDPSSJFOUFTPONFOPSFTRVFMBTEFMPTUJSJTUPSFTZMPTUSBOTJTUPSFTZQPS
MPDPNÙOTFVTBOFOBQMJDBDJPOFTEFCBKBBNFEJBOBQPUFODJB$POFMBWBODFFOMBUFDOPMPHÎB
EFTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB MBTDBQBDJEBEFTEFMPTUSBOTJTUPSFTEFQPUFODJBTFNFKPSBOEF
GPSNBDPOUJOVB DPNPTVDFEFDPOMPT*(#5TRVFTFVUJMJ[BODBEBWF[NÃTFOBQMJDBDJPOFTEF
BMUBQPUFODJB-PTUSBOTJTUPSFTEFQPUFODJBTFQVFEFODMBTJGJDBSFODJODPDBUFHPSÎBT

1. 5SBOTJTUPSFTEFFGFDUPEFDBNQPTFNJDPOEVDUPSFTEFÓYJEPNFUÃMJDP .04'&5T



2. $00-.04
3. 5SBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFVOJÓO #+5T

4. 5SBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFDPNQVFSUBBJTMBEB *(#5T

5. 5SBOTJTUPSFTFTUÃUJDPTEFJOEVDDJÓO 4*5T

-PT .04'&5  $00-.04  #+5  *(#5  P MPT 4*5 TF QVFEFO DPOTJEFSBS DPNP JO
UFSSVQUPSFT JEFBMFT QBSB FYQMJDBS MBT UÊDOJDBT EF DPOWFSTJÓO EF QPUFODJB 6O USBOTJTUPS TF
QVFEFVUJMJ[BSDPNPVOJOUFSSVQUPS4JOFNCBSHP MBFMFDDJÓOFOUSFVO#+5ZVO.04'&5
FOMPTDJSDVJUPTDPOWFSUJEPSFTOPFTPCWJB QFSPDBEBVOPEFFMMPTQVFEFSFFNQMB[BSBVO
JOUFSSVQUPSTJFNQSFRVFTVTDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFZDPSSJFOUFTBUJTGBHBOMPTSFRVFSJNJFOUPTEF
TBMJEB EFM DPOWFSUJEPS -PT USBOTJTUPSFT QSÃDUJDPT EJGJFSFO EF MPT EJTQPTJUJWPT JEFBMFT -PT
USBOTJTUPSFTUJFOFODJFSUBTMJNJUBDJPOFTZFTUÃOSFTUSJOHJEPTBBMHVOBTBQMJDBDJPOFT)BZRVF
FYBNJOBSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTZDBQBDJEBEFTEFDBEBUJQPQBSBEFUFSNJOBSTJTPOBEFDVBEPT
QBSBVOBBQMJDBDJÓOFOQBSUJDVMBS
&MDJSDVJUPEFDPNQVFSUBFTQBSUFJOUFHSBMEFVODPOWFSUJEPSEFQPUFODJBRVFDPOTUBEF
EJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB-BTBMJEBEFVODPOWFSUJEPSRVFEFQFOEFEFMBGPSNB
FORVFFMDJSDVJUPEFDPNQVFSUBDPOUSPMBMPTEJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOFTVOBGVODJÓOEJSFDUB
EFMBDPONVUBDJÓO1PSDPOTJHVJFOUF MBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFMDJSDVJUPEFDPNQVFSUBTPOFMFNFOUPT
DMBWFQBSBMPHSBSMBTBMJEBZMPTSFRVFSJNJFOUPTEFDPOUSPMEFTFBEPTEFDVBMRVJFSDPOWFSUJEPSEF
QPUFODJB&MEJTFÒPEFVODJSDVJUPEFDPNQVFSUBSFRVJFSFDPOPDFSMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFMBDPN
QVFSUBZMBTOFDFTJEBEFTEFEJTQPTJUJWPTDPNPUJSJTUPSFT UJSJTUPSFTEFCMPRVFPPBQBHBEPQPS
DPNQVFSUB (50T
USBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFVOJÓO USBOTJTUPSFTEFFGFDUPEFDBNQPTFNJDPO
EVDUPSFTEFÓYJEPNFUÃMJDP ZUSBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFDPNQVFSUBBJTMBEB
%BEPRVFMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBTFVUJMJ[BDBEBWF[NÃTFOBQMJDBDJPOFTRVFSFRVJFSFO
DJSDVJUPTJOUFHSBEPTEFDPOUSPMEFDPNQVFSUBDPODPOUSPMEFBWBODF BMUBWFMPDJEBE BMUBFGJDJFO
DJBZUBNBÒPDPNQBDUP IBZVOBNBZPSEJTQPOJCJMJEBEEFDJSDVJUPTJOUFHSBEPT *$
EFDPOUSPM
EFDPNQVFSUBFOFMNFSDBEP
136 Capítulo 4 Transistores de potencia

TABLA 4.1 1SPQJFEBEFTEFMTJMJDJPZEFNBUFSJBMFTTFNJDPOEVDUPSFT8#(

1BSÃNFUSP 4J (B"T )4J$ )4J$ $4J$ )(B/ %JBNBOUF


#BOEBQSPIJCJEBEFFOFSHÎB EH F7
       
$BNQPFMÊDUSJDPDSÎUJDP Ec        
 .7DN

7FMPDJEBEEFEFSJWBEFMPTFMFDUSPOFT  ×7 ×7 ×7 ×7 ×7 ×7 ×7


vsat DNT

$POEVDUJWJEBEUÊSNJDB        


λ 8DN,

4.2 TRANSISTORES DE CARBURO DE SILICIO


-PTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFTJMJDJPTPOMPTFMFNFOUPTDMBWFQBSBEFUFSNJOBSMPTUJQPT
EF UPQPMPHÎB EF DPOWFSTJÓO Z FM EFTFNQFÒP EF DPOWFSTJÓO -PT EJTQPTJUJWPT EF QPUFODJB IBO
FWPMVDJPOBEPBMQBTPEFMUJFNQPEFTEFMPTEJPEPTEFTJMJDJP IBTUBMPTUSBOTJTUPSFTCJQPMBSFT UJ
SJTUPSFT .04'&5T $00-.0TF*#(5T-PT*(#5IBOTJEPMPTEJTQPTJUJWPTNÃTEFTFBCMFTQPS
TVTDBSBDUFSÎTUJDBTEFDPONVUBDJÓOTVQFSJPSFT-PT*(#5EFTJMJDJPTFVTBOFOBQMJDBDJPOFT
EFFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBDPODBQBDJEBEFTEFWPMUBKFEFFOUSFL7ZL7-PTEJTQPTJUJWPTEF
TJMJDJPZBDBTJIBOMMFHBEPBTVTMÎNJUFT EFNPEPRVFVOTBMUPDVÃOUJDPFOFMEFTFNQFÒPEFMPT
EJTQPTJUJWPTSFRVJFSFPVONFKPSNBUFSJBMPVOBNFKPSFTUSVDUVSBEFMEJTQPTJUJWP
-PT NBUFSJBMFT EF TFNJDPOEVDUPSFT EF CBOEB QSPIJCJEB NÃT BODIB 8#(
 DPNP FM
DBSCVSPEFTJMJDJP 4J$
FMOJUSVSPEFHBMJP (B/
ZFMEJBNBOUF QPTFFOQSPQJFEBEFTJOUSÎO
TFDBT ZMPTEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFT8#(PGSFDFOTÙQFSEFTFNQFÒPFODPNQBSBDJÓODPO
EJTQPTJUJWPTEFTJMJDJPFRVJWBMFOUFT-BUBCMBNVFTUSBMBTQSPQJFEBEFTDMBWFEFMTJMJDJPZEF
MPTNBUFSJBMFTTFNJDPOEVDUPSFT8#(<>)TFSFGJFSFBMBFTUSVDUVSBDSJTUBMJOBEFMDBSCVSP
EF TJMJDJP RVF TF VUJMJ[BFO TFNJDPOEVDUPSFT EF QPUFODJB -PT NBUFSJBMFT TFNJDPOEVDUPSFT TF
DBSBDUFSJ[BOQPSMBTTJHVJFOUFTQSPQJFEBEFTEFTFBCMFT<     >

 r -BCBOEBQSPIJCJEBEFFOFSHÎBNÃTBODIBEBQPSSFTVMUBEPDPSSJFOUFTEFGVHBNÃTCBKBT
ZUFNQFSBUVSBTEFGVODJPOBNJFOUPTJHOJGJDBUJWBNFOUFNÃTBMUBTEFMPTEJTQPTJUJWPT8#(
"EFNÃT MBEVSF[BEFSBEJBDJÓOTFNFKPSB
 r &MDBNQPFMÊDUSJDPDSÎUJDPNÃTBMUPTJHOJGJDBRVFMBTDBQBTEFCMPRVFEFMPTEJTQPTJUJWPT
8#(QVFEFOTFSNÃTEFMHBEBTZDPODPODFOUSBDJPOFTEFEPQBEPNÃTBMUBT MPRVFEBQPS
SFTVMUBEP ÓSEFOFT EF NBHOJUVE CBKPT EF MPT WBMPSFT EF SFTJTUFODJB FO DPNQBSBDJÓO DPO
EJTQPTJUJWPTEFTJMJDJPFRVJWBMFOUFT
 r -B WFMPDJEBE EF TBUVSBDJÓO EF FMFDUSPOFT NÃT BMUB DPOEVDF B GSFDVFODJBT EF GVODJPOB
NJFOUPNÃTBMUBT
 r -BDPOEVDUJWJEBEUÊSNJDBNÃTBMUB QPSFKFNQMP EFM4J$ZEFMEJBNBOUF
NFKPSBFMFTQBS
DJNJFOUPEFMDBMPSZQFSNJUFVOGVODJPOBNJFOUPBEFOTJEBEFTEFQPUFODJBNÃTBMUBT

6OBEFMBTNBZPSFTWFOUBKBTRVFFTUBCBOEBQSPIJCJEBBODIBDPOGJFSFFTFWJUBSMBSVQ
UVSBFMÊDUSJDB-PTEJTQPTJUJWPTEFTJMJDJP QPSFKFNQMP OPQVFEFOTPQPSUBSDBNQPTFMÊDUSJDPT
EFNÃTEFL7QPSDFOUÎNFUSP$VBMRVJFSDBNQPNÃTJOUFOTPFNQVKBSÃMPTFMFDUSPOFTDPOMB
TVGJDJFOUFGVFS[BQBSBFYQVMTBSMPTEFMBCBOEBEFWBMFODJB"TVWF[ FTUPTFMFDUSPOFTMJCFSBEPTTF
BDFMFSBSÃOZDIPDBSÃODPOPUSPTFMFDUSPOFT MPRVFDSFBSÃVOBBWBMBODIBRVFQVFEFIBDFSRVFMB
DPSSJFOUFTFJOUFOTJGJRVFZBDBCFQPSEFTUSVJSFMNBUFSJBM$PNPMPTFMFDUSPOFTFOFM4J$SFRVJF
SFONÃTFOFSHÎBQBSBTFSFNQVKBEPTIBDJBMBCBOEBEFDPOEVDDJÓO FMNBUFSJBMQVFEFTPQPSUBS
DBNQPTFMÊDUSJDPTNVDIPNÃTJOUFOTPT IBTUBVONÃYJNPEFWFDFTRVFFMTJMJDJP1PSDPOTJ
HVJFOUF VOEJTQPTJUJWPBCBTFEF4J$QVFEFUFOFSMBTNJTNBTEJNFOTJPOFTRVFVOPEFTJMJDJP
4.3 MOSFETs de potencia 137

QFSPQVFEFTPQPSUBSWFDFTFMWPMUBKF&MFTQFTPSEFVOEJTQPTJUJWPEF4J$QVFEFTFSEJF[
WFDFTNFOPSRVFFMEFVOEJTQPTJUJWPEFTJMJDJPQFSPTPQPSUBFMNJTNPWPMUBKF ZBRVFMBEJ
GFSFODJBEFWPMUBKFOPUJFOFRVFFTQBSDJSTFBUSBWÊTEFUBOUPNBUFSJBM&TUPTEJTQPTJUJWPTNÃT
EFMHBEPTTPONÃTSÃQJEPTZQPTFFONFOPTSFTJTUFODJB MPRVFTJHOJGJDBNFOPTFOFSHÎBQFSEJEBFO
GPSNBEFDBMPSDVBOEPVOEJTQPTJUJWPEFQPUFODJBEF4J$DPOEVDFFMFDUSJDJEBE<>
$VBOEP*OGJOFPOMBO[ÓFMEJPEP4DIPUULZEFDBSCVSPEFTJMJDJP<>GVFFMDPNJFO[PEFVOB
OVFWBFSBFOEJTQPTJUJWPTTFNJDPOEVDUPSFTEFQPUFODJB-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBEFDBSCVSP
EFTJMJDJPIBQBTBEPEFTFSVOBGVUVSBQSPNJTPSJBUFDOPMPHÎBBTFSVOBQPUFOUFBMUFSOBUJWBEF
MBUFDOPMPHÎBEFWBOHVBSEJBEFMTJMJDJP 4J
FOBQMJDBDJPOFTEFBMUBFGJDJFODJB BMUBGSFDVFODJBZ
BMUBUFNQFSBUVSB<>-BFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBEF4J$PGSFDFNVDIBTWFOUBKBT DPNPDBQBDJEB
EFTEFWPMUBKFNÃTBMUBT DBÎEBTEFWPMUBKFNÃTCBKBT UFNQFSBUVSBTNÃYJNBTNÃTBMUBT ZNBZPS
DPOEVDUJWJEBEUÊSNJDB-PTUSBOTJTUPSFTEF4J$TPOEJTQPTJUJWPTVOJQPMBSFTZQSÃDUJDBNFOUFOPIBZ
FGFDUPTEJOÃNJDPTBTPDJBEPTDPOMBBDVNVMBDJÓOPFMJNJOBDJÓOEFDBSHBTFYDFEFOUFT"NFEJEB
RVFMBUFDOPMPHÎBEFM4J$BWBODFTFFTQFSBRVFMPTDPTUPTEFQSPEVDDJÓOEFEJTQPTJUJWPTEF
QPUFODJBEF4J$TFBODPNQBSBCMFTDPOMPTEFEJTQPTJUJWPTEF4J"QSJODJQJPTEFMBEÊDBEB
EF MBTNFKPSBTDPOUJOVBTFOMBTPCMFBTEFDSJTUBMTJNQMFEF4J$IBOQSPWPDBEPBWBODFTTJHOJ
GJDBUJWPTIBDJBFMEFTBSSPMMPEFNBUFSJBMFTEF4J$FQJUBYJBMFTDPOQPDPTEFGFDUPTZEJTQPTJUJWPT
EF4J$QBSBBMUPWPMUBKF< > JODMVZFOEPFMEFTBSSPMMPEFVOUJSJTUPS(50QBSBL7<> 
.04'&5TEF4J$QBSBL7<>F*(#5TQBSBL7<>-PTTJHVJFOUFTUJQPTEFEJTQPTJUJWPTEF
4J$ZBFTUÃOEJTQPOJCMFTPFOEFTBSSPMMP

  5SBOTJTUPSFTEFFGFDUPEFDBNQPEFVOJÓO +'&5T

  5SBOTJTUPSFTEFFGFDUPEFDBNQPEFTJMJDJPZÓYJEPNFUÃMJDP .04'&5T

  5SBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFVOJÓO #+5T

  5SBOTJTUPSFTCJQPMBSFTEFDPNQVFSUBBJTMBEB *(#5T


4.3 MOSFETs DE POTENCIA


6O.04'&5EFQPUFODJBFTVOEJTQPTJUJWPDPOUSPMBEPQPSWPMUBKFZSFRVJFSFTÓMPVOBQFRVFÒB
DPSSJFOUFEFFOUSBEB-BWFMPDJEBEEFDPONVUBDJÓOFTNVZBMUBZMPTUJFNQPTEFDPONVUBDJÓO
TPOEFMPSEFOEFOBOPFHVOEPT-PT.04'&5EFQPUFODJBTFVUJMJ[BODBEBWF[NÃTFODPOWFS
UJEPSFTEFBMUBGSFDVFODJBZCBKBQPUFODJB-PT.04'&5OPUJFOFOMPTQSPCMFNBTEFGFOÓNFOPTEF
TFHVOEBSVQUVSBDPNPMPT#+54JOFNCBSHP MPT.04'&5UJFOFOMPTQSPCMFNBTEFEFTDBSHB
FMFDUSPTUÃUJDBZSFRVJFSFOVODVJEBEPFTQFDJBMFOTVNBOFKP"EFNÃT FTSFMBUJWBNFOUFEJGÎDJM
QSPUFHFSMPTFODPOEJDJPOFTEFGBMMBQPSDPSUPDJSDVJUP
-PT EPT UJQPT EF .04'&5 TPO 
 .04'&5T EF BHPUBNJFOUP Z 
 .04'&54 EF FOSJ
RVFDJNJFOUP<>6O.04'&5UJQPBHPUBNJFOUPEFDBOBMnTFGPSNBTPCSFVOTVTUSBUPEF
TJMJDJPUJQPpDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB DPOEPTTFDDJPOFTEFTJMJDJPn+GVFSUFNFOUFEPQB
EBTQBSBMBTDPOFYJPOFTEFCBKBSFTJTUFODJB-BDPNQVFSUBTFBÎTMBEFMDBOBMDPOVOBEFMHBEB
DBQBEFÓYJEP-BTUSFTUFSNJOBMFTTFMMBNBO compuerta drenajeZfuente/PSNBMNFOUF FM
TVTUSBUPTFDPOFDUBBMBGVFOUF&MWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUF VGSQPESÎBTFSVOBEFEPT
PQPTJUJWPPOFHBUJWP4JVGSFTOFHBUJWP BMHVOPTEFMPTFMFDUSPOFTFOFMÃSFBEFMDBOBMnTF
SFQFMFOZTFDSFBVOBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPEFCBKPEFMBDBQBEFÓYJEP ZFMSFTVMUBEPFTVO
DBOBMFGFDUJWPNÃTBOHPTUPZVOBBMUBSFTJTUFODJBEFMESFOBKFBMBGVFOUF RDS4JVGSTFIBDFMP
CBTUBOUFOFHBUJWP FMDBOBMTFBHPUBQPSDPNQMFUP PGSFDFVOBMUPWBMPSEFR DS ZOPGMVZF
DPSSJFOUFEFMESFOBKFBMBGVFOUF IDS =&MWBMPSEFVGSDVBOEPFTUPTVDFEFTFMMBNBvoltaje
de estrangulamiento Vp1PSPUSBQBSUF TJVGSTFWVFMWFQPTJUJWP FMDBOBMTFFOTBODIBFIDSTF
JODSFNFOUBQPSMBSFEVDDJÓOEFR DS$POVO.04'&5UJQPBHPUBNJFOUPEFDBOBMp MBTQPMBSJ
EBEFTEF7DS IDSZVGSTFJOWJFSUFO DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC
138 Capítulo 4 Transistores de potencia

ID
Sustrato de metal
Drenaje (D) n RD
Compuerta sustrato
de metal (G) tipo p 
n ID
 VDD D
VGS Canal 
 RD
G
n
Fuente (S)  
Óxido VGS S VDD
ID 

Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
sustrato
G tipo n
p ID
 D
Canal 
VGS VDD
  RD
G
S p
 
VGS S VDD


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

FIGURA 4.1
.04'&5TUJQPBHPUBNJFOUP

6O.04'&5UJQPFOSJRVFDJNJFOUPEFDBOBMnOPUJFOFVODBOBMGÎTJDP DPNPTFNVFTUSB
FOMBGJHVSBB4JVGSFTQPTJUJWP VOWPMUBKFJOEVDJEPBUSBFFMFDUSPOFTEFMTVTUSBUPpZMPT
BDVNVMBFOMBTVQFSGJDJFEFCBKPEFMBDBQBEFÓYJEP4JVGSFTNBZPSRVFPJHVBMBVOWBMPS
DPOPDJEP DPNP voltaje de umbral VT  VO OÙNFSP TVGJDJFOUF EF FMFDUSPOFT TF BDVNVMBO QBSB
GPSNBSVODBOBMnWJSUVBM DPNPMPJOEJDBOMBTMÎOFBTTPNCSFBEBTFOMBGJHVSBB ZMBDPSSJFOUF
GMVZFEFMESFOBKFBMBGVFOUF-BTQPMBSJEBEFTEFVDS IDSZVGSTFJOWJFSUFOFOVO.04'&5
UJQPFOSJRVFDJNJFOUPEFDBOBMp DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC&OMBGJHVSBTFNVFTUSBO
.04'&5TEFQPUFODJBEFWBSJPTUBNBÒPT
%FCJEPBRVFVO.04'&5EFBHPUBNJFOUPQFSNBOFDFFOFTUBEPEFFODFOEJEPBWPMUBKF
EFDPNQVFSUBDFSP NJFOUSBTVO.04'&5UJQPFOSJRVFDJNJFOUPQFSNBOFDFFOFTUBEPBQBHBEPB
WPMUBKFEFDPNQVFSUBDFSP QPSMPHFOFSBMMPT.04'&5UJQPFOSJRVFDJNJFOUPTFVUJMJ[BODPNP
EJTQPTJUJWPTEFDPONVUBDJÓOFOMBFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJB1BSBSFEVDJSMBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEF
DPOEVDDJÓOQPSDPOUBSDPOVOÃSFBEFDPOEVDDJÓONÃTHSBOEF QPSMPDPNÙOTFVUJMJ[BMBFTUSVD
UVSBUJQP7QBSB.04'&5TEFQPUFODJB&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBFMDPSUFUSBOTWFSTBMEFVO
.04'&5EFQPUFODJBDPOPDJEPDPNP.04'&5WFSUJDBM 7

$VBOEP MB DPNQVFSUB UJFOF VO WPMUBKF TVGJDJFOUFNFOUF QPTJUJWP DPO SFTQFDUP B MB
GVFOUF FMFGFDUPEFTVDBNQPFMÊDUSJDPKBMBFMFDUSPOFTEFMBDBQBn+IBDJBMBDBQBp&TUP
BCSFFMDBOBMNÃTDFSDBOPBMBDPNQVFSUB FMDVBMBTVWF[QFSNJUFRVFGMVZBDPSSJFOUFEFM
ESFOBKFBMBGVFOUF)BZVOBDBQBEJFMÊDUSJDBEFÓYJEPEFTJMJDJP 4J0
FOUSFFMNFUBMEFMB
4.3 MOSFETs de potencia 139

ID
Sustrato de metal
D n RD
Metal
G sustrato 
tipo p ID
 VDD D
VGS 
  R
D
G
n VDS
S
  
Óxido S VDD
ID VGS


Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
Metal
G Sustrato
tipo n D
 
VGS VDD  R
  D
G
S p VDS
  
Óxido S VDD
VGS


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

FIGURA 4.2
.04'&5TUJQPFOSJRVFDJNJFOUP

FIGURA 4.3
.04'&5TEFQPUFODJB
3FQSPEVDJEPTDPOQFSNJTP
EF*OUFSOBUJPOBM3FDUJGJFS

140 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta
Compuerta Fuente
Fuente S G

SiO2 n
n n p
p p
Rn Rch
Repi
epitaxia
n nepi

epitaxia n
nsub Rsub

Drenaje D
Drenaje
(a) Corte transversal de un MOSFET V (b) Resistencia en serie en estado de conducción
de un MOSFET V

FIGURA 4.4
$PSUFUSBOTWFSTBMEF.04'&5T<3FG (%FCPZ>

DPNQVFSUB Z MB VOJÓO n+ Z p &M .04'&5 FTUÃ GVFSUFNFOUF EPQBEP EFM MBEP EFM ESFOBKF
QBSB DSFBS VOB DBQB JOUFSNFEJB n+ EFCBKP EF MB DBQB EF EFSJWB n &TUB DBQB JOUFSNFEJB
JNQJEFRVFMBDBQBEFBHPUBNJFOUPMMFHVFBMNFUBM OJWFMBFMFTGVFS[PEFWPMUBKFBUSBWÊTEF
MBDBQBn FJODMVTPSFEVDFMBDBÎEBEFWPMUBKFFOTFOUJEPEJSFDUPEVSBOUFMBDPOEVDDJÓO-B
DBQBJOUFSNFEJBUBNCJÊOIBDFRVFFMEJTQPTJUJWPTFBBTJNÊUSJDPDPODBQBDJEBEEFWPMUBKFVO
UBOUPCBKB
-PT.04'&5SFRVJFSFOCBKBFOFSHÎBEFDPNQVFSUB ZUJFOFOVOBNVZBMUBWFMPDJEBEEF
DPONVUBDJÓOZCBKBTQÊSEJEBTFOFTUBEPEFDPONVUBDJÓO-BSFTJTUFODJBEFFOUSBEBFTNVZBMUB 
B Ω1FSPMPT.04'&5UJFOFOMBEFTWFOUBKBEFVOBBMUBSFTJTUFODJBFOTFOUJEPEJSFDUP
FOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC ZQPSDPOTJHVJFOUFBMUBTQÊSEJEBTFO
FTUBEPEFDPOEVDDJÓO MPRVFMPTIBDFNFOPTBUSBDUJWPTDPNPEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJB BVO
RVF TPO FYDFMFOUFT DPNP EJTQPTJUJWPT BNQMJGJDBEPSFT EF DPNQVFSUB QBSB UJSJTUPSFT WFB FM
DBQÎUVMP


4.3.1 Características en estado estable


-PT.04'&5TPOEJTQPTJUJWPTDPOUSPMBEPTQPSWPMUBKFZTVJNQFEBODJBEFFOUSBEBFTNVZBMUB
-B DPNQVFSUB BCTPSCF VOB DPSSJFOUF EF GVHB NVZ QFRVFÒB  EFM PSEFO EF OBOPBNQFSFT -B
HBOBODJBEFDPSSJFOUF MBDVBMFTMBSFMBDJÓOEFMBDPSSJFOUFEFESFOBKFIDBMBDPSSJFOUFEFDPN
QVFSUBEFFOUSBEBIG FTUÎQJDBNFOUFEFMPSEFOEF4JOFNCBSHP MBHBOBODJBEFDPSSJFOUFOP
FTVOQBSÃNFUSPJNQPSUBOUF-Btransconductancia MBDVBMFTMBSFMBDJÓOEFMBDPSSJFOUFEF
ESFOBKFBMWPMUBKFEFDPNQVFSUB EFGJOFMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTGFSFODJBZFTVOQBSÃNFUSP
NVZJNQPSUBOUF
-BGJHVSBNVFTUSBMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTGFSFODJBEF.04'&5TEFDBOBMn Z
DBOBMp-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTGFSFODJBEFMBGJHVSBCQBSB.04'&5TEFFOSJRVFDJ
NJFOUPEFDBOBMnTFQVFEFOVTBSQBSBEFUFSNJOBSMBDPSSJFOUFFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOiD
DPNPTJHVF<>
4.3 MOSFETs de potencia 141

Vp
iD VGS
0

Vp 0 iD
VGS
canal n canal p
(a) MOSFET tipo agotamiento

VT
iD VGS
0

0 VT iD
VGS
canal n canal p
(b) MOSFET tipo enriquecimiento

FIGURA 4.5
$BSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTGFSFODJBEF.04'&5T

iD = Kn 1vGS − VT 2 2 para vGS > VT y vDS ≥ 1 vGS − VT 2 

EPOEFKnFTMBDPOTUBOUF.04 "7
vGSFTFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUF V
VTFTFMWPMUBKFEFVNCSBM V

-BGJHVSBNVFTUSBMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFTBMJEBEFVO.04'&5EFFOSJRVFDJNJFOUPEF
DBOBMn)BZUSFTSFHJPOFTEFPQFSBDJÓO 
SFHJÓOEFDPSUF EPOEFVGS ≤ VT  
SFHJÓOEFFTUSBO
HVMBNJFOUPPEFTBUVSBDJÓO EPOEFVDS ≥ VGS − VT Z 
SFHJÓOMJOFBM EPOEFVDS ≤ VGS − VT&M
FTUSBOHVMBNJFOUPPDVSSFDVBOEPVDS = VGS − VT&OMBSFHJÓOMJOFBM MBDPSSJFOUFEFESFOBKFID

Región de estrangulamiento
Región o región de saturación
ID lineal
VGS4 VGS3 VGS2 VGS1 VT
VDD
VGS4
RD
ID VGS3

VDS  VGS  VT
VGS2

VGS1
FIGURA 4.6
VGS  VT
0 VDS $BSBDUFSÎTUJDBTEFTBMJEBEFVO.04'&5
VDS VDD UJQPFOSJRVFDJNJFOUP
142 Capítulo 4 Transistores de potencia

WBSÎBFOQSPQPSDJÓOBMWPMUBKFEFESFOBKFBGVFOUF VDS 1PSMBBMUBDPSSJFOUFEFESFOBKFZ


FM CBKP WPMUBKF EF ESFOBKF  MPT .04'&5T EF QPUFODJB TF VUJMJ[BO FO MB SFHJÓO MJOFBM QBSB
BDDJPOFT EF DPONVUBDJÓO &O MB SFHJÓO EF TBUVSBDJÓO  MB DPSSJFOUF EF ESFOBKF QFSNBOFDF
DBTJDPOTUBOUFQBSBDVBMRVJFSJODSFNFOUPEFMWBMPSEFVDSZMPTUSBOTJTUPSFTTFVUJMJ[BOFO
FTUBSFHJÓOQBSBBNQMJGJDBDJÓOEFWPMUBKF0CTFSWFNPTRVFTBUVSBDJÓOUJFOFFMTJHOJGJDBEP
PQVFTUPBMEFUSBOTJTUPSFTCJQPMBSFT&OMBSFHJÓOMJOFBMVÓINJDB FMvDSEFESFOBKFBGVFOUF
FTCBKPZMBDBSBDUFSÎTUJDBiD − vDSRVFBQBSFDFFOMBGJHVSBTFQVFEFEFTDSJCJSNFEJBOUFMB
TJHVJFOUFSFMBDJÓO

iD = Kn 3 21 vGS − VT 2 vDS − v2DS 4 para vGS > VT y 0 < vDS < 1 vGS − VT 2  

MBDVBM DPOVOWBMPSQFRVFÒPEFvDS (<<VT


TFBQSPYJNBB

iD = Kn 21 vGS − VT 2 vDS 

-BMÎOFBEFDBSHBEFVO.04'&5DPOVOBSFTJTUFODJBEFDBSHBRDDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
BTFQVFEFEFTDSJCJSQPS
VDD − vDS
iD =  

RD

EPOEFiD = VDD/RDDPOvDS =ZvDS = VDDDPOiD =


1BSBNBOUFOFSCBKPFMWBMPSEFVDS FMWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUFVGSEFCFTFSNÃT
BMUPQBSBRVFFMUSBOTJTUPSPQFSFFOMBSFHJÓOMJOFBM
-B GJHVSB  NVFTUSB FM NPEFMP EF DPONVUBDJÓO FO FTUBEP QFSNBOFOUF  FM DVBM FT FM
NJTNPUBOUPQBSB.04'&5TUJQPBHPUBNJFOUPDPNPQBSBUJQPFOSJRVFDJNJFOUPRDFTMBSF
TJTUFODJBEFDBSHB4FDPOFDUBVOBSFTJTUFODJBHSBOEFRGFOFMPSEFOEFNFHPINTFOUSFMB
DPNQVFSUBZMBGVFOUFQBSBFTUBCMFDFSFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBBVOOJWFMEFGJOJEPRS (<<RG)
MJNJUBMBTDPSSJFOUFTEFDBSHBNFEJBOUFMBTDBQBDJUBODJBTJOUFSOBTEFM.04'&5-BUSBOTDPO
EVDUBODJBgmTFEFGJOFDPNP
∆ID
gm = `  

∆VGS VDS = constante

ID
RD
RD
RS G D
ID
   
D VDD VDD
  r0  
RDS
RS G VG RG VGS gmVGS
VDS
 
VG VGS RG S 
    S
(a) Diagrama del circuito (b) Circuito equivalente

FIGURA 4.7
.PEFMPEFDPONVUBDJÓOFOFTUBEPQFSNBOFOUFEF.04'&5T
4.3 MOSFETs de potencia 143

-BHBOBODJBEFUSBOTDPOEVDUBODJBgmTFEFUFSNJOBDPOMBTFDVBDJPOFT 
Z 
FOFMQVOUP
EFPQFSBDJÓOFOvGS = VGSFiD = IDDPNP

= 2KnVDS 0 VDS =constante (región lineal)


diD
gm =
dvGS
= 2Kn 1 VGS − VT 2 0 VDS =constante (región de saturación)  

1PSDPOTJHVJFOUF gmEFQFOEFEFVGSFOMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓOFOUBOUPRVFQFSNBOFDFDBTJ
DPOTUBOUFFOMBSFHJÓOMJOFBM6O.04'&5QVFEFBNQMJGJDBSVOBTFÒBMEFWPMUBKFFOMBSFHJÓO
EFTBUVSBDJÓO
-BSFTJTUFODJBEFTBMJEB ro = RDS MBDVBMTFEFGJOFDPNP
∆VDS
RDS =  

∆ID
QPSMPDPNÙOFTNVZBMUBFOMBSFHJÓOEFFTUSBOHVMBNJFOUP UÎQJDBNFOUFFOFMPSEFOEFNFHP
INTZFTNVZQFRVFÒBFOMBSFHJÓOMJOFBM FOQBSUJDVMBSFOFMPSEFOEFNJMJPINT1BSBVOWBMPS
QFRVFÒPEFvDS (<<VT
FOMBSFHJÓOMJOFBMVÓINJDB MBFDVBDJÓO 
EBMBSFTJTUFODJBEFESF
OBKFBGVFOUFRDSDPNP
vDS 1
RDS = = para vGS > VT 
Kn 2 1 vGS − VT 2


iD

1PSDPOTJHVJFOUF MBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓORDSEFMJOUFSSVQUPS.04'&5TFSF
EVDFBMJODSFNFOUBSFMWPMUBKFEFDPOUSPMEFDPNQVFSUBBGVFOUF vGS
1BSB MPT .04'&5 UJQP BHPUBNJFOUP FM WPMUBKF EF DPNQVFSUB P FOUSBEB
 QPESÎB TFS P
QPTJUJWPPOFHBUJWP4JOFNCBSHP MPT.04'&5UJQPFOSJRVFDJNJFOUPSFTQPOEFOTÓMPBVOWPM
UBKFEFDPNQVFSUBQPTJUJWP1PSMPHFOFSBMMPT.04'&5EFQPUFODJBTPOEFMUJQPEFFOSJRVFDJ
NJFOUP4JOFNCBSHP MPT.04'&5UJQPBHPUBNJFOUPPGSFDFOWFOUBKBTZTJNQMJGJDBOFMEJTFÒP
MÓHJDP FO BMHVOBT BQMJDBDJPOFT RVF SFRVJFSFO BMHVOB GPSNB EF JOUFSSVQUPS MÓHJDP DPNQBUJCMF
DPODEPDBRVFQFSNBOF[DBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOPFODFOEJEPDVBOEPMBGVFOUFMÓHJDBDBF
ZFM7GSTFWVFMWFDFSP-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFMPT.04'&5UJQPBHPUBNJFOUPOPTFBOBMJ[BO
NÃTBGPOEP

4.3.2 Características de conmutación


4JOTFÒBMEFDPNQVFSUB FM.04'&5UJQPFOSJRVFDJNJFOUPTFQVFEFDPOTJEFSBSDPNPEPT
EJPEPTDPOFDUBEPTFTQBMEBDPOFTQBMEB EJPEPTnpZpnDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB
P
DPNPVOUSBOTJTUPSNPN-BFTUSVDUVSBEFMBDPNQVFSUBPGSFDFDBQBDJUBODJBTQBSÃTJUBTBMB
GVFOUF Cgs ZBMESFOBKF Cgd &MUSBOTJTUPSNPNUJFOFVOBVOJÓOQPMBSJ[BEBBMBJOWFSTBEFM
ESFOBKFBMBGVFOUFZPGSFDFVOBDBQBDJUBODJB C ds-BGJHVSBBNVFTUSBFMDJSDVJUPFRVJ
WBMFOUFEFVOUSBOTJTUPSCJQPMBSQBSÃTJUPFOQBSBMFMPDPOVO.04'&5-BSFHJÓOEFCBTFB
FNJTPSEFVOUSBOTJTUPSNPN TFQPOFFODPSUPFOFMNJDSPDJSDVJUPBMNFUBMJ[BSMBUFSNJOBM
GVFOUFZMBSFTJTUFODJBEFTEFMBCBTFBMFNJTPSEFCJEPBMBSFTJTUFODJBNBTJWBEFMBTSFHJPOFT
n Z p  Rbe  FT QFRVFÒB 1PS DPOTJHVJFOUF  TF QVFEF DPOTJEFSBS RVF VO .04'&5 UJFOF VO
EJPEPJOUFSOPZFMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFTFNVFTUSBFOMBGJHVSB-BTDBQBDJUBODJBTQBSÃTJ
UBTEFQFOEFOEFTVTWPMUBKFTSFTQFDUJWPT
"MEJPEPJOUFSOPJOUFHSBEPBNFOVEPTFMFMMBNBdiodo de cuerpo-BWFMPDJEBEEFDPONV
UBDJÓOEFMEJPEPEFDVFSQPFTNVDIPNÃTMFOUBRVFMBEFM.04'&51PSDPOTJHVJFOUF VO/.04
TFNJDPOEVDUPSEFÓYJEPNFUÃMJDPEFDBOBMn
TFDPNQPSUBSÃDPNPVOEJTQPTJUJWPOPDPOUSP
MBEP&MSFTVMUBEPFTRVFVOBDPSSJFOUFQVFEFGMVJSEFMBGVFOUFBMESFOBKFTJMBTDPOEJDJPOFT
144 Capítulo 4 Transistores de potencia

D D
ID ID

D2
Cgd Cds Cgd D

Cds Db D1
G G
Rbe G
Cgs Cgs
S

S S
(a) Bipolar parásito (b) Diodo interno (c) MOSFET con diodos externos

FIGURA 4.8
.PEFMPQBSÃTJUPEFFOSJRVFDJNJFOUPEF.04'&5T

EFMDJSDVJUPQSFWBMFDFOQBSBVOBDPSSJFOUFOFHBUJWB&TUPFTDJFSUPTJFM/.04FTUÃDPONV
UBOEPQPUFODJBBVOBDBSHBJOEVDUJWBZFM/.04BDUVBSÃDPNPVOEJPEPEFDPOEVDDJÓOMJCSFZ
QSPQPSDJPOBSÃVOBUSBZFDUPSJBQBSBRVFMBDPSSJFOUFGMVZBEFMBGVFOUFBMESFOBKF&M/.04TF
DPNQPSUBSÃDPNPVOEJTQPTJUJWPOPDPOUSPMBEPFOMBEJSFDDJÓOJOWFSTB-BIPKBEFEBUPTEFVO
/.04OPSNBMNFOUFFTQFDJGJDBSÎBMBDBQBDJEBEEFDPSSJFOUFEFMEJPEPQBSÃTJUP
4JTFQFSNJUFRVFFMEJPEPEFDVFSQPDbDPOEV[DB FOUPODFTQVFEFPDVSSJSVOBDPSSJFOUF
QJDPBMUBEVSBOUFMBUSBOTJDJÓOEFCMPRVFPBQBHBEPEFMEJPEP-BNBZPSÎBEFMPT.04'&5OP
UJFOFOMBDBQBDJEBEEFNBOFKBSFTUBTDPSSJFOUFTZFMEJTQPTJUJWPQVFEFGBMMBS1BSBFWJUBSFTUBTJ
UVBDJÓOTFQVFEFBHSFHBSEJPEPTFYUFSOPT DFOTFSJFZDBOUJQBSBMFMP DPNPFOMBGJHVSBD
-PT.04'&5EFQPUFODJBTFQVFEFOEJTFÒBSQBSBRVFUFOHBOVOEJPEPEFDVFSQPJOUFHSBEP
EFSFDVQFSBDJÓOSÃQJEBZQBSBRVFPQFSFODPOGJBCMFNFOUFDVBOEPTFQFSNJUBRVFFMEJPEPEF
DVFSQPDPOEV[DBBMBDPSSJFOUFOPNJOBMEF.04'&54JOFNCBSHP MBWFMPDJEBEEFDPONVUB
DJÓOEFMPTEJPEPTEFDVFSQPTJHVFTJFOEPVOUBOUPMFOUB ZQVFEFIBCFSVOBQÊSEJEBEFDPO
NVUBDJÓOJNQPSUBOUFEFCJEPBMBDBSHBBMNBDFOBEBFOFMEJPEP&MEJTFÒBEPSEFCFWFSJGJDBSMBT
DBQBDJEBEFTZMBWFMPDJEBEEFMEJPEPEFDVFSQPQBSBNBOFKBSMPTSFRVFSJNJFOUPTEFPQFSBDJÓO
-BGJHVSBNVFTUSBFMNPEFMPEFDPONVUBDJÓOEF.04'&5TDPODBQBDJUBODJBTQBSÃ
TJUBT-BTGPSNBTEFPOEBZUJFNQPTEFDPONVUBDJÓODPNVOFTTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB
&Mtiempo de retraso de encendido o conducción td PO
FTFMUJFNQPRVFTFSFRVJFSFQBSBDBSHBS
MBDBQBDJUBODJBEFFOUSBEBBMOJWFMEFMWPMUBKFEFVNCSBM&Mtiempo de subida trFTFMUJFNQP
EFDBSHBEFDPNQVFSUBEFMOJWFMEFVNCSBMBMWPMUBKFEFDPNQVFSUBDPNQMFUPVGSP FMDVBMTF
SFRVJFSFQBSBMMFWBSFMUSBOTJTUPSBMBSFHJÓOMJOFBM&Mtiempo de retraso de apagado o bloqueo
td PGG
FTFMUJFNQPSFRVFSJEPQBSBRVFMBDBQBDJUBODJBEFFOUSBEBTFEFTDBSHVFEFMTPCSFWPMUBKF
EFDPNQVFSUBVBMBSFHJÓOEFFTUSBOHVMBNJFOUPVGsEFCFEJTNJOVJSEFNBOFSBTJHOJGJDBUJWB
BOUFTEFRVFVDSDPNJFODFBTVCJS&Mtiempo de caída tfFTFMUJFNQPSFRVFSJEPQBSBRVFMB
DBQBDJUBODJBEFFOUSBEBTFEFTDBSHVFEFMBSFHJÓOEFFTUSBOHVMBNJFOUPBMWPMUBKFEFVNCSBM4J
VGS ≤ VT FMUSBOTJTUPSTFBQBHB

G D
⫹ Cgd

vgs Cgs Cds rds gmvgs


FIGURA 4.9
S .PEFMPEFDPONVUBDJÓOEF.04'&5T
4.3 MOSFETs de potencia 145

VG
V1

0 t
VGS
VG
0.9 VGS
VT
0 t
tr tn tf
td(on) td(off)
ID
0.9 ID FIGURA 4.10
t 'PSNBTEFPOEBZUJFNQPTEFDPONVUBDJÓO

4.3.3 MOSFETs DE CARBURO DE SILICIO


-BDPNQVFSUBGVFOUFEFVO+'&5TFDPNQPSUBDPNPVOBVOJÓOpnQPMBSJ[BEBBMBJOWFSTB
6O+'&5SFRVJFSFVOBDBOUJEBEGJOJUBEFDPSSJFOUFEFDPOUSPMEFDPNQVFSUB-BDPNQVFSUB
GVFOUF EF VO .04'&5 FTUÃ BJTMBEB F JEFBMNFOUF SFRVJFSF VOB DPSSJFOUF DFSP EF DPOUSPM
EFDPNQVFSUB&MDPNQPSUBNJFOUPOPSNBMEFCMPRVFPPBQBHBEPEFM.04'&5EF4J$MPIBDF
BUSBDUJWPQBSBMPTEJTFÒBEPSFTEFDPOWFSUJEPSFTFMFDUSÓOJDPTEFQPUFODJB-PT.04'&5EFBMUP
WPMUBKFTVGSFOEPTMJNJUBDJPOFTJNQPSUBOUFT 
MBTCBKBTNPWJMJEBEFTEFMDBOBMRVFPDBTJP
OBO VOBSFTJTUFODJB BEJDJPOBM FOFTUBEP EF DPOEVDDJÓO EFM EJTQPTJUJWP  ZQPS DPOTJHVJFOUF
QÊSEJEBTEFQPUFODJBJODSFNFOUBEBTFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO Z 
MBGBMUBEFGJBCJMJEBEZ
MBJOFTUBCJMJEBEEFMBDBQBEFÓYJEPEFMBDPNQVFSUB TPCSFEVSBOUFMBSHPTQFSJPEPTZBUFN
QFSBUVSBTFMFWBEBT-BTOPSNBTEFGBCSJDBDJÓOUBNCJÊODPOUSJCVZFOBMBEFTBDFMFSBDJÓOEFM
EFTBSSPMMPEF.04'&5TEF4J$
-B UFDOPMPHÎB EF 4J$ IB FYQFSJNFOUBEP BWBODFT TJHOJGJDBUJWPT RVF BIPSB QFSNJUFO GB
CSJDBS.04'&5TDBQBDFTEFTVQFSBSFMEFTFNQFÒPEFTVTQSJNPT*(#5TEF4J FOQBSUJDVMBS
B BMUB QPUFODJB Z BMUBT UFNQFSBUVSBT <> -B OVFWB HFOFSBDJÓO EF .04'&5T EF 4J$ SFEVDF
FMFTQFTPSEFMBDBQBEFEFSJWBQPSDBTJVOGBDUPSEFBMNJTNPUJFNQPRVFQFSNJUFRVFFM
GBDUPSEFEPQBEPTFJODSFNFOUFFODBTJFMNJTNPPSEFOEFNBHOJUVE&MFGFDUPUPUBMSFEVDFMB
SFTJTUFODJBBMBEFSJWBBEFTV.04'&5EF4JFRVJWBMFOUF-PT.04'&5EF4J$PGSFDFO
WFOUBKBTTJHOJGJDBUJWBTTPCSFMPTEJTQPTJUJWPTEFTJMJDJPRVFQFSNJUFOVOBFGJDJFODJBTJOQSFDFEFO
UFTEFMTJTUFNBZPUBNBÒP QFTPZDPTUPSFEVDJEPTQPSTVGVODJPOBNJFOUPBBMUBGSFDVFODJB-BT
SFTJTUFODJBTUÎQJDBTFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEF.04'&5TEF4J$EFL7DPODBQBDJEBEFTEF
DPSSJFOUFEF"TFFODVFOUSBOFOFMSBOHPEFBNΩ<  >
-BGJHVSBBNVFTUSBFMDPSUFUSBOTWFSTBMEFVOBFTUSVDUVSBEF.04'&5EF4J$UÎQJDB
<>1PSMPDPNÙO FMEJTQPTJUJWPEFCFFTUBSBQBHBEPPFOFTUBEPEFCMPRVFPEFCJEPBMBVOJÓO
pnJOWFSUJEBFOUSFMBEFSJWBnZMBQBSFEp6OWPMUBKFEFVNCSBMEFDPNQVFSUBBGVFOUFQPTJ
UJWPEFCFQFSNJUJSRVFFMEJTQPTJUJWPSPNQBMBVOJÓOpnZFMEJTQPTJUJWPEFCFDPOEVDJS&MDPSUF
USBOTWFSTBMEFVOBDFMEBEFVO%.04'&5EF4J$)EF" L7 FMDVBMFTTJNJMBSBMEFMB
GJHVSBB TFNVFTUSBFOMBGJHVSBC<>-BTFTUSVDUVSBTHFOFSBMFTEFMPT.04'&5EF
MBTGJHVSBTBZCTPOMBTNJTNBT4JOFNCBSHP MBTEJNFOTJPOFTZMBTDPODFOUSBDJPOFTEFMBT
DBQBTn+Zp+ EFUFSNJOBSÃOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFM.04'&5 DPNPMBTDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFZ
DPSSJFOUF-BGJHVSBNVFTUSBFMUSBOTJTUPSQBSÃTJUP/1/ MPTEJPEPT MBTSFTJTUFODJBTEF
EFSJWBZFM+'&5EFOUSPEFMPT.04'&5<>
$SFF UBNCJÊO IB GBCSJDBEP NJDSPDJSDVJUPT EF .04'&5 EF 4J$ EF  " Z  L7 DPNP
QBSUF EF VO NÓEVMP EF NFEJP QVFOUF EF  " $VBOEP TF DPNQBSBO DPO FM *(#5 EF BMUB
146 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta Compuerta
Fuente Fuente Fuente Fuente

n+ Capa de óxido n+ n+ Capa de óxido n+

pared p pared p pared p pared p



deriva n
14
deriva n−: 6 × 10 cm3, 120, m

sustrato n+ sustrato n+

Drenaje Drenaje
(a) MOSFET de SiC [43] (b) D MOSFET de SiC 4H de 10 A, 10 kV [48]

FIGURA 4.11
$PSUFUSBOTWFSTBMEFVOBDFMEBEFVO%.04'&5EF4J$) EF" L7

Compuerta
Fuente Fuente
Cubierta de compuerta
n+ R n+
B
Cuerpo p JFET Cuerpo p
BJT
parásito
Rderiva

Drenaje n−

sustrato n+
FIGURA 4.12
%JTQPTJUJWPTQBSÃTJUPTEFVO.04'&5EFDBOBMn <> Drenaje

UFDOPMPHÎBEF4JEFL7 MPT.04'&5TEF4J$EFL7PGSFDFOVONFKPSEFTFNQFÒP-PT
.04'&5EFDBSCVSPEFTJMJDJPQVFEFOEFTBGJBSBMPT*(#5ZTFSMBNFKPSPQDJÓOFOMBFMFDDJÓO
EFEJTQPTJUJWPTFOFMFDUSÓOJDBEFQPUFODJBEFBMUPWPMUBKF-BGJHVSBNVFTUSBFMDPSUFUSBOT
WFSTBMEFVO%.04'&5EFDPNQVFSUBFO7<>

Fuente Substrato Fuente


Compuerta
Compuerta

n+ n+ n+ n+
6H tipo p

Deriva de drenaje n−

Sustrato de SiC 6H n+

FIGURA 4.13
4FDDJÓOUSBOTWFSTBMEFVO.04'&5)EF4J$
EFQPUFODJB<> Drenaje
4.4 COOLMOS 147

&MEJTQPTJUJWPTVFMFFTUBSBQBHBEP-BBQMJDBDJÓOEFVOWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUFQPTJUJWP
FNQPCSFDFMBDBQBUJQPpZFOSJRVFDFFMDBOBMn-BTVQSFTJÓOEFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUF
BQBHBMPTEJTQPTJUJWPT-BFTUSVDUVSBEFDPNQVFSUBFOGPSNBEF7QSPWPDBVOFODFOEJEPZBQB
HBEPNÃTSÃQJEPT

4.4 COOLMOS
$00-.04<>FTVOBOVFWBUFDOPMPHÎBQBSB.04'&5TEFQPUFODJBEFBMUPWPMUBKFRVF
JNQMFNFOUBVOBFTUSVDUVSBEFDPNQFOTBDJÓOFOMBSFHJÓOEFEFSJWBWFSUJDBMEFVO.04'&5
QBSBNFKPSBSMBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO5JFOFVOBNFOPSSFTJTUFODJBFOFTUBEP
EF DPOEVDDJÓO DPO FM NJTNP FODBQTVMBEP FO DPNQBSBDJÓO DPO MB EF PUSPT .04'&5 -BT
QÊSEJEBTQPSDPOEVDDJÓOTPOBMNFOPTDJODPWFDFTNFOPSFTDPNQBSBEBTDPOMBTEFMBUFDOP
MPHÎB.04'&5DPOWFODJPOBM&TDBQB[EFNBOFKBSEPTBUSFTWFDFTNÃTQPUFODJBEFTBMJEB
FODPNQBSBDJÓODPOMBEFM.04'&5DPOWFODJPOBMDPOFMNJTNPQBRVFUF&MÃSFBBDUJWBEFM
NJDSPDJSDVJUPEF$00-.04FTBQSPYJNBEBNFOUFDJODPWFDFTNÃTQFRVFÒBRVFMBEFVO
.04'&5FTUÃOEBS
-BGJHVSBNVFTUSBFMDPSUFUSBOTWFSTBMEFVO$00-.04&MEJTQPTJUJWPNFKPSBFM
EPQBEPEFMBDBQBn-EPQBEBRVFDPOEVDFMBDPSSJFOUFBQSPYJNBEBNFOUFFOVOPSEFOEFNBHOJ
UVETJONPEJGJDBSMBDBQBDJEBEEFCMPRVFPEFMEJTQPTJUJWP6OBMUPWPMUBKFEFCMPRVFP VBREFM
USBOTJTUPSSFRVJFSFVOBDBQBFQJUBYJBMDPOQPDPEPQBEPSFMBUJWBNFOUFHSVFTBRVFMMFWFBMBCJFO
DPOPDJEBMFZ<>RVFSFMBDJPOBMBSFTJTUFODJBEFESFOBKFBGVFOUFQBSBVBR QPS

RD1on2 = VBR
kc
 

EPOEFkcFTVOBDPOTUBOUFFOUSFZ

Compuerta
Fuente
S G

n n
p p

p p

nepi

nsub

FIGURA 4.14
D
Drenaje $PSUFUSBOTWFSTBMEFVO$00-.04
148 Capítulo 4 Transistores de potencia

&TUBMJNJUBDJÓOTFTVQFSBBHSFHBOEPDPMVNOBTEFEPQBEPEFUJQPPQVFTUPRVFTFJNQMF
NFOUBO FO MB SFHJÓO EF EFSJWB EF NBOFSB RVF MB JOUFHSBM EF EPQBEP B MP MBSHP EF VOB MÎOFB
QFSQFOEJDVMBSBMGMVKPEFDPSSJFOUFQFSNBOF[DBNÃTQFRVFÒBRVFMBDBSHBEFBWBODFQSPQJBEFM
NBUFSJBM MBDVBMQBSBFMTJMJDJPFTBQSPYJNBEBNFOUFEF×DN−&TUFDPODFQUPSFRVJFSF
VOBDPNQFOTBDJÓOEFMBDBSHBBEJDJPOBMFOMBSFHJÓOnQPSQBSUFEFSFHJPOFTDPOEPQBEPp
BEZBDFOUFT&TUBTDBSHBTDSFBOVODBNQPFMÊDUSJDPMBUFSBMRVFOPDPOUSJCVZFBMQFSGJMEFDBNQP
WFSUJDBM&TEFDJS MBDPODFOUSBDJÓOEFMEPQBEPTFJOUFHSBBMPMBSHPEFVOBMÎOFBQFSQFOEJDVMBS
BMBJOUFSGB[DSFBEBQPSMBTSFHJPOFTpZn
-PT QPSUBEPSFT NBZPSJUBSJPT QSPQPSDJPOBO TÓMP MB DPOEVDUJWJEBE FMÊDUSJDB $PNP OP
IBZ DPOUSJCVDJÓO EF DPSSJFOUF CJQPMBS  MBT QÊSEJEBT QPS DPONVUBDJÓO TPO JHVBMFT B MBT EF MPT
.04'&5DPOWFODJPOBMFT&MEPQBEPEFMWPMUBKFRVFTVTUFOUBMBDBQBTFFMFWBFOBQSPYJNBEB
NFOUFVOPSEFOEFNBHOJUVECBOEBTpWFSUJDBMFTBEJDJPOBMFTJOTFSUBEBTFOMBFTUSVDUVSBDPN
QFOTBO MB DPSSJFOUF FYDFEFOUF RVF DPOEVDF DBSHB n &M DBNQP FMÊDUSJDP FO FM JOUFSJPS EF MB
FTUSVDUVSBTFGJKBQPSMBDBSHBOFUBEFMBTEPTDPMVNOBTDPOEPQBEPPQVFTUP1PSDPOTJHVJFOUF 
TFQVFEFMPHSBSVOBEJTUSJCVDJÓOEFDBNQPDBTJIPSJ[POUBMTJBNCBTSFHJPOFTTFDPOUSBSSFTUBO
QFSGFDUBNFOUFFOUSFTÎ-BGBCSJDBDJÓOEFQBSFTBEZBDFOUFTEFSFHJPOFTpZnEPQBEBTDPOQSÃD
UJDBNFOUFDBSHBOFUBDFSPSFRVJFSFVOBNBOVGBDUVSBEFQSFDJTJÓO$VBMRVJFSEFTFRVJMJCSJPFOMB
DBSHBJNQBDUBFMWPMUBKFEFCMPRVFPEFMEJTQPTJUJWP1BSBWPMUBKFTEFCMPRVFPNÃTBMUPTTÓMPIBZ
RVFJODSFNFOUBSMBQSPGVOEJEBEEFMBTDPMVNOBTTJOUFOFSRVFBMUFSBSFMEPQBEP&TUPDPOEVDF
BVOBSFMBDJÓOMJOFBM<>FOUSFFMWPMUBKFEFCMPRVFZMBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO
DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSB-BSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEFVO$00-.04EF
7 "FTEFNΩ&M$00-.04UJFOFVOBDBSBDUFSÎTUJDBv-iMJOFBMDPOVOCBKPWPMUBKF
EFVNCSBM<>

20

MOSFET estándar
16 Ron  A ⬃ V(BR)DSS2,4…2,6

12
[ mm2]
Ron  A

8
COOLMOS

0
0 200 400 600 800 1000
Voltaje de avance V(BR)DSS[V]

FIGURA 4.15
3FMBDJÓOMJOFBMFOUSFFMWPMUBKFEFCMPRVFPZMBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO<3FG(%FCPZ>
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149

-PT EJTQPTJUJWPT $00-.04 TF QVFEFO VUJMJ[BS FO BQMJDBDJPOFT IBTUB VO SBOHP EF QP
UFODJBEFL7"DPNPGVFOUFTEFQPUFODJBQBSBFTUBDJPOFTEFUSBCBKPZTFSWJEPSFT GVFOUFTEF
QPUFODJBJOJOUFSSVNQJCMF 614
DPOWFSUJEPSFTEFBMUBQPUFODJBQBSBTJTUFNBTEFNJDSPPOEBTZ
NÊEJDPT IPSOPTEFJOEVDDJÓO ZFRVJQPEFTPMEBS&TUPTEJTQPTJUJWPTQVFEFOSFFNQMB[BSBMPT
.04'&5EFQPUFODJBDPOWFODJPOBMFTFOUPEBTMBTBQMJDBDJPOFTZFOMBNBZPSÎBEFMPTDBTPTTJO
OJOHVOBBEBQUBDJÓOEFMDJSDVJUP"GSFDVFODJBTEFDPONVUBDJÓOEFNÃTEFL)[ MPTEJTQPTJUJWPT
$00-.04PGSFDFOVOBDBQBDJEBETVQFSJPSEFNBOFKPEFDPSSJFOUF QPSFKFNQMP DPNPMB
RVFTFSFRVJFSFFOFMÃSFBNÎOJNBEFVONJDSPDJSDVJUPDPOVOBDPSSJFOUFEBEB-PTEJTQP
TJUJWPTUJFOFOMBWFOUBKBEFVOEJPEPJOWFSTPJOUSÎOTFDP$VBMFTRVJFSPTDJMBDJPOFTQBSÃTJUBT
RVFQVEJFSBOQSPWPDBSTVCPTDJMBDJPOFTOFHBUJWBTEFMWPMUBKFEFESFOBKFBGVFOUF TFGJKBOB
VOWBMPSEFGJOJEPQPSFMEJPEP

4.5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFETs)


-PTUSBOTJTUPSFTEFFGFDUPEFDBNQPEFVOJÓOTPOTJNQMFTFODVBOUPBTVDPOTUSVDDJÓO<>1BSB
BNQMJGJDBDJPOFTEFCBKPOJWFMFTUÃOTJFOEPSFFNQMB[BEPTQPSMPT.04'&54JOFNCBSHP HSB
DJBTBMBTWFOUBKBTEFMPTNBUFSJBMFTEFDBSCVSPEFTJMJDJPZBMBTJNQMJDJEBEEFMPT+'&5T ÊTUPTTF
FTUÃODPOWJSUJFOEPFOEJTQPTJUJWPTQSPNFUFEPSFTQBSBBQMJDBDJPOFTEFDPONVUBDJÓO-PT+'&5
EF4J$TFEFTUBDBOQÖSVODPFGJDJFOUFEFUFNQFSBUVSBQPTJUJWP TVGBDJMJEBEEFQBSBMFMJ[BDJÓOZ
FYUSFNBEBNFOUFSÃQJEBDPONVUBDJÓOTJODPSSJFOUFEFiDPMBu TÎDPNPCBKBSFTJTUFODJBFOFTUBEP
EFDPOEVDDJÓORDS PO
RVFTVFMFTFSEFNΩQBSBVOEJTQPTJUJWPEF75BNCJÊOFYIJCFO
VOBCBKBDBSHBEFDPNQVFSUBZVOBCBKBDBQBDJUBODJBJOUSÎOTFDB"TJNJTNP UJFOFOVOEJPEPEF
DVFSQPJOUFHSBEPNPOPMÎUJDBNFOUFDVZPEFTFNQFÒPEFDPONVUBDJÓOFTDPNQBSBCMFBVOEJPEP
FYUFSOPEFCBSSFSB4DIPUULZEF4J$

4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs


"EJGFSFODJBEFMPT.04'&5 MPT+'&5UJFOFOVODBOBMEFDPOEVDDJÓOOPSNBMRVFDPOFDUB
MBGVFOUFZFMESFOBKF-BDPNQVFSUBTFVUJMJ[BDPNPDPOUBDUPQBSBDPOUSPMBSFMGMVKPEFDP
SSJFOUFBUSBWÊTEFMDBOBM4JNJMBSBMPT.04'&5 FYJTUFOEPTUJQPTEF'&5EFVOJÓOEFDBOBM
nZDBOBMp&MFTRVFNBEFVO+'&5EFDBOBMn BQBSFDFFOMBGJHVSBB6ODBOBMUJQPn

Compuerta tipo p
Drenaje
Contactos
p+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo n Drenaje Compuerta

p+

Fuente
tipo p

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.16
&TRVFNBZTÎNCPMPEFVO+'&5EFDBOBMn
150 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta tipo n
Drenaje
Contactos
n+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo p Drenaje Compuerta

n+

Fuente
tipo n

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.17
&TRVFNBZTÎNCPMPEFVO+'&5EFDBOBMp

TFTJUÙBFOUSFEPTSFHJPOFTEFDPNQVFSUBUJQPp&MDBOBMTFGPSNBDPONBUFSJBMMFWFNFOUF
EPQBEP CBKBDPOEVDUJWJEBE
HFOFSBMNFOUFEFTJMJDJPPEFDBSCVSPEFTJMJDJP DPODPOUBDUPT
ÓINJDPT EF NFUBM FO MPT FYUSFNPT EFM DBOBM -BT SFHJPOFT EF DPNQVFSUB TPO EF NBUFSJBM
UJQPpGVFSUFNFOUFEPQBEP BMUBDPOEVDUJWJEBE
ZFOHFOFSBMTFWJODVMBOFMÊDUSJDBNFOUFQPS
NFEJPEFDPOUBDUPTÓINJDPTEFNFUBM&OMBGJHVSBCTFNVFTUSBFMTÎNCPMPEFVO+'&5
EFDBOBMnEPOEFMBGMFDIBBQVOUBEFMBSFHJÓOUJQPpBMBSFHJÓOUJQPn
&OMPT+'&5EFDBOBMnTFGPSNBVODBOBMUJQPpFOUSFEPTSFHJPOFTEFDPNQVFSUBUJQPn 
DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB&MTÎNCPMPEFVO+'&5EFDBOBMpTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
C0CTFSWFRVFMBEJSFDDJÓOEFMBGMFDIBFOVO+'&5EFDBOBMpFTMBJOWFSTBEFMBGMFDIBFO
VO+'&5EFDBOBMn
&OPQFSBDJÓOOPSNBM FMESFOBKFEFVO+'&5EFDBOBMnTFNBOUJFOFBVOQPUFODJBM
QPTJUJWPZMBDPNQVFSUBBVOQPUFODJBMOFHBUJWPDPOSFTQFDUPBMBGVFOUF DPNPTFNVFTUSB
FOMBGJHVSBB-BTEPTVOJPOFTpnRVFTFGPSNBOFOUSFMBDPNQVFSUBZFMDBOBMTFQP
MBSJ[BOBMBJOWFSTB-BDPSSJFOUFEFDPNQVFSUBIG FTNVZQFRVFÒB EFMPSEFOEFBMHVOPT

D D
ID ID

G G
VDS VDD VSD VDD
IG IG

VGG VGS ISR VGG VGS


ISR

S S

(a) Canal n (b) Canal p

FIGURA 4.18
1PMBSJ[BDJÓOEF+'&5T
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 151

OBOPBNQFSFT
4FPCTFSWBRVFIG FTOFHBUJWBQBSB+'&5TEFDBOBMn FOUBOUPRVFFTQPTJ
UJWBQBSB+'&5TEFDBOBMp
1BSBVO+'&5EFDBOBMn FMESFOBKFTFNBOUJFOFBVOQPUFODJBMOFHBUJWPZMBDPNQVFSUB
BVOQPUFODJBMQPTJUJWPDPOSFTQFDUPBMBGVFOUF DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC-BTEPT
VOJPOFT TJHVFO QPMBSJ[BEBT B MB JOWFSTB  Z MB DPSSJFOUF EF DPNQVFSUB IG FT JOTJHOJGJDBOUF -B
DPSSJFOUFEFESFOBKFEFVO+'&5EFDBOBMpMBPDBTJPOBOMPTQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPT IVFDPT
Z
GMVZFEFMBGVFOUFBMESFOBKF-BDPSSJFOUFEFESFOBKFEFVO+'&5EFDBOBMnMBDBVTBOMPTQPS
UBEPSFTNBZPSJUBSJPT FMFDUSPOFT
ZGMVZFEFMESFOBKFBMBGVFOUF

Características de transferencias y salida: 4VQPOHBNPTRVFFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBB


GVFOUFEFVO+'&5EFDBOBMnFTDFSPVGS =74JVDS =74JVDSTFJODSFNFOUBEFTEFDFSP
IBTUBBMHÙOWBMPSQFRVFÒP ≈7
MBDPSSJFOUFEFESFOBKFTJHVFMBMFZEF0IN iD = vDS/RDS)
ZTFSÃEJSFDUBNFOUFQSPQPSDJPOBMBVDS$VBMRVJFSJODSFNFOUPFOFMWBMPSEFVDSNÃTBMMÃ
EFVQ FMvoltaje de ensanchamientoIBSÃRVFFM+'&5GVODJPOFFOMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓO
ZQPSDPOTJHVJFOUFOPJODSFNFOUBSÃEFNBOFSBTJHOJGJDBUJWBMBDPSSJFOUFEFESFOBKF&MWBMPS
EFMBDPSSJFOUFEFESFOBKFRVFPDVSSFFOVDS = VQ DPOvGS =
TFEFOPNJOBDPSSJFOUFEF
TBUVSBDJÓOEFESFOBKFBGVFOUFIDSS
$VBOEPFMWPMUBKFEFESFOBKFBGVFOUFFTDBTJDFSP MBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPGPSNBEB
FOUSFMBTSFHJPOFTUJQPp ZUJQPnUFOESÎBVOBODIPDBTJVOJGPSNFBMPMBSHPEFMDBOBM DPNP
TFNVFTUSBFOMBGJHVSBB&MBODIPEFFTUBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPWBSÎBBMDBNCJBSFM
WPMUBKFBUSBWÊTEFFMMB FMDVBMFTJHVBMBVGS =TJVDS =-PT+'&5TFTVFMFOGBCSJDBS
DPOFMEPQBEPFOMBSFHJÓOEFDPNQVFSUBNVDIPNÃTBMUPRVFFMEPQBEPFOMBSFHJÓOEFMDBOBM 
EFNPEPRVFMBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPTFFYUFOEFSÃNÃTIBDJBFMDBOBMRVFIBDJBMBDPN
QVFSUB$VBOEPVDSFTQPTJUJWPZTFJODSFNFOUB FMBODIPEFMBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPEFKB
EFTFSVOJGPSNFBMPMBSHPEFMDBOBM4FFOTBODIBFOFMFYUSFNPEFMESFOBKFQPSRVFMBQPMBSJ
[BDJÓOJOWFSTBFOMBVOJÓODPNQVFSUBDBOBMTFJODSFNFOUBB V DS + VGS
DPNPTFNVFTUSB
FOMBGJHVSBC$VBOEPMBSFHJÓOEFBHPUBNJFOUPTFFYUJFOEFBUPEBMBBMUVSBEFMDBOBM 
ÊTUFTFFTUSFDIBPFTUSBOHVMB

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(a) Corte transversal

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(b) Corte transversal

FIGURA 4.19
&TUSVDUVSBEF+'&5EFDBOBMnTJNQMJGJDBEB
152 Capítulo 4 Transistores de potencia

iD iD
VDS = VGS – Vp
Región Región de
óhmica saturación VGS = 0 V
IDSS IDSS
–2 V
Vp = –7 V Vp = 6 V
–4 V canal n canal p

–6 V
vDS (para canal n)
VBD vSD (para canal p) –7 –6 –4 –2 0 2 4 6 VGS
(a) Características de salida (b) Características de transferencia

FIGURA 4.20
$BSBDUFSÎTUJDBTEFVO+'&5EFDBOBMn

-BGJHVSBBNVFTUSBMBTDBSBDUFSÎTUJDBTiD − vDSQBSBWBSJPTWBMPSFTEFVGS-BTDBSBD
UFSÎTUJDBTEFTBMJEBTFQVFEFOEJWJEJSFOUSFTSFHJPOFTÓINJDB EFTBUVSBDJÓOZEFDPSUF4JvDS
TFBVNFOUBNÃTBMMÃEFMWPMUBKFEFSVQUVSBEFM+'&5TFPSJHJOBVOBSVQUVSBQPSBWBMBODIB ZMB
DPSSJFOUFEFESFOBKFTVCFEFJONFEJBUP&MWPMUBKFEFSVQUVSBBVOWPMUBKFEFDPNQVFSUBEFDFSP
TFEFOPNJOBVBD&TUFNPEPEFPQFSBDJÓOTFEFCFFWJUBSZBRVFFM+'&5TFQVFEFEFTUSVJSQPS
MBFYDFTJWBEJTJQBDJÓOEFFOFSHÎB$PNPFMWPMUBKFJOWFSTPFTNÃTBMUPFOFMFYUSFNPEFESFOBKF MB
SVQUVSBPDVSSFFOFTUFFYUSFNP&MGBCSJDBOUFFTQFDJGJDBFMWPMUBKFEFSVQUVSB

Región óhmica: &OFTUBSFHJÓOFMWPMUBKFEFESFOBKFBGVFOUFVDSFTCBKPZFMDBOBMOPTF


FOTBODIB-BDPSSJFOUFEFESFOBKFiDTFQVFEFFYQSFTBSDPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 vDS − v2Ds 4 para 0 < vDS ≤ 1 vGS − Vp 2  

MBDVBM QBSBVOWBMPSQFRVFÒPEFVDS (<<VQ


TFSFEVDFB

iD = Kp[21 vGS − Vp 2 vDS] 

%POEFKp = IDSS/V 2p

Región de saturación: &OMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓOvDS ≥ (vGS − vp


&MWPMUBKFEFESF
OBKFBGVFOUFVDSFTNBZPSRVFFMWPMUBKFEFFOTBODIBNJFOUP ZMBDPSSJFOUFEFESFOBKFiDFT
DBTJJOEFQFOEJFOUFEFVDS1BSBGVODJPOBSFOFTUBSFHJÓOvDS ≥ (vGS − vp
4VTUJUVZFOEP
MBDPOEJDJÓOMJNJUBOUFvDS = vGS − VpFOMBFDVBDJÓO 
TFPCUJFOFMBDPSSJFOUFEFESFOBKF
DPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 1 vGS − Vp 2 − 1 vGS − Vp 2 2 4


= Kp 1 vGS − Vp 2 2 para vDS ≥ 1 vGS − Vp 2 y Vp ≤ vGS ≤ 0 [para canal n]  

-BFDVBDJÓO 
SFQSFTFOUBMBDBSBDUFSÎTUJDBEFUSBOTGFSFODJB MBDVBMTFNVFTUSBFOMBGJHVSB
CQBSBBNCPTDBOBMFT nZp1BSBVOWBMPSEBEPEFiDMBFDVBDJÓO 
EBEPTWBMPSFTEF
VGSZTÓMPVOWBMPSFTMBTPMVDJÓOBDFQUBCMFEFNPEPRVFVp ≤ vGS ≤&MMVHBSHFPNÊUSJDP
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 153

EFM FOTBODIBNJFOUP  FM DVBM EFTDSJCF FM MÎNJUF FOUSF MBT SFHJPOFT ÓINJDB Z EF TBUVSBDJÓO  TF
QVFEFPCUFOFSTVTUJUVZFOEPvGS = VDS + VpFOMBFDVBDJÓO 

iD=Kp 1 vDS + Vp − Vp 2 2 =Kpv2DS 

MBDVBMEFGJOFFMMVHBSHFPNÊUSJDPEFMFOTBODIBNJFOUPZGPSNBVOBQBSÃCPMB

Región de corte: &OMBSFHJÓOEFDPSUFFMWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUFFTNFOPSRVFFM


WPMUBKFEFFOTBODIBNJFOUP&TEFDJS vGS < VpQBSBDBOBMnZvGS > VpQBSBDBOBMp ZFM+'&5
FTUÃCMPRVFBEPPBQBHBEP-BDPSSJFOUFEFESFOBKFFTDFSPiD =

4.5.2 ESTRUCTURAS DE JFET DE CARBURO DE SILICIO


-PT+'&5EFQPUFODJBTPOEJTQPTJUJWPTOVFWPTFOFWPMVDJÓO<   >&OUSFMPTUJQPTEF
FTUSVDUVSBTEFEJTQPTJUJWPTEF4J$RVFBDUVBMNFOUFTFFODVFOUSBOEJTQPOJCMFTFTUÃO

  +'&5EFDBOBMMBUFSBM -$+'&5

  +'&5WFSUJDBM 7+'&5

  +'&5EFUSJODIFSBWFSUJDBM 75+'&5

  +'&5EFSFKJMMBFOUFSSBEB #(+'&5

  +'&5EFUSJODIFSBWFSUJDBMZEPCMFDPNQVFSUB %(75+'&5


JFET de canal lateral (LCJFET): %VSBOUFMBÙMUJNBEÊDBEB FMNFKPSBNJFOUPFOFMNB


UFSJBMEF4J$ZFMEFTBSSPMMPEFPCMFBTEFZQVMHIBODPOUSJCVJEPBMBGBCSJDBDJÓOEFMPT+'&5
EF 4J$ NPEFSOPT <> -PT +'5 EF 4J$ BDUVBMNFOUF EJTQPOJCMFT TPO TPCSF UPEP EF   7 
QFSPUBNCJÊOMPTIBZEF 7-BDBQBDJEBEEFDPSSJFOUFFOMPT+'&5FTIBTUBEF" ZMPT
EJTQPTJUJWPTRVFPGSFDFOSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOFTUÃOFOFMSBOHPEFBNΩ
&OMBGJHVSBTFNVFTUSBVOPEFMPTEJTFÒPTNPEFSOPTEFM+'&5EF4J$ FMMMBNBEPJFET de
canal lateral.<>
-B DPSSJFOUF EF DBSHB B USBWÊT EFM EJTQPTJUJWP QVFEF GMVJS FO BNCBT EJSFDDJPOFT TFHÙO MBT
DPOEJDJPOFTEFMDJSDVJUP ZFTUÃDPOUSPMBEBQPSVOBDPNQVFSUBp+FOUFSSBEBZVOBVOJÓOpnFOMB

Compuerta
Fuente Fuente
p
n+ n+
p+ p+

Pared p enterrada
Región de deriva n−

Retén de campo n

Sustrato n++

Drenajes

FIGURA 4.21
$PSUFUSBOTWFSTBMEFM-$+'&5EF4J$
OPSNBMNFOUFFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO
154 Capítulo 4 Transistores de potencia

Fuente D
a
Compuerta Compuerta
CGD RD
com-
puerta p+ n– compuerta
canal p+
L L1
G RG IGD
CDS
WD IGS
ID

Región de deriva n– Lderiva

CGS RS
Wderiva

Drenaje S
(a) Corte transversal (b) Modelo del circuito

FIGURA 4.22
&TUSVDUVSBUÎQJDBEFVOB+'&5WFSUJDBMEF4J$

GVFOUF+&TUF+'&5EF4J$FTVOEJTQPTJUJWPRVFOPSNBMNFOUFTFFODVFOUSBFOFTUBEPEFDPO
EVDDJÓO ZTFEFCFBQMJDBSVOWPMUBKFOFHBUJWPEFDPNQVFSUBBGVFOUFQBSBCMPRVFBSMPPBQBHBSMP
&MSBOHPUÎQJDPEFWPMUBKFTEFFTUSBOHVMBNJFOUPEFFTUFEJTQPTJUJWPFTEFFOUSF−Z−76OB
DBSBDUFSÎTUJDBJNQPSUBOUFEFFTUBFTUSVDUVSBFTFMEJPEPEFDVFSQPBOUJQBSBMFMP FMDVBMTFGPSNBQPS
FMMBEPEFMBGVFOUFp+ MBSFHJÓOEFEFSJWBnZFMESFOBKFn++4JOFNCBSHP MBDBÎEBEFWPMUBKFFO
TFOUJEPEJSFDUPEFMEJPEPEFDVFSQPFTNBZPSFODPNQBSBDJÓODPOFMWPMUBKFFOFTUBEPEFDPOEVD
DJÓOEFMDBOBMBEFOTJEBEFTEFDPSSJFOUFOPNJOBMFT PNÃTCBKBT
< >1PSDPOTJHVJFOUF QBSB
HFOFSBSMBGVODJÓOEFEJPEPBOUJQBSBMFMP TFEFCFVUJMJ[BSFMDBOBMQBSBNJOJNJ[BSMBTQÊSEJEBTFO
FTUBEPEFDPOEVDDJÓO&MEJPEPEFDVFSQPQVFEFVUJMJ[BSTFTÓMPQPSTFHVSJEBEQBSBUSBOTJDJPOFTEF
DPSUBEVSBDJÓO< >

JFET vertical: &OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVOBFTUSVDUVSBUÎQJDBEFVO+'&5WFSUJDBMEF


DBOBMn<> EPOEFTFJMVTUSBOMBTEPTSFHJPOFTEFBHPUBNJFOUP)BZEPTEJPEPTQBSÃTJUPT<>
DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC1PSMPDPNÙOFMEJTQPTJUJWPFTUÃFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO
NPEPEFBHPUBNJFOUP
ZCMPRVFBEPPBQBHBEPQPSVOWPMUBKFEFDPNQVFSUBBGVFOUFOFHBUJWP

JFET de trinchera vertical (VTJFET): &OMBGJHVSBTFNVFTUSBVOFTRVFNBEFDPSUF


USBOTWFSTBM <> EF MB USJODIFSB WFSUJDBM EF 4FNJTPVUI -BCPSBUPSJFT <  > 1VFEF TFS P VO
EJTQPTJUJWPOPSNBMNFOUFFOFTUBEPEFCMPRVFP NPEPEFFOSJRVFDJNJFOUP
PVOEJTQPTJUJWPFO
FTUBEPEFDPOEVDDJÓO NPEPEFBHPUBNJFOUP
TFHÙOFMFTQFTPSEFMDBOBMWFSUJDBMZMPTOJWFMFT
EFEPQBEPEFMBFTUSVDUVSB-PTEJTQPTJUJWPTFTUÃOBDUVBMNFOUFEJTQPOJCMFTDPODBQBDJEBEFTEF
DPSSJFOUFIBTUBEF"ZSFTJTUFODJBTFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEFBNΩ

JFET de rejilla enterrada (BGJFET): -BGJHVSBBNVFTUSBFMDPSUFUSBOTWFSTBMEF


VO'+&5EFSFKJMMBFOUFSSBEB6UJMJ[BVOBQFRVFÒBTFQBSBDJÓOFOUSFDFMEBT MBDVBMDPOUSJCVZF
BVOBCBKBSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOZBBMUBTEFOTJEBEFTEFDPSSJFOUFEFTBUVSBDJÓO
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 155

Fuente Fuente
Com-
Compuerta n+ puerta n+ Compuerta

p p p

Región de deriva n–

Sustrato n+

Drenaje

FIGURA 4.23
$PSUFUSBOTWFSTBMEFM75+'&5EF4J$

4JOFNCBSHP OPDVFOUBDPOEJPEPEFDVFSQPBOUJQBSBMFMPZFOGSFOUBEPTEJGJDVMUBEFTFOFMQSP
DFTPEFGBCSJDBDJÓOFODPNQBSBDJÓODPOFM-$+'&5<>

JFET de trinchera vertical y doble compuerta (DGVTJFET): -BGJHVSBCNVFTUSBFM


DPSUFUSBOTWFSTBMEFM+'&5EFUSJODIFSBWFSUJDBMZEPCMFDPNQVFSUB FMDVBMFTFOSFBMJEBEVOB
DPNCJOBDJÓOEFMPTEJTFÒPTEF-$+'&5ZFM#(+'&5< >)BTJEPQSPQVFTUPQPS%&/40
<>&TUFEJTFÒPDPNCJOBVOBDBQBDJEBEEFDPONVUBDJÓOSÃQJEBEFCJEPBMBCBKBDBQBDJUBODJB
FOMBDPNQVFSUBESFOBKFDPOCBKBSFTJTUFODJBFTQFDÎGJDBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOEFCJEPBMB
QFRVFÒBTFQBSBDJÓOFOUSFDFMEBTZBMDPOUSPMEFEPCMFDPNQVFSUB-BFTUSVDUVSBRVFBQBSFDFFO
MBGJHVSBBUJFOFNÙMUJQMFTDPNQVFSUBTpQBSBDPODPOUSPMEFDPNQVFSUBNÃTFGFDUJWP$PNP
TFNVFTUSBFOMBGJHVSBCDPOVOBDPNQVFSUBFO5 OPFYJTUFVOBFTUSVDUVSBÙOJDB-BFTUSVD
UVSB EJNFOTJPOFTZDPODFOUSBDJPOFTEFMBTDBQBTn+Zp+EFUFSNJOBSÃOMBTDBSBDUFSÎTUJDBTEFM
+'&5DPNPMBTDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFZDPSSJFOUF

Fuente Compuerta
Fuente en T Fuente
Compuerta Compuerta
n+ n+ Compuerta n+
n– superior p+ n– B
Enterrada p+ Compuerta Compuerta Compuerta
enterrada p+ enterrada p+ enterrada p+
compuerta
Región de deriva n–
n–
Región de deriva n–
Sustrato n+
Sustrato n+
Drenaje
Drenaje
(a) BGJFET de SiC (b) DGVTJFET de SiC

FIGURA 4.24
$PSUFTUSBOTWFSTBMFTEFVO#(+'&5EF4J$ZEFVO%(+'&5EF4J$
156 Capítulo 4 Transistores de potencia

4.6 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN


6OUSBOTJTUPSCJQPMBSTFGPSNBBHSFHBOEPVOBTFHVOEBSFHJÓOpPnBVOEJPEPEFVOJÓOpn
$POEPTSFHJPOFTnZVOBSFHJÓOpTFGPSNBOEPTVOJPOFTZBFTUPTFMFDPOPDFDPNPtransis-
tor NPN DPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBB4JIBZEPTSFHJPOFTpZVOBSFHJÓOn TFDPOPDF
DPNPtransistor PNP MPDVBMTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC-BTUSFTUFSNJOBMFTTFEFOPNJOBO
colector emisorZbase6OUSBOTJTUPSCJQPMBSUJFOFEPTVOJPOFT VOBVOJÓODPMFDUPSCBTF $#+

ZVOBVOJÓOCBTFFNJTPS #&+
<>&OMBGJHVSBTFNVFTUSBOUSBOTJTUPSFTNPNEFWBSJPT
UBNBÒPT
1BSBFMFNJTPSEFMUSBOTJTUPSUJQPNPNEFMBGJHVSBBIBZEPTSFHJPOFTn+ ZEPTSFHJP
+
OFTp QBSBFMFNJTPSEFMUSBOTJTUPSUJQPPNPEFMBGJHVSBC1BSBFMUJQPNPN MBDBQBnEFM
MBEPEFMFNJTPSTFIBDFBODIB MBCBTFpFTBOHPTUBZMBDBQBnEFMMBEPEFMDPMFDUPSFTBOHPTUB
DPOVOBMUPOJWFMEFEPQBEP1BSBFMUJQPPNP MBDBQBpEFMMBEPEFMFNJTPSTFIBDFBODIB MBCBTFn
FTBOHPTUB ZMBDBQBpEFMMBEPEFMDPMFDUPSFTBOHPTUBDPOVOBMUPOJWFMEFEPQBEP-BTDPSSJFO
UFTEFCBTFZDPMFDUPSGMVZFOBUSBWÊTEFEPTUSBZFDUPSJBTQBSBMFMBT ZFMSFTVMUBEPFTVOBCBKB
SFTJTUFODJBEFMDPMFDUPSFNJTPSFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO RCE 0/


Colector Colector
C C
n IC p IC
Base IB Base IB
p n
B B
n IE p IE
E E
Emisor Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.25
5SBOTJTUPSFTCJQPMBSFT

FIGURA 4.26
5SBOTJTUPSFTNPN $PSUFTÎBEF1PXFSFY *OD

4.6 Transistores bipolares de unión 157

Emisor Base
Colector Base

n n
p p
p
n

n
p

Collector Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.27
$PSUFTUSBOTWFSTBMFTEF#+5T

4.6.1 Características de estado estable


"VORVF IBZ USFT DPOGJHVSBDJPOFT QPTJCMFT DPMFDUPS DPNÙO  CBTF DPNÙO Z FNJTPS DPNÙO  FO
HFOFSBMTFVUJMJ[BMBDPOGJHVSBDJÓOFNJTPSDPNÙO MBDVBMTFNVFTUSBFOMBGJHVSBBQBSBVO
USBOTJTUPSNPN FOBQMJDBDJPOFTEFDPONVUBDJÓO-BTDBSBDUFSÎTUJDBTEFFOUSBEBUÎQJDBTEFMB
DPSSJFOUFEFCBTFIBFOGVODJÓOEFMWPMUBKFCBTFFNJTPSVBETFNVFTUSBOFOMBGJHVSBC
-B GJHVSB D NVFTUSB MBT DBSBDUFSÎTUJDBT EF TBMJEB UÎQJDBT EF MB DPSSJFOUF EF DPMFDUPS IC FO
GVODJÓOEFMWPMUBKFDPMFDUPSFNJTPSVCE1BSBVOUSBOTJTUPSPNPMBTQPMBSJEBEFTEFUPEBTMBT
DPSSJFOUFTZWPMUBKFTTFJOWJFSUFO
6O USBOTJTUPS UJFOF USFT SFHJPOFT EF PQFSBDJÓO EF DPSUF  BDUJWB Z EF TBUVSBDJÓO &O MB
SFHJÓOEFDPSUFFMUSBOTJTUPSTFCMPRVFBPBQBHBZMBDPSSJFOUFEFCBTFOPFTTVGJDJFOUFQBSBFO
DFOEFSMP ZBNCBTVOJPOFTTFQPMBSJ[BOBMBJOWFSTB&OMBSFHJÓOBDUJWBFMUSBOTJTUPSBDUÙBDPNP
VOBNQMJGJDBEPS EPOEFMBDPSSJFOUFEFCBTFTFBNQMJGJDBQPSVOBHBOBODJBZFMWPMUBKFEFM
DPMFDUPSFNJTPSTFSFEVDFDPOMBDPSSJFOUFEFCBTF-B$#+TFQPMBSJ[BBMBJOWFSTB ZMB#&+TF
QPMBSJ[BFOTFOUJEPEJSFDUP&OMBSFHJÓOEFTBUVSBDJÓOMBDPSSJFOUFEFCBTFFTTVGJDJFOUFNFOUF
BMUBEFNPEPRVFFMWPMUBKFDPMFDUPSFNJTPSFTCBKP ZFMUSBOTJTUPSBDUÙBDPNPVOJOUFSSVQUPS
"NCBTVOJPOFT $#+Z#&+
TFQPMBSJ[BOFOTFOUJEPEJSFDUP-BDBSBDUFSÎTUJDBEFUSBOTGFSFODJB 
MBDVBMFTVOBHSÃGJDBEFVCEFOGVODJÓOEFIB TFNVFTUSBFOMBGJHVSB
&OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMNPEFMPEFVOUSBOTJTUPSNPNFOPQFSBDJÓOEFDEEFHSBO
TFÒBM-BFDVBDJÓORVFSFMBDJPOBMBTDPSSJFOUFTFT

IE = IC + IB 

-BDPSSJFOUFEFCBTFFTFGFDUJWBNFOUFMBDPSSJFOUFEFFOUSBEBZMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSFTMB
DPSSJFOUFEFTBMJEB-BSFMBDJÓOEFMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSICBMBDPSSJFOUFEFCBTFIBTFDPOPDF
DPNPganancia de corriente en sentido directo βF

IC
βF = hFE =  

IB
158 Capítulo 4 Transistores de potencia

IC
IB VCE1 VCE2
RC
VCE2  VCE1
RB IB  
VCE VCC
  

VB VBE
 IE

0 VBE
(a) Diagrama del circuito (b) Características de entrada

Región
IC activa IBn
Región de
saturación
IBn  IB1  IB0
IB4

IB3
IB2
IB1
IB  0
Región de corte
0 VCE
(c) Características de salida

FIGURA 4.28
$BSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTJTUPSFTNPN

-B DPSSJFOUF EF DPMFDUPS UJFOF EPT DPNQPOFOUFT VOB QPS MB DPSSJFOUF EF CBTF Z MB PUSB FT MB
DPSSJFOUFEFGVHBEFMB$#+

IC = βF IB + ICEO 

VCE
Corte Activa Saturación
VCC

VCE(sat)
0 IB
IBs
0 VBE
0.5 VBE(sat)

FIGURA 4.29
$BSBDUFSÎTUJDBTEFUSBOTGFSFODJB
4.6 Transistores bipolares de unión 159

C
IC

I CEO
␤FIB

IB
B

IE
FIGURA 4.30
E .PEFMPEFUSBOTJTUPSFTNPN

EPOEFICEOFTMBDPSSJFOUFEFGVHBEFDPMFDUPSBFNJTPSDPOFMDJSDVJUPBCJFSUPQPSMBCBTFZTF
QVFEFDPOTJEFSBSJOTJHOJGJDBOUFDPNQBSBEBDPOβFIB
$POMBTFDVBDJPOFT 
Z 

 IE = IB 1 1 + βF 2 + ICEO 

 ≈ IB 1 1 + βF 2 

βF + 1
IE ≈ IC a1 + b = IC
1
 

βF βF

$PNPβF >> MBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSTFFYQSFTBDPNP

IC ≈ αF IE 

EPOEFMBDPOTUBOUFαFFTUÃSFMBDJPOBEBDPOβFQPS

βF
αF =  

βF + 1
P
αF
βF =  

1 − αF

$POTJEFSFNPTFMDJSDVJUPEFMBGJHVSB EPOEFFMUSBOTJTUPSGVODJPOBDPNPJOUFSSVQUPS

VB − VBE
 IB =  

RB
βF RC
VC = VCE = VCC − IC RC = VCC − 1 VB − VBE 2
RB
VCE = VCB + VBE  

VCB = VCE − VBE 

160 Capítulo 4 Transistores de potencia

RC

IC VCC

IB RB ⫹

⫹ VCE
V VBE
⫺ B IE
⫺ ⫺

FIGURA 4.31
5SBOTJTUPSRVFGVODJPOBDPNPJOUFSSVQUPS

-BFDVBDJÓO 
JOEJDBRVFFOUBOUPVCE ≥ VBE MB$#+TFQPMBSJ[BBMBJOWFSTBZFMUSBOTJTUPS
FTUÃFOMBSFHJÓOBDUJWB-BDPSSJFOUFEFDPMFDUPSNÃYJNBFOMBSFHJÓOBDUJWB RVFTFPCUJFOF
BMFTUBCMFDFSVCB =ZVBE = VCE FT
VCC − VCE VCC − VBE
ICM = =  

RC RC
ZFMWBMPSDPSSFTQPOEJFOUFEFMBDPSSJFOUFEFCBTF
ICM
IBM =  

βF
4JMBDPSSJFOUFEFCBTFTFJODSFNFOUBQPSFODJNBEFIBM VBETFBVNFOUB MBDPSSJFOUFEFDPMFD
UPSTFJODSFNFOUBZFMVCEDBFQPSEFCBKPEFVBE&TUPDPOUJOÙBIBTUBRVFMB$#+TFQPMBSJ[B
FOTFOUJEPEJSFDUPDPOVBCBMSFEFEPSEFB7&OUPODFTFMUSBOTJTUPSFOUSBFOMBSFHJÓO
EFTBUVSBDJÓO-Bsaturación del transistorTFQVFEFEFGJOJSDPNPFMQVOUPQPSFODJNBEFMDVBM
DVBMRVJFS JODSFNFOUP EF MB DPSSJFOUF EF CBTF OP BVNFOUB TJHOJGJDBUJWBNFOUF MB DPSSJFOUF EF
DPMFDUPS
&OMBTBUVSBDJÓOMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSQFSNBOFDFDBTJDPOTUBOUF4JFMWPMUBKFEFTBUVSB
DJÓOEFDPMFDUPSBFNJTPSFTVCE TBU
MBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSFT

VCC − VCE1 sat2


ICS =  

RC
ZFMWBMPSDPSSFTQPOEJFOUFEFMBDPSSJFOUFEFCBTFFT
ICS
IBS =  

βF
/PSNBMNFOUFFMDJSDVJUPTFEJTFÒBEFNPEPRVFIBTFBNBZPSRVFIBS-BSFMBDJÓOEFIBBIBSTF
MMBNBfactor de sobreexcitación 0%'

IB
ODF =  

IBS

ZMBSFMBDJÓOEFICSBIBTFEFOPNJOBβ forzada βGPS[BEBEPOEF


ICS
βforzada =  

IB
4.6 Transistores bipolares de unión 161

-BQÊSEJEBUPUBMEFQPUFODJBFOMBTEPTVOJPOFTFT

PT = VBE IB + VCE IC 

6OBMUPWBMPSEFMGBDUPSEFTPCSFFYDJUBDJÓOOPQVFEFSFEVDJSTJHOJGJDBUJWBNFOUFFMWPMUBKFEF
DPMFDUPSBFNJTPS4JOFNCBSHP VBETFJODSFNFOUBEFCJEPBMBDPSSJFOUFEFCBTFBVNFOUBEB Z
FMSFTVMUBEPFTVOBQÊSEJEBEFQPUFODJBJODSFNFOUBEBFOFM#&+

Ejemplo 4.1 Cómo determinar los parámetros de saturación de un BJT


&MUSBOTJTUPSCJQPMBSEFMBGJHVSBTFFTQFDJGJDBDPOβFFOFMSBOHPEFB-BSFTJTUFODJBEFMBDBSHB
FTRC =Ω&MWPMUBKFEFTVNJOJTUSPEFDEFTVCC =7ZFMWPMUBKFEFFOUSBEBBMDJSDVJUPEFMBCBTFFT
VB =74JVCE TBU
=7ZVBE TBU
=7 EFUFSNJOF B
FMWBMPSEFRBRVFQSPEV[DBTBUVSBDJÓO
DPOVOGBDUPSEFTPCSFFYDJUBDJÓOEF C
MBβGPS[BEB Z D
MBQÊSEJEBEFQPUFODJBPTFOFMUSBOTJTUPS

Solución
VCC =7 βNÎO = βNÃY = RC =Ω 0%'= VB =7 VCE TBU
=7 ZVBE TBU
=7
$POMBFDVBDJÓO 
ICS = −
="$POMBFDVBDJÓO 
IBS =βNÎO ==
"-BFDVBDJÓO 
EBMBDPSSJFOUFEFCBTFQBSBVOGBDUPSEFTPCSFFYDJUBDJÓOEF 

IB = 5 × 2.2625 = 11.3125 A

a. -BFDVBDJÓO 


EBFMWBMPSSFRVFSJEPEFRB 

VB − VBE 1 sat2 10 − 1.5


RB = = = 0.7514 Ω
IB 11.3125

b. $POMBFDVBDJÓO 


βGPS[BEB ==
c. -BFDVBDJÓO 
EBMBQÊSEJEBUPUBMEFQPUFODJBDPNP

PT = 1.5 × 11.3125 + 1.0 × 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W

Nota:1BSBVO0%'EF IB =ZMBQÊSEJEBEFQPUFODJBFTPT =×+


=86OBWF[RVFFMUSBOTJTUPSTFTBUVSB FMWPMUBKFDPMFDUPSFNJTPSOPTFSFEVDFFOSF
MBDJÓODPOFMJODSFNFOUPEFMBDPSSJFOUFEFCBTF4JOFNCBSHP MBQÊSEJEBEFQPUFODJBTFJODSF
NFOUB$POVOBMUPWBMPSEFM0%' FMUSBOTJTUPSTFQVFEFEBÒBSEFCJEPBMBBWBMBODIBUÊSNJDB
1PSPUSPMBEP TJFMUSBOTJTUPSTFTPCSFFYDJUB IB < ICB
QVFEFGVODJPOBSFOMBSFHJÓOBDUJWBZ
VCE TFJODSFNFOUB QPSMPRVFMBQÊSEJEBEFQPUFODJBTFBVNFOUB

4.6.2 CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN


6OBVOJÓOpnDPOQPMBSJ[BDJÓOEJSFDUBFYIJCFEPTDBQBDJUBODJBTFOQBSBMFMPVOBDBQBDJUBODJB
EFDBQBEFBHPUBNJFOUPZVOBDBQBDJUBODJBEFEJGVTJÓO1PSPUSBQBSUF VOBVOJÓOpnDPOQPMB
SJ[BDJÓOJOWFSTBUJFOFTÓMPDBQBDJUBODJBEFBHPUBNJFOUP&ODPOEJDJPOFTEFFTUBEPFTUBCMF FTUBT
DBQBDJUBODJBTOPEFTFNQFÒBOOJOHÙOSPM4JOFNCBSHP FODPOEJDJPOFTUSBOTJUPSJBT JOGMVZFOFO
FMDPNQPSUBNJFOUPEFFODFOEJEPZBQBHBEPEFMUSBOTJTUPS
&OMBGJHVSBTFNVFTUSBFMNPEFMPEFVOUSBOTJTUPSFODPOEJDJPOFTUSBOTJUPSJBT EPOEF
CcbZCbeTPOMBTDBQBDJUBODJBTFGFDUJWBTEFMB$#+Z#&+ SFTQFDUJWBNFOUF-Btransconductan-
cia gm EFVO#+5TFEFGJOFDPNPMBSFMBDJÓOEFĴICBĴVBE&TUBTDBQBDJUBODJBTEFQFOEFOEF
MPTWPMUBKFTEFVOJÓOZEFMBDPOTUSVDDJÓOGÎTJDBEFMUSBOTJTUPS
162 Capítulo 4 Transistores de potencia

iB ic ic
B C B ⫹ C
Ccb Ccb
rbe ro ⫽ rce rbe gmvbe ro ⫽ rce
Cbe ␤ iB vbe Cbe


iE i
iE, gm ⫽ v c
be
E E
(a) Modelo con ganancia de corriente (b) Modelo con transconductancia

FIGURA 4.32
.PEFMPUSBOTJUPSJPEFVO#+5

CcbBGFDUBMBDBQBDJUBODJBEFFOUSBEBEFGPSNBTJHOJGJDBUJWBEFCJEPBMFGFDUPEFNVMUJQMJDBDJÓO
.JMMFS<>-BTSFTJTUFODJBTEFDPMFDUPSBFNJTPSZEFCBTFBFNJTPSTPOrceZrbe SFTQFDUJWBNFOUF
"DBVTBEFMBTDBQBDJUBODJBTJOUFSOBTFMUSBOTJTUPSOPTFFODJFOEFEFJONFEJBUP-BGJHVSB
JMVTUSBMBTGPSNBTEFPOEBZUJFNQPTEFDPONVUBDJÓO$POGPSNFFMWPMUBKFEFFOUSBEBvB
TVCFEFDFSPBVZMBDPSSJFOUFEFCBTFTVCFBIB MBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSOPSFTQPOEFEF
JONFEJBUP)BZVOSFUSBTP DPOPDJEPDPNPtiempo de retraso td BOUFTEFRVFGMVZBDVBMRVJFS

vB
V1

0 t
kT (1 ⫺ k)T
⫺V2

iB
IB1

0 t

⫺IB2

iC
ICS
0.9 ICS

0.1 ICS
0 t
t d tr tn ts tf to

FIGURA 4.33
5JFNQPTEFDPONVUBDJÓOEFUSBOTJTUPSFTCJQPMBSFT
4.6 Transistores bipolares de unión 163

DPSSJFOUFEFDPMFDUPS&TUFSFUSBTPTFSFRVJFSFQBSBDBSHBSMBDBQBDJUBODJBEFMB#&+BMWPMUBKF
EFQPMBSJ[BDJÓOEJSFDUBVBE BQSPYJNBEBNFOUF7
%FTQVÊTEFFTUFSFUSBTP MBDPSSJFOUFEFDP
MFDUPSTVCFBMWBMPSEFFTUBEPFTUBCMFEFICS&MUJFNQPEFTVCJEBtrEFQFOEFEFMBDPOTUBOUF
EFUJFNQPEFUFSNJOBEBQPSMBDBQBDJUBODJBEFMB#&+
-BDPSSJFOUFEFCBTFFTOPSNBMNFOUFFTNBZPSRVFMBSFRVFSJEBQBSBTBUVSBSFMUSBOTJT
UPS$PNPSFTVMUBEP MBDBSHBEFQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPTFYDFEFOUFTFBMNBDFOBFOMBSFHJÓO
EFMBCBTF"NBZPS0%' NBZPSDBOUJEBEEFDBSHBFYUSBBMNBDFOBEBFOMBCBTF&TUBDBSHB
FYUSB EFOPNJOBEBcarga de saturación FTQSPQPSDJPOBMBMBFYDJUBDJÓOEFCBTFFYDFEFOUFZMB
DPSSJFOUFDPSSFTQPOEJFOUFIe

= ODF ∙ IBS − IBS = IBS 1ODF − 12 


ICS
Ie = IB − 

ZMBDBSHBEFTBUVSBDJÓOFTUÃEBEBQPS

Qs = τs Ie = τs IBS 1ODF − 12  

EPOEFτSTFDPOPDFDPNPconstante de tiempo de almacenamientoEFMUSBOTJTUPS


$VBOEP FM WPMUBKF EF FOUSBEB TF JOWJFSUF EF V B −V Z MB DPSSJFOUF UBNCJÊO DBNCJB B
−IB MBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSOPDBNCJBEVSBOUFVOUJFNQPtS MMBNBEPtiempo de almacena-
miento&MtSTFSFRVJFSFQBSBFMJNJOBSMBDBSHBEFTBUVSBDJÓOEFMBCBTF$VBOUPNÃTBMUBTFB
MBDPSSJFOUFEFDPMFDUPS NÃTBMUBTFSÃMBDPSSJFOUFEFCBTFZTFMMFWBSÃNÃTUJFNQPSFDVQFSBS
MBTDBSHBTBMNBDFOBEBTRVFQSPWPDBOVOUJFNQPEFBMNBDFOBNJFOUPNÃTMBSHP%BEPRVFvBE
JODMVTPDPOBQSPYJNBEBNFOUFTÓMP7TJHVFTJFOEPQPTJUJWP MBDPSSJFOUFEFCBTFJOWJFSUFTV
EJSFDDJÓOQPSFMDBNCJPFOMBQPMBSJEBEEFvBEFVB−V-BDPSSJFOUFJOWFSTB−IBBZVEBB
EFTDBSHBSMBCBTFZFMJNJOBSMBDBSHBFYUSBEFMBCBTF4JO−IB MBDBSHBEFTBUVSBDJÓOTFUJFOF
RVFFMJNJOBSQPSDPNQMFUPQPSSFDPNCJOBDJÓOZFMUJFNQPEFBMNBDFOBNJFOUPTFSÎBNBZPS
6OBWF[FMJNJOBEBMBDBSHBFYUSB MBDBQBDJUBODJBEFMB#&+TFDBSHBBMWPMUBKFEFFOUSBEB
−VZMBDPSSJFOUFEFCBTFDBFBDFSP&MUJFNQPEFDBÎEBtfEFQFOEFEFMBDPOTUBOUFEFUJFNQP 
EFUFSNJOBEBQPSMBDBQBDJUBODJBEFMB#&+QPMBSJ[BEBBMBJOWFSTB
-BGJHVSBBNVFTUSBMBDBSHBFYUSBEFBMNBDFOBNJFOUPFOMBCBTFEFVOUSBOTJTUPSTB
UVSBEP%VSBOUFFMBQBHBEP FTUBDBSHBFYUSBTFFMJNJOBQSJNFSPFOFMUJFNQPtsZFMQFSGJMEFMB
DBSHBDBNCJBEFaBcDPNPTFNVFTUSBFOMBGJHVSBC%VSBOUFFMUJFNQPEFDBÎEBFMQFSGJM
EFMBDBSHBEFDSFDFBQBSUJSEFMQFSGJMcIBTUBRVFTFFMJNJOBOUPEBTMBTDBSHBT

Emisor Base Colector

b
Almacenamiento
de carta
d c

(a) Almacenamiento (b) Perfil de la carga


de carga en la base durante el apagado

FIGURA 4.34
"MNBDFOBNJFOUPEFDBSHBFOUSBOTJTUPSFTCJQPMBSFT
164 Capítulo 4 Transistores de potencia

&MUJFNQPEFFODFOEJEPtnFTMBTVNBEFMUJFNQPEFSFUSBTPtdZFMUJFNQPEFTVCJEBtr
tn = td + tr

FMUJFNQPEFBQBHBEPtoFTMBTVNBEFMUJFNQPEFBMNBDFOBNJFOUPtsZFMUJFNQPEFDBÎEBtf

to = ts + tf

Ejemplo 4.2 Cómo determinar la pérdida por conmutación de un transistor


-BTGPSNBTEFPOEBEFMUSBOTJTUPSJOUFSSVQUPSEFMBGJHVSBTFNVFTUSBOFOMBGJHVSB-PTQBSÃNF
USPTTPOVCC =7 VBE TBU
=7 IB =" VCS TBU
=7 ICS =" td =μT tr =μT ts =μT 
tf =μT Zfs =L)[&MUJFNQPEFUSBCBKPFTk =-BDPSSJFOUFEFGVHBEFDPMFDUPSBFNJTPSFT
ICEO =N"%FUFSNJOFMBQÊSEJEBEFQPUFODJBQPSMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPS B
EVSBOUFFMFODFOEJEP
tPO = td + tr C
EVSBOUFFMQFSJPEPEFDPOEVDDJÓO tn D
EVSBOUFFMBQBHBEPto = ts + tf E
EVSBOUFFM
UJFNQPEFJOBDUJWJEBEto Z F
QÊSEJEBTEFQPUFODJBUPUBMFTQSPNFEJPPT G
5SBDFMBHSÃGJDBEFMBQPUFODJB
EFCJEPBMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSPc(t


Solución
T =fs =μT k = kT = td + tr + tn =μT tn =−−=μT  − k) T = ts + tf + to =
μT Zto =−−=μT

vCE
VCC

VCE(sat)
0 t
ton toff
iC ICS
0.9 ICS

ICEO
0 t
td tr tn ts tf to

iB
IBs

0 t
T ⫽ 1/fs

vBE
VBE(sat)

0 t

FIGURA 4.35
'PSNBTEFPOEBEFVOUSBOTJTUPSJOUFSSVQUPS
4.6 Transistores bipolares de unión 165

a. %VSBOUFFMUJFNQPEFSFUSBTP ≤ t ≤ td

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC

  -BQPUFODJBJOTUBOUÃOFBEFCJEPBMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSFT

Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC


= 3 × 10−3 × 250 = 0.75 W

  -BQÊSEJEBEFQPUFODJBQSPNFEJPEVSBOUFFMUJFNQPEFSFUSBTPFT
t
P 1 t2 dt = ICEO VCC t d fs
d
1
Pd =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 0.5 × 10−6 × 10 × 103 = 3.75 mW 

  %VSBOUFFMUJFNQPEFTVCJEB ≤ t ≤ tr

ic 1 t2 =
ICS
t
tr

vCE 1 t2 = VCC + 1 VCE1 sat2 − VCC2


t
tr

Pc 1 t2 = ic vCE = ICS c VCC + 1 VCE 1 sat2 − VCC 2 d 


t t


tr tr

  -BQPUFODJBPc(t
FTNÃYJNBDVBOEPt = tm EPOEF

t r VCC
tm =  

2[VCC − VCE 1 sat2 ]

250
=1× = 0.504 μs
21 250 − 22

  ZMBFDVBDJÓO 
EFMBQPUFODJBQJDP

V 2CC ICS
 Pp =  

4[VCC − VCE1 sat2 ]

100
= 2502 × = 6300 W
41 250 − 22
tr VCE1 sat2 − VCC
Pc 1 t2 dt = fs ICS t r c d
1 VCC
Pr = +  

T L0 2 3

2 − 250
= 10 × 103 × 100 × 1 × 10−6 c d = 42.33 W
250
+
2 3

  -BQÊSEJEBUPUBMEFQPUFODJBEVSBOUFFMFODFOEJEPFT

Pon = Pd + Pr  

= 0.00375 + 42.33 = 42.33 W


166 Capítulo 4 Transistores de potencia

b. &MQFSJPEPEFDPOEVDDJÓO ≤ t ≤ tn

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t n fs
n
1
Pn =  

T L0 c
= 2 × 100 × 48.5 × 10−6 × 10 × 103 = 97 W

c. &MQFSJPEPEFBMNBDFOBNJFOUP ≤ t ≤ ts

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t s fs
s
1
Ps =  

T L0 c
= 2 × 100 × 5 × 10−6 × 10 × 103 = 10 W

  &MUJFNQPEFDBÎEB ≤ t ≤ tf

ic 1 t2 = ICS a1 − b, ignorando ICEO


t
tf

vCE 1 t2 =
VCC
t, ignorando ICEO  

tf

Pc 1 t2 = ic vCE = VCC ICS J ¢1 − ≤ d


t t
tf tf

&TUBQÊSEJEBEFQPUFODJBEVSBOUFFMUJFNQPEFDBÎEBFTNÃYJNBDVBOEPt = tf=μTZMB
FDVBDJÓO 
EBMBQPUFODJBQJDP 

VCC ICS
 Pm =  

4
100
= 250 × = 6250 W
4
tf VCC ICS t f fs
Pc 1 t2 dt =
1
Pf =  

T L0 6
250 × 100 × 3 × 10−6 × 10 × 103
= = 125 W
6

  -BQÊSEJEBEFQPUFODJBEVSBOUFFMBQBHBEPFT

VCC t f
Poff = Ps + Pf = ICS fs at s VCE1 sat2 + b 

6
= 10 + 125 = 135 W
4.6 Transistores bipolares de unión 167

P(t) 6300 6250


6300

200

0.75
0 t
td tr tn ts tf
2
tf

FIGURA 4.36
(SÃGJDBEFMBQPUFODJBJOTUBOUÃOFBEFMFKFNQMP

d. 1FSJPEPEFJOBDUJWJEBE ≤ t ≤ t0

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC
Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC  

−3
= 3 × 10 × 250 = 0.75 W
to
P 1 t2 dt = ICEO VCC t o fs
1
P0 =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 42 × 10−6 × 10 × 103 = 0.315 W

e. -BQÊSEJEBUPUBMEFQPUFODJBFOFMUSBOTJTUPSEFCJEPBMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSFT

PT = Pon + Pn + Poff + P0  

= 42.33 + 97 + 135 + 0.315 = 274.65 W

f. -BGJHVSBNVFTUSBMBHSÃGJDBEFMBQPUFODJBJOTUBOUÃOFB

Nota: -BT QÊSEJEBT QPS DPONVUBDJÓO EVSBOUF MB USBOTJDJÓO EFM FTUBEP EF FODFOEJEP BM
FTUBEPEFBQBHBEPZWJDFWFSTBTPONVDIBTNÃTRVFMBTQÊSEJEBTFOFTUBEPEFFODFOEJEP&M
USBOTJTUPSEFCFFTUBSQSPUFHJEPDPOUSBSVQUVSBTEFCJEPBVOBBMUBUFNQFSBUVSBFOMBVOJÓO

Ejemplo 4.3 Cómo determinar la pérdida de excitación de base de un transistor


$PO MPT QBSÃNFUSPT EFM FKFNQMP   DBMDVMF MB QÊSEJEB EF QPUFODJB QSPNFEJP EFCJEP B MB DPSSJFOUF EF
CBTF

Solución
VBE1 sat 2 = 3 V, IB = 8 A, T = 1/fs = 100 μs, k = 0.5, kT = 50 μs, t d = 0.5 μs, t r = 1 μs,
t n = 50 − 1.5 = 48.5 μs, t s = 5 μs, t f = 3 μs, t on = t d + t r = 1.5 μs, y t off = t s + t f = 5 +
3 = 8 μs.
168 Capítulo 4 Transistores de potencia

  %VSBOUFFMQFSJPEP ≤ t ≤ (tPO + tn




ib 1 t2 = IBS
vBE 1 t2 = VBE1 sat2

-BQPUFODJBJOTUBOUÃOFBEFCJEPBMBDPSSJFOUFEFCBTFFT
Pb 1 t2 = ib vBE = IBS VBS1 sat2
= 8 × 3 = 24 W
%VSBOUFFMQFSJPEP ≤ t ≤ to (T − tPO − tn − ts − tfPb(t) =-BQÊSEJEBEFQPUFODJBQSPNFEJPFT

PB = IBS VBE1 sat2 1 t on + t n + t s + t f 2 fs  

= 8 × 3 × 1 1.5 + 48.5 + 5 + 32 × 10 −6
× 10 × 10 = 13.92 W
3

Nota$PNPMBDPSSJFOUFEFDPNQVFSUBEFVO.04'&5FTJOTJHOJGJDBOUF MBQÊSEJEBEF
FYDJUBDJÓOEFMBDPNQVFSUBEFVO.04'&5EFQPUFODJBFTJOTJHOJGJDBOUFNFOUFQFRVFÒB

4.6.3 Límites de conmutación


Segunda ruptura (SB). "MGFOÓNFOPEFTUSVDUJWPDBVTBEPQPSFMGMVKPEFDPSSJFOUFIBDJB
VOBQFRVFÒBQBSUFEFMBCBTFRVFQSPEVDFQVOUPTDBMJFOUFTMPDBMJ[BEPTTFMFDPOPDFDPNP4#P
TFHVOEBSVQUVSB4JMBFOFSHÎBFOFTUPTQVOUPTDBMJFOUFTFTCBTUBOUF FMDBMFOUBNJFOUPFYDFTJWP
MPDBMJ[BEPQVFEFEBÒBSFMUSBOTJTUPS1PSDPOTJHVJFOUF MBTFHVOEBSVQUVSBFTQSPWPDBEBQPSVOB
BWBMBODIBUÊSNJDBMPDBMJ[BEB BDBVTBEFBMUBTDPODFOUSBDJPOFTEFDPSSJFOUF-BDPODFOUSBDJÓO
EFDPSSJFOUFQVFEFEFCFSTFBEFGFDUPTFOMBFTUSVDUVSBEFMUSBOTJTUPS-B4#PDVSSFDPODJFSUBT
DPNCJOBDJPOFTEFWPMUBKF DPSSJFOUFZUJFNQP%BEPRVFFMUJFNQPJOUFSWJFOF MBTFHVOEBSVQ
UVSBFTCÃTJDBNFOUFVOGFOÓNFOPRVFEFQFOEFEFMBFOFSHÎB

Área de operación segura polarizada en sentido directo (FBSOA). %VSBOUFFMFODFO


EJEPZFODPOEJDJPOFTEFFTUBEPEFDPOEVDDJÓO MBUFNQFSBUVSBQSPNFEJPFOMBVOJÓOZFMMÎNJUF
EFTFHVOEBSVQUVSBMJNJUBOMBDBQBDJEBEEFNBOFKPEFQPUFODJBEFVOUSBOTJTUPS-PTGBCSJDBO
UFTTVFMFOQSPQPSDJPOBSMBTDVSWBTEF'#40"FODPOEJDJPOFTEFQSVFCBFTQFDÎGJDBT&MÃSFBEF
PQFSBDJÓOTFHVSBQPMBSJ[BEBFOTFOUJEPEJSFDUPJOEJDBMPTMÎNJUFTic − vCEEFMUSBOTJTUPSQBSB
VOBPQFSBDJÓODPOGJBCMFFMUSBOTJTUPSOPEFCFTPNFUFSTFBVOBEJTJQBDJÓOEFQPUFODJBNBZPS
RVFMBNPTUSBEBQPSMBDVSWB'#40"

Área de operación segura polarizada a la inversa (RBSOA). %VSBOUF FM BQBHBEP  FM
USBOTJTUPSEFCFNBOUFOFSVOBBMUBDPSSJFOUFZVOBMUPWPMUBKF FOMBNBZPSÎBEFMPTDBTPTDPOMB
VOJÓOCBTFBFNJTPSQPMBSJ[BEBBMBJOWFSTB&MWPMUBKFEFDPMFDUPSBFNJTPSEFCFNBOUFOFSTF
BVOOJWFMTFHVSPB PQPSEFCBKP EFVOWBMPSFTQFDJGJDBEPEFDPSSJFOUFEFDPMFDUPS-PTGBC
SJDBOUFTQSPQPSDJPOBOMPTMÎNJUFTIC − VCEEVSBOUFFMBQBHBEPFOQPMBSJ[BDJÓOJOWFSTBDPNP
3#40"

Voltajes de ruptura. 6Ovoltaje de rupturaTFEFGJOFDPNPFMWPMUBKFNÃYJNPBCTPMVUP


FOUSFEPTUFSNJOBMFTDPOMBUFSDFSBUFSNJOBMBCJFSUB FODPSUPDJSDVJUPPQPMBSJ[BEBFOEJSFDDJÓO
EJSFDUBPJOWFSTB&OVOBSVQUVSBFMWPMUBKFQFSNBOFDFSFMBUJWBNFOUFDPOTUBOUF FOUBOUPRVFMB
DPSSJFOUFTVCFDPOSBQJEF[-PTGBCSJDBOUFTDJUBOMPTTJHVJFOUFTWPMUBKFTEFSVQUVSB

VEBOFMWPMUBKFNÃYJNPFOUSFMBUFSNJOBMFNJTPSZMBUFSNJOBMCBTFDPOMBUFSNJOBMDPMFD
UPSBCJFSUB
4.6 Transistores bipolares de unión 169

IC IC
LC
ICS C B
D
sw ⫹
RB RC
⫹ VCE ⫹ Carga
VB VCC resistiva
⫺ ⫺ ⫺ pura
A
0 VCE
VCC VCE(sus)
(a) Circuito de prueba (b) Líneas de carga

FIGURA 4.37
-ÎOFBTEFDBSHBEFFODFOEJEPZBQBHBEP

VCEVPVCEXFMWPMUBKFNÃYJNPFOUSFMBUFSNJOBMDPMFDUPSZMBUFSNJOBMFNJTPSBVOWPM
UBKFOFHBUJWPFTQFDJGJDBEPBQMJDBEPFOUSFMBCBTFZFMFNJTPS
VCEO 464
 &M WPMUBKF NÃYJNP EF TVTUFOUBDJÓO FOUSF MB UFSNJOBM DPMFDUPS Z MB UFSNJOBM
FNJTPSDPOMBCBTFBCJFSUB&TUFWBMPSTFFTQFDJGJDBDPNPMBDPSSJFOUFZWPMUBKFEFDPMFDUPS
NÃYJNPT RVFBQBSFDFOTJNVMUÃOFBNFOUFBUSBWÊTEFMEJTQPTJUJWPDPOVOWBMPSFTQFDÎGJDP
EFJOEVDUBODJBEFDBSHB

$POTJEFSFNPT FM DJSDVJUP EF MB GJHVSB B $VBOEP FM JOUFSSVQUPS 48 TF DJFSSB MB DP
SSJFOUFEFDPMFDUPSTFJODSFNFOUB ZEFTQVÊTEFVOUSBOTJUPSJPMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSFOFTUBEP
FTUBCMFFTICS = (VCC − VCE TBU
)/RC1BSBVOBDBSHBJOEVDUJWB MBMÎOFBEFDBSHBTFSÎBMBUSB
ZFDUPSJBABCEFMBGJHVSBC4JFMJOUFSSVQUPSTFBCSFQBSBFMJNJOBSMBDPSSJFOUFEFCBTF MB
DPSSJFOUFEFDPMFDUPSDPNJFO[BBDBFSZTFJOEVDFVOWPMUBKFL(di/dt
BUSBWÊTEFMJOEVDUPSRVF
TFPQPOFBMBSFEVDDJÓOEFDPSSJFOUFZFMUSBOTJTUPSTFWFTPNFUJEPBVOWPMUBKFUSBOTJUPSJP4J
FTUFWPMUBKFBMDBO[BFMOJWFMEFWPMUBKFEFTVTUFOUBDJÓO FMWPMUBKFEFMDPMFDUPSQFSNBOFDFBQSPYJ
NBEBNFOUFDPOTUBOUFZMBDPSSJFOUFEFDPMFDUPSDBFEFTQVÊTEFVOCSFWFUJFNQPFMUSBOTJTUPS
RVFEBFOFTUBEPJOBDUJWP-BGJHVSBCQSFTFOUBMBMÎOFBEFDBSHBEFBQBHBEPJOEJDBEBQPSMB
USBZFDUPSJBCDA

4.6.4 BJTs de carburo de silicio


"M JHVBM RVF MPT #+5 EF 4J  FM #+5 EF 4J$ FT VO EJTQPTJUJWP CJQPMBS RVF QPS MP DPNÙO TF
FODVFOUSBFOFTUBEPEFBQBHBEP FMDVBMDPNCJOBUBOUPVOBCBKBDBÎEBEFWPMUBKFFOFTUBEP
EFDPOEVDDJÓO 7B"DN 
<>DPNPVOEFTFNQFÒPEFDPONVUBDJÓOCBTUBOUFSÃ
QJEB-BCBKBDBÎEBEFWPMUBKFFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOTFPCUJFOFEFCJEPBMBDBODFMBDJÓO
EFMBTVOJPOFTCBTFFNJTPSZCBTFDPMFDUPS4JOFNCBSHP FM#+5EF4J$FTVOEJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP QPS DPSSJFOUF  FT EFDJS RVF TF SFRVJFSF VOB DPSSJFOUF EF CBTF TVTUBODJBM DPOUJ
OVBNJFOUSBTDPOEVDFVOBDPSSJFOUFEFDPMFDUPS-PT#+5EF4J$TPONVZBUSBDUJWPTQBSB
BQMJDBDJPOFT EF DPONVUBDJÓO EF QPUFODJB EFCJEP B TV QPUFODJBM EF NVZ CBKBT SFTJTUFODJBT
FTQFDÎGJDBTFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓOZEFPQFSBDJÓOBBMUBUFNQFSBUVSBDPOBMUBTEFOTJEBEFT
EFQPUFODJB<  >1BSBMPT#+5EF4J$ MBHBOBODJBEFDPSSJFOUFEFFNJTPSDPNÙO β

MB SFTJTUFODJB FTQFDÎGJDB RPO
 Z FM WPMUBKF EF SVQUVSB  TPO JNQPSUBOUFT QBSB PQUJNJ[BS MB
DPNQFUFODJBDPOMPTEJTQPTJUJWPTEFQPUFODJBBCBTFEFTJMJDJP4FIBEFEJDBEPVODVBOUJPTP
USBCBKPQBSBNFKPSBSFMEFTFNQFÒPEFMPT#+5EF4J$
170 Capítulo 4 Transistores de potencia

WE
Rc-emisor
Terminación de Emisor SiO2 E
alto voltaje Rc-base
JTE Base ND = 5 × 10+19 cm–3 g Base
Emisor B
100
+
μm
n VBE Base
p+ p+
p– NA = 4 × 1017 cm–3 , 700 μm
p+ p+ VBC Rc
JTE JTE Colector
n– ND = 4 × 1015 cm–3, 15 μm
VCE =
Rsub
n+, 4H-SiC VBE VBC Sustrato
Sustrato n+
C
Rc-colector
Colector
(a) Corte transversal (b) Resistencia en estado de conducción

FIGURA 4.38
7JTUBEFDPSUFUSBOTWFSTBMEFMEJTQPTJUJWP#+5)4J$

-PT#+5EF4J$EJTQPOJCMFTUJFOFOVOBDBQBDJEBEEFWPMUBKFEFL7ZDBQBDJEBEFTEF
DPSSJFOUFFOFMSBOHPEFB" DPOHBOBODJBTEFDPSSJFOUFEFNÃTEFBUFNQFSBUVSBBN
CJFOUFQBSBVOEJTQPTJUJWPEF"<>4JOFNCBSHP MBHBOBODJBEFDPSSJFOUFEFQFOEFFOHSBO
NFEJEBEFMBUFNQFSBUVSBZ FOQBSUJDVMBS DBFNÃTEFB°$FODPNQBSBDJÓODPOMBUFN
QFSBUVSBBNCJFOUF&MEFTBSSPMMPEF#+5TEF4J$IBTJEPFYJUPTP ZBQFTBSEFMBOFDFTJEBEEFMB
DPSSJFOUFEFCBTF MPT#+5EF4J$PGSFDFOVOEFTFNQFÒPDPNQFUJUJWPFOFMSBOHPEFLJMPWPMUT
&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBVO#+5/1/EF4J$<>-BFYUFOTJÓOEFUFSNJOBDJÓOEFVOJÓO
+5&
FYIJCFVOBMUPWPMUBKFEFSVQUVSBFODPNQBSBDJÓODPOMPT#+5TEF4J$-BGJHVSBC
NVFTUSBFMDJSDVJUPFRVJWBMFOUFEFSFTJTUFODJBFOFTUBEPEFDPOEVDDJÓO<>-BFTUSVDUVSB EJ
NFOTJPOFT Z DPODFOUSBDJPOFT EF MBT DBQBT n+ Z p+ EFUFSNJOBSÃO MBT DBSBDUFSÎTUJDBT EFM #+5 
DPNPDBQBDJEBEFTEFWPMUBKFZDPSSJFOUF

4.7 IGBTs
6O*(#5DPNCJOBMBTWFOUBKBTEFMPT#+5ZMPT.04'&56O*(#5UJFOFBMUBJNQFEBODJBEF
FOUSBEB DPNPMPT.04'&5 ZCBKBTQÊSEJEBTQPSDPOEVDDJÓOFOFTUBEPBDUJWP DPNPMPT#+5
4JOFNCBSHP OPUJFOFFMQSPCMFNBEFTFHVOEBSVQUVSB DPNPMPT#+51PSFMEJTFÒPZFTUSVD
UVSB EFM NJDSPDJSDVJUP chip
 MB SFTJTUFODJB FRVJWBMFOUF EF ESFOBKF B GVFOUF RDS TF DPOUSPMB
QBSBRVFTFDPNQPSUFDPNPMBEFVO#+5<>
&OMBGJHVSBBTFNVFTUSBMBTFDDJÓOUSBOTWFSTBMEFMBFTUSVDUVSBEFTJMJDJPEFVO*(#5 
MBDVBMFTJEÊOUJDBBMBEFVO.04'&5 FYDFQUPQPSFMTVTUSBUPp+/PPCTUBOUF FMEFTFNQFÒP
EFVO*(#5TFQBSFDFNÃTBMEFVO#+5RVFBMEFVO.04'&5&TUPTFEFCFBMTVTUSBUPp+ FM
DVBMFTSFTQPOTBCMFEFJOZFDUBSQPSUBEPSFTNJOPSJUBSJPTFOMBSFHJÓOn&MDJSDVJUPFRVJWBMFOUF
TFNVFTUSBFOMBGJHVSBC RVFTFQVFEFTJNQMJGJDBSDPNPFMEFMBGJHVSBD6O*(#5TF
DPOTUSVZFDPODVBUSPDBQBTBMUFSOBTPNPN ZQPESÎBFOHBODIBSDPNPVOUJSJTUPSTJTFDVNQMF
MBDPOEJDJÓOOFDFTBSJB αnpn + αpnp) >-BDBQBJOUFSNFEJBn+ZMBBODIBCBTFFQJUBYJBM
SFEVDFOMBHBOBODJBEFMBUFSNJOBMNPNNFEJBOUFEJTFÒPJOUFSOPDPOMPDVBMTFFWJUBFMFOHBO
DIF-PT*(#5UJFOFOEPTFTUSVDUVSBTEFQFSGPSBDJÓO 15
ZEFOPQFSGPSBDJÓO /15
&O
MBFTUSVDUVSB*(#5EFQFSGPSBDJÓO FMUJFNQPEFDPONVUBDJÓOTFSFEVDFDPOFMVTPEFVOBDBQB
JOUFSNFEJBnBMUBNFOUFEPQBEBFOMBSFHJÓOEFEFSJWBDFSDBEFMDPMFDUPS&OMBFTUSVDUVSB/15
MPTQPSUBEPSFTUJFOFOVOBWJEBNÃTMBSHBRVFFOMBFTUSVDUVSB15 MPRVFPDBTJPOBNPEVMBDJÓO
4.7 IGBTs 171

Colector

Sustrato p⫹

Capa intermedia n⫹

epi n⫺

p⫹
p p

n⫹ p⫺ n⫹

Compuerta Compuerta

Emisor
(a) Corte transversal

C C

RMOD RMOD
PNP PNP

NPN
G G RBE

RBE