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CAPÍTULO 24 RESUMEN

Alambre Placa a, área A

Capacitores y capacitancia: Un capacitor es cualquier par Q
C = (24.1)
de conductores separados por un material aislante. Cuando Vab
el capacitor está cargado, hay cargas de igual magnitud Q y 1Q
signo opuesto en los dos conductores, y el potencial Vab del Q A
conductor con carga positiva con respecto al que tiene carga C = = P0 (24.2) 2Q d
Vab d
negativa es proporcional a Q. La capacitancia C se define Alambre
como la razón entre Q y Vab. La unidad del SI para la capa- Placa b, área A
Diferencia
citancia es el farad (F): 1 F = 1 C兾V. de potencial 5 Vab
Un capacitor de placas paralelas consiste en dos placas
conductoras paralelas, cada una con área A, separadas por
una distancia d. Si están separadas por vacío, la capacitan-
cia solo depende de A y d. Para otras geometrías, la capaci-
tancia se obtiene a partir de la definición C = Q兾Vab.
(Véase los ejemplos 24.1 a 24.4).

Capacitores en serie y en paralelo: Cuando se conectan 1 1 1 1 a

= + + + Á 1Q
en serie capacitores con capacitancias C1, C2, C3, …, el Ceq C1 C2 C3 2Q
++ ++
C1 Vac 5 V1
(24.5)
recíproco de la capacitancia equivalente Ceq es igual a la (capacitores en serie) Vab 5 V c
suma de los recíprocos de las capacitancias individuales. 1Q ++ ++
C2 Vcb 5 V2
2Q
Cuando los capacitores se conectan en paralelo, la capaci-
tancia equivalente Ceq es igual a la suma de las capacitan- Ceq = C1 + C2 + C3 + Á b
(24.7)
cias individuales. (Véase los ejemplos 24.5 y 24.6). (capacitores en paralelo) a

++ ++ + +
Vab 5 V C1 Q1 C2 Q2

Energía en un capacitor: La energía U que se requiere para Q2 1Q + + + + + +

cargar un capacitor C a una diferencia de potencial V y carga U = = 12 CV 2 = 12 QV (24.9) S
2C E
Q, es igual a la energía almacenada en el capacitor. Esta V
energía se puede considerar como si residiera en el campo 1 2
u = 2 P0 E (24.11)
2Q – – – – – –
eléctrico entre los conductores; la densidad de energía u
(energía por unidad de volumen) es proporcional al cuadra-
do de la magnitud del campo eléctrico. (Véase los ejemplos
24.7 a 24.9).

Dieléctricos: Cuando el espacio entre conductores está ocu- A A Dieléctrico entre las placas
C = KC0 = KP0 = P
pado por un material dieléctrico, la capacitancia se incremen- d d s 2s
2si si
ta en un factor K, llamado constante dieléctrica del material. (capacitor de placas paralelas + –
La cantidad P = KP0 se llama permitividad del dieléctrico. con un dieléctrico) (24.19) +– +–
Para una cantidad fija de carga en las placas del capacitor, las + –
+– +–
cargas inducidas en la superficie del dieléctrico disminuyen u = 12 KP0 E 2 = 12 PE 2 (24.20) + –
el campo eléctrico y la diferencia de potencial entre las placas +– +–
en el mismo factor K. La carga superficial proviene de la Qenc-libre + –
polarización, que es el reacomodo microscópico de la carga
S
#
KE dA =
S
(24.23) +– +–
en el dieléctrico. (Véase el ejemplo 24.10). C P0 s
2si si
2s
Bajo la influencia de campos eléctricos suficientemente
intensos, los dieléctricos se vuelven conductores, una situa-
ción que se conoce como ruptura del dieléctrico. El campo
máximo que un material puede soportar sin sufrir ruptura
se llama rigidez dieléctrica.
En un dieléctrico la expresión para la densidad de ener-
gía es la misma que en el vacío, pero sustituyendo P0 por
P = KP. (Véase el ejemplo 24.11).
La ley de Gauss en un dieléctrico tiene casi la Smisma
forma que S en el vacío, con dos diferencias clave: E se susti-
tuye por KE y Qenc se sustituye por Qenc-libre, que incluye
solo la carga libre (no la ligada) encerrada por la superficie
gaussiana. (Véase el ejemplo 24.12).

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CAPÍTULO 25 RESUMEN

Corriente y densidad de corriente: Corriente es la cantidad de dQ I

carga que fluye a través de un área específica, por unidad I = = n ƒ q ƒ vd A (25.2) S S
dt vd vd
de tiempo. La unidad del SI para la corriente es el ampere
S S S
(1 A = 1 C兾s). La corriente I a través de un área A depende S vd vd
J ⴝ nqvd E
S
(25.4)
de la concentración n y la carga q de los portadores de carga, S S
S vd vd
así como de la magnitud de su velocidad de arrastre vd .
La densidad de corriente es la corriente por unidad de área
de la sección transversal. La corriente se describe conven-
cionalmente en términos de un flujo de carga positiva, aun
cuando los portadores de carga real sean negativos o de
ambos signos. (Véase el ejemplo 25.1).

Resistividad: La resistividad r de un material es el cociente E r

r = (25.5)
de las magnitudes del campo eléctrico y la densidad de J
corriente. Los buenos conductores tienen poca resistividad;
los buenos aislantes tienen alta resistividad. La ley de Ohm, r1T2 = r0 31 + a1T - T024 (25.6) r0
Pendiente 5 r0a
que cumplen de forma aproximada muchos materiales, es-
tablece que r es una constante independiente del valor de
T
E. La resistividad por lo general se incrementa con la tem- O T0
peratura; para cambios pequeños de temperatura, esta varia- Metal: r aumenta con el
ción queda representada aproximadamente por la ecuación incremento de T.
(25.6), donde a es el coeficiente de temperatura de la
resistividad.

Resistores: La diferencia de potencial V a través de una V = IR (25.11) Menor

potencial
muestra de material que cumple la ley de Ohm es propor-
cional a la corriente I a través de la muestra. La razón rL Mayor
R = (25.10) L
V兾I = R es la resistencia de la muestra. La unidad del SI A potencial
S I
para la resistencia es el ohm (1 ⍀ = 1 V兾A). La resistencia E S
J
de un conductor cilíndrico se relaciona con su resistividad r, I V
A
longitud L y área de sección transversal A. (Véase los
ejemplos 25.2 y 25.3).

Circuitos y fem: Un circuito completo tiene una trayectoria Vab = E - Ir (25.15) Vab 5 Va⬘b⬘
continua por la que circula corriente. Un circuito completo (fuente con resistencia interna) V
que lleva una corriente constante debe contener una fuente
a + b
de fuerza electromotriz (fem) E. La unidad del SI para la
fuerza electromotriz es el volt (1 V). Cualquier fuente real I r 5 2 V, E 5 12 V A I
de fem tiene, en cierta medida, una resistencia interna r,
por consiguiente, la diferencia de potencial terminal Vab a⬘ R 5 4V b⬘
depende de la corriente. (Véase los ejemplos 25.4 a 25.7).

Energía y potencia en los circuitos: Un elemento de circuito P = Vab I (25.17) Va Vb

con diferencia de potencial Va - Vb = Vab y corriente I intro- (elemento general de circuito) Elemento
duce energía al circuito, cuando la dirección de la corriente I del circuito I
es del menor potencial al mayor en el dispositivo, y extrae 2V ab2 a b
energía del circuito si la corriente es la opuesta. La potencia P = Vab I = I R = (25.18)
R
P es igual al producto de la diferencia de potencial por la (potencia que entra en un resistor)
corriente. Un resistor siempre extrae energía eléctrica de
un circuito. (Véase los ejemplos 25.8 a 25.10).

Conducción en los metales: Los fundamentos microscópicos de la conducción en los metales es el movi-
S
miento de los electrones que se desplazan con libertad por el cristal metálico, rebotando con los núcleos E
iónicos del cristal. En un modelo clásico aproximado de este movimiento, la resistividad del material se Desplazamiento
relaciona con la masa y la carga del electrón, la rapidez del movimiento aleatorio y la densidad de los neto
electrones, y el tiempo libre medio entre las colisiones. (Véase el ejemplo 25.11).

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