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1.

Formalismo de Landauer

Para calcular la conductividad G utilizamos el formalismo de Landauer, que relaciona
la conductancia con la probabilidad de transmisión total

2e2
G(EF ) = TG (EF ) (1)

donde Z  
∂f
TG (EF ) = T (E) − dE (2)
∂E
T (E) es la transmisión del dispositivo y f (E) = 1/(1+e(E−EF )/kT ) es la finción de distribu-
ción de Fermi. A bajas temperaturas −∂f /∂E ≈ δ(E−EF ), de modo que TG (EF ) = T (EF )
y
2e2
G(EF ) = T (EF ) (3)

Para efectos de la simulación consideraremos que el dispositivo consta de N 2 átomos,
distribuidos en la red de ladrillo, de modo que existen N atomos en el eje x y N átomos
en el eje y. Los contactos serán considerados como una red cuadrada de 3 átomos en el eje
x y N átomos en el eje y, de modo que cada contacto tiene 3N átomos.

Para calcular la transmisión T (E) usamos tight-binding y el formalismo de NEGF.
En general el sistema puede ser dividido en tres partes conductor izquierdo, dispositivo
y condcutor derecho, donde los conductores izquierdo y derecho se asumen semi-infinitas
y no entran directamente en contacto.
La matriz hamiltoniana se escribe como
 
HL HLD 0
 
H=
 H DL H D H DR

 (4)
0 HRD HR
cuyos elementos son −t para los primeros vecinos y 0 en otros casos.
El hamiltoniano HD es una matriz cuadrada de dimensión N 2 × N 2 , siendo N 2 el
número de átomos en el dispositivo,
HL.R son los Hamiltonianos de los conductores izquierdo y derecho respectivamente,
dado por matrices cuadradas de dimensión 3N × 3N .

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R ) (8) La transmisión T es dado por T (E) = T r(ΓL GD ΓR G†D ) (9) 2 . y son representados por matrices de dimensión N 2 × 3N o 3N × N 2 .R − L. HDR y HRD . † X X ΓL. (7). Ası́ X X −1 GD (E) = (EI − HD − L − R) (7) donde las autoenergı́as X L ≡ HDL GL HLD X R ≡ HDR GR HRD siendo GL y GR la función de green de los contactos izquierdo y derecho. Ası́ G(E) = (EI − H)−1 (6) G y H son para el sistema completo y tiene dimensión infinita. La NEGF G(E) es definido por (EI − H)G(E) = I. HDL . Los acoplamientos entre el dispositivo y los conductores son dados por las matrices HLD . Las matrices de acoplamiento ΓL (E) y ΓR (E) son la diferencia entre las autoenergı́as avanzadas y retardadas causadas por el acoplamiento de los contactos. (5) donde I es la matriz identidad. que se calculan utilizando la Ec. Para calcular la función de green del dispositivo. los efectos de los contactos pueden P P ser tratados como autoenergı́as: L y R de los contactos izquierdo y derecho respecti- vamente.R = i( L.