Cuarta edición

ELECTRÓNICA
DE POTENCIA

MUHAMMAD H. RASHID
ELECTRÓNICA DE POTENCIA
CUARTA EDICIÓN

Muhammad H. Rashid
Fellow IET,
Life Fellow IEEE
Electrical and Computer
Engineering
University of West Florida

Traducción
Rodolfo Navarro Salas
Ingeniero Mecánico
Universidad Nacional Autónoma de México

Revisión técnica
Brahim El Filali
Academia de Sistemas
Unidad Profesional Interdisciplinaria en Ingeniería
y Tecnologías Avanzadas (UPIITA)
Instituto Politécnico Nacional, México
 Datos de catalogación bibliográfica

RASHID, MUHAMMAD, H
Electrónica de potencia
Cuarta edición
PEARSON EDUCACIÓN, México, 2015

ISBN: 978-607-32-3325-5
Área: Ingeniería

Formato: 20 × 25.5 cm Páginas: 680

Authorized translation from the English language edition entitled Power Electronics, 4th Edition, by Muhammad H. Rashid,
published by Pearson Education, Inc., publishing as Prentice Hall, Copyright © 2014. All rights reserved.
ISBN 9780133125900

Traducción autorizada de la edición en idioma inglés titulada Power Electronics, 4a edición, por Muhammad H. Rashid,
publicada por Pearson Education, Inc., publicada como Prentice Hall, Copyright © 2014. Todos los derechos reservados.

Esta edición en español es la única autorizada.

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CUARTA EDICIÓN, 2015

D.R. © 2015 por Pearson Educación de México, S.A. de C.V.

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ISBN LIBRO IMPRESO: 978-607-32-3325-5

ISBN E-BOOK: 978-607-32-3328-6

Impreso en México. Printed in Mexico.

1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 - 18 17 16 15

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 A mis padres, mi esposa Fatema, y
mis hijos: Fa-eza, Farzana, Hasan, Hannah, Laith, Laila y Nora
Contenido

Prefacio xvii
Acerca del autor xxiii

Capítulo 1 Introducción 1
1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 2
1.2 Historia de la electrónica de potencia 4
1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 6
1.4 Diseño de equipo electrónico de potencia 10
1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11
1.6 Efectos periféricos 12
1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15
1.7.1 Características ideales 15
1.7.2 Características de los dispositivos prácticos 16
1.7.3 Especificaciones de un conmutador 18
1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19
1.9 Características de control de dispositivos de potencia 25
1.10 Opciones de dispositivos 25
1.11 Módulos de potencia 29
1.12 Módulos inteligentes 29
1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31
Resumen 32
Referencias 32
Preguntas de repaso 33
Problemas 33

PARTE I Diodos de potencia y rectificadores 35

Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados 35

2.1 Introducción 36
2.2 Lo básico de los semiconductores 36
2.3 Características del diodo 38
2.4 Características de recuperación inversa 41
2.5 Tipos de diodos de potencia 44
2.5.1 Diodos de uso general 44
2.5.2 Diodos de recuperación rápida 45
2.5.3 Diodos Schottky 46
v
vi Contenido

2.6 Diodos de carburo de silicio 46

2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47
2.8 Modelo SPICE de diodo 48
2.9 Diodos conectados en serie 49
2.10 Diodos conectados en paralelo 53
2.11 Carga RC conmutada por diodo 54
2.12 Carga RL conmutada por diodo 56
2.13 Carga LC conmutada por diodo 58
2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61
2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65
2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 68
Resumen 72
Referencias 72
Preguntas de repaso 73
Problemas 73

Capítulo 3 Diodos rectificadores 79

3.1 Introducción 80
3.2 Parámetros de desempeño 80
3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 82
3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85
3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga
altamente inductiva 92
3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 94
3.7 Rectificadores trifásicos 98
3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 102
3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 106
3.10 Comparaciones de diodos rectificadores 108
3.11 Diseño de un circuito rectificador 108
3.12 Voltaje de salida con filtro LC 120
3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 124
3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127
3.14.1 Capacitores de película de ca 127
3.14.2 Capacitores de cerámica 128
3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio 128
3.14.4 Capacitores de tantalio sólido 129
3.14.5 Supercapacitores 129
Resumen 129
Referencias 129
Preguntas de repaso 130
Problemas 130

PARTE II Transistores de potencia y convertidores de CD a CD 134

Capítulo 4 Transistores de potencia 134

4.1 Introducción 135
4.2 Transistores de carburo de silicio 136
4.3 MOSFETs de potencia 137
 Contenido vii

4.3.1 Características en estado estable 140

4.3.2 Características de conmutación 143
4.3.3 MOSFETs de carburo de silicio 145
4.4 COOLMOS 147
4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149
4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs 149
4.5.2 Estructuras de JFET de carburo de silicio 153
4.6 Transistores bipolares de unión 156
4.6.1 Características de estado estable 157
4.6.2 Características de conmutación 161
4.6.3 Límites de conmutación 168
4.6.4 BJTs de carburo de silicio 169
4.7 IGBTs 170
4.7.1 IGBTs de carburo de silicio 173
4.8 SITs 174
4.9 Comparaciones de transistores 175
4.10 Reducción de potencia de transistores de potencia 175
4.11 Limitaciones de di/dt y dv/dt 179
4.12 Funcionamiento en serie y en paralelo 182
4.13 Modelos SPICE 184
4.13.1 Modelo SPICE de un BJT 184
4.13.2 Modelo SPICE de MOSFET 186
4.13.3 Modelo SPICE de IGBT 187
4.14 Control de compuerta de MOSFET 189
4.15 Control de compuerta de JFET 191
4.16 Excitación de base de BJT 192
4.17 Aislamiento de compuerta y excitadores de base 197
4.17.1 Transformadores de pulsos 199
4.17.2 Optoacopladores 199
4.18 Circuitos integrados de excitación de compuerta 200
Resumen 202
Referencias 203
Preguntas de repaso 206
Problemas 208

Capítulo 5 Convertidores CD-CD 210

5.1 Introducción 211
5.2 Parámetros de desempeño de convertidores CD-CD 211
5.3 Principio de la operación de reducción 212
5.3.1 Generación del ciclo de trabajo 216
5.4 Convertidor reductor con carga RL 217
5.5 Principio de la operación de elevación 222
5.6 Convertidor elevador con una carga resistiva 225
5.7 Parámetros que limitan la frecuencia 227
5.8 Clasificación de los convertidores 228
5.9 Reguladores en modo de conmutación 232
5.9.1 Reguladores reductores 233
5.9.2 Reguladores elevadores 237
5.9.3 Reguladores reductores-elevadores 241
viii Contenido

5.9.4 Reguladores Cúk 245

5.9.5 Limitaciones de la conversión con una sola etapa 251
5.10 Comparación de los reguladores 252
5.11 Convertidor elevador de múltiples salidas 253
5.12 Convertidor elevador alimentado por diodo rectificador 256
5.13 Modelos promediados de convertidores 258
5.14 Análisis de espacio de estados de reguladores 264
5.15 Consideraciones de diseño para filtro de entrada y convertidores 268
5.16 Circuito integrado excitador para convertidores 273
Resumen 275
Referencias 277
Preguntas de repaso 279
Problemas 279

PARTE III Inversores 282

Capítulo 6 Convertidores CD-CA 282

6.1 Introducción 283
6.2 Parámetros de desempeño 283
6.3 Principio de funcionamiento 285
6.4 Puentes inversores monofásicos 289
6.5 Inversores trifásicos 295
6.5.1 Conducción de 180 grados 296
6.5.2 Conducción durante 120 grados 303
6.6 Control de voltaje de inversores monofásicos 306
6.6.1 Modulación por ancho de pulsos múltiples 306
6.6.2 Modulación por ancho de pulso senoidal 309
6.6.3 Modulación por ancho de pulso senoidal modificada 312
6.6.4 Control por desplazamiento de fase 315
6.7 Control de voltaje de inversores trifásicos 316
6.7.1 PWM senoidal 317
6.7.2 PWM de 60 grados 320
6.7.3 PWM por terceros armónicos 320
6.7.4 Modulación por vector espacial 323
6.7.5 Comparación de las técnicas de PWM 335
6.8 Reducciones armónicas 335
6.9 Inversores con fuente de corriente 340
6.10 Inversor de enlace de cd variable 342
6.11 Inversor elevador 344
6.12 Diseño del circuito inversor 349
Resumen 354
Referencias 354
Preguntas de repaso 356
Problemas 357

Capítulo 7 Inversores de pulsos resonantes 361

7.1 Introducción 362
7.2 Inversores resonantes en serie 362
 Contenido ix

7.2.1 Inversores resonantes con interruptores unidireccionales 363

7.2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores
bidireccionales 372
7.3 Respuesta a la frecuencia de inversores resonantes en serie 378
7.3.1 Respuesta de frecuencia para carga en serie 378
7.3.2 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo 381
7.3.3 Respuesta de frecuencia para carga en serie-paralelo 383
7.4 Inversores resonantes en paralelo 384
7.5 Control de voltaje de inversores resonantes 388
7.6 Inversor resonante clase E 390
7.7 Rectificador resonante clase E 394
7.8 Convertidores resonantes de conmutación por corriente cero 398
7.8.1 Convertidor resonante ZCS tipo L 399
7.8.2 Convertidor resonante ZCS tipo M 402
7.9 Convertidores resonantes de conmutación por voltaje cero 402
7.10 Comparaciones entre convertidores ZCS y convertidores
resonantes ZVS 406
7.11 Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes 407
7.12 Inversores resonantes de enlace de CD 409
Resumen 413
Referencias 414
Preguntas de repaso 414
Problemas 415

Capítulo 8 Inversores multinivel 417

8.1 Introducción 417
8.2 Concepto multinivel 418
8.3 Tipos de inversores multinivel 420
8.4 Inversor multinivel con diodo fijador 420
8.4.1 Principio de funcionamiento 421
8.4.2 Características del inversor con diodo fijador 422
8.4.3 Inversor con diodo fijador mejorado 424
8.5 Inversor multinivel con capacitores volantes 426
8.5.1 Principio de funcionamiento 426
8.5.2 Características del inversor con capacitores volantes 428
8.6 Inversor multinivel en cascada 429
8.6.1 Principio de funcionamiento 429
8.6.2 Características del inversor en cascada 431
8.7 Aplicaciones 433
8.7.1 Compensación de potencia reactiva 433
8.7.2 Interconexión espalda con espalda 435
8.7.3 Excitadores de velocidad ajustable 435
8.8 Corrientes de dispositivo de conmutación 436
8.9 Balanceo del voltaje de capacitor de enlace de CD 437
8.10 Características de los inversores multinivel 438
8.11 Comparaciones de convertidores multinivel 439
Resumen 440
Referencias 440
x Contenido

Preguntas de repaso 441

Problemas 441

PARTE IV Tiristores y convertidores tiristorizados 443

Capítulo 9 Tiristores 443

9.1 Introducción 443
9.2 Características del tiristor 444
9.3 Modelo de tiristor de dos transistores 447
9.4 Encendido del tiristor 449
9.5 Apagado del tiristor 451
9.6 Tipos de tiristores 453
9.6.1 Tiristores controlados por fase 453
9.6.2 Tiristores bidireccionales controlados por fase 454
9.6.3 Tiristores asimétricos de conmutación rápida 455
9.6.4. Rectificadores controlados de silicio activados por luz 456
9.6.5. Tiristores de tríodo bidireccionales 456
9.6.6. Tiristores de conducción inversa 457
9.6.7 Tiristores apagados por compuerta 457
9.6.8 Tiristores controlados por FET 462
9.6.9 MTOs 463
9.6.10 ETOs 464
9.6.11 IGCTs 465
9.6.12 MCTs 466
9.6.13 SITHs 469
9.6.14 Comparaciones de tiristores 470
9.7 Funcionamiento en serie de tiristores 475
9.8 Funcionamiento en paralelo de tiristores 478
9.9 Protección contra di/dt 479
9.10 Protección contra dv/dt 480
9.11 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.1 Modelo SPICE de tiristor 482
9.11.2 Modelo SPICE de GTO 484
9.11.3 Modelo SPICE de MCT 486
9.11.4 Modelo SPICE de SITH 486
9.12 DIACs 486
9.13 Circuitos de disparo de tiristor 489
9.14 Transistor de una unión 492
9.15 Transistor de una unión programable 494
Resumen 496
Referencias 497
Preguntas de repaso 500
Problemas 501

Capítulo 10 Rectificadores controlados 503

10.1 Introducción 504
10.2 Convertidores monofásicos completos 504
10.2.1 Convertidor monofásico completo con carga RL 508
 Contenido xi

10.3 Convertidores monofásicos duales 511

10.4 Convertidores trifásicos completos 514
10.4.1 Convertidor trifásico completo con carga RL 518
10.5 Convertidores trifásicos duales 520
10.6 Control de modulación por ancho de pulso 523
10.6.1 Control de PWM 524
10.6.2 PWM senoidal monofásica 526
10.6.3 Rectificador trifásico de PWM 527
10.7 Convertidores monofásicos en serie 531
10.8 Convertidores de doce pulsos 534
10.9 Diseño de circuitos de convertidor 536
10.10 Efectos de las inductancias de carga y fuente 542
Resumen 544
Referencias 544
Preguntas de repaso 546
Problemas 546

Capítulo 11 Controladores de voltaje de CA 552

11.1 Introducción 553
11.2 Parámetros de desempeño de controladores de voltaje de CA 554
11.3 Controladores monofásicos de onda completa con cargas
resistivas 555
11.4 Controladores monofásicos de onda completa con cargas inductivas 559
11.5 Controladores trifásicos de onda completa 563
11.6 Controladores trifásicos de onda completa conectados en delta 568
11.7 Cambiadores de conexión de transformador monofásico 572
11.8 Cicloconvertidores 577
11.8.1 Cicloconvertidores monofásicos 577
11.8.2 Cicloconvertidores trifásicos 580
11.8.3 Reducción de los armónicos de salida 581
11.9 Controladores de voltaje de ca con control de PWM 584
11.10 Convertidor matricial 586
11.11 Diseño de circuitos de controlador de voltaje de CA 588
11.12 Efectos de las inductancias de fuente y carga 596
Resumen 597
Referencias 597
Preguntas de repaso 598
Problemas 598

Los capítulos 12 a 15 se encuentran en español en el sitio Web del libro

PARTE V Electrónica de potencia: aplicaciones y protecciones 602

Capítulo 12 Sistemas flexibles de transmisión de ca 602

12.1 Introducción 603
12.2 Principio de transmisión de potencia 604
12.3 Principio de compensación en derivación 606
xii Contenido

12.4 Compensadores en derivación 608

12.4.1 Reactor controlado por tiristor 608
12.4.2 Capacitor conmutado por tiristor 609
12.4.3 Compensador de VAR estático 612
12.4.4 Compensador de VAR estático avanzado 613
12.5 Principio de compensación en serie 615
12.6 Compensadores en serie 617
12.6.1 Capacitor en serie conmutado por tiristor 617
12.6.2 Capacitor en serie controlado por tiristor 619
12.6.3 Capacitor en serie controlado por conmutación forzada 620
12.6.4 Compensador de VAR estático en serie 621
12.6.5 SSVC avanzado 621
12.7 Principio de compensación por ángulo de fase 624
12.8 Compensador de ángulo de fase 627
12.9 Controlador de flujo de potencia unificado 628
12.10 Comparaciones de compensadores 629
Resumen 631
Referencias 631
Preguntas de repaso 632
Problemas 632

Capítulo 13 Fuentes de alimentación 634

13.1 Introducción 635
13.2 Fuentes de alimentación de cd 635
13.2.1 Fuentes de alimentación de cd en modo conmutado 636
13.2.2 Convertidor de retorno 636
13.2.3 Convertidor directo 640
13.2.4 Convertidor balanceado 645
13.2.5 Convertidor de medio puente 647
13.2.6 Convertidor de puente completo 650
13.2.7 Fuentes de alimentación de cd resonantes 653
13.2.8 Fuentes de alimentación bidireccionales 655
13.3 Fuentes de alimentación de ca 655
13.3.1 Fuentes de alimentación de ca en modo conmutado 657
13.3.2 Fuentes de alimentación de ca resonantes 657
13.3.3 Fuentes de alimentación de ca bidireccionales 658
13.4 Conversiones en múltiples etapas 659
13.5 Circuitos de control 660
13.6 Consideraciones de diseño magnético 664
13.6.1 Diseño del transformador 664
13.6.2 Inductor de cd 668
13.6.3 Saturación magnética 669
Resumen 670
Referencias 670
Preguntas de repaso 671
Problemas 671
 Contenido xiii

Capítulo 14 Propulsores de cd 675

14.1 Introducción 676
14.2 Características básicas de los motores de cd 677
14.2.1 Motor de cd de excitación independiente 677
14.2.2 Motor de cd de excitación en serie 680
14.2.3 Relación de engranes 682
14.3 Modos de funcionamiento 684
14.4 Propulsores monofásicos 686
14.4.1 Propulsores monofásicos de semiconvertidor 688
14.4.2 Propulsores monofásicos de convertidor completo 689
14.4.3 Propulsores monofásicos de convertidor dual 690
14.5 Propulsores trifásicos 694
14.5.1 Propulsores trifásicos de semiconvertidor 694
14.5.2 Propulsores trifásicos de convertidor completo 694
14.5.3 Propulsores trifásicos de convertidor dual 695
14.6 Propulsores de convertidor cd-cd 698
14.6.1 Principio del control de potencia 698
14.6.2 Principio del control de freno regenerativo 700
14.6.3 Principio del control de freno reostático 703
14.6.4 Principio del control de frenado combinado regenerativo
y reostático 704
14.6.5 Propulsores de convertidor cd-cd de dos y cuatro cuadrantes 705
14.6.6 Convertidores cd-cd multifásicos 706
14.7 Control de lazo cerrado de propulsores de cd 709
14.7.1 Función de transferencia de lazo abierto 709
14.7.2 Función de transferencia de lazo abierto de motores
de excitación independiente 710
14.7.3 Función de transferencia de lazo abierto de motores
excitados en serie 713
14.7.4 Modelos de control de convertidor 715
14.7.5 Función de transferencia de lazo cerrado 717
14.7.6 Control de corriente de lazo cerrado 720
14.7.7 Diseño de un controlador de corriente 724
14.7.8 Diseño de un controlador de velocidad 725
14.7.9 Propulsor alimentado por convertidor cd-cd 729
14.7.10 Control de lazo de fase sincronizada 730
14.7.11 Control de propulsores de cd por microcomputadora 732
Resumen 734
Referencias 734
Preguntas de repaso 735
Problemas 736

Capítulo 15 Propulsores de ca 740

15.1 Introducción 741
15.2 Propulsores de motores de inducción 741
15.2.1 Características de desempeño 743
15.2.2 Características de par motor-velocidad 745
xiv Contenido

15.2.3 Control por voltaje del estator 750

15.2.4 Control por voltaje del rotor 754
15.2.5 Control por frecuencia 763
15.2.6 Control por voltaje y frecuencia 765
15.2.7 Control por corriente 770
15.2.8 Control por velocidad de deslizamiento constante 775
15.2.9 Control por voltaje, corriente y frecuencia 776
15.3 Control de lazo cerrado de motores de inducción 778
15.4 Dimensionamiento de las variables de control 782
15.5 Controles vectoriales 784
15.5.1 Principio básico del control vectorial 784
15.5.2 Transformación directa y del eje de cuadratura 786
15.5.3 Control vectorial indirecto 791
15.5.4 Control vectorial directo 795
15.6 Propulsores de motor sincrónico 797
15.6.1 Motores de rotor cilíndrico 798
15.6.2 Motores de polos salientes 801
15.6.3 Motores de reluctancia 802
15.6.4 Motores de reluctancia conmutados 803
15.6.5 Motores de imán permanente 805
15.6.6 Control de lazo cerrado de motores sincrónicos 808
15.6.7 Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas 810
15.7 Diseño de un controlador de velocidad para propulsores
de motores sincrónicos de imán permanente (PMSM) 812
15.7.1 Diagrama de bloques del sistema 812
15.7.2 Lazo de corriente 814
15.7.3 Controlador de velocidad 815
15.8 Control de un motor de pasos 818
15.8.1 Motores de pasos de reluctancia variable 818
15.8.2 Motores de pasos de imán permanente 821
15.9 Motores de inducción lineal 825
15.10 Circuito integrado de alto voltaje para propulsores de motor 828
Resumen 833
Referencias 834
Preguntas de repaso 835
Problemas 836

Los capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el sitio Web del libro

Chapter 16 Introduction to Renewable Energy 840

16.1 Introduction 841
16.2 Energy and Power 842
16.3 Renewable Energy Generation System 843
16.3.1 Turbine 844
16.3.2 Thermal Cycle 845
 Contenido xv

16.4 Solar Energy Systems 847

16.4.1 Solar Energy 847
16.4.2 Photovoltaic 850
16.4.3 Photovoltaic Cells 850
16.4.4 PV Models 851
16.4.5 Photovoltaic Systems 857
16.5 Wind Energy 860
16.5.1 Wind Turbines 860
16.5.2 Turbine Power 861
16.5.3 Speed and Pitch Control 864
16.5.4 Power Curve 865
16.5.5 Wind Energy Systems 866
16.5.6 Doubly Fed Induction Generators 869
16.5.7 Squirrel-Cage Induction Generators 870
16.5.8 Synchronous Generators 871
16.5.9 Permanent-Magnet Synchronous Generators 872
16.5.10 Switched Reluctance Generator 873
16.5.11 Comparisons of the Wind Turbine Power Configurations 873
16.6 Ocean Energy 874
16.6.1 Wave Energy 874
16.6.2 Mechanism of Wave Generation 875
16.6.3 Wave Power 876
16.6.4 Tidal Energy 879
16.6.5 Ocean Thermal Energy Conversion 881
16.7 Hydropower Energy 882
16.7.1 Large-Scale Hydropower 882
16.7.2 Small-Scale Hydropower 883
16.8 Fuel Cells 886
16.8.1 Hydrogen Generation and Fuel Cells 887
16.8.2 Types of Fuel Cells 888
16.8.3 Polymer Electrolyte Membrane Fuel Cells (PEMFC) 889
16.8.4 Direct-Methanol Fuel Cells (DMFC) 890
16.8.5 Alkaline Fuel Cells (AFC) 892
16.8.6 Phosphoric Acid Fuel Cells (PAFC) 893
16.8.7 Molten Carbonate Fuel Cells (MCFC) 894
16.8.8 Solid Oxide Fuel Cells (SOFC) 895
16.8.9 Thermal and Electrical Processes of Fuel Cells 896
16.9 Geothermal Energy 900
16.10 Biomass Energy 900
Summary 901
References 901
Review Questions 902
Problems 903

Chapter 17 Protections of Devices and Circuits 907

17.1 Introduction 907
17.2 Cooling and Heat Sinks 908
xvi Contenido

17.3 Thermal Modeling of Power Switching Devices 913

17.3.1 Electrical Equivalent Thermal Model 914
17.3.2 Mathematical Thermal Equivalent Circuit 916
17.3.3 Coupling of Electrical and Thermal Components 917
17.4 Snubber Circuits 919
17.5 Reverse Recovery Transients 920
17.6 Supply- and Load-Side Transients 926
17.7 Voltage Protection by Selenium Diodes and Metaloxide Varistors 929
17.8 Current Protections 931
17.8.1 Fusing 931
17.8.2 Fault Current with Ac Source 934
17.8.3 Fault Current with Dc Source 936
17.9 Electromagnetic Interference 939
17.9.1 Sources of EMI 940
17.9.2 Minimizing EMI Generation 940
17.9.3 EMI Shielding 941
17.9.4 EMI Standards 941
Summary 942
References 943
Review Questions 943
Problems 944

Apéndice A Circuitos trifásicos A-1

Apéndice B Circuitos magnéticos A-5

Apéndice C Funciones de conmutación de convertidores A-13

Apéndice D Análisis transitorio de CD A-19

Apéndice E Análisis de Fourier A-23

Apéndice F Transformación en un marco de referencia A-26

Bibliografía B-1

Respuestas a problemas seleccionados R-1

Índice I-1
Prefacio
Esta nueva edición de Electrónica de potencia se planeó como libro de texto para un curso de
electrónica de potencia y convertidores estáticos de potencia, de nivel licenciatura de ingenie-
ría eléctrica o electrónica. También lo pueden utilizar como libro de texto estudiantes de maes-
tría, y como libro de referencia ingenieros practicantes interesados en el diseño y aplicaciones
de electrónica de potencia. Los requisitos son conocimientos básicos de electrónica y circuitos
eléctricos. El contenido de este libro está más allá de un curso de un semestre. Aun cuando el
tiempo asignado a un curso de electrónica de potencia de nivel licenciatura suele ser de sólo un
semestre, la electrónica de potencia ha llegado a un punto en el cual es difícil cubrir la materia
completa en ese tiempo. A nivel licenciatura, los capítulos 1 a 11 deben bastar para obtener un
buen conocimiento de electrónica de potencia. Los capítulos 12 a 15 (en español en el sitio Web
de este libro) se pueden dejar para otro curso, o incluirlos en uno de maestría. Quien desee
profundizar un poco más, puede revisar los capítulos 16 y 17, que se encuentran en inglés en la
página Web de este libro. La tabla P.1 muestra los temas sugeridos para un curso de un semes-
tre de “Electrónica de potencia” y la tabla P.2 para un curso de un semestre de “Electrónica de
potencia y excitadores de motor”.

TABLA P.1 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia

Capítulo Temas Secciones Clases

1 Introducción 1.1 a 1.12 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.4, 2.6–2.7, 2.11 a 2.16 3
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.11 5
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.9 3
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.9 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.7 7
7 Inversores de pulso resonantes 7.1 a 7.5 3
9 Tiristores 9.1 a 9.10 2
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.5 6
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 3
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

xvii
xviii Prefacio

TABLA P.2 Temas sugeridos para un curso de un semestre de electrónica de potencia y excitadores de motores

Capítulo Temas Secciones Clases

1 Introducción 1.1 a 1.10 2
2 Diodos semiconductores de potencia y circuitos 2.1 a 2.7 2
3 Diodos rectificadores 3.1 a 3.8 4
4 Transistores de potencia 4.1 a 4.8 1
5 Convertidores cd-cd 5.1 a 5.8 4
4 Propulsores de cd 14.1 a 14.7 5
6 Inversores PWM 6.1 a 6.10 5
9 Tiristores 9.1 a 9.6 1
Apéndice Circuitos trifásicos A 1
10 Rectificadores controlados 10.1 a 10.7 5
11 Controladores de voltaje de ca 11.1 a 11.5 2
Apéndice Circuitos magnéticos B 1
5 Propulsores de ca 15.1 a 15.9 6
Exámenes y cuestionarios trimestrales 3
Examen final 3
Total de clases en un semestre de 15 semanas 45

Los fundamentos de electrónica de potencia están bien establecidos y no cambian con

tanta rapidez. Sin embargo, las características de los dispositivos mejoran continuamente y
también aparecen nuevos dispositivos. La electrónica de potencia, que emplea el método as-
cendente, estudia las características de los dispositivos y las técnicas de conversión, y por con-
siguiente sus aplicaciones; además, pone énfasis en los principios básicos de las conversiones
de potencia. Esta nueva edición de Electrónica de potencia ha sido completamente revisada y
actualizada, y entre los cambios más importantes se encuentran los siguientes:

r
&NQMFB
VO
NÊUPEP
BTDFOEFOUF
FO
MVHBS
EF
VOP
EFTDFOEFOUF
&T
EFDJS
EFTQVÊT
EF
FTUV-
diar los dispositivos se presentan las especificaciones del convertidor, antes de considerar
las técnicas de conversión.

r
$POTJEFSB
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$


r
1SFTFOUB
MPT
NPEFMPT
QSPNFEJBEPSFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
DEDE

r
"NQMÎB
MBT
TFDDJPOFT
TPCSF
UÊDOJDB
EF
QVOUB
EF
NPEVMBDJÓO
QPS
WFDUPS
FTQBDJBM

r
*OUFHSB
MPT
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
B
MPT
DBQÎUVMPT
SFMBDJPOBEPT
DPO
MPT
EJT-
positivos de potencia y convertidores.

r
&YQBOEF
MPT
NÊUPEPT
EF
DPOUSPM
UBOUP
B
MPT
FYDJUBEPSFT
EF
DE
DPNP
B
MPT
EF
DB

r
"HSFHB
FYQMJDBDJPOFT
B
MP
MBSHP
EFM
UFYUP

Para un mejor aprovechamiento, el libro se ha dividido de cinco partes:

Parte I: Diodos de potencia y rectificadores (capítulos 2 y 3).

Parte II: Transistores de potencia y convertidores de cd a cd (capítulos 4 y 5).
Parte III: Inversores (capítulos 6, 7 y 8).
Parte IV: Tiristores y convertidores tiristorizados (capítulos 9, 10 y 11).
Parte V: Electrónica de potencia. Aplicaciones y protecciones (capítulos 12, 13, 14 y 15
se encuentran en español en el sitio Web) (capítulos 16 y 17 se encuentran en inglés en el
sitio Web).
 Prefacio xix

Temas como los circuitos trifásicos, circuitos magnéticos, funciones de conmutación de

convertidores, análisis de transitorios en circuitos de cd, análisis de Fourier y transformación
mediante marco de referencia se revisan en los apéndices. La electrónica de potencia se ocupa
de las aplicaciones de electrónica de estado sólido para el control y conversión de energía eléc-
trica. Las técnicas de conversión requieren la conmutación del estado de encendido y apagado
de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrónicos de bajo nivel, que nor-
malmente se componen de circuitos integrados y componentes discretos, generan las señales de
compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Los microprocesadores y los circuitos
integrados procesadores de señales están reemplazando a los circuitos integrados y a los com-
ponentes discretos.
Un dispositivo de potencia ideal no debe tener limitaciones de conmutación de encendido
y conmutación de apagado en función de tiempo de encendido, tiempo de apagado, corriente,
y capacidades de manejo de voltaje. La tecnología de semiconductores de potencia está permi-
tiendo el acelerado desarrollo de dispositivos de potencia de conmutación rápidos con límites
de corriente y voltaje cada vez mayores. Los dispositivos de conmutación de potencia como los
BJT de potencia, MOSFET de potencia, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO, MTO,
ETO, IGCT, y otros dispositivos semiconductores se utilizan cada vez más en una amplia gama
de productos.
Conforme la tecnología evoluciona y la electrónica de potencia encuentra más aplica-
ciones se siguen desarrollando nuevos dispositivos de potencia con capacidad de más altas
temperaturas y menos pérdidas. A lo largo de los años se ha presentado un gran avance en
dispositivos semiconductores de potencia. Sin embargo, los dispositivos fabricados a base de sili-
cio ya casi llegaron a su límite. Gracias a la investigación y desarrollo recientes, la electrónica de
potencia de carburo de silicio (SiC) ha dejado de ser una promisoria tecnología del futuro para
convertirse en una potente alternativa de la tecnología de silicio (Si) de punta en aplicaciones
de alta eficiencia, alta frecuencia y alta temperatura. La electrónica de potencia de SiC tiene
valores de voltaje más altos, caídas de voltaje más bajas, temperaturas máximas más altas y
conductividades térmicas más altas. Se espera que los dispositivos de potencia de SiC evolucio-
nen durante los próximos años, lo que conduciría a una nueva era de la electrónica y aplicacio-
nes de potencia.
Con la disponibilidad de dispositivos de conmutación más rápidos, las aplicaciones de
microprocesadores modernos y procesamiento de señales digitales en la sintetización de la es-
trategia de control de dispositivos de potencia de compuerta que cumplan con las especifica-
ciones de conversión están ampliando el alcance de la electrónica de potencia. La revolución
de la electrónica de potencia ha cobrado impulso desde principios de la década de 1990. Ha
empezado una nueva era en la electrónica de potencia. Es el comienzo de la tercera revolución
de la electrónica de potencia en el procesamiento de energía renovable y ahorros de energía en
todo el mundo. Dentro de los próximos 30 años la electrónica de potencia conformará y con-
dicionará el empleo de la electricidad en todas partes entre su generación y sus usuarios. Las
aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia no se han explorado del todo, pero nos
hemos esforzado por cubrir la mayor cantidad posible de aplicaciones potenciales.
Todos los comentarios y sugerencias con respecto a este libro son bienvenidos y deben ser
enviados al autor.
Dr. Muhammad H. Rashid
Profesor de Ingeniería eléctrica y computación
University of West Florida
11000 University Parkway
Pensacola, FL 32514-5754
E-mail: mrashid@uwf.edu
xx Prefacio

SUPLEMENTOS PARA EL PROFESOR (EN INGLÉS)

Los profesores que utilicen este libro como texto en un curso tendrán a su disposición suple-
mentos adicionales en la siguiente página:
www.pearsonenespanol.com/rashid.
Para acceder a estos materiales haga clic en Recursos para el profesor. Esto lo enviará a nuestro
catálogo en inglés, donde deberá hacer clic en Download Resources. Aquí podrá inscribirse y
pedir un código de acceso para profesor. En un lapso promedio de 48 horas recibirá un correo
electrónico de confirmación con el código de acceso, con el cual deberá buscar el texto en el
catálogo en línea y hacer clic en el botón Instructor Resources. En el lado izquierdo de su com-
putadora seleccione un suplemento y aparecerá una página de inicio de sesión. Una vez que
haya entrado podrá acceder al material para el profesor. Cabe recordar que este material se
encuentra en idioma inglés.
Los suplementos incluyen lo siguiente:

r
.BOVBM
EFM
QSPGFTPS

r
%JBQPTJUJWBT
FO
1PXFS1PJOU

SOFTWARE PSPICE Y ARCHIVOS DE PROGRAMA

Los esquemas PSpice versión estudiantil y/o el software de captura Orcad se pueden obtener o
descargar de

Cadence Design Systems, Inc.

2655 Seely Avenue
San Jose, CA 95134

Sitios web: http://www.cadence.com

http://www.orcad.com
http://www.pspice.com

El sitio web http:uwf.edu/mrashid contiene todos los esquemas PSpice, el software de captura
Orcad y los archivos Mathcad para usarlos con este libro.
Nota importante: los archivos esquemáticos PSpice (con extensión .SCH) requieren el
archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el cual
se incluye con los archivos esquemáticos y debe incluirse en el menú Análisis de los esquemas
PSpice. Asimismo, los archivos esquemáticos Orcad (con las extensiones .OPJ y .DSN) requie-
ren el archivo de librería de modelos definidos por el usuario Rashid_PE3_MODEL.LIB, el
cual se incluye con los archivos esquemáticos Orcad, y debe incluirse en el menú de ajustes de
Simulación PSpice del software de captura Orcad. Sin estos archivos incluidos mientras se eje-
cuta la simulación, ésta no funcionará y producirá errores.

RECONOCIMIENTOS
Muchas personas contribuyeron a esta edición e hicieron sugerencias basadas en su experiencia
en el salón de clases como profesores o estudiantes. Quiero dar las gracias a las siguientes per-
sonas por sus comentarios y sugerencias:

Mazen Abdel-Salam, King Fahd University of Petroleum and Minerals, Arabia Saudita
Muhammad Sarwar Ahmad, Azad Jammu and Kashmir Universtiy, Pakistán
Eyup Akpnar, Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, BUCA-IZMIR, Turquía
 Prefacio xxi

Dionysios, Aliprantis, Iowa State University

Johnson Asumadu, Western Michigan University
Ashoka K. S. Bhat, University of Victoria, Canadá
Fred Brockhurst, Rose-Hulman Institution of Technology
Jan C. Cochrane, The University of Melbourne, Australia
Ovidiu, Crisan, University of Houston
Joseph M. Crowley, University of Illinois, Urbana-Champaign
Mehrad Ebsani, Texas A & M University
Alexander E. Emanuel, Worcester Polytechnic Institute
Prasad Enjeti, Texas A & M University
George Gela, Ohio State University
Ahteshamul Haque, Jamia Millia Islamia Univ-Nueva Delhi, India
Herman W. Hill, Ohio University
Constantine J. Hatziadoniu, Southern Illinois University, Carbondale
Wahid Hubbi, New Jersey Institute of Technology
Marrija Ilic-Spong, University of Illinois, Urbana-Champaign
Kiran Kumar Jain, J B Institute of Engineering and Technology, India
Fida Muhammad Khan, Air University-Islamabad, Pakistán
Potitosh Kumar Shaqdu khan, Multimedia University, Malasia
Shahidul I. Khan, Concordia University, Canadá
Hussein M. Kojabadi, Sahand University of Technology, Irán
Nanda Kumar, Singapore Institute of Management (SIM) University, Singapur
Peter Lauritzen, University of Washington
Jack Lawler, University of Tennessee
Arthur R. Miles, North Dakota State University
Medhat M. Morcos, Kansas State University
Hassan Moghbelli, Purdue University Calumet
Khan M. Nazir, University of Management and Technology, Pakistán
H. Rarnezani-Ferdowsi, University of Mashhad, Irán
Saburo Mastsusaki, TDK Corporation, Japón
Vedula V. Sastry, Iowa State University
Elias G. Strangas, Michigan State University
Hamid. A. Toliyat, Texas A & M University
Selwyn Wright, The University of Huddersfield, Queensgate, RU
S. Yuvarajan, North Dakota State University
Shuhui Li, University of Alabama
Steven Yu, Belcan Corporation, USA
Toh Chuen Ling, Universiti Tenaga Nasional, Malasia
Vipul G. Patel, Government Engineering College, Gujarat, India
L. Venkatesha, BMS College of Engineering, Bangalore, India
Haider Zaman, University of Engineering & Technology (UET), Abbottabad Campus,
Pakistán
Mostafa F. Shaaban, Ain-Shams University, El Cairo, Egipto

Ha sido un gran placer trabajar con la editora, Alice Dworkin y el equipo de producción de
Abinaya Rajendran, así como con el gerente de producción Irwin Zucker. Por último, doy las
gracias a mi familia por su amor, paciencia y comprensión.

Muhammad H. Rashid
Pensacola, Florida
Acerca del autor

Muhammad H. Rashid es profesor de ingeniería eléctrica y computación en la University of

West Florida; antes trabajaba en la University of Florida como profesor y director del programa
conjunto UF/UWF. Rashid recibió su licenciatura en ingeniería eléctrica de la Bangladesh
University of Engineering and Technology, y su maestría y doctorado de la University of
Birmingham, en el Reino Unido. Con anterioridad, fungió como profesor de ingeniería eléc-
trica y presidente del departamento de ingeniería en la Indiana University de Purdue en Fort
Wayne. También fue profesor asistente invitado de ingeniería eléctrica en la University of
Connecticut, profesor asociado de ingeniería eléctrica en la Concordia University (Montreal,
Canadá), profesor de ingeniería eléctrica en la Purdue University Calumet y profesor invitado
de ingeniería eléctrica en la King Fadh University of Petroleum and Minerals (Arabia Saudita).
Se ha desempeñado como ingeniero de diseño y desarrollo en Brush Electrical Machines Ltd.
(Inglaterra, RU), como ingeniero investigador en Lucas Group Research Centre (Inglaterra,
RU), y como conferencista y jefe del departamento de ingeniería de control en el Higher
Institute of Electronics (Libia y Malta).
El doctor Rashid está activamente involucrado en la docencia, investigación y dictado de
conferencias en electrónica, electrónica de potencia y ética profesional. Ha publicado 17 libros
inscritos en la Biblioteca del Congreso de los Estados Unidos, y más de 160 artículos técnicos.
Sus obras se utilizan como libros de texto en todo el mundo. Electrónica de potencia se ha
traducido al español, portugués, indonesio, coreano, italiano, chino y persa, e inclusive en la
edición económica hindú. Microelectrónica, otra obra suya, está traducida al español en México
y España, así como al italiano y al chino.
Ha recibido muchas invitaciones de gobiernos y agencias extranjeros para impartir con-
ferencias magistrales y consultas; de universidades del extranjero para fungir como sinodal ex-
terno en exámenes de licenciatura, maestría y doctorado; de agencias de financiamiento para
revisar propuestas de investigación, y de universidades estadounidenses y del extranjero para eva-
luar casos de promoción de profesores. El doctor Rashid se ha desempeñado como empleado
regular o consultor en Canadá, Corea, el Reino Unido, Singapur, Malta, Libia, Malasia, Arabia
Saudita, Pakistán y Bangladesh. Ha viajado a casi todos los estados de los Estados Unidos, y
a muchos países (Japón, China, Hong Kong, Indonesia, Taiwán, Malasia, Tailandia, Singapur,
India, Pakistán, Turquía, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Qatar, Libia, Jordania,
Egipto, Marruecos, Malta, Italia, Grecia, Reino Unido, Brasil y México) para dictar conferen-
cias y presentar ensayos.
Es miembro de la Institution of Engineering and Technology (IET, RU) y miembro
permanente del Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE, E.U.A). Fue electo
miembro del IEEE con mención honorífica por “Liderazgo en docencia de electrónica de po-
tencia y contribuciones a la metodología de análisis y diseño de convertidores de potencia de
xxiii
xxiv Acerca del autor

estado sólido”. En 1991 el doctor Rashid recibió el Outstanding Engineer Award del Institute
of Electrical and Electronics Engineers; en 2002 recibió el Educational Activity Award (EAA),
Meritorious Achievement Award in Continuing Education del IEEE con mención honorífica
“Por contribuciones al diseño y suministro de educación continua en electrónica de potencia y
simulación asistida por computadora”. Asimismo, en 2008, el Undergraduate Teaching Award
del IEEE con mención honorífica “Por su distinguido liderazgo y dedicación en la evaluación
del programa de licenciatura de ingeniería eléctrica, la motivación de los estudiantes y la publi-
cación de libros de texto sobresalientes”.
Actualmente el doctor Rashid se desempeña como evaluador del programa ABET de
ingeniería eléctrica y computación, y también del programa (general) de ingeniería. Es edi-
tor de Power Electronics and Applications y Nanotechnology and Applications de CRC Press.
Funge como consejero editorial de Electric Power and Energy con Elsevier Publishing. Dicta
conferencias y conduce talleres de trabajo en Educación Basada en Resultados (OBE, por sus
siglas en inglés) y sus implementaciones incluyen evaluaciones. Es conferencista distinguido de
la Education Society del IEEE y orador regional (anteriormente Conferencista Distinguido)
de la Industrial Applications Society del IEEE. También es autor del libro Process of Outcome-
Based Education-Implementation, Assessment and Evaluations.
 C A P Í T U L O 1

Introducción

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r

%FTDSJCJS
RVÊ
FT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

%FTDSJCJS
MB
FWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MPT
UJQPT
QSJODJQBMFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
QBSUFT
QSJODJQBMFT
EFM
FRVJQP
FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB

r

&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
FTQFDJGJDBDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO

EF
QPUFODJB
QSÃDUJDPT

r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
NÓEVMPT
EF
QPUFODJB
Z
MPT
FMFNFOUPT
EF
NÓEVMPT
JOUFMJHFOUFT

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
fs, Ts 'SFDVFODJB
Z
QFSJPEP
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB

SFTQFDUJWBNFOUF
IRMS 7BMPS
SNT
EF
VOB
TFÒBM
EF
POEB
IED, ISNT $PNQPOFOUFT
EF
DE
Z
SNT
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB

SFTQFDUJWBNFOUF
PD, PON, PSW, PG %JTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
UPUBM
QPUFODJB
FO
FTUBEP
EF

FODFOEJEP
QPUFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
QPUFODJB
EF

FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
SFTQFDUJWBNFOUF
td, tr, tn, ts, tf, tP 5JFNQP
EF
SFUBSEP
TVCJEB
FODFOEJEP
BMNBDFOBNJFOUP

DBÎEB
Z
BQBHBEP
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPONVUBDJÓO
υT υP 4VNJOJTUSP
EF
FOUSBEB
EF
DB
JOTUBOUÃOFP
Z
WPMUBKF
EF
TBMJEB

SFTQFDUJWBNFOUF
Vm .BHOJUVE
QJDP
EF
VO
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DB
TFOPJEBM
Vs 7PMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
υH, VG 4FÒBM
JOTUBOUÃOFB
Z
TFÒBM
DE
EF
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
DPNQVFSUB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
SFTQFDUJWBNFOUF
υG, υGS, υB 7PMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB

DPNQVFSUBGVFOUF
Z
CBTF
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

SFTQFDUJWBNFOUF
δ $JDMP
EF
USBCBKP
EF
VOB
TFÒBM
QVMTBOUF

1
2 Capítulo 1 Introducción

1.1 APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

-B
EFNBOEB
EF
DPOUSPM
EF
MB
QPUFODJB
FMÊDUSJDB
QBSB
TJTUFNBT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
NPUPSFT
FMÊD
USJDPT
Z
EF
DPOUSPMFT
JOEVTUSJBMFT
FYJTUJÓ
EVSBOUF
NVDIPT
BÒPT
Z
FTUP
DPOEVKP
BM
UFNQSBOP
EF
TBSSPMMP
EFM
TJTUFNB
8BSE-FPOBSE
QBSB
PCUFOFS
VO
WPMUBKF
WBSJBCMF
EF
DE
QBSB
FM
DPOUSPM
EF

FYDJUBEPSFT
EF
NPUPSFT
EF
DE
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
IB
SFWPMVDJPOBEP
FM
DPODFQUP
EF
DPO
USPM
EF
QPUFODJB
QBSB
MB
DPOWFSTJÓO
EF
MB
QPUFODJB
Z
QBSB
FM
DPOUSPM
EF
FYDJUBEPSFT
EF
NPUPSFT

FMÊDUSJDPT

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPNCJOB
QPUFODJB
FMFDUSÓOJDB
Z
DPOUSPM
&M
DPOUSPM
TF
PDVQB

EFM
FTUBEP
FTUBCMF
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EJOÃNJDBT
EF
MPT
TJTUFNBT
EF
MB[P
DFSSBEP
-B
QPUFODJB
TF

PDVQB
EFM
FRVJQP
EF
QPUFODJB
FTUÃUJDP
Z
SPUBUPSJP
QBSB
MB
HFOFSBDJÓO
USBOTNJTJÓO
Z
EJTUSJCVDJÓO

EF
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
-B
FMFDUSÓOJDB
TF
PDVQB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
FTUBEP
TÓMJEP
Z
DJSDVJUPT

QBSB
QSPDFTBS
TFÒBMFT
Z
BTÎ
DVNQMJS
DPO
MPT
PCKFUJWPT
EF
DPOUSPM
EFTFBEPT
-B
electrónica de
potencia
TF
QVFEF
EFGJOJS
DPNP
MB
BQMJDBDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
FTUBEP
TÓMJEP
QBSB
FM
DPOUSPM
Z

DPOWFSTJÓO
EF
MB
QPUFODJB
FMÊDUSJDB
)BZ
NÃT
EF
VOB
GPSNB
EF
EFGJOJS
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

5BNCJÊO
TF
QPESÎB
EFGJOJS
DPNP
FM
BSUF
EF
DPOWFSUJS
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
EF
VOB
GPSNB
B
PUSB
EF

NBOFSB
FGJDJFOUF
MJNQJB
DPNQBDUB
Z
SPCVTUB
B
GJO
EF
VUJMJ[BSMB
QBSB
TBUJTGBDFS
MBT
OFDFTJEBEFT

EFTFBEBT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
JOUFSSFMBDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPO
MB
QP
UFODJB
MB
FMFDUSÓOJDB
Z
FM
DPOUSPM
-B
GMFDIB
BQVOUB
FO
MB
EJSFDDJÓO
EFM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
EFM

ÃOPEP
"

BM
DÃUPEP
,

4F
QVFEF
FODFOEFS
Z
BQBHBS
DPO
VOB
TFÒBM
EJSJHJEB
IBDJB
MB
UFSNJOBM

DPNQVFSUB
(

1PS
MP
DPNÙO
TJO
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QFSNBOFDF
BQBHBEB
TF
DPNQPSUB
DPNP

VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
Z
TPQPSUB
VO
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MBT
UFSNJOBMFT
"
Z
,

Compuerta Cátodo

Potencia

Control
analógico 兩 Digital

Dispositivos Equipo de
electrónicos potencia
兩 Circuitos estático 兩 Rotatorio

Electrónica

Ánodo

FIGURA 1.1
3FMBDJÓO
FOUSF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
QPUFODJB
FMFDUSÓOJDB
Z
DPOUSPM
 1.1 Aplicaciones de la electrónica de potencia 3

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
CBTB
QSJODJQBMNFOUF
FO
MB
DPONVUBDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
TF
NJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
$PO
FM
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

MBT
DBQBDJEBEFT
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
IBO
NFKPSBEP
FOPSNFNFOUF
&M
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
MPT
NJDSPQSPDFTBEPSFT

Z
MB
NJDSPDPNQVUBEPSB
UJFOF
VO
HSBO
JNQBDUP
FO
FM
DPOUSPM
Z
TÎOUFTJT
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
&M
NPEFSOP
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

VUJMJ[B


TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
RVF
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
FM
NÙTDVMP
Z


FMF
NFOUPT
NJDSPFMFDUSÓOJDPT
RVF
UJFOFO
MB
QPUFODJB
Z
MB
JOUFMJHFODJB
EF
VO
DFSFCSP

-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
ZB
TF
GJODÓ
VO
JNQPSUBOUF
MVHBS
FO
MB
UFDOPMPHÎB
NPEFSOB
Z

BIPSB
TF
VUJMJ[B
FO
VOB
HSBO
WBSJFEBE
EF
QSPEVDUPT
EF
BMUB
QPUFODJB
DPNP
DPOUSPMFT
EF
DBMFOUB
NJFOUP
DPOUSPMFT
EF
JMVNJOBDJÓO
DPOUSPMFT
EF
NPUPSFT
BSUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
TJTUFNBT
EF
QSP
QVMTJÓO
EF
WFIÎDVMPT
Z
TJTUFNBT
EF
DPSSJFOUF
EJSFDUB
Z
BMUP
WPMUBKF
)7%$

&T
EJGÎDJM
JNBHJOBS

MPT
MÎNJUFT
EF
USBOTNJTJPOFT
EF
DB
GMFYJCMFT
'"$5T

QBSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
FO
FTQFDJBM
DPO
MBT
UFOEFODJBT
BDUVBMFT
FO
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z

NJDSPQSPDFTBEPSFT
chips

-B
UBCMB

NVFTUSB
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QP
UFODJB
<>

TABLA 1.1 "MHVOBT
BQMJDBDJPOFT
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

"CSFQVFSUBT
EF
DPDIFSB $POUBDUPSFT
EF
FTUBEP
TÓMJEP

"CSFQVFSUBT
FMÊDUSJDPT
$POUSPMFT
EF
DBMFGBDDJÓO

"DFMFSBEPSFT
EF
QBSUÎDVMBT
$POUSPMFT
EF
IPSOP

"DFSÎBT
$POUSPMFT
EF
NPUPS

"JSF
BDPOEJDJPOBEP
$POUSPMFT
EF
NPUPS
EF
JOEVDDJÓO
MJOFBM

"MBSNBT
$POUSPMFT
EF
TFÒBMFT
EF
USÃGJDP

"MBSNBT
DPOUSB
SPCP
$POUSPMFT
EF
UFNQFSBUVSB

"NQMJGJDBEPSFT
EF
BVEJP
$IBSPMBT
EF
DBMFOUBNJFOUP
EF
BMJNFOUPT

"NQMJGJDBEPSFT
EF
SBEJPGSFDVFODJB
%FGMFYJPOFT
EF
57

"SSBORVF
EF
NÃRVJOBT
TÎODSPOBT
%FTUFMMBEPSFT
"SSBORVF
EF
UVSCJOB
EF
HBT
%FTUFMMBEPSFT
MVNJOPTPT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
&MFDUSPEPNÊTUJDPT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
BFSPOÃVUJDPT &MFDUSPJNBOFT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
FTQBDJBMFT
&MFWBEPSFT

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
JOJOUFSSVNQJEB &ODFOEJEP
FMFDUSÓOJDP

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
MÃTFS
&OFSHÎB
SFOPWBCMF
JODMVJEB
MB
USBOTNJTJÓO

"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
QBSB
SBEBSTPOBS EJTUSJCVDJÓO
Z
BMNBDFOBNJFOUP
"SUÎDVMPT
EF
QPUFODJB
TPMBS
&YDJUBEPSFT
EF
HFOFSBEPS

"SUÎDVMPT
GPUPHSÃGJDPT
&YDJUBEPSFT
EF
NPUPS

"TQJSBEPSBT 'ÃCSJDBT
EF
QBQFM
"UFOVBEPSFT
'JCSBT
TJOUÊUJDBT

"UFOVBEPSFT
EF
MV[
'POÓHSBGPT
#BMBTUPT
QBSB
MÃNQBSBT
EF
BSDP
EF
NFSDVSJP
'PUPDPQJBT

#BOEBT
USBOTQPSUBEPSBT
(BMWBOPQMBTUJB
FMFDUSPNFDÃOJDB

#PNCBT
Z
DPNQSFTPSFT
(FOFSBEPSFT
VMUSBTÓOJDPT

$BMFOUBEPSFT
(SBCBDJPOFT
NBHOÊUJDBT
$BMFOUBNJFOUP
QPS
JOEVDDJÓO
(SÙBT
Z
NBMBDBUFT

$BSHBEPS
EF
CBUFSÎBT
)FSSBNJFOUBT
NBOVBMFT
EF
QPUFODJB

$%
EF
BMUP
WPMUBKF
)7%$

)PSOPT

$JSDVJUPT
EF
UFMFWJTJÓO
)PSOPT
EF
DFNFOUP

$PCFSUPSFT
FMÊDUSJDPT
*MVNJOBDJÓO
EF
BMUB
GSFDVFODJB

$PNQFOTBDJÓO
SFBDUJWB
WPMUBNQFSF
7"3

*NBOFT
$PNQVUBEPSBT
*NQSFOUBT

continúa

4 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.1 continuación

*OUFSSVQUPSFT
EF
DJSDVJUP
FTUÃUJDPT
3FHVMBEPSFT

+VFHPT
3FHVMBEPSFT
EF
WPMUBKF

+VHVFUFT
3FMFWBEPSFT
EF
FOHBODIF

-BWBEPSBT
3FMFWBEPSFT
EF
FTUBEP
TÓMJEP

-PDPNPUPSBT
3FMFWBEPSFT
FTUÃUJDPT

.ÃRVJOBT
EF
DPTFS
3FTJTUFODJB
QBSB
FTUVGB
FMÊDUSJDB
.ÃRVJOBT
FYQFOEFEPSBT
4FDBEPSBT
EF
SPQB

.ÃRVJOBT
IFSSBNJFOUB 4FDBEPSBT
FMÊDUSJDBT

.F[DMBEPSBT
4FSWP
TJTUFNBT

.JOFSÎB
4JTUFNBT
EF
TFHVSJEBE

.PEFMPT
EF
USFOFT
4PMEBEPSBT

.PMJOJMMPT
4PQMBEPSFT

.POUBDBSHBT
5FNQPSJ[BEPSFT

1BOUBMMBT
5SBOTNJTPSFT
EF
NVZ
CBKB
GSFDVFODJB
7-'

1FSGPSBDJÓO
EF
QP[PT
EF
QFUSÓMFP
5SBOTQPSUBEPSFT
EF
QFSTPOBT

1SFDJQJUBEPSFT
FMFDUSPTUÃUJDPT
5SBOTQPSUF
QÙCMJDP

1SPDFTBEPSFT
EF
BMJNFOUPT
5SFOFT

1SPDFTBNJFOUP
RVÎNJDP
7BSJMMB
EF
DPOUSPM
EF
SFBDUPS
OVDMFBS

1SPZFDUPSFT
EF
DJOF
7FIÎDVMPT
FMÊDUSJDPT

1VCMJDJEBE
7FOUJMBEPSFT

3FGSJHFSBEPSFT
7FOUJMBEPSFT
FMÊDUSJDPT

Fuente:
3FG


1.2 HISTORIA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

-B
IJTUPSJB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPNFO[Ó
DPO
MB
JOUSPEVDDJÓO
EFM
SFDUJGJDBEPS
EF
BSDP

EF
NFSDVSJP
FO

-VFHP
MF
TJHVJFSPO
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
UBORVF
EF
NFUBM
FM
SFDUJGJDBEPS
EF

UVCP
EF
WBDÎP
DPOUSPMBEP
QPS
SFKJMMB
FM
JHOJUSÓO
FM
GBOPUSÓO
Z
FM
UJSBUSÓO
MPT
DVBMFT
TF
JOUSPEV
KFSPO
HSBEVBMNFOUF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
TF
VUJMJ[BSPO
FO
FM
DPOUSPM
EF
QPUFODJB
IBTUB
MB
EÊDBEB

EF


-B
QSJNFSB
SFWPMVDJÓO
FMFDUSÓOJDB
TF
JOJDJÓ
FO

DPO
MB
JOWFODJÓO
EFM
USBOTJTUPS
EF

TJMJDJP
QPS
#BSEFFO
#SBUUBJO
Z
4DIPLMFZ
FO
#FMM
5FMFQIPOF
-BCPSBUPSJFT
-B
NBZPS
QBSUF
EF

MBT
UFDOPMPHÎBT
FMFDUSÓOJDBT
BWBO[BEBT
EF
MB
BDUVBMJEBE
UVWJFSPO
TV
PSJHFO
FO
FTF
JOWFOUP
$PO

FM
UJFNQP
MB
NJDSPFMFDUSÓOJDB
NPEFSOB
FWPMVDJPOÓ
B
QBSUJS
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
TJMJDJP

&M
TJHVJFOUF
QBTP
JNQPSUBOUF
FO

UBNCJÊO
PDVSSJÓ
FO
#FMM
-BCPSBUPSJFT
GVF
FM
JOWFOUP
EFM

USBOTJTUPS
EF
EJTQBSP
PNPN
FM
DVBM
TF
EFGJOJÓ
DPNP
VO
UJSJTUPS
P
SFDUJGJDBEPS
DPOUSPMBEP
QPS

TJMJDJP
4$3


-B
TFHVOEB
SFWPMVDJÓO
FMFDUSÓOJDB
DPNFO[Ó
FO

DPO
FM
EFTBSSPMMP
EFM
UJSJTUPS
DPNFS
DJBM
EF
(FOFSBM
&MFDUSJD
$PNQBOZ
&TF
GVF
FM
QSJODJQJP
EF
VOB
OVFWB
FSB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
%FTEF
FOUPODFT
TF
IBO
JOUSPEVDJEP
NVDIPT
UJQPT
EJGFSFOUFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPO
EVDUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
UÊDOJDBT
EF
DPOWFSTJÓO
-B
SFWPMVDJÓO
NJDSPFMFDUSÓOJDB
OPT
QFSNJUJÓ

QSPDFTBS
VOB
FOPSNF
DBOUJEBE
EF
JOGPSNBDJÓO
B
VOB
JODSFÎCMF
WFMPDJEBE
MB
SFWPMVDJÓO
EF
MB

FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
OPT
QFSNJUF
DPOGPSNBS
Z
DPOUSPMBS
HSBOEFT
DBOUJEBEFT
EF
QPUFODJB
DPO

VOB
FGJDJFODJB
DBEB
WF[
NBZPS
(SBDJBT
B
MB
VOJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FM
NÙTDVMP
DPO

MB
NJDSPFMFDUSÓOJDB
FM
DFSFCSP
BIPSB
FTUÃO
FNFSHJFOEP
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
QPUFODJBMFT
EF

MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
FTUB
UFOEFODJB
DPOUJOVBSÃ
&O
MPT
QSÓYJNPT

BÒPT
MB
FMFDUSÓOJDB

EF
QPUFODJB
DPOGPSNBSÃ
Z
BDPOEJDJPOBSÃ
MB
FMFDUSJDJEBE
FO
BMHVOB
QBSUF
EF
MB
SFE
EF
USBOTNJ
TJÓO
FOUSF
TV
HFOFSBDJÓO
Z
UPEPT
TVT
VTVBSJPT
-B
SFWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
IB

DPCSBEP
JNQVMTP
EFTEF
GJOBMFT
EF
MB
EÊDBEB
EF

Z
QSJODJQJPT
EF
MB
EF
<>
-B
GJHVSB


NVFTUSB
VOB
DSPOPMPHÎB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

 Amplio uso de
superconductores
IA
NC
Rejilla de OTE
control de tubos DE P
NICA
de vacío ERA
D EL E CTRÓ
E LOS E LA
Tiratrón
TUBOS
DE VACÍO CIÓN D
HVDC Transición REVOLU Relevadores de estado sólido
de cátodo de pantalla
ERA DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Cortacircuitos
caliente Tiristor Robots domésticos

Motores de ca de Vehículos eléctricos

Ignitrón
velocidad variable
Cicloconvertidor MCI
de ferrocarril Miembros artificiales
IGT Plantas de potencia solar
Motor de Tiristor de compuerta
tiratrón Cargador de de apagado Transistor bipolar 400V/400A
frecuencia 20 MW, MOSFET de potencia
Triac Televisores a color
25/60 Hz Microprocesador de 8 bits
de panel plano
Transistor de silicio Microprocesador de 16 bits

Circuito Alto desempeño

Invención integrado Activadores de motor de velocidad ajustable
del transistor de bipolar Sistema acondicionador en línea de potencia activa
germanio Fuente de alimentación ininterrumpible
Circuitos integrados MOS

FIGURA 1.2
)JTUPSJB
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
$PSUFTÎB
EFM
5FOOFTTFF
$FOUFS
GPS
3FTFBSDI
BOE
%FWFMPQNFOU
DFOUSP
BGJMJBEP
6OJWFSTJUZ
PG
5FOOFTTFF

6 Capítulo 1 Introducción

"OUF
MB
DSFDJFOUF
EFNBOEB
EF
FOFSHÎB
FO
UPEP
FM
NVOEP
TF
WJTMVNCSB
VOB
OVFWB
FSB
EF

FOFSHÎB
SFOPWBCMF
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FT
VOB
QBSUF
JOUFHSBM
EF
MB
FOFSHÎB
SFOPWBCMF

QBSB
TV
USBOTNJTJÓO
EJTUSJCVDJÓO
Z
BMNBDFOBNJFOUP
-B
JOWFTUJHBDJÓO
Z
QSPEVDDJÓO
EF
BVUPNÓ
WJMFT
EF
CBKP
DPOTVNP
EF
DPNCVTUJCMF
UBNCJÊO
DPOEVDJSÃO
B
NÃT
BQMJDBDJPOFT
Z
BM
EFTBSSPMMP
EF

MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

"
USBWÊT
EFM
UJFNQP
IB
IBCJEP
VO
HSBO
JODSFNFOUP
FO
MB
FMBCPSBDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
TF
NJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
<>
4JO
FNCBSHP
MPT
EJTQPTJUJWPT
B
CBTF
EF
TJMJDJP
ZB
DBTJ
MMFHBO
B

TVT
MÎNJUFT
%FCJEP
B
MB
JOWFTUJHBDJÓO
Z
EFTBSSPMMP
EVSBOUF
MPT
ÙMUJNPT
BÒPT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

IB
QBTBEP
EF
TFS
VOB
QSPNJTPSJB
UFDOPMPHÎB
EFM
GVUVSP
QBSB

DPOWFSUJSTF
FO
VOB
QPUFOUF
BMUFSOBUJWB
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
TJMJDJP
4J

EF
QVOUB
FO
BQMJDBDJPOFT

EF
BMUB
FGJDJFODJB
BMUB
GSFDVFODJB
Z
BMUB
UFNQFSBUVSB
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
B
CBTF
EF
4J$

DBSCVSP
EF
TJMJDJP
QBSB
GBCSJDBS
FMFNFOUPT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

QFSNJUF
VO
WPMUBKF
NÃT

BMUP
NFOPSFT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
NÃT
BMUBT
Z
DPOEVDUJWJEBEFT
UÊSNJDBT

NÃT
BMUBT
-PT
GBCSJDBOUFT
TPO
DBQBDFT
EF
EFTBSSPMMBS
Z
QSPDFTBS
USBOTJTUPSFT
EF
BMUB
DBMJEBE
B

DPTUPT
RVF
QFSNJUFO
JOUSPEVDJS
OVFWPT
QSPEVDUPT
FO
ÃSFBT
EF
BQMJDBDJÓO
EPOEF
MPT
CFOFGJDJPT
EF

MB
UFDOPMPHÎB
EFM
4J$
QFSNJUFO
WFOUBKBT
TJHOJGJDBUJWBT
FO
FM
TJTUFNB
<>
)B
FNQF[BEP
VOB
OVFWB
FSB
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
<>
&T
FM
DPNJFO[P
EF
MB
UFS
DFSB
SFWPMVDJÓO
EF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
FO
FM
ÃNCJUP
EFM
QSPDFTBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
SFOP
WBCMF
Z
BIPSSPT
EF
FOFSHÎB
FO
UPEP
FM
NVOEP
4F
FTQFSB
RVF
EVSF
PUSPT

BÒPT

1.3 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA

1BSB
DPOUSPM
P
BDPOEJDJPOBNJFOUP
EF
MB
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
TF
SFRVJFSF
DPOWFSUJSMB
EF
VOB
GPSNB

B
PUSB
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
QFSNJUFO
UBM
DPO
WFSTJÓO
-PT
DPOWFSUJEPSFT
FTUÃUJDPT
EF
QPUFODJB
SFBMJ[BO
FTUBT
GVODJPOFT
EF
DPOWFSTJPOFT
EF

QPUFODJB
6O
DPOWFSUJEPS
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VOB
NBUSJ[
EF
DPONVUBDJÓO
FO
MB
DVBM
VOP

P
NÃT
DPONVUBEPSFT
TF
DPOFDUBO
B
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
QBSB
PCUFOFS
FM
WPMUBKF
P
DPSSJFOUF
EF

TBMJEB
EFTFBEPT
-PT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
TF
DMBTJGJDBO
FO
TFJT
UJQPT

1.
%JPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
2.
$POWFSUJEPSFT
DEDB
SFDPSUBEPSFT
EF
DE


3.
$POWFSUJEPSFT
DEDB
JOWFSTPSFT


4.
$POWFSUJEPSFT
DBDE
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUSPMBEPT


5. $POWFSUJEPSFT
DBDB
DPOUSPMBEPSFT
EF
WPMUBKF
EF
DB


6.
$PONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT

&O
MPT
TJHVJFOUFT
DPOWFSUJEPSFT
TF
VUJMJ[BO
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
TÓMP
QBSB
JMVTUSBS

MPT
QSJODJQJPT
CÃTJDPT
-B
BDDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
DPOWFSUJEPS
QVFEF
TFS
SFBMJ[BEB
QPS
NÃT

EF
VO
EJTQPTJUJWP
-B
FMFDDJÓO
EF
VO
EJTQPTJUJWP
QBSUJDVMBS
EFQFOEF
EF
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF

WPMUBKF
DPSSJFOUF
Z
WFMPDJEBE
EFM
DPOWFSUJEPS

Diodos rectificadores. 6O
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
B
CBTF
EF
EJPEPT
DPOWJFSUF
WPMUBKF
EF
DB

FO
VO
WPMUBKF
GJKP
EF
DE
GJHVSB


6O
EJPEP
DPOEVDF
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EFM
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP

RVF
FM
WPMUBKF
EFM
DÃUPEP
Z
PGSFDF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
NVZ
QFRVFÒB
JEFBMNFOUF
VO
WPMUBKF

DFSP
QFSP
RVF
TVFMF
TFS
EF

7
6O
EJPEP
TF
DPNQPSUB
DPNP
VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
DVBOEP

TV
WPMUBKF
EF
DÃUPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
Z
PGSFDF
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ

BMUB
JEFBMNFOUF
JOGJOJUB
QFSP
RVF
UÎQJDBNFOUF
FT
EF

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
VOB
DE
QVM
TBOUF
QFSP
TF
EJTUPSTJPOB
Z
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
DPNP

vo 130.
=

Vm/π
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
vi
BM
SFDUJGJDBEPS
QVFEF
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
 1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 7

vs
Vm

vs  Vm sent

Diodo D1 0 
 2
 
vs  Vm sent
Vm
vi suministro  Resistencia de carga
de ca vo
 Vm
R
vs  vo 


0 
Diodo D2  2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda de voltaje

FIGURA 1.3
3FDUJGJDBDJÓO
NPOPGÃTJDB
B
CBTF
EF
EJPEPT

Convertidores cd-cd. 6O
DPOWFSUJEPS
DEDE
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
recortador
P
re-

gulador de conmutación
FO
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
SFDPSUBEPS
EF
USBOTJTUPS
"M
FODFOEFS

FM
USBOTJTUPS
Q
DPO
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
VGE
MB
GVFOUF
EF
DE
TF
DPOFDUB

B
MB
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = +Vs
$VBOEP
FM
USBOTJTUPS
Q
TF
BQBHB
BM

SFUJSBS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
VGE
MB
GVFOUF
TF
EFTDPOFDUB
EF
MB
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP

EF
TBMJEB
FT
vo =

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
WVFMWF
Vo PROM
= tVsT = δVs
1PS

DPOTJHVJFOUF
TF
QVFEF
IBDFS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
WBSÎF
DPOUSPMBOEP
FM
DJDMP
EF

USBCBKP
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
vo
TF
DPOUSPMB
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t
EFM

USBOTJTUPS
Q
4J
T
FT
FM
QFSJPEP
EF
SFDPSUF
FOUPODFT
t = δT
EPOEF
δ
FT
FM
ciclo de trabajo
EFM
SFDPSUBEPS

vGE

1
IGBT
Vs Q1
 0 t
VGE  t1 T t1
Fuente vo 
de cd  T
C Vs
Dm a Vo  Vs
r vo
g
a

 0 t
 t1 T
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.4
$POWFSUJEPS
DEDE
8 Capítulo 1 Introducción

vg1, vg2
1

0 t
 T T
vg3, vg4 2
M3 1
M1
0 t
 G T T
vg1  vo
Fuente Vs 2
V
de cd s  Carga  vg3
 
vo
M2 0 t
T T
M4
2
G vs


(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.5
$POWFSUJEPS
DEDB
NPOPGÃTJDP

Convertidores cd-ca. 6O
DPOWFSUJEPS
DEDB
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
inversor
&O
MB
GJ

HVSB

TF
NVFTUSB
VO
JOWFSTPS
EF
USBOTJTUPS
NPOPGÃTJDP
$VBOEP
MPT
.04'&5
M
Z
M
TF

FODJFOEFO
BM
BQMJDBS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUB
FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
Vs
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB

DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = +Vs.
"TJNJTNP
DVBOEP
MPT
.04'&5
M
Z
M
TF
FODJFOEFO
BM
BQMJDBS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUB
FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
EF
DE
Vs
BQBSFDF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
FO
MB
EJSFDDJÓO
PQVFTUB
&T
EFDJS
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FT
vo = −Vs
4J
MPT

USBOTJTUPSFT
M
Z
M
DPOEVDFO
EVSBOUF
VOB
NJUBE
EF
VO
QFSJPEP
Z
M
Z
M
DPOEVDFO
EVSBOUF

MB
PUSB
NJUBE
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
BMUFSOP
&M
WBMPS
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF

Vo SNT
= VS
4JO
FNCBSHP
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
MPT
DVBMFT
TF
QPESÎBO
GJMUSBS

BOUFT
EF
BMJNFOUBS
MB
DBSHB

Convertidores ca-cd.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
NPOPGÃTJDP
DPO
EPT

UJSJTUPSFT
OBUVSBMFT
DPONVUBEPT
1PS
MP
DPNÙO
VO
UJSJTUPS
QFSNBOFDF
BQBHBEP
Z
TF
QVFEF
FO
DFOEFS
BQMJDÃOEPMF
VO
QVMTP
EF
DPNQVFSUB
EF
BQSPYJNBEBNFOUF

7
DPO
VOB
EVSBDJÓO
EF


μT
$VBOEP
FM
UJSJTUPS
T
TF
FODJFOEF
DPO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
ωt = α
FM
WPMUBKF
EF
MB

GVFOUF
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
Z
FM
UJSJTUPS
T
TF
BQBHB
BVUPNÃUJDBNFOUF
BM
SFEVDJSTF
TV
DP
SSJFOUF
B
DFSP
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = π
$VBOEP
FM
UJSJTUPS
T
TF
FODJFOEF
DPO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP

EF
ωt = π + α
MB
QBSUF
OFHBUJWB
EFM
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FO
MB

EJSFDDJÓO
QPTJUJWB
Z
FM
UJSJTUPS
T
TF
BQBHB
BVUPNÃUJDBNFOUF
DVBOEP
TV
DPSSJFOUF
llega a cero o
se anula
FO
FM
JOTUBOUF
ωt =
π
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
NFEJBOUF
Vo 130.
=

+
DPT
α
Vmπ
$PO
VO
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
α =

FTUF
DPOWFSUJEPS
GVODJPOB
DPNP
TJ
GVFSB

VO
SFDUJGJDBEPS
EF
EJPEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

&M
WBMPS
QSPNFEJP
EFM
WPMUBKF
EF

TB
MJEB
vo
TF
QVFEF
DPOUSPMBS
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
UJSJTUPSFT
P
FM
ÃOHVMP
EF

SFUSBTP
EF
EJTQBSP
α
-B
FOUSBEB
P
BMJNFOUBDJÓO
QVFEF
TFS
VOB
GVFOUF
NPOPGÃTJDB
P
USJGÃTJDB

&TUPT
DPOWFSUJEPSFT
UBNCJÊO
TF
DPOPDFO
DPNP
rectificadores controlados

Convertidores ca-ca. &TUPT
DPOWFSUJEPSFT
TF
VUJMJ[BO
QBSB
PCUFOFS
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF

WBSJBCMF
vo
B
QBSUJS
EF
VOB
GVFOUF
EF
DB
GJKB
MB
GJHVSB

NVFTUSB
VO
DPOWFSUJEPS
NPOPGÃTJDP

DPO
VO
53*"$
6O
53*"$
QFSNJUF
RVF
MB
DPSSJFOUF
GMVZB
FO
BNCBT
EJSFDDJPOFT
Z
TF
QVFEF

FODFOEFS
BQMJDBOEP
WPMUBKF
QPTJUJWP
B
MB
DPNQVFSUB
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = α
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF

 1.3 Tipos de circuitos electrónicos de potencia 9

vs
Vm

vs  Vm sent
2
0 t
Tiristor T1 

 
vs  Vm sent Vm
Fuente  Resistencia de carga vo
Vm
de ca

R
vs  vo 

 t
0
 2
Tiristor T2 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.6
$POWFSUJEPS
DBDE
NPOPGÃTJDP

GMVZB
FO
MB
EJSFDDJÓO
QPTJUJWB
Z
UBNCJÊO
FO
FM
JOTUBOUF
ωt = π + α
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF
GMVZB

FO
MB
EJSFDDJÓO
OFHBUJWB
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
DPOUSPMB
WBSJBOEP
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM

53*"$
P
FM
ÃOHVMP
EF
SFUSBTP
EF
EJTQBSP
α
&TUPT
UJQPT
EF
DPOWFSUJEPSFT
UBNCJÊO
TF
DPOPDFO

DPNP
controladores de voltaje de ca

Conmutadores estáticos. $PNP
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
PQFSBS
DPNP

DPONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT
P
DPOUBDUPSFT
TV
BMJNFOUBDJÓO
QVFEF
TFS
EF
DB
P
EF
DE
Z
TF
DPOPDFO

DPNP
conmutadores estáticos de ca
P
conmutadores de cd

vs
Vm
vs  Vm sent

0 t
 2

Vm
vo
TRIAC Vm

 

Carga 0 t
Fuente vs  Vm sent vo  2
resistiva, 
de ca
R

  Vm

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda del voltaje

FIGURA 1.7
$POWFSUJEPS
DBDB
NPOPGÃTJDP

10 Capítulo 1 Introducción

Red eléctrica principal 1

Carga

Red
eléctrica
principal 2
Transformador Conmutador
Rectificador/cargador Inversor aislador estático de derivación

Batería

FIGURA 1.8
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VOB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
JOJOUFSSVNQJCMF
614


"
NFOVEP
TF
DPOFDUBO
FO
DBTDBEB
WBSJBT
FUBQBT
EF
DPOWFSTJÓO
QBSB
QSPEVDJS
MB
TBMJEB
EF
TFBEB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFE
FMÊDUSJDB
QSJODJQBM

QSPQPSDJPOB
MB
BMJNFOUBDJÓO

EF
DB
OPSNBM
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
MB
EFSJWBDJÓO
FTUÃUJDB
&M
DPOWFSUJEPS
DBDE
DBSHB
MB
CBUFSÎB

EF
FNFSHFODJB
EF
MB
SFE
FMÊDUSJDB
QSJODJQBM

&M
DPOWFSUJEPS
DEDB
TVNJOJTUSB
MB
QPUFODJB
EF

FNFSHFODJB
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
BJTMBEPS
/PSNBMNFOUF
MBT
SFEFT
FMÊDUSJDBT

QSJODJQBMFT

Z

TF
DPOFDUBO
B
MB
NJTNB
GVFOUF
EF
DB

-BT
GJHVSBT

B

JMVTUSBO
MPT
DPODFQUPT
CÃTJDPT
EF
EJGFSFOUFT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
&M

WPMUBKF
EF
FOUSBEB
B
VO
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
QPESÎB
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
"TJNJTNP
VO

JOWFSTPS
QVFEF
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DB
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP
1PS
DPOTJHVJFOUF

VO
DPOWFSUJEPS
QPESÎB
TFS
NPOPGÃTJDP
P
USJGÃTJDP

-B
UBCMB

SFTVNF
MPT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
TVT
GVODJPOFT
Z
TVT
TÎNCPMPT
<>
&TUPT
DPO
WFSUJEPSFT
TPO
DBQBDFT
EF
DPOWFSUJS
FOFSHÎB
EF
VOB
GPSNB
B
PUSB
Z
IBMMBS
OVFWBT
BQMJDBDJPOFT

DPNP
TF
JMVTUSB
FO
MB
GJHVSB

QBSB
USBOTGPSNBS
MB
FOFSHÎB
EF
VOB
QJTUB
EF
CBJMF
FO
VOB
GPSNB

ÙUJM
<>

1.4 DISEÑO DE EQUIPO ELECTRÓNICO DE POTENCIA

&M
EJTFÒP
EF
VO
FRVJQP
FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB
QVFEF
DPOTUBS
EF
DVBUSP
QBSUFT

1.
%JTFÒP
EF
DJSDVJUPT
EF
QPUFODJB

2.
1SPUFDDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

3.
%FUFSNJOBDJÓO
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

4.
%JTFÒP
EF
DJSDVJUPT
MÓHJDPT
Z
EF
DPNQVFSUB

&O
MPT
TJHVJFOUFT
DBQÎUVMPT
TF
EFTDSJCFO
Z
BOBMJ[BO
WBSJPT
UJQPT
EF
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF

QPUFODJB
&O
FM
BOÃMJTJT
TF
TVQPOF
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TPO
DPONVUBEPSFT
JEFBMFT
B

NFOPT
RVF
TF
EJHB
MP
DPOUSBSJP
TF
PNJUFO
MPT
FGFDUPT
EF
JOEVDUBODJB
QBSÃTJUB
EF
DJSDVJUP
MBT
SF
TJTUFODJBT
EF
DJSDVJUP
Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVFOUF
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z
DJSDVJUPT
QSÃDUJ
DPT
TF
BQBSUBO
EF
FTUBT
DPOEJDJPOFT
JEFBMFT
Z
TVT
EJTFÒPT
UBNCJÊO
TF
WFO
BGFDUBEPT
/P
PCTUBOUF

FO
MB
QSJNFSB
FUBQB
EFM
EJTFÒP
FM
BOÃMJTJT
TJNQMJGJDBEP
EF
VO
DJSDVJUP
FT
NVZ
ÙUJM
QBSB
FOUFOEFS

DÓNP
GVODJPOB
FM
DJSDVJUP
Z
FTUBCMFDFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM
 1.5 Determinación de valores de la media cuadrática de formas de onda 11

TABLA 1.2 5JQPT
EF
DPOWFSTJÓO
Z
TÎNCPMPT

$POWFSTJÓO
EFB /PNCSF
EFM
DPOWFSUJEPS 'VODJÓO
EFM
DPOWFSUJEPS 4ÎNCPMP
EFM
DPOWFSUJEPS

$B
B
DE 3FDUJGJDBEPS $B
QBSB
DPSSJFOUF
VOJQPMBS
DE

$E
B
DE 3FDPSUBEPS $E
DPOTUBOUF
B
DE
WBSJBCMF
P
DE

WBSJBCMF
B
DE
DPOTUBOUF

$E
B
DB *OWFSTPS $E
B
DB
EF
WPMUBKF
Z
GSFDVFODJB

EF
TBMJEB
EFTFBEPT

$B
B
DB $POUSPMBEPS
EF
WPMUBKF
$B
EF
GSFDVFODJB
ZP
NBHOJUVE

EF
DB
DJDMPDPOWFSUJEPS
EFTFBEB
B
QBSUJS
HFOFSBM

DPOWFSUJEPS
NBUSJDJBM NFOUF
EF
VOB
DB
EF
MÎOFB

EF
BMJNFOUBDJÓO

"OUFT
EF
DPOTUSVJS
VO
QSPUPUJQP
FM
EJTFÒBEPS
EFCF
JOWFTUJHBS
MPT
FGFDUPT
EF
MPT
QBSÃNFUSPT

EFM
DJSDVJUP
Z
MBT
JNQFSGFDDJPOFT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT

F
JODMVTJWF
NPEJGJDBS
FM
EJTFÒP
TJ
GVFSB

OFDFTBSJP
4ÓMP
IBTUB
RVF
FM
QSPUPUJQP
FTUÊ
DPOTUSVJEP
Z
TF
IBZB
QSPCBEP
FM
EJTFÒBEPS
QVFEF

DPOGJBS
FO
MB
WBMJEF[
EFM
EJTFÒP
Z
FTUJNBS
DPO
NÃT
DFSUF[B
BMHVOPT
EF
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
DJSDVJUP

QPS
FKFNQMP
JOEVDUBODJB
QBSÃTJUB


1.5 DETERMINACIÓN DE VALORES DE LA MEDIA CUADRÁTICA

DE FORMAS DE ONDA
1BSB
EFUFSNJOBS
DPO
QSFDJTJÓO
MBT
QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
FO
VO
EJTQPTJUJWP
Z
MBT
DBQBDJEB
EFT
EF
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
Z
DPNQPOFOUFT
TF
EFCFO
DPOPDFS
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF

$PO
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
SBSBT
DPNP
TJOVTPJEFT
P
SFDUÃOHVMPT
TJNQMFT
Z
FTUP
QVFEF

12 Capítulo 1 Introducción

Rectificador
de diodos

Loseta del piso (25 kg) Generador

LED
Resorte C
FIGURA 1.9 Engranaje Carga
.PEFMP
FRVJWBMFOUF
EF
VOB
QJTUB
EF
CBJMF
QBSB

HFOFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
Fuente:
3FG


BDBSSFBS
QSPCMFNBT
BM
EFUFSNJOBS
MPT
WBMPSFT
SNT
&M
WBMPS
SNT
EF
VOB
POEB
i t

TF
DBMDVMB

DPNP

T
1
Irms = i2 dt


C T L0
EPOEF
T
FT
FM
QFSJPEP
4J
VOB
POEB
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
BSNÓOJDPT
DVZPT
WBMPSFT
SNT
TF
QVFEFO

DBMDVMBS
JOEJWJEVBMNFOUF
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
TF
QVFEFO
BQSPYJNBS
EF
NBOFSB

TBUJTGBDUPSJB
DPNCJOBOEP
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MPT
BSNÓOJDPT
&T
EFDJS
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
GPSNB
EF

POEB
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

Irms = 2I 2cd + I 2rms(1) + I 2rms(2) + g + I 2rms(n)


EPOEF
IDE =
BM
DPNQPOFOUF
EF
DE
ISNT 

F
ISNT n

TPO
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
CÃTJDP

Z
nÊTJNP
SFTQFDUJWBNFOUF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MPT
WBMPSFT
SNT
EF
EJGFSFOUFT
GPSNBT
EF
POEB
RVF
DPNÙONFOUF
TF

FODVFOUSBO
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

1.6 EFECTOS PERIFÉRICOS

&M
GVODJPOBNJFOUP
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
CBTB
QSJODJQBMNFOUF
FO
MB
DPONVUBDJÓO
EF

EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
FO
DPOTFDVFODJB
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QSPWPDBO
BSNÓOJDPT

EF
DPSSJFOUF
Z
WPMUBKF
FO
FM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
FO
MB
TBMJEB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
-PT
DPOWFS
UJEPSFT
TVFMFO
PDBTJPOBS
QSPCMFNBT
EF
EJTUPSTJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
HFOFSBDJÓO
EF
BSNÓOJDPT

FO
FM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
F
JOUFSGFSFODJB
DPO
MPT
DJSDVJUPT
EF
DPNVOJDBDJÓO
Z
TFÒBMJ[BDJÓO
-P

RVF
OPSNBMNFOUF
TF
SFRVJFSF
FT
DPMPDBS
GJMUSPT
FO
MB
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
TJTUFNB
DPOWFSUJEPS

QBSB
SFEVDJS
FM
OJWFM
EF
BSNÓOJDPT
B
VOB
NBHOJUVE
BDFQUBCMF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB

EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
HFOFSBMJ[BEP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

QBSB
QSPQPSDJPOBS
MBT
DBSHBT
FMFDUSÓOJDBT
TFOTJUJWBT
QMBOUFB
VO
SFUP
TPCSF
MPT
BTQFDUPT
EF
DBMJEBE

EF
MB
QPUFODJB
Z
DSFB
QSPCMFNBT
F
JORVJFUVEFT
RVF
MPT
JOWFTUJHBEPSFT
EFCFO
SFTPMWFS
-BT
DBOUJEB
EFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QVFEFO
TFS
EF
DB
P
EF
DE
'BDUPSFT
DPNP
EJTUPSTJÓO

 1.6 Efectos periféricos 13

Ip

Ip
Irms 
2
TT0 Onda senoidal
completa
(a)

T
Ip
k
Irms  Ip
2
T0
k
T0 Senoidal T
pulsante
(b)

Ip 1/2
Irms  Ip k sen T0(1  k) cos (1  k)

2 2

Senoidal controlada t1
t1 T0 k1
por fase T

(c)

T
Ip Irms  Ip k
T0
k
T
T0 Cuadrada
(d)

T 1/2
Ib Irms  k(I b2  IaIb  Ia2)/3
Ia
T0
k
T
T0 Rectangular
(e)

T
Ip k
Irms  Ip
3
T0
k
T
T0 Triangular
(f)

FIGURA 1.10
7BMPSFT
SNT
EF
GPSNBT
EF
POEB
RVF
TF
TVFMFO
FODPOUSBS
14 Capítulo 1 Introducción

Potencia Filtro de Convertidor Filtro Salida

Fuente entrada de potencia de salida

Generador conmutador
de la señal de control

FIGURA 1.11
4JTUFNB
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
HFOFSBMJ[BEP

BSNÓOJDB
UPUBM
5)%

GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'

Z
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
*1'

TPO

NFEJEBT
EF
MB
DBMJEBE
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
1BSB
EFUFSNJOBS
UBMFT
GBDUPSFT
TF
SFRVJFSF
IBMMBS
FM

DPOUFOJEP
BSNÓOJDP
EF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
-B
FWBMVBDJÓO
EFM
EFTFNQFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
TVT

WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
TF
FYQSFTBO
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
-B
DBMJEBE
EF
VO

DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
TF
KV[HB
QPS
MB
DBMJEBE
EF
TVT
GPSNBT
EF
POEB
EF
WPMUBKF
Z
EF
DPSSJFOUF

-B
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM
QBSB
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
EFTFNQFÒB
VOB
QBSUF
JNQPS
UBOUF
FO
MB
HFOFSBDJÓO
EF
BSNÓOJDPT
Z
MB
EJTUPSTJÓO
EF
MB
POEB
EF
TBMJEB
Z
TF
QVFEF
EJTFÒBS
QBSB

NJOJNJ[BS
P
SFEVDJS
FTUPT
QSPCMFNBT
-PT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
QVFEFO
QSPWPDBS
JOUFSGF
SFODJB
EF
SBEJPGSFDVFODJB
EFCJEP
B
MB
SBEJBDJÓO
FMFDUSPNBHOÊUJDB
BEFNÃT
TF
QVFEFO
HFOFSBS

TFÒBMFT
EF
FSSPS
FO
MPT
DJSDVJUPT
EF
DPNQVFSUB
&TUB
JOUFSGFSFODJB
TF
QVFEF
FWJUBS
NFEJBOUF

blindaje conectado a tierra

$ÓNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

MB
QPUFODJB
GMVZF
EF
MB
GVFOUF
B
MB
TBMJEB
-BT
GPSNBT
EF

POEB
FO
EJGFSFOUFT
QVOUPT
UFSNJOBMFT
QPESÎBO
TFS
EJGFSFOUFT
B
NFEJEB
RVF
TF
QSPDFTFO
FO
DBEB

FUBQB
)BZ
RVF
UFOFS
QSFTFOUF
RVF
FYJTUFO
EPT
UJQPT
EF
GPSNBT
EF
POEB
VOB
BM
OJWFM
EF
QPUFODJB

Z
PUSB
QSPEVDJEB
QPS
MB
TFÒBM
EF
CBKP
OJWFM
HFOFSBEBT
QPS
MB
DPONVUBDJÓO
P
QPS
FM
HFOFSBEPS

EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
&TUPT
EPT
OJWFMFT
EF
WPMUBKF
EFCFO
BJTMBSTF
VOP
EF
PUSP
EF
NPEP
RVF

OP
JOUFSGJFSBO
FOUSF
TÎ

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
UÎQJDP
RVF

JODMVZF
BJTMBNJFOUPT
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
Z
TFÒBMFT
EF
SFGFSFODJB
<>
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB

FT
VOB
NBUFSJB
JOUFSEJTDJQMJOBSJB
Z
FM
EJTFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
OFDFTJUB
UFOFS
FO

DVFOUB
MP
TJHVJFOUF

r
%JTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
GÎTJDBT
SFRVFSJNJFOUPT

EF
FYDJUBDJÓO
Z
TV
QSPUFDDJÓO
QBSB
MB
VUJMJ[BDJÓO
ÓQUJNB
EF
TVT
DBQBDJEBEFT


r
5PQPMPHÎBT
EF
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
QBSB
PCUFOFS
MB
TBMJEB
EFTFBEB


r
&TUSBUFHJBT
EF
control
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
QBSB
PCUFOFS
MB
TBMJEB
EFTFBEB


r
.JDSPFMFDUSÓOJDB
BOBMÓHJDB
Z
NJDSPFMFDUSÓOJDB
EJHJUBM
QBSB
JNQMFNFOUBS
MBT
FTUSBUFHJBT

EF
DPOUSPM


r
&MFNFOUPT
EF
FOFSHÎB
DBQBDJUJWPT
Z
NBHOÊUJDPT
QBSB
BMNBDFOBS
Z
GJMUSBS
MB
FOFSHÎB


r
.PEFMBEP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSHB
FMÊDUSJDB
SPUBUPSJPT
Z
FTUÃUJDPT


r
(BSBOUÎB
EF
MB
DBMJEBE
EF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
HFOFSBEBT
Z
VO
BMUP
GBDUPS
EF
QPUFODJB


r
.JOJNJ[BDJÓO
EF
MB
JOUFSGFSFODJB
EF
SBEJPGSFDVFODJB
Z
FMFDUSPNBHOÊUJDB
&.*



r
0QUJNJ[BDJÓO
EF
MPT
DPTUPT
QFTPT
Z
FGJDJFODJB
EF
MB
FOFSHÎB

 1.7 Características y especificaciones de conmutadores 15

Alimentación principal

Entrada Filtro
Excitación Filtro
FF1
de compuerta de salida
FB1 E
X
C Circuito de
FB2 I I I
S S potencia
T Carga
O O A &
FF1 L L
Controlador D protección
O
REF1 R
FB1 FB2

Aislamiento
(ISOL)
ISOL – Aislamiento
FB – Retroalimentación
FF – Alimentación directa
Fuente
de potencia

Alimentación auxiliar

FIGURA 1.12
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
UÎQJDP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Fuente
3FG


1.7 CARACTERÍSTICAS Y ESPECIFICACIONES DE CONMUTADORES

)BZ
NVDIPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
4JO
FNCBSHP
DBEB
VOP
UJFOF
TVT

WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
Z
FT
BEFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT
FTQFDÎGJDBT
-B
NPUJWBDJÓO
EFUSÃT
EFM

EFTBSSPMMP
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
OVFWP
FT
MPHSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
iTÙQFS
EJTQPTJUJWPu

1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
SFBM
TF
QVFEFO
DPNQBSBS
Z
FWBMVBS

FO
SFMBDJÓO
DPO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
EF
VO
TÙQFS
EJTQPTJUJWP

1.7.1 Características ideales

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
TPO

1. $VBOEP
FM
DPONVUBEPS
FTUÊ
FODFOEJEP
EFCF
UFOFS
B

MB
DBQBDJEBE
EF
DPOEVDJS
VOB
BMUB

DPSSJFOUF
EJSFDUB
IF
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
C

VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
VON
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
CBKB
SFTJTUFODJB
RON
RVF
UJFOEB
B
DFSP
6OB
CBKB
SFTJTUFODJB
RON
QSPWPDB
VOB
CBKB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
PON
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
/PSNBMNFOUF
TF
IBDF

SFGFSFODJB
B
FTUPT
TÎNCPMPT
FO
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
DE

2. &O
FTUBEP
EF
BQBHBEP
FM
DPONVUBEPS
EFCF
UFOFS
B

MB
DBQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
VO
BMUP
WPM
UBKF
EJSFDUP
P
JOWFSTP
VFR
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
C

VOB
CBKB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IOFF
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
ROFF
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
6OB
BMUB
R''
QSPWPDB

16 Capítulo 1 Introducción

VOB
CBKB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
POFF
/PSNBMNFOUF
TF
IBDF
SFGFSFODJB
B
FTUPT
TÎNCPMPT
FO

DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
DE

3. %VSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFCF
FODFOEFSTF
Z
BQBHBSTF
JOTUBOUÃOFB
NFOUF
EF
NPEP
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
TF
QVFEB
PQFSBS
B
BMUBT
GSFDVFODJBT
1PS
UBOUP
EFCF

UFOFS
B

VO
CBKP
UJFNQP
EF
SFUSBTP
td
RVF
UJFOEB
B
DFSP
VO
CBKP
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
RVF

UJFOEB
B
DFSP
D

VO
CBKP
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
ts
RVF
UJFOEB
B
DFSP
Z
E

VO
CBKP

UJFNQP
EF
DBÎEB
tG
RVF
UJFOEB
B
DFSP

4. 1BSB
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
EFCF
SFRVFSJS
B

VOB
CBKB
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPN
QVFSUB
PG
RVF
UJFOEB
B
DFSP
C

VO
CBKP
WPMUBKF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
VG
RVF

UJFOEB
B
DFSP
Z
D

VOB
DPSSJFOUF
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
IG
RVF
UJFOEB
B
DFSP

5. 5BOUP
FM
FODFOEJEP
DPNP
FM
BQBHBEP
EFCFO
TFS
DPOUSPMBCMFT
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
EFCF

FODFOEFS
DPO
VOB
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
QPTJUJWB

Z
EFCF
BQBHBSTF
DPO
PUSB

TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
DFSP
P
OFHBUJWB

6. 1BSB
FM
FODFOEJEP
Z
FM
BQBHBEP
TF
EFCF
SFRVFSJS
TÓMP
VOB
TFÒBM
QVMTBOUF
FT
EFDJS
VO

QFRVFÒP
QVMTP
DPO
VO
BODIP
NVZ
QFRVFÒP
tw
RVF
UJFOEB
B
DFSP

7. %FCF
UFOFS
VOB
BMUB
dvdt
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
&T
EFDJS
FM
DPONVUBEPS
EFCF
TFS
DBQB[

EF
NBOFKBS
MPT
SÃQJEPT
DBNCJPT
EFM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
ÊM

8. %FCF
UFOFS
VOB
BMUB
didt
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP
&T
EFDJS
FM
DPONVUBEPS
EFCF
TFS
DBQB[

EF
NBOFKBS
VOB
SÃQJEB
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM

9. 3FRVJFSF
NVZ
CBKB
JNQFEBODJB
UÊSNJDB
EF
MB
VOJÓO
JOUFSOB
BM
BNCJFOUF
RIA
RVF
UJFOEB

B
DFSP
EF
NPEP
RVF
QVFEB
USBOTNJUJS
GÃDJMNFOUF
DBMPS
BM
BNCJFOUF

10. 4F
OFDFTJUB
MB
DBQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
DVBMRVJFS
GBMUB
EF
DPSSJFOUF
EVSBOUF
MBSHP
UJFNQP

FT
EFDJS
EFCF
UFOFS
VO
BMUP
WBMPS
EF
it
RVF
UJFOEB
B
JOGJOJUP

11. 4F
SFRVJFSF
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
OFHBUJWP
FO
MB
DPSSJFOUF
DPOEVDJEB
QBSB
RVF

IB
ZB
VO
SFQBSUP
JHVBM
EF
DPSSJFOUF
DVBOEP
MPT
EJTQPTJUJWPT
TF
PQFSFO
FO
QBSBMFMP

12. 6O
CBKP
QSFDJP
FT
VOB
DPOTJEFSBDJÓO
NVZ
JNQPSUBOUF
QBSB
FM
SFEVDJEP
DPTUP
EFM
FRVJQP

FMFDUSÓOJDP
EF
QPUFODJB

1.7.2 Características de los dispositivos prácticos

%VSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
QSÃDUJDP
DPNP

FM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
SFRVJFSF
UJFNQPT
EF
SFUSBTP
td

EF
TVCJEB
tr

EF
BMNB
DFOBNJFOUP
ts

Z
EF
DBÎEB
tf

GJOJUPT
$POGPSNF
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP
isw
TVCF
EVSBOUF

FM
FODFOEJEP
FM
WPMUBKF
vsw
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
DBF
$POGPSNF
MB
DPSSJFOUF
EFM
EJTQPTJUJWP

DBF
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
TVCF
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO

MBT
GPSNBT
EF
POEB
UÎQJDBT
EF
MPT
WPMUBKFT
vsw
Z
DPSSJFOUFT
isw
EFM
EJTQPTJUJWP
&M
UJFNQP
EF
FO
DFOEJEP
tPO

EF
VO
EJTQPTJUJWP
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
Z
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB
FO
UBOUP

RVF
TV
UJFNQP
EF
BQBHBEP
tPGG

FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB

&O
DPOUSBTUF
DPO
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
TJO
QÊSEJEBT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
QSÃDUJDP

EJTJQB
QBSUF
EF
FOFSHÎB
BM
DPOEVDJS
Z
DPONVUBS
-B
DBÎEB
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

EF
QPUFODJB
RVF
DPOEVDF
FT
BM
NFOPT
EFM
PSEFO
EF

7
QFSP
B
NFOVEP
FT
NÃT
BMUP
IBTUB
EF

WBSJPT
WPMUT
&M
PCKFUJWP
EF
DVBMRVJFS
EJTQPTJUJWP
OVFWP
FT
NFKPSBS
MB
MJNJUBDJÓO
JNQVFTUB
QPS

MPT
QBSÃNFUSPT
EF
DPONVUBDJÓO

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
PON
FTUÃ
EBEB
QPS

t
1 n

PON = p dt


Ts L0
 1.7 Características y especificaciones de conmutadores 17

vSW
VCC

VSW(sat)
0 t
ton toff
iSW
ISWs

ISW0
0 t

td tr tn ts tf to
VCC iG
IGS
RL
0 t
iSW Ts  I/fs

 vG
iG
VSW VG(sat)

0 t
PSW
 VG conmutador


0 t
(a) Conmutador controlado (b) Formas de onda de conmutador

FIGURA 1.13
'PSNBT
EF
POEB
UÎQJDBT
EF
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

EPOEF
Ts
EFOPUB
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
p
FT
MB
QÊSEJEB
JOTUBOUÃOFB
EF
QPUFODJB
FT
EFDJS
FM

QSPEVDUP
EF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
vsw
B
USBWÊT
EFM
DPONVUBEPS
QPS
MB
DPSSJFOUF
DPOEVDJEB
isw

-BT

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
TF
JODSFNFOUBO
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFM
DPONVUBEPS
QPSRVF

EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EF
VO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
B
PUSP
UBOUP
FM
WPMUBKF
DPNP
MB
DPSSJFOUF
UJF
OFO
WBMPSFT
TJHOJGJDBUJWPT
-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
SFTVMUBOUF
QPS
DPONVUBDJÓO
PSW
EVSBOUF
MPT

QFSJPEPT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
FTUÃ
EBEB
QPS

td tr ts tf
PSW = fs a p dt + pdt + pdt + pdtb


L0 L0 L0 L0

EPOEF
fs =
Ts
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO
td, tr, ts
Z
tf
TPO
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
FM
UJFNQP

EF
TVCJEB
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
SFTQFDUJWBNFOUF
1PS
DPOTJ
HVJFOUF
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
DPONVUBDJÓO
FTUÃ
EBEB
QPS

PD = PON + PSW + PG


18 Capítulo 1 Introducción

EPOEF
PG
FT
MB
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
P
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
-BT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
PON
EF
FODFOEJEP
Z
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
PG
EVSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEJEP

QPS
MP
HFOFSBM
TPO
CBKBT
DPNQBSBEBT
DPO
MB
QÊSEJEB
EF
DPONVUBDJÓO
PSW
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF

USBOTJDJÓO
DVBOEP
VO
DPONVUBEPS
FTUÃ
FO
FM
QSPDFTP
EF
FODFOEFS
P
BQBHBS
&O
MB
QSÃDUJDB
TF

QVFEF
PNJUJS
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
PG
BM
DBMDVMBS
MBT
QÊSEJEBT
UPUBMFT
EF
QPUFO
DJB
PG
-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
QÊSEJEB
EF
FOFSHÎB
MB
DVBM
FT
FM
QSPEVDUP
EF
PD
QPS
MB
GSFDVFODJB

EF
DPONVUBDJÓO
fs
QPESÎB
TFS
VOB
DBOUJEBE
TJHOJGJDBUJWB
TJ
FM
DPONVUBEPS
GVODJPOBSB
B
VOB
BMUB

GSFDVFODJB
FO
FM
SBOHP
EF
MPT
L)[

1.7.3 Especificaciones de un conmutador

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MBT
EF
VO
EJTQPTJUJWP

JEFBM
-PT
GBCSJDBOUFT
QSPQPSDJPOBO
IPKBT
EF
EBUPT
RVF
EFTDSJCFO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJTQPTJUJWP

Z
TVT
WBMPSFT
&YJTUFO
NVDIPT
QBSÃNFUSPT
RVF
TPO
JNQPSUBOUFT
QBSB
MPT
EJTQPTJUJWPT
-PT
NÃT

TJHOJGJDBUJWPT
TPO

Valores de voltaje
7PMUBKFT
EJSFDUP
F
JOWFSTP
QJDP
SFQFUJUJWPT
Z
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJ

SFDUP
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP

Valores de corriente
$PSSJFOUFT
QSPNFEJP
FGJDB[
SNT

QJDP
SFQFUJUJWB
QJDP
OP
SFQFUJUJWB

Z
EF
GVHB
FO
FTUBEP
BQBHBEP

Velocidad de conmutación o frecuencia -B
USBOTJDJÓO
EF
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
OP
DPO
EVDUPS
B
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
DPOEVDUPS
FODFOEJEP

Z
EF
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
DPOEVD
UPS
B
VO
FTUBEP
UPUBMNFOUF
OP
DPOEVDUPS
BQBHBEP

TPO
QBSÃNFUSPT
NVZ
JNQPSUBOUFT
&M

QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
Ts
Z
MB
GSFDVFODJB
fs
FTUÃO
EBEPT
QPS

1 1
fs = =


Ts td + tr + tn + ts + tf + to

EPOEF
to
FT
FM
UJFNQP
EVSBOUF
FM
DVBM
FM
DPONVUBEPS
QFSNBOFDF
BQBHBEP
-B
SFHVMBDJÓO
EF

MPT
UJFNQPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
QSPDFTP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
DPONVUBEPS
QSÃDUJDP
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
MJNJUB
FM
QFSJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
NÃYJNP
1PS
FKFNQMP
TJ

td = tr = tn = ts = tf = to =

μT
Ts =

μT
Z
MB
GSFDVFODJB
NÃYJNB
QFSNJUJEB
FT
fS NÃY
=
Ts =

L)[

Valor de didt
&M
EJTQPTJUJWP
OFDFTJUB
VOB
DBOUJEBE
NÎOJNB
EF
UJFNQP
BOUFT
EF
RVF
UPEB

TV
TVQFSGJDJF
DPOEVDUPSB
FOUSF
FO
KVFHP
QBSB
TPQPSUBS
UPEB
MB
DPSSJFOUF
4J
MB
DPSSJFOUF

TF
FMFWB
DPO
SBQJEF[
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
QVFEF
DPODFOUSBSTF
FO
VO
ÃSFB
EFUFSNJOBEB
Z

FM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
EBÒBSTF
/PSNBMNFOUF
FM
WBMPS
EF
didt
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM

EJTQPTJUJWP
TF
MJNJUB
DPOFDUBOEP
VO
QFRVFÒP
JOEVDUPS
FO
TFSJF
DPO
FM
EJTQPTJUJWP
DPOPDJEP

DPNP
supresor en serie

Valor de dvdt
6O
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
UJFOF
VOB
DBQBDJUBODJB
EF
VOJÓO
JOUFSOB
Cj

4J
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DPONVUBEPS
DBNCJB
DPO
SBQJEF[
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
FM
BQBHBEP

Z
UBNCJÊO
NJFOUSBT
TF
DPOFDUB
B
MB
BMJNFOUBDJÓO
QSJODJQBM
MB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
MB
DPSSJFOUF

Cjdvdt
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
Cj
QVFEF
TFS
NVZ
BMUB
Z
FM
EJTQPTJUJWP
TF
EBÒBSÎB
&M
WBMPS
EF

dvdt
EFM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
TF
MJNJUB
DPOFDUBOEP
VO
DJSDVJUP
RC
B
USBWÊT
EFM

EJTQPTJUJWP
DPOPDJEP
DPNP
supresor en derivación
P
TJNQMFNFOUF
DJSDVJUP
snubber
Pérdidas por conmutación:
%VSBOUF
FM
FODFOEJEP
MB
DPSSJFOUF
EJSFDUB
TF
FMFWB
BOUFT
EF
RVF

FM
WPMUBKF
EJSFDUP
DBJHB
Z
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FM
WPMUBKF
EJSFDUP
TF
FMFWB
BOUFT
EF
RVF
MB
DPS
SJFOUF
DBJHB
-B
FYJTUFODJB
TJNVMUÃOFB
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
BMUPT
FO
FM
EJTQPTJUJWP
SFQSFTFOUB

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

1PS
TV
SFQFUJUJWJEBE
SFQSFTFOUBO
VOB

QBSUF
TJHOJGJDBUJWB
EF
MBT
QÊSEJEBT
Z
B
NFOVEP
FYDFEFO
MBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 19

Requerimientos de excitación de compuerta: &M
WPMUBKF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
FYDJUBDJÓO
P

DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
TPO
QBSÃNFUSPT
JNQPSUBOUFT
QBSB
FODFOEFS
Z
BQBHBS
VO
EJTQPTJUJWP

-B
QPUFODJB
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
Z
FM
SFRVFSJNJFOUP
EF
FOFSHÎB
TPO
QBSUFT
NVZ

JNQPSUBOUFT
EF
MBT
QÊSEJEBT
Z
EFM
DPTUP
UPUBM
EFM
FRVJQP
$PO
SFRVFSJNJFOUPT
EF
QVMTPT

EF
DPSSJFOUF
HSBOEFT
Z
MBSHPT
QBSB
FM
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
MBT
QÊSEJEBT
QPS
FYDJUBDJÓO

EF
DPNQVFSUB
QVFEFO
TFS
TJHOJGJDBUJWBT
FO
SFMBDJÓO
DPO
MBT
QÊSEJEBT
UPUBMFT
Z
FM
DPTUP
EFM

DJSDVJUP
EF
FYDJUBDJÓO
QVFEF
TFS
NÃT
BMUP
RVF
FM
EFM
EJTQPTJUJWP

Área de operación segura SOA

-B
DBOUJEBE
EF
DBMPS
HFOFSBEP
FO
FM
EJTQPTJUJWP
FT
QSP
QPSDJPOBM
B
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FT
EFDJS
FM
QSPEVDUP
EFM
WPMUBKF
QPS
MB
DPSSJFOUF
1BSB

RVF
FTUF
QSPEVDUP
TFB
DPOTUBOUF
P = vi
F
JHVBM
BM
WBMPS
NÃYJNP
QFSNJTJCMF
MB
DPSSJFOUF

EFCF
TFS
JOWFSTBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
BM
WPMUBKF
&TUP
EB
FM
MÎNJUF
EF
ÃSFB
EF
PQFSBDJÓO

TFHVSB
FO
MPT
QVOUPT
EF
GVODJPOBNJFOUP
QFSNJTJCMFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MBT
DPPSEFOBEBT

WPMUBKFDPSSJFOUF

I*t para fundido: &TUF
QBSÃNFUSP
TF
SFRVJFSF
QBSB
TFMFDDJPOBS
FM
GVTJCMF
-B
It
EFM
EJT
QPTJUJWP
EFCF
TFS
NFOPS
RVF
MB
EFM
GVTJCMF
QBSB
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
FTUÊ
QSPUFHJEP
DPOUSB

GBMMBT
EF
DPSSJFOUF

Temperaturas
1PS
MP
HFOFSBM
MBT
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
QFSNJTJCMFT
FO
MB
VOJÓO
FOWPM
UVSB
Z
BMNBDFOBNJFOUP
PTDJMBO
FOUSF
P$
Z
P$
QBSB
MB
VOJÓO
Z
MB
FOWPMUVSB
Z
FOUSF

−P$
Z
P$
QBSB
FM
BMNBDFOBNJFOUP

Resistencia térmica 3FTJTUFODJB
UÊSNJDB
FOUSF
MB
VOJÓO
Z
MB
FOWPMUVSB
QIC
SFTJTUFODJB

UÊSNJDB
FOUSF
FOWPMUVSB
Z
EJTJQBEPS
QCS
Z
SFTJTUFODJB
UÊSNJDB
FOUSF
EJTJQBEPS
Z
NFEJP

BNCJFOUF
QSA
-B
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
TF
EFCF
FMJNJOBS
EF
JONFEJBUP
EF
MB
PCMFB
JO
UFSOB
B
USBWÊT
EFM
FNQBRVF
Z
QPS
ÙMUJNP
IBDJB
FM
NFEJP
EF
FOGSJBNJFOUP
&M
UBNBÒP
EF

MPT
DPONVUBEPSFT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
FT
NVZ
QFRVFÒP
EF
OP
NÃT
EF

NN
Z

MB
DBQBDJEBE
UÊSNJDB
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EFTOVEP
FT
NVZ
CBKB
QBSB
FMJNJOBS
DPO
TFHVSJEBE

FM
DBMPS
HFOFSBEP
QPS
MBT
QÊSEJEBT
JOUFSOBT
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF

NPOUBO
TPCSF
EJTJQBEPSFT
EF
DBMPS
&O
DPOTFDVFODJB
MB
FMJNJOBDJÓO
EFM
DBMPS
SFQSFTFOUB

VO
BMUP
DPTUP
EFM
FRVJQP

1.8 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

%FTEF
FM
EFTBSSPMMP
EFM
QSJNFS
UJSJTUPS
4$3
B
GJOFT
EF

MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT

EF
QPUFODJB
IBO
FYQFSJNFOUBEP
FOPSNFT
BWBODFT
)BTUB

MPT
UJSJTUPSFT
DPOWFODJPOBMFT
TF

VUJMJ[BCBO
FYDMVTJWBNFOUF
QBSB
DPOUSPMBS
QPUFODJB
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
"
QBSUJS
EF
FTF

BÒP
TF
QSPEVKFSPO
WBSJPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
Z
GVFSPO
DPNFSDJBM
NFOUF
EJTQPOJCMFT
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
DMBTJGJDBDJÓO
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

IFDIPT
EF
TJMJDJP
P
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4JO
FNCBSHP
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
FTUÃO

FO
QSPDFTP
EF
EFTBSSPMMP
6OB
HSBO
NBZPSÎB
EF
EJTQPTJUJWPT
TPO
EF
TJMJDJP
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
TF

QVFEFO
EJWJEJS
FO
HFOFSBM
FO
USFT
UJQPT


EJPEPT
EF
QPUFODJB


USBOTJTUPSFT
Z


UJSJTUPSFT

:
TF
QVFEFO
TVCEJWJEJS
BÙO
NÃT
FO
DJODP
UJQPT


EJPEPT
EF
QPUFODJB


UJSJTUPSFT


USBO
TJTUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
VOJÓO
CJQPMBS
#+5T



USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
FGFDUP
EF
DBNQP

TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T

Z


USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJT
MBEB
*(#5T

Z
USBOTJTUPSFT
EF
JOEVDDJÓO
FTUÃUJDB
4*5T


-PT
QSJNFSPT
EJTQPTJUJWPT
TF
GBCSJDBCBO
DPO
TJMJDJP
Z
MPT
OVFWPT
TF
GBCSJDBO
DPO
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
-PT
EJPEPT
TF
GBCSJDBO
DPO
TÓMP
VOB
VOJÓO
pn
MPT
USBOTJTUPSFT
UJFOFO
EPT
VOJPOFT
pn,
Z
MPT
UJSJTUPSFT
UJFOFO
USFT
VOJPOFT
pn
"
NFEJEB
RVF
MB
UFDOPMPHÎB
BWBO[B
Z
MB
FMFDUSÓOJDB
EF

QPUFODJB
FODVFOUSB
NÃT
BQMJDBDJPOFT
FM
EFTBSSPMMP
EF
OVFWPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
DPO
DBQB
DJEBEFT
EF
NÃT
BMUB
UFNQFSBUVSB
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
TJHVF
TV
BWBODF

20 Capítulo 1 Introducción

Semiconductores de potencia

Silicio Carburo de silicio

Diodos Transistores
Diodos Transistores Tiristores

Transistor de Tiristor para Schottky-Diode MOSFET

Diodo Schottky
unión bipolar control de fase

Diodo Epitaxial NPN Diodo JBS

Tiristor rápido
(PIN) PNP

Diodo doble- MOSFET Simétrico Diodo PIN

mente difundido Asimétrico
(PIN) Conducción
Mejora y canal N inversa
GTO
(Tiristor apagado
Convencional por compuerta)
S-FET
Cool-MOS
Simétrico
Mejora y canal P Asimétrico
Conducción
inversa
IGBT IGCT
(Tiristor conmutado
por compuerta
aislada)
NPT Convencional
PT Trench-IGBT Asimétrico
Conducción
Bajo VC(sat) inversa
Alta velocidad MCT Baja impedancia en el mercado
(Tiristor MOS
de control)

Tipo P
Tipo N
MTO
(Tiristor MOS
de apagado)

FIGURA 1.14
$MBTJGJDBDJÓO
EF
MPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
<3FG

4
#FSOFU>

-PT
FMFDUSPOFT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
DBTJ
USFT
WFDFT
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
BMDBO[BS
MB

CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
TJMJDJP
&O
DPOTFDVFODJB
MPT
EJTQPTJUJWPT
B
CBTF
EF

4J$
TPQPSUBO
WPMUBKFT
Z
UFNQFSBUVSBT
NÃT
BMUPT
RVF
TVT
DPOUSBQBSUFT
EF
TJMJDJP
6O
EJTQPTJUJWP
B

CBTF
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT
EJNFOTJPOFT
RVF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
QVFEF
TPQPS
UBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
"EFNÃT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
VO
FTQFTPS
EF
VO
EÊDJNP
EFM

EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
TPQPSUB
FM
NJTNP
WBMPS
EF
WPMUBKF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFMHB
EPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
PTUFOUBO
NFOPT
SFTJTUFODJB
MP
DVBM
TJHOJGJDB
RVF
TF
EJTJQB
NFOPT
FOFSHÎB

FO
GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJPEP
P
USBOTJTUPS
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE

-B
JOWFTUJHBDJÓO
Z
FM
EFTBSSPMMP
IBO
MMFWBEP
B
MB
DBSBDUFSJ[BDJÓO
EF
.04'&5T
EF
QPUFO
DJB
)4J$
QBSB
CMPRVFBS
WPMUBKFT
IBTUB
EF

L7
B

"
<
>
$VBOEP
TF
DPNQBSBO
DPO
FM

*(#5
EF
4J
EF

L7
EF
ÙMUJNB
HFOFSBDJÓO
FM
.04'&5
EF
4J
EF

L7
UJFOF
VO
NFKPS
EFT
FNQFÒP
<>
4F
IB
SFQPSUBEP
VO
*(#5
EF
DBOBM
/
EF

L7
)4J$
DPO
VOB
CBKB
SFTJTUFODJB

 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 21

FO
FTUBEP
FODFOEJEP
Z
SÃQJEB
DPONVUBDJÓO
<>
&TUPT
*(#5
<
>
FYIJCFO
VOB
GVFSUF
NP
EVMBDJÓO
EF
DPOEVDUJWJEBE
FO
MB
DBQB
EF
EFSJWB
Z
VOB
NFKPSB
TJHOJGJDBUJWB
FO
MB
SFTJTUFODJB
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
.04'&5
EF

L7
4F
FTQFSB
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT

EF
QPUFODJB
EF
4J$
FWPMVDJPOFO
FO
MPT
QSÓYJNPT
BÒPT
MP
RVF
DPOEVDJSÎB
B
VOB
OVFWB
FSB
EF
MB

FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
BQMJDBDJPOFT

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
SBOHP
EF
QPUFODJB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNFSDJBM
NFOUF
EJTQPOJCMFT
&O
MB
UBCMB

TF
NVFTUSBO
MPT
WBMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF

QPUFODJB
UBNCJÊO
EJTQPOJCMFT
DPNFSDJBMNFOUF
FO
MPT
RVF
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B
QBSUJS
EF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJTQPTJUJWP

B
MB
DPSSJFOUF
FTQFDJGJDBEB
-B
UBCMB

NVFTUSB
MPT
TÎNCPMPT
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
EJT
QPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
EF
VTP
DPNÙO
-PT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DBFO

EFOUSP
EF
VOP
EF
MPT
USFT
UJQPT
EJPEPT
UJSJTUPSFT
Z
USBOTJTUPSFT
6O
EJPEP
RVF
DPOEVDF
PGSFDF

VOB
NVZ
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
WPMUBKF
EF
DÃUPEP

Z
VOB
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
1PS
MP
DPNÙO
VO
UJSJTUPS
TF
QPOF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
BM
BQMJDBSMF
VO
QVMTP
EF
DPSUB
EVSBDJÓO
UÎQJDBNFOUF
EF

Nμ
6O
UJSJTUPS
PGSFDF
VOB
CBKB

SFTJTUFODJB
FO
FM
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FO
UBOUP
RVF
FO
FM
FTUBEP
EF
CMPRVFP
TF
DPNQPSUB
DPNP

VO
DJSDVJUP
BCJFSUP
Z
PGSFDF
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ
BMUB

6500 V/600 A 12000 V/1500 A

V[V] (Eupec) (Mitsubishi) 7500 V/1650 A
(Eupec)
6500 V/2650 A
12000 (ABB)
SCR
5500 V/2300 A
104 (ABB)
IGBT (mercado)
7500 GTO 6000 V/6000 A GTO
6000 (Mitsubishi)
5500
IGCT (mercado) 6000 V/6000 A IGCT
3300 (IGCT de Mitsubishi
anunciado)
2500 3300 V/1200 A
Módulo (Eupec) 4800 V/5000 A
(Westcode)
1700 2500 V/1800 A
Press-Pack (Fuji) 4500 V/4000 A
(Mitsubishi)
103 1700 V/2400 A
Módulo (Eupec)

1000 V/100 A
MOSFET de potencia
(SanRex)
200 V/500 A
(Semikron)
200

102

60 V/1000 A
(Semikron)

102 200 500 103 2400 4000 6000 104 l [A]

FIGURA 1.15
3BOHPT
EF
QPUFODJB
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

<3FG

4
#FSOFU>
22 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.3 7BMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

5JFNQP
EF
3FTJTUFODJB
FO

5JQP
EF
7BMPS
EF
WPMUBKF 'SFDVFODJB
DPONVUBDJÓO
DPOEVDDJÓO

EJTQPTJUJWP %JTQPTJUJWPT DPSSJFOUF TVQFSJPS
)[
μT
Ω

%JPEPT
EF
%JPEPT
EF
6TP

7
"


L m

N

QPUFODJB QPUFODJB HFOFSBM

7
"


L m

N

7
"


L m

N

7
"

L m

N
"MUB
WFMPDJEBE

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L 

4DIPUULZ 
7
"

L 

N
5SBOTJTUPSFT
5SBOTJTUPSFT
4FODJMMPT 
7
"

L 

N
EF
QPUFODJB CJQPMBSFT 
7
"

L  
N

7
"

L  
N
%BSMJOHUPO 
7
"

L  
N
.04'&5T 4FODJMMPT 
7
" 
L 

COOLMOS 4FODJMMPT 
7
" 
L 

N

7
" 
L 

N

7
" 
L 

Ω
*(#5T 4FODJMMPT 
7
" 
L m

N

7
" 
L m


7
" 
L m


7
" 
L m 
N

7
" 
L m

N
4*5T 
7
" 
L 

5JSJTUPSFT
5JSJTUPSFT
#BKB
WFMPDJEBE

7
"
 m

N
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUSPMBEPT
DPONVUBEB
QPS

7
"
 m

N
DPOUSPMBEPT
QPS
GBTF MÎOFB 
7
"
 m

N
QPS
TJMJDJP

7
"
 m

N

7
"
 m

N
5JSJTUPSFT
EF
"MUB
WFMPDJEBE
EF

7
"

L m

N
BQBHBEP
GPS[BEP CMPRVFP
JOWFSTP

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L m

N

7
"

L m

N
#JEJSFDDJPOBMFT 
7
"

L m

N
RCT 
7
"

L m

N
("55 
7
"

L m

N
%JTQBSBEPT
QPS
MV[ 
7
"  m

N
5JSJTUPSFT
EF
(50 
7
"

L m

N
BVUPBQBHBEP )%(50 
7
"

L m

N
1VMTF
(50 
7
"

L m

N
4*5) 
7
"

L m

N
MTO 
7
"


L m 
N
&50 
7
"


L m

N
*($5 
7
"


L m

N
53*"$T #JEJSFDDJPOBMFT 
7
"  m

N
.$5T 4FODJMMPT 
7
"


L m 
N

7
"


L m 
N
 1.8 Dispositivos semiconductores de potencia 23

TABLA 1.4 $BSBDUFSÎTUJDBT
Z
TÎNCPMPT
EF
BMHVOPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

%JTQPTJUJWPT 4ÎNCPMPT $BSBDUFSÎTUJDBT

A ID K ID
VAK Diodo
Diodo 0
 VAK 

IA Disparado por compuerta

IA G
VAK
Tiristor A K 0
 VAK 

SITH A K
G IA Disparado por compuerta
IA
GTO VAK
A   K 0
VAK

A K
MCT
G
Cátodo
Compuerta Compuerta
MTO de encendido de apagado

Ánodo Tiristores
Cátodo
Compuerta de apagado
ETO Compuerta de encendido

Ánodo
Cátodo
Compuerta (encendido y apagado)
IGCT

Ánodo

IA Disparado por compuerta

IA B
TRIAC VAB
A G Disparado por compuerta 0

IA Disparado por compuerta

A K
LASCR VAK
IA G 0

IC C IC IBn IBn
IB1
IB
NPN BJT B
IB1
IE 0 VCE
E

C VGSn
IC
IC VGSn
VGS1
IGBT VGS1
G
VT
IE 0 VCE
E
Transistores
D
ID
ID VGS 0
MOSFET VGS1
VGSn
de canal N G
VGSn
0 VDS
S
D
ID
VGS1  0 V
SIT VGS1 VGSn
VGSn
0 VDS
S
24 Capítulo 1 Introducción

6O
USBOTJTUPS
TF
BDUJWB
DPO
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
&O
UBOUP

FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
QFSNBOF[DB
BQMJDBEP
FM
USBOTJTUPS
QFSNBOFDF
FO
DPOEVDDJÓO
Z
DBNCJB

BM
FTUBEP
EF
CMPRVFP
TJ
TF
SFUJSB
EJDIP
WPMUBKF
&M
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
EF
VO
USBOTJTUPS
CJQP
MBS
TJNQMFNFOUF
#+5

EFQFOEF
EF
TV
DPSSJFOUF
EF
CBTF
&O
DPOTFDVFODJB
TF
QVFEF
SFRVFSJS

VOB
DBOUJEBE
TJHOJGJDBUJWB
EF
DPSSJFOUF
EF
CBTF
QBSB
MMFWBS
VO
#+5
B
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
EF

CBKB
SFTJTUFODJB
1PS
PUSB
QBSUF
FM
WPMUBKF
ESFOBKFGVFOUF
EF
VO
USBOTJTUPS
UJQP
.04
TFNJDPO
EVDUPS
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP

EFQFOEF
EF
TV
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
Z
EF
RVF
TV
DPSSJFOUF
EF
DPN
QVFSUB
TFB
JOTJHOJGJDBOUF
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
.04'&5
OP
SFRVJFSF
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB

Z
MB
QPUFODJB
EF
DPNQVFSUB
QBSB
MMFWBS
VO
.04'&5
B
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
EF
CBKB
SFTJT
UFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
4F
QSFGJFSF
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
DPO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB

UJQP
.04
Z
FM
EFTBSSPMMP
EF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TJHVF
QSPHSFTBOEP
DPNP

DPSSFTQPOEF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
Z
SBOHP
EF
GSFDVFODJB
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFO
DJB
-PT
WBMPSFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
NFKPSBO
EF
GPSNB
DPOUJOVB
Z
IBCSÎB
RVF
WFSJGJDBS

MPT
RVF
FTUÊO
EJTQPOJCMFT
6O
EJTQPTJUJWP
EF
TÙQFS
QPUFODJB
EFCF
UFOFS


VO
WPMUBKF
DFSP
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO


TPQPSUBS
VO
WPMUBKF
JOGJOJUP
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP


NBOFKBS
VOB

DPSSJFOUF
JOGJOJUB
Z


VO
UJFNQP
DFSP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
MP
RVF
IBSÎB
RVF
UVWJFSB
VOB

WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
JOGJOJUB

$PO
FM
EFTBSSPMMP
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EF
4J$
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
Z
MB
SFTJT
UFODJB
FO
DPOEVDDJÓO
TF
SFEVDJSÎBO
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
B
MB
WF[
RVF
FM
WBMPS
EF
WPMUBKF
EFM

EJTQPTJUJWP
TF
JODSFNFOUBSÎB
DBTJ

WFDFT
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
FTQFSB
RVF
DBNCJFO
MBT
BQMJDB
DJPOFT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
RVF
TF
JMVTUSBO
FO
MB
GJHVSB


Tren eléctrico
100M Rango actual del producto
Plan de desarrollo futuro
HV. DC.
Fuente de potencia
10M ininterrumpible
(UPS)
Capacidad de potencia (VA)

1M Control de motor

GTO
Tiristor Máquina robótica de soldar
100k

Soldadora, TM
MOSBIOP &
fábrica de TM
10k IGBTMOD
hierro, Módulos
alimentación Módulos de Automóvil
de potencia transistor
MOSFET Fuente de potencia
para uso Mod de conmutación
1k químico

Refrigerador Videograbadora
Fuente de potencia para audio
TRIAC
100 MOSFET
Lavadora discreto
Acondicionador de aire Horno de microondas

10
10 100 1k 10k 100k 1M
Frecuencia de funcionamiento (Hz)

FIGURA 1.16
"QMJDBDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

 1.10 Opciones de dispositivos 25

1.9 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE DISPOSITIVOS DE POTENCIA

4F
QVFEF
IBDFS
RVF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
GVODJPOFO
DPNP
DPONVUBEP
SFT
BM
BQMJDBS
TFÒBMFT
EF
DPOUSPM
B
MB
UFSNJOBM
DPNQVFSUB
EF
UJSJTUPSFT
Z
B
MB
CBTF
EF
USBOTJTUPSFT

CJQPMBSFT

-B
TBMJEB
SFRVFSJEB
TF
PCUJFOF
BM
WBSJBS
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
FTUPT
EJTQPTJUJ
WPT
EF
DPONVUBDJÓO
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
Z
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM

EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
RVF
TF
VUJMJ[BO
DPNÙONFOUF
6OB
WF[
RVF
VO
UJSJT
UPS
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MB
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
EF
NBHOJUVE
ZB
TFB
QPTJUJWB
P
OFHBUJWB

RVFEB
TJO
FGFDUP
Z
FTUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

$VBOEP
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
OPSNBM

B
USBWÊT
EF
ÊM
PDVSSF
VOB
QFRVFÒB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
&O
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

RVF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

FTUBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
TF
DPOTJEFSBO
JOTJHOJGJDBOUFT
Z
B
NFOPT

RVF
TF
FTQFDJGJRVF
EF
PUSB
NBOFSB
FTUB
TVQPTJDJÓO
TF
NBOUFOESÃ
B
MP
MBSHP
EF
MPT
TJHVJFOUFT

DBQÎUVMPT

-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
DPO

CBTF
FO

1.
&ODFOEJEP
Z
BQBHBEP
OP
DPOUSPMBEPT
QPS
FKFNQMP
EJPEP



2
&ODFOEJEP
DPOUSPMBEP
Z
BQBHBEP
OP
DPOUSPMBEP
QPS
FKFNQMP
4$3

3.
&ODFOEJEP
DPOUSPMBEP
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
BQBHBEP
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
(50

4*5)
*(#5
4*5
.$5

4.
3FRVFSJNJFOUP
EF
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
DPOUJOVB
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
*(#5

4*5


5.
3FRVFSJNJFOUP
EF
QVMTP
EF
DPNQVFSUB
QPS
FKFNQMP
4$3
(50
.$5

6.
$BQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
WPMUBKF
CJQPMBS
QPS
FKFNQMP
4$3
(50

7.
$BQBDJEBE
EF
TPQPSUBS
WPMUBKF
VOJQPMBS
QPS
FKFNQMP
#+5
.04'&5
(50
*(#5

.$5


8.
$BQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBM
QPS
FKFNQMP
53*"$
3$5

9.
$BQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
VOJEJSFDDJPOBM
QPS
FKFNQMP
4$3
(50
#+5
.04'&5
.$5

*(#5
4*5)
4*5
EJPEP

-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
FO
GVODJÓO
EF
TV
WPMUBKF
DPSSJFOUF

Z
TFÒBMFT
EF
DPNQVFSUB

1.10 OPCIONES DE DISPOSITIVOS

"VORVF
FYJTUFO
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
OJOHVOP
EF
FMMPT
UJFOF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT

JEFBMFT
$POTUBOUFNFOUF
TF
IBDFO
NFKPSBT
B
MPT
RVF
ZB
FYJTUFO
Z
TF
DPOUJOÙB
DPO
FM
EFTBSSPMMP

EF
OVFWPT
EJTQPTJUJWPT
1BSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
DPO
BMJNFOUBDJÓO
EF
DB
EF

B


)[
MBT
PQDJPOFT
NÃT
FDPOÓNJDBT
TPO
MPT
UJSJTUPSFT
EF
DPOUSPM
EF
GBTF
Z
CJEJSFDDJPOBMFT
-PT

$00-.04
Z
MPT
*(#5
TPO
MPT
SFFNQMB[PT
QPUFODJBMFT
EF
MPT
.04'&5
Z
MPT
#+5
SFTQFDUJWB
NFOUF
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
Z
NFEJBOB
QPUFODJB
-PT
(50
Z
MPT
*($5
TPO
NÃT
BEFDVBEPT

QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
RVF
SFRVJFSFO
DPONVUBDJÓO
GPS[BEB
$PO
FM
BWBODF
DPOUJOVP

EF
MB
UFDOPMPHÎB
MPT
*(#5
TF
FNQMFBO
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
MPT
.$5

QVFEFO
IBMMBS
BQMJDBDJPOFT
QPUFODJBMFT
RVF
SFRVJFSBO
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
CJEJSFDDJPOBMFT

$PO
VOB
MBSHB
MJTUB
EF
EJTQPTJUJWPT
EJTQPOJCMFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB

FT
VOB

UBSFB
BCSVNBEPSB
EFDJEJS
DVÃM
TFMFDDJPOBS
"MHVOPT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
RVF
BQBSFDFO
FO
MB

MJTUB
FTUÃO
QMBOFBEPT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
FTQFDJBMJ[BEBT
&M
EFTBSSPMMP
DPOUJOVP
EF
FTUSVDUVSBT

26 Capítulo 1 Introducción

vG
1
Señal de
compuerta  0 t
vG
  1
Tiristor vo
Voltaje de Voltaje de Vs
entrada R salida
Vs vo

  0 t
(a) Tiristor conmutador

SITH vG
A K

 0 t
A vG
   1
GTO K vo
A K Vs
Vs R vo
MCT
G
  0
t1 T
t

(b) GTO/MTO/ETO/IGBT/MCT/SITH conmutador (Para MCT, la polaridad de VG se invierte como se muestra)

vB
1

  0 t
 t1 T
vo
vB Vs
Vs  R vo

  0 t
t1 T
(c) Transistor conmutador

 C
D G
G IGBT vGS
 1
vGS
E
Vs S 0 t
t1 T
vo
 Vs
R
vo


 0 t
t1 T
(d) MOSFET/IGBT conmutado

FIGURA 1.17
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
 TABLA 1.5 $BSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB

5JQP
EF
%JTQPTJUJWP $PNQVFSUB
1VMTP
EF
&ODFOEJEP
"QBHBEP
7PMUBKF
7PMUBKF
$PSSJFOUF
$PSSJFOUF

EJTQPTJUJWP DPOUJOVB DPNQVFSUB DPOUSPMBEP DPOUSPMBEP VOJQPMBS CJQPMBS
VOJEJSFDDJPOBM CJEJSFDDJPOBM

%JPEPT %JPEP
EF
QPUFODJB Y Y
5SBOTJTUPSFT BJT Y Y Y Y Y
.04'&5 Y Y Y Y Y
COOLMOS Y Y Y Y Y
*(#5 Y Y Y Y Y
SIT Y Y Y Y Y
5JSJTUPSFT SCR Y Y Y Y
RCT Y Y Y Y
53*"$ Y Y Y Y
(50 Y Y Y Y Y
MTO Y Y Y Y Y
&50 Y Y Y Y Y
*($5 Y Y Y Y Y
4*5) Y Y Y Y Y
MCT Y Y Y Y Y

27
28 Capítulo 1 Introducción

TABLA 1.6 0QDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
QBSB
EJGFSFOUFT
OJWFMFT
EF
QPUFODJB

0QDJPOFT #BKB
QPUFODJB .FEJBOB
QPUFODJB "MUB
QPUFODJB

3BOHP
EF
QPUFODJB )BTUB

L8 
B

L8 .ÃT
EF

L8
5PQPMPHÎBT
VTVBMFT
EF
DBDE
DEDE
DBDE
DEDE
DEDB DBDE
DEDB

DPOWFSUJEPS
4FNJDPOEVDUPSFT
.04'&5 .04'&5
*(#5 5JSJTUPS
*(#5
*($5
EF
QPUFODJB
UÎQJDPT
5FOEFODJB
EF
MB
UFDOPMPHÎB "MUB
EFOTJEBE
EF
7PMVNFO
Z
QFTPT
"MUB
QPUFODJB
OPNJOBM


QPUFODJB
QFRVFÒPT

EFM
DPOWFSUJEPS
"MUB
FGJDJFODJB #BKP
DPTUP
Z
BMUB
1PUFODJB
EF
BMUB
DBMJEBE


FGJDJFODJB

Z
FTUBCJMJEBE
"QMJDBDJPOFT
UÎQJDBT
%JTQPTJUJWPT
EF
CBKB
7FIÎDVMPT
FMÊDUSJDPT
&OFSHÎB
SFOPWBCMF

QPUFODJB
5FDIPT
GPUPWPMUBJDPT 5SBOTQPSUF
&MFDUSPEPNÊTUJDPT %JTUSJCVDJÓO
EF
QPUFODJB
*OEVTUSJB
Fuente: 3FG

,BTNJFSLPXTLJ
Z
DPMBCPSBEPSFT

TFNJDPOEVDUPSBT
OVFWBT
EF
NBUFSJBMFT
Z
EF
GBCSJDBDJÓO
USBF
BM
NFSDBEP
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT

OVFWPT
DPO
BMUPT
WBMPSFT
EF
QPUFODJB
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
NFKPSBEBT
-PT
EJTQPTJUJWPT
FMFDUSÓOJDPT

EF
QPUFODJB
NÃT
DPNVOFT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
Z
NFEJBOB
QPUFODJB
TPO
MPT
.04'&5
Z
MPT

*(#5
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
*(5
TF
VTBO
QBSB
VO
SBOHP
EF
QPUFODJB
NVZ
BMUP
-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
PQDJPOFT
EF
EJTQPTJUJWPT
QBSB
EJGFSFOUFT
BQMJDBDJPOFT
B
EJGFSFOUFT

OJWFMFT
EF
QPUFODJB
<>
-B
PQDJÓO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EFQFOEFSÃ
EFM
UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FO
USBEB
DB
P
DE
"
NFOVEP
FT
OFDFTBSJP
VUJMJ[BS
NÃT
EF
VOB
FUBQB
EF
DPOWFSTJÓO
1PS
MP
HFOFSBM

DVBOEP
TF
WB
B
TFMFDDJPOBS
VO
EJTQPTJUJWP
TF
TVFMF
UFOFS
QSFTFOUF
MBT
TJHVJFOUFT
SFDPNFOEBDJP
OFT
QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
BUFOEJFOEP
BM
UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB

Con una fuente de entrada de cd:

1.
7FSJGJRVF
TJ
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFO

DJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT

2.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
BEFDVBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
*(#5
QVFEF
TBUJTGB
DFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT
3.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
.04'&5
P
VO
*(#5
EF
QPUFODJB
BQSPQJBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
(50

P
VO
*(#5
QVFEFO
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT

QMBOFBEBT

Con una fuente de entrada de ca:

1.
7FSJGJRVF
TJ
VO
53*"$
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJ

DBDJPOFT
QMBOFBEBT

2.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
53*"$
BEFDVBEP
WFSJGJRVF
TJ
VO
UJSJTUPS
QVFEF
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB

DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
QMBOFBEBT

3.
4J
OP
FODVFOUSB
VO
53*"$
P
VO
UJSJTUPS
BQSPQJBEP
TF
QVFEF
VUJMJ[BS
VO
SFDUJGJDBEPS
EF

EJPEPT
QBSB
DPOWFSUJS
MB
GVFOUF
EF
DB
FO
VOB
GVFOUF
EF
DE
7FSJGJRVF
TJ
VO
.04'&5
P

VO
*(#5
QVFEFO
TBUJTGBDFS
FM
WPMUBKF
MB
DPSSJFOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MBT
BQMJDBDJPOFT

QMBOFBEBT

 1.12 Módulos inteligentes 29

1.11 MÓDULOS DE POTENCIA

)BZ
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EJTQPOJCMFT
DPNP
VOJEBE
TFODJMMB
P
DPNP
NÓEVMP
"
NFOVEP
VO

DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
SFRVJFSF
EPT
DVBUSP
P
TFJT
EJTQPTJUJWPT
TFHÙO
TV
UPQPMPHÎB
1BSB
DBTJ

UPEPT
MPT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
TF
EJTQPOF
EF
NÓEVMPT
EF
QPUFODJB
EPCMFT
FO
DPO
GJHVSBDJÓO
EF
NFEJP
QVFOUF

DVÃESVQMFT
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
DPNQMFUP

P
TÊYUVQMFT

FO
DPOGJHVSBDJÓO
USJGÃTJDB

-PT
NÓEVMPT
PGSFDFO
MB
WFOUBKB
EF
CBKBT
QÊSEJEBT
FO
DPOEVDDJÓO

DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
BMUP
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
Z
WFMPDJEBE
NÃT
BMUB
RVF
MB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
DPOWFO
DJPOBMFT
*ODMVTJWF
BMHVOPT
NÓEVMPT
DVFOUBO
DPO
QSPUFDDJÓO
DPOUSB
USBOTJUPSJPT
Z
DJSDVJUPT
EF

FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB

1.12 MÓDULOS INTELIGENTES

4F
EJTQPOF
DPNFSDJBMNFOUF
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
EF
DPNQVFSUB
QBSB
BDUJWBS
EJTQPTJUJWPT
JO
EJWJEVBMFT
P
NÓEVMPT
-PT
módulos inteligentes
RVF
DPOTUJUVZFO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF

QVOUB
JOUFHSBO
FM
NÓEVMP
EF
QPUFODJB
Z
FM
DJSDVJUP
QFSJGÊSJDP
FM
DVBM
DPOTUB
EF
BJTMBNJFOUP

EF
FOUSBEB
P
TBMJEB
EF
F
JOUFSGB[
DPO
MB
TFÒBM
Z
FM
TJTUFNB
EF
BMUP
WPMUBKF
VO
DJSDVJUP
EF
FYDJ
UBDJÓO
VO
DJSDVJUP
EF
QSPUFDDJÓO
Z
EJBHOÓTUJDP
DPOUSB
DPSSJFOUF
FYDFTJWB
DPSUPDJSDVJUPT
VOB

DBSHB
BCJFSUB
TPCSFDBMFOUBNJFOUP
Z
WPMUBKF
FYDFTJWP

DPOUSPM
EF
NJDSPDPNQVUBEPSB
Z
VOB

BMJNFOUBDJÓO
EF
QPUFODJB
EF
DPOUSPM
-PT
VTVBSJPT
TÓMP
UJFOFO
RVF
DPOFDUBS
MBT
GVFOUFT
EF

QPUFODJB
FYUFSOBT
GMPUBOUFT

6O
NÓEVMP
JOUFMJHFOUF
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
potencia inteli-
gente
&TUPT
NÓEVMPT
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
<>
-B
UFDOPMPHÎB

EF
QPUFODJB
JOUFMJHFOUF
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VOB
DBKB
RVF
DPNVOJDB
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB

DPO
DVBMRVJFS
DBSHB
-B
GVODJÓO
EF
DBKB
EF
DPNVOJDBDJÓO
TF
SFBMJ[B
DPO
DJSDVJUPT
MÓHJDPT
EF

TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
DPNQMFNFOUBSJPT
$.04

EF
BMUB
EFOTJEBE
TV
GVODJÓO

EF
EFUFDDJÓO
Z
QSPUFDDJÓO
DPO
DJSDVJUPT
BOBMÓHJDPT
CJQPMBSFT
Z
DJSDVJUPT
EF
EFUFDDJÓO
Z
TV
GVO
DJÓO
EF
DPOUSPM
EF
QPUFODJB
DPO
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
Z
TVT
DJSDVJUPT
EF
FYDJUBDJÓO
BTPDJB
EPT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
EJBHSBNB
EF
CMPRVFT
GVODJPOBM
EF
VO
TJTUFNB
EF
QPUFODJB

JOUFMJHFOUF
<>

-PT
DJSDVJUPT
BOBMÓHJDPT
TF
VUJMJ[BO
QBSB
DSFBS
MPT
TFOTPSFT
OFDFTBSJPT
QBSB
BVUPQSPUFDDJÓO

Z
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VO
SÃQJEP
MB[P
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO
RVF
TFB
DBQB[
EF
EFUFOFS
FM
GVODJP
OBNJFOUP
EFM
NJDSPQSPDFTBEPS
TJO
DBVTBS
EBÒPT
DVBOEP
MBT
DJSDVOTUBODJBT
EFM
TJTUFNB
FYDFEFO

MBT
DPOEJDJPOFT
OPSNBMFT
EF
GVODJPOBNJFOUP
1PS
FKFNQMP
MPT
NJDSPQSPDFTBEPSFT
EF
QPUFODJB

JOUFMJHFOUFT
TF
EFCFO
EJTFÒBS
QBSB
RVF
EFKFO
EF
GVODJPOBS
TJO
RVF
TVGSBO
EBÒPT
DVBOEP
PDVSSF

VO
DPSUPDJSDVJUP
B
USBWÊT
EF
VOB
DBSHB
DPNP
FM
EFWBOBEP
EF
VO
NPUPS
$PO
UFDOPMPHÎB
EF
QP
UFODJB
JOUFMJHFOUF
TF
NPOJUPSFB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
Z
FM
WPMUBKF
RVF
FYDJUB
MPT
DPONVUBEPSFT

EF
QPUFODJB
TF
DPSUB
TJFNQSF
RVF
TPCSFQBTF
VO
MÎNJUF
QSFFTUBCMFDJEP
"EFNÃT
EF
MP
BOUFSJPS
TF

TVFMFO
JODMVJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
QSPUFDDJÓO
DPOUSB
TPCSFDPSSJFOUF
DPNP
TPCSFWPMUBKF
Z
TPCSF
DBMFOUBNJFOUP
QBSB
FWJUBS
GBMMBT
EFTUSVDUJWBT
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
FOVNFSBO
BMHVOPT
GBCSJDBOUFT

EF
EJTQPTJUJWPT
Z
NÓEVMPT
BTÎ
DPNP
TVT
TJUJPT
8FC

"EWBODFE
1PXFS
5FDIOPMPHZ
*OD XXXBEWBODFEQPXFSDPN

"##
4FNJDPOEVDUPST XXXBCCTFNDPN
#IBSBU
)FBWZ
&MFDUSJDBMT
-UE IUUQXXXCIMFEODPN
$PNQPVOE
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXDPNQPVOETFNJDPOEVDUPSOFU
$PMMNFS
4FNJDPOEVDUPS
*OD XXXDPMMNFSDPN
$SFF
1PXFS IUUQXXXDSFFDPN
%ZOFY
4FNJDPOEVDUPS XXXEZOFYTFNJDPN
&VQFD XXXFVQFDDPNQJOEFYIUN
'BJSDIJME
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXGBJSDIJMETFNJDPN
30 Capítulo 1 Introducción

Tecnología de potencia inteligente

Transistores de potencia bipolares

Dispositivos MOSFETs de potencia

de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada
Control de
potencia Tiristores controlados por MOS

Circuitos de 30-V CMOS

excitación
Desplazamiento de nivel de alto voltaje

Fuente de
potencia Carga
Circuitos Transistores bipolares de alta velocidad
analógicos
Amplificadores operacionales
Detección y
protección
Sobrevoltaje/subvoltaje
Circuitos de
detección Sobretemperatura

Sobrecorriente/sin carga

Circuitos
Interfaz lógicos CMOS de alta densidad

FIGURA 1.18
%JBHSBNB
EF
CMPRVFT
GVODJPOBM
EF
VOB
QPUFODJB
JOUFMJHFOUF
<3FG

+
#BMJHB>

'.$$
&6301& IUUQXXXGNDDHSPVQDPN
'VKJ
&MFDUSJD XXXGVKJFMFDUSJDDPKQFOHEFOTIJTDEJOEFYIUN
)BSSJT
$PSQ XXXIBSSJTDPN
)JUBDIJ
-UE
1PXFS
%FWJDFT XXXIJUBDIJDPKQQTF
)POEB
3%
$P
-UE IUUQXPSMEIPOEBDPN
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT XXXJOGFOFPODPN
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS XXXJSGDPN
.BSDPOJ
&MFDUSPOJD
%FWJDFT
*OD XXXNBSDPOJDPN
.JDSPTFNJ
$PSQPSBUJPO IUUQXXXNJDSPTFNJDPN
.JUTVCJTIJ
4FNJDPOEVDUPST XXXNJUTVCJTIJFMFDUSJDDPN
.JUFM
4FNJDPOEVDUPST XXXNJUFMTFNJDPN
.PUPSPMB
*OD XXXNPUPSPMBDPN
/BUJPOBM
4FNJDPOEVDUPST
*OD XXXOBUJPOBMDPN
/JIPO
*OUFSOBUJPOBM
&MFDUSPOJDT
$PSQ XXXBCCTFNDPNFOHMJTITBMFTCIUN
0O
4FNJDPOEVDUPS XXXPOTFNJDPN
1IJMMJQT
4FNJDPOEVDUPST XXXTFNJDPOEVDUPSTQIJMMJQTDPNDBUBMPH
1PXFS
*OUFHSBUJPOT XXXQPXFSJOUDPN
1PXFSFY
*OD XXXQXSYDPN
1PXFS
5FDI
*OD XXXQPXFSUFDIDPN
 1.13 Diarios y conferencias sobre electrónica de potencia 31

3$"
$PSQ XXXSDBDPN
3PDLXFMM
"VUPNBUJPO IUUQXXXBCDPN
3PDLXFMM
*OD XXXSPDLFMMDPN
3FMJBODF
&MFDUSJD XXXSFMJBODFDPN
3FOFTBT
&MFDUSPOJDT
$PSQPSBUJPO IUUQXXXSFOFTBTDPN
4JFNFOT XXXTJFNFOTDPN
4JMJDPO
1PXFS
$PSQ XXXTJMJDPOQPXFSDPN
4FNJLSPO
*OUFSOBUJPOBM XXXTFNJLSPODPN
4FNFMBC
-JNJUT IUUQXXXTFNFMBCUUDPN
4JMJDPOJY
*OD XXXTJMJDPOJYDPN
5PLJO
*OD XXXUPLJODPN
5PTIJCB
"NFSJDB
&MFDUSPOJD
$PNQPOFOUT

*OD XXXUPTIJCBDPNUBFD
5SBO4J$
4FNJDPOEVDUPS IUUQXXXUSBOTJDDPN
6OJUSPEF
*OUFHSBUFE
$JSDVJUT
$PSQ
XXXVOJUSPEFDPN
8FTUDPEF
4FNJDPOEVDUPST
-UE XXXXFTUDPEFDPNXTQSPEIUNM
:PMF
%FWFMPQNFOU IUUQXXXZPMFGS

1.13 DIARIOS Y CONFERENCIAS SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

&YJTUFO
NVDIBT
SFWJTUBT
QSPGFTJPOBMFT
Z
DPOGFSFODJBT
EPOEF
TF
QVCMJDBO
MPT
OVFWPT
EFTBSSPMMPT

FMJCSBSZ
Explore
EFM
*OTUJUVUF
PG
&MFDUSJDBM
BOE
&MFDUSPOJDT
&OHJOFFST
*&&&

FT
VOB
FYDFMFOUF

IFSSBNJFOUB
QBSB
FODPOUSBS
BSUÎDVMPT
QVCMJDBEPT
FO
MPT
EJBSJPT
Z
SFWJTUBT
EFM
*&5
Z
FO
MBT
SFWJT
UBT
EFM
*&&&
BTÎ
DPNP
FO
DPOGFSFODJBT
QBUSPDJOBEBT
"MHVOPT
EF
FMMPT
TPO

*&&&
F@-JCSBSZ IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Industrial Electronic Magazine IUUQJFFFJFTPSHJOEFYQIQQVCTNBHB[JOF
IEEE Industry Applications Magazine IUUQNBHB[JOFJFFFQFTPSH
IEEE Power & Energy Magazine IUUQJFFFYQMPSFJFFFPSH
IEEE Transactions on Aerospace Systems XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industrial Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Industry Applications XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Delivery XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Power Electronics XXXJFFFPSH
IEEE Transactions on Electric Power XXXJFUPSH1VCMJTI
"QQMJFE
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
"1&$
M

&VSPQFBO
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
&1&$

*&&&
*OEVTUSJBM
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
*&$0/

*&&&
*OEVTUSZ
"QQMJDBUJPOT
4PDJFUZ
*"4

"OOVBM
.FFUJOH
*OUFSOBUJPOBM
$POGFSFODF
PO
&MFDUSJDBM
.BDIJOFT
*$&.

*OUFSOBUJPOBM
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POGFSFODF
*1&$

*OUFSOBUJPOBM
1PXFS
&MFDUSPOJDT
$POHSFTT
$*&1

*OUFSOBUJPOBM
5FMFDPNNVOJDBUJPOT
&OFSHZ
$POGFSFODF
*/5&-&$

1PXFS
$POWFSTJPO
*OUFMMJHFOU
.PUJPO
1$*.

1PXFS
&MFDUSPOJDT
4QFDJBMJTU
$POGFSFODF
1&4$

32 Capítulo 1 Introducción

RESUMEN
"
NFEJEB
RVF
MB
UFDOPMPHÎB
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
Z
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
BWBO[B

FM
QPUFODJBM
QBSB
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
BNQMÎB
DBEB
WF[
NÃT
:B
TF

EJTQPOF
DPNFSDJBMNFOUF
EF
NVDIPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TJO
FNCBSHP

FM
EFTBSSPMMP
FO
FTUB
EJSFDDJÓO
DPOUJOÙB
1PS
MP
DPNÙO
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
DMB
TJGJDBO
FO
TFJT
DBUFHPSÎBT


SFDUJGJDBEPSFT


DPOWFSUJEPSFT
DBDE


DPOWFSUJEPSFT
DBDB

DPOWFSUJEPSFT
DEDE


DPOWFSUJEPSFT
DEDB
Z


DPONVUBEPSFT
FTUÃUJDPT
&M
EJTFÒP
EF
DJSDVJ
UPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
SFRVJFSF
B
TV
WF[
FM
EJTFÒP
EF
DJSDVJUPT
EF
DPOUSPM
Z
QPUFODJB
-PT

BSNÓOJDPT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
HFOFSBEPT
QPS
MPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
SFEVDJS

P
NJOJNJ[BS

DPO
VOB
FMFDDJÓO
BQSPQJBEB
EF
MB
FTUSBUFHJB
EF
DPOUSPM

REFERENCIAS
[1] $BSSPMM
&*


i1PXFS
&MFDUSPOJDT
XIFSF
OFYU u
Power Engineering Journal
EJDJFNCSF




[2] #FSOFU
4


i3FDFOU
EFWFMPQNFOUT
PG
IJHI
QPXFS
DPOWFSUFST
GPS
JOEVTUSZ
BOE
USBDUJPO
BQQMJDB
UJPOTu
IEEE Transactions on Power Electronics
7PM

OÙN

OPWJFNCSF



[3]
)PGU
3(


Semiconductor Power Electronics
/VFWB
:PSL
7BO
/PTUSBOE
3FJOIPME

[4] (BEJ
,


i1PXFS
&MFDUSPOJDT
JO
BDUJPOu
IEEE Spectrum
KVMJP



[5]
#BMJHB
+


i1PXFS
*$T
JO
UIF
EBEEMFu
IEEE Spectrum
KVMJP



[6] “1PXFS
&MFDUSPOJD
#PPLTu


SMPS Technology, Knowledge Base
NBS[P
XXXTNQTUFDIDPN
CPPLTCPPLMJTUIUN
[7]
8BOH
+
"
2
)VBOH
8
4VOH
:
-J
Z
#
+
#BMJHB


i4NBSU
HSJE
UFDIOPMPHJFT
%FWFMPQNFOU

PG

L7
4J$
*(#5T
BOE
UIFJS
JNQBDU
PO
VUJMJUZ
BQQMJDBUJPOTu
IEEE Industrial Electronics Magazine
7PM


OÙN

KVOJP



[8] ,B[NJFSLPXTLJ
.
1
-
(
'SBORVFMP
+
3PESJHVF[
.
"
1FSF[
Z
+
*
-FPO


i)JHI
QFSGPS
NBODF
NPUPS
ESJWFTu
IEEE Industrial Electronics Magazine
TFQUJFNCSF



[9]
i.PEVMF1PXFS
4FNJDPOEVDUPS
%FWJDFT
7FSTJPO
u
EE, IIT
,IBSBHQVS

[10] 1BVMJEFT
+
+
)
+
8
+BOTFO
-
&ODJDB
&
"
-PNPOPWB
Z
.
4NJU


i)VNBOQPXFSFE

TNBMMTDBMF
HFOFSBUJPO
TZTUFN
GPS
B
TVTUBJOBCMF
EBODF
DMVCu
IEEE Industry Applications Magazine
TFQ
UJFNCSFPDUVCSF



[11]
i1PXFS4J$
4JMJDPO
DBSCJEF
EFWJDFT
GPS
QPXFS
FMFDUSPOJDT
NBSLFU
4UBUVT

GPSFDBTUTu


Yole
Development
-ZPO
'SBODJB
IUUQXXXZPMFGS
"DDFTBEP
FO
TFQUJFNCSF
EF


[12] 3BCLPXTLJ
+
%
1FGUJTJT
Z
)
/FF


i4JMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
USBOTJTUPST
"
OFX
FSB
JO
QPXFS

FMFDUSPOJDT
JT
JOJUJBUFEu
IEEE Industrial Electronics Magazine
KVOJP



[13]
1BMNPVS
+
8


i)JHI
WPMUBKF
TJMJDPO
DBSCJEF
QPXFS
EFWJDFTu
QSFTFOUBEP
FO
VO
TFNJOBSJP
EF

"31"&
1PXFS
5FDIOPMPHJFT
"SMJOHUPO
7"
FM

EF
GFCSFSP

[14] 3ZV
4
)
4
,SJTIOBTXBNJ
#
)VMM
+
3JDINPOE
"
"HBSXBM
Z
"
)FGOFS


iL7
"

)4J$
QPXFS
%.04'&5u Proceedings of the IEEE International Symposium on Power Semiconductor
Devices and IC’s (ISPSD’06

/ÃQPMFT
*UBMJB
KVOJP



[15]
%BT
.
2
;IBOH
3
$BMMBOBO
Z
DPMBCPSBEPSFT


i"
L7
)4J$
/DIBOOFM
*(#5
XJUI

MPX
3EJGG
PO
BOE
GBTU
TXJUDIJOHu
Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and
Related Materials (ICSCRM’07

,JPUP
+BQÓO
PDUVCSF

 Problemas 33

PREGUNTAS DE REPASO
1.1 y2VÊ
FT
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.2 y$VÃMFT
TPO
MPT
WBSJPT
UJQPT
EF
UJSJTUPSFT
1.3 y2VÊ
FT
VO
DJSDVJUP
EF
DPONVUBDJÓO
1.4 y$VÃMFT
TPO
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
RVF
VO
UJSJTUPS
DPOEV[DB

1.5 y$ÓNP
TF
QVFEF
BQBHBS
VO
UJSJTUPS
RVF
FTUÃ
FO
NPEP
EF
DPOEVDDJÓO
1.6 y2VÊ
FT
MB
DPONVUBDJÓO
FO
MÎOFB
1.7 y2VÊ
FT
VOB
DPONVUBDJÓO
GPS[BEB
1.8 y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
VO
UJSJTUPS
Z
VOB
53*"$
1.9 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
(50
1.10 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
.50
1.11 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
&50
1.12 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
*($5
1.13 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
P
CMPRVFP
EF
VO
UJSJTUPS
1.14 y2VÊ
FT
VO
DPOWFSUJEPS
1.15 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DE
1.16 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DB
1.17 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DE
B
DE
1.18 y$VÃM
FT
FM
QSJODJQJP
EF
DPOWFSTJÓO
EF
DE
B
DB
1.19 y$VÃMFT
TPO
MPT
QBTPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
EJTFÒP
EF
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.20 y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
QFSJGÊSJDPT
EFM
FRVJQP
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1.21 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
(50T
Z
MPT
UJSJTUPSFT
1.22 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
1.23 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPOUSPM
EF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
1.24 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
*(#5
1.25 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
.$5
1.26 y$VÃM
FT
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
DPOUSPM
EF
VO
4*5
1.27 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
#+5
Z
MPT
*(#5

1.28 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
.$5
Z
MPT
(50
1.29 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
MPT
4*5)
Z
MPT
(50
1.30 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
DPOWFSTJÓO
Z
TVT
TÎNCPMPT
1.31 y$VÃMFT
TPO
MPT
CMPRVFT
QSJODJQBMFT
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
UÎQJDP
1.32 y$VÃMFT
TPO
MPT
UFNBT
RVF
EFCFO
BCPSEBSTF
FO
FM
EJTFÒP
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
1.33 y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
EF
4J$
TPCSF
MPT
EF
4J
1.34 y$VÃMFT
TPO
MBT
SFHMBT
QBSB
TFMFDDJPOBS
VO
EJTQPTJUJWP
QBSB
EJGFSFOUFT
BQMJDBDJPOFT

PROBLEMAS
1.1 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
B
FT
IP = 
"
4J
To =

NT
Z
FM
QFSJPEP
T =
NT
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
SNT

IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.2 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
C
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF

MB
DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.3 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
D
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF

MB
DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.4 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
E
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
34 Capítulo 1 Introducción

1.5 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
FT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB
F
4J
Ia = 
"
Ib =

"
Z
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

1.6 &M
WBMPS
QJDP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
DPNP
TF
NVFT
USB
FO
MB
GJHVSB
G
FT
IP = 
"
4J
FM
DJDMP
EF
USBCBKP
k =

Z
FM
QFSJPEP
T =

NT
DBMDVMF
MB

DPSSJFOUF
SNT
IRMS
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP

 PARTE I Diodos de potencia
y rectificadores

C A P Í T U L O 2

Diodos de potencia
y circuitos RLC conmutados

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente:

r
&YQMJDBS
MBT
QSJODJQBMFT
GVODJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
EJPEP
Z
TVT
NPEFMPT
EF
DJSDVJUP


r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
&YQMJDBS
FM
GVODJPOBNJFOUP
FO
TFSJF
Z
FO
QBSBMFMP
EF
EJPEPT


r
%FSJWBS
FM
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP


r
&YQMJDBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB


r
$BMDVMBS
MB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT


r
$BMDVMBS
MPT
WPMUBKFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MPT
UFSNJOBMFT
EFM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RC
Z
MB
DBOUJ-
EBE
EF
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
MBT
DPSSJFOUFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
MPT
UFSNJOBMFT
FM
JOEVDUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RL
Z
MB
DBOUJ-
EBE
EF
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
MPT
WPMUBKFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
LC
Z
MB
DBOUJEBE
EF
FOFSHÎB

BMNBDFOBEB


r
$BMDVMBS
FM
WPMUBKF
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
DBQBDJUPS
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
Z
MB
DBOUJEBE
EF
FOFSHÎB

BMNBDFOBEB


r
%FUFSNJOBS
MBT
EFSJWBEBT
JOJDJBMFT
di/dt
Z
dv/dt
EF
DJSDVJUPT
RLC

Símbolos y sus significados

Símbolo Significado
iD, υD $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFPT
FO
VO
EJPEP
SFTQFDUJWBNFOUF
i(t), iS(t) $PSSJFOUF
Z
DPSSJFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
JOTUBOUÃOFBT
SFTQFDUJWBNFOUF
ID, VD $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
FO
VO
EJPEP
EF
DE
SFTQFDUJWBNFOUF
IS $PSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

IO $PSSJFOUF
EF
TBMJEB
EF
FTUBEP
FTUBCMF
IS1, IS2 $PSSJFOUFT
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

EF
MPT
EJPEPT
%1
Z
%2,
SFTQFDUJWBNFOUF
IRR $PSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr 5JFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
(continúa)
35
36 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

(continuación)
Símbolo Significado
VT 7PMUBKF
UÊSNJDP
VD1, VD2 $BÎEBT
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
%1
Z
%2
SFTQFDUJWBNFOUF
VBR, VRM 7PMUBKFT
EF
SVQUVSB
JOWFSTP
Z
SFQFUJUJWP
NÃYJNP
SFTQFDUJWBNFOUF
υR, υC, υL 7PMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
B
USBWÊT
EF
VO
SFTJTUPS
VO
DBQBDJUPS
DPOEFOTBEPS


Z
VO
JOEVDUPS
SFTQFDUJWBNFOUF
VCO, υs, VS 7PMUBKFT
JOJDJBMFT
JOTUBOUÃOFP
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE

FO
VO
DBQBDJUPS
SFTQFDUJWBNFOUF
QRR $BSHB
JOWFSTB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
T $POTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
n $POTUBOUF
EF
FNJTJÓO
FNQÎSJDB

2.1 INTRODUCCIÓN
4F
IBO
FODPOUSBEP
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
QBSB
MPT
EJPEPT
FO
DJSDVJUPT
EF
JOHFOJFSÎB
FMFDUSÓOJDB

Z
FMÊDUSJDB
-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
EFTFNQFÒBO
VO
SPM
JNQPSUBOUF
FO
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF

QPUFODJB
QBSB
MB
DPOWFSTJÓO
EF
FOFSHÎB
FMÊDUSJDB
&O
FTUF
DBQÎUVMP
TF
BOBMJ[BO
BMHVOPT
DJSDVJUPT

B
CBTF
EF
EJPEPT
RVF
DPNÙONFOUF
TF
VUJMJ[BO
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
QBSB
FM
NBOFKP
EF

QPUFODJB

6O
EJPEP
BDUÙB
DPNP
DPONVUBEPS
QBSB
SFBMJ[BS
WBSJBT
GVODJPOFT
QPS
FKFNQMP
DPNP
DPONV-
UBEPSFT
FO
SFDUJGJDBEPSFT
DPOEVDDJÓO
MJCSF
FO
SFHVMBEPSFT
EF
DPONVUBDJÓO
JOWFSTJÓO
EF
DBSHB
FO

VO
DBQBDJUPS
Z
USBOTGFSFODJB
EF
FOFSHÎB
FOUSF
DPNQPOFOUFT
BJTMBNJFOUP
EF
WPMUBKF
SFUSPBMJNFOUB-
DJÓO
EF
FOFSHÎB
EFTEF
MB
DBSHB
B
MB
GVFOUF
EF
QPUFODJB
Z
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
BUSBQBEB

-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
DPONVUBEPSFT
JEFBMFT
QBSB
MB
NBZPSÎB

EF
MBT
BQMJDBDJPOFT
BVORVF
MPT
EJPEPT
QSÃDUJDPT
TF
BQBSUBO
EF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
JEFBMFT
Z
UJFOFO

DJFSUBT
MJNJUBDJPOFT
-PT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TPO
TJNJMBSFT
B
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM
EF
VOJÓO
pn
/P

PCTUBOUF
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
QPTFFO
NBZPSFT
DBQBDJEBEFT
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
WPMUBKF
Z

DPSSJFOUF
RVF
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM
PSEJOBSJPT
-B
SFTQVFTUB
B
MB
GSFDVFODJB
P
WFMPDJEBE
EF
DPO-
NVUBDJÓO

FT
CBKB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EF
MPT
EJPEPT
EF
TFÒBM

-PT
JOEVDUPSFT
L
Z
MPT
DBQBDJUPSFT
C
TPO
FMFNFOUPT
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
Z
QPS

MP
DPNÙO
TF
VUJMJ[BO
FO
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
1BSB
DPOUSPMBS
MB
DBOUJEBE
EF
USBOTGF-
SFODJB
EF
FOFSHÎB
FO
VO
DJSDVJUP
TF
VUJMJ[B
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB
6O
QSFSSF-
RVJTJUP
QBSB
FOUFOEFS
FM
GVODJPOBNJFOUP
EF
MPT
TJTUFNBT
Z
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
FT

UFOFS
VOB
DMBSB
DPNQSFOTJÓO
EF
MPT
DPNQPSUBNJFOUPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
DJSDVJUPT
RC, RL,
LC Z
RLC
&O
FTUF
DBQÎUVMP
VUJMJ[BSFNPT
VO
EJPEP
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
VO
DPONVUBEPS
QBSB

FYQPOFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
B
MB
WF[
RVF
BOBMJ[BSFNPT
DJSDVJUPT
EF

DPONVUBDJÓO
RVF
DPOTUFO
EF
R, L Z
C
&M
EJPEP
QFSNJUF
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
VOJEJSFDDJPOBM
Z

FM
DPONVUBEPS
SFBMJ[B
MBT
GVODJPOFT
EF
DPOEVDDJÓO
Z
CMPRVF

2.2 LO BÁSICO DE LOS SEMICONDUCTORES

-PT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
GBCSJDBO
DPO
TJMJDJP
NPOPDSJTUBMJOP
EF
BMUB
QV-
SF[B
4F
QSPEVDFO
DSJTUBMFT
EF
WBSJPT
NFUSPT
EF
MBSHP
Z
DPO
FM
EJÃNFUSP
SFRVFSJEP
EF
IBTUB


NN

FO
IPSOPT
EFOPNJOBEPT
EF
zona de flotación
%F
DBEB
FOPSNF
DSJTUBM
TF
SFCBOBO

EFMHBEBT
PCMFBT
MBT
DVBMFT
TF
TPNFUFO
MVFHP
B
OVNFSPTPT
QBTPT
EF
QSPDFTBNJFOUP
QBSB
DPOWFS-
UJSMBT
FO
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB

 2.2 Lo básico de los semiconductores 37

TABLA 2.1 1

BSUF
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
RVF
NVFTUSB
MPT
FMFNFOUPT
VUJMJ[BEPT
FO
NBUFSJBMFT

TFNJDPOEVDUPSFT

(SVQP

1FSJPEP ** *** *7 V 7*
2 B $ / O
#PSP $BSCÓO /JUSÓHFOP 0YÎHFOP
3 "M SJ 1 4
"MVNJOJP 4JMJDJP 'ÓTGPSP "[VGSF
4 ;O (B (F "T 4F
$JOD (BMJP (FSNBOJP "STÊOJDP 4FMFOJP
5 $E *O 4O 4O 5F
$BENJP *OEJP &TUBÒP "OUJNPOJP 5FMVSJP
6 )H
.FSDVSJP
4FNJDPOEVDUPSFT
4J
FMFNFOUBMFT 4JMJDJP
(F
(FSNBOJP
4FNJDPOEVDUPSFT
4J$
(B"T

DPNQVFTUPT $BSCVSP
EF
TJMJDJP "STFOJVSP
EF
HBMJP
4J(F

(FSNBOJP
EF
TJMJDJP

-PT
TFNJDPOEVDUPSFT
NÃT
DPNÙONFOUF
VUJMJ[BEPT
TPO
FM
TJMJDJP
Z
FM
HFSNBOJP
<>
(SVQP

*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB


Z
FM
BSTFOJVSP
EF
HBMJP
(SVQP
7

-PT

NBUFSJBMFT
EF
TJMJDJP
DVFTUBO
NFOPT
RVF
MPT
EF
HFSNBOJP
Z
QFSNJUFO
RVF
MPT
EJPEPT
PQFSFO
B

BMUBT
UFNQFSBUVSBT
SB[ÓO
QPS
MB
DVBM
SBSB
WF[
TF
VUJMJ[BO
MPT
EJPEPT
EF
HFSNBOJP

&M
TJMJDJP
QFSUFOFDF
BM
HSVQP
*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB
EF
FMFNFOUPT
FT
EFDJS
RVF
UJFOF

DVBUSP
FMFDUSPOFT
QPS
ÃUPNP
FO
TV
ÓSCJUB
FYUFSOB
6O
NBUFSJBM
EF
TJMJDJP
QVSP
TF
DPOPDF
DPNP

semiconductor intrínseco
DPO
VOB
SFTJTUJWJEBE
RVF
FT
EFNBTJBEP
CBKB
QBSB
TFS
VO
BJTMBEPS
Z
EF-
NBTJBEP
BMUB
QBSB
TFS
VO
DPOEVDUPS
5JFOF
BMUB
SFTJTUJWJEBE
Z
NVZ
BMUB
SFTJTUFODJB
EJFMÊDUSJDB
EF

NÃT
EF

L7DN

-B
SFTJTUJWJEBE
EF
VO
TFNJDPOEVDUPS
JOUSÎOTFDP
Z
TVT
QPSUBEPSFT
EF
DBSHB

RVF
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
QBSB
DPOEVDDJÓO
QVFEFO
DBNCJBSTF
GPSNBSTF
FO
DBQBT
Z
graduarse
NF-
EJBOUF
MB
JNQMBOUBDJÓO
EF
JNQVSF[BT
FTQFDÎGJDBT
"M
QSPDFTP
EF
BHSFHBS
JNQVSF[BT
TF
MF
MMBNB

dopado
FM
DVBM
JNQMJDB
RVF
TF
BHSFHVF
VO
TPMP
ÃUPNP
EF
MB
JNQVSF[B
QPS
NÃT
EF
VO
NJMMÓO
EF

ÃUPNPT
EF
TJMJDJP
"QMJDBOEP
EJGFSFOUFT
JNQVSF[BT
OJWFMFT
Z
GPSNBT
EF
EPQBEP
BMUB
UFDOPMPHÎB

EF
GPUPMJUPHSBGÎB
DPSUF
DPO
MÃTFS
HSBCBEP
BJTMBNJFOUP
Z
FNQBRVFUBEP
TF
QSPEVDFO
EJTQPTJ-
UJWPT
EF
QPUFODJB
UFSNJOBEPT
B
QBSUJS
EF
WBSJBT
FTUSVDUVSBT
EF
DBQBT
TFNJDPOEVDUPSBT
UJQP
n
Z

UJQP
p

r
Material tipo n
4J
FM
TJMJDJP
QVSP
TF
EPQB
DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
VO
FMFNFOUP
EFM

HSVQP
*7
DPNP
GÓTGPSP
BSTÊOJDP
P
BOUJNPOJP
DBEB
ÃUPNP
EFM
dopante
GPSNB
VO
FOMBDF

DPWBMFOUF
EFOUSP
EF
MB
SFE
DSJTUBMJOB
EFM
TJMJDJP
Z
EFKB
VO
FMFDUSÓO
TVFMUP
&TUPT
FMFDUSPOFT

TVFMUPT
BVNFOUBO
FO
HSBO
NFEJEB
MB
DPOEVDUJWJEBE
EFM
NBUFSJBM
$VBOEP
FM
TJMJDJP
TF
EPQB

MFWFNFOUF
DPO
VOB
JNQVSF[B
DPNP
FM
GÓTGPSP
FM
EPQBEP
TF
EFOPUB
DPNP
dopado n
Z
FM

NBUFSJBM
SFTVMUBOUF
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo n
$VBOEP
TF
EPQB
NVDIP
TF
EF-
OPUB
DPNP
EPQBEP
n+
Z
FM
NBUFSJBM
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo n+

38 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

r
Material tipo p: 4J
FM
TJMJDJP
QVSP
TF
EPQB
DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
VO
FMFNFOUP
EFM

HSVQP
***
DPNP
CPSP
HBMJP
P
JOEJP
TF
JOUSPEVDF
VO
MVHBS
WBDÎP
MMBNBEP
hueco
FO
MB
SFE

DSJTUBMJOB
EFM
TJMJDJP
"OÃMPHP
B
VO
FMFDUSÓO
VO
IVFDP
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
VO
QPSUBEPS

EF
DBSHB
NÓWJM
ZB
RVF
QVFEF
TFS
PDVQBEP
QPS
VO
FMFDUSÓO
BEZBDFOUF
FM
RVF
B
TV
WF[
EFKB

VO
IVFDP
EFUSÃT
&TUPT
IVFDPT
JODSFNFOUBO
FO
HSBO
NFEJEB
MB
DPOEVDUJWJEBE
EFM
NBUFSJBM

$VBOEP
FM
TJMJDJP
TF
EPQB
MFWFNFOUF
DPO
VOB
JNQVSF[B
DPNP
FM
CPSP
FM
EPQBEP
TF
EFOP-
NJOB
dopado p
Z
FM
NBUFSJBM
SFTVMUBOUF
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo p
4J
TF
EPQB

GVFSUFNFOUF
TF
EFOPNJOB
EPQBEP
p+
Z
FM
NBUFSJBM
TF
DPOPDF
DPNP
semiconductor tipo p+

1PS
DPOTJHVJFOUF
IBZ
FMFDUSPOFT
MJCSFT
EJTQPOJCMFT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
n
Z
IVFDPT
MJCSFT
EJT-
QPOJCMFT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
p
&O
VO
NBUFSJBM
UJQP
p
MPT
IVFDPT
TF
EFOPNJOBO
QPSUBEPSFT

NBZPSJUBSJPT
Z
MPT
FMFDUSPOFT
TF
EFOPNJOBO
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
&O
FM
NBUFSJBM
UJQP
n
MPT

FMFDUSPOFT
SFDJCFO
FM
OPNCSF
EF
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
MPT
IVFDPT
FM
EF
QPSUBEPSFT
NJOPSJ-
UBSJPT
&TUPT
QPSUBEPSFT
TF
HFOFSBO
EF
GPSNB
DPOUJOVB
QPS
MB
BHJUBDJÓO
UÊSNJDB
TF
DPNCJOBO
Z

SFDPNCJOBO
TFHÙO
TV
UJFNQP
EF
WJEB
Z
BMDBO[BO
VOB
EFOTJEBE
EF
FRVJMJCSJP
EF
QPSUBEPSFT
EF

BQSPYJNBEBNFOUF
10
B
13DN3
FO
VO
SBOHP
EF
P$ B
P$
1PS
UBOUP
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP

BQMJDBEP
QVFEF
IBDFS
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
n
P
UJQP
p
&M
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

NBUFSJBM
DPNQVFTUP
EFM
(SVQP
*7
EF
MB
UBCMB
QFSJÓEJDB

FT

VO
OVFWP
NBUFSJBM
QSPNFUFEPS
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUB
UFNQFSBUVSB
<>
&M

4J$
UJFOF
VOB
BODIB
CBOEB
QSPIJCJEB
P
CSFDIB
FOFSHÊUJDB
FT
EFDJS
MB
FOFSHÎB
OFDFTBSJB
QBSB

FYDJUBS
MPT
FMFDUSPOFT
EF
MB
CBOEB
EF
WBMFODJB
EFM
NBUFSJBM
IBDJB
MB
CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
-PT

FMFDUSPOFT
EFM
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
DBTJ
USFT
WFDFT
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
BMDBO[BS
MB
CBOEB

EF
DPOEVDDJÓO
RVF
FM
TJMJDJP
&O
DPOTFDVFODJB
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
TPQPSUBO

WPMUBKFT
Z
UFNQFSBUVSBT
NVDIP
NÃT
BMUPT
RVF
TVT
DPOUSBQBSUFT
EF
TJMJDJP
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

TJMJDJP
QPS
FKFNQMP
OP
QVFEFO
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT
EF
NÃT
EF

L7DN
.JFOUSBT
RVF

MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
SFRVJFSFO
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
TFS
FNQVKBEPT
IBDJB
MB
CBOEB

EF
DPOEVDDJÓO
FM
NBUFSJBM
QVFEF
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT
NVDIP
NÃT
JOUFOTPT
IBTUB


WFDFT
FM
NÃYJNP
QBSB
FM
TJMJDJP
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT

EJNFOTJPOFT
RVF
VOP
EF
TJMJDJP
QFSP
QVFEF
TPQPSUBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
*ODMVTJWF
VO
EJTQPTJUJWP

EF
4J$
QVFEF
UFOFS
VO
FTQFTPS
EF
NFOPT
EF
VO
EÊDJNP
EFM
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP

TPQPSUB
FM
NJTNP
WPMUBKF
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFMHBEPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
UJFOFO
NFOPT
SF-
TJTUFODJB
MP
RVF
TJHOJGJDB
NFOPS
FOFSHÎB
QÊSEJEB
FO
GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJPEP
P
USBOTJTUPS

EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE

Puntos clave de la sección 2.2

r
4F
PCUJFOFO
FMFDUSPOFT
P
IVFDPT
BHSFHBOEP
JNQVSF[BT
BM
TJMJDJP
P
HFSNBOJP
QVSP
QPS

NFEJP
EF
VO
QSPDFTP
EF
EPQBKF
-PT
FMFDUSPOFT
TPO
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FO
FM
NB-
UFSJBM
UJQP
n
FO
UBOUP
RVF
MPT
IVFDPT
TPO
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FO
VO
NBUFSJBM
UJQP
p

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP
QVFEF
IBDFS
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
FO

VO
NBUFSJBM
UJQP
n
P
UJQP
p

2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

6O
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
VO
EJTQPTJUJWP
EF
VOJÓO
pn
EF
EPT
UFSNJOBMFT
< >
Z
OPSNBMNFOUF
VOB

VOJÓO
pn
TF
GPSNB
QPS
BMFBDJÓO
EJGVTJÓO
Z
DSFDJNJFOUP
FQJUBYJBM
-BT
UÊDOJDBT
NPEFSOBT
EF

DPOUSPM
FO
MPT
QSPDFTPT
EF
EJGVTJÓO
Z
DSFDJNJFOUP
FQJUBYJBM
QFSNJUFO
PCUFOFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT

EFTFBEBT
FO
FM
EJTQPTJUJWP
-B
GJHVSB

NVFTUSB
VOB
WJTUB
EF
DPSUF
EF
VOB
VOJÓO
pn
Z
FM
TÎNCPMP

EF
EJPEP

 2.3 Características del diodo 39

Ánodo Cátodo Ánodo Cátodo

p n
iD iD
D1

vD vD
   

(a) Unión pn (b) Símbolo de diodo

FIGURA 2.1
6OJÓO
pn
Z
TÎNCPMP
EF
EJPEP

$VBOEP
FM
QPUFODJBM
EFM
ÃOPEP
FT
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
BM
DÃUPEP
TF
EJDF
RVF
FM
EJPEP
FTUÃ

QPMBSJ[BEP
EJSFDUP
Z
FM
EJPEP
DPOEVDF
6O
EJPEP
RVF
DPOEVDF
UJFOF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP

SFMBUJWBNFOUF
QFRVFÒB
B
USBWÊT
EF
ÊM
MB
NBHOJUVE
EF
FTUB
DBÎEB
EFQFOEF
EFM
QSPDFTP
EF
GBCSJ-
DBDJÓO
Z
EF
MB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO
$VBOEP
FM
QPUFODJBM
EFM
DÃUPEP
FT
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP

BM
ÃOPEP
TF
EJDF
RVF
FM
EJPEP
FTUÃ
QPMBSJ[BEP
JOWFSTP
&O
DPOEJDJPOFT
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB

GMVZF
VOB
QFRVFÒB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
UBNCJÊO
DPOPDJEB
DPNP
corriente de fuga

FO
FM
SBOHP
EF

NJDSP
P
NJMJBNQFSFT
Z
FTUB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
JODSFNFOUB
MFOUBNFOUF
TV
NBHOJUVE
DPO
FM
WPMUBKF

JOWFSTP
IBTUB
RVF
TF
BMDBO[B
FM
WPMUBKF
EF
BWBMBODIB
P
[FOFS
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MBT
DBSBD-
UFSÎTUJDBT
v-i
EF
FTUBEP
QFSNBOFOUF
EF
VO
EJPEP
&O
MB
QSÃDUJDB
VO
EJPEP
DBTJ
TJFNQSF
TF
QVFEF

DPOTJEFSBS
DPNP
VO
DPONVUBEPS
JEFBM
DVZBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
TF
NVFTUSBO
FO
VOB
GJHVSB
C

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
RVF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
B
TF
FYQSFTBO
NFEJBOUF
VOB
FDVB-
DJÓO
DPOPDJEB
DPNP
ecuación de diodo de Schockley
Z
FO
DPOEJDJPOFT
EF
GVODJPOBNJFOUP
EF

FTUBEP
FTUBCMF
TF
FYQSFTB
DPNP

ID = IS 1 e VD/nVT − 12


EPOEF

ID =
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
"

VD =
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
DPO
FM
ÃOPEP
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
BM
DÃUPEP
7
IS =

DPSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB

QPS
MP
DPNÙO
FO
FM
SBOHP
EF
−6
B

10−15
"

n =

DPOTUBOUF
FNQÎSJDB
DPOPDJEB
DPNP
coeficiente de emisión
P
factor de idealidad,
DVZP
WBMPS
WBSÎB
EF

B


&M
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n
EFQFOEF
EFM
NBUFSJBM
Z
EF
MB
DPOTUSVDDJÓO
GÎTJDB
EFM
EJPEP
1BSB
EJPEPT

EF
HFSNBOJP
TF
DPOTJEFSB
RVF
n
FT

1BSB
EJPEPT
EF
TJMJDJP
FM
WBMPS
QSPOPTUJDBEP
EF
n
FT

QFSP

QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
EJPEPT
EF
TJMJDJP
QSÃDUJDPT
FM
WBMPS
EF
n
DBF
EFOUSP
EFM
SBOHP
EF

B


iD iD

ID

VBR
VD
0 vD 0 vD

Corriente
de fuga
inversa

(a) Práctico (b) Ideal FIGURA 2.2

$BSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
VO
EJPEP

40 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

VT
FO
MB
FDVBDJÓO


FT
VOB
DPOTUBOUF
MMBNBEB
voltaje térmico
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

kT
VT = 

EPOEF

q =
DBSHB
EF
VO
FMFDUSÓO

× 10−
DPVMPNC
$


T =
UFNQFSBUVSB
BCTPMVUB
FO
HSBEP
,FMWJO
,
= 273 + P$

k =
DPOTUBOUF
EF
#PMU[NBOO

× 10−23
+,

"
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
FO
MB
VOJÓO
MB
FDVBDJÓO


EB

kT 1.3806 × 10−23 × 1 273 + 252

VT = = ≈ 25.7 mV
q 1.6022 × 10−19

"
VOB
UFNQFSBUVSB
FTQFDJGJDBEB
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IS
FT
VOB
DPOTUBOUF
QBSB
VO
EJPEP
EBEP

-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EFM
EJPEP
EF
MB
GJHVSB
B
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
USFT
SFHJPOFT

3FHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
EPOEF
VD > 0
3FHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
EPOEF
VD < 0
3FHJÓO
EF
SVQUVSB
EPOEF
VD < − VBR
Región de polarización directa. &O
MB
SFHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
VD >

-B
DP-
SSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID
FT
NVZ
QFRVFÒB
TJ
FM
WPMUBKF
EFM
EJPEP
VD
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
FT

NFOPS
RVF
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP
VTD
UÎQJDBNFOUF

7

&M
EJPEP
DPOEVDF
QPS
DPNQMFUP
TJ
VD
FT
NÃT
BMUP
RVF
FTUF
WBMPS
VTD
FM
DVBM
TF
DPOPDF
DPNP
voltaje de umbral, voltaje de corte, P
vol-
taje de encendido
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
FT
VO
WPMUBKF
BM
DVBM
FM
EJPEP
DPOEVDF

QPS
DPNQMFUP

$POTJEFSFNPT
VO
QFRVFÒP
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
VD =

7
n =

Z
VT =

N7
1PS
MB

FDVBDJÓO


QPEFNPT
IBMMBS
MB
DPSSJFOUF
ID
DPSSFTQPOEJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
DPNP

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 = IS[e 0.1/1 1×0.02572 − 1] = IS 1 48.96 − 12 = 47.96 IS

MB
RVF
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
DPNP
ID ≈ IS e VD/nVT = 48.96 IS,
FT
EFDJS
DPO
VO
FSSPS
EF

"

NFEJEB
RVF
vD
TF
JODSFNFOUB
FM
FSSPS
TF
SFEVDF
DPO
SBQJEF[

1PS
DPOTJHVJFOUF
DPO
VD >

7
FM
DVBM
FT
HFOFSBMNFOUF
FM
DBTP
ID >> IS
Z
MB
FDVBDJÓO



TF
QVFEF
BQSPYJNBS
EFOUSP
EF

EF
FSSPS
B

ID = IS 1 e VD/nVT − 12 ≈ IS e VD/nVT 

Región de polarización inversa. &O
MB
SFHJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
VD <

4J
VD
FT

OFHBUJWP
Z
VD >> VT ,
MP
DVBM
PDVSSF
DVBOEP
VD < −
7
FM
UÊSNJOP
FYQPOFODJBM
FO
MB
FDVB-
DJÓO


TF
WVFMWF
NVZ
QFRVFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
VOJEBE
Z
MB
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP
FT

ID = IS 1 e − VD|/nVT − 12 ≈ −IS 

EPOEF
TF
WF
RVF
MB
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
FT
DPOTUBOUF
F
JHVBM
B
IS

Región de ruptura. &O
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FT
BMUP
QPS
MP
HFOFSBM

NBZPS
RVF

7
-B
NBHOJUVE
EFM
WPMUBKF
JOWFSTP
QVFEF
FYDFEFS
VO
WPMUBKF
FTQFDJGJDBEP
DP-
OPDJEP
DPNP
voltaje de ruptura VBR
$PO
VO
QFRVFÒP
DBNCJP
FO
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
NÃT
BMMÃ
EF

VBR
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
TF
JODSFNFOUB
DPO
SBQJEF[
&M
GVODJPOBNJFOUP
FO
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB

 2.4 Características de recuperación inversa 41

OP
TFSÃ
EFTUSVDUJWP
TJFNQSF
RVF
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
TF
NBOUFOHB
EFOUSP
EF
VO
iOJWFM

TFHVSPu
FTQFDJGJDBEP
FO
MB
IPKB
EF
EBUPT
EFM
GBCSJDBOUF
4JO
FNCBSHP
B
NFOVEP
FT
OFDFTBSJP

MJNJUBS
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
FO
MB
SFHJÓO
EF
SVQUVSB
QBSB
MJNJUBS
MB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
EFOUSP

EF
VO
WBMPS
QFSNJTJCMF

Ejemplo 2.1 Cálculo de la corriente de saturación

-B
DBÎEB
EFM
WPMUBKF
EJSFDUP
EF
VO
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
VD =

7
DPO
ID =

"
4VQPOJFOEP
RVF
n = 2
Z
VT =

N7
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO
JOWFSTB
IS

Solución

4J
BQMJDBNPT
MB
FDVBDJÓO


QPEFNPT
DBMDVMBS
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
P
EF
TBUVSBDJÓO

IS
DPNP

300 = Is<e ××10−3) −
>

MB
DVBM
EB
IS =

× 10−
"

Puntos clave de la sección 2.3

r
6O
EJPEP
FYIJCF
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
v-i
OP
MJOFBM
DPNQVFTUB
EF
USFT
SFHJPOFT
QPMBSJ[BDJÓO

EJSFDUB
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
Z
SVQUVSB
&O
MB
DPOEJDJÓO
EF
EJSFDUB
MB
DBÎEB
FO
FM
EJPEP

FT
QFRVFÒB
QPS
MP
HFOFSBM
EF

7
4J
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FYDFEF
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
FM

EJPEP
QVFEF
EBÒBSTF

2.4 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA

-B
DPSSJFOUF
FO
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
FO
DPOEJDJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
TF
EFCF
BM
FGFDUP
OFUP

EF
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
NJOPSJUBSJPT
6OB
WF[
RVF
VO
EJPEP
FTUÃ
FO
FM
NPEP
EF
DPO-
EVDDJÓO
EJSFDUB
Z
MVFHP
TV
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
TF
SFEVDF
B
DFSP
EFCJEP
BM
DPNQPSUB-
NJFOUP
OBUVSBM
EF
TV
DJSDVJUP
P
B
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
JOWFSTP

FM
EJPEP
DPOUJOÙB
DPOEV-
DJFOEP
HSBDJBT
B
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
RVF
QFSNBOFDFO
HVBSEBEPT
FO
MB
VOJÓO
pn
Z
FO

MB
NBZPS
QBSUF
EFM
NBUFSJBM
TFNJDPOEVDUPS
-PT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
SFRVJFSFO
VO
DJFSUP

UJFNQP
QBSB
SFDPNCJOBSTF
DPO
DBSHBT
PQVFTUBT
Z
QBSB
OFVUSBMJ[BSTF
&TUF
UJFNQP
TF
EFOPNJOB

tiempo de recuperación inversa EFM
EJPEP
-B
GJHVSB

NVFTUSB
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
EF
VOJÓO
0CTFSWF
RVF
MBT
DVSWBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
RVF
BQBSFDFO
FO
MB

GJHVSB

OP
FTUÃO
B
FTDBMB
Z
TÓMP
JOEJDBO
TVT
GPSNBT
-B
DPMB
EFM
QFSJPEP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF

FYQBOEF
QBSB
JMVTUSBS
MB
OBUVSBMF[B
EF
MB
SFDVQFSBDJÓO
BVORVF
FO
SFBMJEBE
ta > tb
&M
QSPDFTP

EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
JOJDJB
FO
FM
JOTUBOUF
t = t0
DVBOEP
FM
EJPEP
DPNJFO[B
B
DBFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
IF
B
SB[ÓO
EF
di/dt = −IF/(t1 − t0

&M
EJPEP
TJHVF
DPOEVDJFOEP
DPO
VOB

DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
EF
VF

-B
DPSSJFOUF
FO
EJSFDDJÓO
EJSFDUB
IF
DBF
B
DFSP
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
Z
MVFHP
DPOUJOÙB

GMVZFOEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
QPSRVF
FM
EJPEP
FTUÃ
JOBDUJWP
Z
OP
FT
DBQB[
EF
CMPRVFBS
FM

GMVKP
EF
DPSSJFOUF
JOWFSTB
&O
FM
JOTUBOUF
t = t2
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
BMDBO[B
VO
WBMPS
EF
IRR
Z
FM
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
DPNJFO[B
B
JOWFSUJSTF
"M
DPNQMFUBSTF
FM
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
FO

FM
JOTUBOUF
t = t3
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FO
FM
EJPEP
BMDBO[B
VO
WBMPS
QJDP
EF
V3.4
&M
WPMUBKF
FO
FM

EJPEP
QBTB
B
USBWÊT
EF
VO
QFSJPEP
EF
PTDJMBDJÓO
USBOTJUPSJP
QBSB
DPNQMFUBS
MB
SFDVQFSBDJÓO
EF

42 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

IF trr IF trr
ta
VF VF ta
t2 t2
t t
0.25 IRR 0 t0 t1 Q1 Q2
0
t0
t1

IRR IRR
tb tb
VRM VRM
(a) Recuperación suave (b) Recuperación abrupta

FIGURA 2.3
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

MB
DBSHB
HVBSEBEB
IBTUB
RVF
DBF
B
TV
WPMUBKF
JOWFSTP
EF
GVODJPOBNJFOUP
OPSNBM
&M
QSPDFTP

DPNQMFUP
FT
OP
MJOFBM
<>
Z
MB
GJHVSB

TÓMP
JMVTUSB
FM
QSPDFTP
)BZ
EPT
UJQPT
EF
SFDVQFSBDJÓO

TVBWF
Z
EVSB
P
BCSVQUB

&M
UJQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TVBWF
FT
FM
NÃT
DPNÙO
&M
UJFNQP
EF
SFDV-
QFSBDJÓO
JOWFSTB
TF
JOEJDB
DPNP
trr
Z
TF
NJEF
B
QBSUJS
EFM
DSVDF
JOJDJBM
QPS
DFSP
EF
MB
DPSSJFOUF

FO
FM
EJPEP
IBTUB
RVF
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
IRR
MMFHB
B

EF
TV
WBMPS
NÃYJNP
P
QJDP

&M

trr
DPOTUB
EF
EPT
DPNQPOFOUFT
ta
Z
tb
&M
ta
WBSJBCMF
TF
EFCF
BM
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO

MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EF
MB
VOJÓO
Z
SFQSFTFOUB
FM
UJFNQP
FOUSF
FM
DSVDF
QPS
DFSP
Z
MB
DP-
SSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR
&M
tb
TF
EFCF
BM
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO
MB
NBTB
EFM
NBUFSJBM
EFM

TFNJDPOEVDUPS
-B
SB[ÓO
tb/ta
TF
DPOPDF
DPNP
factor de suavidad
4'

1BSB
GJOFT
QSÃDUJDPT
MP

RVF
OPT
EFCF
JOUFSFTBS
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
UPUBM
trr
Z
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF

JOWFSTB
IRR

t rr = t a + t b


-B
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO
GVODJÓO
EF
MB
EFSJWBEB
JOWFSTB
di/dt
DPNP

di
IRR = t a


dt

&M tiempo de recuperación inversa trr
TF
EFGJOF
DPNP
FM
JOUFSWBMP
EF
UJFNQP
FOUSF
FM
JOTUBOUF
FO

RVF
MB
DPSSJFOUF
QBTB
QPS
DFSP
EVSBOUF
FM
DBNCJP
EF
DPOEVDDJÓO
EJSFDUB
IBTUB
MB
DPOEJDJÓO
EF

CMPRVFP
JOWFSTP
Z
FM
NPNFOUP
FO
RVF
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
IB
EFDBÎEP
B

EF
TV
WBMPS
QJDP

JOWFSTP
IRR
-B
WBSJBCMF
trr
EFQFOEF
EF
MB
UFNQFSBUVSB
EF
MB
VOJÓO
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB

DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
BOUFT
EF
MB
DPONVUBDJÓO
IF

-B
carga de recuperación inversa QRR
FT
MB
DBOUJEBE
EF
QPSUBEPSFT
EF
DBSHB
RVF
GMVZF
B

USBWÊT
EFM
EJPEP
FO
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
EFCJEP
BM
DBNCJP
EF
DPOEVDDJÓO
EJSFDUB
B
DPOEJDJÓO
EF

CMPRVFP
JOWFSTP
&M
ÃSFB
FODFSSBEB
QPS
MB
DVSWB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EFUFS-
NJOB
TV
WBMPS
&T
EFDJS
QRR = Q1 + Q
-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
MB
DVBM
FT
FM
ÃSFB
FODFSSBEB
QPS
MB
DVSWB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

SFDVQFSBDJÓO
FT
BQSPYJNBEBNFOUF

1 1 1
QRR = Q1 + Q2 ≅ I t + IRRt b = IRRt rr


2 RR a 2 2
 2.4 Características de recuperación inversa 43

P
CJFO

2QRR
IRR ≅


t rr

4J
JHVBMBNPT
MB
IRR
EF
MB
FDVBDJÓO


DPO
MB
IRR
EF
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

2QRR
t rrt a =


di/dt

4J
tb
FT
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEP
DPO
ta
MP
RVF
TVFMF
TFS
FM
DBTP
BVORVF
MB
GJHVSB
B
NVFTUSB

RVF
tb > ta), trr ≈ ta
Z
MB
FDVBDJÓO


TF
WVFMWF

2QRR
t rr ≅


C di/dt

di
IRR = 2QRR


C dt

&O
MBT
FDVBDJPOFT


Z


TF
WF
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DPSSJFOUF
EF

SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
QJDP
IRR
EFQFOEFO
EF
MB
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
QRR
Z
EF
MB
EFSJWBEB

di/dt
JOWFSTB
P
SFBQMJDBEB

-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EFQFOEF
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP

EJSFDUP
FO
FM
EJPEP
IF
-B
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
QJDP
IRR
MB
DBSHB
JOWFSTB
QRR
Z
FM

4'
GBDUPS
EF
TVBWJEBE

TPO
EF
JOUFSÊT
QBSB
FM
EJTFÒBEPS
EFM
DJSDVJUP
Z
FTUPT
QBSÃNFUSPT
DPNÙO-
NFOUF
TF
JODMVZFO
FO
MBT
IPKBT
EF
FTQFDJGJDBDJPOFT
EF
MPT
EJPEPT

4J
VO
EJPEP
FTUÃ
FO
MB
DPOEJDJÓO
EF
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
GMVZF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF-
CJEP
B
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
&OUPODFT
MB
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
IBSÎB

RVF
FM
EJPEP
DPOEVKFSB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
4JO
FNCBSHP
TF
SFRVJFSF
VO
DJFSUP
UJFNQP

DPOPDJEP
DPNP
tiempo de recuperación directa (o de encendido

BOUFT
EF
RVF
UPEPT
MPT
QPSUBEP-
SFT
NBZPSJUBSJPT
QSFTFOUFT
FO
UPEB
MB
VOJÓO
DPOUSJCVZBO
BM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
4J
MB
WFMPDJEBE
EF

FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
FT
BMUB
Z
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
TF
DPODFOUSB

FO
VOB
QFRVFÒB
ÃSFB
EF
MB
VOJÓO
FM
EJPEP
QVFEF
GBMMBS
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
EJSFDUB
MJNJUB
MB
WFMPDJEBE
EF
FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
MB
WFMPDJEBE

EF
DPONVUBDJÓO

Ejemplo 2.2 Cálculo de la corriente de recuperación inversa

&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 3 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM

EJPEP
FT
di/dt =

"μT
%FUFSNJOF
B

MB
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
QRR
Z
C

MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP

IRR

Solución
trr = 3 μT
Z
di/dt =

"μT
a.
1PS
MB
FDVBDJÓO


t = 0.5 × 30A/μs × 1 3 × 10−6 2 2 = 135 μC

1 di 2
QRR =
2 dt rr
44 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
1PS
MB
FDVBDJÓO


di
IRR = 2QRR = 22 × 135 × 10−6 × 30 × 106 = 90 A
C dt

Puntos clave de la sección 2.4

r
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
FM
EJPEP
TF
DPNQPSUB
FGFDUJWBNFOUF
DPNP

VO
DPSUPDJSDVJUP
Z
OP
FT
DBQB[
EF
CMPRVFBS
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QFSNJUF
RVF
MB
DPSSJFOUF

JOWFSTB
GMVZB
Z
MVFHP
EF
SFQFOUF
DPSUB
MB
DPSSJFOUF
&M
QBSÃNFUSP
trr
FT
JNQPSUBOUF
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO

2.5 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

-P
JEFBM
TFSÎB
RVF
VO
EJPEP
OP
UVWJFSB
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
4JO
FNCBSHP
FM
DPTUP

EF
GBCSJDBDJÓO
EF
VO
EJPEP
TFNFKBOUF
TF
QVFEF
FMFWBS
&O
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
MPT
FGFDUPT
EFM

UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
OP
TPO
JNQPSUBOUFT
Z
TF
QVFEFO
VTBS
EJPEPT
EF
CBKP
DPTUP

%FQFOEJFOEP
EF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
SFDVQFSBDJÓO
Z
EF
MBT
UÊDOJDBT
EF
GBCSJDBDJÓO
MPT

EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
MBT
USFT
TJHVJFOUFT
DBUFHPSÎBT

1.
%JPEPT
FTUÃOEBS
P
EF
VTP
HFOFSBM

2.
%JPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

3.
%JPEPT
4DIPUULZ

-PT
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
IBTUB
QBSB

7

"
Z
MPT
EJPEPT
EF
SFDVQF-

SBDJÓO
SÃQJEB
IBTUB
QBSB

7

"
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
WBSÎB
FOUSF

μT
Z

5 μT
-PT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
TPO
FTFODJBMFT
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
BMUB
GSFDVFODJB
EF

DPOWFSUJEPSFT
EF
QPUFODJB
-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
UJFOFO
VO
CBKP
WPMUBKF
FO
DPOEJDJÓO
EF
DPOEVD-
DJÓO
Z
VO
NVZ
QFRVFÒP
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
QPS
MP
HFOFSBM
EF
OBOPTFHVOEPT
-B
DPSSJFOUF

EF
GVHB
TF
JODSFNFOUB
DPO
MB
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
Z
TVT
DBQBDJEBEFT
TF
MJNJUBO
B

7

"

6O
EJPEP
DPOEVDF
DVBOEP
TV
WPMUBKF
EF
ÃOPEP
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
EFM
DÃUPEP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPM-
UBKF
EJSFDUP
EF
VO
EJPEP
EF
QPUFODJB
FT
NVZ
CBKP
UÎQJDBNFOUF
EF

7
B

7

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
MJNJUBDJPOFT
QSÃDUJDBT
EF
FTUPT
UJQPT
SFTUSJOHFO
TVT
BQMJDBDJPOFT

2.5.1 Diodos de uso general

-PT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
EF
VTP
HFOFSBM
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
SFMBUJWB-
NFOUF
HSBOEF
QPS
MP
HFOFSBM
EF

μT
Z
TF
VUJMJ[BO
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
WFMPDJEBE
EPOEF

FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
OP
FT
DSÎUJDP
QPS
FKFNQMP
SFDUJGJDBEPSFT
Z
DPOWFSUJEPSFT
EF
EJPEPT

QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKBT
GSFDVFODJBT
EF
FOUSBEB
IBTUB
GSFDVFODJBT
EF

L)[
Z
DPOWFSUJEPSFT

DPONVUBEPT
QPS
MÎOFB

&TUPT
EJPEPT
BCBSDBO
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
NFOPT
EF

"
IBTUB

WBSJPT
NJMFT
EF
BNQFSFT
DPO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EFTEF

7
IBTUB
EF
BMSFEFEPS
EF

L7
1PS

MP
HFOFSBM
FTUPT
EJPEPT
TF
GBCSJDBO
QPS
EJGVTJÓO
4JO
FNCBSHP
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
EF
BMFBDJÓO
RVF

TF
VTBO
FO
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QBSB
TPMEBS
TPO
NÃT
FDPOÓNJDPT
Z
SPCVTUPT
Z
TVT
DBQBDJEBEFT

QVFEFO
TFS
IBTUB
EF

7

"

 2.5 Tipos de diodos de potencia 45

FIGURA 2.4
7BSJBT
DPOGJHVSBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM

$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD


-B
GJHVSB

NVFTUSB
WBSJBT
DPOGJHVSBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM
MBT
DVBMFT
CÃTJDB-
NFOUF
QFSUFOFDFO
B
EPT
UJQPT
6OP
TF
MMBNB
vástago
P
EFM
UJQP montado en vástago
FM
PUSP
TF

MMBNB
disco, paquete prensado
P
UJQP
disco de hockey
&O
FM
UJQP
NPOUBEP
FO
WÃTUBHP
FM
WÃTUBHP

QPESÎB
TFS
FM
ÃOPEP
P
FM
DÃUPEP

2.5.2 Diodos de recuperación rápida

-PT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
CBKP
OPSNBMNFOUF
EF

NFOPT
EF

μT
4F
VUJMJ[BO
FO
DJSDVJUPT
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
B
DE
Z
EF
DE
B
DB
EPOEF
MB
WFMPDJEBE

EF
SFDVQFSBDJÓO
TVFMF
TFS
EF
JNQPSUBODJB
DSÎUJDB
&TUPT
EJPEPT
JODMVZFO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF

EFTEF

7
IBTUB
BMSFEFEPS
EF

L7
Z
EFTEF
NFOPT
EF

"
IBTUB
DJFOUPT
EF
BNQFSFT

1PS
MP
HFOFSBM
QBSB
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
NÃT
EF

7
MPT
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO

SÃQJEB
TF
GBCSJDBO
NFEJBOUF
EJGVTJÓO
Z
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
DPOUSPMB
DPO
VOB
EJGVTJÓO

EF
QMBUJOP
V
PSP
1BSB
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
NFOPT
EF

7
MPT
EJPEPT
FQJUBYJBMFT
QSPQPS-
DJPOBO
WFMPDJEBEFT
EF
DPONVUBDJÓO
NÃT
SÃQJEBT
RVF
MBT
EF
MPT
EJPEPT
GBCSJDBEPT
QPS
EJGVTJÓO

-B
CBTF
EF
MPT
EJPEPT
FQJUBYJBMFT
FT
BOHPTUB
QPS
MP
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
FT

NVZ
CBKP
EFM
PSEFO
EF

OT
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
EF

WBSJPT
UBNBÒPT

FIGURA 2.5
%JPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

46 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.5.3 Diodos Schottky

&O
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FM
QSPCMFNB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
EF
VOB
VOJÓO
pn
TF
QVFEF
FMJ-
NJOBS
P
NJOJNJ[BS

MP
DVBM
TF
MPHSB
TJ
TF
FTUBCMFDF
VOB
iCBSSFSB
EF
QPUFODJBMu
DPO
VO
DPOUBDUP

FOUSF
VO
NFUBM
Z
VO
TFNJDPOEVDUPS
4F
EFQPTJUB
VOB
DBQB
EF
NFUBM
TPCSF
VOB
EFMHBEB
DBQB

FQJUBYJBM
EF
TJMJDJP
UJQP
n
-B
CBSSFSB
EF
QPUFODJBM
TJNVMB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
VOB
VOJÓO
pn

-B
BDDJÓO
SFDUJGJDBEPSB
EFQFOEF
TÓMP
EF
MPT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
FO
DPOTFDVFODJB
OP
IBZ

QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FYDFEFOUFT
QBSB
SFDPNCJOBSTF
&M
FGFDUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
TF
EFCF
ÙOJ-
DBNFOUF
B
MB
DBQBDJUBODJB
QSPQJB
EF
MB
VOJÓO
EFM
TFNJDPOEVDUPS

-B
DBSHB
SFDVQFSBEB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT
NVDIP
NFOPS
RVF
MB
EF
VO
EJPEP
FRVJWB-
MFOUF
EF
VOJÓO
pn
:B
RVF
FTUP
TF
EFCF
TÓMP
B
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
VOJÓO
FT
FO
HSBO
NFEJEB

JOEFQFOEJFOUF
EF
MB
EFSJWBEB
JOWFSTB
di/dt
6O
EJPEP
4DIPUULZ
UJFOF
VOB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO

TFOUJEP
EJSFDUP
SFMBUJWBNFOUF
CBKB

-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT
NÃT
BMUB
RVF
MB
EF
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

6O
EJPEP
4DIPUULZ
DPO
WPMUBKF
EF
DPOEVDDJÓO
SFMBUJWBNFOUF
CBKP
UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB

SFMBUJWBNFOUF
BMUB
Z
WJDFWFSTB
&O
DPOTFDVFODJB
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
BENJTJCMF
EF
FTUF
EJPEP
TF

TVFMF
MJNJUBS
B

7
-BT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ
WBSÎBO
EF

B

"

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
TPO
JEFBMFT
QBSB
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
EF
DE
EF
CBKP
WPMUBKF
4JO
FNCBSHP

FTUPT
EJPEPT
UBNCJÊO
TF
VUJMJ[BO
FO
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
EF
CBKB
DPSSJFOUF
QBSB
VOB
FGJDJFODJB

JODSFNFOUBEB
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
SFDUJGJDBEPSFT
4DIPUULZ
EVBMFT
EF

Z

"

Puntos clave de la sección 2.5

r
%FQFOEJFOEP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
Z
EF
MB
DBÎEB
FO
FTUBEP
EF
DPO-
EVDDJÓO
MPT
EJPEPT
EF
QPUFODJB
TF
DMBTJGJDBO
FO
USFT
UJQPT
EF
VTP
HFOFSBM
EF
SFDVQFSBDJÓO

SÃQJEB
Z
4DIPUULZ

FIGURA 2.6
3FDUJGJDBEPSFT
EVBMFT
EF
DFOUSP
4DIPUULZ
EF


Z

"
$PSUFTÎB
EF
7JTIBZ
*OUFSUFDIOPMPHZ
*OD

2.6 DIODOS DE CARBURO DE SILICIO

&M
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

FT
VO
NBUFSJBM
OVFWP
QBSB
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
4VT
QSPQJFEB-
EFT
GÎTJDBT
TVQFSBO
QPS
NVDIP
MBT
EFM
4J
Z
MBT
EFM
(B"T
1PS
FKFNQMP
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ
EF
4J$

GBCSJDBEPT
QPS
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT
<>
UJFOFO
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
VMUSB
CBKBT
Z
BMUB
DPOGJB-
CJMJEBE
5BNCJÊO
DVFOUBO
DPO
MBT
TJHVJFOUFT
QSPQJFEBEFT
TPCSFTBMJFOUFT

r
$BSFDFO
EF
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

r
0CTFSWBO
VO
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
VMUSBSSÃQJEB

r
4V
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
OP
TF
WF
BGFDUBEP
QPS
MB
UFNQFSBUVSB

 2.7 Diodos Schottky de carburo de silicio 47

iD
IF

SiC
t

Si
FIGURA 2.7
$PNQBSBDJÓO
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

-B
DBSHB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
UÎQJDB
QRR
FT
EF

O$
QBSB
VO
EJPEP
EF

7

"
Z
EF

O$

QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

7

"

-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
CBKB
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
MPT
EJPEPT
EF
4J$
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB

BQBSFDF
BDPNQBÒBEB
QPS
VOB
CBKB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
"IPSSB
FOFS-
HÎB
FO
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
DPNP
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
DPOWFSTJÓO
EF
FOFSHÎB
TPMBS
USBOTQPSUFT

Z
PUSBT
BQMJDBDJPOFT
DPNP
FRVJQP
EF
TPMEBS
Z
BDPOEJDJPOBEPSFT
EF
BJSF
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
EF
4J$
PGSFDFO
NBZPS
FGJDJFODJB
VO
UBNBÒP
NFOPS
Z
BMUB
GSFDVFODJB
EF
DPONVUBDJÓO

B
MB
WF[
RVF
QSPEVDFO
VOB
JOUFSGFSFODJB
FMFDUSPNBHOÊUJDB
&.*

NVDIP
NFOPS
FO
VOB
HSBO

EJWFSTJEBE
EF
BQMJDBDJPOFT

2.7 DIODOS SCHOTTKY DE CARBURO DE SILICIO

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
TF
VUJMJ[BO
QSJNPSEJBMNFOUF
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
DPONV-
UBDJÓO
SÃQJEB
.VDIPT
NFUBMFT
QVFEFO
DSFBS
VOB
CBSSFSB
4DIPUULZ
FO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
4J

P
EF
(B"T
6O
EJPEP
4DIPUULZ
TF
GPSNB
VOJFOEP
VOB
SFHJÓO
TFNJDPOEVDUPSB
EPQBEB
QPS
MP

HFOFSBM
EFM
UJQP
n
DPO
VO
NFUBM
DPNP
PSP
QMBUB
P
QMBUJOP
"
EJGFSFODJB
EFM
EJPEP
EF
VOJÓO
pn,
IBZ
VOB
VOJÓO
GPSNBEB
QPS
VO
NFUBM
Z
FM
TFNJDPOEVDUPS
MP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
TV

TÎNCPMP
FO
MB
GJHVSB
C
&M
EJPEP
4DIPUULZ
PQFSB
TÓMP
DPO
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
Z
DPNP
OP

IBZ
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
UBNQPDP
IBZ
DPSSJFOUF
EF
GVHB
JOWFSTB
DPNP
TVDFEF
FO
MPT
EJPEPT

EF
VOJÓO
pn
-B
SFHJÓO
NFUÃMJDB
TF
FODBSHB
GVFSUFNFOUF
EF
MPT
FMFDUSPOFT
EF
MB
CBOEB
EF
DPO-
EVDDJÓO
Z
MB
SFHJÓO
TFNJDPOEVDUPSB
UJQP
n
FTUÃ
MFWFNFOUF
EPQBEB
"M
TPNFUFSTF
B
QPMBSJ[BDJÓO

EJSFDUB
MPT
FMFDUSPOFT
EF
BMUB
FOFSHÎB
EF
MB
SFHJÓO
n
TF
JOZFDUBO
FO
MB
SFHJÓO
NFUÃMJDB
EPOEF

DFEFO
SÃQJEBNFOUF
TV
FOFSHÎB
FYDFEFOUF
%BEP
RVF
OP
FYJTUFO
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
ÊTUF
FT

VO
EJPEP
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB

-PT
EJPEPT
4DIPUULZ
EF
4J$
DVFOUBO
DPO
MBT
TJHVJFOUFT
DBSBDUFSÎTUJDBT

r
1ÊSEJEBT
NÎOJNBT
EF
DPONVUBDJÓO
QPS
MB
CBKB
DBSHB
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB


r
5SBOTJUPSJP
EF
DPSSJFOUF
P
MB
GBTF
USBOTJUPSJB
EF
DPSSJFOUF
UPUBMNFOUF
FTUBCMF
HSBO
DPOGJB-
CJMJEBE
Z
SPCVTUF[


r
#BKPT
DPTUPT
EFM
TJTUFNB
HSBDJBT
B
MPT
SFEVDJEPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FOGSJBNJFOUP


r
%JTFÒPT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
TPMVDJPOFT
EF
NBZPS
EFOTJEBE
EF
QPUFODJB

&TUPT
EJTQPTJUJWPT
UBNCJÊO
UJFOFO
CBKB
DBQBDJUBODJB
EF
EJTQPTJUJWP
RVF
NFKPSB
MB
FGJDJFODJB
UPUBM

EFM
TJTUFNB
TPCSF
UPEP
B
BMUBT
GSFDVFODJBT
EF
DPONVUBDJÓO

48 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Semiconductor

Contacto óhmico Contacto óhmico

Ánodo Cátodo
Tipo n

iD
Metal

Ánodo Cátodo
vD

(a) (b)

FIGURA 2.8
&TUSVDUVSB
JOUFSOB
CÃTJDB
EF
VO
EJPEP
4DIPUULZ

2.8 MODELO SPICE DE DIODO

&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP
<>
-B
DPSSJFOUF
ID
FO
FM
EJPEP

RVF
EFQFOEF
EF
TV
WPMUBKF
FTUÃ
SFQSFTFOUBEB
QPS
VOB
GVFOUF
EF
DPSSJFOUF
Rs
FT
MB
SFTJTUFODJB

FO
TFSJF
Z
TF
EFCF
B
MB
SFTJTUFODJB
EFM
TFNJDPOEVDUPS
UBNCJÊO
TF
MF
DPOPDF
DPNP
resistencia
masiva
Z
EFQFOEF
EF
MB
DBOUJEBE
EF
EPQBEP
-PT
NPEFMPT
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
Z
FTUÃUJDPT
HFOF-
SBEPT
QPS
41*$&
TF
NVFTUSBO
FO
MBT
GJHVSBT
D
Z
E
SFTQFDUJWBNFOUF
CD
FT
VOB
GVODJÓO

OP
MJOFBM
EFM
WPMUBKF
vD
FO
FM
EJPEP
Z
FT
JHVBM
B
CD = dqd/dvD
EPOEF
qd
FT
MB
DBSHB
FO
MB

DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
41*$&
HFOFSB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
TFÒBM
QFRVFÒB
B
QBSUJS
EFM
QVOUP
EF

GVODJPOBNJFOUP

-B
JOTUSVDDJÓO
EF
NPEFMP
41*$&
EF
VO
EJPEP
UJFOF
MB
GPSNB
HFOFSBM

.MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3 ...... PN=VN)

%/".&
FT
FM
OPNCSF
EFM
NPEFMP
Z
QVFEF
DPNFO[BS
DPO
DVBMRVJFS
DBSÃDUFS
TJO
FNCBSHP
TV

UBNBÒP
EF
QBMBCSB
OPSNBMNFOUF
TF
MJNJUB
B

%
FT
FM
TÎNCPMP
EF
UJQP
EF
EJPEP
QBSB
MPT
EJPEPT

1
1 w
Z
7
7 w
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
NPEFMP
Z
TVT
WBMPSFT
SFTQFDUJWBNFOUF

&OUSF
MPT
NVDIPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
MPT
JNQPSUBOUFT
<
>
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
QP-
UFODJB
TPO

*4
$PSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO

#7
7PMUBKF
EF
SVQUVSB
JOWFSTP

*#7
$PSSJFOUF
EF
SVQUVSB
JOWFSTB

55
5JFNQP
EF
USÃOTJUP

$+0
$BQBDJUBODJB
pn
EF
QPMBSJ[BDJÓO
DFSP

%BEP
RVF
MPT
EJPEPT
EF
4J$
VUJMJ[BO
VO
UJQP
EF
UFDOPMPHÎB
UPUBMNFOUF
OVFWP
FM
VTP
EF
NPEFMPT

41*$&
QBSB
EJPEPT
EF
TJMJDJP
QVFEF
QSFTFOUBS
VOB
DBOUJEBE
JNQPSUBOUF
EF
FSSPSFT
4JO
FN-
CBSHP
MPT
GBCSJDBOUFT
<>
QSPQPSDJPOBO
MPT
NPEFMPT
41*$&
EF
EJPEPT
EF
4J$

 2.9 Diodos conectados en serie 49

RS

ID 

D1 VD ID CD

K
(a) Diodo (b) Modelo SPICE

A
A

RS

RS



VD RD CD
VD ID



K
K
(c) Modelo de señal pequeña (d) Modelo estático

FIGURA 2.9
.PEFMP
41*$&
EF
EJPEP
QPMBSJ[BEP
B
MB
JOWFSTB

Puntos clave de la sección 2.8

r
-PT
QBSÃNFUSPT
41*$&
MPT
DVBMFT
TF
QVFEFO
UPNBS
EF
MBT
IPKBT
EF
EBUPT
QVFEFO
BGFDUBS

EF
NBOFSB
DPOTJEFSBCMF
FM
DPNQPSUBNJFOUP
USBOTJUPSJP
EF
VO
DJSDVJUP
EF
DPONVUBDJÓO

2.9 DIODOS CONECTADOS EN SERIE

&O
NVDIBT
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUP
WPMUBKF
QPS
FKFNQMP
MÎOFBT
EF
USBOTNJTJÓO
EF
DPSSJFOUF
EJSFDUB

Z
BMUP
WPMUBKF
<)7%$>

VO
EJPEP
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMF
OP
QVFEF
TBUJTGBDFS
MB
DBQBDJEBE

EF
WPMUBKF
SFRVFSJEB
Z
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
QBSB
JODSFNFOUBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
CMP-
RVFP
JOWFSTP

50 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

iD
iD

VD1 VD2
vD
VD1 0
D1 
 vD
 IS1


D2
VD2

 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v– i

FIGURA 2.10
%PT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB

$POTJEFSFNPT
EPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-BT

WBSJBCMFT
iD
Z
vD
TPO
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
WPMUBKF
SFTQFDUJWBNFOUF
FO
MB
EJSFDDJÓO
EJSFDUB
VD1 Z

VD2
TPO
MPT
WPMUBKFT
JOWFSTPT
DPNQBSUJEPT
QPS
MPT
EJPEPT
D1
Z
D2
SFTQFDUJWBNFOUF
&O
MB
QSÃD-
UJDB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EFM
NJTNP
UJQP
EF
EJPEPT
EJGJFSFO
QPS
MBT
UPMFSBODJBT
FO
TVT
QSPDFTPT

EF
QSPEVDDJÓO
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
UBMFT
EJPEPT
&O
MB
DPOEJDJÓO

EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
BNCPT
EJPEPT
DPOEVDFO
MB
NJTNB
DBOUJEBE
EF
DPSSJFOUF
Z
MB
DBÎEB
EF

WPMUBKF
EJSFDUP
EF
DBEB
EJPEP
TFSÎB
DBTJ
JHVBM
4JO
FNCBSHP
FO
MB
DPOEJDJÓO
EF
CMPRVFP
JOWFSTP

DBEB
EJPEP
UJFOF
RVF
DPOEVDJS
MB
NJTNB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
MPT
WPMUBKFT
EF

CMPRVFP
QVFEFO
TFS
CBTUBOUF
EJGFSFOUFT

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VOB
TPMVDJÓO
TFODJMMB
QBSB
FTUF
QSPCMFNB
MB
DVBM
DPOTJTUF

FO
IBDFS
RVF
FM
WPMUBKF
TF
DPNQBSUB
QPS
JHVBM
DPOFDUBOEP
VO
SFTJTUPS
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP

"M
DPNQBSUJS
FM
WPMUBKF
QPS
JHVBM
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
TFSÎB
EJGFSFOUF
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
QPSRVF
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
UPUBM
EFCF
TFS
DPNQBSUJEB
QPS
VO
EJPEP

Z
TV
SFTJTUPS

iD

iD VD1  VD2
vD
 0
IR1 D1
VD1
R1 IS1  IS1
 vD
 
IS2 IS2
VD2
R2 D2
 IR2 IS

(a) Diagrama del circuito (b) Características v –i

FIGURA 2.11
%JPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
DPO
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
WPMUBKF
DPNQBSUJEP
FO
FTUBEP
FTUBCMF

 2.9 Diodos conectados en serie 51

Rs
R1 D1
Voltaje Cs
Voltaje
compartido
compartido
en estado
Cs en estado
estable D2 transitorio FIGURA 2.12
R2 Rs
%JPEPT
FO
TFSJF
DPO
SFEFT
RVF
DPNQBSUFO

WPMUBKF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
Z
USBOTJUPSJBT

Is = IS1 + IR1 = IS2 + IR2 

4JO
FNCBSHP
IR1 = VD1/R1
F
IR2 = VD2/R2 = VD1/R2
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
FOUSF
R1
Z
R2
QBSB
WPMUBKF
DPNQBSUJEP
QPS
JHVBM
DPNP

VD1 VD1
IS1 + = IS2 +


R1 R2

4J
MBT
SFTJTUFODJBT
TPO
JHVBMFT
FOUPODFT
R = R1 = R2
Z
MPT
WPMUBKFT
FO
MPT
EPT
EJPEPT
TFSÎBO
BMHP

EJGFSFOUFT
EFQFOEJFOEP
EF
MBT
EFTJHVBMEBEFT
EF
MBT
EPT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
-PT
WBMPSFT
EF
VD1 Z

VD2
TF
EFUFSNJOBO
DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z



VD1 VD2
IS1 + = IS2 + 

R R

VD1 + VD2 = VS 

-PT
WPMUBKFT
DPNQBSUJEPT
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
QPS
FKFNQMP
EFCJEP
B
MBT
DBSHBT
EF
DPO-

NVUBDJÓO
MBT
BQMJDBDJPOFT
JOJDJBMFT
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

TF
MPHSBO
DPOFDUBOEP
DBQBDJUPSFT
B

USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFTJTUFODJB
Rs
MJNJUB
MB
WFMPDJEBE
EF

FMFWBDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP

Ejemplo 2.3 Cómo determinar los resistores que comparten voltaje

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
EPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
QBSB
DPNQBSUJS
VO
WPMUBKF
JOWFSTP
UPUBM
EF
VD =

L7

-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
JOWFSTBT
EF
MPT
EPT
EJPEPT
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
B

%FUFSNJOF
MPT
WPM-
UBKFT
FO
MPT
EJPEPT
TJ
MBT
SFTJTUFODJBT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
TPO
JHVBMFT
R1 = R2 = R =

LΩ
C


%FUFSNJOF
MBT
SFTJTUFODJBT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
R1
Z
R2
TJ
MPT
WPMUBKFT
FO
MPT
EJPEPT
TPO
JHVBMFT

VD1 = VD2 = VD
D

6TF
14QJDF
QBSB
DPNQSPCBS
TVT
SFTVMUBEPT
EFM
JODJTP
B

-PT
QBSÃNFUSPT
EFM

NPEFMP
14QJDF
EF
MPT
EJPEPT
TPO
#7
=

L7
F
*4
=

N"
QBSB
FM
EJPEP
D1
F
*4
=

N"
QBSB
FM
EJPEP
D2

Solución
a. IS1 =

N"
IS2 =

N"
Z
R1 = R2 = R =

LΩ
−VD = −VD1 − VD2
P
VD2 = VD − VD1

$PO
MB
FDVBDJÓO


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R R
52 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

4VTUJUVZFOEP
VD2 = VD − VD1
Z
EFTQFKBOEP
FM
WPMUBKF
FO
FM
EJPEP
D1
PCUFOFNPT

+ 1 IS2 − IS1 2
VD R
VD1 =
2 2


1 35 × 10−3 − 30 × 10−3 2 = 2750 V

5 kV 100 kΩ
= +
2 2

Z
VD2 = VD − VD1 =

L7
− 2750 =

7

b. IS1 =

N"
IS2 =

N"
Z
VD1 = VD2 = VD/2 =

L7
$PO
MB
FDVBDJÓO


VD1 VD2
IS1 + = IS2 +
R1 R2

MB
DVBM
EB
MB
SFTJTUFODJB
R2
QBSB
VO
WBMPS
DPOPDJEP
EF
R1
DPNP

VD2R1
R2 =
− R1(IS2 − IS1 2



VD1

4VQPOJFOEP
RVF
R1 =

LΩ
PCUFOFNPT

2.5 kV × 100 kΩ
R2 = = 125 kΩ
2.5 kV − 100 kΩ × (35 × 10−3 − 30 × 10−3 2

c.
&M
DJSDVJUP
EF
EJPEPT
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
MJTUB
EFM

BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP
FT
MB
TJHVJFOUF

Ejemplo 2.3 Circuito de diodos que comparten el voltaje

VS 1 0 DC 5KV
R 1 2 0.01
R1 2 3 100K
R2 3 0 100K
D1 3 2 MOD1
D2 0 3 MOD2
.MODEL MOD1 D (IS=30MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.MODEL MOD2 D (IS=35MA BV=3KV) ; Parámetros de modelo de diodo
.OP ; Análisis de punto de funcionamiento
en cd
.END

R 2
1
0.01 ⍀
D1 R1
100 k⍀
⫹
Vs 5 kV 3
⫺
D2 R2
FIGURA 2.13 100 k⍀
$JSDVJUP
EF
EJPEPT
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
14QJDF

EFM
FKFNQMP

0
 2.10 Diodos conectados en paralelo 53

-PT
SFTVMUBEPT
EF
MB
TJNVMBDJÓO
14QJDF
TPO

NOMBRE D1 D2
ID –3.00E–02 ID1=–30 mA –3.50E–02 ID2=–35 mA
VD –2.75E+03 VD1=–2750 V esperando –2750 V –2.25E+03 VD2=–2250 V
esperando –2250 V
REQ 1.00E+12 RD1=1 GΩ 1.00E+12 RD2=1 GΩ

Nota
41*$&
EB
MPT
NJTNPT
WPMUBKFT
FTQFSBEPT
4F
JOTFSUB
VOB
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
R =

NΩ
QBSB
FWJUBS
VO
FSSPS
EF
41*$&
EFCJEP
B
VO
MB[P
EF
WPMUBKF
EF
SFTJTUFODJB
DFSP

Puntos clave de la sección 2.9

r
$VBOEP
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
EJPEPT
EFM
NJTNP
UJQP
OP
DPNQBSUFO
FM
NJTNP
WPMUBKF
JO-
WFSTP
QPS
MBT
EFTJHVBMEBEFT
FO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
JOWFSTBT
4F
SFRVJFSF
RVF
MBT
SFEFT

RVF
DPNQBSUFO
WPMUBKF
MP
IBHBO
QPS
JHVBM

2.10 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO

&O
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQB-
DJEBE
EF
DPOEVDJS
DPSSJFOUF
QBSB
TBUJTGBDFS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPSSJFOUF
EFTFBEPT
-BT
SF-
QBSUJDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
TFSÎBO
EF
BDVFSEP
DPO
TVT
SFTQFDUJWBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF

EJSFDUP
-B
SFQBSUJDJÓO
VOJGPSNF
EF
MB
DPSSJFOUF
TF
MPHSB
QSPQPSDJPOBOEP
JOEVDUBODJBT
JHVBMFT

QPS
FKFNQMP
FO
MPT
DBCMFT

P
DPOFDUBOEP
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBSUFO
DPSSJFOUF
MP
RVF
QVFEF

OP
TFS
QSÃDUJDP
QPS
MBT
QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB

MP
BOUFSJPS
TF
JMVTUSB
FO
MB
GJHVSB

&T
QPTJCMF

NJOJNJ[BS
FTUF
QSPCMFNB
TFMFDDJPOBOEP
EJPEPT
DPO
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
JHVBMFT
P
EJPEPT
EFM

NJTNP
UJQP
"M
FTUBS
MPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP
MPT
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
JOWFSTPT
EF
DBEB

EJPEP
TFSÎBO
MPT
NJTNPT

-PT
SFTJTUPSFT
EF
MB
GJHVSB
B
BZVEBO
B
DPNQBSUJS
MB
DPSSJFOUF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT

-B
SFQBSUJDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
DPOEJDJPOFT
EJOÃNJDBT
TF
MPHSB
DPOFDUBOEP
JOEVDUPSFT

BDPQMBEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
4J
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
D1
TF
JODSFNFOUB
MB
L
di/dt
B
USBWÊT
EF
L1
TF
JODSFNFOUB
Z
TF
JOEVDF
VO
WPMUBKF
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
QPMBSJEBE
PQVFTUB

B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L2
&M
SFTVMUBEP
FT
VOB
USBZFDUPSJB
EF
CBKB
JNQFEBODJB
B
USBWÊT
EFM
EJPEP

D2
Z
MB
DPSSJFOUF
TF
EFTQMB[B
B
D2
-PT
JOEVDUPSFT
QVFEFO
HFOFSBS
QJDPT
EF
WPMUBKF
Z
TFS
DBSPT
Z

WPMVNJOPTPT
TPCSF
UPEP
FO
DPOEJDJPOFT
EF
DPSSJFOUFT
BMUBT

iD iD

D2 D1
D1 D2
 
R2 R1
vD vD
 
R1 R2
L2 L1

FIGURA 2.14
(a) Estado estable (b) Repartición dinámica %JPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP

54 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Puntos clave de la sección 2.10

r
$VBOEP
EJPEPT
EFM
NJTNP
UJQP
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
OP
DPNQBSUFO
MB
NJTNB
DPSSJFOUF

FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFCJEP
B
MBT
EFTJHVBMEBEFT
FO
TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EJSFDUBT
4F

SFRVJFSF
RVF
MBT
SFEFT
RVF
DPNQBSUFO
DPSSJFOUF
MP
IBHBO
QPS
JHVBM

2.11 CARGA RC CONMUTADA POR DIODO

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC
1PS
TJNQMJDJEBE
MPT
EJPEPT
TF

DPOTJEFSBO
JEFBMFT
1PS
iJEFBMu
TF
FOUJFOEF
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DBÎEB

EF
WPMUBKF
EJSFDUP
VD
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&T
EFDJS
trr =

Z
VD =

&M
WPMUBKF
GVFOUF
VS
FT
VO

WPMUBKF
DPOTUBOUF
EF
DE
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
EF

DBSHB
i
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
DBMDVMB
DPO

t
i dt + yc 1 t = 02
1
Vs = yR + yc = yR + 

CL
t0

yR = Ri 

$PO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
vc (t = 0) =

MB
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


MB
DVBM
TF
EFSJWB
FO
FM

"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

EB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
i
DPNP

Vs −t/RC
i1 t2 = e


&M
WPMUBKF
vc
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

t
yc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − e −t/RC 2 = Vs 1 1 − e −t/τ 2

1


CL
0

EPOEF
τ = RC
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VOB
DBSHB
RC
-B
WFMPDJEBE
EF
DBNCJP
EFM
WPMUBKF

EFM
DBQBDJUPS
FT

dyc Vs −t/RC
= e


dt RC

Z
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
DBNCJP
EFM
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
FO
FM
JOTUBOUF
t =


TF
PCUJFOF
DPO
MB

FDVBDJÓO


`
dyc Vs
=


dt t =0 RC

0CTFSWFNPT
RVF
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQB-

DJUPS
FT
DFSP
&M
WPMUBKF
VS
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
BQBSFDFSÃ
FO
MB
SFTJTUFODJB
R
Z
MB
DPSSJFOUF
TF

FMFWBSÃ
JOTUBOUÃOFBNFOUF
B
VS/R
&T
EFDJS
MB
JOJDJBM
di/dt = ∞

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
i
FO
MB
GJHVSB
B
FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
OP
UJFOEF
B
DBNCJBS
TV

QPMBSJEBE
FM
EJPEP
OP
UJFOF
OJOHÙO
FGFDUP
TPCSF
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP

 2.11 Carga RC conmutada por diodo 55

Vs i
R

S1 D1 i Vs
0.368
R
 t0  0 t
R vR vc
  Vs
Vs Vs
  0.632 Vs
  RC
C vc
 0 t
 
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.15
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC

Puntos clave de la sección 2.11

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RC
RVF
TVCF
P
DBF
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
DPOTUBOUF
EF

UJFNQP
EF
DJSDVJUP
OP
JOWJFSUF
TV
QPMBSJEBE
-B
dv/dt
JOJDJBM
EF
VO
DBQBDJUPS
EF
DBSHB
FO
VO

DJSDVJUP
RC
FT
Vs/RC

Ejemplo 2.4 Cómo determinar la corriente pico y la pérdida de energía en un circuito RC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 44 Ω
Z
C =

μ'
&M
DBQBDJUPS
UJFOF
VO

WPMUBKF
JOJDJBM
Vc0 = Vc(t = 0) =

7
4J
TF
DJFSSB
FM
JOUFSSVQUPS
S1
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B


MB
DPSSJFOUF
QJDP
FO
FM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
EJTJQBEB
FO
FM
SFTJTUPS
R
Z
D

FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FO
FM

JOTUBOUF
t = 2 μT

Solución
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB

a.
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
MB
FDVBDJÓO


DPO
Vs = Vc0
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FO
FM
EJPEP
FT

Vc0 220
IP = = = 5A
R 44

V0 i
S1 R

t0 
i R vR 0 t
 vc
D1 V0


C Vco vc


0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.16
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RC

56 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
-B
FOFSHÎB
W
EJTJQBEB
FT

W = 0.5CV 2c0 = 0.5 × 0.1 ∗ 10−6 × 2202 = 0.00242 J = 2.42 mJ

c.
$PO
RC = 44 ×

μ =

μT
Z
t = t1 = 2 μT
FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

vc 1 t = 2 μs 2 = Vc0e −t/RC = 220 × e −2/4.4 = 139.64 V

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
FT
VOJEJSFDDJPOBM
FM
EJPEP
OP
BGFDUB
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM

DJSDVJUP

2.12 CARGA RL CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RL
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
i
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
TF
JODSFNFOUB
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

di
Vs = vL + vR = L + Ri


dt
$PO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i(t = 0) =

MB
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


MB
DVBM
TF
SFTVFMWF
FO
FM

"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

SFTVMUB

i 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
-B
WFMPDJEBE
EF
DBNCJP
EF
FTUB
DPSSJFOUF
TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

di Vs −tR/L
= e


dt L
Z
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
FMFWBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOTUBOUF
t =


TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVB-
DJÓO



`
di Vs
=


dt t =0 L

vL
Vs
S1 D1 i
0.368 Vs
 t0 
0 t
R vR
 V i
 Is  s
Vs Vs R
  0.632 Is
L
L vL R
  0 t

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.17
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RL

 2.12 Carga RL conmutada por diodo 57

&M
WPMUBKF
vL
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FT

vL 1 t2 = L
di
= Vse −tR/L


dt

EPOEF
L/R = τ
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VOB
DBSHB
RL

0CTFSWFNPT
RVF
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF
FT
DFSP

Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
FT
DFSP
&M
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
VS
EF
DE
BQBSFDFSÃ
B

USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
L
&T
EFDJS

di
VS = L
dt

FM
DVBM
EB
MB
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
DBNCJP
EF
MB
DPSSJFOUF
DPNP

di VS
=
dt L

MB
DVBM
FT
JHVBM
B
MB
FDVBDJÓO


4J
OP
IVCJFSB
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÎB
JOTUBOUÃOFB-
NFOUF
1FSP
EFCJEP
BM
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÃ
DPO
VOB
QFOEJFOUF
JOJDJBM
EF
VS/L
Z
MB

DPSSJFOUF
TF
QVFEF
BQSPYJNBS
B
i = VS*t/L

Nota: D1
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
Z
FWJUBSÃ
DVBMRVJFS
GMVKP
EF
DPSSJFOUF

OFHBUJWB
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
TJ
IBZ
VO
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
EF
DB
QFSP
OP
FT

BQMJDBCMF
QBSB
VOB
GVFOUF
EF
DE
/PSNBMNFOUF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP
#+5
P
.04'&5
P

*(#5

OP
QFSNJUJSÃ
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
JOWFSTB
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
FNVMB
FM

DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
vL
Z
MB
DPSSJFOUF
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C
4J
t >> L/R,
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
UJFOEF
B
DFSP
Z
TV
DPSSJFOUF
BMDBO[B
VO
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF

EF
Is = Vs/R
4J
MVFHP
TF
IBDF
VO
JOUFOUP
EF
BCSJS
FM
JOUFSSVQUPS
S1
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB

FO
FM
JOEVDUPS
=
Li2

TF
USBOTGPSNBSÃ
FO
VO
BMUP
WPMUBKF
JOWFSTP
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
Z

FM
EJPEP
&TUB
FOFSHÎB
TF
EJTJQB
FO
GPSNB
EF
DIJTQBT
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
FT
QSPCBCMF

RVF
FM
EJPEP
D1 TF
EBÒF
FO
FTUF
QSPDFTP
1BSB
TVQFSBS
TFNFKBOUF
TJUVBDJÓO
TF
DPOFDUB
VO
EJPEP

DPNÙONFOUF
DPOPDJEP
DPNP
diodo de conducción libre
B
USBWÊT
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

Nota:
$PNP
MB
DPSSJFOUF
i
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB
B
FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
OP
UJFOEF
B

DBNCJBS
TV
QPMBSJEBE
FM
EJPEP
OP
UJFOF
OJOHÙO
FGFDUP
FO
FM
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP

Puntos clave de la sección 2.12

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RL
RVF
TF
FMFWB
P
DBF
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
DPOTUBOUF
EF

UJFNQP
EF
DJSDVJUP
TJO
JOWFSUJS
TV
QPMBSJEBE
-B
di/dt
JOJDJBM
FO
VO
DJSDVJUP
RL
FT
Vs/L

Ejemplo 2.5 Cómo determinar la corriente de estado estable y la energía almacenada

en un inductor
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
RL
EF
EJPEP
DPO
VS = 220 V, R = 40 Ω
Z
L =

N)
&M
JOEVDUPS

OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
EF

FTUBEP
FTUBCMF
FO
FM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

58 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

Solución
-BT
GPSNBT
EF
POEB
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C

a.
4F
QVFEF
VUJMJ[BS
MB
FDVBDJÓO


DPO
t = ∞
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FT

VS 220
IP = = = 55 A
R 4

b.
-B
FOFSHÎB
HVBSEBEB
FO
FM
JOEVDUPS
FO
FM
FTUBEP
FTUBCMF
Z
FO
FM
JOTUBOUF
t RVF
UJFOEF
B
∞
FT

W = 0.5 L I 2P = 0.5  5  10−3552 = 7.563 mJ

c.
4F
QVFEF
VTBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
EFUFSNJOBS
MB
di/dt
JOJDJBM
DPNP

di VS 220
= = = 44 A/ms
dt L 5  10−3

d.
$PO
L/R =

N)
=

NT
Z
τ = t1 =

NT
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOEVDUPS

DPNP

i 1 t = 1 ms 2 = 1 1 − e −tR/L 2 =  1 1 − e −1/1.25 2 = 30.287 A

VS 220
R 4

2.13 CARGA LC CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
Vs
FT

VO
WPMUBKF
DPOTUBOUF
EF
DE
$VBOEP
TF
DJFSSB
FM
JOUFSSVQUPS
S1
FO
FM
JOTUBOUF
t =

MB
DPSSJFOUF

EF
DBSHB
i
EFM
DBQBDJUPS
TF
FYQSFTB
DPNP

t
i dt + vc 1 t = 02

di 1
Vs = L + 

dt C Lt0

$PO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
i(t =


Z
vc(t =


TF
QVFEF
EFTQFKBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
MB

DPSSJFOUF
i
EFM
DBQBDJUPS
DPNP
FO
FM
"QÊOEJDF
%
FDVBDJÓO
%

i
Ip

S1 D1
 i 
t0 0
t1/2
t
vL t1
L vc
  2Vs
Vs Vs
  Vs t1   LC
C vc
 0 t
 t1

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.18
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC

 2.13 Carga LC conmutada por diodo 59

C
i1 t2 = Vs sen ω0t 

CL
= Ip sen ω0t 

EPOEF
ω0 = 1/1LC
Z
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FT

C
Ip = Vs


CL

-B
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
TF
PCUJFOF
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

di Vs
= cos ω0t


dt L

Z
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
JOJDJBM
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOTUBOUF
t =


DPNP

`
di Vs
=


dt t =0 L

&M
WPMUBKF
vc
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
PCUJFOF
DPNP

t
vc 1 t2 = i dt = Vs 1 1 − cos ω0 t2

1


C L0

&O
FM
JOTUBOUF
t = t 1 = π1LC,
MB
DPSSJFOUF
i
FO
FM
EJPEP
DBF
B
DFSP
Z
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
B

2Vs
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
vL
Z
MB
DPSSJFOUF
i

Notas:

r
$PNP
OP
IBZ
SFTJTUFODJB
FO
FM
DJSDVJUP
OP
QVFEF
IBCFS
QÊSEJEB
EF
FOFSHÎB
1PS
DPOTJ-
HVJFOUF
TJO
SFTJTUFODJB
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC
PTDJMB
Z
MB
FOFSHÎB
TF
USBOTGJFSF
EF
C
B
L
Z
WJDFWFSTB


r
D1 TF
DPOFDUB
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
F
JNQFEJSÃ
RVF
B
USBWÊT
EF
ÊTUF
GMVZB
DPSSJFOUF

OFHBUJWB
4JO
FM
EJPEP
FM
DJSDVJUP
LC
DPOUJOVBSÃ
PTDJMBOEP
QPS
TJFNQSF
/PSNBMNFOUF
VO

JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP
#+5
.04'&5
P
*(#5

OP
QFSNJUJSÃ
FM
GMVKP
JOWFSTP
EF
MB
DP-
SSJFOUF
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
FNVMB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
DPONVUBDJÓO

EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP


r
-B
TBMJEB
EFM
DBQBDJUPS
C
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
PUSPT
DJSDVJUPT
TJNJMBSFT
RVF
JODMVZBO
VO

JOUFSSVQUPS
Z
VO
EJPEP
DPOFDUBEP
FO
TFSJF
DPO
VO
L
Z
VO
C
QBSB
PCUFOFS
NÙMUJQMPT
EFM

WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
VS
&TUB
UÊDOJDB
TF
VUJMJ[B
QBSB
HFOFSBS
VO
BMUP
WPMUBKF
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
QPUFODJB
QVMTBOUF
Z
TVQFSDPOEVDDJÓO

Ejemplo 2.6 Cómo determinar el voltaje y la corriente en un circuito LC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
EPOEF
FM
DBQBDJUPS
UJFOF
VO
WPMUBKF

JOJDJBM
Vc (t = 0) = −Vc0 = V0 −

7
DBQBDJUBODJB
C = 20 μ'
F
JOEVDUBODJB
L =

μ)

60 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i
Ip
S1

t0 
0 t
i L vL t1/2
vc
 Vc 0
D1 t1   LC

 0 t
C Vc 0 vc
FIGURA 2.19 
 Vc 0 t1
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB

DBSHB
LC
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
C

FM

UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
Z
D

FM
WPMUBKF
EF
FTUBEP
FTUBCMF
GJOBM
EFM
DBQBDJUPS

Solución
a.
$PO
MB
ley del voltaje de Kirchhoff
,7-

QPEFNPT
FTDSJCJS
MB
FDVBDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
DPNP

t
i dt + vc 1 t = 02 = 0
di 1
L +
dt C Lt0

Z
MB
DPSSJFOUF
i
DPO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
EF
i(t = 0) =

Z
vc (t = 0) = −Vc0
TF
EFTQFKB
DPNP

C
i1 t2 = Vc0 sen ω0 t
CL

EPOEF
ω0 = 1/1LC = 106/120 × 80 = 25,000 rad/s.
-B
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
FT

C 20
Ip = Vc0 = 220 = 110 A
CL C 80

b.
$PO
t = t 1 = π 1LC,
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
EJPEP
TF
WVFMWF
DFSP
Z
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t1
EFM

EJPEP
FT

t 1 = π 1LC = π 120 × 80 = 125.66 μs

c.
&T
GÃDJM
EFNPTUSBS
RVF
FM
WPMUBKF
FO
FM
DBQBDJUPS
FT

t
vc 1 t2 =
1
i dt − Vc0 = − Vc0 cos ω0 t
C L0

$PO
t = t1 =

μT
vc(t = t1) = −
DPT
π = −
7

Nota
­TUF
FT
VO
FKFNQMP
EF
JOWFSTJÓO
EF
MB
QPMBSJEBE
EF
VO
DBQBDJUPS
"MHVOBT
BQMJDBDJP-
OFT
TVFMFO
SFRVFSJS
VO
WPMUBKF
DPO
QPMBSJEBE
PQVFTUB
BM
WPMUBKF
EJTQPOJCMF

Puntos clave de la sección 2.13

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC
FYQFSJNFOUB
PTDJMBDJPOFT
SFTPOBOUFT
DPO
VO
WBMPS
QJDP
EF

VS (C/L

&M
EJPEP
D1
FM
GMVKP
JOWFSTP
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
B
VS

 2.14 Carga RLC conmutada por diodo 61

2.14 CARGA RLC CONMUTADA POR DIODO

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RLC
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJF-
SSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

QPEFNPT
VUJMJ[BS
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
QBSB
FTDSJCJS
MB
FDVBDJÓO

QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
FO
MB
DBSHB
DPNP

i dt + vc 1 t = 02 = Vs

di 1
L + Ri + 

dt CL

DPO
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
i(t =


Z
vc(t = 0) = Vc0
"M
EJGFSFODJBS
MB
FDVBDJÓO


Z
EJWJEJS

BNCPT
NJFNCSPT
FOUSF
L
TF
PCUJFOF
MB
FDVBDJÓO
DBSBDUFSÎTUJDB

d 2i R di i
+ + = 0


dt 2 L dt LC

&O
DPOEJDJPOFT
GJOBMFT
FTUBCMFT
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
BM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
Vs
Z
MB
DPSSJFOUF

FTUBCMF
FT
DFSP
&M
DPNQPOFOUF
GPS[BEP
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
FDVBDJÓO


UBNCJÊO
FT
DFSP

-B
DPSSJFOUF
TF
EFCF
BM
DPNQPOFOUF
OBUVSBM

-B
FDVBDJÓO
DBSBDUFSÎTUJDB
FO
FM
EPNJOJP
EF
s
EF
-BQMBDF
FT

R 1
s2 + s + = 0


L LC

Z
MBT
SBÎDFT
EF
MB
FDVBDJÓO
DVBESÃUJDB


FTUÃO
EBEBT
QPS

R 2
a b −
R 1
s1, 2 = − {


2L C 2L LC

%FGJOBNPT
EPT
QSPQJFEBEFT
JNQPSUBOUFT
EF
VO
DJSDVJUP
EF
TFHVOEP
PSEFO
FM
factor de amor-
tiguamiento,

R
α =


2L
Z
MB
frecuencia de resonancia,

1
ω0 =


1LC

S1
R
⫹ i ⫹
t⫽0 D1
L vL
⫹
⫺
Vs Vs
⫺ ⫹
⫹
C Vc 0 vc
⫺ ⫺
⫺

FIGURA 2.20
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
RLC

62 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

4J
TVTUJUVJNPT
MBT
EFGJOJDJPOFT
BOUFSJPSFT
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

s1, 2 = − α { 3α2 − ω20


-B
TPMVDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
MB
DVBM
EFQFOEF
EF
MPT
WBMPSFT
EF
α
Z
ω0
TFHVJSÎB
VOP
EF
MPT
USFT

DBTPT
QPTJCMFT

Caso 1. 4J
α = ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
JHVBMFT
s1 = s2
Z
FM
DJSDVJUP
TF
DPOPDF
DPNP
críticamente

amortiguado
-B
TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB
i1 t2 = 1 A1 + A2t2 e s1t


Caso 2. 4J
α > ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
SFBMFT
Z
TF
EJDF
RVF
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
sobreamortiguado
-B

TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB

i1 t2 = A1e s1t + A2e s2t


Caso 3. 4J
α < ω0
MBT
SBÎDFT
TPO
DPNQMFKBT
Z
TF
EJDF
RVF
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
subamortiguado

-BT
SBÎDFT
TPO

s1,2 = − α { jωr


EPOEF
ωr
TF
DPOPDF
DPNP
frecuencia de repique
P
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
BNPSUJHVBEB

Z
ωr
ωr = 3ω20 − α2.
-B
TPMVDJÓO
BEPQUB
MB
GPSNB
i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωrt + A2 sen ωrt2


MB
DVBM
FT
VOB
sinusoide amortiguada P
decadente

4F
VUJMJ[B
VO
DJSDVJUP
RLC
TVCBNPSUJHVBEP
DPONVUBEP
QBSB
DPOWFSUJS
VO
WPMUBKF
EF
GVFOUF

EF
DE
FO
VO
WPMUBKF
EF
DB
B
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
BNPSUJHVBEB
&TUF
NÊUPEP
TF
FTUVEJB
DPO

NBZPS
EFUBMMF
FO
FM
DBQÎUVMP


Notas:

r
-BT
DPOTUBOUFT
A1
Z
A2
TF
EFUFSNJOBO
B
QBSUJS
EF
MBT
DPOEJDJPOFT
JOJDJBMFT
EFM
DJSDVJUP

1BSB
EFTQFKBS
EPT
DPOTUBOUFT
TF
SFRVJFSFO
EPT
FDVBDJPOFT
MJNJUBOUFT
DPO
MBT
DPOEJDJPOFT

JOJDJBMFT
i(t =


Z
di/dt(t =


-B
SB[ÓO
EF
α/ω0
TF
DPOPDF
DPNÙONFOUF
DPNP
MB
razón
amortiguada, δ = R/22C/L.
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
FTUÃO

TVCBNPSUJHVBEPT
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
DJSDVJUP
FT
DBTJ
TFOPJEBM
QBSB
QSPEVDJS

VOB
TBMJEB
EF
DB
DBTJ
TFOPJEBM
P
QBSB
BQBHBS
VO
EJTQPTJUJWP
TFNJDPOEVDUPS
EF
QPUFODJB


r
&O
DPOEJDJPOFT
DSÎUJDBT
Z
TVCBNPSUJHVBEBT
MB
DPSSJFOUF
i(t

OP
PTDJMBSÃ
Z
OP
TF
SFRVJFSF
FM

EJPEP


r
-BT
FDVBDJPOFT




Z


TPO
MBT
GPSNBT
HFOFSBMFT
QBSB
MB
TPMVDJÓO
EF
DVB-
MFTRVJFS
FDVBDJPOFT
EJGFSFODJBMFT
EF
TFHVOEP
HSBEP
-B
GPSNB
QBSUJDVMBS
EF
MB
TPMVDJÓO

EFQFOEFSÃ
EF
MPT
WBMPSFT
EF
R, L
Z
C

Ejemplo 2.7 Cómo determinar la corriente en un circuito RLC

&M
DJSDVJUP
RLC
EF
TFHVOEP
HSBEP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
GVFOUF
EF
WPMUBKF
EF
DE
Vs =

7
JO-
EVDUBODJB
L =

N)
DBQBDJUBODJB
C =

μ'
Z
SFTJTUFODJB
R = 160 Ω
&M
WBMPS
JOJDJBM
EFM
WPMUBKF
EFM

DBQBDJUPS
FT
vc(t = 0) = Vc0 =

Z
DPSSJFOUF
i(t = 0) =

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t = 0,
 2.14 Carga RLC conmutada por diodo 63

EFUFSNJOF
B

VOB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i(t

Z
C

FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D

5SBDF
VO

CPTRVFKP
EF
i(t

6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
i
DPO
R = 50 Ω, 160 Ω
Z

Ω

Solución
a.
4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


α = R/2L = 160 × 103/(2 × 2) =
ƭ
SBET
Z
TFHÙO
MB
FDVBDJÓO



ω0 = 1/1LC = 105 rad/s.
-B
GSFDVFODJB
EF
SFQJRVF
P
SFTPOBOUF
TF
WVFMWF

ωr = 21010 − 16 × 108 = 91,652 rad/s

$PNP
α < ω0
FM
DJSDVJUP
FTUÃ
TVCBNPSUJHVBEP
Z
MB
TPMVDJÓO
FT
EF
MB
GPSNB

i1 t2 = e −αt 1 A1 cos ωr t + A2 sen ωr t2

$PO
t = 0, i(t = 0) =

Z
SFTVMUB
A1 =

-B
TPMVDJÓO
FT

i1 t 2 = e −αtA2 sen ωr t

-B
EFSJWBEB
EF
i(t

FT

di
= ωr cos ωrt A2e −αt − α sen ωr t A2e −α
dt


$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

FM
DBQBDJUPS
PGSFDF
VOB
CBKB
JNQFEBODJB
Z
FM

JOEVDUPS
VOB
BMUB
JNQFEBODJB
-B
WFMPDJEBE
JOJDJBM
EF
TVCJEB
EF
MB
DPSSJFOUF
FTUÃ
MJNJUBEB
TÓMP

QPS
FM
JOEVDUPS
L
&OUPODFT
DPO
t =

MB
EFSJWBEB
di/dt
EFM
DJSDVJUP
FT
Vs/L
1PS
DPOTJHVJFOUF

`
di Vs
= ωr A2 =
dt t =0 L


MB
DVBM
EB
MB
DPOTUBOUF
DPNP

Vs 220 × 1,000
A2 = = = 1.2 A
ωrL 91,652 × 2


-B
FYQSFTJÓO
GJOBM
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i(t

FT

i1 t2 = 1.2 sen1 91,652t2 e −40,000tA

b.
&M
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
t1
EFM
EJPEP
TF
PCUJFOF
DVBOEP
i =

&T
EFDJS

π
ωrt 1 = π o t1 = = 34.27 μs
91,652
c.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
CPTRVFKP
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF

i, amp
1.2

0.8
1.2e⫺40,000t
0.4

0 ␻r t
␲
⫺0.4

⫺0.8 ⫺1.2e⫺40,000t
FIGURA 2.21
⫺1.2 'PSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
QBSB

FM
FKFNQMP

64 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

D1 2 R 3 L
i
1 4
50  2 mH
 160 
320 
vs C 0.05 F


0
(a) Circuito

vs

220 V

0 1 ns 1 ms t, ms
(b) Voltaje de entrada

FIGURA 2.22
$JSDVJUP
RLC
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

d.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
<>
-B
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM

DJSDVJUP
FT
MB
TJHVJFOUF

Ejemplo 2.7 Circuito RLC con Diodo

.PARAM VALU = 160 ; Definir parámetro VALU
.STEP PARAM VALU LIST 50 160 320 ; Variar parámetro VALU
VS 1 0 PWL (0 0 INS 220V 1MS 220V) ; Lineal por partes
R 2 3 {VALU} ; Resistencia variable
L 3 4 2MH
C 4 0 0.05UF
D1 1 2 DMOD ; Diodo con modelo DMOD
.MODEL DMOD D(IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de
diodo
.TRAN 0.1US 60US ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
I(R

B
USBWÊT
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
-B

DPSSJFOUF
EFQFOEF
EF
MB
SFTJTUFODJB
R
$PO
VO
WBMPS
BMUP
EF
R
MB
DPSSJFOUF
TF
BNPSUJHVB
NÃT
Z
DPO

VO
WBMPS
CBKP
UJFOEF
NÃT
IBDJB
VOB
TFOPJEF
$PO
R =

MB
DPSSJFOUF
QJDP
FT
Vs (C/L) = 220 ×

μN

=

"
6O
EJTFÒBEPS
EF
DJSDVJUPT
QPESÎB
TFMFDDJPOBS
VO
WBMPS
EF
SB[ÓO
EF
BNPSUJHVB-
NJFOUP
Z
MPT
WBMPSFT
EF
R, L
Z
C
QBSB
HFOFSBS
MB
GPSNB
EFTFBEB
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
Z
MB
GSFDVFODJB

EF
TBMJEB

 2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 65

Circuito RLC con un diodo Temperatura 27.0

1.0 A

50 
0.8 A

160 
0.6 A

320 
0.4 A

0.2 A

0.0 A
0 s 10 s 20 s 30 s 40 s 50 s 60 s
I(L) Tiempo C1  14.385 , 913.522 m
C2  0.000, 0.000
dif  14.385 , 913.522 m

FIGURA 2.23
(SÃGJDBT
EFM
FKFNQMP


Puntos clave de la sección 2.14

r
-B
DPSSJFOUF
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
EFQFOEF
EF
MB
SB[ÓO
EF
BNPSUJHVBNJFOUP
δ = (R/2)(C/L


-PT
DJSDVJUPT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
TVFMFO
FTUBS
TVCBNPSUJHVBEPT
EF
NPEP
RVF
MB

DPSSJFOUF
FO
FM
DJSDVJUP
FT
DBTJ
TFOPJEBM

2.15 DIODOS DE CONDUCCIÓN LIBRE CON CARGA RL CONMUTADA

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
UJFNQP
t1
TF
FTUBCMFDF

VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MVFHP
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
TF
EFCF
QSPQPSDJPOBS
VOB
USB-
ZFDUPSJB
QBSB
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
JOEVDUJWB
%F
MP
DPOUSBSJP
MB
FOFSHÎB
JOEVDUJWB
JOEVDF
VO

WPMUBKF
NVZ
BMUP
Z
FTUB
FOFSHÎB
TF
EJTJQB
DPNP
DBMPS
FO
GPSNB
EF
DIJTQBT
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQ-
UPS
&TUP
TF
TVFMF
IBDFS
DPOFDUBOEP
VO
EJPEP
Dm
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
FM
DVBM
TF

DPOPDF
DPNP
diodo de conducción libre
&M
EJPEP
Dm
TF
SFRVJFSF
QBSB
QSPCBS
VOB
USBZFDUPSJB

QBSB
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
JOEVDUJWB
&M
EJPEP
D1
TF
DPOFDUB
FO
TFSJF
DPO
FM
JOUFSSVQUPS
F
JNQF-
EJSÃ
DVBMRVJFS
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
OFHBUJWB
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
TJ
IBZ
VO
WPMUBKF
EF
BMJNFO-
UBDJÓO
EF
FOUSBEB
EF
DB
1FSP
QBSB
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
OP

IBZ
OFDFTJEBE
EFM
EJPEP
D1
&M
JOUFSSVQUPS
KVOUP
DPO
FM
EJPEP
D1
JNJUB
FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF

DPONVUBDJÓO
EF
VO
JOUFSSVQUPS
FMFDUSÓOJDP

&O
FM
JOTUBOUF
t = 0 +
EFTQVÊT
EF
VO
UJFNQP
GJOJUP
FO
FM
NPNFOUP
FO
RVF
FM
SFMPK
TF

QPOF
FO
NBSDIB
EFTQVÊT
EF
DFSP

FM
JOUFSSVQUPS
TF
BDBCB
EF
DFSSBS
Z
MB
DPSSJFOUF
BÙO
FTUÃ
FO

DFSP
4JO
VO
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF
FMFWBSÎB
BM
JOTUBOUF
QFSP
DPO
FM
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
TF

FMFWBSÃ
FYQPOFODJBMNFOUF
DPO
VOB
QFOEJFOUF
JOJDJBM
EF
Vs/L
DPNP
MP
EB
MB
FDVBDJÓO



66 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

S1
D1

 t0 i  i1
R L L I1
 
Vs Vs Dm Vs Vs i2
 
L R R
if
 
Modo 1 Modo 2
(a) Diagrama del circuito (b) Circuitos equivalentes

I1 i

i1 i2

0 t
i1
I1 i2

t1 t2

0 t
(c) Formas de onda

FIGURA 2.24
$JSDVJUP
DPO
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM

JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

Z
FM
NPEP

FNQJF[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
&O

MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MPT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
BNCPT
NPEPT
-BT
WBSJBCMFT
i1
F
i2
TF

EFGJOFO
DPNP
MBT
DPSSJFOUFT
JOTUBOUÃOFBT
FO
NPEP

Z
NPEP

SFTQFDUJWBNFOUF
t1
Z
t2
TPO
MBT

EVSBDJPOFT
DPSSFTQPOEJFOUFT
EF
FTUPT
NPEPT

Modo 1. %VSBOUF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
i1
FO
FM
EJPEP
MB
DVBM
FT
TJNJMBS
B
MB
EF
MB
FDVB-

DJÓO


FT

i1 1 t2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
BM
GJOBM
EF
FTUF
NPEP

MB
DPSSJFOUF
FO

FTF
JOTUBOUF
FT

I1 = i1 1 t = t 1 2 = 1 1 − e −tR/L 2

Vs


R
4J
FM
UJFNQP
t1
FT
MP
CBTUBOUF
MBSHP
MB
DPSSJFOUF
QSÃDUJDBNFOUF
BMDBO[B
VOB
DPSSJFOUF
FO

FTUBEP
FTUBCMF
EF Is = Vs/R
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB

Modo 2. &TUF
NPEP
DPNJFO[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FN-
QJF[B
B
GMVJS
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
3FEFGJOJFOEP
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
BM

DPNJFO[P
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
TF
EFUFSNJOB
DPO

 2.15 Diodos de conducción libre con carga RL conmutada 67

di2
0 =L + Ri2


dt
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i2(t = 0) = Is
-B
TPMVDJÓO
EF
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPO-
EVDDJÓO
MJCSF
if = i2
DPNP

i2 1 t 2 = I1e −tR/L


Z
FO
FM
JOTUBOUF
t = t2
FTUB
DPSSJFOUF
EFDBF
FYQPOFODJBMNFOUF
B
DBTJ
DFSP
TJFNQSF
RVF
t2 >> L/R

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
D

Nota
-B
GJHVSB
D
NVFTUSB
RVF
FO
MPT
JOTUBOUFT
t1
Z
t2
MBT
DPSSJFOUFT
IBO
BMDBO[BEP
MBT

DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
­TUPT
TPO
MPT
DBTPT
FYUSFNPT
/PSNBMNFOUF
VO
DJSDVJUP
PQFSB
FO
DPOEJ-
DJPOFT
DFSP
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
QFSNBOFDF
DPOUJOVB

Ejemplo 2.8 Cómo determinar la energía almacenada en un inductor con un diodo

de conducción libre
&O
MB
GJHVSB
B
MB
SFTJTUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
R =


FM
WPMUBKF
EF
MB
GVFOUF
FT
Vs =

7
DPOTUBOUF

EF
UJFNQP

Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L = 220 μ)
B

5SBDF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
EVSBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
C

%FUFSNJOF
MB
FOFSHÎB
GJOBM

HVBSEBEB
FO
FM
JOEVDUPS
EF
DBSHB

Solución
a.
&M
EJBHSBNB
EFM
DJSDVJUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
VOB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
DFSP
$VBOEP
TF

DJFSSB
FM
DJSDVJUP
FO
FM
JOTUBOUF
t = 
MB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
TVCF
MJOFBMNFOUF
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

i1 t 2 =
Vs
t
L

Z
DVBOEP
t = t1, I0 = Vst1/L = 200 × 100/220 =

"

Vs i
I0  t1
L

0 t
t1

S1 id
D1 I0

 t0 id
i 0 t
t1

Vs Vs Dm L if
 I0
if t1
 t
0
t1
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 2.25
$JSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
DBSHB
L

68 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

b.
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPNJFO[B
B
GMVJS
B

USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
$PNP
OP
IBZ
OJOHÙO
FMFNFOUP
EJTJQBUJWP
SFTJTUJWP

FO
FM
DJSDVJUP
MB
DP-
SSJFOUF
EF
DBSHB
QFSNBOFDF
DPOTUBOUF
FO
I0 =

"
Z
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
FT

L0 =

+
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF

Puntos clave de la sección 2.15

r
4J
MB
DBSHB
FT
JOEVDUJWB
TF
EFCF
DPOFDUBS
VO
EJPEP
BOUJQBSBMFMP
DPOPDJEP
DPNP
EJPEP
EF

DPOEVDDJÓO
MJCSF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
B
GJO
EF
QSPQPSDJPOBS
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
RVF
GMVZB

MB
DPSSJFOUF
JOEVDUJWB
%F
MP
DPOUSBSJP
MB
FOFSHÎB
QVFEF
RVFEBS
BUSBQBEB
FO
VOB
DBSHB

JOEVDUJWB

2.16 RECUPERACIÓN DE LA ENERGÍA ATRAPADA CON UN DIODO

&O
FM
DJSDVJUP
JEFBM
<>
TJO
QÊSEJEBT
EF
MB
GJHVSB
B
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF

RVFEB
BUSBQBEB
BIÎ
QPSRVF
OP
IBZ
SFTJTUFODJB
FO
FM
DJSDVJUP
&O
VO
DJSDVJUP
QSÃDUJDP
FT
SFDP-
NFOEBCMF
NFKPSBS
MB
eficiencia
DPO
FM
SFHSFTP
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
B
MB
GVFOUF
EF
BCBTUF-
DJNJFOUP
&TUP
TF
QVFEF
IBDFS
BHSFHBOEP
BM
JOEVDUPS
VO
TFHVOEP
EFWBOBEP
Z
DPOFDUBOEP
VO

EJPEP
D1
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
JOEVDUPS
Z
FM
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
TF
DPNQPS-
UBO
DPNP
VO
USBOTGPSNBEPS
&M
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
TF
DPOFDUB
EF
UBM
NPEP
RVF
TJ
v1
FT
QPTJUJWP
v2
TFB
OFHBUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
v1
Z
WJDFWFSTB
&M
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
RVF
GBDJMJUB
FM

SFHSFTP
EF
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
B
MB
GVFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D1
TF
DPOPDF
DPNP
devanado de
retroalimentación
4VQPOJFOEP
VO
USBOTGPSNBEPS
DPO
JOEVDUBODJB
NBHOFUJ[BDJÓO
LN
FM
DJSDVJUP

FRVJWBMFOUF
FT
FM
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

4J
FM
EJPEP
Z
FM
WPMUBKF
TFDVOEBSJP
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP

TF
SFGJFSFO
BM
MBEP
QSJNBSJP
EFM

USBOTGPSNBEPS
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
FT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
-PT
QBSÃNFUSPT
i1
F
i2
EFGJOFO
MBT
DPSSJFOUFT
QSJNBSJB
Z
TFDVOEBSJB
EFM
USBOTGPSNBEPS
SFTQFDUJWBNFOUF

-B
relación de vueltas EF
VO
USBOTGPSNBEPS
JEFBM
TF
EFGJOF
DPNP

N2
a =


N1

&M
GVODJPOBNJFOUP
EFM
DJSDVJUP
TF
QVFEF
EJWJEJS
FO
EPT
NPEPT
&M
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM

JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

Z
FM
NPEP

DPNJFO[B
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF

-PT
DJSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
EF
MPT
NPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
t1
Z
t2
MBT
EVSBDJPOFT

EFM
NPEP

Z
FM
NPEP

SFTQFDUJWBNFOUF

Modo 1. %VSBOUF
FTUF
NPEP
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

&M
EJPEP
D1

TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DPSSJFOUF
TFDVOEBSJB

FT
ai2 =

P
i2 =


$PO
MB
MFZ
EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
FO
MB
GJHVSB
B
QBSB
FM
NPEP

Vs = (vD − Vs)/a
Z
ÊTUB

QSPQPSDJPOB
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FO
FM
EJPEP
DPNP

vD = Vs 1 1 + a2


4VQPOJFOEP
RVF
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT
MB
NJTNB
RVF

MB
DPSSJFOUF
FO
FM
JOUFSSVQUPS
is
Z
TF
FYQSFTB
DPNP

di1
Vs = Lm


dt
 2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 69

 vD 

S1 D1 i2
N1 : N2
 t0 i1
 

Vs Vs v1 v2




N1 : N2

(a) Diagrama del circuito

S1 ai2 N1 : N2
 is t0 i2 
i1
 D1 vD

 
Vs Vs Lm v1 v2
 
Vs
N2  

a
 N1
Transformador
ideal
(b) Circuito equivalente

S1

 t0 is ai2 
i1 D1
 vD /a

 
Vs Vs en el modo 1 Lm en el modo 2
 
  N2 Vs /a
a 
 N1

(c) Circuito equivalente, referido al lado primario

FIGURA 2.26
$JSDVJUP
DPO
EJPEP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
<3FG

4
%FXBO>

MB
DVBM
EB

i1 1 t2 = is 1 t2 =
Vs
t para 0 ≤ t ≤ t 1


Lm

&TUF
NPEP
FT
WÃMJEP
QBSB

≤ t ≤ t1
Z
UFSNJOB
DVBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FO
FM
JOTUBOUF
t = t1

"M
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT

Vs
I0 = t


Lm 1
70 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

ai2  0

 is   ai2
D1 D1 vD  0
 vD /a
v1 Lm Lm 
Vs Vs    Vs
 Vs /a

i1
i1  a
 
Modo 1 Modo 2
(a) Circuito equivalente

Vs i1
I0  t1
Lm
t2
0 t
t1 (t1  t2)
ai2
Vs
t1
Lm
t1
0 t
Vs is
t1
Lm

0 t

v1
Vs

0 t
Vs /a

v2
aVs

0 t

Vs
vD
Vs(1  a)

aVs

Vs
Vs
0 t
(b) Formas de onda

FIGURA 2.27
$JSDVJUPT
FRVJWBMFOUFT
Z
GPSNBT
EF
POEB

 2.16 Recuperación de la energía atrapada con un diodo 71

Modo 2. %VSBOUF
FTUF
NPEP
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
TF

JOWJFSUF
Z
FM
EJPEP
D1
TF
QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
6OB
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
TFDVOEBSJP

EFM
USBOTGPSNBEPS
Z
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
TF
SFHSFTB
B
MB
GVFOUF
"M
BQMJDBS
MB
MFZ

EFM
WPMUBKF
EF
,JSDIIPGG
Z
SFEFGJOJS
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
BM
JOJDJP
EF
FTUF
NPEP
MB
DPSSJFOUF
EFM

QSJNBSJP
TF
EFGJOF
DPNP

di1 Vs
Lm + = 0


dt a
DPO
MB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
i1(t = 0) = I0
QPEFNPT
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
DPNP

i1 1 t2 = −
Vs
t + I0 con 0 ≤ t ≤ t 2


aLm

&M
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D1
TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
t1(t = t2) =

EF
MB

FDVBDJÓO


Z
FT
aLmI0
t2 = = at 1


Vs

&M
NPEP

FT
WÃMJEP
DPO

≤ t ≤ t2
"M
GJOBM
EF
FTUF
NPEP
DPO
t = t2
UPEB
MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB

FO
FM
JOEVDUPS
Lm
TF
SFHSFTB
B
MB
GVFOUF
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
EJWFSTBT
GPSNBT
EF

POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
Z
EFM
WPMUBKF
DPO
a =


Ejemplo 2.9 Cómo determinar la energía a recuperar en un inductor con un diodo de

retroalimentación
&O
FM
DJSDVJUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
MB
GJHVSB
B
MB
JOEVDUBODJB
EF
NBHOFUJ[BDJÓO
EFM
USBOT-
GPSNBEPS
FT
Lm = 250 μH, N1 =

Z
N2 =

-BT
JOEVDUBODJBT
Z
SFTJTUFODJBT
EF
iGVHBu
EFM
USBOTGPS-
NBEPS
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
Vs =

7
Z
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP
4J

FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
VO
UJFNQP
t1 = 50 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
B

EFUFSNJOF
FM
WPMUBKF
JOWFSTP

EFM
EJPEP
D1
C

DBMDVMF
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
D

DBMDVMF
FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP
E

EFUFSNJOF
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
D1
Z
F

EFUFSNJOF
MB
FOFSHÎB

BMJNFOUBEB
QPS
MB
GVFOUF

Solución
-B
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
FT
a = N2/N1 = 100/10 =


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
JOWFSTP
EFM
EJPEP
FT

vD = Vs 1 1 + a2 = 220 × 1 1 + 102 = 2420 V

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
QSJNBSJP
FT

Vs 50
I0 = t = 220 × = 44 A
Lm 1 250

c.
&M
WBMPS
QJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP
FT
I 0′ = I0/a = 44/10 = 4.4 A.

d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
FT

aLmI0 10
t2 = = 250 × 44 × = 500 μs
Vs 220
72 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

e.
-B
FOFSHÎB
EF
MB
GVFOUF
FT

t1 t1
Vs 1 V 2s 2
W = vi dt = Vs t dt = t
L0 L0 Lm 2 Lm 1

6UJMJ[BOEP
I0
PCUFOJEB
EF
MB
FDVBDJÓO


UFOFNPT

W = 0.5LmI 20 = 0.5 × 250 × 10−6 × 442 = 0.242 J = 242 mJ

Puntos clave de la sección 2.16

r
-B
FOFSHÎB
BUSBQBEB
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
TF
QVFEF
SFUSPBMJNFOUBS
B
MB
GVFOUF
EF
FO-
USBEB
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
DPOPDJEP
DPNP
EJPEP
EF
SFUSPBMJNFOUBDJÓO

RESUMEN
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
EJPEPT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MBT
EF
MPT
EJPEPT
JEFBMFT
&M
UJFNQP
EF

SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EFTFNQFÒB
VO
QBQFM
JNQPSUBOUF
TPCSF
UPEP
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUB-
DJÓO
EF
BMUB
WFMPDJEBE
-PT
EJPEPT
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
USFT
UJQPT


EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM



EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
Z


EJPEPT
4DIPUULZ
"VORVF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
TF
DPN-
QPSUB
DPNP
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn
OP
IBZ
VOJÓO
GÎTJDB
QPS
DPOTJHVJFOUF
VO
EJPEP
4DIPUULZ
FT

VO
EJTQPTJUJWP
QPSUBEPS
NBZPSJUBSJP
1PS
PUSB
QBSUF
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn
FT
VO
EJPEP
QPSUBEPS

UBOUP
NBZPSJUBSJP
DPNP
NJOPSJUBSJP

4J
MPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQBDJEBE
EF
CMPRVFP
EF
WPMUBKF

TF
SFRVJFSFO
SFEFT
RVF
DPNQBSUBO
WPMUBKF
FO
DPOEJDJPOFT
FTUBCMFT
Z
USBOTJUPSJBT
$VBOEP
MPT

EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
QBSB
JODSFNFOUBS
MB
DBQBDJEBE
EF
DPOEVDJS
DPSSJFOUF
UBNCJÊO
TF

SFRVJFSFO
FMFNFOUPT
RVF
DPNQBSUBO
DPSSJFOUF

&O
FTUF
DBQÎUVMP
IFNPT
WJTUP
MBT
BQMJDBDJPOFT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB
FO
MB
JOWFSTJÓO
EF
WPM-
UBKF
EF
VO
DBQBDJUPS
FO
MB
DBSHB
EF
VO
DBQBDJUPS
B
VO
WPMUBKF
NBZPS
RVF
FM
EF
FOUSBEB
EF
DE
FO

MB
BDDJÓO
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
FO
MB
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB

-B
FOFSHÎB
TF
QVFEF
USBOTGFSJS
EF
VOB
GVFOUF
EF
DE
B
DBQBDJUPSFT
F
JOEVDUPSFT
DPO
VO
JOUF-
SSVQUPS
VOJEJSFDDJPOBM
6O
JOEVDUPS
USBUB
EF
NBOUFOFS
DPOTUBOUF
TV
DPSSJFOUF
BM
QFSNJUJS
RVF
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DBNCJF
FO
UBOUP
RVF
VO
DBQBDJUPS
USBUB
EF
NBOUFOFS
DPOTUBOUF
TV
WPMUBKF

BM
QFSNJUJS
RVF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊM
DBNCJF

REFERENCIAS
[1]
3BTIJE
.
)


Microelectronic Circuits: Analysis and Design
#PTUPO
$FOHBHF
1VCMJTIJOH

$BQÎUVMP


[2]
(SBZ
13
Z
3
(
.FZFS


Analysis and Design of Analog Integrated Circuits
/VFWB
:PSL

+PIO
8JMFZ

4POT
$BQÎUVMP


[3]
*OGJOFPO
5FDIOPMPHJFT
Power Semiconductors.


"MFNBOJB
4JFNFOT
XXX
JOGJOFPODPN
[4]
3BTIJE
.)


SPICE for Circuits and Electronics Using Pspice
&OHMFXPPE
$MJGGT
/+

1SFOUJDF
)BMM
*OD

[5]
3BTIJE
.)


SPICE for Power Electronics and Electric Power
#PDB
3BUPO
'-
5BZMPS


'SBODJT

[6]
5VJOFOHB
18


SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using Pspice
&OHMFXPPET

$MJGGT
1SFOUJDF)BMM

[7]
%FXBO
4#
Z
"
4USBVHIFO


Power Semiconductor Circuits
/VFWB
:PSL
+PIO
8JMFZ


4POT
$BQÎUVMP


 Problemas 73

[8]
,SJIFMZ
/
Z
#FO:BBLPW



i4JNVMBUJPO
#JUT
"EEJOH
UIF
3FWFSTF
3FDPWFSZ
'FBUVSF
UP
B

(FOFSJD
%JPEFu
IEEE Power Electronics Society Newsletter. 4FHVOEP
USJNFTUSF



[9]
0[QJOFDJ
#
Z
-
5PMCFSU


i4JMJDPO
$BSCJEF
4NBMMFS
'BTUFS
5PVHIFSu
IEEE Spectrum
PDUVCSF

PREGUNTAS DE REPASO
2.1 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
EF
QPUFODJB

2.2. y2VÊ
FT
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
EJPEPT

2.3 y2VÊ
FT
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT
2.4 y2VÊ
FT
VOB
DPSSJFOUF
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
EJPEPT

2.5 y2VÊ
FT
VO
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
EF
EJPEPT

2.6 y$VÃMFT
TPO
MPT
UJQPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
EJPEPT

2.7 y$VÃMFT
TPO
MBT
DPOEJDJPOFT
QBSB
RVF
TF
JOJDJF
VO
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB

2.8 y&O
RVÊ
UJFNQP
FO
FM
QSPDFTP
EF
SFDVQFSBDJÓO
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
EF
EJPEP
BMDBO[B
TV
WBMPS
QJDP

2.9 y$VÃM
FT
MB
DBVTB
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

2.10 y$VÃM
FT
FM
FGFDUP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
2.11 y1PS
RVÊ
FT
OFDFTBSJP
VUJMJ[BS
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
QBSB
DPONVUBDJÓO
EF
BMUB
WFMPDJEBE

2.12 y2VÊ
FT
VO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EJSFDUB

2.13 y$VÃMFT
TPO
MBT
QSJODJQBMFT
EJGFSFODJBT
FOUSF
EJPEPT
EF
VOJÓO
pn
Z
EJPEPT
4DIPUULZ

2.14 y$VÃMFT
TPO
MBT
MJNJUBDJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
4DIPUULZ

2.15 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
UÎQJDP
EF
EJPEPT
EF
VTP
HFOFSBM

2.16 y2VÊ
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
UÎQJDP
EF
EJPEPT
EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB

2.17 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
TFSJF
Z
DVÃMFT
TPO
MBT
QPTJCMFT
TPMVDJPOFT

2.18 y$VÃMFT
TPO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO
QBSBMFMP
Z
DVÃMFT
TPO
MBT
QPTJCMFT
TPMVDJPOFT

2.19 4J
EPT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPO
WPMUBKFT
JHVBMFT
DPNQBSUJEPT
yQPS
RVÊ
EJGJFSFO
MBT
DPSSJFOUFT

EF
GVHB
EF
MPT
EJPEPT

2.20 y2VÊ
FT
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
RL

2.21 y2VÊ
FT
MB
DPOUBOUF
EF
UJFNQP
EF
VO
DJSDVJUP
RC

2.22 y2VÊ
FT
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EF
VO
DJSDVJUP
LC

2.23 y2VÊ
FT
GBDUPS
EF
BNPSUJHVBNJFOUP
EF
VO
DJSDVJUP
RLC

2.24 y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
MB
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
SFQJRVF
P
GSFDVFODJB
SFTP-
OBOUF
BNPSUJHVBEB
EF
VO
DJSDVJUP
RLC
2.25 y2VÊ
FT
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
DVÃM
FT
TV
QSPQÓTJUP

2.26 y2VÊ
FT
MB
FOFSHÎB
BUSBQBEB
EF
VO
JOEVDUPS

2.27 y$ÓNP
TF
SFDVQFSB
MB
FOFSHÎB
BUSBQBEB
DPO
VO
EJPEP

2.28 y$VÃM
TFSÃ
FM
FGFDUP
EF
UFOFS
VO
JOEVDUPS
HSBOEF
FO
VO
DJSDVJUP
RL

2.29 y$VÃM
TFSÃ
FM
FGFDUP
EF
UFOFS
VOB
SFTJTUFODJB
NVZ
QFRVFÒB
FO
VO
DJSDVJUP
RLC

2.30 y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
VO
DBQBDJUPS
Z
VO
JOEVDUPS
DPNP
FMFNFOUPT
EF
BMNBDFOBNJFOUP
EF

FOFSHÎB

PROBLEMAS
2.1
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF

EFM
EJPEP
FT
di/dt =

"μT
4J
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
4'
=

EFUFSNJOF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB

QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR

2.2
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB
EF
MB
DPSSJFOUF

EFM
EJPEP
FT
di/dt =

"μT
4J
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
4'
=

EFUFSNJOF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDF-
OBEB
QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR

74 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.3 &M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
EF
VO
EJPEP
FT
trr = 5 μT
Z
FM
GBDUPS
EF
TVBWJEBE
FT
SF =


5SBDF
(a)
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB
QRR
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
JOWFSTB
QJDP
IRR
DPOUSB
MB
WFMPDJEBE
EF
DBÎEB

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
EF

"μT
B

L"μT
DPO
VO
JODSFNFOUP
EF

"μT

2.4
-PT
WBMPSFT
NFEJEPT
EF
VO
EJPEP
B
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
TPO

VD =

7
DPO
ID =

"

=

7
DPO
ID =

"

%FUFSNJOF
(a)
FM
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
Is

2.5
-PT
WBMPSFT
NFEJEPT
EF
VO
EJPEP
B
VOB
UFNQFSBUVSB
EF
P$
TPO

VD =

7
DPO
ID =

"

VD =

7
DPO
ID =

"

%FUFSNJOF
(a)
FM
DPFGJDJFOUF
EF
FNJTJÓO
n,
Z
(b)
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
IS

2.6 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP

TF
NBOUJFOF
JHVBM
BM
DPOFDUBS
VO
SFTJTUPS
RVF
DPNQBSUF
FM
WPMUBKF
EF
UBM
NPEP
RVF
VD1 = VD2 =

7
Z
R1 =

LΩ
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF

MBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
Z
MB
SFTJTUFODJB
R2
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D2

i
150

100

50
2200 2000 1600 1200 800 400 200
v
0.5 1.0 2 3
5 mA

10 mA

15 mA

20 mA

25 mA

30 mA

FIGURA P2.6

2.7
%PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
Z
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP

TF
NBOUJFOF
JHVBM
DPOFDUBOEP
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBSUFO
FM
WPMUBKF
EF
UBM
NPEP
RVF
VD1 = VD2 =

L7
Z
R1 =

LΩ
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF

MBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
EF
DBEB
EJPEP
Z
MB
SFTJTUFODJB
R2
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D2

2.8 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
EF

7

-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
TFO-
UJEP
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP

 Problemas 75

2.9
%PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
VOP
FT
EF

7
-BT

DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
TFOUJEP

EJSFDUP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
2.10 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBS-
UFO
DPSSJFOUF
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
EF
MPT
EJPEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
-B
DPSSJFOUF
UPUBM

FT
IT =

"
&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
Z
TV
SFTJTUFODJB
FT
v =

7
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF

MBT
SFTJTUFODJBT
R1
Z
R2
TJ
MPT
EJPEPT
DPNQBSUFO
MB
DPSSJFOUF
QPS
JHVBM

2.11 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
QBSBMFMP
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
SFTJTUPSFT
RVF
DPNQBS-
UFO
DPSSJFOUF
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
v-i
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
-B
DPSSJFOUF
UPUBM
FT
IT =

"

&M
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
Z
TV
SFTJTUFODJB
FT
vD =

7
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
MBT
SFTJTUFO-
DJBT
R1
Z
R2
TJ
MPT
EJPEPT
DPNQBSUFO
QPS
JHVBM
MB
DPSSJFOUF
UPUBM

2.12 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-B
SFTJTUFODJB
B
USBWÊT
EF
MPT

EJPEPT
FT
R1 = R2 =

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
FT

L7
-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT

2.13 %PT
EJPEPT
TF
DPOFDUBO
FO
TFSJF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
-BT
SFTJTUFODJBT
B
USBWÊT
EF
MPT

EJPEPT
TPO
R1 = R2 =

LΩ
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DE
FT

L7
-BT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
TPO
IS1 =

N"
F
IS2 =

N"
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
2.14 -BT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
DBQBDJUPS
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT

DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

Z
QJDP
EFM
DBQBDJUPS
4VQPOHB
Ip =

"
EF
TFNJPOEB
TFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 250 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs
⫺200

FIGURA P2.14

2.15 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJ-
EBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
IP =

"
EF
VOB

TFNJPOEB
TFOPJEBM

i1A
Ip
t1 ⫽ 100 ␮s fs ⫽ 500 Hz
t2 ⫽ 300 ␮s
t3 ⫽ 500 ␮s
0 t
t1 t2 t3 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.15

2.16 -B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
4J
MB
DPSSJFOUF

SNT
FT
I3.4 =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IF
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
IPROM
EFM
EJPEP

2.17
-B
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
4J
MB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
FT
I130. =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Ip
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
I3.4
EFM
EJPEP

2.18 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
SNT
Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
Ip =

"
DPO

VOB
TFNJPOEB
TFOPJEBM
EF

"
QJDP


76 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

i, A
Ip t1 ⫽ 100 ␮s, t2 ⫽ 200 ␮s,
t3 ⫽ 400 ␮s, t4 ⫽ 800 ␮s, t5 ⫽ 1 ms
fs ⫽ 250 Hz
150
100

0 t
t1 t2 t3 t4 t5 1
Ts ⫽
fs

FIGURA P2.18

2.19 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
SNT
Z
QJDP
EFM
EJPEP
4VQPOHB
Ip =

"
TJO

VOB
TFNJPOEB
TFOPJEBM

2.20 EO
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
4J

MB
DPSSJFOUF
SNT
FT
I3.4 =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IP
Z
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
I130.
EFM

EJPEP

2.21 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
4J

MB
DPSSJFOUF
SNT
FT
I130. =

"
EFUFSNJOF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
IP
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
I3.4
EFM
EJPEP

2.22 &M
DJSDVJUP
EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 220 V, R =

Ω
Z
$
= 10 μ'
&M

DBQBDJUPS
UJFOF
VO
WPMUBKF
JOJDJBM
EF
V$0 (t = 0) =

4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t = 0,
EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
EJTJQBEB
FO
FM
SFTJTUPS
R,
Z
D

FM
WPMUBKF
EFM

DBQBDJUPS
FO
FM
JOTUBOUF
t = 2 μT

2.23 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 22 Ω
Z
C = 10 μ'
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF

DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
Z
MB
FOFSHÎB

QFSEJEB
FO
FM
DJSDVJUP

C R
⫹ ⫺
i Vc 0 ⫽ 220
S1 D1
FIGURA P2.23

2.24 &M
DJSDVJUP
RL EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 110 V, R =

Ω
Z
L =

N)

&M
JOEVDUPS
OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB

DPSSJFOUF
FTUBCMF
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L,
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

2.25 &M
DJSDVJUP
RL EF
EJPEP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VS = 220 V, R =

Ω
Z
L =

N)

&M
JOEVDUPS
OP
UJFOF
DPSSJFOUF
JOJDJBM
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB

DPSSJFOUF
FTUBCMF
EFM
EJPEP
C

MB
FOFSHÎB
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
L,
Z
D

MB
di/dt
JOJDJBM

2.26 &O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
R = 10 Ω, L =

N)
Z
Vs =

7
4J
VOB
DP-
SSJFOUF
EF
DBSHB
EF

"
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB

FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
i
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS

S1

⫹ t⫽0 i
R
Dm
Vs

L 10 A
⫺
FIGURA P2.26
 Problemas 77

2.27 4J
FM
JOEVDUPS
EFM
DJSDVJUP
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
JOJDJBM
EF
I0
EFUFSNJOF

MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS

2.28
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
EF
MB
GJHVSB
1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
MB
FYQSFTJÓO
QBSB

(a)
MB
DPSSJFOUF
i(t

RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
JOUFSSVQUPS
Z
(b)
MB
WFMPDJEBE
EF
TVCJEB
di/dt
EF
MB
DP-
SSJFOUF
(c)
5SBDF
MBT
DVSWBT
EF
i(t

Z
di/dt
(d)
y$VÃM
FT
FM
WBMPS
EF
MB
WFMPDJEBE
di/dt
JOJDJBM
1BSB
MB

GJHVSB
1F
EFUFSNJOF
ÙOJDBNFOUF
MB
WFMPDJEBE
di/dt
JOJDJBM

S1 S1 S1
R R

⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i ⫹ t⫽0 i

⫹ ⫹ ⫹
⫹
Vs Vs Vs Vs Vs Vs L
L ⫺ C V0 ⫺
⫺
⫺
⫺ ⫺ ⫺

(a) (b) (c)

S1 S1
L1

⫹ i t⫽0 D1 ⫹ t⫽0 20 ␮H
H ⫽ 0.5 ⍀
⫹ L ⫹
Vs Vs Vs Vs
⫺ ⫺ 10 ␮F C
⫹
C V0 L2 ⫽ 10 ␮H
⫺ ⫺ ⫺

(d) (e)

FIGURA P2.28

2.29
&M
DJSDVJUP
EF
EJPEP
DPO
VOB
DBSHB
LC
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VO
WPMUBKF
JOJDJBM
VC
(t = 0) =

FO
FM
DBQBDJUPS
WPMUBKF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
DE
VS =

7
DBQBDJUBODJB
C = 10 μ'
F
JO-
EVDUBODJB
L = 50 μ)
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
QJDP

B
USBWÊT
EFM
EJPEP
C

FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
Z
D

FM
WPMUBKF
FTUBCMF
GJOBM
FO
FM
DBQBDJUPS

2.30 &M
DJSDVJUP
EF
TFHVOEP
HSBEP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VO
WPMUBKF
EF
GVFOUF
Vs =

7
JOEVDUBODJB

L =

N)
DBQBDJUBODJB
C = 10 μ'
Z
SFTJTUFODJB
R = 22 Ω
&M
WPMUBKF
JOJDJBM
EFM
DBQBDJUPS
FT
Vc0 =

7
4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
(a)
VOB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
Z

(b)
FM
UJFNQP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJPEP
(c)
5SBDF
VOB
DVSWB
EF
i(t


2.31 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
L = 4 μ)

2.32 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
C =

μ'

2.33 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
R = 16 Ω

2.34 &O
MB
GJHVSB
B
MB
SFTJTUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
R =


FM
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
VS =

7
DPOT-
UBOUF
EF
UJFNQP

Z
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L =

N)
B

5SBDF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DP-
SSJFOUF
TJ
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
JOTUBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
C

%FUFSNJOF
MB

FOFSHÎB
GJOBM
BMNBDFOBEB
FO
FM
JOEVDUPS
EF
MB
DBSHB
L

2.35 &O
FM
DJSDVJUP
EF
SFDVQFSBDJÓO
EF
FOFSHÎB
EF
MB
GJHVSB
B
MB
JOEVDUBODJB
NBHOFUJ[BOUF
EFM
USBOT-
GPSNBEPS
FT
Lm = 150 μH, N1 =

Z
N2 =

-BT
JOEVDUBODJBT
Z
SFTJTUFODJBT
EF
GVHB
EFM
USBOTGPS-
NBEPS
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&M
WPMUBKF
EF
GVFOUF
FT
Vs =

7
Z
OP
IBZ
DPSSJFOUF
JOJDJBM
FO
FM
DJSDVJUP

4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
EVSBOUF
FM
JOTUBOUF
t1 = 100 μT
Z
MVFHP
TF
BCSF
EFUFSNJOF
(a)
FM
WPMUBKF

JOWFSTP
EFM
EJPEP
D1
(b)
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
EFM
QSJNBSJP
(c)
DBMDVMF
MB
DPSSJFOUF
QJDP
FO
FM

TFDVOEBSJP
(d)
EFUFSNJOF
FM
UJFNQP
EVSBOUF
FM
DVBM
FM
EJPEP
D1
DPOEVDF
Z
(e)
EFUFSNJOF
MB
FOFSHÎB

TVNJOJTUSBEB
QPS
MB
GVFOUF

2.36 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
L = 450 μ)

78 Capítulo 2 Diodos de potencia y circuitos RLC conmutados

2.37 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
N1 =

Z
N2 =


2.38 3FQJUB
FM
FKFNQMP

TJ
N1 =

Z
N2 =


2.39 &O
MB
GJHVSB
1
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
EF
EJPEP
EPOEF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
GMVZF
QPS
MB
DBSHB

B
USBWÊT
EFM
EJPEP
Dm
4J
FM
JOUFSSVQUPS
S1
TF
DJFSSB
FO
FM
JOTUBOUF
t =

EFUFSNJOF
(a)
FYQSFTJPOFT

QBSB
vc(t), ic(t

F
id(t

(b)
FM
UJFNQP
t1
DVBOEP
FM
EJPEP
EFKB
EF
DPOEVDJS
(c)
FM
UJFNQP
tq
DVBOEP
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EFM
DBQBDJUPS
TF
WVFMWF
DFSP
Z
(d)
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
SFDBSHBS
FM
WPMUBKF
EF

TVNJOJTUSP
Vs

L D1

S1 vc id
⫹ ⫺ ia
⫹ ⫺ ⫹ ic
t⫽0 Vs
Ia
Vs Dm

FIGURA P2.39
 C A P Í T U L O 3

Diodos rectificadores

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente
r
&OVNFSBS
MPT
UJQPT
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
BTÎ
DPNP
TVT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT


r
&YQMJDBS
FM
GVODJPOBNJFOUP
Z
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
&OVNFSBS
Z
DBMDVMBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
MPT
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
"OBMJ[BS
Z
EJTFÒBS
DJSDVJUPT
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
&WBMVBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT
NFEJBOUF
TJNVMBDJPOFT
41*$&


r
%FUFSNJOBS
MPT
FGFDUPT
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
FO
MB
DPSSJFOUF
RVF
DJSDVMB
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB


r
%FUFSNJOBS
MPT
DPNQPOFOUFT
EF
'PVSJFS
EF
MBT
TBMJEBT
EFM
SFDUJGJDBEPS


r
%JTFÒBS
GJMUSPT
EF
TBMJEB
QBSB
EJPEPT
SFDUJGJDBEPSFT


r
%FUFSNJOBS
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
GVFOUF
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS

Símbolos y sus significados

Símbolos Significado
ID(prom); ID(rms) $PSSJFOUFT
QSPNFEJP
Z
SNT
EF
EJPEP
SFTQFDUJWBNFOUF

Io(prom); Io(rms) $PSSJFOUFT
QSPNFEJP
Z
SNT
EF
TBMJEB
SFTQFDUJWBNFOUF

Ip; Is $PSSJFOUFT
SNT
FO
FM
QSJNBSJP
Z
TFDVOEBSJP
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB

SFTQFDUJWBNFOUF
Pcd; Pca
1PUFODJBT
EF
TBMJEB
EF
DE
Z
DB
SFTQFDUJWBNFOUF

RF; TUF; PF 'BDUPS
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
GBDUPS
EF
VUJMJ[BDJÓO
EFM
USBOTGPSNBEPS
Z
GBDUPS

EF
QPUFODJB
SFTQFDUJWBNFOUF

vD(t); iD(t) 7PMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
JOTUBOUÃOFPT
SFTQFDUJWBNFOUF

vs(t); vo(t); vr(t) 7PMUBKFT
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
TBMJEB
Z
SJ[P
SFTQFDUJWBNFOUF

Vm; Vo(prom); Vo(rms) 7PMUBKFT
EF
TBMJEB
QJDP
QSPNFEJP
Z
SNT
SFTQFDUJWBNFOUF

Vr(pp); Vr(p); Vr(rms) 7PMUBKFT
EF
TBMJEB
QJDP
B
QJDP
QJDP
Z
SNT
SFTQFUJWBNFOUF

n; Vp; Vs
3FMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
WPMUBKF
SNT
FO
FM
QSJNBSJP
Z
WPMUBKF

FO
FM
TFDVOEBSJP
SFTQFDUJWBNFOUF

79
80 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3.1 INTRODUCCIÓN
-PT
EJPEPT
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
SFDUJGJDBEPSFT
6O
rectificador
FT
VO
DJSDVJUP
RVF
DPOWJFSUF

VOB
TFÒBM
EF
DB
FO
VOB
TFÒBM
VOJEJSFDDJPOBM
6O
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
UJQP
EF
DPOWFSUJEPS
EF
DB
B

DE
6O
SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
QVFEF
DPOTJEFSBSTF
DPNP
VO
DPOWFSUJEPS
EF
WBMPS
BCTPMVUP
4J
vs
FT

VO
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
DB
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
vo
UFOESÎB
MB
NJTNB
GPSNB

QFSP
MB
QBSUF
OFHBUJWB
BQBSFDFSÃ
DPNP
VO
WBMPS
QPTJUJWP
&T
EFDJS
vo
=
vT
%FQFOEJFOEP
EFM

UJQP
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
TF
DMBTJGJDBO
FO
EPT
UJQPT


NPOPGÃTJDPT

Z


USJGÃTJDPT
6O
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QVFEF
TFS
EF
NFEJB
POEB
P
EF
POEB
DPNQMFUB
6O

SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
FT
FM
UJQP
NÃT
TFODJMMP
QFSP
OP
TF
TVFMF
VUJMJ[BS
FO
BQMJ-
DBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
&O
GVODJÓO
EF
TV
TFODJMMF[
MPT
EJPEPT
TF
DPOTJEFSBO
JEFBMFT
1PS
iJEFBMu

RVFSFNPT
EFDJS
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
trr
Z
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP

VD
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT
&T
EFDJS
trr
=

Z
VD
=


3.2 PARÁMETROS DE DESEMPEÑO

"VORVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
EFCJFSB
TFS
JEFBM-
NFOUF
VOB
DE
QVSB
MB
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
QSÃDUJDP
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
P
SJ[PT
DPNP
TF

NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
6O
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
QSPDFTBEPS
EF
QPUFODJB
RVF
EFCF
QSPEVDJS
VO

WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DE
DPO
VOB
DBOUJEBE
NÎOJNB
EF
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
"M
NJTNP
UJFNQP

EFCF
NBOUFOFS
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
MP
NÃT
TFOPJEBM
QPTJCMF
Z
FO
GBTF
DPO
FM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
TFB
DBTJ
MB
VOJEBE
-B
DBMJEBE
EF
QSPDFTBNJFOUP
EF

MB
QPUFODJB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
SFRVJFSF
MB
EFUFSNJOBDJÓO
EFM
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EF
FOUSBEB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
1PEFNPT
VUJMJ[BS
MBT
FYQBOTJPOFT

FO
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
EFUFSNJOBS
FM
DPOUFOJEP
EF
BSNÓOJDPT
EF
WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
1PS
MP

DPNÙO
FM
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
FWBMÙB
FO
GVODJÓO
EF
MPT
TJHVJFOUFT
QBSÃNFUSPT

&M
WBMPS
promedio
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
P
EF
DBSHB

VDE
&M
WBMPS
promedio
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
P
EF
DBSHB

IDE
-B
QPUFODJB
EF
DE
EF
TBMJEB

Pcd = Vcd Icd


vo
salida con rizo

CA
vs vo
CD cd ideal

0 t

(a) rectificador (b) Voltaje de salida

FIGURA 3.1
3FMBDJÓO
EF
FOUSBEB
Z
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

 3.2 Parámetros de desempeño 81

&M
WBMPS
EF
MB
SBÎ[
NFEJB
DVBESÃUJDB
SNT

EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
VSNT
&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF ISNT
EF
TBMJEB
-B
QPUFODJB
EF
TBMJEB
EF
DB

Pca = Vrms Irms 

-B
eficiencia
P
relación de rectificación

EF
VO
SFDUJGJDBEPS
MB
DVBM
FT
VOB
DJGSB
EF
NÊSJUP

Z
OPT
QFSNJUF
DPNQBSBS
MB
FGJDBDJB
TF
EFGJOF
DPNP

Pcd
η = 

Pca
0CTFSWFNPT
RVF
η
OP
FT
MB
FGJDJFODJB
EF
QPUFODJB
&T
MB
FGJDJFODJB
EF
DPOWFSTJÓO
MB
DVBM

NJEF
MB
DBMJEBE
EF
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
TBMJEB
1BSB
VOB
TBMJEB
EF
DE
QVSB
MB
FGJDJFODJB
EF
DPOWFS-
TJÓO
TFSÎB
MB
VOJEBE

4F
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
DPOTUB
EF
EPT
DPNQPOFOUFT


FM
WBMPS
EF
DE

Z


FM
DPNQPOFOUF
EF
DB
P
SJ[P

&M
WBMPS
eficaz
SNT

EFM
DPNQPOFOUF
EF
DB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vca = 2V 2rms − V 2cd 

&M
factor de forma
FM
DVBM
NJEF
MB
GPSNB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

Vrms
FF = 

Vcd

&M
factor de rizo
FM
DVBM
NJEF
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
TF
EFGJOF
DPNP

Vca

RF =


Vcd

4VTUJUVZFOEP
MB
FDVBDJÓO


FO
MB
FDVBDJÓO


FM
GBDUPS
EF
SJ[P
TF
FYQSFTB
DPNP

Vrms 2
(RF) = a b − 1 = 2FF 2 − 1 

B Vcd
&M
factor de utilización del transformador
TF
EFGJOF
DPNP

Pcd
(TUF) = 

Vs Is

EPOEF
Vs
F
Is
TPO
FM
WPMUBKF
SNT
Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
SFTQFDUJWB-
NFOUF
-B
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
EF
GPSNB
BQSPYJNBEB
JHVBMBOEP
MB
QPUFO-
DJB
EF
FOUSBEB
DPO
MB
QPUFODJB
EF
DB
EF
TBMJEB
&T
EFDJS
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
FTUÃ
SFMBDJPOBEP

QPS

Pca
(PF) = 

VsIs

&M
GBDUPS
EF
DSFTUB
$'

FM
DVBM
NJEF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
QJDP
IT(QJDP

DPNQBSBEB
DPO

TV
WBMPS
SNT
Is
TVFMF
TFS
EF
JOUFSÊT
QBSB
FTQFDJGJDBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
QJDP
EF
EJT-
QPTJUJWPT
Z
DPNQPOFOUFT
&M
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFGJOF
DPNP

Is(pico)
(CF) = 

Is
82 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.2

r
&M
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
RVF
DJFSUPT
QBSÃNFUSPT
NJEFO
FT
EFGJDJFOUF
-B
DPSSJFOUF

B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TF
QVFEF
IBDFS
DPOUJOVB
BHSFHBOEP
VO
JOEVDUPS
Z
VO
EJPEP
EF
DPOEVD-
DJÓO
MJCSF
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT
EJTDPOUJOVP
Z
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
RVF
TPO
NÙMUJQMPT
EF
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO

3.3 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEDIA ONDA

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
DJSDVJUP
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO
USBOTGPSNBEPS

DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
QPTJUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FM
EJPEP
D 

DPOEVDF
Z
FM
EJPEP
D
FTUÃ
FO
condición de bloqueo. &M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BQBSFDF
B
USBWÊT
EF

MB
DBSHB
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
OFHBUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FM
EJPEP
D
DPOEVDF
NJFOUSBT

RVF
FM
EJPEP
D
FTUÃ
FO
condición de bloqueo. -B
QBSUF
OFHBUJWB
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BQBSFDF

B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
DPNP
VO
WPMUBKF
QPTJUJWP
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
B
MP
MBSHP
EF
VO
DJDMP
DPNQMFUP
$PNP
OP
IBZ
DPSSJFOUF
EJSFDUB
RVF
GMVZB
B

USBWÊT
EFM
USBOTGPSNBEPS
OP
IBZ
OJOHÙO
QSPCMFNB
EF
TBUVSBDJÓO
EFM
OÙDMFP
EFM
USBOTGPSNBEPS

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

T/2
2 2Vm
Vcd = Vm sen ωt dt = = 0.6366Vm 

T L0 π

vs
Vm

vs V m sen t

0 t
 2

Vm

vo
Vm

vD1
0 t
D1  2
vD
0 t
 2
vs
R io
vp
vo
vs vD2 vD1
D2
vD1 0 vD2 0

vD2 2V m

(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.2
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
USBTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

 3.3 Rectificadores monofásicos de media onda 83

vs
Vm

0 t
 2

Vm

vo
Vm

io
  
D1 D3 0 t
 2
vD
 t
vp vs R vo 2

D4 D2
   Vm
vD3, vD4 vD1, vD2
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.3
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB

&O
MVHBS
EF
VUJMJ[BS
VO
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
QPESÎBNPT
VUJMJ[BS
DVBUSP

EJPEPT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
%VSBOUF
FM
NFEJP
DJDMP
QPTJUJWP
EFM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
MB
QPUFODJB
TF
BCBTUFDF
B
MB
DBSHB
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
D
Z
D
%VSBOUF
FM
DJDMP
OFHBUJWP

MPT
EJPEPT
D
Z
D
DPOEVDFO
-B
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
Z
FT
TJNJMBS
B
MB
EF
MB
GJHVSB
C
&M
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
VO
EJPEP
FT
TÓMP
Vm
&TUF
DJS-
DVJUP
TF
DPOPDF
DPNP
rectificador de onda completa P
puente rectificador
Z
DPNÙONFOUF
TF

VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
<
>

&O
MB
UBCMB

TF
FOVNFSBO
BMHVOBT
EF
MBT
WFOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
DJSDVJUPT
EF
MBT

GJHVSBT

Z


TABLA 3.1 7FOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
FO
QVFOUF
Z
EF
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

7FOUBKB %FTWFOUBKBT

5SBOTGPSNBEPS
4FODJMMP
TÓMP
EPT
EJPEPT
"CBTUFDJNJFOUP
EF
QPUFODJB
CBKP
MJNJUBEP
NFOPT

DPO
EFSJWBDJÓO
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT

DFOUSBM WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP
1SPQPSDJPOB
BJTMBNJFOUP

FMÊDUSJDP
3FDUJGJDBEPS
FO
"EFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT


QVFOUF
P
QVFOUF
JOEVTUSJBMFT
IBTUB
EF

L8
SFDUJGJDBEPS -B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT

WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP


4FODJMMP
EF
VTBS
FO
VOJEBEFT


DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

EF

8

$PTUP
JODSFNFOUBEP
EFCJEP
BM
USBOTGPSNBEPS
DPO

EFSJWBDJÓO
DFOUSBM

-B
DPSSJFOUF
EJSFDUB
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
DBEB

MBEP
EFM
TFDVOEBSJP
JODSFNFOUBSÃ
FM
DPTUP
Z
FM

UBNBÒP
EFM
USBOTGPSNBEPS
-B
DBSHB
OP
QVFEF
DPOFDUBSTF
B
UJFSSB
TJO
VO

USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
TBMJEB

"VORVF
OP
TF
SFRVJFSF
VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM

MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
FM
SFDUJGJDBEPS
GVODJPOF
TF
TVFMF
DPOFDUBS
VOP
QBSB
BJTMBS
FMÊDUSJDBNFOUF

MB
DBSHB
RVF
QSPWJFOF
EF
MB
GVFOUF
EF
TVNJOJTUSP
84 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.1 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda

completa con un transformador con derivación central
4J
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
R
EFUFSNJOF
B

MB
FGJDJFODJB

C

FM
''
D

FM
3'
E

FM
56'
F

FM
1*V
EFM
EJPEP
D
G

FM
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
H

FM
GBDUPS

EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'

Solución
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

2Vm
Vcd = = 0.6366Vm
π

Z
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
QSPNFEJP
FT

Vcd 0.6366Vm
Icd = =
R R

-PT
WBMPSFT
SNT
EFM
WPMUBKF
Z
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
TPO

T/2 1/2
Vrms = c (Vm sen ωt)2 dt d
2 Vm
= = 0.707Vm
T L0 12
Vrms 0.707Vm
Irms = =
R R

$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
R,
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
R


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
η
=
Vm
 Vm

=



b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
GBDUPS
EF
GPSNB
''
=
VmVm
=



c.
$PO
MB
FDVBDJÓO

FM
GBDUPS
EF
SJ[P
RF = 21.112 − 1 = 0.482 o 48.2%.

d.
&M
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
Vs = Vm/12 = 0.707Vm.
&M
WBMPS
SNT
EF
MB

DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
IT
=
Vm/R
-B
DBQBDJEBE
WPMUTBNQFSFT
7"

EFM
JOHMÊT
volt-ampere

EFM
USBOTGPSNBEPS
VA = 22Vs Is = 22 × 0.707Vm × 0.5Vm/R.
$PO
MB

FDVBDJÓO



0.63662
TUF = = 0.81064 = 81.06%
22 × 0.707 × 0.5

e.
&M
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
JOWFSTP
QJDP
1*7
=
Vm

f.
Is QJDP

=
Vm/R
F
Is
=
Vm/R
&M
$'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT
$'
=
Is QJDP
/Is
=

1/0.707 = 12.


g.
&M
1'
EF
FOUSBEB
QBSB
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
TF
DBMDVMB
DPO

Pca 0.7072
PF = = = 1.0
VA 22 × 0.707 × 0.5

Nota
56'
=

=

TJHOJGJDB
RVF
FM
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB
TJ
MP
IBZ
EFCF
TFS


WFDFT
NÃT
HSBOEF
RVF
DVBOEP
TF
VUJMJ[B
QBSB
TVNJOJTUSBS
QPUFODJB
B
QBSUJS
EF
VO
WPMUBKF
TFOPJEBM
EF
DB
&M

SFDUJGJDBEPS
UJFOF
VO
3'
EF

Z
VOB
FGJDJFODJB
EF
SFDUJGJDBDJÓO
EF


 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 85

Ejemplo 3.2 Cómo determinar la serie de Fourier del voltaje de salida para un rectificador de
onda completa
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
6TF
FM
NÊUPEP
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
PCUFOFS

FYQSFTJPOFT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v0 t


Solución
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
TF
QVFEF
EFTDSJCJS
QPS
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
MB
DVBM
TF
SFQBTB
FO
FM

"QÊOEJDF
&

DPNP
TJHVF

∞
v0(t) = Vcd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =2,4, c

EPOEF

2π π
1 2 2Vm
Vcd = v0(t) d(ωt) = V sen ωt d(ωt) =
2π L0 2π L0 m π
2π π
1 2
an = v cos nωt d(ωt) = V sen ωt cos nωt d(ωt)
π L0 0 π L0 m
4Vm ∞ −1
= con n = 2, 4, 6, c
π a (n − 1)(n + 1)
n =2,4 c
,
=0 con n = 1, 3, 5, c
2π π
1 2
bn = v sen nωt d(ωt) = V sen ωt sen nωt d(ωt) − 0
π L0 0 π L0 m

4VTUJUVZFOEP
MPT
WBMPSFT
EF
an
Z
bn
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm
v0(t) = − cos 2ωt − cos 4ωt − cos 6ωt − g 

π 3π 15π 35π

Nota
-B
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPOUJFOF
TÓMP
BSNÓOJDPT
QBSFT
Z
FM

TFHVOEP
BSNÓOJDP
FT
FM
NÃT
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB
FT
f =

)[

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FO

MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFSJWBS
NFEJBOUF
VOB
NVMUJQMJDBDJÓO
EF
FTQFDUSP
EF
MB
GVODJÓO
EF

DPONVUBDJÓO
MP
DVBM
TF
FYQMJDB
FO
FM
"QÊOEJDF
$

Puntos clave de la sección 3.3

r
)BZ
EPT
UJQPT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
Z
EF

QVFOUF
EF
EJPEPT
4V
EFTFNQFÒP
FT
DBTJ
JEÊOUJDP
FYDFQUP
RVF
MB
DPSSJFOUF
EFM
TFDVOEBSJP

B
USBWÊT
EFM
USBOTGPSNBEPS
DPO
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
FT
VOJEJSFDDJPOBM
DE

Z
SFRVJFSF
VOB

NBZPS
DBQBDJEBE
EF
7"
WPMUTBNQFSFT

&M
UJQP
EF
EFSJWBDJÓO
DFOUSBM
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJ-
DBDJPOFT
EF
NFOPT
EF

8
Z
SFDUJGJDBEPS
DPO
CBTF
FO
QVFOUF
EF
EJPEPT
TF
VUJMJ[B
FO

BQMJDBDJPOFT
RVF
WBO
EF

8
B

L8
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUJFOF

BSNÓOJDPT
DVZBT
GSFDVFODJBT
TPO
NÙMUJQMPT
EF
f
EPT
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
TVNJOJTUSP


3.4 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL

$PO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
ÊTUB
FT
JEÊOUJDB
FO
TV
GPSNB
BM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

&O
MB
QSÃDUJDB
MB
NBZPSÎB
EF
MBT
DBSHBT
TPO
JOEVDUJWBT
IBTUB
DJFSUP
HSBEP
Z
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
EFQFOEF
EF
TV
SFTJTUFODJB
R
F
JOEVDUBODJB
L
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

86 Capítulo 3 Diodos rectificadores

vo

Vm

io

is
D1 D3 0  2 t
R
io

⬃ vs Vo
L
Imáx
Io

Imín
D4 D2
E
 0    2 t
2
(a) Circuito (b) Formas de onda

is

Io

2
t
0 

Io

(c) Corriente de línea de alimentación

v
vo  Vm sen (t – )
Vm

t
0  2

io

0    
(d) Corriente discontinua

FIGURA 3.4
3FDUJGJDBEPS
DPO
CBTF
FO
QVFOUF
EF
EJPEPT
DPNQMFUP
DPO
DBSHB
RL

 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 87

4F
BHSFHB
VOB
CBUFSÎB
EF
WPMUBKF
E
QBSB
EFTBSSPMMBS
FDVBDJPOFT
HFOFSBMJ[BEBT
4J
vs
=
Vm TFO
ωt
=

12 Vs
TFO
ωt FT
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
MB
DPSSJFOUF
i
EF
MB
DBSHB
TF
DBMDVMB
DPO

di0
L + Ri0 + E = 12 Vs sen ωt con i0 ≥ 0
dt
DVZB
TPMVDJÓO
FT

12Vs
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t −
E


Z R

EPOEF
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
Z
=
<R
+
ωL
>
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
θ
=
UBO−

ωL/R

Z
Vs
FT
FM
WBMPS
SNT
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

Caso 1: Corriente continua.
-P
TJHVJFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-B
DPOTUBOUF
A

FO
MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
DPO
ωt
=
π
i
=
I

12Vs
A1 = aI0 +
E
− sen θb e (R/L)(π/ω)
R Z

-B
TVTUJUVDJÓO
EF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + aI0 + −
E E
i0 = sen θb e (R/L)(π/ω − t) − 

Z R Z R

&O
VOB
DPOEJDJÓO
FTUBCMF
i ωt
=


=
i ωt
=
π

&T
EFDJS
i ωt
=


=
I
"QMJDBOEP
FTUB

DPOEJDJÓO
UFOFNPT
FM
WBMPS
EF
I
DPNP

12Vs 1 + e −(R/L)(π/ω) E
I0 = sen θ −(R/L)(π/ω)
− con I0 ≥ 0 

Z 1 − e R

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
I
FO
MB
FDVBDJÓO


Z
TJNQMJGJDBS
EB

12Vs
c sen(ωt − θ) + sen θ e −(R/L)t d −
2 E
i0 = −(R/L)(π/ω)
Z 1 − e R

con 0 ≤ (ωt − θ) ≤ π e i0 ≥ 0 

-B
DPSSJFOUF
SNT
EFM
EJPEP
TF
DBMDVMB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

π 1/2
=c i20 d(ωt) d
1
ID(rms)
2π L
0

Z
FOUPODFT
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
DPNCJOBOEP
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
DBEB

EJPEP
DPNP
TJHVF
Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 12Ir

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

π
1
ID(av) = i0 d(ωt)
2π L
0
88 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Caso 2: Corriente discontinua a través de la carga. &TUP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

E
-B
DPSSJFOUF
GMVZF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
TÓMP
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
α
ƪ
ωt
ƪ
β
%FGJOBNPT

x = E/Vm = E/12Vs
DPNP
DPOTUBOUF
emf

EF
MB
CBUFSÎB
EF
DBSHB
MMBNBEB
relación de voltaje

-PT
EJPEPT
DPNJFO[BO
B
DPOEVDJS
DVBOEP
ωt
=
α
EBEB
QPS

E
α = sen−1 = sen−1(x)
Vm

$PO
ωt
= α
i ωt

=

Z
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vs
A1 = c sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω)
E
−
R Z

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB

12Vs 12Vs
sen(ωt − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α/ω − t) −

E E

i0 = 

Z R Z R

$PO
ωt
=
β
MB
DPSSJFOUF
EFDBF
B
DFSP
F
i ωt
=
β

=

&T
EFDJS

12Vs 12Vs
sen(β − θ) + c − sen(α − θ) d e (R/L)(α − β)/ω −
E E
=0 

Z R Z R

%JWJEJFOEP
MB
FDVBDJÓO


FOUSF
12Vs/Z,
Z
TVTUJUVZFOEP
R/Z
=
DPT θ
Z
ωL/R
=
UBO
θ

PCUFOFNPT

sen(β − θ) + a − sen(α − θ) b e tan(θ) −

x (α − β) x
=0 

cos(θ) cos(θ)

DPO
FTUB
FDVBDJÓO
USBOTDFOEFOUBM
TF
EFUFSNJOB
β
NFEJBOUF
VO
NÊUPEP
EF
TPMVDJÓO
JUFSBUJWP
FO-
TBZP
Z
FSSPS

$PNFO[BNPT
DPO
β
=

F
JODSFNFOUBNPT
TV
WBMPS
FO
VOB
NVZ
QFRVFÒB
DBOUJEBE

IBTUB
RVF
FM
MBEP
J[RVJFSEP
EF
FTUB
FDVBDJÓO
TFB
DFSP

$PNP
FKFNQMP
TF
VUJMJ[Ó
.BUIDBE
QBSB
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EF
β
QBSB
θ
=
P
P
Z
x
=


B

-PT
SFTVMUBEPT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
UBCMB

$POGPSNF
x
TF
JODSFNFOUB
β
TF
SFEVDF
$PO

x
=

MPT
EJPEPT
OP
DPOEVDFO
Z
OP
GMVZF
DPSSJFOUF

-B
DPSSJFOUF
SNT
EFM
EJPEP
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF
β 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
1
2π L
α

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP
TJHVF

β
1
ID(prom) = i0 d(ωt)
2π L
α

TABLA 3.2 7BSJBDJPOFT
EFM
ÃOHVMP
β
DPO
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x

3FMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
          
β
QBSB
θ
=
°           

β
QBSB
θ
=
°           
 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 89

Límite: Región discontinua/continua

0.8

0.6
Relación de voltaje de la carga

x( ) 0.4

0.2

0
0 0.2 0.4 0.60.8 1 1.2 1.4

2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.5
-ÎNJUF
EF
MBT
SFHJPOFT
DPOUJOVB
Z
EJTDPOUJOVB
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP

Condiciones límite
-B
DPOEJDJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
EJTDPOUJOVB
TF
EFUFSNJOB
FTUBCMFDJFOEP
I

JHVBM
B
DFSP
FO
MB
FDVBDJÓO



R π
Vs 12 1 + e −(L)(ω) E
0 = sen(θ) C R π S −
Z 1 − e −(L)(ω) R

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x = E/( 22Vs)
DPNP

1 + e − 1 tan(θ) 2
π

x(θ): = c d sen(θ) cos(θ)

1 − e − 1 tan(θ) 2

π 

-B
HSÃGJDB
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
DPO
FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
TF
NVFTUSB
FO
MB

GJHVSB

&M
ÃOHVMP
θ
EF
MB
DBSHB
OP
QVFEF
FYDFEFS
EF
π
&M
WBMPS
EF
x
FT

DPO
θ
=


SBE

DPO
θ
=

SBE
P

Z

DPO
θ
=


Ejemplo 3.3 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador de onda

completa con una carga RL
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
L
=

N)
R
=

Ω
Z
E
=

7
&M

WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
B

)[
B

%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF
I
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=




MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
ID SNT

EFM
EJPEP


MB
DPSSJFOUF
SNT

EF
TBMJEB
IP SNT

Z


FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'
C

6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DP-
SSJFOUF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFB
i
4VQPOHB
RVF
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJPEP
TPO
*4
=
&
−

#7
=

7

90 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Solución
/P
TF
TBCF
TJ
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
DPOUJOVB
P
EJTDPOUJOVB
4VQPOHB
RVF
FT
DPOUJOVB
Z
QSPTJHB
DPO
MB

TPMVDJÓO
4J
MB
TVQPTJDJÓO
OP
FT
DPSSFDUB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
FT
DFSP
Z
FOUPODFT
DPOTJEFSF
FM
DBTP
EF

VOB
DPSSJFOUF
EJTDPOUJOVB

a. R
=

Ω
L
=

N)
f
=

)[ ω
=
π
×

=

SBET
Vs
=

7
Z
=
<R
+
ωL
>
=


ω
Z
θ
=
UBO− ωL/R

=
P

1.

-B
DPSSJFOUF
FTUBCMF
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=

I
=

"
$PNP
I
>

MB
DPSSJFOUF
FT
DPOUJOVB

Z
MB
TVQPTJDJÓO
FT
DPSSFDUB



2.

-B
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EFM
EJPEP
DPNP

ID QSPN

=

"



3.

1PS
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i20
FOUSF
MPT
MÎNJUFT
ωt
=

Z
π
PCUFOFNPT
MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM

EJPEP
DPNP
ID SNT

=

"



4.

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
I0(rms) = 12Ir = 12 × 28.50 = 40.3 A.


5.

-B
QPUFODJB
EF
DB
EF
MB
DBSHB
FT
Pca = I 2rms R = 40.32
×

=

L8
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB

EF
FOUSBEB
FT

Pca 4.061 × 10−3
PF = = = 0.84 (retraso)
VsIrms 120 × 40.3

Notas
1. i 
UJFOF
VO
WBMPS
NÎOJNP
EF

FO
ωt
=
P
Z
VO
WBMPS
NÃYJNP
EF

"
FO
ωt
=
P

i
TF
IBDF

"
FO
ωt
=
θ
Z

"
FO
ωt
=
θ
+
π
1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
WBMPS
NÎOJNP
EF

i
PDVSSF
BQSPYJNBEBNFOUF
FO
ωt
=
θ


2.

-B
BDDJÓO
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
EJPEPT
IBDF
RVF
MBT
FDVBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
TFBO
OP
MJOFB-
MFT
6O
NÊUPEP
OVNÊSJDP
EF
TPMVDJÓO
EF
MBT
DPSSJFOUFT
EF
EJPEP
FT
NÃT
FGJDJFOUF
RVF
MBT
UÊD-
OJDBT
DMÃTJDBT
4F
VUJMJ[B
VO
QSPHSBNB
.BUIDBE
QBSB
EFUFSNJOBS
I
ID QSPN

F
ID SNT

NFEJBOUF

JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
4F
BOJNB
B
MPT
FTUVEJBOUFT
B
WFSJGJDBS
MPT
SFTVMUBEPT
EF
FTUF
FKFNQMP
Z

BQSFDJBS
MB
VUJMJEBE
EF
MB
TPMVDJÓO
OVNÊSJDB
TPCSF
UPEP
BM
SFTPMWFS
FDVBDJPOFT
OP
MJOFBMFT
EF

DJSDVJUPT
EF
EJPEP

3 io
Vy
is D1 D3
1 R 2.5 ⍀
⫹ 0V
2 ⫹ 5
⬃ vs vo
L 6.5 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 10 V

FIGURA 3.6
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
EF
EJPEPT

QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

b.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FO
DPOGJHVSBDJÓO
EF
QVFOUF
EF
EJPEPT

QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
BQPSUB
MB
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP
 3.4 Rectificador monofásico de onda completa con carga RL 91

Ejemplo 3.3 Rectificador monofásico con carga RL

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
L 5 6 6.5MH
R 3 5 2.5
VX 6 4 DC 10V; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
D1 2 3 DMOD ; Modelo de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
VY 1 2 0DC
.MODEL DMOD D(IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1US 32MS 16. 667MS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.END

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
I
EF
TBMJEB
JOTUBO-
UÃOFB
MB
DVBM
EB
I
=

"
DPNQBSBEB
DPO
FM
WBMPS
FTQFSBEP
EF

"
4F
VUJMJ[Ó
VO
EJPEP

%CSFBL
FO
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
QBSB
FTQFDJGJDBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
EJPEP

60 A

40 A

20 A
I (VX)
200 V

100 V

0V

⫺100 V
16 ms 18 ms 20 ms 22 ms 24 ms 26 ms 28 ms 30 ms 32 ms
V (3, 4) C1 ⫽ 22.747 m, 50.179
Time C2 ⫽ 16.667 m, 31.824
dif ⫽ 6.0800 m, 18.355

FIGURA 3.7
(SÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EFM
FKFNQMP

92 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Puntos clave de la sección 3.4

r
6OB
DBSHB
JOEVDUJWB
QVFEF
IBDFS
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
TFB
DPOUJOVB
&YJTUF
VO
WBMPS

DSÎUJDP
EFM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
QBSB
VO
WBMPS
EBEP
EF
MB
DPOTUBOUF
x
EF
MB

DBSHB
emf
QBSB
NBOUFOFS
DPOUJOVB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB

3.5 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON UNA CARGA ALTAMENTE

INDUCTIVA
$PO
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TFSÃ
VOB
POEB

TFOP
$PO
VOB
DBSHB
EF
JOEVDUPS
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EJTUPSTJPOBSÃ
DPNP
TF
NVFTUSB
FO

MB
GJHVSB
D
4J
MB
DBSHB
FT
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
TV
DPSSJFOUF
TF
NBOUFOESÃ
DBTJ
DPOTUBOUF

DPO
VOB
QFRVFÒB
DBOUJEBE
EF
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TFSÃ
DPNP
VOB
POEB

DVBESBEB
$POTJEFSFNPT
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
GJHVSB

EPOEF
vs
FT
FM
WPMUBKF
TFOPJEBM
EF

FOUSBEB
is
FT
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
FOUSBEB
F
is
FT
TV
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM

4J
ϕ
FT
FM
ÃOHVMP
FOUSF
MPT
DPNQPOFOUFT
GVOEBNFOUBMFT
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
FM
WPMUBKF
EF
FO-
USBEB
ϕ
TF
DPOPDF
DPNP
ángulo de desplazamiento
&M
factor de desplazamiento
TF
EFGJOF
DPNP

DF = cos ϕ ()

&M
factor armónico
)'

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFGJOF
DPNP

I 2s − I 2s1 1/2 Is 2 1/2

HF = a b = ca b − 1d ()
I 2s1 Is1

EPOEF
Is
FT
FM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Is
5BOUP
Is
DPNP
Is
FTUÃO

FYQSFTBEBT
FO
SNT
&M
factor de potencia EF
FOUSBEB
1'

TF
EFGJOF
DPNP

Vs Is1 Is1
PF = cos ϕ = cos ϕ ()
Vs Is Is

vs
vs, is
Corriente de entrada
is

is1
Ip  Ip

0
t

Ip

Voltaje de entrada
Componente fundamental

FIGURA 3.8
'PSNBT
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
 3.5 Rectificador monofásico de onda completa con una carga altamente inductiva 93

Notas


1.

&M
)'
NJEF
MB
EJTUPSTJÓO
EF
VOB
GPSNB
EF
POEB
Z
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
distorsión
armónica total
5)%

2.

4J
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
is
FT
QVSBNFOUF
TFOPJEBM
Is
=
Is
Z
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
1'

FT
JHVBM
BM
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'
&M
ÃOHVMP
EF
EFTQMB[BNJFOUP
ϕ
TF
DPOWJFSUF
FO

FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
=
UBO− ωL/R

QBSB
VOB
DBSHB
RL



3.

&M
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP
%'
B
NFOVEP
TF
DPOPDF
DPNP
factor de potencia de des-
plazamiento
%1'




4.

6O
SFDUJGJDBEPS
JEFBM
EFCF
UFOFS
η
=

VDB
=

3'
=

56'
=

)'
=
5)%
=


Z
1'
=
%1'
=


Ejemplo 3.4 Cómo determinar el factor de potencia de entrada de un rectificador de onda

completa
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
RVF
BCBTUFDF
B
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF

JOEVDUJWB
DPNP
VO
NPUPS
EF
DE
-B
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
MB
VOJEBE
-B
DBSHB

FT
UBM
RVF
FM
NPUPS
FYUSBF
VOB
DPSSJFOUF
Ia EF
MB
BSNBEVSB
TJO
SJ[PT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
%FUFSNJOF
B

FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
C

FM
1'
EF
FOUSBEB
EFM
SFDUJGJDBEPS

vs
Vm

 2
0 t

Vm
Componente
is fundamental
Ia
is
  io  Ia 0 t
 2
D1 D3 Ia
vp vs
io

D4 D2 M Ia
 
0 t
(a) Diagrama del circuito (b) Formas de onda

FIGURA 3.9
3FDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO
NPUPS
EF
DE
DPNP
DBSHB

Solución
1PS
MP
DPNÙO
VO
NPUPS
EF
DE
FT
BMUBNFOUF
JOEVDUJWP
Z
BDUÙB
DPNP
GJMUSP
BM
SFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
EF

MB
DBSHB


a.
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSBO
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
Z
EFM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
-B

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
QVFEF
FYQSFTBS
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
DPNP
TJHVF

94 Capítulo 3 Diodos rectificadores

∞
is(t) = Icd + a (an cos nωt + bn sen nωt)
n =1,3, c

EPOEF

2π 2π
1 1
Icd = i (t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 s 2π L0 a
2π π
1 2
an = i (t) cos nωt d(ωt) = I cos nωt d(ωt) = 0
π L0 s π L0 a
2π π
1 2 4Ia
bn = is(t) sen nωt d(ωt) = I sen nωt d(ωt) =
π L0 π L0 a nπ

4VTUJUVZFOEP
MPT
WBMPSFT
EF
an
Z
bn
MB
FYQSFTJÓO
QBSB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

4Ia sen ωt
a + gb

sen 3ωt sen 5ωt

is(t) = + + 

π 1 3 5

&M
WBMPS
SNT
EFM
DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

4Ia
Is1 = = 0.90Ia
π 12

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FT

1 2 1 2 1 2 1 2 1/2
Ia c 1 + a b + a b + a b + a b + g d = Ia
4
Is =
π 12 3 5 7 9

$PO
MB
FDVBDJÓO



1 2 1/2
HF = THD = c a b − 1 d = 0.4843 o 48.43%
0.90

b.
&

M
ÃOHVMP
EF
EFTQMB[BNJFOUP
ϕ
=

Z
%'
=
DPT
ϕ
=

$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
1'
=
Is/Is

DPT
ϕ

=

SFUSBTP


Puntos clave de la sección 3.5

r
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
DPO
DBSHB
SFTJTUJWB
FT
1'
=

Z
1'
=


DPO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EFQFOEFSÃ
EF
MB
DBSHB
JOEVD-
UJWB
Z
EF
MB
DBOUJEBE
EF
EJTUPSTJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB

3.6 RECTIFICADORES MULTIFÁSICOS EN ESTRELLA

)FNPT
WJTUP
FO
MB
FDVBDJÓO


RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
RVF
TF
QPESÎB
PCUFOFS
DPO

SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
EF
POEB
DPNQMFUB
FT
Vm
MPT
DVBMFT
TF
VUJMJ[BO
FO
BQMJDBDJPOFT

IBTUB
VO
OJWFM
EF
QPUFODJB
EF

L8
1BSB
TBMJEBT
EF
QPUFODJB
NBZPSFT
TF
VUJMJ[BO
SFDUJGJDBEP-
SFT
trifásicos
Z
polifásicos
-B
TFSJF
EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EBEB
QPS
MB
FDVBDJÓO



JOEJDB
RVF
MB
TBMJEB
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
RVF
MB
GSFDVFODJB
EFM
componente fundamental FT
EPT

 3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 95

WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
f


&O
MB
QSÃDUJDB
FT
VTVBM
VUJMJ[BS
VO
GJMUSP
QBSB
SFEVDJS
FM

OJWFM
EF
BSNÓOJDPT
FO
MB
DBSHB
FM
UBNBÒP
EFM
GJMUSP
TF
SFEVDF
BM
BVNFOUBS
MB
GSFDVFODJB
EF
MPT

BSNÓOJDPT
"EFNÃT
EF
MB
NBZPS
TBMJEB
EF
QPUFODJB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
QPMJGÃTJDPT
MB
GSFDVFO-
DJB
GVOEBNFOUBM
EF
MPT
BSNÓOJDPT
UBNCJÊO
TF
JODSFNFOUB
Z
FT
q
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF

qf

&TUF
SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
TF
DPOPDF
DPNP
SFDUJGJDBEPS
FO
FTUSFMMB

&M
DJSDVJUP
EFM
SFDUJGJDBEPS
EF
MB
GJHVSB
B
TF
QVFEF
BNQMJBS
B
NÙMUJQMFT
GBTFT
BM
UFOFS

EFWBOBEPT
NVMUJGÃTJDPT
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

B
4F
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
FTUF
DJSDVJUP
TF
DPNQPOF
EF
q
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
EF

VO
UJQP
EF
NFEJB
POEB
&M
EJPEP
kÊTJNP
DPOEVDF
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
FO
RVF
FM
WPMUBKF
EF
MB

GBTF
kÊTJNB
FT
NÃT
BMUP
RVF
FM
EF
PUSBT
GBTFT
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MPT

WPMUBKFT
Z
DPSSJFOUFT
&M
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
DBEB
EJPEP
FT
π/q

&O
MB
GJHVSB
C
TF
PCTFSWB
RVF
MB
DPSSJFOUF
RVF
GMVZF
B
USBWÊT
EFM
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP

FT
VOJEJSFDDJPOBM
Z
RVF
DPOUJFOF
VO
DPNQPOFOUF
EF
DE
4ÓMP
VO
EFWBOBEP
TFDVOEBSJP
DPOEVDF

DPSSJFOUF
EVSBOUF
VO
UJFNQP
QBSUJDVMBS
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
FM
QSJNBSJP
EFCF
DPOFDUBSTF
FO
EFMUB

D1

v2  Vm sen  t D2
1
2

v2
3 D3
q
N
vq io 

4 D4

R vo
Dq


(a) Diagrama del circuito

v v1 v2 v3 v4 v5 vq
Vm

t
0   3 2
2 2
Vm

vo io  vo /R
Vm

D1 on D2 on D3 D4 D5 Dq
0 t
 2 4 6 8 10  2
q q q q q q
(b) Formas de onda

FIGURA 3.10
3FDUJGJDBEPSFT
QPMJGÃTJDPT
P
NVMUJGÃTJDPT
96 Capítulo 3 Diodos rectificadores

QBSB
FMJNJOBS
FM
DPNQPOFOUF
EF
DE
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
EFM
USBOTGPSNBEPS
"TÎ
TF
NJOJNJ[B
FM

DPOUFOJEP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
FO
FM
QSJNBSJP

4VQPOJFOEP
VOB
POEB
DPTFOP
EFTEF
π/q
IBTUB
π/q
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
VO

SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT
FTUÃ
EBEP
QPS

π/q
2 q π

Vcd = Vm cos ωt d(ωt) = Vm sen 

2π/q L0 π q
π/q 1/2
Vrms = c V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/q L0
q π 2π 1/2
= Vm c a + sen b d
1




2π q 2 q

4J
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
FT
Im
=
Vm/R
Z
QPEF-
NPT
DBMDVMBS
FM
WBMPS
SNT
EF
VOB
DPSSJFOUF
EF
EJPEP
P
DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EF
VO
USBOT-
GPSNBEPS

DPNP

π/q 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π L0

1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d =
1 Vrms




2π q 2 q R

Ejemplo 3.5 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico

en estrella
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
DPO
R
PINT
%FUFSNJOF
B

MB

FGJDJFODJB
C

FM
''
D

FM
3'
E

FM
GBDUPS
56'
F

FM
1*7
EF
DBEB
EJPEP
Z
E

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT

EF
VO
EJPEP
TJ
FM
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
VOB
Icd
=

"
B
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
Vcd
=

7

Solución
1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
q
=

FO
MBT
FDVBDJPOFT


B


a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


Vcd
=
Vm
F
IDE
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


VSNT
=

Vm
F
ISNT
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
/R
DPO
MB
FDVBDJÓO



PDB
=
Vm
/R,
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
FT

(0.827Vm)2
η = = 96.77%
(0.84068Vm)2

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
''
=

=

P


c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
RF = 21.01652 − 1 = 0.1824 = 18.24%.
d.
&M
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
Vs = Vm/12 = 0.707Vm.
$PO
MB
FDVBDJÓO



MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

0.4854Vm
Is = 0.4854Im =
R


-B
DBQBDJEBE
EF
WPMUTBNQFSFT
EFM
USBOTGPSNBEPS
QBSB
q
=

FT

0.4854Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm ×
R
 3.6 Rectificadores multifásicos en estrella 97

$PO
MB
FDVBDJÓO


0.8272
TUF = = 0.6643
3 × 0.707 × 0.4854
0.840682
PF = = 0.6844
3 × 0.707 × 0.4854

e.
&M
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
DBEB
EJPEP
FT
JHVBM
BM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
MÎOFB
B
MÎOFB
EFM
TFDVOEB-
SJP
-PT
DJSDVJUPT
USJGÃTJDPT
TF
SFQBTBO
FO
FM
"QÊOEJDF
"
&M
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
13
WFDFT

FM
WPMUBKF
EF
GBTF
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF FM
PIV = 13 Vm.

f.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT

π/q
2 1 π
ID(prom) = Im cos ωt d(ωt) = Im sen ()
2π L0 π q

1BSB
q
=

ID QSPN

=
Im
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
ID(prom

=

=

"

Z
ÊTUB
EB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
DPNP
Im
=

=

"

Ejemplo 3.6 Cómo determinar la serie de Fourier de un rectificador de q fases

a.
&YQSFTF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT
EF
MB
GJHVSB
B
FO
VOB
TFSJF
EF

'PVSJFS


b.
4J
q
=

Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
f
=

)[
EFUFSNJOF
FM
WBMPS
SNT
EFM

BSNÓOJDP
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB

Solución

a.
-B
GJHVSB
C
NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
QBSB
q
QVMTPT
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
TBMJEB
FT
q
WFDFT
FM

DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM
qf

1BSB
EFUFSNJOBS
MBT
DPOTUBOUFT
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
JOUFHSBNPT

B
QBSUJS
EF
m
π/q
B
π/q
Z
MBT
DPOTUBOUFT
TPO

bn = 0
π/q
1
an = V cos ωt cos nωt d(ωt)
π/q L−π/q m
qVm sen[(n − 1)π/q] sen[(n + 1)π/q]
= e + f
π n − 1 n +1
qVm (n + 1) sen[(n − 1)π/q] + (n − 1) sen[(n + 1)π/q]
=
π n2 − 1

%FTQVÊT
EF
TJNQMJGJDBS
TF
BQMJDBO
MBT
TJHVJFOUFT
SFMBDJPOFT
USJHPOPNÊUSJDBT

sen(A + B) = sen A cos B + cos A sen B

Z

sen(A − B) = sen A cos B − cos A sen B

PCUFOFNPT

π π
an sen sen b
2qVm nπ nπ
an = cos − cos ()
π(n2 − 1) q q q q
98 Capítulo 3 Diodos rectificadores

1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
DPO
q
QVMTPT
QPS
DJDMP
MPT
BSNÓOJDPT
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TPO
FM
qÊTJNP

qÊTJNP
qÊTJNP
Z
qÊTJNP
Z
MB
FDVBDJÓO


FT
WÃMJEB
QBSB
n
=

q
q
q
&M
UÊSNJOP

TFO nπ/q

=
TFO
π
=

Z
MB
FDVBDJÓO
FT

− 2qVm π
acos sen b
nπ
an =
π(n − 1)
2 q q

&M
DPNQPOFOUF
EF
DE
TF
EFUFSNJOB
DPO
n
=

Z
FT

a0 q π
Vcd = = Vm sen ()
2 π q

MB
DVBM
FT
JHVBM
B
MB
FDVBDJÓO


-B
TFSJF
EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v
TF
FYQSFTB
DPNP

a0 ∞
v0(t) = + a an cos nωt
2 n =q,2q, c

4VTUJUVZFOEP
FM
WBMPS
EF
an
PCUFOFNPT

∞
π
sen a1 −
q 2 nπ

v0 = Vm a cos cos nωtb


π q n =q,2q, c n − 1
2 q

b.
$PO
q
=

FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
FYQSFTB
DPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos 12ωt + g b

2 2
cos 6ωt − ()
35 143

&M
TFYUP
BSNÓOJDP
FT
FM
EPNJOBOUF
&M
WBMPS
SNT
EF
VO
WPMUBKF
TFOPJEBM
FT
1/12
WFDFT
TV
NBHOJUVE

QJDP
Z
FM
SNT
EFM
TFYUP
BSNÓOJDP
FT
V6h = 0.9549Vm × 2/(35 × 12) = 6.56 V
Z
TV
GSFDVFODJB
FT
f 
=

f
=

)[

Puntos clave de la sección 3.6

r
6O
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
JODSFNFOUB
MB
DBOUJEBE
EF
DPNQPOFOUFT
EF
DE
Z
SFEVDF
MB
DBO-
UJEBE
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
BSNÓOJDPT
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
q
GBTFT

DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
DVZBT
GSFDVFODJBT
TPO
NÙMUJQMPT
EF
q
q
WFDFT
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFO-
UBDJÓO

qf

3.7 RECTIFICADORES TRIFÁSICOS

1PS
MP
DPNÙO
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
QPUFODJB
Z
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB

­TUF
FT
VO
rectificador
EF
onda completa
1VFEF
GVODJPOBS
DPO
P
TJO
USBOTGPS-
NBEPS
Z
QSPEVDF
SJ[PT
EF
TFJT
QVMTPT
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
-PT
EJPEPT
TF
OVNFSBO
FO
PSEFO
EF

TFDVFODJBT
EF
DPOEVDDJÓO
Z
DBEB
VOP
DPOEVDF
EVSBOUF

HSBEPT
-B
TFDVFODJB
EF
DPOEVDDJÓO

EF
MPT
EJPEPT
FT
D
−
D
D
−
D
D
−
D
D
−
D
D
−
D
Z
D
−
D
&M
QBS
EF
EJPEPT

RVF
FTUÃO
DPOEVDJFOEP
TPO
UBM
RVF
FM
WPMUBKF
FO
TVT
UFSNJOBMFT
FT
FM
NÃT
QPTJUJWP
Z
FM
NÃT
OFHB-
UJWP
&M
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
13
WFDFT
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
EF
VOB
GVFOUF
USJGÃTJDB
DPOFDUBEB

FO
:
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
Z
MPT
UJFNQPT
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
EJPEPT
<>

 3.7 Rectificadores trifásicos 99

id1 io
Primario Secundario

ic
a c D1 D3 D5

vcn

n a ia R vo
  van 
vbn
b 
D4 D6 D2
b ib
c 

FIGURA 3.11
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP


Diodos que 56 61 12 23 34 45
conducen on
vcb vab vac vbc vba vca
3Vm

0
t
 2
 3Vm
 3
vL 2 2
3Vm

0
 2  4 5 2 t
3 3 3 3

ia
Corriente de línea
3Vm
R

0
 2  4 5 2  t
3 3 3 3
 3Vm
R
id1
Corriente de diodo

0
  7 2  t
3 3

FIGURA 3.12
'PSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPOEVDDJÓO
EF
MPT
EJPEPT

100 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4J
Vm
FT
FM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
GBTF
FOUPODFT
MPT
WPMUBKFT
EF
GBTF
JOTUBOUÃOFPT
TF

EFTDSJCFO
DPNP
TJHVF
van = Vm sen(ωt) vbn = Vm sen(ωt − 120°) vcn = Vm sen(ωt − 240°)

$PNP
FM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
TF
BEFMBOUB
°
BM
WPMUBKF
EF
GBTF
MPT
WPMUBKFT
JOTUBOUÃOFPT
EF

MÎOFB
B
MÎOFB
TF
EFTDSJCFO
DPNP
TJHVF

vab = 13 Vm sen(ωt + 30°) vbc = 13 Vm sen(ωt − 90°)

vca = 13 Vm sen(ωt − 210°)

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
EFUFSNJOB
DPNP
TJHVF
π/6
2
Vcd = 13 Vm cos ωt d(ωt)
2π/6 L0
313

= V = 1.654Vm


π m
EPOEF
Vm
FT
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
QJDP
&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
SNT
FT

π/6 1/2
Vrms = c 3V 2m cos2 ωt d(ωt) d
2
2π/6 L0
913 1/2
=a b Vm = 1.6554Vm
3

+


2 4π

4J
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
FT
Im = 13 Vm/R
Z
FM

WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
EJPEP
FT

π/6 1/2
ID(rms) = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
4
2π L0
1 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6

= 0.5518Im


Z
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

π/6 1/2
Is = c I 2m cos2 ωt d(ωt) d
8
2π L0
2 π 2π 1/2
= Im c a + sen b d
1
π 6 2 6

= 0.7804Im


EPOEF
Im
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
QJDP
FO
FM
TFDVOEBSJP

1BSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
q
=

MB
FDVBDJÓO


EB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFP

DPNP

v0(t) = 0.9549Vm a1 + cos(12ωt) + g b

2 2

cos(6ωt) − 

35 143
 3.7 Rectificadores trifásicos 101

Nota
1BSB
JODSFNFOUBS
FM
OÙNFSP
EF
QVMTPT
FO
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
B

TF
DPOFDUBO
FO

TFSJF
EPT
SFDUJGJDBEPSFT
USJGÃTJDPT
-B
FOUSBEB
B
VO
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
TFDVOEBSJP
DPOFDUBEP

FO
:
EF
VO
USBOTGPSNBEPS
Z
MB
FOUSBEB
BM
PUSP
SFDUJGJDBEPS
FT
VO
TFDVOEBSJP
DPOFDUBEP
FO
EFMUB

EF
VO
USBOTGPSNBEPS

Ejemplo 3.7 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico

6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
QVSB
R
%FUFSNJOF
B

MB
FGJDJFODJB
C

FM
''
D

FM
3'

E

FM
56'
F

FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
1*7

EF
DBEB
EJPEP
Z
G

MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP

&M
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
IDE
=

"
B
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VDE =

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB

GVFOUF
FT

)[

Solución

a.
$PO
MB
FDVBDJÓO


VDE
=
Vm
F
IDE
=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


VSNT
=

Vm F Io SNT

=
Vm/R
$PO
MB
FDVBDJÓO


PDE
=
Vm
/R
DPO
MB
FDVBDJÓO



PDB =
Vm
/R
Z
DPO
MB
FDVBDJÓO


MB
FGJDJFODJB
FT

(1.654Vm)2
η = = 99.83%
(1.6554Vm)2

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
''
=

=

=


c.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
RF = 21.00082 − 1 = 0.04 = 4%.

d.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
Vs =
Vm
$PO
MB

FDVBDJÓO


MB
DPSSJFOUF
SNT
EFM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT

Vm
Is = 0.7804Im = 0.7804 × 13
R


-B
DBQBDJEBE
7"
EFM
USBOTGPSNBEPS

Vm
VA = 3Vs Is = 3 × 0.707Vm × 0.7804 × 13
R

$PO
MB
FDVBDJÓO


1.6542
TUF = = 0.9542
3 × 13 × 0.707 × 0.7804


&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
FT

Pca 1.65542
PF = = = 0.956 (retraso)
VA 3 × 13 × 0.707 × 0.7804

e.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
QJDP
EF
MÎOFB
B
OFVUSP
FT
Vm
=

=

7
&M
WPM-
UBKF
JOWFSTP
QJDP
EF
DBEB
EJPEP
FT
JHVBM
BM
WBMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
EFM
TFDVOEBSJP

PIV = 13 Vm = 13 × 169.7 = 293.9 V.

f.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT

π/6
4 2 π
ID(prom) − = Im cos ωt d(ωt) = Im sen = 0.3183Im
2π L0 π 6

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
DBEB
EJPEP
FT
ID QSPN

=

=

"
QPS
DPOTJHVJFOUF
MB
DPSSJFOUF

QJDP
FT
*N
=

=

"

102 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Nota
&TUF
SFDUJGJDBEPS
PGSFDF
EFTFNQFÒPT
DPOTJEFSBCMFNFOUF
NFKPSBEPT
FO
DPNQBSB-

DJÓO
DPO
MPT
EFM
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

DPO
TFJT
QVMTPT

Puntos clave de la sección 3.7

r
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
IB
NFKPSBEP
DPOTJEFSBCMFNFOUF
TV
EFTFNQFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO

DPO
FM
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT

3.8 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CONECTADO A UNA CARGA RL

-BT
FDVBDJPOFT
EFSJWBEBT
FO
MB
TFDDJÓO

TF
QVFEFO
BQMJDBS
QBSB
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
EF
MB

DBSHB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
DPO
VOB
DBSHB
RL
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


&O

MB
GJHVSB

TF
PCTFSWB
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FT

π 2π
vab = 12 Vab sen ωt para ≤ ωt ≤
3 3

EPOEF
Vab
FT
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
-B
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
TF
EFUFSNJOB

DPO

di0
L + Ri0 + E = 12 Vab sen ωt para i0 ≥ 0
dt

DVZB
TPMVDJÓO
UJFOF
MB
GPSNB

12Vab
i0 = ` sen(ωt − θ) ` + A1 e −(R/L)t −

E



Z R

EPOEF
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
Z
=
<R
+
ωL
>
Z
FM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB
θ
=

UBO− ωL/R

-B
DPOTUBOUF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
DPO

ωt
=
π
i
=
I

12Vab π
A1 = c I0 + sen a − θb d e (R/L)(π/3ω)
E
−
R Z 3

Vy 4 io
ia
8
D1 D3 D5
0V R 2.5
van
1 6
0 ib
n 2 vo
L 1.5 mH
vbn 3
vcn
7
D4 D6 D2
ic Vx 10 V

FIGURA 3.13
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
 3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 103

-B
TVTUJUVDJÓO
EF
A
FO
MB
FDVBDJÓO


EB

12Vab 12Vab π
sen(ωt − θ) + c I0 + − sen a − θb d e (R/L)(π/3ω − t) −
E E
i0 =
Z R Z 3 R



&O
VOB
DPOEJDJÓO
FTUBCMF
i ωt
=
π

=
i ωt
=
π

&T
EFDJS
i ωt
=
π

=
I
"QMJDBOEP
FTUB

DPOEJDJÓO
PCUFOFNPT
FM
WBMPS
EF
I
DPNP

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ)e −(R/L)(π/3ω) E

I0 = −(R/L)(π/3ω)
− para I0 ≥ 0


Z 1 − e R

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
FO
MB
FDVBDJÓO


Z
TJNQMJGJDBS
EB

12Vab sen(2π/3 − θ) − sen(π/3 − θ) (R/L)(π/3ω − t)

i0 = c sen(ωt − θ) + e d
Z 1 − e −(R/L)(π/3ω)
E

− para π/3 ≤ ωt ≤ 2π/3 y i0 ≥ 0


-B
DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

2π/3 1/2
ID(rms) = c i20 d(ωt) d
2
2π L
π/3

Z
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
TF
EFUFSNJOB
FOUPODFT
DPNCJOBOEP
MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
DBEB
EJPEP

DPNP

Io(rms) = (I 2D(rms) + I 2D(rms) + I 2D(rms))1/2 = 13 Ir

-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
UBNCJÊO
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
FDVBDJÓO


DPNP

2π/3
2
ID(prom) = i d(ωt)
2π Lπ/3 0

Condiciones límite
-B
DPOEJDJÓO
EF
MB
EJTDPOUJOVJEBE
EF
DPSSJFOUF
TF
EFUFSNJOB
BOVMBOEP
MB

DPSSJFOUF
I
FO
MB
FDVBDJÓO


− θb − sen a − θb e − 1 L 2 1 3ω2
π
sen a
2π R π

12VAB . 3 3 E
D T − =0
Z −1 R
L 2 1 3ω 2
π
R
1 − e

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x = E/( 22VAB)
DPNP

− θb − sen a − θb e − 1 3 tan(θ) 2
π
sen a
2π π

3 3
x(θ): = D T cos(θ)

1 − e − 1 3 tan(θ) 2

π 

104 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Límite: Región discontinua/continua

1

0.95
Relación de voltaje de la carga

x() 0.9

0.85

0.8
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 
 2
Ángulo de impedancia de la carga, radianes

FIGURA 3.14
-ÎNJUF
EF
MBT
SFHJPOFT
DPOUJOVB
Z
EJTDPOUJOVB
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP

-B
HSÃGJDB
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
FO
GVODJÓO
EFM
ÃOHVMP
EF
JNQFEBODJB
θ
EF
MB
DBSHB
TF
NVFT-
USB
FO
MB
GJHVSB

&M
ÃOHVMP
θ
EF
MB
DBSHB
OP
QVFEF
TFS
NBZPS
RVF
π
&M
WBMPS
EF
x
FT
EF


DPO
θ
=

SBE

DPO
θ
=
 P

Z

DPO
θ
=


Ejemplo 3.8 Cómo determinar los parámetros de desempeño de un rectificador trifásico con
una carga RL
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
L
=

N)
R
=

Ω
Z


E
=

7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
Vab
=

7

)[
B

%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF

I0
EF
MB
DBSHB
DPO
ωt
=
π


MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP

ID SNT



MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

Z


FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
1'
C

6TF
14QJDF
QBSB

HSBGJDBS
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
io
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=


7

Solución

a.
R
=

Ω
L
=

N)
f
=

)[
ω
=
π
×

=

SBET
Vab
=

7
Z
=
<R
+
ωL
>

=

Ω
Z
θ
=
UBO− ωL/R

=
°



1.
-B
DPSSJFOUF
FTUBCMF
EF
DBSHB
DPO
ωt
=
π
I
=

"



2.

-B
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i
FO
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FO
FM
EJPEP

DPNP
ID QSPN

=

"
%BEP
RVF
I
>

MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FT
DPOUJOVB



3.

.FEJBOUF
MB
JOUFHSBDJÓO
OVNÊSJDB
EF
i20
FOUSF
MPT
MÎNJUFT
ωt
=
π
Z
π
PCUFOFNPT
MB

DPSSJFOUF
SNT
FO
FM
EJPEP
DPNP
ID SNT

=

"

 3.8 Rectificador trifásico conectado a una carga RL 105

4.

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
ID(rms) = 13Io(rms) = 13 × 62.53 = 108.31 A.

5.

-B
QPUFODJB
EF
DB
EF
MB
DBSHB
FT
Pac = I 2o(rms)R = 108.312 × 2.5 = 29.3 kW
&M
GBDUPS
EF
QP-
UFODJB
EF
FOUSBEB
FT

Pca 29.3 × 103

PF = = = 0.92 (retraso)
312VsID(rms) 312 × 120 × 62.53

b.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
QBSB
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
"
DPOUJOVBDJÓO
TF

EB
MB
MJTUB
EFM
BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP

Ejemplo 3.8 Rectificador trifásico con carga RL

VAN 8 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
VBN 2 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 120DEG)
VCN 3 0 SIN (0 169.7V 60HZ 0 0 240DEG)
L 6 7 1.5MH
R 4 6 2.5
VX 7 5 DC 10V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 8 1 DC 0V ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 1 4 DMOD ; Modelo de diodo
D3 2 4 DMOD
D5 3 4 DMOD
D2 5 3 DMOD
D4 5 1 DMOD
D6 5 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E–15 BV=1800V) ; Parámetros del modelo de diodo
.TRAN 1OUS 25MS 16.667MS 1OUS ; Análisis transitorio
.PROBE ; Postprocesador gráfico
.options ITL5=0 abstol = 1.000n reltol = .01 vntol = 1.000m
.END

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
EF
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
i

MB
DVBM
EB
I
=

"
DPNQBSBEB
DPO
FM
WBMPS
FTQFSBEP
EF

"
&O
MB
TJNVMBDJÓO
DPO

14QJDF
TF
VUJMJ[Ó
VO
EJPEP
%CSFBL
QBSB
JODMVJS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
FTQFDJGJDBEPT

Puntos clave de la sección 3.8

r
6OB
DBSHB
JOEVDUJWB
QVFEF
IBDFS
RVF
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
TFB
DPOUJOVB
&M
WBMPS
DSÎUJDP

EF
MB
DPOTUBOUF
EF
GVFS[B
FMFDUSPNPUSJ[
FNG

EF
MB
DBSHB
x
=
E/Vm

QBSB
VO
ÃOHVMP
EF

JNQFEBODJB
EF
DBSHB
θ
EBEP
FT
NBZPS
RVF
FM
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
FT
EFDJS
x
=


DPO
θ
=



r
$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
USBOT-
GPSNB
FO
VOB
POEB
DVBESBEB
EF
DB
EJTDPOUJOVB


r
1PS
MP
DPNÙO
FM
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TF
VUJMJ[B
FO
BQMJDBDJPOFT
JOEVTUSJBMFT
RVF
WBO
EFTEF


L8
IBTUB
NFHBXBUUT
&O
MB
UBCMB

TF
QSFTFOUBO
MBT
DPNQBSBDJPOFT
EF
SFDUJGJDBEPSFT

NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT

106 Capítulo 3 Diodos rectificadores

112 A

108 A

104 A

100 A
I (VX)
300 V

280 V

260 V

240 V
16 ms 17 ms 18 ms 19 ms 20 ms 21 ms 22 ms 23 ms 24 ms 25 ms
V (4, 7) C1  18.062 m, 104.885
Tiempo C2  19.892 m, 110.911
dif  1.8300 m, 6.0260

FIGURA 3.15
(SÃGJDB
HFOFSBEB
QPS
14QJDF
QBSB
FM
FKFNQMP


TABLA 3.3 7FOUBKBT
Z
EFTWFOUBKBT
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT

7FOUBKBT %FTWFOUBKBT

3FDUJGJDBEPS

1SPEVDF
NÃT
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
NÃT
-B
DBSHB
OP
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
UJFSSB
TJO

USJGÃTJDP
TBMJEB
EF
QPUFODJB
IBTUB
NFHBXBUUT VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
TFJT
WFDFT
MB
.ÃT
DPTUPTP
EFCF
VUJMJ[BSTF
FO
BQMJDBDJPOFT

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
Z
MB
TBMJEB
RVF
MP
SFRVJFSBO

DPOUJFOF
NFOPT
DPOUFOJEP
EF
SJ[PT
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
FT

NÃT
BMUP

3FDUJGJDBEPS
"EFDVBEP
QBSB
BQMJDBDJPOFT
JOEVT- -B
DBSHB
OP
TF
QVFEF
DPOFDUBS
B
UJFSSB
TJO

NPOPGÃTJDP
USJBMFT
IBTUB
EF

L8
-B
GSFDVFODJB
EF
SJ[P
FT
EPT
WFDFT
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO

TF
TVFMF
DPOFDUBS
VOP
QBSB
BJTMBS

4FODJMMP
EF
VTBS
FO
VOJEBEFT
DPNFS-
DJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT

VO
USBOTGPSNBEPS
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
"VORVF
OP
TF
SFRVJFSF
VO
USBOTGPSNBEPS
FO

FM
MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
GVODJPOF
FM
SFD-
UJGJDBEPS
FMÊDUSJDBNFOUF
MB
DBSHB
RVF
QSPWJFOF
EF
MB

BMJNFOUBDJÓO

3.9 RECTIFICADOR TRIFÁSICO CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
MB
DBSHB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
RVF
BQB-
SFDF
FO
MB
GJHVSB

TFSÃ
DPOUJOVB
DPO
DPOUFOJEP
JOTJHOJGJDBOUF
EF
SJ[P
 3.9 Rectificador trifásico con carga altamente inductiva 107

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
MB
GPSNB
EF
POEB
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
MÎOFB
MB
DVBM
FT
TJNÊUSJDB

DPO
VO
ÃOHVMP
q
=
p

DVBOEP
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
TF
WVFMWF
DFSP
OP
BTÎ
DVBOEP
FM
WPMUBKF
EF

MÎOFB
B
MÎOFB
vab
TF
WVFMWF
DFSP
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB
TBUJTGBDFS
MB
DPOEJDJÓO
EF
f x +
π

=
f x


MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
TF
EFTDSJCF
QPS

π 5π
is(t) = Ia para ≤ ωt ≤
6 6
7π 11π
is(t) = − Ia para ≤ ωt ≤
6 6

MB
DVBM
TF
FYQSFTB
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
DPNP

∞ ∞
is(t) = Icd + a (an cos(nωt) + bn sen(nωt)) = a cn sen(nωt + ϕn)
n =1 n =1

EPOEF
MPT
DPFGJDJFOUFT
TPO

2π 2π
1 1
Icd = is(t) d(ωt) = I d(ωt) = 0
2π L0 2π L0 a
5π 11π
2π
is(t) cos(nωt) d(ωt) = c π Ia cos(nωt) d(ωt) − 7π Ia cos(nωt) d(ωt)d = 0
1 1 6 6
an =
π L0 π L6 L6
5π 11π
2π
is(t) sen(nωt) d(ωt) = c π Ia sen(nωt) d(ωt) − 7π Ia sen(nωt) d(ωt) d
1 1 6 6
bn =
π L0 π L6 L6

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
JOUFHSBSMB
Z
TJNQMJGJDBSMB
EB
bn
DPNP

− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
bn = para n = 1, 5, 7, 11, 13, c
nπ 2 3
bn = 0 para n = 2, 3, 4, 6, 8, 9, c
− 4Ia
cos(nπ)sen a b sen a b
nπ nπ
cn = 2(an)2 + (bn)2 =
nπ 2 3

ϕn = arctan a b =0
an
bn

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
FTUÃ
EBEB
QPS

a
413Ia sen(ωt) sen(5ωt) sen(7ωt)
is = − −
2π 1 5 7

− g b

sen(11ωt) sen(13ωt) sen(17ωt)

+ + − 

11 13 17

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BSNÓOJDB
n-ÊTJNB
FTUÃ
EBEP
QPS

1 212Ia nπ

Isn = (a2n + b2n)1/2 = sen


12 nπ 3
108 Capítulo 3 Diodos rectificadores

&M
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
GVOEBNFOUBM
FT

16
Is1 = I = 0.7797Ia
π a

-B
DPSSJFOUF
SNT
EF
FOUSBEB

5π/6 1/2
Is = c I 2a d(ωt) d
2 2
= Ia = 0.8165Ia
2π L
π/6 A3
Is 2 1/2
π 2 1/2
HF = c a b − 1 d = c a b − 1 d = 0.3108 o 31.08%
Is1 3
DF = cos ϕ1 = cos(0) = 1
Is1 0.7797
PF = cos(0) = = 0.9549
Is 0.8165

Nota
4J
DPNQBSBNPT
FM
1'
DPO
FM
EFM
FKFNQMP

EPOEF
MB
DBSHB
FT
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB

PCTFSWBNPT
RVF
FM
1'
EF
FOUSBEB
EFQFOEF
EFM
ÃOHVMP
EF
MB
DBSHB
$PO
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF

SFTJTUJWB
1'
=


Puntos clave de la sección 3.9

r
$PO
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
TF
USBOT-
GPSNB
FO
VOB
POEB
DVBESBEB
EF
DB
&M
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

USJGÃTJDP
FT

FM
DVBM
FT
NBZPS
RVF

FO
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP

3.10 COMPARACIONES DE DIODOS RECTIFICADORES

&M
PCKFUJWP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
FT
QSPEVDJS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DB
B
VOB
QPUFODJB
EF
TBMJEB

EF
DE
EBEB
1PS
DPOTJHVJFOUF
FT
NÃT
DPOWFOJFOUF
FYQSFTBS
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
FO

GVODJÓO
EF
Vcd
Z
Pcd
1PS
FKFNQMP
MB
DBQBDJEBE
Z
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FO
VO

DJSDVJUP
EF
SFDUJGJDBEPS
TPO
GÃDJMFT
EF
EFUFSNJOBS
TJ
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS
FTUÃ

FO
GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
SFRVFSJEP
Vcd
&O
MB
UBCMB

TF
SFTVNFO
MPT
QBSÃNFUSPT
JNQPS-
UBOUFT
<>
%FCJEP
B
TVT
NÊSJUPT
SFMBUJWPT
QPS
MP
DPNÙO
TF
VTBO
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT

Z
USJGÃTJDPT

Puntos clave de la sección 3.10

r
-PT
SFDUJGJDBEPSFT
NPOPGÃTJDPT
Z
USJGÃTJDPT
DVZPT
NÊSJUPT
TPO
SFMBUJWPT
QPS
MP
DPNÙO
TF

VUJMJ[BO
QBSB
DPOWFSTJÓO
EF
DB
B
DE

3.11 DISEÑO DE UN CIRCUITO RECTIFICADOR

&M
EJTFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
DPOMMFWB
EFUFSNJOBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
EJPEPT
TFNJDPOEVDUPSFT

/PSNBMNFOUF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
EJPEPT
TF
FTQFDJGJDBO
FO
GVODJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
MB

DPSSJFOUF
SNT
MB
DPSSJFOUF
QJDP
Z
FM
WPMUBKF
QJDP
JOWFSTP
/P
FYJTUFO
QSPDFEJNJFOUPT
FTUÃOEBS
EF

EJTFÒP
BVORVF
TF
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
GPSNBT
EF
MBT
DPSSJFOUFT
Z
WPMUBKFT
EFM
EJPEP

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 109

TABLA 3.4 Parámetros de desempeño de diodos rectificadores con una carga resistiva

Rectificador monofásico Rectificador

con transformador Rectificador de seis fases Rectificador
Parámetros de desempeño de derivación central monofásico en estrella trifásico
Voltaje inverso pico
repetitivo, VRRM 3.14Vcd 1.57Vcd 2.09Vcd 1.05Vcd
Voltaje rms de
entrada por la pata del
transformador, Vs 1.11Vcd 1.11Vcd 0.74Vcd 0.428Vcd
Corriente promedio
en el diodo, ID(prom ) 0.50Icd 0.50Icd 0.167Icd 0.333Icd
Corriente pico repetitiva
en sentido directo, IFRM 1.57Icd 1.57Icd 6.28Icd 3.14Icd
Corriente rms en el
diodo, ID(rms) 0.785Icd 0.785Icd 0.409Icd 0.579Icd
Factor de forma
de la corriente de
diodo, ID(rms)/ID(prom) 1.57 1.57 2.45 1.74
Relación de rectificación, η 0.81 0.81 0.998 0.998
Factor de forma, FF 1.11 1.11 1.0009 1.0009
Factor de rizo, RF 0.482 0.482 0.042 0.042
Capacidad del primario
del transformador, VA 1.23Pcd 1.23Pcd 1.28Pcd 1.05Pcd
Capacidad del secundario
del transformador, VA 1.75Pcd 1.23Pcd 1.81Pcd 1.05Pcd
Frecuencia de rizo
de salida, fr 2fs 2fs 6fs 6fs

&O
MBT
FDVBDJPOFT


Z


PCTFSWBNPT
RVF
MB
TBMJEB
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
DPOUJFOF

BSNÓOJDPT
4F
QVFEFO
VUJMJ[BS
GJMUSPT
QBSB
TVBWJ[BS
FM
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
Z

ÊTUPT
TF
DPOPDFO
DPNP
filtros de cd
1PS
MP
DPNÙO
MPT
GJMUSPT
EF
DE
TPO
EFM
UJQP
L
C,
Z
LC
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

%FCJEP
B
MB
BDDJÓO
EF
SFDUJGJDBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
EFM

SFDUJGJDBEPS
UBNCJÊO
DPOUJFOF
BSNÓOJDPT
Z
TF
VUJMJ[B
VO
filtro de ca
QBSB
FMJNJOBS
BMHVOPT
EF
MPT

BSNÓOJDPT
EFM
TJTUFNB
EF
BMJNFOUBDJÓO
&M
GJMUSP
EF
DB
TVFMF
TFS
EFM
UJQP
LC
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB


/PSNBMNFOUF
FM
EJTFÒP
EFM
GJMUSP
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
NBHOJUVEFT
Z
GSFDVFODJBT
EF

MPT
BSNÓOJDPT
-PT
QBTPT
JNQMJDBEPT
FO
FM
EJTFÒP
EF
SFDUJGJDBEPSFT
Z
GJMUSPT
TF
FYQMJDBO
DPO

FKFNQMPT

Le Le

⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹ ⫹

vo vR R vo Ce vR R vo Ce vR R

⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺ ⫺
(a) (b) (c)

FIGURA 3.16
'JMUSPT
EF
DE
110 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li

⫹ ⫹

vs ⫽ Vm sen ␻t Ci Rectificador vo

⫺ ⫺

FIGURA 3.17
'JMUSPT
EF
DB

Ejemplo 3.9 Cómo determinar las capacidades de diodos a partir de sus corrientes
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
BMJNFOUB
VOB
DBSHB
BMUBNFOUF
JOEVDUJWB
EF
UBM
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B

USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
IDE
=

"
Z
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
FT
JOTJHOJGJDBOUF
%FUFSNJOF
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT

EJPEPT
TJ
FM
WPMUBKF
EF
MÎOFB
B
OFVUSP
EF
MB
GVFOUF
DPOFDUBEB
FO
:
FT
EF

7
B

)[

Solución
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
MBT
DPSSJFOUFT
B
USBWÊT
EF
MPT
EJPEPT
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
EF
VO
EJPEP
FT

Id
=

=

"
-B
DPSSJFOUF
SNT
FT

π 1/2
Ir = c I 2cd d(ωt) d =
1 Icd
= 34.64 A
2π Lπ/3 13

&M
PIV = 13 Vm = 13 × 12 × 120 = 294 V.

id1
Ia Ia ⫽ Icd

0 ␻t
␲ 2␲ ␲ 4␲ 5␲ 2␲
id2
3 3 3 3
Ia T

0 ␻t
id3
Ia

0 ␻t
id4

0 ␻t
id5
Ia

0 ␻t
id6
Ia

0 ␻t

FIGURA 3.18
$PSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
EJPEPT

Nota:
&M
GBDUPS
EF
12
TF
VUJMJ[B
QBSB
DPOWFSUJS
SNT
FO
WBMPS
QJDP

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 111

Ejemplo 3.10 Cómo determinar las corrientes promedio y rms a través de un diodo a partir de
las formas de onda
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
%FUFSNJOF
B

MB
DPSSJFOUF
SNT
Z
C

MB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
TJ
t
=

μT
t
=

μT
t
=

μT
f
=

)[
fs
=

L)[
Im
=

"
F

Ia
=

"

Solución

a.
&M
WBMPS
SNT
TF
EFGJOF
DPNP

t t
1/2
ID(rms) = c I 2a dt d

1 3
1 2 1

(Im sen ωs t) dt + 

T L0 T Lt2
= (I 2t1 + I 2t2)1/2

EPOEF
ωs
=
πfs
=
 
SBET
t
=
π/ωs
=

μT
Z
T
=
f

t 1/2
ID1(rms) = c (Im sen ωs t) dt d = Im
1 1
2 ft 1




T L0 A2
= 50.31 A

Z
t 2
ID2(rms) = a
3
1

Ia dtb = Ia 2f(t 3 − t 2)


TLt2

= 29.05 A

4VTUJUVZFOEP
MBT
FDVBDJPOFT


Z


FO
MB
FDVBDJÓO


FM
WBMPS
SNT
FT

I 2m ft 1 1/2

ID(rms) = c + I 2a f(t 3 − t 2) d


2
= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A

b.
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
TF
DBMDVMB
B
QBSUJS
EF

t t
ID(prom) = c Ia dt d
1 3
1 1
(Im sen ωs t) dt +
T L0 TLt2
= ID1(prom) + ID2(prom)

i i1 ⫽ Im sen ␻st
Im
i2
Ia

0 t
t1 t2 t3 T T ⫹ t1
T ⫽ 1/f

FIGURA 3.19
'PSNB
EF
POEB
EF
DPSSJFOUF
112 Capítulo 3 Diodos rectificadores

EPOEF

t1
1 I f

Id1 =
ωs t) dt = m
(Im sen 

T L0 πfs
3 t
1

Id2 = I dt = Ia f(t 3 − t 2)


T Lt2 a

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FT

Im f
Icd = + Ia f(t 3 − t 2) = 7.16 + 5.63 = 12.79 A
πfs

Ejemplo 3.11 Cómo determinar la inductancia de la carga para limitar el contenido de

corriente de rizo
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TF
BMJNFOUB
EF
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=


Ω
$BMDVMF
FM
WBMPS
EF
VO
JOEVDUPS
FO
TFSJF
L
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
IDB
B
NFOPT
EF

EF
IDE

Solución
-B
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB

Z = R + j(nωL) = 2R2 + (nωL)2 θn


Z
nωL

θn = tan−1


R
Z
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
FT

c
4Vm 1 1

i0(t) = Icd − cos(2ωt − θ2) + cos(4ωt − θ4) cd


π 2R + (nωL)
2 2 3 15

EPOEF

Vcd 2Vm
Icd = =
R πR

-B
FDVBDJÓO


EB
FM
WBMPS
SNT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
DPNP

(4Vm)2 1 2 (4Vm)2 1 2
I 2ca = a b + a b + g
2π [R + (2ωL) ] 3
2 2 2
2π [R + (4ωL) ] 15
2 2 2

$POTJEFSBOEP
TÓMP
FM
BSNÓOJDP
EF
NFOPS
PSEFO
n
=


UFOFNPT

a b
4Vm
1
Ica =
12π 2R + (2ωL) 32 2

4J
TF
VUJMJ[B
FM
WBMPS
EF
IDE
Z
MVFHP
TF
TJNQMJGJDB
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
FT

Ica 0.4714
RF = = = 0.05
Icd 21 + (2ωL/R)2
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 113

$PO
R
=
Ω
Z
f
=

)[
FM
WBMPS
EF
MB
JOEVDUBODJB
TF
PCUJFOF
DPNP

=
<
+

×

×

πL
>
Z
FTUP
EB
L
=

)

&O
MB
FDVBDJÓO


TF
WF
RVF
VOB
JOEVDUBODJB
FO
MB
DBSHB
PGSFDF
VOB
BMUB
JNQFEBODJB
B
MBT
DPS-
SJFOUFT
BSNÓOJDBT
Z
BDUÙB
DPNP
VO
GJMUSP
BM
SFEVDJS
MPT
BSNÓOJDPT
4JO
FNCBSHP
FTUB
JOEVDUBODJB
SFUBSEB

MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
DPO
SFTQFDUP
BM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
Z
FO
FM
DBTP
EFM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB

POEB
TF
SFRVJFSF
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
FTUB
DPSSJFOUF

JOEVDUJWB

Ejemplo 3.12 Cómo determinar la capacitancia del filtro para limitar la cantidad de voltaje de
rizo de salida
6O
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
TF
BCBTUFDF
EF
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=


Ω
B

%JTFÒF
VO
GJMUSP
C
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB
NFOPS
RVF

C


DPO
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
C
EFM
JODJTP
B

DBMDVMF
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF
MB
DBSHB
VDE

Solución

a.
$VBOEP
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
vs
FO
MB
GJHVSB
B
FT
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQB-
DJUPS
vo
MPT
EJPEPT
D
Z
D
P
D
Z
D

DPOEVDFO
FOUPODFT
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
EFTEF
MB
GVFOUF

4J
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
BMJNFOUBDJÓO
vs
DBF
QPS
EFCBKP
EFM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EFM
DBQBDJUPS

vo
MPT
EJPEPT
D
Z
D
P
D
Z
D

QPMBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
Z
FM
DBQBDJUPS
Ce
TF
EFTDBSHB
B
USBWÊT
EF

MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
RL
&M
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
vo
WBSÎB
FOUSF
VO
WBMPS
NÎOJNP
Vo NÎO

Z
VO

WBMPS
NÃYJNP
Vo NÃY

MP
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C





&M
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
FM
DVBM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
Vo NÃY

Z
FM
WPM-
UBKF
NÎOJNP
Vo NÎO

TF
QVFEF
FTQFDJGJDBS
EF
EJGFSFOUFT
NBOFSBT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
UBCMB






4VQPOHBNPT
RVF
tc
FT
FM
UJFNQP
EF
DBSHB
Z
RVF
td
FT
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS

CF. &M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EVSBOUF
FM
QSPDFTP
EF
DBSHB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
%VSBOUF

FM
JOUFSWBMP
EF
DBSHB
FM
DBQBDJUPS
TF
DBSHB
EFTEF
Vo NÎO

IBTUB
Vm
4VQPOHBNPT
RVF
B
VO
ÃO-
HVMP
α
SBET

FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
RVF
FTUÃ
DBNCJBOEP
B
QPTJUJWP
FT
JHVBM
BM
WPMUBKF
NÎOJNP

EFM
DBQBDJUPS
Vo NÎO

BM
GJOBM
EF
MB
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
$POGPSNF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TVCF

TFOPJEBMNFOUF
EFTEF

IBTUB
Vm
FM
ÃOHVMP
α
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
DPO

Vo(mín)

Vo(mín) = Vm sen (α) o α = sen−1a b


Vm

"M
SFEFGJOJS
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
ωt
=


B
VO
ÃOHVMP
π
DPNP
FM
DPNJFO[P
EFM
JOUFSWBMP


QPEFNPT
EFEVDJS
MB
DPSSJFOUF
EF
EFTDBSHB
B
QBSUJS
EF
MBT
EFTDBSHBT
FYQPOFODJBMNFOUF
EFM
DBQB-
DJUPS
B
USBWÊT
EF
R

1
i dt − vC(t = 0) + RL io = 0
Ce L o

MB
DVBM
DPO
VOB
DPOEJDJÓO
JOJDJBM
EF
vC ωt =


=
Vm
EB

Vm − t/R C
io = e L e
para 0 ≤ t ≤ t d
R

&M
WPMUBKF
EF
TBMJEB
JOTUBOUÃOFP
P
EFM
DBQBDJUPS

vo
EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
EFTDBSHB
TF
DBMDVMB

DPO

vo(t) = RLio = Vm e −t/RLCe


114 Capítulo 3 Diodos rectificadores

D io

vs
⫹ ⫹
vm
vs Ce RL vo

⫺ 0 ␻t ⫺

(a) Modelo del circuito

vo Vo(máx) Vo(mín)

␲ 2␲ 3␲ ␻t
tc td
T
vr 2
Vr(pp)

(b) Formas de onda del rectificador de onda completa

D1 D2 io io

vs ⫹
⫹
⬃ Ce vc Ce
⫺
Vm RL

0 ⫺
␻t

(c) Recarga (d) Descarga

FIGURA 3.20
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
DPO
GJMUSP
C

TABLA 3.5 5ÊSNJOPT
QBSB
NFEJS
WPMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB

%FGJOJDJÓO
EF
MPT
UÊSNJOPT 3FMBDJÓO
7BMPS
QJDP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vo(máx) = Vm
7PMUBKF
EF
SJ[P
EF
TBMJEB
EF
QJDP
B
QJDP
Vr pp
Vr(pp) = Vo(máx) − Vo(mín) = Vm − Vo(mín)
'BDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vr(pp) Vm − Vo(mín) Vo(mín)
RFv = = =1 −
Vm Vm Vm

7BMPS
NÎOJNP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Vo(mín) = Vm(1 − RFv)

 3.11 Diseño de un circuito rectificador 115

-B
GJHVSB
E
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EVSBOUF
MB
EFTDBSHB
1PEFNPT
EFUFSNJOBS
FM

UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td
P
FM
ÃOHVMP
EF
EFTDBSHB
β
SBET

DPNP


ω t d = β = π/2 + α


&O
FM
JOTUBOUF
t
=
td
vo t

FO
MB
FDVBDJÓO


TF
WVFMWF
JHVBM
B
Vo NÎO

Z
QPEFNPT
SFMBDJPOBS
td

DPO
Vo NÎO

NFEJBOUF

v0 (t = t d) = V0(mín) = Vm e −td/RLCe


MB
DVBM
EB
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td
DPNP

t d = RL Ce ln a b

Vm



Vo(mín)

4J
JHVBMBNPT
td
FO
MB
FDVBDJÓO


QBSB
td
FO
MB
FDVBDJÓO


PCUFOFNPT

Vo(mín)
ω RL Ce ln a b = π/2 + α = π/2 + sen−1 a b

Vm



Vo(mín) Vm

1PS
DPOTJHVJFOUF
FM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
Ce
TF
EFUFSNJOB
DPO

Vo(mín)
π/2 + sen−1 a b
Vm

Ce =


ω RL ln a b
Vm
Vo(mín)

3FEFGJOJFOEP
FM
PSJHFO
EFM
UJFNQP
ωt
=


FO
π
DVBOEP
DPNJFO[B
FM
JOUFSWBMP
EF
EFTDBSHB

QPEFNPT
EFUFSNJOBS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo QSPN

DPO

β π
£ cos(ωt) d(ωt) §

Vm ωt

Vo(prom) = e − R C d(ωt) +
L e 

π L 0 Lβ

3 ωRLCe 1 1 − e − ωR C 2 + sen β4
Vm β
= L e

-BT
FDVBDJPOFT
BOUFSJPSFT
<&DT

Z
>
QBSB
C
Z
Vo QSPN

TPO
OP
MJOFBMFT
1PEFNPT
EFSJWBS

FYQSFTJPOFT
TJNQMFT
FYQMÎDJUBT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
FO
GVODJÓO
EFM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
TJ
TVQP-
OFNPT
MP
TJHVJFOUF




r
tc
FT
FM
UJFNQP
EF
SFDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
Ce




r
td
FT
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFM
DBQBDJUPS
Ce


4J
TVQPOFNPT
RVF
FM
UJFNQP
EF
SFDBSHB
tc
FT
QFRVFÒP
DPNQBSBEP
DPO
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
td

FT
EFDJS
td
>>
tc
MP
RVF
HFOFSBMNFOUF
FT
FM
DBTP
QPEFNPT
SFMBDJPOBS
tc
Z
td
DPO
FM
QFSJPEP
T
EF

MB
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB
DPNP

t d = T/2 − t c ≈ T/2 = 1/2f


6UJMJ[BOEP
MB
FYQBOTJÓO
FO
TFSJF
EF
5BZMPS
EF
e−x
=

m
x
QBSB
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
x
<<

MB

FDVBDJÓO


TF
TJNQMJGJDB
DPNP

Vo(mín) = Vm e −td/RLCe = Vm a1 − b

td



RLCe
116 Capítulo 3 Diodos rectificadores

MB
DVBM
EB
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
QJDP
B
QJDP
Vr QQ

DPNP

td Vm

Vr(pp) = Vm − Vo(mín) = Vm =


RLCe 2fRLCe

4F
QVFEF
VTBS
MB
FDVBDJÓO


QBSB
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
DPO
VOB
SB[POBCMF

FYBDUJUVE
QBSB
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
QSPQÓTJUPT
QSÃDUJDPT
FO
UBOUP
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
FTUÊ
EFOUSP

EF

0CTFSWBNPT
FO
MB
FDVBDJÓO


RVF
FM
WPMUBKF
EF
SJ[P
EFQFOEF
JOWFSTBNFOUF
EF
MB

GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
EF
MB
DBQBDJUBODJB
EFM
GJMUSP
Ce
Z
EF
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
RL





4J
TVQPOFNPT
RVF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFDSFDF
MJOFBMNFOUF
EF
Vo NÃY
=
Vm

B
Vo NÎO

EV-
SBOUF
FM
JOUFSWBMP
EF
EFTDBSHB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TF
EFUFSNJOB
BQSPYJNBEBNFOUF
B

QBSUJS
EF

Vm + Vo(mín)
c V + Vm a1 − b d

1 td

Vo(prom) = = 

2 2 m RLCe

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
TVTUJUVJS
td
TF
FTDSJCF
DPNP

c V + Vma1 − bd = c2 − d

1 1 Vm 1

Vo(prom) = 

2 m RL2fCe 2 RL2fCe

&M
GBDUPS
EF
SJ[P
3'
TF
EFUFSNJOB
B
QBSUJS
EF

Vr(pp)/2 1

RF = =


Vo(prom) 4RLfCe − 1

1PS
MP
HFOFSBM
MB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
GJKB
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
QJDP
Vm
Z
FM
WPMUBKF
NÎ-
OJNP
Vo NÎO

QVFEF
IBDFSTF
WBSJBS
EFTEF
DBTJ

IBTUB
Vm
BM
WBSJBS
MPT
WBMPSFT
EF
Ce
f
Z
RL

1PS
DPOTJHVJFOUF
FT
QPTJCMF
EJTFÒBS
VO
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo DE

FO
FM
SBOHP
EF
Vm

B
Vm
1PEFNPT
EFUFSNJOBS
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
QBSB
TBUJTGBDFS
UBOUP
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP

EFM
WPMUBKF
NÎOJNP
Vo NÎO

DPNP
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vo QSPN

EF
NPEP
RVF
Vo NÎO

=

VP(QSPN

−
Vm



a.
-B
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
EFTQFKBS
DPO
Ce

a1 + b = a1 + b = 175 μF
1 1 1 1
Ce =
4fR RF 4 × 60 × 500 0.05

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

c2 − d = c2 − d = 153.54 V
Vm 1 169 1
Vo(prom) =
2 RL2fCe 2 500 × 2 × 60 × Ce

Ejemplo 3.13 Cómo determinar los valores de un filtro de salida LC para limitar la cantidad
del voltaje de rizo de salida
6O
GJMUSP
LC
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB
D
TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[BEP
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
MB
JOEVDUBODJB
EF

MB
DBSHB
FT
L
=

N)
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
FT

)[
P

SBET

B

%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
Le

Z
Ce
EF
NPEP
RVF
FM
3'
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB

C

6TF
14QJDF
QBSB
DBMDVMBS
MPT
DPNQPOFOUFT

EF
'PVSJFS
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
v
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=

7
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 117

Le

XL ⫽ n ␻Le ⫹
R
⫹ 1
⫺ Vnh(n␻) Xc ⫽ Ce Von(n ␻)
n ␻ Ce
L
⫺

FIGURA 3.21
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
MPT
BSNÓOJDPT

Solución

a.
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
MPT
BSNÓOJDPT
1BSB
GBDJMJUBS
FM
QBTP
EFM

nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
QPS
FM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
MB
JNQFEBODJB
EF
MB
DBSHB

EFCF
TFS
NVDIP
NBZPS
RVF
MB
EFM
DBQBDJUPS
&T
EFDJS

1
2R2 + (nωL)2 >>
nωCe

1PS
MP
HFOFSBM
MB
TJHVJFOUF
SFMBDJÓO
TBUJTGBDF
FTUB
DPOEJDJÓO

10

2R2 + (nωL)2 =


nωCe

Z
FO
FTUB
DPOEJDJÓO
FM
FGFDUP
EF
MB
DBSHB
FT
JOTJHOJGJDBOUF
&M
WBMPS
SNT
EFM
n-ésimo
DPNQPOFOUF

BSNÓOJDP
RVF
BQBSFDF
FO
MB
TBMJEB
TF
EFUFSNJOB
DPO
MB
SFHMB
EJWJTPSB
EF
WPMUBKF
Z
TF
FYQSFTB

DPNP

− 1/(nωCe) −1

Von = ` ` Vnh = ` ` Vnh


(nωLe) − 1/(nωCe) (nω) Le Ce − 1

2

-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
WPMUBKF
EF
SJ[BEP
B
DBVTB
EF
UPEPT
MPT
BSNÓOJDPT
FT

∞ 1/2

Vca = a a V 2on b


n =2,4,6, c

1BSB
VO
WBMPS
FTQFDJGJDBEP
EF
VDB
Z
DPO
FM
WBMPS
EF
Ce
EF
MB
FDVBDJÓO


TF
QVFEF
DBMDVMBS

FM
WBMPS
EF
Le
1PEFNPT
TJNQMJGJDBS
FM
DÃMDVMP
DPOTJEFSBOEP
TÓMP
FM
BSNÓOJDP
EPNJOBOUF

$PO
MB
FDVBDJÓO


WFNPT
RVF
FM
TFHVOEP
BSNÓOJDP
FT
FM
EPNJOBOUF
Z
TV
WBMPS
SNT
FT

V2h = 4Vm/(312π)
Z
WBMPS
EF
DE
VDE = Vm/π





$PO
n
=

MBT
FDVBDJPOFT


Z


EBO

−1
Vca = Vo2 = ` ` V2h
(2ω)2Le Ce − 1

&M
WBMPS
EFM
GJMUSP
EF
DBQBDJUPS
Ce
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

10
2R2 + (2ωL)2 =
2ωCe
118 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3 Le 8 Rx 7 i
Vy 30.83 mH 80 m⍀
is
1 D1 D3 R 40 ⍀

⫹ 0V ⫹ 5
2
⬃ vs vo Ce 326 ␮F L 10 mH
⫺ ⫺
6
0 D4 D2
Vx 0V

FIGURA 3.22
3FDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF

P
10
Ce = = 326 μF
4πf 2R + (4πfL)2
2

4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


FM
3'
TF
EFGJOF
DPNP

12
` ` = 0.1
Vca Vo2 V2h 1 1
RF = = = =


Vcd Vcd Vcd (4πf)2Le Ce − 1 3 [(4πf)2Le Ce − 1]

o (4πf)2Le Ce − 1 = 4.714 y Le = 30.83 mH.

b.
&

O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
QBSB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
4F
BHSFHB

VOB
QFRVFÒB
SFTJTUFODJB
Rx
QBSB
FWJUBS
QSPCMFNBT
EF
DPOWFSHFODJB
FO
14QJDF
EFCJEP
B
VOB
USB-
ZFDUPSJB
EF
DE
EF
SFTJTUFODJB
DFSP
GPSNBEB
QPS
Le
Z
Ce
"
DPOUJOVBDJÓO
TF
QSFTFOUB
MB
MJTUB
EFM

BSDIJWP
EFM
DJSDVJUP

Ejemplo 3.13 Rectificador monofásico con filtro LC

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
CE 7 4 326UF ; Utilizado para converger la solución
RX 8 7 80M
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 4 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de salida
VY 1 2 DC OV ; Fuente de voltaje para medir la corriente de entrada
D1 2 3 DMOD ; Modelos de diodo
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
 3.11 Diseño de un circuito rectificador 119

.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Parámetros de modelo de diodo

.TRAN 10US 50MS 33MS 50US ; Análisis transitorio
.FOUR 120HZ V(6,5) ; Análisis de Fourier del voltaje de salida
.options ITL5=0 abstol=1.000u reltol=.05 vntol=0.01m
.END

-PT
SFTVMUBEPT
EF
MB
TJNVMBDJÓO
DPO
14QJDF
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
7  

TPO
MPT
TJHVJFOUFT

COMPONENTES DE FOURIER DE RESPUESTA TRANSITORIA V (6,5)

COMPONENTE DE CD = 1.140973E+02
ARMÓNICO. FRECUENCIA COMPONENTE COMPONENTE FASE FASE
NÚM (HZ) DE FOURIER NORMALIZADO (GRAD) NORMALIZADA
(GRAD)
1 1.200E+02 1.304E+01 1.000E+00 1.038E+02 0.000E+00
2 2.400E+02 6.496E-01 4.981E-02 1.236E+02 1.988E+01
3 3.600E+02 2.277E-01 1.746E-02 9.226E+01 -1.150E+01
4 4.800E+02 1.566E-01 1.201E-02 4.875E+01 -5.501E+01
5 6.000E+02 1.274E-01 9.767E-03 2.232E+01 -8.144E+01
6 7.200E+02 1.020E-01 7.822E-03 8.358E+00 -9.540E+01
7 8.400E+02 8.272E-02 6.343E-03 1.997E+00 -1.018E+02
8 9.600E+02 6.982E-02 5.354E-03 -1.061E+00 -1.048E+02
9 1.080E+03 6.015E-02 4.612E-03 -3.436E+00 -1.072E+02
DISTORSIÓN TOTAL ARMÓNICA = 5.636070E+00 POR CIENTO

MP
DVBM
WFSJGJDB
FM
EJTFÒP

Ejemplo 3.14 Cómo determinar los valores de un filtro LC de entrada para limitar la cantidad
de rizado en la corriente de entrada
6O
GJMUSP
LC
EF
FOUSBEB
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB

TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
MPT
BSNÓOJDPT
FO
MB
DPSSJFOUF
EF

FOUSBEB
FO
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
FTUÃ
MJCSF

EF
SJ[BEP
Z
TV
WBMPS
QSPNFEJP
FT
Ia
4J
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
f
=

)[
P

SBET

EFUFSNJOF
MB

GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EFM
GJMUSP
EF
NPEP
RVF
MB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
EF
FOUSBEB
UPUBM
TF
SFEV[DB
B

EFM

DPNQPOFOUF
GVOEBNFOUBM

Solución
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
FM
n-ÊTJNP
DPNQPOFOUF
BSNÓOJDP
&M
WBMPS
SNT
EFM

nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GVFOUF
EF
TVNJOJTUSP
TF
PCUJFOF
DPO
MB
SFHMB
EJWJTPSB

EF
DPSSJFOUF

Isn = ` `I = ` ` Inh

1/(nωCi) 1



(nωLi − 1/(nωCi) nh (nω)2Li Ci − 1

EPOEF
Inh
FT
FM
WBMPS
SNT
EFM
nÊTJNP
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
-B
DBOUJEBE
UPUBM
EF
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB
FO

MB
MÎOFB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT

∞ 1/2
Ih = a a I 2sn b
n =2,3, c
120 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Li
XL ⫽ n␻Li

1
Isn Xc ⫽ Ci Inh(n␻)
n ␻Ci

FIGURA 3.23
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
QBSB
DPSSJFOUF
BSNÓOJDB

Z
FM
GBDUPS
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
DPO
FM
GJMUSP

FT

∞
Isn 2 1/2
=c a a b d

Ih

r = 

Is1 n =2,3, c Is1

4FHÙO
MB
FDVBDJÓO


I1h = 4Ia /12 π e Inh = 4Ia/( 12 nπ) para n = 3, 5, 7, . . . . $PO
MBT
FDVB-
DJPOFT


Z


PCUFOFNPT
∞ Isn 2 ∞ (ω2LiCi − 1)2

r2 = a a b = a ` `


n =3,5,7, c n [(nω) Li C i − 1]
Is1 2 2 2
n =3,5,7, c

MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
FM
WBMPS
EF
Li C i 
1BSB
TJNQMJGJDBS
MPT
DÃMDVMPT
DPOTJEFSBNPT
TÓMP
FM

UFSDFS
BSNÓOJDP
< 
×

×
π
×

 Li C i m
>ω Li C i
m


=

=

P
L i C i
=

×
 −
Z
MB

GSFDVFODJB
EFM
GJMUSP
FT
1/2Li Ci = 327.04 rad/s,
P

)[
4VQPOJFOEP
RVF
C i
=

μ'
PCUFOFNPT

L i
=

N)

Nota:
&M
GJMUSP
EF
DB
TF
TVFMF
TJOUPOJ[BS
DPO
MB
GSFDVFODJB
BSNÓOJDB
JNQMJDBEB
QFSP
TF
SF-
RVJFSF
VO
DVJEBEPTP
EJTFÒP
QBSB
FWJUBS
MB
QPTJCJMJEBE
EF
SFTPOBODJB
DPO
FM
TJTUFNB
EF
QPUFODJB

-B
GSFDVFODJB
SFTPOBOUF
EFM
UFSDFS
BSNÓOJDP
EF
MB
DPSSJFOUF
FT

×

=

SBET

Puntos clave de la sección 3.11

r
&M
EJTFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
SFRVJFSF
EFUFSNJOBS
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
EJPEPT
Z
MBT
DB-
QBDJEBEFT
EF
MPT
DPNQPOFOUFT
EF
GJMUSP
FO
MB
FOUSBEB
Z
FO
MB
TBMJEB
4F
VUJMJ[B
VO
GJMUSP
EF

DE
QBSB
TVBWJ[BS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
Z
VO
GJMUSP
EF
DB
QBSB
SFEVDJS
MB
DBOUJEBE
EF
JOZFDDJÓO

BSNÓOJDB
FO
MB
BMJNFOUBDJÓO
EF
FOUSBEB

3.12 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB
DPNQMFUB
DPO
VO

GJMUSP
LC
4VQPOHBNPT
RVF
FM
WBMPS
EF
Ce
FT
NVZ
HSBOEF
EF
NPEP
RVF
TV
WPMUBKF
OP
DPOUJFOF

SJ[BEP
DPO
VO
WBMPS
QSPNFEJP
EF
Vo DE

Le
FT
MB
JOEVDUBODJB
UPUBM
JODMVZFOEP
MB
JOEVDUBODJB
EF

MB
MÎOFB
P
GVFOUF
Z
QPS
MP
HFOFSBM
TF
DPMPDB
FO
MB
FOUSBEB
QBSB
RVF
BDUÙF
DPNP
VOB
JOEVDUBODJB

EF
DB
FO
MVHBS
EF
VOB
CPCJOB
EF
DE
 3.12 Voltaje de salida con filtro LC 121

vs

Vm

Le io Vcd
Icd

vs 0  2 t

Vm
Ce Vcd iL

continua
0  2 t
 discontinua
0       t
(a) Circuito equivalente (b) Formas de onda

FIGURA 3.24
7PMUBKF
EF
TBMJEB
DPO
GJMUSP
LC

4J
VDE
FT
NFOPS
RVF
Vm
MB
DPSSJFOUF
i
DPNJFO[B
B
GMVJS
FO
α
MP
DVBM
FTUÃ
EBEP
QPS

Vcd = Vm sen α
2VF
B
TV
WF[
EB

Vcd
α = sen−1 = sen−1x
Vm

EPOEF
x
=
VDE/Vm
-B
DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
I0
FTUÃ
EBEB
QPS

diL
Le = Vm sen ωt − Vcd
dt
MB
DVBM
TF
QVFEF
SFTPMWFS
QBSB
i

t
ω
1
i0 = (Vm sen ωt − Vcd) d(ωt)
ωLe Lα
Vm Vcd

= (cos α − cos ωt) − (ωt − α) para ωt ≥ α


ωLe ωLe

&M
WBMPS
DSÎUJDP
EF
ωt
=
β
=
π
+
α
FO
MB
RVF
MB
DPSSJFOUF
i
DBF
B
DFSP
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
B

QBSUJS
EF
MB
DPOEJDJÓO
i ωt
= β =
π
+
α
=


-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
IDE
TF
DBMDVMB
DPNP
TJHVF

π +α
1
Icd = i0(t) d(ωt)
π Lα

MB
DVBM
EFTQVÊT
EF
JOUFHSBSMB
Z
TJNQMJGJDBSMB
EB

π
c 21 − x2 + x a − b d

Vm 2
Icd = 

ωLe π 2
122 Capítulo 3 Diodos rectificadores

1BSB
VDE
=

MB
DPSSJFOUF
QJDP
RVF
QVFEF
GMVJS
B
USBWÊT
EFM
SFDUJGJDBEPS
FT
IQL
=
Vm/ωLe

/PSNBMJ[BOEP
IDE
DPO
SFTQFDUP
B
IQL
PCUFOFNPT

π
= 21 − x2 + x a − b

Icd 2

k(x) = 

Ipk π 2

/PSNBMJ[BOEP
FM
WBMPS
SNT
ISNT DPO
SFTQFDUP
B
IQL
PCUFOFNPT

π +α
i0(t)2 d(ω . t)

Irms 1

kr(x) = = 

Ipk B π Lα
1VFTUP
RVF
α
EFQFOEF
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
MBT
FDVBDJPOFT


Z


EFQFOEFO
EF
x

-B
UBCMB

NVFTUSB
MPT
WBMPSFT
EF
k x

Z
kr x

FO
GVODJÓO
EF
MB
SFMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x

$PNP
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
FT
VDE
=
Vm /π
MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
FT

JHVBM
B

2 Vm
Icd =
πR
1PS
DPOTJHVJFOUF
π
c 21 − x2 + x a − b d
2 Vm Vm 2
= Icd = Ipk k(x) =
πR ωLe π 2

MB
DVBM
EB
FM
WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
Lcr
=
Le

QBSB
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
DPNP

πR π
c 21 − x2 + x a − b d

2

Lcr = 

2ω π 2
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB
RVF
VOB
DPSSJFOUF
DPOUJOVB
GMVZB
B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
FM
WBMPS
EF
Le

EFCF
TFS
NBZPS
RVF
FM
WBMPS
EF
Lcr
&T
EFDJS

πR π
c 21 − x2 + x a − b d

2

Le > Lcr = 

2ω π 2

Caso discontinuo. -B
DPSSJFOUF
FT
EJTDPOUJOVB
TJ
ωt
=
β
ƪ
π
+
α


&M
ÃOHVMP β
BM
DVBM

MB
DPSSJFOUF
FT
DFSP
TF
QVFEF
EFUFSNJOBS
TJ
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
FTUBCMFDF
B
DFSP
&T
EFDJS

cos(α) − cos(β) − x(β − α) = 0

MB
DVBM
FO
GVODJÓO
EF
x
TF
FTDSJCF
DPNP

21 − x2 − x(β − arcsen(x)) = 0


Ejemplo 3.15 Cómo determinar el valor crítico del inductor para que fluya corriente continua
a través de la carga
&M
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
FT
EF

7

)[
B

4J
FM
WPMUBKF
EF
DE

EF
TBMJEB
FT
VDE
=

7
DPO
IDE
=

"
EFUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
MB
JOEVDUBODJB
DSÎUJDB
Lcr
α

F
ISNT
C

4J
IDE
=

"
Z
Le
=

N)
VTF
MB
UBCMB

QBSB
EFUFSNJOBS
MPT
WBMPSFT
EF
VDE

α
β
F
ISNT

 3.12 Voltaje de salida con filtro LC 123

TABLA 3.6 $PSSJFOUF
OPSNBMJ[BEB
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB

x
 Icd/Ipk% Irms/Ipk% α Grados β Grados

  








    
 


  
 


  
    
    
    
 


  
    
    
    
    
    
    

   

   

   

   

   

Solución
ω = 2π × 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, Vm = 12 × 120 = 169.7 V.

a.
3FMBDJÓO
EF
WPMUBKF
x
=
VDE/VN
=

=

=

α
=
TFO x

=

-B
FDVB-
DJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
EF
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
k
=
IDE/IQL
=

=

"TÎ
QVFT
IQL
=

IDE/k
=

=

"
&M
WBMPS
DSÎUJDP
EF
MB
JOEVDUBODJB
FT

Vm 169.7
Lcr = = = 11.59 mH
ωIpk 377 × 38.84

-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFMBDJÓO
EF
DPSSJFOUF
SNT
kS
=
ISNT/IQL
=

1PS
DPOTJHVJFOUF

Irms = kr Ipk = 0.324 × 38.84 = 12.58 A.

b.
-F
=

N)
IQL
=
VN ωLF

=
 
×

N)

=

"

Icd 15
k = = = 21.66%
Ipk 69.25

6UJMJ[BOEP
JOUFSQPMBDJÓO
MJOFBM
PCUFOFNPT

(xn +1 − xn)(k − kn)

x = xn +
kn +1 − kn
(65 − 60)(21.66 − 23.95)
= 60 + = 61.32%
15.27 − 23.95
Vcd = xVm = 0.6132 × 169.7 = 104.06 V
(αn +1 − αn)(k − kn)
α = αn +
kn +1 − kn
124 Capítulo 3 Diodos rectificadores

(40.54 − 36.87)(21.66 − 23.95)

= 36.87 + = 37.84°
15.27 − 23.95

(βn +1 − βn)(k − kn)

β = βn +
kn +1 − kn

(220.54 − 216.87)(21.66 − 23.95)

= 216.87 + = 217.85°
15.27 − 23.95

Irms (kr(n +1) − kr(n))(k − kn)

kr = = kr(n) +
Ipk kn +1 − kn

(26.58 − 31.05)(21.66 − 23.95)

= 31.05 + = 29.87%
15.27 − 23.95

1PS
DPOTJHVJFOUF
ISNT
=

×
IQL
=

×

=

"

Puntos clave de la sección 3.12

r
$PO
VO
BMUP
WBMPS
EF
MB
DBQBDJUBODJB
Ce
EFM
GJMUSP
EF
TBMJEB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QFSNBOFDF

DBTJ
DPOTUBOUF
4F
SFRVJFSF
VO
WBMPS
NÎOJNP
EF
MB
JOEVDUBODJB
Le
QBSB
NBOUFOFS
VOB
DPSSJ-
FOUF
DPOUJOVB
1PS
MP
DPNÙO
FM
JOEVDUPS
Le
TF
DPMPDB
FO
FM
MBEP
EF
FOUSBEB
QBSB
RVF
BDUÙF

DPNP
VO
JOEVDUPS
EF
DB
FO
MVHBS
EF
VOB
CPCJOB
EF
DE

3.13 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y LA CARGA

&O
MBT
EFSJWBDJPOFT
EF
MPT
WPMUBKFT
EF
TBMJEB
Z
MPT
DSJUFSJPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
SFDUJGJDBEPSFT
TF

TVQVTP
RVF
MB
GVFOUF
OP
UFOÎB
JOEVDUBODJBT
OJ
SFTJTUFODJBT
4JO
FNCBSHP
FO
VO
USBOTGPSNBEPS
Z

GVFOUF
QSÃDUJDPT
TJFNQSF
FTUÃO
QSFTFOUFT
Z
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
TVGSF
VO
QFRVFÒP

DBNCJP
&M
FGFDUP
EF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FM
DVBM
FT
NÃT
TJHOJGJDBUJWP
RVF
FM
EF
MB
SFTJTUFODJB

TF
QVFEF
FYQMJDBS
FO
SFMBDJÓO
DPO
MB
GJHVSB
B

&M
EJPEP
RVF
DPOEVDF
FT
FM
EF
WPMUBKF
NÃT
QPTJUJWP
$POTJEFSFNPT
FM
QVOUP
ωt
=
π
EPOEF

MPT
WPMUBKFT
vDB
Z
vbc
TPO
JHVBMFT
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-B
DPSSJFOUF
Icd
TJHVF
GMV-
ZFOEP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
D
%FCJEP
B
MB
JOEVDUBODJB
L
MB
DPSSJFOUF
OP
EFDBF
B
DFSP
EF
JONF-
EJBUP
Z
MB
USBOTGFSFODJB
EF
DPSSJFOUF
OP
PDVSSF
EF
GPSNB
JOTUBOUÃOFB
-B
DPSSJFOUF
id
EFDSFDF
Z

FM
SFTVMUBEP
FT
VO
WPMUBKF
JOEVDJEP
B
USBWÊT
EF
L
EF
+ v
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF
v
=

vca
+
v
"M
NJTNP
UJFNQP
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
D
id
TF
JODSFNFOUB
EFTEF
DFSP
F
JOEVDF

VO
WPMUBKF
JHVBM
B
USBWÊT
EF
L
EF
−v
Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
WVFMWF
v
=
vbc
−
v
&M
SFTVM-
UBEP
FT
RVF
MPT
WPMUBKFT
FO
FM
ÃOPEP
EF
MPT
EJPEPT
D
Z
D
TPO
JHVBMFT
Z
BNCPT
EJPEPT
DPOEVDFO

EVSBOUF
VO
DJFSUP
QFSJPEP
FM
DVBM
TF
MMBNB
ángulo de conmutación
P
traslape

μ
&TUB
USBOTGF-
SFODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
B
PUSP
TF
MMBNB
conmutación
-B
SFBDUBODJB
DPSSFTQPOEJFOUF
B

MB
JOEVDUBODJB
TF
DPOPDF
DPNP
reactancia de conmutación

&M
FGFDUP
EF
FTUF
USBTMBQF
FT
SFEVDJS
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EF
MPT
DPOWFSUJEPSFT
&M

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
L
FT

di

vL2 = L2


dt
 3.13 Efectos de las inductancias de la fuente y la carga 125

L3

c   vL3  id1 Icd

vcn D1 D3 D5
id5
 L1
id3
 van  a  vL1 

vbn M
D4 D6 D2
 L2
b
 vL2 
(a) Diagrama del circuito

v vL2
Vm
vac
vbc
vL1

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

Vm
id id5 id1 id3 id5
Icd

0 t
 2  4 5 2
3 3 3 3

(b) Formas de onda

FIGURA 3.25
3FDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
DPO
JOEVDUBODJBT
EF
MB
GVFOUF

4VQPOJFOEP
VO
JODSFNFOUP
MJOFBM
EF
MB
DPSSJFOUF
i
EF

B
IDE
P
VOB
di/dt
=
ĴiĴt

QPEFNPT
FT-
DSJCJS
MB
FDVBDJÓO


DPNP

vL2 ∆t = L2 ∆i


Z
FTUP
TF
SFQJUF
TFJT
WFDFT
QBSB
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
6UJMJ[BOEP
MB
FDVBDJÓO


MB
SFEVD-
DJÓO
EFM
WPMUBKF
QSPNFEJP
EFCJEP
B
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
DPONVUBDJÓO
FT

1
Vx = 2(vL1 + vL2 + vL3) ∆t = 2f(L1 + L2 + L3) ∆i
T

= 2f(L1 + L2 + L3)Icd


4J
UPEBT
MBT
JOEVDUBODJBT
TPO
JHVBMFT
Z
Lc
=
L
=
L
=
L
MB
FDVBDJÓO


TF
FTDSJCF
DPNP

Vx = 6fLc Icd


EPOEF
f
FT
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FO
IFSU[
126 Capítulo 3 Diodos rectificadores

Ejemplo 3.16 Cómo determinar el efecto de la inductancia de línea en el voltaje de salida de

un rectificador
6O
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
SFDJCF
BMJNFOUBDJÓO
EF
VOB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
EF

7

)[
DPOFDUBEB
FO

:
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
EF

"
Z
TV
SJ[BEP
FT
JOTJHOJGJDBOUF
$BMDVMF
FM
QPSDFOUBKF

EF
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFCJEP
B
MB
DPONVUBDJÓO
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MÎOFB
QPS
GBTF
FT
EF

N)

Solución
Lc
=

N)
Vs = 208/13 = 120 V, f = 60 Hz, Icd = 60 A, y Vm = 12 × 120 = 169.7 V.
$PO
MB
FDV-
BDJÓO


VDE
=

×

=

7
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

100
Vx = 6 × 60 × 0.5 × 10−3 × 60 = 10.8 V o 10.8 × = 3.85%
280.7

Z
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FGFDUJWP
FT

−


=

7

Ejemplo 3.17 Cómo determinar el efecto del tiempo de recuperación del diodo en el voltaje
de salida de un rectificador
-PT
EJPEPT
FO
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOFO
VO
UJFNQP
EF
SFDVQF-
SBDJÓO
JOWFSTB
EF
trr
=

μT
Z
FM
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
%FUFSNJOF
FM
FGFDUP
EFM
UJFNQP

EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
TJ
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FT
B

fs
=

L)[

Z
C

fs
=

)[

Solución
&M
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
BGFDUBSÎB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EFM
SFDUJGJDBEPS
&O
FM
SFDUJGJDBEPS
EF
POEB

DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
FM
EJPEP
D
OP
TF
CMPRVFB
P
BQBHB
FO
ωt
=
π
FO
WF[
EF
FMMP
TJHVF
DPOEVDJFOEP

IBTUB
RVF
t
=
π/ω
+
trr
$PNP
DPOTFDVFODJB
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSP-
NFEJP
TF
SFEVDF
Z
MB
GPSNB
EF
POEB
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


4J
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
v = Vm sen ωt = 12 Vs sen ωt,
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
FT

trr
cos ωt trr
c− d
2 2Vm
Vrr = Vm sen ωt dt =
T L0 T ω 0

Vm
= (1 − cos ωt rr)
π

Vm = 12 Vs = 12 × 120 = 169.7 V


vo

Vm
trr

T
t
0
T
2

FIGURA 3.26
&GFDUP
EFM
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

 3.14 Consideraciones prácticas para seleccionar inductores y capacitores 127

4JO
UJFNQP
EF
SFDVQFSBDJÓO
JOWFSTB
MB
FDVBDJÓO


EB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
Vcd
=
Vm
=


7


a.
$PO
trr
=

μT
Z
fs
=

)[
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP

DPNP

Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr)
π
= 0.061Vm = 10.3 V o 9.51% de Vcd

b.
$PO
trr
=

μT
Z
fs
=

)[
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFEVDDJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
DE
EF
TBMJEB
Vm
Vrr = (1 − cos 2πfs t rr) = 5.65 × 10−5 Vm
π
= 9.6 × 10−3 V o 8.88 × 10−3% de Vcd

Nota:
&M
FGFDUP
EF
trr
FT
TJHOJGJDBUJWP
QBSB
GVFOUFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
QBSB
FM
DBTP
EF
VOB

GVFOUF
OPSNBM
EF

)[
TV
FGFDUP
QVFEF
DPOTJEFSBSTF
JOTJHOJGJDBOUF

Puntos clave de la sección 3.13

r
6OB
GVFOUF
EF
BMJNFOUBDJÓO
QSÃDUJDB
UJFOF
VOB
SFBDUBODJB
EF
GVFOUF
&O
DPOTFDVFODJB
MB

USBOTGFSFODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
VO
EJPEP
B
PUSP
OP
QVFEF
TFS
JOTUBOUÃOFB
)BZ
VO
USBTMBQF

DPOPDJEP
DPNP
ÃOHVMP
EF
DPONVUBDJÓO
FM
DVBM
SFEVDF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
FGFDUJWP
EFM
SFD-
UJGJDBEPS
&M
FGFDUP
EFM
UJFNQP
JOWFSTP
EFM
EJPEP
QVFEF
TFS
TJHOJGJDBUJWP
QBSB
VOB
GVFOUF

EF
BMUB
GSFDVFODJB

3.14 CONSIDERACIONES PRÁCTICAS PARA SELECCIONAR INDUCTORES Y CAPACITORES

-PT
JOEVDUPSFT
FO
FM
MBEP
EF
TBMJEB
DPOEVDFO
DPSSJFOUF
EF
DE
6O
JOEVDUPS
EF
DE
P
CMPRVFBEPS


SFRVJFSF
NÃT
GMVKP
Z
NBUFSJBMFT
NBHOÊUJDPT
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
VO
JOEVDUPS
EF
DB
$PNP
SFTVM-
UBEP
VO
JOEVDUPS
EF
DE
FT
NÃT
DPTUPTP
Z
QFTB
NÃT

-PT
DBQBDJUPSFT
TF
VUJMJ[BO
FYUFOTBNFOUF
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
Z
BQMJDBDJPOFT
EF
GJM-
USBEP
EF
DB
GJMUSBEP
EF
DE
Z
BMNBDFOBNJFOUP
EF
FOFSHÎB
5BNCJÊO
TF
JODMVZFO
JMVNJOBDJÓO
QPS

EFTDBSHB
EF
BMUB
JOUFOTJEBE
)*%

BQMJDBDJPOFT
EF
BMUP
WPMUBKF
JOWFSTPSFT
DPOUSPM
EF
NPUPSFT

GPUPGMBTI
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QPUFODJB
QVMTBOUF
EF
BMUB
GSFDVFODJB
DBQBDJUPSFT
3'
NFNPSJB

GMBTI
Z
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
&YJTUFO
EPT
UJQPT
EF
DBQBDJUPSFT
UJQP
DB
Z
UJQP
DE
-PT
DBQBDJUPSFT

DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TF
DMBTJGJDBO
FO
DJODP
DBUFHPSÎBT
<>


DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
EF
DB



DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB


DBQBDJUPSFT
FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP


DBQBDJUPSFT
EF

UBOUBMJP
TÓMJEPT
Z


TVQFSDBQBDJUPSFT

3.14.1 Capacitores de película de ca

&TUF
UJQP
EF
DBQBDJUPSFT
FNQMFB
VOB
QFMÎDVMB
EF
QPMJQSPQJMFOP
NFUBMJ[BEB
RVF
QSPQPSDJPOB
VO

NFDBOJTNP
EF
BVUPSSFHFOFSBDJÓO
FO
FM
DVBM
VOB
SVQUVSB
EJFMÊDUSJDBiFWBQPSBu
MB
NFUBMJ[BDJÓO
Z

BÎTMB
FTB
ÃSFB
EFM
DBQBDJUPS
FO
NJDSPTFHVOEPT
-PT
DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
PGSFDFO
UPMFSBODJBT

EF
DBQBDJUBODJB
BKVTUBEBT
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
NVZ
CBKBT
Z
QFRVFÒPT
DBNCJPT
EF
DBQBDJUBODJB

DPO
MB
UFNQFSBUVSB
&TUPT
DBQBDJUPSFT
QSFTVNFO
EF
CBKBT
QÊSEJEBT
EPOEF
VO
GBDUPS
EF
EJTJQBDJÓO

NVZ
CBKP
Z
VOB
SFTJTUFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
&43

QFSNJUFO
VOB
EFOTJEBE
EF
DPSSJFOUF

SFMBUJWBNFOUF
BMUB

128 Capítulo 3 Diodos rectificadores

4PO
FTQFDJBMNFOUF
BEFDVBEPT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
DB
QPS
TV
DPNCJOBDJÓO
EF
BMUB
DBQB-
DJUBODJB
Z
CBKP
%'
RVF
QFSNJUF
BMUBT
DPSSJFOUFT
EF
DB
4JO
FNCBSHP
TPO
EF
EJNFOTJPOFT
Z
QFTP

SFMBUJWBNFOUF
HSBOEFT

-PT
DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QP-
UFODJB
JODMVZFOEP
QFSP
OP
MJNJUÃOEPTF
B
BDPQMBNJFOUP
EF
DE
GJMUSBEP
EF
DE
EF
TBMJEB
DPNP

iTOVCCFSTu
*(#5
Z
FO
DJSDVJUPT
EF
DPSSFDDJÓO
EF
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EPOEF
TVNJOJTUSBO
MB
QP-
UFODJB
SFBDUJWB
EF
BEFMBOUP
,7"3

QBSB
DPSSFHJS
MB
DPSSJFOUF
SFUSBTBEB
QSPWPDBEB
QPS
DBSHBT

JOEVDUJWBT
%POEF
TF
SFRVJFSFO
DPSSJFOUFT
SNT
Z
QJDP
NVZ
BMUBT
TF
VUJMJ[BO
FMFDUSPEPT
EF
IPKB

EF
BMVNJOJP

3.14.2 Capacitores de cerámica

&TUPT
DBQBDJUPSFT
IBO
MMFHBEP
B
TFS
DBQBDJUPSFT
EF
VTP
HFOFSBM
QSFEPNJOBOUFT
TPCSF
UPEP
FO

iDIJQTu
EF
UFDOPMPHÎB
EF
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
4.5

EPOEF
TV
CBKP
DPTUP
MPT
IBDF
BUSBDUJWPT

$PO
MB
FNFSHFODJB
EF
VOJEBEFT
NVMUJDBQB
EJFMÊDUSJDBT
NÃT
EFMHBEBT
DPO
WPMUBKFT
OPNJOBMFT
EF

NFOPT
EF

7
TF
EJTQPOF
EF
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
EF
DJFOUPT
EF
NJDSPGBSBET
&TUP
JOWBEF
MB

DBQBDJUBODJB
USBEJDJPOBM
BMUB
-PT
DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB
OP
TF
QPMBSJ[BO
QPS
MP
RVF
TF
QVFEFO

VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DB

3.14.3 Capacitores electrolíticos de aluminio

6O
DBQBDJUPS
FMFDUSPMÎUJDP
EF
BMVNJOJP
TF
DPNQPOF
EF
VO
FMFNFOUP
DBQBDJUPS
FOSPMMBEP
JNQSFH-
OBEP
DPO
FMFDUSPMJUP
MÎRVJEP
DPOFDUBEP
B
UFSNJOBMFT
Z
TFMMBEP
FO
VOB
MBUB
&TUPT
DBQBDJUPSFT

IBCJUVBMNFOUF
PGSFDFO
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
EF

μ'
B

'
Z
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
EFTEF

7
IBTUB


7
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

NPEFMB
FM
GVODJPOBNJFOUP
OPS-
NBM
EF
VO
DBQBDJUPS
FMFDUSPMÎUJDP
EF
BMVNJOJP
BTÎ
DPNP
TV
DPNQPSUBNJFOUP
EF
TPCSFWPMUBKF
Z

WPMUBKF
JOWFSTP

-B
DBQBDJUBODJB
$
FT
MB
DBQBDJUBODJB
FRVJWBMFOUF
Z
EFDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
GSFDVFODJB

-B
SFTJTUFODJB
Rs
FT
MB
SFTJTUFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
Z
EFDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
GSFDVFODJB
Z
MB

UFNQFSBUVSB
4F
JODSFNFOUB
DPO
FM
WPMUBKF
OPNJOBM
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
WBO
EF

NΩ
B

Ω
Z
Rs
FT

JOWFSTBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
B
MB
DBQBDJUBODJB
QBSB
VO
WPMUBKF
OPNJOBM
EBEP
-B
JOEVDUBODJB
Ls

FT
MB
JOEVDUBODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
Z
FT
SFMBUJWBNFOUF
JOEFQFOEJFOUF
UBOUP
EF
MB
GSFDVFODJB

DPNP
EF
MB
UFNQFSBUVSB
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
WBO
EF

O)
B

O)

Rp
FT
MB
SFTJTUFODJB
FO
QBSBMFMP
FRVJWBMFOUF
Z
FYQMJDB
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
FO
FM
DBQBDJUPS

%FDSFDF
BM
JODSFNFOUBSTF
MB
DBQBDJUBODJB
UFNQFSBUVSB
Z
WPMUBKF
Z
TF
JODSFNFOUB
NJFOUSBT
TF

BQMJDB
FM
WPMUBKF
-PT
WBMPSFT
UÎQJDPT
TPO
EFM
PSEFO
EF
C
.Ω
DPO
C
FO
μ'
QPS
FKFNQMP
VO

Ls Rs

Rp Dz C

FIGURA 3.27
$JSDVJUP
FRVJWBMFOUF
 Referencias 129

DBQBDJUPS
EF

μ'
UFOESÎB
VOB
Rp
EF
BQSPYJNBEBNFOUF

.Ω
&M
EJPEP
[FOFS
%
NPEFMB
FM

DPNQPSUBNJFOUP
EF
TPCSFWPMUBKF
Z
WPMUBKF
JOWFSTP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
VO
TPCSFWPMUBKF
EFM
PSEFO

EF

7
NÃT
BMMÃ
EF
MB
DBQBDJEBE
EF
QJDPT
EF
WPMUBKF
EFM
DBQBDJUPS
QSPWPDB
BMUB
DPSSJFOUF
EF
GVHB

3.14.4 Capacitores de tantalio sólido

"M
JHVBM
RVF
MPT
DBQBDJUPSFT
FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP
MPT
DBQBDJUPSFT
EF
UBOUBMJP
TÓMJEP
TPO
EJT-
QPTJUJWPT
QPMBSFT
WPMUBKF
JOWFSTP
NÃYJNP
EF

7

DPO
UFSNJOBMFT
QPTJUJWB
Z
OFHBUJWB
EJTUJOUBT
Z

TF
PGSFDFO
FO
VOB
WBSJFEBE
EF
FTUJMPT
-PT
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
UÎQJDPT
TPO
EF

μ'
B

μ'

Z
MPT
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
WBO
EFTEF

7
IBTUB

7
-BT
DPNCJOBDJPOFT
EF
DBQBDJUBODJBWPMUBKF

NÃYJNBT
UÎQJDBT
TPO
BQSPYJNBEBNFOUF
EF

μ'
B

7
QBSB
MPT
FTUJMPT
EF
DPOFYJÓO
BMÃNCSJDB

Z
EF

μ'
B

7
QBSB
MPT
FTUJMPT
EF
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM

3.14.5 Supercapacitores
-PT
TVQFSDBQBDJUPSFT
PGSFDFO
WBMPSFT
EF
DBQBDJUBODJB
FYUSFNBEBNFOUF
BMUPT
GBSBET

FO
VOB

BNQMJB
WBSJFEBE
EF
PQDJPOFT
EF
FODBQTVMBEP
RVF
TBUJTGBSÃO
FM
NPOUBKF
TVQFSGJDJBM
EF
CBKP
QFSGJM

B
USBWÊT
EF
PSJGJDJPT
Z
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
FOTBNCMF
EF
BMUB
EFOTJEBE
1PTFFO
DBQBDJEBEFT

JMJNJUBEBT
EF
DBSHB
Z
EFTDBSHB
OP
SFRVJFSFO
SFDJDMBKF
VOB
MBSHB
EVSBDJÓO
EF

BÒPT
CBKB
SFTJT-
UFODJB
FO
TFSJF
FRVJWBMFOUF
EVSBDJÓO
FYUFOEJEB
EF
MB
CBUFSÎB
IBTUB

WFDFT
Z
BMUPT
EFTFNQFÒPT

DPO
QSFDJPT
CBKPT
-B
DBQBDJUBODJB
PTDJMB
FOUSF

'
Z

'

Puntos clave de la sección 3.14

r
6O
JOEVDUPS
EF
DE
UJFOF
VO
DPTUP
NÃT
BMUP
Z
VO
QFTP
NBZPS
)BZ
EPT
UJQPT
EF
DBQBDJUPSFT

EF
DB
Z
DE
-PT
DBQBDJUPSFT
DPNFSDJBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
DJODP
DBU-
FHPSÎBT
B

DBQBDJUPSFT
EF
QFMÎDVMB
EF
DB
C

DBQBDJUPSFT
EF
DFSÃNJDB
D

DBQBDJUPSFT

FMFDUSPMÎUJDPT
EF
BMVNJOJP
E

DBQBDJUPSFT
EF
UBOUBMJP
TÓMJEPT
Z
F

TVQFSDBQBDJUPSFT

RESUMEN
)BZ
EJGFSFOUFT
UJQPT
EF
SFDUJGJDBEPSFT
TFHÙO
MBT
DPOFYJPOFT
EF
MPT
EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS

EF
FOUSBEB
-PT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT
FTUÃO
EFGJOJEPT
Z
TF
IB
EFNPT-
USBEP
RVF
TV
EFTFNQFÒP
WBSÎB
DPO
TVT
UJQPT
-PT
SFDUJGJDBEPSFT
HFOFSBO
BSNÓOJDPT
FO
MB
DBSHB
Z

FO
MB
MÎOFB
EF
BMJNFOUBDJÓO
FTUPT
BSNÓOJDPT
TF
QVFEFO
SFEVDJS
DPO
GJMUSPT
-BT
JOEVDUBODJBT
EF

MB
GVFOUF
Z
EF
MB
DBSHB
UBNCJÊO
JOGMVZFO
FO
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
SFDUJGJDBEPSFT

REFERENCIAS
[1]
4DIBFGFS
+


Rectifier Circuits-Theory and Design
/VFWB
:PSL
8JMFZ

4POT

[2]
-FF
38


Power Converter Handbook-Theory Design and Application. $BOBEJBO
(FOFSBM

&MFDUSJD
1FUFSCPSPVHI
0OUBSJP

[3]
-FF
:4
Z
.
)
-
$IPX


Power Electronics Handbook
FEJUBEP
QPS
.
)
3BTIJE
4BO

%JFHP
$"
"DBEFNJD
1SFTT
$BQÎUVMP


[4]
*&&&
4UBOEBSE



Practices and Requirements for General Purpose Thyristor Drives

1JTDBUBXBZ
/+

[5]
Capacitors for Power Electronics-Application Guides


$%.
$PSOFMM
%VCJMJFS
-JCFSUZ

$BSPMJOB
EFM
4VS
IUUQXXXDEFDPNDBUBMPH
BDDFTBEP
FO
OPWJFNCSF

130 Capítulo 3 Diodos rectificadores

PREGUNTAS DE REPASO

3.1
y2VÊ
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EF
VO
USBOTGPSNBEPS

3.2
y2VÊ
FT
VO
SFDUJGJDBEPS
y$VÃM
FT
MB
EJGFSFODJB
FOUSF
VO
SFDUJGJDBEPS
Z
VO
DPOWFSUJEPS


3.3
y2VÊ
FT
MB
DPOEJDJÓO
EF
CMPRVFP
EF
VO
EJPEP

3.4
y$VÃMFT
TPO
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EFTFNQFÒP
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.5
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
GPSNB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.6
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
SJ[P
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

3.7
y2VÊ
FT
MB
FGJDJFODJB
EF
SFDUJGJDBDJÓO


3.8
y$VÃM
FT
MB
JNQPSUBODJB
EFM
GBDUPS
EF
VUJMJ[BDJÓO
EF
VO
USBOTGPSNBEPS

3.9
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
EF
EFTQMB[BNJFOUP

3.10
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
EF
QPUFODJB
EF
FOUSBEB

3.11
y2VÊ
FT
FM
GBDUPS
BSNÓOJDP

3.12
y2VÊ
FT
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
DE
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB


3.13
y2VÊ
FT
MB
GSFDVFODJB
GVOEBNFOUBM
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP


EF
POEB
DPNQMFUB

3.14
y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TPCSF
VOP
NPOPGÃTJDP


3.15
y$VÃMFT
TPO
MBT
EFTWFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB


3.16
y$VÃMFT
TPO
MBT
WFOUBKBT
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TPCSF
VOP
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB

3.17
y$VÃMFT
TPO
MBT
GVODJPOFT
EF
MPT
GJMUSPT
FO
DJSDVJUPT
SFDUJGJDBEPSFT


3.18
y$VÃMFT
TPO
MBT
EJGFSFODJBT
FOUSF
GJMUSPT
EF
DB
Z
DE

3.19
y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
GVFOUF
FO
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

3.20
y$VÃMFT
TPO
MPT
FGFDUPT
EF
MBT
JOEVDUBODJBT
EF
DBSHB
FO
MB
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS


3.21
y2VÊ
FT
VOB
DPONVUBDJÓO
EF
EJPEPT

3.22
y2VÊ
FT
FM
ÃOHVMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
VO
SFDUJGJDBEPS

PROBLEMAS

3.1

&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB R
=

Ω
FM
WPMUBKF

EF
BMJNFOUBDJÓO
QJDP
Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
EF

TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
JOTJHOJGJDBOUF


3.2
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVJEB
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM

USBOTGPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.3
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω

FM
WPMUBKF
QJDP
EF
BMJNFOUBDJÓO
Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM

WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
JOTJHOJGJDBOUF


3.4
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVJEB
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM
USBOT-
GPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.5
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω
Z
TF
BMJ-
NFOUB
DPO
VOB
GVFOUF
EF

7

)[
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
EF
FOUSBEB

FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
%FUFSNJOF
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
QSPNFEJP
EFM
SFDUJGJDBEPS
TJ
MBT
JOEVDUBODJBT

EF
MB
GVFOUF
TPO
JOTJHOJGJDBOUFT


3.6
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

4J
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
GVFOUF
QPS
GBTF
JODMVZFOEP
MB
JOEVDUBODJB
EF
GVHB
EFM

USBOTGPSNBEPS

FT
Lc
=

N)


3.7
4F
SFRVJFSF
RVF
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
TVNJOJTUSF
VO
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF

VDE
=

7
B
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
EF
R
=

Ω
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
MPT

EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS


3.8
4F
SFRVJFSF
RVF
VO
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
TVNJOJTUSF
VO
WPMUBKF
QSPNFEJP
EF
VDE
=

7
DPO
VOB

DPSSJFOUF
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
IDE =

"
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DP-
OFDUBEPT
FO
:
%FUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EFM
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
EF
MPT
EJPEPT
Z
FM
USBOTGPSNBEPS

 Problemas 131

3.9
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
4J
FM
WPMUBKF
QJDP
EF
FOUSBEB
FT

Vm
=

7
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUBDJÓO
f
=

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
R
=

Ω
EFUFS-
NJOF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
MB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
B


EFM
WBMPS
QSPNFEJP
IDE


3.10
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
RL
4J
FM
WPMUBKF
QJDP
FO
FM

TFDVOEBSJP
QPS
GBTF
FT
Vm
=

7
B

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
EFUFSNJOF
MB

JOEVDUBODJB
EF
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MPT
BSNÓOJDPT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
B

EFM
WBMPS
QSPNFEJP

IDE


3.11
&M
WPMUBKF
EF
MB
CBUFSÎB
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
1
FT
E
=

7
Z
TV
DBQBDJEBE
FT
EF

8I

-B
DPSSJFOUF
EF
SFDBSHB
QSPNFEJP
EFCF
TFS
IDE
=

"
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
QSJNBSJP
FT
Vp
=


7

)[
Z
MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
h
=

$BMDVMF
(a)
FM
ÃOHVMP
EF
DPOEVDDJÓO

δ
EFM
EJPEP
(b)
MB
SFTJTUFODJB
R
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
(c)
MB
DBQBDJEBE
EF
QPUFODJB
PR
EF
R
(d)
&M

UJFNQP
EF
SFDBSHB
ho
FO
IPSBT
(e)
MB
FGJDJFODJB
EFM
SFDUJGJDBEPS
η
Z
(f)
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
QJDP
1*7


EFM
EJPEP

n:1 R D1

io

vp vs E

FIGURA P3.11

3.12
&M
WPMUBKF
EF
MB
CBUFSÎB
EF
MB
GJHVSB
1
FT
E
=

7
Z
TV
DBQBDJEBE
TPO

8I
-B
DPSSJFOUF
EF

SFDBSHB
QSPNFEJP
EFCF
TFS
IDE
=

"
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
QSJNBSJP
FT
Vp
=

7

)[
Z

MB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT
EFM
USBOTGPSNBEPS
FT
h
=

$BMDVMF
(a)
FM
ÃOHVMP
EF
DPOEVDDJÓO
δ
EFM
EJPEP

(b)
MB
SFTJTUFODJB
R
RVF
MJNJUB
MB
DPSSJFOUF
(c)
MB
DBQBDJEBE
EF
QPUFODJB
PR
EF
R;
(d)
FM
UJFNQP
EF

SFDBSHB
ho
FO
IPSBT
(e)
MB
FGJDJFODJB
EFM
SFDUJGJDBEPS
η
Z
(f)
FM
1*7
EFM
EJPEP


3.13
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
L
=

N)
3 =

Ω
Z
E
=


7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
FT
Vs
=

7
B

)[
(a)
%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF
FTUBCMF
B
USBWÊT
EF

MB
DBSHB
I
FO
ωt
=



MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID QSPN



MB
DPSSJFOUF
SNT
B
USBWÊT

EFM
EJPEP
ID SNT

Z


MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

(b)
6TF
14QJDF
QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB

DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
i0
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=
&
−

#7
=

7


3.14
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
L
=

N)
R
=

Ω
Z
E

=

7
&M
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
EF
MÎOFB
B
MÎOFB
FT
Vab
=

7

)[
(a)
%FUFSNJOF


MB
DPSSJFOUF

FTUBCMF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
Io
FO
Ωt
=
π


MB
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID QSPN




MB
DPSSJFOUF
SNT
B
USBWÊT
EFM
EJPEP
ID SNT

Z


MB
DPSSJFOUF
SNT
EF
TBMJEB
Io SNT

(b)
6TF
14QJDF

QBSB
USB[BS
MB
HSÃGJDB
EF
MB
DPSSJFOUF
JOTUBOUÃOFB
EF
TBMJEB
iO
4VQPOHB
MPT
QBSÃNFUSPT
EF
EJPEP
*4
=

&
−

#7
=

7


3.15
6OB
GVFOUF
EF

7

)[
BMJNFOUB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
-B
SFTJTUFODJB
EF

MB
DBSHB
FT
RL
=

Ω
(a)
%JTFÒF
VO
GJMUSP
$
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB

NFOPS
RVF

(b)
$PO
FM
WBMPS
EFM
DBQBDJUPS
Ce
EFM
JODJTP
B

DBMDVMF
FM
WPMUBKF
QSPNFEJP
B
USBWÊT

EF
MB
DBSHB
VDE

132 Capítulo 3 Diodos rectificadores

3.16
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

QBSB
FM
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
1

 vD 
is D1

  

vp vs  Vm sen t R vo

  
Diagrama del circuito

FIGURA P3.16

3.17
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
R

%FUFSNJOF
(a)
MB
FGJDJFODJB
(b)
FM
''
(c)
&M
3'
(d)
FM
56'
(e)
FM
1*7
EFM
EJPEP
(f)
FM
$'
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
(g)
FM
1'
EF
FOUSBEB
4VQPOHB
Vm
=

7


3.18
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
FTUÃ
DPOFDUBEP
B
VOB
GVFOUF
EF

)[

&YQSFTF
FM
WPMUBKF
JOTUBOUÃOFP
EF
TBMJEB
FO
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS


3.19
&M
WPMUBKF
SNT
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
FT
EF

7

)[
(a)
4J
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB

EF
DE
FT
VDE
=

7
DPO
IDE
=

"
EFUFSNJOF
MPT
WBMPSFT
EF
JOEVDUBODJB
Le
α
F
ISNT
(b)
4J
IDE
=


"
Z
Le
=

N)
VTF
MB
UBCMB

QBSB
DBMDVMBS
MPT
WBMPSFT
EF
VDE
α
β
F
ISNT


3.20
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
SFTJTUJWB
R
Z
B
USBWÊT
EF
FMMB
TF
DPOFDUB

VO
DBQBDJUPS
C
-B
DPSSJFOUF
QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
FT
IDE
4VQPOJFOEP
RVF
FM
UJFNQP
EF
SF-
DBSHB
EFM
DBQBDJUPS
FT
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEP
DPO
FM
UJFNQP
EF
EFTDBSHB
EFUFSNJOF
MPT
BSNÓOJDPT

EFM
WPMUBKF
SNT
EF
TBMJEB
VDB


3.21
&M
GJMUSP
LC
RVF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
D
TF
VUJMJ[B
QBSB
SFEVDJS
FM
DPOUFOJEP
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF

EF
TBMJEB
EF
VO
SFDUJGJDBEPS
EF
TFJT
GBTFT
FO
FTUSFMMB
-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
MB
JOEVD-
UBODJB
EF
MB
DBSHB
FT
L
=

N)
Z
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GSFDVFODJB
EF
MB
GVFOUF
FT
EF

)[
%FUFSNJOF
MPT
QBSÃNFUSPT

EF
GJMUSP
Le
Z
Ce
EF
NPEP
RVF
FM
GBDUPS
EF
SJ[P
EFM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
TFB



3.22
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

UJFOF
VOB
DBSHB
RL
Z
TF
BMJNFOUB
DPO
VOB
GVFOUF
DPOFDUBEB
FO

:
(a)
6TF
FM
NÊUPEP
EF
MB
TFSJF
EF
'PVSJFS
QBSB
PCUFOFS
FYQSFTJPOFT
QBSB
FM
WPMUBKF
EF
TBMJEB
vo t

Z
MB

DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
i0 t

(b)
4J
FM
WPMUBKF
EF
GBTF
QJDP
FT
Vm
=

7
B

)[
Z
MB
SFTJTUFODJB
EF

MB
DBSHB
FT
R
=

Ω
EFUFSNJOF
MB
JOEVDUBODJB
EF
MB
DBSHB
L
QBSB
MJNJUBS
MB
DPSSJFOUF
EF
SJ[P
B


EFM
WBMPS
QSPNFEJP
Icd.


3.23
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
NFEJB
POEB
EF
MB
GJHVSB
1
UJFOF
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z

VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
QSPNFEJP
MJCSF
EF
SJ[P
EF
Ia
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT

DPSSJFOUFT
FO
D
Dm
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP

 vD 

  D1  io 
R vR

vp vs  Vm sen t vo Dm 
L vL
   

Diagrama del circuito

FIGURA P3.23
 Problemas 133

DPNP
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJ-
GJDBEPS
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS


3.24
&M
SFDUJGJDBEPS
NPOPGÃTJDP
EF
POEB
DPNQMFUB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DPSSJFOUF
FO
MB
DBSHB
QSP-
NFEJP
MJCSF
EF
SJ[P
EF
Ia
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP

EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFS-
NJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
BM
SFDUJGJDBEPS
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF

WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS


3.25
&M
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
USFT
QVMTPT
Z
TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
Ia
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS

FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT

EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF

FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

FOUSBEB


3.26
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP

FO
:


3.27
&M
SFDUJGJDBEPS
QPMJGÃTJDP
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
TFJT
QVMTPT
Z
TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF

QSPNFEJP
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP
EF
Ia
&M
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP

FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF
WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT

GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
FO
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF

MB
DPSSJFOUF
FO
FM
QSJNBSJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB


3.28
&M
SFDUJGJDBEPS
USJGÃTJDP
EF
MB
GJHVSB

TVNJOJTUSB
VOB
DPSSJFOUF
B
USBWÊT
EF
MB
DBSHB
MJCSF
EF
SJ[BEP

EF
Ia
&M
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
:
4VQPOHB
VOB
SFMBDJÓO
EF

WVFMUBT

EFM
USBOTGPSNBEPS
(a)
5SBDF
MBT
GPSNBT
EF
POEB
EF
MBT
DPSSJFOUFT
FO
D
D
D
Z
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
GBTF
FO
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
(b)
FYQSFTF
MB
DPSSJFOUF
EF
GBTF
FO
FM
TFDVOEB-
SJP
DPNP
VOB
TFSJF
EF
'PVSJFS
Z
(c)
EFUFSNJOF
FM
1'
EF
FOUSBEB
Z
FM
)'
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB


3.29
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃ
DPOFDUBEP
FO
EFMUB
Z
FM
TFDVOEBSJP
FO

:


3.30
3FQJUB
FM
QSPCMFNB

TJ
FM
QSJNBSJP
Z
FM
TFDVOEBSJP
EFM
USBOTGPSNBEPS
FTUÃO
DPOFDUBEPT
FO
EFMUB


3.31
&M
SFDUJGJDBEPS
EF
EPDF
GBTFT
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
VOB
DBSHB
QVSBNFOUF
SFTJTUJWB
DPO

R
PINT
%FUFSNJOF
(a)
MB
FGJDJFODJB
(b)
FM
''
(c)
FM
3'
(d)
FM
GBDUPS
EF
56'
(e)
FM
1*7
EF
DBEB

EJPEP
Z
(f)
MB
DPSSJFOUF
QJDP
B
USBWÊT
EF
VO
EJPEP
TJ
FM
SFDUJGJDBEPS
TVNJOJTUSB
IDE
=

"
DPO
VO

WPMUBKF
EF
TBMJEB
EF
VDE
=

7


3.32
&M
SFDUJGJDBEPS
FO
FTUSFMMB
EF
MB
GJHVSB
B
UJFOF
q
=

Vm
=

7
Z
MB
GSFDVFODJB
EF
BMJNFOUB-
DJÓO
FT
f
=

)[
%FUFSNJOF
FM
WBMPS
SNT
EFM
BSNÓOJDP
EPNJOBOUF
Z
TV
GSFDVFODJB
 PARTE II Transistores de potencia y
convertidores de CD a CD
C A P Í T U L O 4

Transistores de potencia

Al concluir este capítulo los estudiantes deberán ser capaces de hacer lo siguiente

r
&OVNFSBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
JOUFSSVQUPS
EF
USBOTJTUPS
JEFBM


r
%FTDSJCJS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
EJGFSFOUFT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
DPNP

.04'&5T
$00-.04
#+5T
*(#5T
Z
4*5T

r
%FTDSJCJS
MBT
MJNJUBDJPOFT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
DPNP
JOUFSSVQUPSFT


r
%FTDSJCJS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
Z
MPT
NPEFMPT
EF
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB


r
%JTFÒBS
DJSDVJUPT
EF
QSPUFDDJÓO
di/dt
Z
dv/dt
QBSB
USBOTJTUPSFT


r
%FUFSNJOBS
DPOGJHVSBDJPOFT
QBSB
RVF
GVODJPOFO
USBOTJTUPSFT
FO
TFSJF
Z
FO
QBSBMFMP


r
%FTDSJCJS
MPT
NPEFMPT
41*$&
EF
.04'&5T
#+5T
F
*(#5T


r
%FUFSNJOBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
#+5T
.04'&5T

+'&5T
F
*(#5T


r
%FTDSJCJS
MBT
UÊDOJDBT
EF
BJTMBNJFOUP
FOUSF
FM
DJSDVJUP
EF
BMUP
OJWFM
EF
QPUFODJB
Z
FM
DJSDVJUP
EF

DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
EF
CBKP
OJWFM

Símbolos y su significado
Símbolo Significado
i; v $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
WBSJBCMFT
JOTUBOUÃOFPT
SFTQFDUJWBNFOUF
I; V $PSSJFOUF
Z
WPMUBKF
EF
DE
GJKPT
SFTQFDUJWBNFOUF
IG; ID; IS; IDS $PSSJFOUFT
EF
DPNQVFSUB
ESFOBKF
GVFOUF
Z
EF
ESFOBKF
TBUVSBEB
EF

.04'&5T
SFTQFDUJWBNFOUF
IB; IC; IE; ICS $PSSJFOUFT
EF
CBTF
DPMFDUPS
FNJTPS
Z
EF
DPMFDUPS
TBUVSBEB
EF
#+5T

SFTQFDUJWBNFOUF

VGS; VDS 7PMUBKFT
EF
DPNQVFSUBGVFOUF
Z
ESFOBKFGVFOUF
EF
.04'&5T

SFTQFDUJWBNFOUF
VBE; VCE 7PMUBKFT
EF
CBTFFNJTPS
Z
DPMFDUPSFNJTPS
EF
#+5T
SFTQFDUJWBNFOUF
IC; VGS; VCE $PSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
WPMUBKFT
EF
DPNQVFSUBGVFOUF
Z
DPMFDUPSFNJTPS
EF

*(#5T
SFTQFDUJWBNFOUF
TA; TC; TJ; TS 5FNQFSBUVSBT
BNCJFOUF
EF
DÃQTVMB
VOJÓO
Z
EJTJQBEPS
SFTQFDUJWBNFOUF
td; tr; tn; ts; tf; to 5JFNQP
EF
SFUSBTP
TVCJEB
FODFOEJEP
BMNBDFOBNJFOUP
DBÎEB
Z
BQBHBEP
EF

VO
USBOTJTUPS
EF
DPONVUBDJÓO
SFTQFDUJWBNFOUF

134
 4.1 Introducción 135

Símbolo Significado
βF (= hFE); αF (BOBODJB
EF
DPSSJFOUF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
Z
SFMBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
DPMFDUPS
FNJTPS
EF
#+5T
SFTQFDUJWBNFOUF
RC; RD; RG 3FTJTUFODJBT
EF
DPMFDUPS
ESFOBKF
Z
DPNQVFSUB
SFTQFDUJWBNFOUF

4.1 INTRODUCCIÓN
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
IBO
DPOUSPMBEP
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
-PT

USBOTJTUPSFT
RVF
TF
VUJMJ[BO
DPNP
FMFNFOUPT
EF
DPONVUBDJÓO
GVODJPOBO
FO
MB
SFHJÓO
EF
TB
UVSBDJÓO
MP
RVF
QSPWPDB
VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FODFOEJEP
-B

WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
NPEFSOPT
FT
NVDIP
NBZPS
RVF
MB
EF
MPT
UJSJTUPSFT

Z
UJFOFO
VO
BNQMJP
VTP
FO
DPOWFSUJEPSFT
EF
DE
B
DE
Z
EF
DE
B
DB
DPO
MPT
EJPEPT
DPOFDUBEPT
FO

QBSBMFMP
B
MB
JOWFSTB
QBSB
QSPQPSDJPOBS
VO
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
CJEJSFDDJPOBM
4JO
FNCBSHP
TVT

DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
TPO
NFOPSFT
RVF
MBT
EF
MPT
UJSJTUPSFT
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
Z
QPS

MP
DPNÙO
TF
VTBO
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
CBKB
B
NFEJBOB
QPUFODJB
$PO
FM
BWBODF
FO
MB
UFDOPMPHÎB

EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
MPT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
NFKPSBO
EF

GPSNB
DPOUJOVB
DPNP
TVDFEF
DPO
MPT
*(#5T
RVF
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
EF

BMUB
QPUFODJB
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
DMBTJGJDBS
FO
DJODP
DBUFHPSÎBT

1.
5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T

2.
$00-.04

3.
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
#+5T


4.
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB
*(#5T


5.
5SBOTJTUPSFT
FTUÃUJDPT
EF
JOEVDDJÓO
4*5T

-PT
.04'&5
$00-.04
#+5
*(#5
P
MPT
4*5
TF
QVFEFO
DPOTJEFSBS
DPNP
JO
UFSSVQUPSFT
JEFBMFT
QBSB
FYQMJDBS
MBT
UÊDOJDBT
EF
DPOWFSTJÓO
EF
QPUFODJB
6O
USBOTJTUPS
TF

QVFEF
VUJMJ[BS
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS
4JO
FNCBSHP
MB
FMFDDJÓO
FOUSF
VO
#+5
Z
VO
.04'&5

FO
MPT
DJSDVJUPT
DPOWFSUJEPSFT
OP
FT
PCWJB
QFSP
DBEB
VOP
EF
FMMPT
QVFEF
SFFNQMB[BS
B
VO

JOUFSSVQUPS
TJFNQSF
RVF
TVT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF
TBUJTGBHBO
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF

TBMJEB
EFM
DPOWFSUJEPS
-PT
USBOTJTUPSFT
QSÃDUJDPT
EJGJFSFO
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
JEFBMFT
-PT

USBOTJTUPSFT
UJFOFO
DJFSUBT
MJNJUBDJPOFT
Z
FTUÃO
SFTUSJOHJEPT
B
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
)BZ
RVF

FYBNJOBS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
Z
DBQBDJEBEFT
EF
DBEB
UJQP
QBSB
EFUFSNJOBS
TJ
TPO
BEFDVBEPT

QBSB
VOB
BQMJDBDJÓO
FO
QBSUJDVMBS

&M
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
FT
QBSUF
JOUFHSBM
EF
VO
DPOWFSUJEPS
EF
QPUFODJB
RVF
DPOTUB
EF

EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-B
TBMJEB
EF
VO
DPOWFSUJEPS
RVF
EFQFOEF
EF
MB
GPSNB

FO
RVF
FM
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
DPOUSPMB
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
FT
VOB
GVODJÓO
EJSFDUB

EF
MB
DPONVUBDJÓO
1PS
DPOTJHVJFOUF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
TPO
FMFNFOUPT

DMBWF
QBSB
MPHSBS
MB
TBMJEB
Z
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
DPOUSPM
EFTFBEPT
EF
DVBMRVJFS
DPOWFSUJEPS
EF

QPUFODJB
&M
EJTFÒP
EF
VO
DJSDVJUP
EF
DPNQVFSUB
SFRVJFSF
DPOPDFS
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MB
DPN
QVFSUB
Z
MBT
OFDFTJEBEFT
EF
EJTQPTJUJWPT
DPNP
UJSJTUPSFT
UJSJTUPSFT
EF
CMPRVFP
P
BQBHBEP
QPS

DPNQVFSUB
(50T

USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
USBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
TFNJDPO
EVDUPSFT
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
Z
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB

%BEP
RVF
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[B
DBEB
WF[
NÃT
FO
BQMJDBDJPOFT
RVF
SFRVJFSFO

DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
DPO
DPOUSPM
EF
BWBODF
BMUB
WFMPDJEBE
BMUB
FGJDJFO
DJB
Z
UBNBÒP
DPNQBDUP
IBZ
VOB
NBZPS
EJTQPOJCJMJEBE
EF
DJSDVJUPT
JOUFHSBEPT
*$

EF
DPOUSPM

EF
DPNQVFSUB
FO
FM
NFSDBEP

136 Capítulo 4 Transistores de potencia

TABLA 4.1 1SPQJFEBEFT
EFM
TJMJDJP
Z
EF
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(

1BSÃNFUSP
4J
(B"T )4J$ )4J$ $4J$ )(B/ %JBNBOUF

#BOEB
QSPIJCJEB
EF
FOFSHÎB
EH
F7



     
$BNQP
FMÊDUSJDP
DSÎUJDP
Ec


      

.7DN

7FMPDJEBE
EF
EFSJWB
EF
MPT
FMFDUSPOFT

×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7 
×
7

vsat
DNT

$POEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
      

λ
8DN,

4.2 TRANSISTORES DE CARBURO DE SILICIO

-PT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
TJMJDJP
TPO
MPT
FMFNFOUPT
DMBWF
QBSB
EFUFSNJOBS
MPT
UJQPT

EF
UPQPMPHÎB
EF
DPOWFSTJÓO
Z
FM
EFTFNQFÒP
EF
DPOWFSTJÓO
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
IBO

FWPMVDJPOBEP
BM
QBTP
EFM
UJFNQP
EFTEF
MPT
EJPEPT
EF
TJMJDJP
IBTUB
MPT
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
UJ
SJTUPSFT
.04'&5T
$00-.0T
F
*#(5T
-PT
*(#5
IBO
TJEP
MPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT
EFTFBCMFT
QPS

TVT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
DPONVUBDJÓO
TVQFSJPSFT
-PT
*(#5
EF
TJMJDJP
TF
VTBO
FO
BQMJDBDJPOFT

EF
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
DPO
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
EF
FOUSF

L7
Z

L7
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF

TJMJDJP
ZB
DBTJ
IBO
MMFHBEP
B
TVT
MÎNJUFT
EF
NPEP
RVF
VO
TBMUP
DVÃOUJDP
FO
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT

EJTQPTJUJWPT
SFRVJFSF
P
VO
NFKPS
NBUFSJBM
P
VOB
NFKPS
FTUSVDUVSB
EFM
EJTQPTJUJWP

-PT
NBUFSJBMFT
EF
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
CBOEB
QSPIJCJEB
NÃT
BODIB
8#(

DPNP
FM

DBSCVSP
EF
TJMJDJP
4J$

FM
OJUSVSP
EF
HBMJP
(B/

Z
FM
EJBNBOUF
QPTFFO
QSPQJFEBEFT
JOUSÎO
TFDBT
Z
MPT
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(
PGSFDFO
TÙQFS
EFTFNQFÒP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO

EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
FRVJWBMFOUFT
-B
UBCMB

NVFTUSB
MBT
QSPQJFEBEFT
DMBWF
EFM
TJMJDJP
Z
EF

MPT
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
8#(
<>
)
TF
SFGJFSF
B
MB
FTUSVDUVSB
DSJTUBMJOB
EFM
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
RVF
TF
VUJMJ[B
FO
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-PT
NBUFSJBMFT
TFNJDPOEVDUPSFT
TF

DBSBDUFSJ[BO
QPS
MBT
TJHVJFOUFT
QSPQJFEBEFT
EFTFBCMFT
<




>

r
-B
CBOEB
QSPIJCJEB
EF
FOFSHÎB
NÃT
BODIB
EB
QPS
SFTVMUBEP
DPSSJFOUFT
EF
GVHB
NÃT
CBKBT

Z
UFNQFSBUVSBT
EF
GVODJPOBNJFOUP
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
NÃT
BMUBT
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT
8#(

"EFNÃT
MB
EVSF[B
EF
SBEJBDJÓO
TF
NFKPSB


r
&M
DBNQP
FMÊDUSJDP
DSÎUJDP
NÃT
BMUP
TJHOJGJDB
RVF
MBT
DBQBT
EF
CMPRVF
EF
MPT
EJTQPTJUJWPT

8#(
QVFEFO
TFS
NÃT
EFMHBEBT
Z
DPO
DPODFOUSBDJPOFT
EF
EPQBEP
NÃT
BMUBT
MP
RVF
EB
QPS

SFTVMUBEP
ÓSEFOFT
EF
NBHOJUVE
CBKPT
EF
MPT
WBMPSFT
EF
SFTJTUFODJB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO

EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
FRVJWBMFOUFT


r
-B
WFMPDJEBE
EF
TBUVSBDJÓO
EF
FMFDUSPOFT
NÃT
BMUB
DPOEVDF
B
GSFDVFODJBT
EF
GVODJPOB
NJFOUP
NÃT
BMUBT


r
-B
DPOEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
NÃT
BMUB
QPS
FKFNQMP
EFM
4J$
Z
EFM
EJBNBOUF

NFKPSB
FM
FTQBS
DJNJFOUP
EFM
DBMPS
Z
QFSNJUF
VO
GVODJPOBNJFOUP
B
EFOTJEBEFT
EF
QPUFODJB
NÃT
BMUBT

6OB
EF
MBT
NBZPSFT
WFOUBKBT
RVF
FTUB
CBOEB
QSPIJCJEB
BODIB
DPOGJFSF
FT
FWJUBS
MB
SVQ
UVSB
FMÊDUSJDB
-PT
EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
QPS
FKFNQMP
OP
QVFEFO
TPQPSUBS
DBNQPT
FMÊDUSJDPT

EF
NÃT
EF

L7
QPS
DFOUÎNFUSP
$VBMRVJFS
DBNQP
NÃT
JOUFOTP
FNQVKBSÃ
MPT
FMFDUSPOFT
DPO
MB

TVGJDJFOUF
GVFS[B
QBSB
FYQVMTBSMPT
EF
MB
CBOEB
EF
WBMFODJB
"
TV
WF[
FTUPT
FMFDUSPOFT
MJCFSBEPT
TF

BDFMFSBSÃO
Z
DIPDBSÃO
DPO
PUSPT
FMFDUSPOFT
MP
RVF
DSFBSÃ
VOB
BWBMBODIB
RVF
QVFEF
IBDFS
RVF
MB

DPSSJFOUF
TF
JOUFOTJGJRVF
Z
BDBCF
QPS
EFTUSVJS
FM
NBUFSJBM
$PNP
MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
4J$
SFRVJF
SFO
NÃT
FOFSHÎB
QBSB
TFS
FNQVKBEPT
IBDJB
MB
CBOEB
EF
DPOEVDDJÓO
FM
NBUFSJBM
QVFEF
TPQPSUBS

DBNQPT
FMÊDUSJDPT
NVDIP
NÃT
JOUFOTPT
IBTUB
VO
NÃYJNP
EF

WFDFT
RVF
FM
TJMJDJP
1PS
DPOTJ
HVJFOUF
VO
EJTQPTJUJWP
B
CBTF
EF
4J$
QVFEF
UFOFS
MBT
NJTNBT
EJNFOTJPOFT
RVF
VOP
EF
TJMJDJP

 4.3 MOSFETs de potencia 137

QFSP
QVFEF
TPQPSUBS

WFDFT
FM
WPMUBKF
&M
FTQFTPS
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
4J$
QVFEF
TFS
EJF[

WFDFT
NFOPS
RVF
FM
EF
VO
EJTQPTJUJWP
EF
TJMJDJP
QFSP
TPQPSUB
FM
NJTNP
WPMUBKF
ZB
RVF
MB
EJ
GFSFODJB
EF
WPMUBKF
OP
UJFOF
RVF
FTQBSDJSTF
B
USBWÊT
EF
UBOUP
NBUFSJBM
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
NÃT

EFMHBEPT
TPO
NÃT
SÃQJEPT
Z
QPTFFO
NFOPT
SFTJTUFODJB
MP
RVF
TJHOJGJDB
NFOPT
FOFSHÎB
QFSEJEB
FO

GPSNB
EF
DBMPS
DVBOEP
VO
EJTQPTJUJWP
EF
QPUFODJB
EF
4J$
DPOEVDF
FMFDUSJDJEBE
<>

$VBOEP
*OGJOFPO
MBO[Ó
FM
EJPEP
4DIPUULZ
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
<>
GVF
FM
DPNJFO[P
EF
VOB

OVFWB
FSB
FO
EJTQPTJUJWPT
TFNJDPOEVDUPSFT
EF
QPUFODJB
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
DBSCVSP

EF
TJMJDJP
IB
QBTBEP
EF
TFS
VOB
GVUVSB
QSPNJTPSJB
UFDOPMPHÎB
B
TFS
VOB
QPUFOUF
BMUFSOBUJWB
EF

MB
UFDOPMPHÎB
EF
WBOHVBSEJB
EFM
TJMJDJP
4J

FO
BQMJDBDJPOFT
EF
BMUB
FGJDJFODJB
BMUB
GSFDVFODJB
Z

BMUB
UFNQFSBUVSB
<>
-B
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
4J$
PGSFDF
NVDIBT
WFOUBKBT
DPNP
DBQBDJEB
EFT
EF
WPMUBKF
NÃT
BMUBT
DBÎEBT
EF
WPMUBKF
NÃT
CBKBT
UFNQFSBUVSBT
NÃYJNBT
NÃT
BMUBT
Z
NBZPS

DPOEVDUJWJEBE
UÊSNJDB
-PT
USBOTJTUPSFT
EF
4J$
TPO
EJTQPTJUJWPT
VOJQPMBSFT
Z
QSÃDUJDBNFOUF
OP
IBZ

FGFDUPT
EJOÃNJDPT
BTPDJBEPT
DPO
MB
BDVNVMBDJÓO
P
FMJNJOBDJÓO
EF
DBSHBT
FYDFEFOUFT
"
NFEJEB

RVF
MB
UFDOPMPHÎB
EFM
4J$
BWBODF
TF
FTQFSB
RVF
MPT
DPTUPT
EF
QSPEVDDJÓO
EF
EJTQPTJUJWPT
EF

QPUFODJB
EF
4J$
TFBO
DPNQBSBCMFT
DPO
MPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
4J
"
QSJODJQJPT
EF
MB
EÊDBEB

EF

MBT
NFKPSBT
DPOUJOVBT
FO
MBT
PCMFBT
EF
DSJTUBM
TJNQMF
EF
4J$
IBO
QSPWPDBEP
BWBODFT
TJHOJ
GJDBUJWPT
IBDJB
FM
EFTBSSPMMP
EF
NBUFSJBMFT
EF
4J$
FQJUBYJBMFT
DPO
QPDPT
EFGFDUPT
Z
EJTQPTJUJWPT

EF
4J$
QBSB
BMUP
WPMUBKF
<
>
JODMVZFOEP
FM
EFTBSSPMMP
EF
VO
UJSJTUPS
(50
QBSB

L7
<>

.04'&5T
EF
4J$
QBSB

L7
<>
F
*(#5T
QBSB

L7
<>
-PT
TJHVJFOUFT
UJQPT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF

4J$
ZB
FTUÃO
EJTQPOJCMFT
P
FO
EFTBSSPMMP

5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
VOJÓO
+'&5T




5SBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
TJMJDJP
Z
ÓYJEP
NFUÃMJDP
.04'&5T




5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
VOJÓO
#+5T




5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
EF
DPNQVFSUB
BJTMBEB
*(#5T

4.3 MOSFETs DE POTENCIA

6O
.04'&5
EF
QPUFODJB
FT
VO
EJTQPTJUJWP
DPOUSPMBEP
QPS
WPMUBKF
Z
SFRVJFSF
TÓMP
VOB
QFRVFÒB

DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
-B
WFMPDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
FT
NVZ
BMUB
Z
MPT
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO

TPO
EFM
PSEFO
EF
OBOPFHVOEPT
-PT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[BO
DBEB
WF[
NÃT
FO
DPOWFS
UJEPSFT
EF
BMUB
GSFDVFODJB
Z
CBKB
QPUFODJB
-PT
.04'&5
OP
UJFOFO
MPT
QSPCMFNBT
EF
GFOÓNFOPT
EF

TFHVOEB
SVQUVSB
DPNP
MPT
#+5
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJFOFO
MPT
QSPCMFNBT
EF
EFTDBSHB

FMFDUSPTUÃUJDB
Z
SFRVJFSFO
VO
DVJEBEP
FTQFDJBM
FO
TV
NBOFKP
"EFNÃT
FT
SFMBUJWBNFOUF
EJGÎDJM

QSPUFHFSMPT
FO
DPOEJDJPOFT
EF
GBMMB
QPS
DPSUPDJSDVJUP

-PT
EPT
UJQPT
EF
.04'&5
TPO


.04'&5T
EF
BHPUBNJFOUP
Z


.04'&54
EF
FOSJ
RVFDJNJFOUP
<>
6O
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
EF
DBOBM
n
TF
GPSNB
TPCSF
VO
TVTUSBUP
EF

TJMJDJP
UJQP
p
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
DPO
EPT
TFDDJPOFT
EF
TJMJDJP
n+
GVFSUFNFOUF
EPQB
EBT
QBSB
MBT
DPOFYJPOFT
EF
CBKB
SFTJTUFODJB
-B
DPNQVFSUB
TF
BÎTMB
EFM
DBOBM
DPO
VOB
EFMHBEB

DBQB
EF
ÓYJEP
-BT
USFT
UFSNJOBMFT
TF
MMBNBO
compuerta
drenaje
Z
fuente
/PSNBMNFOUF
FM

TVTUSBUP
TF
DPOFDUB
B
MB
GVFOUF
&M
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
VGS
QPESÎB
TFS
VOB
EF
EPT

P
QPTJUJWP
P
OFHBUJWP
4J
VGS
FT
OFHBUJWP
BMHVOPT
EF
MPT
FMFDUSPOFT
FO
FM
ÃSFB
EFM
DBOBM
n
TF

SFQFMFO
Z
TF
DSFB
VOB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
Z
FM
SFTVMUBEP
FT
VO

DBOBM
FGFDUJWP
NÃT
BOHPTUP
Z
VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
RDS
4J
VGS
TF
IBDF
MP

CBTUBOUF
OFHBUJWP
FM
DBOBM
TF
BHPUB
QPS
DPNQMFUP
PGSFDF
VO
BMUP
WBMPS
EF
R DS
Z
OP
GMVZF

DPSSJFOUF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
IDS =

&M
WBMPS
EF
VGS
DVBOEP
FTUP
TVDFEF
TF
MMBNB
voltaje
de estrangulamiento Vp
1PS
PUSB
QBSUF
TJ
VGS
TF
WVFMWF
QPTJUJWP
FM
DBOBM
TF
FOTBODIB
F
IDS
TF

JODSFNFOUB
QPS
MB
SFEVDDJÓO
EF
R DS
$PO
VO
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
EF
DBOBM
p
MBT
QPMBSJ
EBEFT
EF
7DS
IDS
Z
VGS
TF
JOWJFSUFO
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C

138 Capítulo 4 Transistores de potencia

ID
Sustrato de metal
Drenaje (D) n RD
Compuerta sustrato
de metal (G) tipo p 
n ID
 VDD D
VGS Canal 
 RD
G
n
Fuente (S)  
Óxido VGS S VDD
ID 

Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
sustrato
G tipo n
p ID
 D
Canal 
VGS VDD
  RD
G
S p
 
VGS S VDD


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

FIGURA 4.1
.04'&5T
UJQP
BHPUBNJFOUP

6O
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
DBOBM
n
OP
UJFOF
VO
DBOBM
GÎTJDP
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
B
4J
VGS
FT
QPTJUJWP
VO
WPMUBKF
JOEVDJEP
BUSBF
FMFDUSPOFT
EFM
TVTUSBUP
p
Z
MPT

BDVNVMB
FO
MB
TVQFSGJDJF
EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
4J
VGS
FT
NBZPS
RVF
P
JHVBM
B
VO
WBMPS

DPOPDJEP
DPNP
voltaje de umbral VT
VO
OÙNFSP
TVGJDJFOUF
EF
FMFDUSPOFT
TF
BDVNVMBO
QBSB

GPSNBS
VO
DBOBM
n
WJSUVBM
DPNP
MP
JOEJDBO
MBT
MÎOFBT
TPNCSFBEBT
FO
MB
GJHVSB
B
Z
MB
DPSSJFOUF

GMVZF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
-BT
QPMBSJEBEFT
EF
VDS
IDS
Z
VGS
TF
JOWJFSUFO
FO
VO
.04'&5

UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
DBOBM
p
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO

.04'&5T
EF
QPUFODJB
EF
WBSJPT
UBNBÒPT

%FCJEP
B
RVF
VO
.04'&5
EF
BHPUBNJFOUP
QFSNBOFDF
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
B
WPMUBKF

EF
DPNQVFSUB
DFSP
NJFOUSBT
VO
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
QFSNBOFDF
FO
FTUBEP
BQBHBEP
B

WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
DFSP
QPS
MP
HFOFSBM
MPT
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
TF
VUJMJ[BO
DPNP

EJTQPTJUJWPT
EF
DPONVUBDJÓO
FO
MB
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
1BSB
SFEVDJS
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF

DPOEVDDJÓO
QPS
DPOUBS
DPO
VO
ÃSFB
EF
DPOEVDDJÓO
NÃT
HSBOEF
QPS
MP
DPNÙO
TF
VUJMJ[B
MB
FTUSVD
UVSB
UJQP
7
QBSB
.04'&5T
EF
QPUFODJB
&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO

.04'&5
EF
QPUFODJB
DPOPDJEP
DPNP
.04'&5
WFSUJDBM
7


$VBOEP
MB
DPNQVFSUB
UJFOF
VO
WPMUBKF
TVGJDJFOUFNFOUF
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB

GVFOUF
FM
FGFDUP
EF
TV
DBNQP
FMÊDUSJDP
KBMB
FMFDUSPOFT
EF
MB
DBQB
n+
IBDJB
MB
DBQB
p
&TUP

BCSF
FM
DBOBM
NÃT
DFSDBOP
B
MB
DPNQVFSUB
FM
DVBM
B
TV
WF[
QFSNJUF
RVF
GMVZB
DPSSJFOUF
EFM

ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
)BZ
VOB
DBQB
EJFMÊDUSJDB
EF
ÓYJEP
EF
TJMJDJP
4J0

FOUSF
FM
NFUBM
EF
MB

 4.3 MOSFETs de potencia 139

ID
Sustrato de metal
D n RD
Metal
G sustrato 
tipo p ID
 VDD D
VGS 
  R
D
G
n VDS
S
  
Óxido S VDD
ID VGS


Estructura básica Símbolo
(a) MOSFET tipo enriquecimiento de canal n

ID
Sustrato de metal

D p
RD
Metal
G Sustrato
tipo n D
 
VGS VDD  R
  D
G
S p VDS
  
Óxido S VDD
VGS


Estructura básica Símbolo
(b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

FIGURA 4.2
.04'&5T
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP

FIGURA 4.3
.04'&5T
EF
QPUFODJB

3FQSPEVDJEPT
DPO
QFSNJTP

EF
*OUFSOBUJPOBM
3FDUJGJFS

140 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta
Compuerta Fuente
Fuente S G

SiO2 n
n n p
p p
Rn Rch
Repi
epitaxia
n nepi

epitaxia n
nsub Rsub

Drenaje D
Drenaje
(a) Corte transversal de un MOSFET V (b) Resistencia en serie en estado de conducción
de un MOSFET V

FIGURA 4.4
$PSUF
USBOTWFSTBM
EF
.04'&5T
<3FG

(
%FCPZ>

DPNQVFSUB
Z
MB
VOJÓO
n+ Z
p
&M
.04'&5
FTUÃ
GVFSUFNFOUF
EPQBEP
EFM
MBEP
EFM
ESFOBKF

QBSB
DSFBS
VOB
DBQB
JOUFSNFEJB
n+ EFCBKP
EF
MB
DBQB
EF
EFSJWB
n
&TUB
DBQB
JOUFSNFEJB

JNQJEF
RVF
MB
DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
MMFHVF
BM
NFUBM
OJWFMB
FM
FTGVFS[P
EF
WPMUBKF
B
USBWÊT
EF

MB
DBQB
n
F
JODMVTP
SFEVDF
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
EVSBOUF
MB
DPOEVDDJÓO
-B

DBQB
JOUFSNFEJB
UBNCJÊO
IBDF
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
TFB
BTJNÊUSJDP
DPO
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
VO

UBOUP
CBKB

-PT
.04'&5
SFRVJFSFO
CBKB
FOFSHÎB
EF
DPNQVFSUB
Z
UJFOFO
VOB
NVZ
BMUB
WFMPDJEBE
EF

DPONVUBDJÓO
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
DPONVUBDJÓO
-B
SFTJTUFODJB
EF
FOUSBEB
FT
NVZ
BMUB


B
 Ω
1FSP
MPT
.04'&5
UJFOFO
MB
EFTWFOUBKB
EF
VOB
BMUB
SFTJTUFODJB
FO
TFOUJEP
EJSFDUP

FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
BMUBT
QÊSEJEBT
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
MP
RVF
MPT
IBDF
NFOPT
BUSBDUJWPT
DPNP
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
BVO
RVF
TPO
FYDFMFOUFT
DPNP
EJTQPTJUJWPT
BNQMJGJDBEPSFT
EF
DPNQVFSUB
QBSB
UJSJTUPSFT
WFB
FM

DBQÎUVMP



4.3.1 Características en estado estable

-PT
.04'&5
TPO
EJTQPTJUJWPT
DPOUSPMBEPT
QPS
WPMUBKF
Z
TV
JNQFEBODJB
EF
FOUSBEB
FT
NVZ
BMUB

-B
DPNQVFSUB
BCTPSCF
VOB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
NVZ
QFRVFÒB
EFM
PSEFO
EF
OBOPBNQFSFT
-B

HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
MB
DVBM
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
ID
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPN
QVFSUB
EF
FOUSBEB
IG
FT
UÎQJDBNFOUF
EFM
PSEFO
EF

4JO
FNCBSHP
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
OP

FT
VO
QBSÃNFUSP
JNQPSUBOUF
-B
transconductancia
MB
DVBM
FT
MB
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF

ESFOBKF
BM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
EFGJOF
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
Z
FT
VO
QBSÃNFUSP

NVZ
JNQPSUBOUF

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
.04'&5T
EF
DBOBM
n Z

DBOBM
p
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
MB
GJHVSB
C
QBSB
.04'&5T
EF
FOSJRVFDJ
NJFOUP
EF
DBOBM
n
TF
QVFEFO
VTBS
QBSB
EFUFSNJOBS
MB
DPSSJFOUF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
iD
DPNP
TJHVF
<>

 4.3 MOSFETs de potencia 141

Vp
iD VGS
0

Vp 0 iD
VGS
canal n canal p
(a) MOSFET tipo agotamiento

VT
iD VGS
0

0 VT iD
VGS
canal n canal p
(b) MOSFET tipo enriquecimiento

FIGURA 4.5
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
EF
.04'&5T

iD = Kn 1vGS − VT 2 2 para vGS > VT y vDS ≥ 1 vGS − VT 2


EPOEF
Kn
FT
MB
DPOTUBOUF
.04
"7
vGS
FT
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
V
VT
FT
FM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
V

-B
GJHVSB

NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
VO
.04'&5
EF
FOSJRVFDJNJFOUP
EF

DBOBM
n
)BZ
USFT
SFHJPOFT
EF
PQFSBDJÓO


SFHJÓO
EF
DPSUF
EPOEF
VGS ≤ VT 


SFHJÓO
EF
FTUSBO
HVMBNJFOUP
P
EF
TBUVSBDJÓO
EPOEF
VDS ≥ VGS − VT
Z


SFHJÓO
MJOFBM
EPOEF
VDS ≤ VGS − VT
&M

FTUSBOHVMBNJFOUP
PDVSSF
DVBOEP
VDS = VGS − VT
&O
MB
SFHJÓO
MJOFBM
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
ID

Región de estrangulamiento
Región o región de saturación
ID lineal
VGS4 VGS3 VGS2 VGS1 VT
VDD
VGS4
RD
ID VGS3

VDS  VGS  VT
VGS2

VGS1
FIGURA 4.6
VGS  VT
0 VDS $BSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
EF
VO
.04'&5

VDS VDD UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP

142 Capítulo 4 Transistores de potencia

WBSÎB
FO
QSPQPSDJÓO
BM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
VDS 
1PS
MB
BMUB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
Z

FM
CBKP
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
MPT
.04'&5T
EF
QPUFODJB
TF
VUJMJ[BO
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
QBSB

BDDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
QFSNBOFDF

DBTJ
DPOTUBOUF
QBSB
DVBMRVJFS
JODSFNFOUP
EFM
WBMPS
EF
VDS
Z
MPT
USBOTJTUPSFT
TF
VUJMJ[BO
FO

FTUB
SFHJÓO
QBSB
BNQMJGJDBDJÓO
EF
WPMUBKF
0CTFSWFNPT
RVF
TBUVSBDJÓO
UJFOF
FM
TJHOJGJDBEP

PQVFTUP
BM
EF
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT
&O
MB
SFHJÓO
MJOFBM
V
ÓINJDB
FM
vDS
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF

FT
CBKP
Z
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
iD − vDS
RVF
BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB

TF
QVFEF
EFTDSJCJS
NFEJBOUF
MB

TJHVJFOUF
SFMBDJÓO

iD = Kn 3 21 vGS − VT 2 vDS − v2DS 4 para vGS > VT y 0 < vDS < 1 vGS − VT 2


MB
DVBM
DPO
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
vDS (<<VT

TF
BQSPYJNB
B

iD = Kn 21 vGS − VT 2 vDS


-B
MÎOFB
EF
DBSHB
EF
VO
.04'&5
DPO
VOB
SFTJTUFODJB
EF
DBSHB
RD
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

B
TF
QVFEF
EFTDSJCJS
QPS

VDD − vDS
iD =


RD

EPOEF
iD = VDD/RD
DPO
vDS =

Z
vDS = VDD
DPO
iD =


1BSB
NBOUFOFS
CBKP
FM
WBMPS
EF
VDS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
VGS
EFCF
TFS
NÃT

BMUP
QBSB
RVF
FM
USBOTJTUPS
PQFSF
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
FO
FTUBEP
QFSNBOFOUF
FM
DVBM
FT
FM

NJTNP
UBOUP
QBSB
.04'&5T
UJQP
BHPUBNJFOUP
DPNP
QBSB
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
RD
FT
MB
SF
TJTUFODJB
EF
DBSHB
4F
DPOFDUB
VOB
SFTJTUFODJB
HSBOEF
RG
FO
FM
PSEFO
EF
NFHPINT
FOUSF
MB

DPNQVFSUB
Z
MB
GVFOUF
QBSB
FTUBCMFDFS
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
VO
OJWFM
EFGJOJEP
RS (<<RG)
MJNJUB
MBT
DPSSJFOUFT
EF
DBSHB
NFEJBOUF
MBT
DBQBDJUBODJBT
JOUFSOBT
EFM
.04'&5
-B
USBOTDPO
EVDUBODJB
gm
TF
EFGJOF
DPNP

∆ID
gm = `


∆VGS VDS = constante

ID
RD
RD
RS G D
ID
   
D VDD VDD
  r0  
RDS
RS G VG RG VGS gmVGS
VDS
 
VG VGS RG S 
    S
(a) Diagrama del circuito (b) Circuito equivalente

FIGURA 4.7
.PEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
FO
FTUBEP
QFSNBOFOUF
EF
.04'&5T
 4.3 MOSFETs de potencia 143

-B
HBOBODJB
EF
USBOTDPOEVDUBODJB
gm
TF
EFUFSNJOB
DPO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


FO
FM
QVOUP

EF
PQFSBDJÓO
FO
vGS = VGS
F
iD = ID
DPNP

= 2KnVDS 0 VDS =constante (región lineal)

diD
gm =
dvGS
= 2Kn 1 VGS − VT 2 0 VDS =constante (región de saturación)


1PS
DPOTJHVJFOUF
gm
EFQFOEF
EF
VGS
FO
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
FO
UBOUP
RVF
QFSNBOFDF
DBTJ

DPOTUBOUF
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
6O
.04'&5
QVFEF
BNQMJGJDBS
VOB
TFÒBM
EF
WPMUBKF
FO
MB
SFHJÓO

EF
TBUVSBDJÓO

-B
SFTJTUFODJB
EF
TBMJEB
ro = RDS
MB
DVBM
TF
EFGJOF
DPNP

∆VDS
RDS =


∆ID
QPS
MP
DPNÙO
FT
NVZ
BMUB
FO
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
UÎQJDBNFOUF
FO
FM
PSEFO
EF
NFHP
INT
Z
FT
NVZ
QFRVFÒB
FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
FO
QBSUJDVMBS
FO
FM
PSEFO
EF
NJMJPINT
1BSB
VO
WBMPS

QFRVFÒP
EF
vDS (<<VT

FO
MB
SFHJÓO
MJOFBM
V
ÓINJDB
MB
FDVBDJÓO


EB
MB
SFTJTUFODJB
EF
ESF
OBKF
B
GVFOUF
RDS
DPNP

vDS 1
RDS = = para vGS > VT

Kn 2 1 vGS − VT 2


iD

1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
RDS
EFM
JOUFSSVQUPS
.04'&5
TF
SF
EVDF
BM
JODSFNFOUBS
FM
WPMUBKF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
vGS

1BSB
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
P
FOUSBEB

QPESÎB
TFS
P

QPTJUJWP
P
OFHBUJWP
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
SFTQPOEFO
TÓMP
B
VO
WPM
UBKF
EF
DPNQVFSUB
QPTJUJWP
1PS
MP
HFOFSBM
MPT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TPO
EFM
UJQP
EF
FOSJRVFDJ
NJFOUP
4JO
FNCBSHP
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
PGSFDFO
WFOUBKBT
Z
TJNQMJGJDBO
FM
EJTFÒP

MÓHJDP
FO
BMHVOBT
BQMJDBDJPOFT
RVF
SFRVJFSFO
BMHVOB
GPSNB
EF
JOUFSSVQUPS
MÓHJDP
DPNQBUJCMF

DPO
DE
P
DB
RVF
QFSNBOF[DB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
P
FODFOEJEP
DVBOEP
MB
GVFOUF
MÓHJDB
DBF

Z
FM
7GS
TF
WVFMWF
DFSP
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
MPT
.04'&5
UJQP
BHPUBNJFOUP
OP
TF
BOBMJ[BO

NÃT
B
GPOEP

4.3.2 Características de conmutación

4JO
TFÒBM
EF
DPNQVFSUB
FM
.04'&5
UJQP
FOSJRVFDJNJFOUP
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
DPNP
EPT

EJPEPT
DPOFDUBEPT
FTQBMEB
DPO
FTQBMEB
EJPEPT
np
Z
pn
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B

P

DPNP
VO
USBOTJTUPS
NPN
-B
FTUSVDUVSB
EF
MB
DPNQVFSUB
PGSFDF
DBQBDJUBODJBT
QBSÃTJUBT
B
MB

GVFOUF
Cgs
Z
BM
ESFOBKF
Cgd 
&M
USBOTJTUPS
NPN
UJFOF
VOB
VOJÓO
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB
EFM

ESFOBKF
B
MB
GVFOUF
Z
PGSFDF
VOB
DBQBDJUBODJB
C ds
-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJ
WBMFOUF
EF
VO
USBOTJTUPS
CJQPMBS
QBSÃTJUP
FO
QBSBMFMP
DPO
VO
.04'&5
-B
SFHJÓO
EF
CBTF
B

FNJTPS
EF
VO
USBOTJTUPS
NPN TF
QPOF
FO
DPSUP
FO
FM
NJDSPDJSDVJUP
BM
NFUBMJ[BS
MB
UFSNJOBM

GVFOUF
Z
MB
SFTJTUFODJB
EFTEF
MB
CBTF
BM
FNJTPS
EFCJEP
B
MB
SFTJTUFODJB
NBTJWB
EF
MBT
SFHJPOFT

n
Z
p
Rbe
FT
QFRVFÒB
1PS
DPOTJHVJFOUF
TF
QVFEF
DPOTJEFSBS
RVF
VO
.04'&5
UJFOF
VO

EJPEP
JOUFSOP
Z
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-BT
DBQBDJUBODJBT
QBSÃTJ
UBT
EFQFOEFO
EF
TVT
WPMUBKFT
SFTQFDUJWPT

"M
EJPEP
JOUFSOP
JOUFHSBEP
B
NFOVEP
TF
MF
MMBNB
diodo de cuerpo
-B
WFMPDJEBE
EF
DPONV
UBDJÓO
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
FT
NVDIP
NÃT
MFOUB
RVF
MB
EFM
.04'&5
1PS
DPOTJHVJFOUF
VO
/.04

TFNJDPOEVDUPS
EF
ÓYJEP
NFUÃMJDP
EF
DBOBM
n

TF
DPNQPSUBSÃ
DPNP
VO
EJTQPTJUJWP
OP
DPOUSP
MBEP
&M
SFTVMUBEP
FT
RVF
VOB
DPSSJFOUF
QVFEF
GMVJS
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
TJ
MBT
DPOEJDJPOFT

144 Capítulo 4 Transistores de potencia

D D
ID ID

D2
Cgd Cds Cgd D

Cds Db D1
G G
Rbe G
Cgs Cgs
S

S S
(a) Bipolar parásito (b) Diodo interno (c) MOSFET con diodos externos

FIGURA 4.8
.PEFMP
QBSÃTJUP
EF
FOSJRVFDJNJFOUP
EF
.04'&5T

EFM
DJSDVJUP
QSFWBMFDFO
QBSB
VOB
DPSSJFOUF
OFHBUJWB
&TUP
FT
DJFSUP
TJ
FM
/.04
FTUÃ
DPONV
UBOEP
QPUFODJB
B
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
Z
FM
/.04
BDUVBSÃ
DPNP
VO
EJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
MJCSF
Z

QSPQPSDJPOBSÃ
VOB
USBZFDUPSJB
QBSB
RVF
MB
DPSSJFOUF
GMVZB
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
&M
/.04
TF

DPNQPSUBSÃ
DPNP
VO
EJTQPTJUJWP
OP
DPOUSPMBEP
FO
MB
EJSFDDJÓO
JOWFSTB
-B
IPKB
EF
EBUPT
EF
VO

/.04
OPSNBMNFOUF
FTQFDJGJDBSÎB
MB
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
EFM
EJPEP
QBSÃTJUP

4J
TF
QFSNJUF
RVF
FM
EJPEP
EF
DVFSQP
Db
DPOEV[DB
FOUPODFT
QVFEF
PDVSSJS
VOB
DPSSJFOUF

QJDP
BMUB
EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EF
CMPRVF
P
BQBHBEP
EFM
EJPEP
-B
NBZPSÎB
EF
MPT
.04'&5
OP

UJFOFO
MB
DBQBDJEBE
EF
NBOFKBS
FTUBT
DPSSJFOUFT
Z
FM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
GBMMBS
1BSB
FWJUBS
FTUB
TJ
UVBDJÓO
TF
QVFEF
BHSFHBS
EJPEPT
FYUFSOPT
D
FO
TFSJF
Z
D
BOUJQBSBMFMP
DPNP
FO
MB
GJHVSB
D

-PT
.04'&5
EF
QPUFODJB
TF
QVFEFO
EJTFÒBS
QBSB
RVF
UFOHBO
VO
EJPEP
EF
DVFSQP
JOUFHSBEP

EF
SFDVQFSBDJÓO
SÃQJEB
Z
QBSB
RVF
PQFSFO
DPOGJBCMFNFOUF
DVBOEP
TF
QFSNJUB
RVF
FM
EJPEP
EF

DVFSQP
DPOEV[DB
B
MB
DPSSJFOUF
OPNJOBM
EF
.04'&5
4JO
FNCBSHP
MB
WFMPDJEBE
EF
DPONVUB
DJÓO
EF
MPT
EJPEPT
EF
DVFSQP
TJHVF
TJFOEP
VO
UBOUP
MFOUB
Z
QVFEF
IBCFS
VOB
QÊSEJEB
EF
DPO
NVUBDJÓO
JNQPSUBOUF
EFCJEP
B
MB
DBSHB
BMNBDFOBEB
FO
FM
EJPEP
&M
EJTFÒBEPS
EFCF
WFSJGJDBS
MBT

DBQBDJEBEFT
Z
MB
WFMPDJEBE
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
QBSB
NBOFKBS
MPT
SFRVFSJNJFOUPT
EF
PQFSBDJÓO

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
.04'&5T
DPO
DBQBDJUBODJBT
QBSÃ
TJUBT
-BT
GPSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
DPNVOFT
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB


&M
tiempo de retraso de encendido o conducción td PO

FT
FM
UJFNQP
RVF
TF
SFRVJFSF
QBSB
DBSHBS

MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
BM
OJWFM
EFM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
&M
tiempo de subida tr
FT
FM
UJFNQP

EF
DBSHB
EF
DPNQVFSUB
EFM
OJWFM
EF
VNCSBM
BM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
DPNQMFUP
VGSP
FM
DVBM
TF

SFRVJFSF
QBSB
MMFWBS
FM
USBOTJTUPS
B
MB
SFHJÓO
MJOFBM
&M
tiempo de retraso de apagado o bloqueo
td PGG

FT
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
RVF
MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
TF
EFTDBSHVF
EFM
TPCSFWPMUBKF

EF
DPNQVFSUB
V
B
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
VGs
EFCF
EJTNJOVJS
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB

BOUFT
EF
RVF
VDS
DPNJFODF
B
TVCJS
&M
tiempo de caída tf
FT
FM
UJFNQP
SFRVFSJEP
QBSB
RVF
MB

DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
TF
EFTDBSHVF
EF
MB
SFHJÓO
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
BM
WPMUBKF
EF
VNCSBM
4J

VGS ≤ VT
FM
USBOTJTUPS
TF
BQBHB

G D
⫹ Cgd

vgs Cgs Cds rds gmvgs

⫺
FIGURA 4.9
S .PEFMP
EF
DPONVUBDJÓO
EF
.04'&5T

 4.3 MOSFETs de potencia 145

VG
V1

0 t
VGS
VG
0.9 VGS
VT
0 t
tr tn tf
td(on) td(off)
ID
0.9 ID FIGURA 4.10
t 'PSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO

4.3.3 MOSFETs DE CARBURO DE SILICIO

-B
DPNQVFSUBGVFOUF
EF
VO
+'&5
TF
DPNQPSUB
DPNP
VOB
VOJÓO
pn
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB

6O
+'&5
SFRVJFSF
VOB
DBOUJEBE
GJOJUB
EF
DPSSJFOUF
EF
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
-B
DPNQVFSUB
GVFOUF
EF
VO
.04'&5
FTUÃ
BJTMBEB
F
JEFBMNFOUF
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
DFSP
EF
DPOUSPM

EF
DPNQVFSUB
&M
DPNQPSUBNJFOUP
OPSNBM
EF
CMPRVFP
P
BQBHBEP
EFM
.04'&5
EF
4J$
MP
IBDF

BUSBDUJWP
QBSB
MPT
EJTFÒBEPSFT
EF
DPOWFSUJEPSFT
FMFDUSÓOJDPT
EF
QPUFODJB
-PT
.04'&5
EF
BMUP

WPMUBKF
TVGSFO
EPT
MJNJUBDJPOFT
JNQPSUBOUFT


MBT
CBKBT
NPWJMJEBEFT
EFM
DBOBM
RVF
PDBTJP
OBO
VOB
SFTJTUFODJB
BEJDJPOBM
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFM
EJTQPTJUJWP
Z
QPS
DPOTJHVJFOUF

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
JODSFNFOUBEBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z


MB
GBMUB
EF
GJBCJMJEBE
Z

MB
JOFTUBCJMJEBE
EF
MB
DBQB
EF
ÓYJEP
EF
MB
DPNQVFSUB
TPCSF
EVSBOUF
MBSHPT
QFSJPEPT
Z
B
UFN
QFSBUVSBT
FMFWBEBT
-BT
OPSNBT
EF
GBCSJDBDJÓO
UBNCJÊO
DPOUSJCVZFO
B
MB
EFTBDFMFSBDJÓO
EFM

EFTBSSPMMP
EF
.04'&5T
EF
4J$

-B
UFDOPMPHÎB
EF
4J$
IB
FYQFSJNFOUBEP
BWBODFT
TJHOJGJDBUJWPT
RVF
BIPSB
QFSNJUFO
GB
CSJDBS
.04'&5T
DBQBDFT
EF
TVQFSBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
TVT
QSJNPT
*(#5T
EF
4J
FO
QBSUJDVMBS

B
BMUB
QPUFODJB
Z
BMUBT
UFNQFSBUVSBT
<>
-B
OVFWB
HFOFSBDJÓO
EF
.04'&5T
EF
4J$
SFEVDF

FM
FTQFTPS
EF
MB
DBQB
EF
EFSJWB
QPS
DBTJ
VO
GBDUPS
EF

BM
NJTNP
UJFNQP
RVF
QFSNJUF
RVF
FM

GBDUPS
EF
EPQBEP
TF
JODSFNFOUF
FO
DBTJ
FM
NJTNP
PSEFO
EF
NBHOJUVE
&M
FGFDUP
UPUBM
SFEVDF
MB

SFTJTUFODJB
B
MB
EFSJWB
B

EF
TV
.04'&5
EF
4J
FRVJWBMFOUF
-PT
.04'&5
EF
4J$
PGSFDFO

WFOUBKBT
TJHOJGJDBUJWBT
TPCSF
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
TJMJDJP
RVF
QFSNJUFO
VOB
FGJDJFODJB
TJO
QSFDFEFO
UFT
EFM
TJTUFNB
ZP
UBNBÒP
QFTP
Z
DPTUP
SFEVDJEPT
QPS
TV
GVODJPOBNJFOUP
B
BMUB
GSFDVFODJB
-BT

SFTJTUFODJBT
UÎQJDBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
.04'&5T
EF
4J$
EF

L7
DPO
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
EF

"
TF
FODVFOUSBO
FO
FM
SBOHP
EF

B

NΩ
<

>

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VOB
FTUSVDUVSB
EF
.04'&5
EF
4J$
UÎQJDB

<>
1PS
MP
DPNÙO
FM
EJTQPTJUJWP
EFCF
FTUBS
BQBHBEP
P
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP
EFCJEP
B
MB
VOJÓO

pn
JOWFSUJEB
FOUSF
MB
EFSJWB
n
Z
MB
QBSFE
p
6O
WPMUBKF
EF
VNCSBM
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QPTJ
UJWP
EFCF
QFSNJUJS
RVF
FM
EJTQPTJUJWP
SPNQB
MB
VOJÓO
pn
Z
FM
EJTQPTJUJWP
EFCF
DPOEVDJS
&M
DPSUF

USBOTWFSTBM
EF
VOB
DFMEB
EF
VO
%.04'&5
EF
4J$
)
EF

"

L7
FM
DVBM
FT
TJNJMBS
BM
EF
MB

GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
<>
-BT
FTUSVDUVSBT
HFOFSBMFT
EF
MPT
.04'&5
EF

MBT
GJHVSBT
B
Z
C
TPO
MBT
NJTNBT
4JO
FNCBSHP
MBT
EJNFOTJPOFT
Z
MBT
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT

DBQBT
n+
Z
p+ EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
.04'&5
DPNP
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z

DPSSJFOUF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
USBOTJTUPS
QBSÃTJUP
/1/
MPT
EJPEPT
MBT
SFTJTUFODJBT
EF

EFSJWB
Z
FM
+'&5
EFOUSP
EF
MPT
.04'&5
<>

$SFF
UBNCJÊO
IB
GBCSJDBEP
NJDSPDJSDVJUPT
EF
.04'&5
EF
4J$
EF

"
Z

L7
DPNP

QBSUF
EF
VO
NÓEVMP
EF
NFEJP
QVFOUF
EF

"
$VBOEP
TF
DPNQBSBO
DPO
FM
*(#5
EF
BMUB

146 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta Compuerta
Fuente Fuente Fuente Fuente

n+ Capa de óxido n+ n+ Capa de óxido n+

pared p pared p pared p pared p

–
deriva n
14
deriva n−: 6 × 10 cm3, 120, m

sustrato n+ sustrato n+

Drenaje Drenaje
(a) MOSFET de SiC [43] (b) D MOSFET de SiC 4H de 10 A, 10 kV [48]

FIGURA 4.11
$PSUF
USBOTWFSTBM
EF
VOB
DFMEB
EF
VO
%
.04'&5
EF
4J$
)
EF

"

L7

Compuerta
Fuente Fuente
Cubierta de compuerta
n+ R n+
B
Cuerpo p JFET Cuerpo p
BJT
parásito
Rderiva

Drenaje n−

sustrato n+
FIGURA 4.12
%JTQPTJUJWPT
QBSÃTJUPT
EF
VO
.04'&5
EF
DBOBM
n <> Drenaje

UFDOPMPHÎB
EF
4J
EF

L7
MPT
.04'&5T
EF
4J$
EF

L7
PGSFDFO
VO
NFKPS
EFTFNQFÒP
-PT

.04'&5
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
QVFEFO
EFTBGJBS
B
MPT
*(#5
Z
TFS
MB
NFKPS
PQDJÓO
FO
MB
FMFDDJÓO

EF
EJTQPTJUJWPT
FO
FMFDUSÓOJDB
EF
QPUFODJB
EF
BMUP
WPMUBKF
-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOT
WFSTBM
EF
VO
%.04'&5
EF
DPNQVFSUB
FO
7
<>

Fuente Substrato Fuente

Compuerta
Compuerta

n+ n+ n+ n+
6H tipo p

Deriva de drenaje n−

Sustrato de SiC 6H n+

FIGURA 4.13
4FDDJÓO
USBOTWFSTBM
EF
VO
.04'&5
)
EF
4J$

EF
QPUFODJB
<>
Drenaje
 4.4 COOLMOS 147

&M
EJTQPTJUJWP
TVFMF
FTUBS
BQBHBEP
-B
BQMJDBDJÓO
EF
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QPTJUJWP

FNQPCSFDF
MB
DBQB
UJQP
p
Z
FOSJRVFDF
FM
DBOBM
n
-B
TVQSFTJÓO
EFM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF

BQBHB
MPT
EJTQPTJUJWPT
-B
FTUSVDUVSB
EF
DPNQVFSUB
FO
GPSNB
EF
7
QSPWPDB
VO
FODFOEJEP
Z
BQB
HBEP
NÃT
SÃQJEPT

4.4 COOLMOS
$00-.04
<>
FT
VOB
OVFWB
UFDOPMPHÎB
QBSB
.04'&5T
EF
QPUFODJB
EF
BMUP
WPMUBKF
RVF

JNQMFNFOUB
VOB
FTUSVDUVSB
EF
DPNQFOTBDJÓO
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
WFSUJDBM
EF
VO
.04'&5

QBSB
NFKPSBS
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
5JFOF
VOB
NFOPS
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO
DPO
FM
NJTNP
FODBQTVMBEP
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EF
PUSPT
.04'&5
-BT

QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
TPO
BM
NFOPT
DJODP
WFDFT
NFOPSFT
DPNQBSBEBT
DPO
MBT
EF
MB
UFDOP
MPHÎB
.04'&5
DPOWFODJPOBM
&T
DBQB[
EF
NBOFKBS
EPT
B
USFT
WFDFT
NÃT
QPUFODJB
EF
TBMJEB

FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
EFM
.04'&5
DPOWFODJPOBM
DPO
FM
NJTNP
QBRVFUF
&M
ÃSFB
BDUJWB
EFM

NJDSPDJSDVJUP
EF
$00-.04
FT
BQSPYJNBEBNFOUF
DJODP
WFDFT
NÃT
QFRVFÒB
RVF
MB
EF
VO

.04'&5
FTUÃOEBS

-B
GJHVSB

NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO
$00-.04
&M
EJTQPTJUJWP
NFKPSB
FM

EPQBEP
EF
MB
DBQB
n-EPQBEB
RVF
DPOEVDF
MB
DPSSJFOUF
BQSPYJNBEBNFOUF
FO
VO
PSEFO
EF
NBHOJ
UVE
TJO
NPEJGJDBS
MB
DBQBDJEBE
EF
CMPRVFP
EFM
EJTQPTJUJWP
6O
BMUP
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
VBR
EFM

USBOTJTUPS
SFRVJFSF
VOB
DBQB
FQJUBYJBM
DPO
QPDP
EPQBEP
SFMBUJWBNFOUF
HSVFTB
RVF
MMFWF
B
MB
CJFO

DPOPDJEB
MFZ
<>
RVF
SFMBDJPOB
MB
SFTJTUFODJB
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
QBSB
VBR
QPS

RD1on2 = VBR
kc



EPOEF
kc
FT
VOB
DPOTUBOUF
FOUSF

Z


Compuerta
Fuente
S G

n n
p p

p p

nepi

nsub

FIGURA 4.14
D
Drenaje $PSUF
USBOTWFSTBM
EF
VO
$00-.04

148 Capítulo 4 Transistores de potencia

&TUB
MJNJUBDJÓO
TF
TVQFSB
BHSFHBOEP
DPMVNOBT
EF
EPQBEP
EF
UJQP
PQVFTUP
RVF
TF
JNQMF
NFOUBO
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
EF
NBOFSB
RVF
MB
JOUFHSBM
EF
EPQBEP
B
MP
MBSHP
EF
VOB
MÎOFB

QFSQFOEJDVMBS
BM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
QFSNBOF[DB
NÃT
QFRVFÒB
RVF
MB
DBSHB
EF
BWBODF
QSPQJB
EFM

NBUFSJBM
MB
DVBM
QBSB
FM
TJMJDJP
FT
BQSPYJNBEBNFOUF
EF

×

DN−
&TUF
DPODFQUP
SFRVJFSF

VOB
DPNQFOTBDJÓO
EF
MB
DBSHB
BEJDJPOBM
FO
MB
SFHJÓO
n
QPS
QBSUF
EF
SFHJPOFT
DPO
EPQBEP
p
BEZBDFOUFT
&TUBT
DBSHBT
DSFBO
VO
DBNQP
FMÊDUSJDP
MBUFSBM
RVF
OP
DPOUSJCVZF
BM
QFSGJM
EF
DBNQP

WFSUJDBM
&T
EFDJS
MB
DPODFOUSBDJÓO
EFM
EPQBEP
TF
JOUFHSB
B
MP
MBSHP
EF
VOB
MÎOFB
QFSQFOEJDVMBS

B
MB
JOUFSGB[
DSFBEB
QPS
MBT
SFHJPOFT
p
Z
n

-PT
QPSUBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
QSPQPSDJPOBO
TÓMP
MB
DPOEVDUJWJEBE
FMÊDUSJDB
$PNP
OP

IBZ
DPOUSJCVDJÓO
EF
DPSSJFOUF
CJQPMBS
MBT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
TPO
JHVBMFT
B
MBT
EF
MPT

.04'&5
DPOWFODJPOBMFT
&M
EPQBEP
EFM
WPMUBKF
RVF
TVTUFOUB
MB
DBQB
TF
FMFWB
FO
BQSPYJNBEB
NFOUF
VO
PSEFO
EF
NBHOJUVE
CBOEBT
p
WFSUJDBMFT
BEJDJPOBMFT
JOTFSUBEBT
FO
MB
FTUSVDUVSB
DPN
QFOTBO
MB
DPSSJFOUF
FYDFEFOUF
RVF
DPOEVDF
DBSHB
n
&M
DBNQP
FMÊDUSJDP
FO
FM
JOUFSJPS
EF
MB

FTUSVDUVSB
TF
GJKB
QPS
MB
DBSHB
OFUB
EF
MBT
EPT
DPMVNOBT
DPO
EPQBEP
PQVFTUP
1PS
DPOTJHVJFOUF

TF
QVFEF
MPHSBS
VOB
EJTUSJCVDJÓO
EF
DBNQP
DBTJ
IPSJ[POUBM
TJ
BNCBT
SFHJPOFT
TF
DPOUSBSSFTUBO

QFSGFDUBNFOUF
FOUSF
TÎ
-B
GBCSJDBDJÓO
EF
QBSFT
BEZBDFOUFT
EF
SFHJPOFT
p
Z
n
EPQBEBT
DPO
QSÃD
UJDBNFOUF
DBSHB
OFUB
DFSP
SFRVJFSF
VOB
NBOVGBDUVSB
EF
QSFDJTJÓO
$VBMRVJFS
EFTFRVJMJCSJP
FO
MB

DBSHB
JNQBDUB
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
EFM
EJTQPTJUJWP
1BSB
WPMUBKFT
EF
CMPRVFP
NÃT
BMUPT
TÓMP
IBZ

RVF
JODSFNFOUBS
MB
QSPGVOEJEBE
EF
MBT
DPMVNOBT
TJO
UFOFS
RVF
BMUFSBS
FM
EPQBEP
&TUP
DPOEVDF

B
VOB
SFMBDJÓO
MJOFBM
<>
FOUSF
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVF
Z
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

-B
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF
VO
$00-.04
EF


7

"
FT
EF

NΩ
&M
$00-.04
UJFOF
VOB
DBSBDUFSÎTUJDB
v-i
MJOFBM
DPO
VO
CBKP
WPMUBKF

EF
VNCSBM
<>

20

MOSFET estándar
16 Ron  A ⬃ V(BR)DSS2,4…2,6

12
[ mm2]
Ron  A

8
COOLMOS

0
0 200 400 600 800 1000
Voltaje de avance V(BR)DSS[V]

FIGURA 4.15
3FMBDJÓO
MJOFBM
FOUSF
FM
WPMUBKF
EF
CMPRVFP
Z
MB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
<3FG

(
%FCPZ>
 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 149

-PT
EJTQPTJUJWPT
$00-.04 TF
QVFEFO
VUJMJ[BS
FO
BQMJDBDJPOFT
IBTUB
VO
SBOHP
EF
QP
UFODJB
EF

L7"
DPNP
GVFOUFT
EF
QPUFODJB
QBSB
FTUBDJPOFT
EF
USBCBKP
Z
TFSWJEPSFT
GVFOUFT
EF

QPUFODJB
JOJOUFSSVNQJCMF
614

DPOWFSUJEPSFT
EF
BMUB
QPUFODJB
QBSB
TJTUFNBT
EF
NJDSPPOEBT
Z

NÊEJDPT
IPSOPT
EF
JOEVDDJÓO
Z
FRVJQP
EF
TPMEBS
&TUPT
EJTQPTJUJWPT
QVFEFO
SFFNQMB[BS
B
MPT

.04'&5
EF
QPUFODJB
DPOWFODJPOBMFT
FO
UPEBT
MBT
BQMJDBDJPOFT
Z
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
DBTPT
TJO

OJOHVOB
BEBQUBDJÓO
EFM
DJSDVJUP
"
GSFDVFODJBT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
NÃT
EF

L)[
MPT
EJTQPTJUJWPT

$00-.04
PGSFDFO
VOB
DBQBDJEBE
TVQFSJPS
EF
NBOFKP
EF
DPSSJFOUF
QPS
FKFNQMP
DPNP
MB

RVF
TF
SFRVJFSF
FO
FM
ÃSFB
NÎOJNB
EF
VO
NJDSPDJSDVJUP
DPO
VOB
DPSSJFOUF
EBEB
-PT
EJTQP
TJUJWPT
UJFOFO
MB
WFOUBKB
EF
VO
EJPEP
JOWFSTP
JOUSÎOTFDP
$VBMFTRVJFS
PTDJMBDJPOFT
QBSÃTJUBT

RVF
QVEJFSBO
QSPWPDBS
TVCPTDJMBDJPOFT
OFHBUJWBT
EFM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
TF
GJKBO
B

VO
WBMPS
EFGJOJEP
QPS
FM
EJPEP

4.5 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN (JFETs)

-PT
USBOTJTUPSFT
EF
FGFDUP
EF
DBNQP
EF
VOJÓO
TPO
TJNQMFT
FO
DVBOUP
B
TV
DPOTUSVDDJÓO
<>
1BSB

BNQMJGJDBDJPOFT
EF
CBKP
OJWFM
FTUÃO
TJFOEP
SFFNQMB[BEPT
QPS
MPT
.04'&5
4JO
FNCBSHP
HSB
DJBT
B
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
NBUFSJBMFT
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
Z
B
MB
TJNQMJDJEBE
EF
MPT
+'&5T
ÊTUPT
TF

FTUÃO
DPOWJSUJFOEP
FO
EJTQPTJUJWPT
QSPNFUFEPSFT
QBSB
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
-PT
+'&5

EF
4J$
TF
EFTUBDBO
QÖS
VO
DPFGJDJFOUF
EF
UFNQFSBUVSB
QPTJUJWP
TV
GBDJMJEBE
EF
QBSBMFMJ[BDJÓO
Z

FYUSFNBEBNFOUF
SÃQJEB
DPONVUBDJÓO
TJO
DPSSJFOUF
EF
iDPMBu
TÎ
DPNP
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO
RDS PO

RVF
TVFMF
TFS
EF

NΩ
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

7
5BNCJÊO
FYIJCFO

VOB
CBKB
DBSHB
EF
DPNQVFSUB
Z
VOB
CBKB
DBQBDJUBODJB
JOUSÎOTFDB
"TJNJTNP
UJFOFO
VO
EJPEP
EF

DVFSQP
JOUFHSBEP
NPOPMÎUJDBNFOUF
DVZP
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
FT
DPNQBSBCMF
B
VO
EJPEP

FYUFSOP
EF
CBSSFSB
4DIPUULZ
EF
4J$

4.5.1 Funcionamiento y características de los JFETs

"
EJGFSFODJB
EF
MPT
.04'&5
MPT
+'&5
UJFOFO
VO
DBOBM
EF
DPOEVDDJÓO
OPSNBM
RVF
DPOFDUB

MB
GVFOUF
Z
FM
ESFOBKF
-B
DPNQVFSUB
TF
VUJMJ[B
DPNP
DPOUBDUP
QBSB
DPOUSPMBS
FM
GMVKP
EF
DP
SSJFOUF
B
USBWÊT
EFM
DBOBM
4JNJMBS
B
MPT
.04'&5
FYJTUFO
EPT
UJQPT
EF
'&5
EF
VOJÓO
EF
DBOBM

n
Z
DBOBM
p
&M
FTRVFNB
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n BQBSFDF
FO
MB
GJHVSB
B
6O
DBOBM
UJQP
n

Compuerta tipo p
Drenaje
Contactos
p+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo n Drenaje Compuerta

p+

Fuente
tipo p

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.16
&TRVFNB
Z
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n

150 Capítulo 4 Transistores de potencia

Compuerta tipo n
Drenaje
Contactos
n+ óhmicos de metal

canal
Fuente tipo p Drenaje Compuerta

n+

Fuente
tipo n

(a) Esquema (b) Símbolo

FIGURA 4.17
&TRVFNB
Z
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p

TF
TJUÙB
FOUSF
EPT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
UJQP
p
&M
DBOBM
TF
GPSNB
DPO
NBUFSJBM
MFWFNFOUF

EPQBEP
CBKB
DPOEVDUJWJEBE

HFOFSBMNFOUF
EF
TJMJDJP
P
EF
DBSCVSP
EF
TJMJDJP
DPO
DPOUBDUPT

ÓINJDPT
EF
NFUBM
FO
MPT
FYUSFNPT
EFM
DBOBM
-BT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
TPO
EF
NBUFSJBM

UJQP
p
GVFSUFNFOUF
EPQBEP
BMUB
DPOEVDUJWJEBE

Z
FO
HFOFSBM
TF
WJODVMBO
FMÊDUSJDBNFOUF
QPS

NFEJP
EF
DPOUBDUPT
ÓINJDPT
EF
NFUBM
&O
MB
GJHVSB
C
TF
NVFTUSB
FM
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5

EF
DBOBM
n
EPOEF
MB
GMFDIB
BQVOUB
EF
MB
SFHJÓO
UJQP
p
B
MB
SFHJÓO
UJQP
n

&O
MPT
+'&5
EF
DBOBM
n
TF
GPSNB
VO
DBOBM
UJQP
p
FOUSF
EPT
SFHJPOFT
EF
DPNQVFSUB
UJQP
n

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
TÎNCPMP
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
0CTFSWF
RVF
MB
EJSFDDJÓO
EF
MB
GMFDIB
FO
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
FT
MB
JOWFSTB
EF
MB
GMFDIB
FO

VO
+'&5
EF
DBOBM
n

&O
PQFSBDJÓO
OPSNBM
FM
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
TF
NBOUJFOF
B
VO
QPUFODJBM

QPTJUJWP
Z
MB
DPNQVFSUB
B
VO
QPUFODJBM
OFHBUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB
GVFOUF
DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
B
-BT
EPT
VOJPOFT
pn
RVF
TF
GPSNBO
FOUSF
MB
DPNQVFSUB
Z
FM
DBOBM
TF
QP
MBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
-B
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
IG FT
NVZ
QFRVFÒB
EFM
PSEFO
EF
BMHVOPT

D D
ID ID

G G
VDS VDD VSD VDD
IG IG

VGG VGS ISR VGG VGS

ISR

S S

(a) Canal n (b) Canal p

FIGURA 4.18
1PMBSJ[BDJÓO
EF
+'&5T

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 151

OBOPBNQFSFT

4F
PCTFSWB
RVF
IG FT
OFHBUJWB
QBSB
+'&5T
EF
DBOBM
n
FO
UBOUP
RVF
FT
QPTJ
UJWB
QBSB
+'&5T
EF
DBOBM
p

1BSB
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
FM
ESFOBKF
TF
NBOUJFOF
B
VO
QPUFODJBM
OFHBUJWP
Z
MB
DPNQVFSUB

B
VO
QPUFODJBM
QPTJUJWP
DPO
SFTQFDUP
B
MB
GVFOUF
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-BT
EPT

VOJPOFT
TJHVFO
QPMBSJ[BEBT
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
IG
FT
JOTJHOJGJDBOUF
-B

DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
p
MB
PDBTJPOBO
MPT
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
IVFDPT

Z

GMVZF
EF
MB
GVFOUF
BM
ESFOBKF
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
MB
DBVTBO
MPT
QPS
UBEPSFT
NBZPSJUBSJPT
FMFDUSPOFT

Z
GMVZF
EFM
ESFOBKF
B
MB
GVFOUF

Características de transferencias y salida: 4VQPOHBNPT
RVF
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B

GVFOUF
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n
FT
DFSP
VGS =

7
4J
VDS =

7
4J
VDS
TF
JODSFNFOUB
EFTEF
DFSP

IBTUB
BMHÙO
WBMPS
QFRVFÒP
≈

7

MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
TJHVF
MB
MFZ
EF
0IN
iD = vDS/RDS)
Z
TFSÃ
EJSFDUBNFOUF
QSPQPSDJPOBM
B
VDS
$VBMRVJFS
JODSFNFOUP
FO
FM
WBMPS
EF
VDS
NÃT
BMMÃ

EF
VQ
FM
voltaje de ensanchamiento
IBSÃ
RVF
FM
+'&5
GVODJPOF
FO
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO

Z
QPS
DPOTJHVJFOUF
OP
JODSFNFOUBSÃ
EF
NBOFSB
TJHOJGJDBUJWB
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
&M
WBMPS

EF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
RVF
PDVSSF
FO
VDS = VQ
DPO
vGS =


TF
EFOPNJOB
DPSSJFOUF
EF

TBUVSBDJÓO
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
IDSS

$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
FT
DBTJ
DFSP
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
GPSNBEB

FOUSF
MBT
SFHJPOFT
UJQP
p Z
UJQP
n
UFOESÎB
VO
BODIP
DBTJ
VOJGPSNF
B
MP
MBSHP
EFM
DBOBM
DPNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
&M
BODIP
EF
FTUB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
WBSÎB
BM
DBNCJBS
FM

WPMUBKF
B
USBWÊT
EF
FMMB
FM
DVBM
FT
JHVBM
B
VGS =

TJ
VDS =

-PT
+'&5
TF
TVFMFO
GBCSJDBS

DPO
FM
EPQBEP
FO
MB
SFHJÓO
EF
DPNQVFSUB
NVDIP
NÃT
BMUP
RVF
FM
EPQBEP
FO
MB
SFHJÓO
EFM
DBOBM

EF
NPEP
RVF
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
TF
FYUFOEFSÃ
NÃT
IBDJB
FM
DBOBM
RVF
IBDJB
MB
DPN
QVFSUB
$VBOEP
VDS
FT
QPTJUJWP
Z
TF
JODSFNFOUB
FM
BODIP
EF
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
EFKB

EF
TFS
VOJGPSNF
B
MP
MBSHP
EFM
DBOBM
4F
FOTBODIB
FO
FM
FYUSFNP
EFM
ESFOBKF
QPSRVF
MB
QPMBSJ
[BDJÓO
JOWFSTB
FO
MB
VOJÓO
DPNQVFSUBDBOBM
TF
JODSFNFOUB
B
V DS + VGS

DPNP
TF
NVFTUSB

FO
MB
GJHVSB
C
$VBOEP
MB
SFHJÓO
EF
BHPUBNJFOUP
TF
FYUJFOEF
B
UPEB
MB
BMUVSB
EFM
DBOBM

ÊTUF
TF
FTUSFDIB
P
FTUSBOHVMB

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(a) Corte transversal

G
VGS p+
S Región de agotamiento D
tipo n
VDS
L

(b) Corte transversal

FIGURA 4.19
&TUSVDUVSB
EF
+'&5
EF
DBOBM
n
TJNQMJGJDBEB

152 Capítulo 4 Transistores de potencia

iD iD
VDS = VGS – Vp
Región Región de
óhmica saturación VGS = 0 V
IDSS IDSS
–2 V
Vp = –7 V Vp = 6 V
–4 V canal n canal p

–6 V
vDS (para canal n)
VBD vSD (para canal p) –7 –6 –4 –2 0 2 4 6 VGS
(a) Características de salida (b) Características de transferencia

FIGURA 4.20
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
VO
+'&5
EF
DBOBM
n

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
iD − vDS
QBSB
WBSJPT
WBMPSFT
EF
VGS
-BT
DBSBD
UFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
TF
QVFEFO
EJWJEJS
FO
USFT
SFHJPOFT
ÓINJDB
EF
TBUVSBDJÓO
Z
EF
DPSUF
4J
vDS
TF
BVNFOUB
NÃT
BMMÃ
EFM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
EFM
+'&5
TF
PSJHJOB
VOB
SVQUVSB
QPS
BWBMBODIB
Z
MB

DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
TVCF
EF
JONFEJBUP
&M
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
B
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
EF
DFSP

TF
EFOPNJOB
VBD
&TUF
NPEP
EF
PQFSBDJÓO
TF
EFCF
FWJUBS
ZB
RVF
FM
+'&5
TF
QVFEF
EFTUSVJS
QPS

MB
FYDFTJWB
EJTJQBDJÓO
EF
FOFSHÎB
$PNP
FM
WPMUBKF
JOWFSTP
FT
NÃT
BMUP
FO
FM
FYUSFNP
EF
ESFOBKF
MB

SVQUVSB
PDVSSF
FO
FTUF
FYUSFNP
&M
GBCSJDBOUF
FTQFDJGJDB
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB

Región óhmica: &O
FTUB
SFHJÓO
FM
WPMUBKF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
VDS
FT
CBKP
Z
FM
DBOBM
OP
TF

FOTBODIB
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
iD
TF
QVFEF
FYQSFTBS
DPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 vDS − v2Ds 4 para 0 < vDS ≤ 1 vGS − Vp 2


MB
DVBM
QBSB
VO
WBMPS
QFRVFÒP
EF
VDS (<<VQ

TF
SFEVDF
B

iD = Kp[21 vGS − Vp 2 vDS]


%POEF
Kp = IDSS/V 2p

Región de saturación:
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
vDS ≥ (vGS − vp


&M
WPMUBKF
EF
ESF
OBKF
B
GVFOUF
VDS
FT
NBZPS
RVF
FM
WPMUBKF
EF
FOTBODIBNJFOUP
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
iD
FT

DBTJ
JOEFQFOEJFOUF
EF
VDS
1BSB
GVODJPOBS
FO
FTUB
SFHJÓO
vDS ≥ (vGS − vp

4VTUJUVZFOEP

MB
DPOEJDJÓO
MJNJUBOUF
vDS = vGS − Vp
FO
MB
FDVBDJÓO


TF
PCUJFOF
MB
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF

DPNP

iD = Kp 3 21 vGS − Vp 2 1 vGS − Vp 2 − 1 vGS − Vp 2 2 4

= Kp 1 vGS − Vp 2 2 para vDS ≥ 1 vGS − Vp 2 y Vp ≤ vGS ≤ 0 [para canal n]


-B
FDVBDJÓO


SFQSFTFOUB
MB
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB
MB
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB

C
QBSB
BNCPT
DBOBMFT
n
Z
p
1BSB
VO
WBMPS
EBEP
EF
iD
MB
FDVBDJÓO


EB
EPT
WBMPSFT
EF

VGS
Z
TÓMP
VO
WBMPS
FT
MB
TPMVDJÓO
BDFQUBCMF
EF
NPEP
RVF
Vp ≤ vGS ≤

&M
MVHBS
HFPNÊUSJDP

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 153

EFM
FOTBODIBNJFOUP
FM
DVBM
EFTDSJCF
FM
MÎNJUF
FOUSF
MBT
SFHJPOFT
ÓINJDB
Z
EF
TBUVSBDJÓO
TF

QVFEF
PCUFOFS
TVTUJUVZFOEP
vGS = VDS + Vp
FO
MB
FDVBDJÓO



iD=Kp 1 vDS + Vp − Vp 2 2 =Kpv2DS


MB
DVBM
EFGJOF
FM
MVHBS
HFPNÊUSJDP
EFM
FOTBODIBNJFOUP
Z
GPSNB
VOB
QBSÃCPMB

Región de corte: &O
MB
SFHJÓO
EF
DPSUF
FM
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
FT
NFOPS
RVF
FM

WPMUBKF
EF
FOTBODIBNJFOUP
&T
EFDJS
vGS < Vp
QBSB
DBOBM
n
Z
vGS > Vp
QBSB
DBOBM
p
Z
FM
+'&5

FTUÃ
CMPRVFBEP
P
BQBHBEP
-B
DPSSJFOUF
EF
ESFOBKF
FT
DFSP
iD =


4.5.2 ESTRUCTURAS DE JFET DE CARBURO DE SILICIO

-PT
+'&5
EF
QPUFODJB
TPO
EJTQPTJUJWPT
OVFWPT
FO
FWPMVDJÓO
<


>
&OUSF
MPT
UJQPT
EF

FTUSVDUVSBT
EF
EJTQPTJUJWPT
EF
4J$
RVF
BDUVBMNFOUF
TF
FODVFOUSBO
EJTQPOJCMFT
FTUÃO

+'&5
EF
DBOBM
MBUFSBM
-$+'&5




+'&5
WFSUJDBM
7+'&5




+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
75+'&5




+'&5
EF
SFKJMMB
FOUFSSBEB
#(+'&5




+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
Z
EPCMF
DPNQVFSUB
%(75+'&5

JFET de canal lateral (LCJFET):
%VSBOUF
MB
ÙMUJNB
EÊDBEB
FM
NFKPSBNJFOUP
FO
FM
NB

UFSJBM
EF
4J$
Z
FM
EFTBSSPMMP
EF
PCMFBT
EF

Z

QVMH
IBO
DPOUSJCVJEP
B
MB
GBCSJDBDJÓO
EF
MPT
+'&5

EF
4J$
NPEFSOPT
<>
-PT
+'5
EF
4J$
BDUVBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
TPO
TPCSF
UPEP
EF
 
7

QFSP
UBNCJÊO
MPT
IBZ
EF
 
7
-B
DBQBDJEBE
EF
DPSSJFOUF
FO
MPT
+'&5
FT
IBTUB
EF

"
Z
MPT

EJTQPTJUJWPT
RVF
PGSFDFO
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
FTUÃO
FO
FM
SBOHP
EF

B

NΩ

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VOP
EF
MPT
EJTFÒPT
NPEFSOPT
EFM
+'&5
EF
4J$
FM
MMBNBEP
JFET de
canal lateral.
<>
-B
DPSSJFOUF
EF
DBSHB
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
QVFEF
GMVJS
FO
BNCBT
EJSFDDJPOFT
TFHÙO
MBT

DPOEJDJPOFT
EFM
DJSDVJUP
Z
FTUÃ
DPOUSPMBEB
QPS
VOB
DPNQVFSUB
p+
FOUFSSBEB
Z
VOB
VOJÓO
pn
FO
MB

Compuerta
Fuente Fuente
p
n+ n+
p+ p+

Pared p enterrada
Región de deriva n−

Retén de campo n

Sustrato n++

Drenajes

FIGURA 4.21
$PSUF
USBOTWFSTBM
EFM
-$+'&5
EF
4J$

OPSNBMNFOUF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

154 Capítulo 4 Transistores de potencia

Fuente D
a
Compuerta Compuerta
CGD RD
com-
puerta p+ n– compuerta
canal p+
L L1
G RG IGD
CDS
WD IGS
ID

Región de deriva n– Lderiva

CGS RS
Wderiva

Drenaje S
(a) Corte transversal (b) Modelo del circuito

FIGURA 4.22
&TUSVDUVSB
UÎQJDB
EF
VOB
+'&5
WFSUJDBM
EF
4J$

GVFOUF
+
&TUF
+'&5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
RVF
OPSNBMNFOUF
TF
FODVFOUSB
FO
FTUBEP
EF
DPO
EVDDJÓO
Z
TF
EFCF
BQMJDBS
VO
WPMUBKF
OFHBUJWP
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
QBSB
CMPRVFBSMP
P
BQBHBSMP

&M
SBOHP
UÎQJDP
EF
WPMUBKFT
EF
FTUSBOHVMBNJFOUP
EF
FTUF
EJTQPTJUJWP
FT
EF
FOUSF
−
Z
−
7
6OB

DBSBDUFSÎTUJDB
JNQPSUBOUF
EF
FTUB
FTUSVDUVSB
FT
FM
EJPEP
EF
DVFSQP
BOUJQBSBMFMP
FM
DVBM
TF
GPSNB
QPS

FM
MBEP
EF
MB
GVFOUF
p+
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
n
Z
FM
ESFOBKF
n++
4JO
FNCBSHP
MB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO

TFOUJEP
EJSFDUP
EFM
EJPEP
EF
DVFSQP
FT
NBZPS
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVD
DJÓO
EFM
DBOBM
B
EFOTJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
OPNJOBMFT
P
NÃT
CBKBT

<
>
1PS
DPOTJHVJFOUF
QBSB

HFOFSBS
MB
GVODJÓO
EF
EJPEP
BOUJQBSBMFMP
TF
EFCF
VUJMJ[BS
FM
DBOBM
QBSB
NJOJNJ[BS
MBT
QÊSEJEBT
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
&M
EJPEP
EF
DVFSQP
QVFEF
VUJMJ[BSTF
TÓMP
QPS
TFHVSJEBE
QBSB
USBOTJDJPOFT
EF

DPSUB
EVSBDJÓO
<
>

JFET vertical: &O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VOB
FTUSVDUVSB
UÎQJDB
EF
VO
+'&5
WFSUJDBM
EF

DBOBM
n
<>
EPOEF
TF
JMVTUSBO
MBT
EPT
SFHJPOFT
EF
BHPUBNJFOUP
)BZ
EPT
EJPEPT
QBSÃTJUPT
<>

DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
1PS
MP
DPNÙO
FM
EJTQPTJUJWP
FTUÃ
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO

NPEP
EF
BHPUBNJFOUP

Z
CMPRVFBEP
P
BQBHBEP
QPS
VO
WPMUBKF
EF
DPNQVFSUB
B
GVFOUF
OFHBUJWP

JFET de trinchera vertical (VTJFET): &O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
VO
FTRVFNB
EF
DPSUF

USBOTWFSTBM
<>
EF
MB
USJODIFSB
WFSUJDBM
EF
4FNJTPVUI
-BCPSBUPSJFT
<
>
1VFEF
TFS
P
VO

EJTQPTJUJWP
OPSNBMNFOUF
FO
FTUBEP
EF
CMPRVFP
NPEP
EF
FOSJRVFDJNJFOUP

P
VO
EJTQPTJUJWP
FO

FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
NPEP
EF
BHPUBNJFOUP

TFHÙO
FM
FTQFTPS
EFM
DBOBM
WFSUJDBM
Z
MPT
OJWFMFT

EF
EPQBEP
EF
MB
FTUSVDUVSB
-PT
EJTQPTJUJWPT
FTUÃO
BDUVBMNFOUF
EJTQPOJCMFT
DPO
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
IBTUB
EF

"
Z
SFTJTUFODJBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EF

B

NΩ

JFET de rejilla enterrada (BGJFET): -B
GJHVSB
B
NVFTUSB
FM
DPSUF
USBOTWFSTBM
EF

VO
'+&5
EF
SFKJMMB
FOUFSSBEB
6UJMJ[B
VOB
QFRVFÒB
TFQBSBDJÓO
FOUSF
DFMEBT
MB
DVBM
DPOUSJCVZF

B
VOB
CBKB
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
B
BMUBT
EFOTJEBEFT
EF
DPSSJFOUF
EF
TBUVSBDJÓO

 4.5 Transistores de efecto de campo de unión (JFETs) 155

Fuente Fuente
Com-
Compuerta n+ puerta n+ Compuerta

p p p

Región de deriva n–

Sustrato n+

Drenaje

FIGURA 4.23
$PSUF
USBOTWFSTBM
EFM
75+'&5
EF
4J$

4JO
FNCBSHP
OP
DVFOUB
DPO
EJPEP
EF
DVFSQP
BOUJQBSBMFMP
Z
FOGSFOUB
EPT
EJGJDVMUBEFT
FO
FM
QSP
DFTP
EF
GBCSJDBDJÓO
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
FM
-$+'&5
<>

JFET de trinchera vertical y doble compuerta (DGVTJFET): -B
GJHVSB
C
NVFTUSB
FM

DPSUF
USBOTWFSTBM
EFM
+'&5
EF
USJODIFSB
WFSUJDBM
Z
EPCMF
DPNQVFSUB
FM
DVBM
FT
FO
SFBMJEBE
VOB

DPNCJOBDJÓO
EF
MPT
EJTFÒPT
EF
-$+'&5
Z
FM
#(+'&5
<
>
)B
TJEP
QSPQVFTUP
QPS
%&/40

<>
&TUF
EJTFÒP
DPNCJOB
VOB
DBQBDJEBE
EF
DPONVUBDJÓO
SÃQJEB
EFCJEP
B
MB
CBKB
DBQBDJUBODJB

FO
MB
DPNQVFSUBESFOBKF
DPO
CBKB
SFTJTUFODJB
FTQFDÎGJDB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
EFCJEP
B
MB

QFRVFÒB
TFQBSBDJÓO
FOUSF
DFMEBT
Z
BM
DPOUSPM
EF
EPCMF
DPNQVFSUB
-B
FTUSVDUVSB
RVF
BQBSFDF
FO

MB
GJHVSB
B
UJFOF
NÙMUJQMFT
DPNQVFSUBT
p
QBSB
DPO
DPOUSPM
EF
DPNQVFSUB
NÃT
FGFDUJWP
$PNP

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
DPO
VOB
DPNQVFSUB
FO
5
OP
FYJTUF
VOB
FTUSVDUVSB
ÙOJDB
-B
FTUSVD
UVSB
EJNFOTJPOFT
Z
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT
DBQBT
n+
Z
p+
EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM

+'&5
DPNP
MBT
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF

Fuente Compuerta
Fuente en T Fuente
Compuerta Compuerta
n+ n+ Compuerta n+
n– superior p+ n– B
Enterrada p+ Compuerta Compuerta Compuerta
enterrada p+ enterrada p+ enterrada p+
compuerta
Región de deriva n–
n–
Región de deriva n–
Sustrato n+
Sustrato n+
Drenaje
Drenaje
(a) BGJFET de SiC (b) DGVTJFET de SiC

FIGURA 4.24
$PSUFT
USBOTWFSTBMFT
EF
VO
#(+'&5
EF
4J$
Z
EF
VO
%(+'&5
EF
4J$
156 Capítulo 4 Transistores de potencia

4.6 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN

6O
USBOTJTUPS
CJQPMBS
TF
GPSNB
BHSFHBOEP
VOB
TFHVOEB
SFHJÓO
p
P
n
B
VO
EJPEP
EF
VOJÓO
pn

$PO
EPT
SFHJPOFT
n
Z
VOB
SFHJÓO
p
TF
GPSNBO
EPT
VOJPOFT
Z
B
FTUP
TF
MF
DPOPDF
DPNP
transis-
tor NPN
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
4J
IBZ
EPT
SFHJPOFT
p
Z
VOB
SFHJÓO
n
TF
DPOPDF

DPNP
transistor PNP
MP
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
-BT
USFT
UFSNJOBMFT
TF
EFOPNJOBO

colector
emisor
Z
base
6O
USBOTJTUPS
CJQPMBS
UJFOF
EPT
VOJPOFT
VOB
VOJÓO
DPMFDUPSCBTF
$#+


Z
VOB
VOJÓO
CBTFFNJTPS
#&+

<>
&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
USBOTJTUPSFT
NPN
EF
WBSJPT

UBNBÒPT

1BSB
FM
FNJTPS
EFM
USBOTJTUPS
UJQP
NPN
EF
MB
GJHVSB
B
IBZ
EPT
SFHJPOFT
n+
Z
EPT
SFHJP
+
OFT
p
QBSB
FM
FNJTPS
EFM
USBOTJTUPS
UJQP
PNP
EF
MB
GJHVSB
C
1BSB
FM
UJQP
NPN
MB
DBQB
n
EFM

MBEP
EFM
FNJTPS
TF
IBDF
BODIB
MB
CBTF
p
FT
BOHPTUB
Z
MB
DBQB
n
EFM
MBEP
EFM
DPMFDUPS
FT
BOHPTUB

DPO
VO
BMUP
OJWFM
EF
EPQBEP
1BSB
FM
UJQP
PNP
MB
DBQB
p
EFM
MBEP
EFM
FNJTPS
TF
IBDF
BODIB
MB
CBTF
n
FT
BOHPTUB
Z
MB
DBQB
p
EFM
MBEP
EFM
DPMFDUPS
FT
BOHPTUB
DPO
VO
BMUP
OJWFM
EF
EPQBEP
-BT
DPSSJFO
UFT
EF
CBTF
Z
DPMFDUPS
GMVZFO
B
USBWÊT
EF
EPT
USBZFDUPSJBT
QBSBMFMBT
Z
FM
SFTVMUBEP
FT
VOB
CBKB

SFTJTUFODJB
EFM
DPMFDUPSFNJTPS
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
RCE 0/


Colector Colector
C C
n IC p IC
Base IB Base IB
p n
B B
n IE p IE
E E
Emisor Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.25
5SBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

FIGURA 4.26
5SBOTJTUPSFT
NPN
$PSUFTÎB
EF
1PXFSFY
*OD

 4.6 Transistores bipolares de unión 157

Emisor Base
Colector Base

n n
p p
p
n

n
p

Collector Emisor
(a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

FIGURA 4.27
$PSUFT
USBOTWFSTBMFT
EF
#+5T

4.6.1 Características de estado estable

"VORVF
IBZ
USFT
DPOGJHVSBDJPOFT
QPTJCMFT
DPMFDUPS
DPNÙO
CBTF
DPNÙO
Z
FNJTPS
DPNÙO
FO

HFOFSBM
TF
VUJMJ[B
MB
DPOGJHVSBDJÓO
FNJTPS
DPNÙO
MB
DVBM
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
B
QBSB
VO

USBOTJTUPS
NPN
FO
BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
-BT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
FOUSBEB
UÎQJDBT
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
CBTF
IB
FO
GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
CBTFFNJTPS
VBE
TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB
C

-B
GJHVSB
D
NVFTUSB
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EF
TBMJEB
UÎQJDBT
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
IC
FO

GVODJÓO
EFM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
VCE
1BSB
VO
USBOTJTUPS
PNP
MBT
QPMBSJEBEFT
EF
UPEBT
MBT

DPSSJFOUFT
Z
WPMUBKFT
TF
JOWJFSUFO

6O
USBOTJTUPS
UJFOF
USFT
SFHJPOFT
EF
PQFSBDJÓO
EF
DPSUF
BDUJWB
Z
EF
TBUVSBDJÓO
&O
MB

SFHJÓO
EF
DPSUF
FM
USBOTJTUPS
TF
CMPRVFB
P
BQBHB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
OP
FT
TVGJDJFOUF
QBSB
FO
DFOEFSMP
Z
BNCBT
VOJPOFT
TF
QPMBSJ[BO
B
MB
JOWFSTB
&O
MB
SFHJÓO
BDUJWB
FM
USBOTJTUPS
BDUÙB
DPNP

VO
BNQMJGJDBEPS
EPOEF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TF
BNQMJGJDB
QPS
VOB
HBOBODJB
Z
FM
WPMUBKF
EFM

DPMFDUPSFNJTPS
TF
SFEVDF
DPO
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
-B
$#+
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
MB
#&+
TF

QPMBSJ[B
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
&O
MB
SFHJÓO
EF
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
TVGJDJFOUFNFOUF

BMUB
EF
NPEP
RVF
FM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
FT
CBKP
Z
FM
USBOTJTUPS
BDUÙB
DPNP
VO
JOUFSSVQUPS

"NCBT
VOJPOFT
$#+
Z
#&+

TF
QPMBSJ[BO
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
-B
DBSBDUFSÎTUJDB
EF
USBOTGFSFODJB

MB
DVBM
FT
VOB
HSÃGJDB
EF
VCE
FO
GVODJÓO
EF
IB
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB


&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
VO
USBOTJTUPS
NPN
FO
PQFSBDJÓO
EF
DE
EF
HSBO

TFÒBM
-B
FDVBDJÓO
RVF
SFMBDJPOB
MBT
DPSSJFOUFT
FT

IE = IC + IB


-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
FGFDUJWBNFOUF
MB
DPSSJFOUF
EF
FOUSBEB
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT
MB

DPSSJFOUF
EF
TBMJEB
-B
SFMBDJÓO
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
IC
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
IB
TF
DPOPDF

DPNP
ganancia de corriente en sentido directo
βF

IC
βF = hFE =


IB
158 Capítulo 4 Transistores de potencia

IC
IB VCE1 VCE2
RC
VCE2  VCE1
RB IB  
VCE VCC
  

VB VBE
 IE

0 VBE
(a) Diagrama del circuito (b) Características de entrada

Región
IC activa IBn
Región de
saturación
IBn  IB1  IB0
IB4

IB3
IB2
IB1
IB  0
Región de corte
0 VCE
(c) Características de salida

FIGURA 4.28
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTJTUPSFT
NPN

-B
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
UJFOF
EPT
DPNQPOFOUFT
VOB
QPS
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
Z
MB
PUSB
FT
MB

DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
MB
$#+

IC = βF IB + ICEO


VCE
Corte Activa Saturación
VCC

VCE(sat)
0 IB
IBs
0 VBE
0.5 VBE(sat)

FIGURA 4.29
$BSBDUFSÎTUJDBT
EF
USBOTGFSFODJB
 4.6 Transistores bipolares de unión 159

C
IC

I CEO
␤FIB

IB
B

IE
FIGURA 4.30
E .PEFMP
EF
USBOTJTUPSFT
NPN

EPOEF
ICEO
FT
MB
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
DPO
FM
DJSDVJUP
BCJFSUP
QPS
MB
CBTF
Z
TF

QVFEF
DPOTJEFSBS
JOTJHOJGJDBOUF
DPNQBSBEB
DPO
βFIB

$PO
MBT
FDVBDJPOFT


Z


IE = IB 1 1 + βF 2
+ ICEO 

≈ IB 1 1 + βF 2


βF + 1
IE ≈ IC a1 + b = IC
1



βF βF

$PNP
βF >>

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TF
FYQSFTB
DPNP

IC ≈ αF IE


EPOEF
MB
DPOTUBOUF
αF
FTUÃ
SFMBDJPOBEB
DPO
βF
QPS

βF
αF =


βF + 1
P

αF
βF =


1 − αF

$POTJEFSFNPT
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB

EPOEF
FM
USBOTJTUPS
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS

VB − VBE

IB =


RB
βF RC
VC = VCE = VCC − IC RC = VCC − 1 VB − VBE 2
RB
VCE = VCB + VBE


VCB = VCE − VBE


160 Capítulo 4 Transistores de potencia

RC
⫹
IC VCC
⫺
IB RB ⫹
⫹
⫹ VCE
V VBE
⫺ B IE
⫺ ⫺

FIGURA 4.31
5SBOTJTUPS
RVF
GVODJPOB
DPNP
JOUFSSVQUPS

-B
FDVBDJÓO


JOEJDB
RVF
FO
UBOUP
VCE ≥ VBE
MB
$#+
TF
QPMBSJ[B
B
MB
JOWFSTB
Z
FM
USBOTJTUPS

FTUÃ
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
-B
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
NÃYJNB
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
RVF
TF
PCUJFOF

BM
FTUBCMFDFS
VCB =

Z
VBE = VCE
FT

VCC − VCE VCC − VBE
ICM = =


RC RC
Z
FM
WBMPS
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF

ICM
IBM =


βF
4J
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TF
JODSFNFOUB
QPS
FODJNB
EF
IBM
VBE
TF
BVNFOUB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFD
UPS
TF
JODSFNFOUB
Z
FM
VCE
DBF
QPS
EFCBKP
EF
VBE
&TUP
DPOUJOÙB
IBTUB
RVF
MB
$#+
TF
QPMBSJ[B

FO
TFOUJEP
EJSFDUP
DPO
VBC
BMSFEFEPS
EF

B

7
&OUPODFT
FM
USBOTJTUPS
FOUSB
FO
MB
SFHJÓO

EF
TBUVSBDJÓO
-B
saturación del transistor
TF
QVFEF
EFGJOJS
DPNP
FM
QVOUP
QPS
FODJNB
EFM
DVBM

DVBMRVJFS
JODSFNFOUP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
OP
BVNFOUB
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
MB
DPSSJFOUF
EF

DPMFDUPS

&O
MB
TBUVSBDJÓO
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
QFSNBOFDF
DBTJ
DPOTUBOUF
4J
FM
WPMUBKF
EF
TBUVSB
DJÓO
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
FT
VCE TBU

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

VCC − VCE1 sat2

ICS =


RC
Z
FM
WBMPS
DPSSFTQPOEJFOUF
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT

ICS
IBS =


βF
/PSNBMNFOUF
FM
DJSDVJUP
TF
EJTFÒB
EF
NPEP
RVF
IB
TFB
NBZPS
RVF
IBS
-B
SFMBDJÓO
EF
IB
B
IBS
TF

MMBNB
factor de sobreexcitación
0%'


IB
ODF =


IBS

Z
MB
SFMBDJÓO
EF
ICS
B
IB
TF
EFOPNJOB
β forzada
βGPS[BEB
EPOEF

ICS
βforzada =


IB
 4.6 Transistores bipolares de unión 161

-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
FO
MBT
EPT
VOJPOFT
FT

PT = VBE IB + VCE IC


6O
BMUP
WBMPS
EFM
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
OP
QVFEF
SFEVDJS
TJHOJGJDBUJWBNFOUF
FM
WPMUBKF
EF

DPMFDUPS
B
FNJTPS
4JO
FNCBSHP
VBE
TF
JODSFNFOUB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
BVNFOUBEB
Z

FM
SFTVMUBEP
FT
VOB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
JODSFNFOUBEB
FO
FM
#&+

Ejemplo 4.1 Cómo determinar los parámetros de saturación de un BJT

&M
USBOTJTUPS
CJQPMBS
EF
MB
GJHVSB

TF
FTQFDJGJDB
DPO
βF
FO
FM
SBOHP
EF

B

-B
SFTJTUFODJB
EF
MB
DBSHB

FT
RC =

Ω
&M
WPMUBKF
EF
TVNJOJTUSP
EF
DE
FT
VCC =

7
Z
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
BM
DJSDVJUP
EF
MB
CBTF
FT

VB =

7
4J
VCE TBU

=

7
Z
VBE TBU
=

7
EFUFSNJOF
B

FM
WBMPS
EF
RB
RVF
QSPEV[DB
TBUVSBDJÓO

DPO
VO
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF

C

MB
βGPS[BEB
Z
D

MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
PT
FO
FM
USBOTJTUPS

Solución
VCC =

7
βNÎO =

βNÃY =

RC =

Ω
0%'
=

VB =

7
VCE TBU
=

7
Z
VBE TBU
=

7

$PO
MB
FDVBDJÓO


ICS =

−


=

"
$PO
MB
FDVBDJÓO


IBS =
βNÎO =

=

"
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
QBSB
VO
GBDUPS
EF
TPCSFFYDJUBDJÓO
EF


IB = 5 × 2.2625 = 11.3125 A

a.
-B
FDVBDJÓO


EB
FM
WBMPS
SFRVFSJEP
EF
RB

VB − VBE 1 sat2 10 − 1.5

RB = = = 0.7514 Ω
IB 11.3125

b.
$PO
MB
FDVBDJÓO


βGPS[BEB =

=


c.
-B
FDVBDJÓO


EB
MB
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
DPNP

PT = 1.5 × 11.3125 + 1.0 × 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W

Nota:
1BSB
VO
0%'
EF

IB =

Z
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
FT
PT =

×

+


=

8
6OB
WF[
RVF
FM
USBOTJTUPS
TF
TBUVSB
FM
WPMUBKF
DPMFDUPSFNJTPS
OP
TF
SFEVDF
FO
SF
MBDJÓO
DPO
FM
JODSFNFOUP
EF
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
4JO
FNCBSHP
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
TF
JODSF
NFOUB
$PO
VO
BMUP
WBMPS
EFM
0%'
FM
USBOTJTUPS
TF
QVFEF
EBÒBS
EFCJEP
B
MB
BWBMBODIB
UÊSNJDB

1PS
PUSP
MBEP
TJ
FM
USBOTJTUPS
TF
TPCSFFYDJUB
IB < ICB

QVFEF
GVODJPOBS
FO
MB
SFHJÓO
BDUJWB
Z

VCE TF
JODSFNFOUB
QPS
MP
RVF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
TF
BVNFOUB

4.6.2 CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN

6OB
VOJÓO
pn
DPO
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
FYIJCF
EPT
DBQBDJUBODJBT
FO
QBSBMFMP
VOB
DBQBDJUBODJB

EF
DBQB
EF
BHPUBNJFOUP
Z
VOB
DBQBDJUBODJB
EF
EJGVTJÓO
1PS
PUSB
QBSUF
VOB
VOJÓO
pn
DPO
QPMB
SJ[BDJÓO
JOWFSTB
UJFOF
TÓMP
DBQBDJUBODJB
EF
BHPUBNJFOUP
&O
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
FTUBCMF
FTUBT

DBQBDJUBODJBT
OP
EFTFNQFÒBO
OJOHÙO
SPM
4JO
FNCBSHP
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
JOGMVZFO
FO

FM
DPNQPSUBNJFOUP
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP
EFM
USBOTJTUPS

&O
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSB
FM
NPEFMP
EF
VO
USBOTJTUPS
FO
DPOEJDJPOFT
USBOTJUPSJBT
EPOEF

Ccb
Z
Cbe
TPO
MBT
DBQBDJUBODJBT
FGFDUJWBT
EF
MB
$#+
Z
#&+
SFTQFDUJWBNFOUF
-B
transconductan-
cia
gm
EF
VO
#+5
TF
EFGJOF
DPNP
MB
SFMBDJÓO
EF
ĴIC
B
ĴVBE
&TUBT
DBQBDJUBODJBT
EFQFOEFO
EF

MPT
WPMUBKFT
EF
VOJÓO
Z
EF
MB
DPOTUSVDDJÓO
GÎTJDB
EFM
USBOTJTUPS
162 Capítulo 4 Transistores de potencia

iB ic ic
B C B ⫹ C
Ccb Ccb
rbe ro ⫽ rce rbe gmvbe ro ⫽ rce
Cbe ␤ iB vbe Cbe

⫺
iE i
iE, gm ⫽ v c
be
E E
(a) Modelo con ganancia de corriente (b) Modelo con transconductancia

FIGURA 4.32
.PEFMP
USBOTJUPSJP
EF
VO
#+5

Ccb
BGFDUB
MB
DBQBDJUBODJB
EF
FOUSBEB
EF
GPSNB
TJHOJGJDBUJWB
EFCJEP
BM
FGFDUP
EF
NVMUJQMJDBDJÓO

.JMMFS
<>
-BT
SFTJTUFODJBT
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
Z
EF
CBTF
B
FNJTPS
TPO
rce
Z
rbe
SFTQFDUJWBNFOUF

"
DBVTB
EF
MBT
DBQBDJUBODJBT
JOUFSOBT
FM
USBOTJTUPS
OP
TF
FODJFOEF
EF
JONFEJBUP
-B
GJHVSB


JMVTUSB
MBT
GPSNBT
EF
POEB
Z
UJFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
$POGPSNF
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
vB
TVCF
EF
DFSP
B
V
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TVCF
B
IB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
OP
SFTQPOEF
EF

JONFEJBUP
)BZ
VO
SFUSBTP
DPOPDJEP
DPNP
tiempo de retraso td
BOUFT
EF
RVF
GMVZB
DVBMRVJFS

vB
V1

0 t
kT (1 ⫺ k)T
⫺V2

iB
IB1

0 t

⫺IB2

iC
ICS
0.9 ICS

0.1 ICS
0 t
t d tr tn ts tf to

FIGURA 4.33
5JFNQPT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

 4.6 Transistores bipolares de unión 163

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
&TUF
SFUSBTP
TF
SFRVJFSF
QBSB
DBSHBS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
BM
WPMUBKF

EF
QPMBSJ[BDJÓO
EJSFDUB
VBE
BQSPYJNBEBNFOUF

7

%FTQVÊT
EF
FTUF
SFUSBTP
MB
DPSSJFOUF
EF
DP
MFDUPS
TVCF
BM
WBMPS
EF
FTUBEP
FTUBCMF
EF
ICS
&M
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
EFQFOEF
EF
MB
DPOTUBOUF

EF
UJFNQP
EFUFSNJOBEB
QPS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+

-B
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT
OPSNBMNFOUF
FT
NBZPS
RVF
MB
SFRVFSJEB
QBSB
TBUVSBS
FM
USBOTJT
UPS
$PNP
SFTVMUBEP
MB
DBSHB
EF
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FYDFEFOUF
TF
BMNBDFOB
FO
MB
SFHJÓO

EF
MB
CBTF
"
NBZPS
0%'
NBZPS
DBOUJEBE
EF
DBSHB
FYUSB
BMNBDFOBEB
FO
MB
CBTF
&TUB
DBSHB

FYUSB
EFOPNJOBEB
carga de saturación
FT
QSPQPSDJPOBM
B
MB
FYDJUBDJÓO
EF
CBTF
FYDFEFOUF
Z
MB

DPSSJFOUF
DPSSFTQPOEJFOUF
Ie

= ODF ∙ IBS − IBS = IBS 1ODF − 12

ICS
Ie = IB − 

Z
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
FTUÃ
EBEB
QPS

Qs = τs Ie = τs IBS 1ODF − 12


EPOEF
τS
TF
DPOPDF
DPNP
constante de tiempo de almacenamiento
EFM
USBOTJTUPS

$VBOEP
FM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB
TF
JOWJFSUF
EF
V
B
−V
Z
MB
DPSSJFOUF
UBNCJÊO
DBNCJB
B

−IB
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
OP
DBNCJB
EVSBOUF
VO
UJFNQP
tS
MMBNBEP
tiempo de almacena-
miento
&M
tS
TF
SFRVJFSF
QBSB
FMJNJOBS
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
EF
MB
CBTF
$VBOUP
NÃT
BMUB
TFB

MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
NÃT
BMUB
TFSÃ
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
Z
TF
MMFWBSÃ
NÃT
UJFNQP
SFDVQFSBS

MBT
DBSHBT
BMNBDFOBEBT
RVF
QSPWPDBO
VO
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
NÃT
MBSHP
%BEP
RVF
vBE
JODMVTP
DPO
BQSPYJNBEBNFOUF
TÓMP

7
TJHVF
TJFOEP
QPTJUJWP
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
JOWJFSUF
TV

EJSFDDJÓO
QPS
FM
DBNCJP
FO
MB
QPMBSJEBE
EF
vB
EF
V
B
−V
-B
DPSSJFOUF
JOWFSTB
−IB
BZVEB
B

EFTDBSHBS
MB
CBTF
Z
FMJNJOBS
MB
DBSHB
FYUSB
EF
MB
CBTF
4JO
−IB
MB
DBSHB
EF
TBUVSBDJÓO
TF
UJFOF

RVF
FMJNJOBS
QPS
DPNQMFUP
QPS
SFDPNCJOBDJÓO
Z
FM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
TFSÎB
NBZPS

6OB
WF[
FMJNJOBEB
MB
DBSHB
FYUSB
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
TF
DBSHB
BM
WPMUBKF
EF
FOUSBEB

−V
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
DBF
B
DFSP
&M
UJFNQP
EF
DBÎEB
tf
EFQFOEF
EF
MB
DPOTUBOUF
EF
UJFNQP

EFUFSNJOBEB
QPS
MB
DBQBDJUBODJB
EF
MB
#&+
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB

-B
GJHVSB
B
NVFTUSB
MB
DBSHB
FYUSB
EF
BMNBDFOBNJFOUP
FO
MB
CBTF
EF
VO
USBOTJTUPS
TB
UVSBEP
%VSBOUF
FM
BQBHBEP
FTUB
DBSHB
FYUSB
TF
FMJNJOB
QSJNFSP
FO
FM
UJFNQP
ts
Z
FM
QFSGJM
EF
MB

DBSHB
DBNCJB
EF
a
B
c
DPNP
TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
FM
QFSGJM

EF
MB
DBSHB
EFDSFDF
B
QBSUJS
EFM
QFSGJM
c
IBTUB
RVF
TF
FMJNJOBO
UPEBT
MBT
DBSHBT

Emisor Base Colector

b
Almacenamiento
de carta
d c

(a) Almacenamiento (b) Perfil de la carga

de carga en la base durante el apagado

FIGURA 4.34
"MNBDFOBNJFOUP
EF
DBSHB
FO
USBOTJTUPSFT
CJQPMBSFT

164 Capítulo 4 Transistores de potencia

&M
UJFNQP
EF
FODFOEJEP
tn
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
td
Z
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB
tr
tn = td + tr

FM
UJFNQP
EF
BQBHBEP
to
FT
MB
TVNB
EFM
UJFNQP
EF
BMNBDFOBNJFOUP
ts
Z
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
tf

to = ts + tf

Ejemplo 4.2 Cómo determinar la pérdida por conmutación de un transistor

-BT
GPSNBT
EF
POEB
EFM
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
EF
MB
GJHVSB

TF
NVFTUSBO
FO
MB
GJHVSB

-PT
QBSÃNF
USPT
TPO
VCC =

7
VBE TBU
=

7
IB =

"
VCS TBU
=

7
ICS =

"
td =

μT
tr =

μT
ts =

μT

tf =

μT
Z
fs =

L)[
&M
UJFNQP
EF
USBCBKP
FT
k =

-B
DPSSJFOUF
EF
GVHB
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
FT

ICEO =

N"
%FUFSNJOF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QPS
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
B

EVSBOUF
FM
FODFOEJEP

tPO = td + tr
C

EVSBOUF
FM
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO
tn
D

EVSBOUF
FM
BQBHBEP
to = ts + tf
E

EVSBOUF
FM

UJFNQP
EF
JOBDUJWJEBE
to
Z
F

QÊSEJEBT
EF
QPUFODJB
UPUBMFT
QSPNFEJP
PT
G

5SBDF
MB
HSÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB

EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
Pc(t


Solución
T =
fs =

μT
k =

kT = td + tr + tn =

μT
tn =

−

−

=

μT

− k) T = ts + tf + to =

μT
Z
to =

−

−

=

μT

vCE
VCC

VCE(sat)
0 t
ton toff
iC ICS
0.9 ICS

ICEO
0 t
td tr tn ts tf to

iB
IBs

0 t
T ⫽ 1/fs

vBE
VBE(sat)

0 t

FIGURA 4.35
'PSNBT
EF
POEB
EF
VO
USBOTJTUPS
JOUFSSVQUPS
 4.6 Transistores bipolares de unión 165

a.
%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP

≤ t ≤ td

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC

-B
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC

= 3 × 10−3 × 250 = 0.75 W

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF
SFUSBTP
FT

t
P 1 t2 dt = ICEO VCC t d fs
d
1
Pd =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 0.5 × 10−6 × 10 × 103 = 3.75 mW


%VSBOUF
FM
UJFNQP
EF
TVCJEB

≤ t ≤ tr

ic 1 t2 =
ICS
t
tr

vCE 1 t2 = VCC + 1 VCE1 sat2 − VCC2

t
tr

Pc 1 t2 = ic vCE = ICS c VCC + 1 VCE 1 sat2 − VCC 2 d

t t


tr tr

-B
QPUFODJB
Pc(t

FT
NÃYJNB
DVBOEP
t = tm
EPOEF

t r VCC
tm =


2[VCC − VCE 1 sat2 ]

250
=1× = 0.504 μs
21 250 − 22

Z
MB
FDVBDJÓO


EF
MB
QPUFODJB
QJDP

V 2CC ICS

Pp =


4[VCC − VCE1 sat2 ]

100
= 2502 × = 6300 W
41 250 − 22
tr VCE1 sat2 − VCC
Pc 1 t2 dt = fs ICS t r c d
1 VCC
Pr = +


T L0 2 3

2 − 250
= 10 × 103 × 100 × 1 × 10−6 c d = 42.33 W
250
+
2 3

-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
FODFOEJEP
FT

Pon = Pd + Pr


= 0.00375 + 42.33 = 42.33 W

166 Capítulo 4 Transistores de potencia

b.
&M
QFSJPEP
EF
DPOEVDDJÓO

≤ t ≤ tn

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t n fs
n
1
Pn =


T L0 c
= 2 × 100 × 48.5 × 10−6 × 10 × 103 = 97 W

c.
&M
QFSJPEP
EF
BMNBDFOBNJFOUP

≤ t ≤ ts

ic 1 t2 = ICS
vCE 1 t2 = VCE1 sat2
Pc 1 t2 = ic vCE = VCE1 sat2 ICS
= 2 × 100 = 200 W
t
P 1 t2 dt = VCE1 sat2 ICS t s fs
s
1
Ps =


T L0 c
= 2 × 100 × 5 × 10−6 × 10 × 103 = 10 W

&M
UJFNQP
EF
DBÎEB

≤ t ≤ tf

ic 1 t2 = ICS a1 − b, ignorando ICEO

t
tf

vCE 1 t2 =
VCC
t, ignorando ICEO


tf

Pc 1 t2 = ic vCE = VCC ICS J ¢1 − ≤ d

t t
tf tf

&TUB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
UJFNQP
EF
DBÎEB
FT
NÃYJNB
DVBOEP
t = tf
=

μT
Z
MB

FDVBDJÓO


EB
MB
QPUFODJB
QJDP

VCC ICS

Pm =


4
100
= 250 × = 6250 W
4
tf VCC ICS t f fs
Pc 1 t2 dt =
1
Pf =


T L0 6
250 × 100 × 3 × 10−6 × 10 × 103
= = 125 W
6

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FT

VCC t f
Poff = Ps + Pf = ICS fs at s VCE1 sat2 + b


6
= 10 + 125 = 135 W
 4.6 Transistores bipolares de unión 167

P(t) 6300 6250

6300

200

0.75
0 t
td tr tn ts tf
2
tf

FIGURA 4.36
(SÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFM
FKFNQMP


d.
1FSJPEP
EF
JOBDUJWJEBE

≤ t ≤ t0

ic 1 t2 = ICEO
vCE 1 t2 = VCC
Pc 1 t2 = ic vCE = ICEO VCC


−3
= 3 × 10 × 250 = 0.75 W
to
P 1 t2 dt = ICEO VCC t o fs
1
P0 =
T L0 c
= 3 × 10−3 × 250 × 42 × 10−6 × 10 × 103 = 0.315 W

e.
-B
QÊSEJEB
UPUBM
EF
QPUFODJB
FO
FM
USBOTJTUPS
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FT

PT = Pon + Pn + Poff + P0


= 42.33 + 97 + 135 + 0.315 = 274.65 W

f.
-B
GJHVSB

NVFTUSB
MB
HSÃGJDB
EF
MB
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB

Nota:
-BT
QÊSEJEBT
QPS
DPONVUBDJÓO
EVSBOUF
MB
USBOTJDJÓO
EFM
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
BM

FTUBEP
EF
BQBHBEP
Z
WJDFWFSTB
TPO
NVDIBT
NÃT
RVF
MBT
QÊSEJEBT
FO
FTUBEP
EF
FODFOEJEP
&M

USBOTJTUPS
EFCF
FTUBS
QSPUFHJEP
DPOUSB
SVQUVSBT
EFCJEP
B
VOB
BMUB
UFNQFSBUVSB
FO
MB
VOJÓO

Ejemplo 4.3 Cómo determinar la pérdida de excitación de base de un transistor

$PO
MPT
QBSÃNFUSPT
EFM
FKFNQMP

DBMDVMF
MB
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF

CBTF

Solución
VBE1 sat 2 = 3 V, IB = 8 A, T = 1/fs = 100 μs, k = 0.5, kT = 50 μs, t d = 0.5 μs, t r = 1 μs,
t n = 50 − 1.5 = 48.5 μs, t s = 5 μs, t f = 3 μs, t on = t d + t r = 1.5 μs, y t off = t s + t f = 5 +
3 = 8 μs.
168 Capítulo 4 Transistores de potencia

%VSBOUF
FM
QFSJPEP

≤ t ≤ (tPO + tn



ib 1 t2 = IBS
vBE 1 t2 = VBE1 sat2

-B
QPUFODJB
JOTUBOUÃOFB
EFCJEP
B
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
FT

Pb 1 t2 = ib vBE = IBS VBS1 sat2
= 8 × 3 = 24 W
%VSBOUF
FM
QFSJPEP

≤ t ≤ to (T − tPO − tn − ts − tf
Pb(t) =

-B
QÊSEJEB
EF
QPUFODJB
QSPNFEJP
FT

PB = IBS VBE1 sat2 1 t on + t n + t s + t f 2 fs


= 8 × 3 × 1 1.5 + 48.5 + 5 + 32 × 10 −6
× 10 × 10 = 13.92 W
3

Nota
$PNP
MB
DPSSJFOUF
EF
DPNQVFSUB
EF
VO
.04'&5
FT
JOTJHOJGJDBOUF
MB
QÊSEJEB
EF

FYDJUBDJÓO
EF
MB
DPNQVFSUB
EF
VO
.04'&5
EF
QPUFODJB
FT
JOTJHOJGJDBOUFNFOUF
QFRVFÒB

4.6.3 Límites de conmutación

Segunda ruptura (SB). "M
GFOÓNFOP
EFTUSVDUJWP
DBVTBEP
QPS
FM
GMVKP
EF
DPSSJFOUF
IBDJB

VOB
QFRVFÒB
QBSUF
EF
MB
CBTF
RVF
QSPEVDF
QVOUPT
DBMJFOUFT
MPDBMJ[BEPT
TF
MF
DPOPDF
DPNP
4#
P

TFHVOEB
SVQUVSB
4J
MB
FOFSHÎB
FO
FTUPT
QVOUPT
DBMJFOUFT
FT
CBTUBOUF
FM
DBMFOUBNJFOUP
FYDFTJWP

MPDBMJ[BEP
QVFEF
EBÒBS
FM
USBOTJTUPS
1PS
DPOTJHVJFOUF
MB
TFHVOEB
SVQUVSB
FT
QSPWPDBEB
QPS
VOB

BWBMBODIB
UÊSNJDB
MPDBMJ[BEB
B
DBVTB
EF
BMUBT
DPODFOUSBDJPOFT
EF
DPSSJFOUF
-B
DPODFOUSBDJÓO

EF
DPSSJFOUF
QVFEF
EFCFSTF
B
EFGFDUPT
FO
MB
FTUSVDUVSB
EFM
USBOTJTUPS
-B
4#
PDVSSF
DPO
DJFSUBT

DPNCJOBDJPOFT
EF
WPMUBKF
DPSSJFOUF
Z
UJFNQP
%BEP
RVF
FM
UJFNQP
JOUFSWJFOF
MB
TFHVOEB
SVQ
UVSB
FT
CÃTJDBNFOUF
VO
GFOÓNFOP
RVF
EFQFOEF
EF
MB
FOFSHÎB

Área de operación segura polarizada en sentido directo (FBSOA). %VSBOUF
FM
FODFO

EJEP
Z
FO
DPOEJDJPOFT
EF
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
MB
UFNQFSBUVSB
QSPNFEJP
FO
MB
VOJÓO
Z
FM
MÎNJUF

EF
TFHVOEB
SVQUVSB
MJNJUBO
MB
DBQBDJEBE
EF
NBOFKP
EF
QPUFODJB
EF
VO
USBOTJTUPS
-PT
GBCSJDBO
UFT
TVFMFO
QSPQPSDJPOBS
MBT
DVSWBT
EF
'#40"
FO
DPOEJDJPOFT
EF
QSVFCB
FTQFDÎGJDBT
&M
ÃSFB
EF

PQFSBDJÓO
TFHVSB
QPMBSJ[BEB
FO
TFOUJEP
EJSFDUP
JOEJDB
MPT
MÎNJUFT
ic − vCE
EFM
USBOTJTUPS
QBSB

VOB
PQFSBDJÓO
DPOGJBCMF
FM
USBOTJTUPS
OP
EFCF
TPNFUFSTF
B
VOB
EJTJQBDJÓO
EF
QPUFODJB
NBZPS

RVF
MB
NPTUSBEB
QPS
MB
DVSWB
'#40"

Área de operación segura polarizada a la inversa (RBSOA). %VSBOUF
FM
BQBHBEP
FM

USBOTJTUPS
EFCF
NBOUFOFS
VOB
BMUB
DPSSJFOUF
Z
VO
BMUP
WPMUBKF
FO
MB
NBZPSÎB
EF
MPT
DBTPT
DPO
MB

VOJÓO
CBTF
B
FNJTPS
QPMBSJ[BEB
B
MB
JOWFSTB
&M
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS
B
FNJTPS
EFCF
NBOUFOFSTF

B
VO
OJWFM
TFHVSP
B
P
QPS
EFCBKP
EF
VO
WBMPS
FTQFDJGJDBEP
EF
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
-PT
GBC
SJDBOUFT
QSPQPSDJPOBO
MPT
MÎNJUFT
IC − VCE
EVSBOUF
FM
BQBHBEP
FO
QPMBSJ[BDJÓO
JOWFSTB
DPNP

3#40"

Voltajes de ruptura. 6O
voltaje de ruptura
TF
EFGJOF
DPNP
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
BCTPMVUP

FOUSF
EPT
UFSNJOBMFT
DPO
MB
UFSDFSB
UFSNJOBM
BCJFSUB
FO
DPSUPDJSDVJUP
P
QPMBSJ[BEB
FO
EJSFDDJÓO

EJSFDUB
P
JOWFSTB
&O
VOB
SVQUVSB
FM
WPMUBKF
QFSNBOFDF
SFMBUJWBNFOUF
DPOTUBOUF
FO
UBOUP
RVF
MB

DPSSJFOUF
TVCF
DPO
SBQJEF[
-PT
GBCSJDBOUFT
DJUBO
MPT
TJHVJFOUFT
WPMUBKFT
EF
SVQUVSB

VEBO
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
FOUSF
MB
UFSNJOBM
FNJTPS
Z
MB
UFSNJOBM
CBTF
DPO
MB
UFSNJOBM
DPMFD
UPS
BCJFSUB
 4.6 Transistores bipolares de unión 169

IC IC
LC
ICS C B
D
sw ⫹
RB RC
⫹ VCE ⫹ Carga
VB VCC resistiva
⫺ ⫺ ⫺ pura
A
0 VCE
VCC VCE(sus)
(a) Circuito de prueba (b) Líneas de carga

FIGURA 4.37
-ÎOFBT
EF
DBSHB
EF
FODFOEJEP
Z
BQBHBEP

VCEV
P
VCEX
FM
WPMUBKF
NÃYJNP
FOUSF
MB
UFSNJOBM
DPMFDUPS
Z
MB
UFSNJOBM
FNJTPS
B
VO
WPM
UBKF
OFHBUJWP
FTQFDJGJDBEP
BQMJDBEP
FOUSF
MB
CBTF
Z
FM
FNJTPS

VCEO 464

&M
WPMUBKF
NÃYJNP
EF
TVTUFOUBDJÓO
FOUSF
MB
UFSNJOBM
DPMFDUPS
Z
MB
UFSNJOBM

FNJTPS
DPO
MB
CBTF
BCJFSUB
&TUF
WBMPS
TF
FTQFDJGJDB
DPNP
MB
DPSSJFOUF
Z
WPMUBKF
EF
DPMFDUPS

NÃYJNPT
RVF
BQBSFDFO
TJNVMUÃOFBNFOUF
B
USBWÊT
EFM
EJTQPTJUJWP
DPO
VO
WBMPS
FTQFDÎGJDP

EF
JOEVDUBODJB
EF
DBSHB

$POTJEFSFNPT
FM
DJSDVJUP
EF
MB
GJHVSB
B
$VBOEP
FM
JOUFSSVQUPS
48
TF
DJFSSB
MB
DP
SSJFOUF
EF
DPMFDUPS
TF
JODSFNFOUB
Z
EFTQVÊT
EF
VO
USBOTJUPSJP
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
FO
FTUBEP

FTUBCMF
FT
ICS = (VCC − VCE TBU
)/RC
1BSB
VOB
DBSHB
JOEVDUJWB
MB
MÎOFB
EF
DBSHB
TFSÎB
MB
USB
ZFDUPSJB
ABC
EF
MB
GJHVSB
C
4J
FM
JOUFSSVQUPS
TF
BCSF
QBSB
FMJNJOBS
MB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
MB

DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DPNJFO[B
B
DBFS
Z
TF
JOEVDF
VO
WPMUBKF
L(di/dt

B
USBWÊT
EFM
JOEVDUPS
RVF

TF
PQPOF
B
MB
SFEVDDJÓO
EF
DPSSJFOUF
Z
FM
USBOTJTUPS
TF
WF
TPNFUJEP
B
VO
WPMUBKF
USBOTJUPSJP
4J

FTUF
WPMUBKF
BMDBO[B
FM
OJWFM
EF
WPMUBKF
EF
TVTUFOUBDJÓO
FM
WPMUBKF
EFM
DPMFDUPS
QFSNBOFDF
BQSPYJ
NBEBNFOUF
DPOTUBOUF
Z
MB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
DBF
EFTQVÊT
EF
VO
CSFWF
UJFNQP
FM
USBOTJTUPS

RVFEB
FO
FTUBEP
JOBDUJWP
-B
GJHVSB
C
QSFTFOUB
MB
MÎOFB
EF
DBSHB
EF
BQBHBEP
JOEJDBEB
QPS
MB

USBZFDUPSJB
CDA

4.6.4 BJTs de carburo de silicio

"M
JHVBM
RVF
MPT
#+5
EF
4J
FM
#+5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP
CJQPMBS
RVF
QPS
MP
DPNÙO
TF

FODVFOUSB
FO
FTUBEP
EF
BQBHBEP
FM
DVBM
DPNCJOB
UBOUP
VOB
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP

EF
DPOEVDDJÓO

7
B

"DN 
<>
DPNP
VO
EFTFNQFÒP
EF
DPONVUBDJÓO
CBTUBOUF
SÃ
QJEB
-B
CBKB
DBÎEB
EF
WPMUBKF
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
TF
PCUJFOF
EFCJEP
B
MB
DBODFMBDJÓO

EF
MBT
VOJPOFT
CBTFFNJTPS
Z
CBTFDPMFDUPS
4JO
FNCBSHP
FM
#+5
EF
4J$
FT
VO
EJTQPTJUJWP

DPOUSPMBEP
QPS
DPSSJFOUF
FT
EFDJS
RVF
TF
SFRVJFSF
VOB
DPSSJFOUF
EF
CBTF
TVTUBODJBM
DPOUJ
OVB
NJFOUSBT
DPOEVDF
VOB
DPSSJFOUF
EF
DPMFDUPS
-PT
#+5
EF
4J$
TPO
NVZ
BUSBDUJWPT
QBSB

BQMJDBDJPOFT
EF
DPONVUBDJÓO
EF
QPUFODJB
EFCJEP
B
TV
QPUFODJBM
EF
NVZ
CBKBT
SFTJTUFODJBT

FTQFDÎGJDBT
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
Z
EF
PQFSBDJÓO
B
BMUB
UFNQFSBUVSB
DPO
BMUBT
EFOTJEBEFT

EF
QPUFODJB
<

>
1BSB
MPT
#+5
EF
4J$
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
EF
FNJTPS
DPNÙO
β


MB
SFTJTUFODJB
FTQFDÎGJDB
RPO

Z
FM
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
TPO
JNQPSUBOUFT
QBSB
PQUJNJ[BS
MB

DPNQFUFODJB
DPO
MPT
EJTQPTJUJWPT
EF
QPUFODJB
B
CBTF
EF
TJMJDJP
4F
IB
EFEJDBEP
VO
DVBOUJPTP

USBCBKP
QBSB
NFKPSBS
FM
EFTFNQFÒP
EF
MPT
#+5
EF
4J$
170 Capítulo 4 Transistores de potencia

WE
Rc-emisor
Terminación de Emisor SiO2 E
alto voltaje Rc-base
JTE Base ND = 5 × 10+19 cm–3 g Base
Emisor B
100
+
μm
n VBE Base
p+ p+
p– NA = 4 × 1017 cm–3 , 700 μm
p+ p+ VBC Rc
JTE JTE Colector
n– ND = 4 × 1015 cm–3, 15 μm
VCE =
Rsub
n+, 4H-SiC VBE VBC Sustrato
Sustrato n+
C
Rc-colector
Colector
(a) Corte transversal (b) Resistencia en estado de conducción

FIGURA 4.38
7JTUB
EF
DPSUF
USBOTWFSTBM
EFM
EJTQPTJUJWP
#+5
)4J$

-PT
#+5
EF
4J$
EJTQPOJCMFT
UJFOFO
VOB
DBQBDJEBE
EF
WPMUBKF
EF

L7
Z
DBQBDJEBEFT
EF

DPSSJFOUF
FO
FM
SBOHP
EF

B

"
DPO
HBOBODJBT
EF
DPSSJFOUF
EF
NÃT
EF

B
UFNQFSBUVSB
BN
CJFOUF
QBSB
VO
EJTQPTJUJWP
EF

"
<>
4JO
FNCBSHP
MB
HBOBODJB
EF
DPSSJFOUF
EFQFOEF
FO
HSBO

NFEJEB
EF
MB
UFNQFSBUVSB
Z
FO
QBSUJDVMBS
DBF
NÃT
EF

B
°$
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MB
UFN
QFSBUVSB
BNCJFOUF
&M
EFTBSSPMMP
EF
#+5T
EF
4J$
IB
TJEP
FYJUPTP
Z
B
QFTBS
EF
MB
OFDFTJEBE
EF
MB

DPSSJFOUF
EF
CBTF
MPT
#+5
EF
4J$
PGSFDFO
VO
EFTFNQFÒP
DPNQFUJUJWP
FO
FM
SBOHP
EF
LJMPWPMUT

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
VO
#+5
/1/
EF
4J$
<>
-B
FYUFOTJÓO
EF
UFSNJOBDJÓO
EF
VOJÓO

+5&

FYIJCF
VO
BMUP
WPMUBKF
EF
SVQUVSB
FO
DPNQBSBDJÓO
DPO
MPT
#+5T
EF
4J$
-B
GJHVSB
C

NVFTUSB
FM
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF
EF
SFTJTUFODJB
FO
FTUBEP
EF
DPOEVDDJÓO
<>
-B
FTUSVDUVSB
EJ
NFOTJPOFT
Z
DPODFOUSBDJPOFT
EF
MBT
DBQBT
n+
Z
p+ EFUFSNJOBSÃO
MBT
DBSBDUFSÎTUJDBT
EFM
#+5

DPNP
DBQBDJEBEFT
EF
WPMUBKF
Z
DPSSJFOUF

4.7 IGBTs
6O
*(#5
DPNCJOB
MBT
WFOUBKBT
EF
MPT
#+5
Z
MPT
.04'&5
6O
*(#5
UJFOF
BMUB
JNQFEBODJB
EF

FOUSBEB
DPNP
MPT
.04'&5
Z
CBKBT
QÊSEJEBT
QPS
DPOEVDDJÓO
FO
FTUBEP
BDUJWP
DPNP
MPT
#+5

4JO
FNCBSHP
OP
UJFOF
FM
QSPCMFNB
EF
TFHVOEB
SVQUVSB
DPNP
MPT
#+5
1PS
FM
EJTFÒP
Z
FTUSVD
UVSB
EFM
NJDSPDJSDVJUP
chip

MB
SFTJTUFODJB
FRVJWBMFOUF
EF
ESFOBKF
B
GVFOUF
RDS
TF
DPOUSPMB

QBSB
RVF
TF
DPNQPSUF
DPNP
MB
EF
VO
#+5
<>

&O
MB
GJHVSB
B
TF
NVFTUSB
MB
TFDDJÓO
USBOTWFSTBM
EF
MB
FTUSVDUVSB
EF
TJMJDJP
EF
VO
*(#5

MB
DVBM
FT
JEÊOUJDB
B
MB
EF
VO
.04'&5
FYDFQUP
QPS
FM
TVTUSBUP
p+
/P
PCTUBOUF
FM
EFTFNQFÒP

EF
VO
*(#5
TF
QBSFDF
NÃT
BM
EF
VO
#+5
RVF
BM
EF
VO
.04'&5
&TUP
TF
EFCF
BM
TVTUSBUP
p+
FM

DVBM
FT
SFTQPOTBCMF
EF
JOZFDUBS
QPSUBEPSFT
NJOPSJUBSJPT
FO
MB
SFHJÓO
n
&M
DJSDVJUP
FRVJWBMFOUF

TF
NVFTUSB
FO
MB
GJHVSB
C
RVF
TF
QVFEF
TJNQMJGJDBS
DPNP
FM
EF
MB
GJHVSB
D
6O
*(#5
TF

DPOTUSVZF
DPO
DVBUSP
DBQBT
BMUFSOBT
PNPN
Z
QPESÎB
FOHBODIBS
DPNP
VO
UJSJTUPS
TJ
TF
DVNQMF

MB
DPOEJDJÓO
OFDFTBSJB
αnpn + αpnp) >

-B
DBQB
JOUFSNFEJB
n+
Z
MB
BODIB
CBTF
FQJUBYJBM

SFEVDFO
MB
HBOBODJB
EF
MB
UFSNJOBM
NPN
NFEJBOUF
EJTFÒP
JOUFSOP
DPO
MP
DVBM
TF
FWJUB
FM
FOHBO
DIF
-PT
*(#5
UJFOFO
EPT
FTUSVDUVSBT
EF
QFSGPSBDJÓO
15

Z
EF
OP
QFSGPSBDJÓO
/15

&O

MB
FTUSVDUVSB
*(#5
EF
QFSGPSBDJÓO
FM
UJFNQP
EF
DPONVUBDJÓO
TF
SFEVDF
DPO
FM
VTP
EF
VOB
DBQB

JOUFSNFEJB
n
BMUBNFOUF
EPQBEB
FO
MB
SFHJÓO
EF
EFSJWB
DFSDB
EFM
DPMFDUPS
&O
MB
FTUSVDUVSB
/15

MPT
QPSUBEPSFT
UJFOFO
VOB
WJEB
NÃT
MBSHB
RVF
FO
MB
FTUSVDUVSB
15
MP
RVF
PDBTJPOB
NPEVMBDJÓO

 4.7 IGBTs 171

Colector

Sustrato p⫹

Capa intermedia n⫹

epi n⫺

p⫹
p p

n⫹ p⫺ n⫹

Compuerta Compuerta

Emisor
(a) Corte transversal

C C

RMOD RMOD
PNP PNP

NPN
G G RBE

RBE