Practica 1: El Diodo Semiconductor, Principio de

Funcionamiento
Jorge E. Cárdenas, Mateo E. Moscoso y Jorge Sánchez

Resumen — Con los conceptos básicos de circuitos

eléctricos, nos adentramos en el estudio de componentes
electrónicos, como es el caso del diodo. A lo largo de la
práctica se logra comprobar y entender el principio de
funcionamiento del mismo, a la par que se analizan varias
posibles aplicaciones1.

Términos para indexación — Diodo semiconductor, Voltaje

Zener.

I. OBJETIVOS
Generales:
 Entender el principio de funcionamiento de un diodo Fig. 1. Distribución interna de la carga en condiciones de
semiconductor. polarización en inversa
Específicos:
 Entender e interpretar el catálogo u hojas Polarización en Directa: También conocida como
características para un diodo semiconductor. “encendido”, para realizar esta polarización debemos aplicar un
 Interpretar la gráfica trazada con los datos obtenidos potencial positivo al material tipo p y un potencial negativo al
para un diodo semiconductor. material tipo n, esto reducirá el ancho de la región de
 Simular el circuito para comprobar el funcionamiento empobrecimiento, si se aumenta la magnitud de polarización
de un diodo semiconductor, a través de un software.
aplicada la corriente puede circular con mayor facilidad por la
región empobrecimiento, lo cual permite el paso de la corriente.
II. SUSTENTO TEÓRICO
El diodo semiconductor se crea a partir de la unión de dos
materiales, un tipo n (cátodo) y un tipo p (ánodo). Los cuales
poseen la capacidad de portar mayoritariamente electrones y
portar mayoritariamente de huecos respectivamente. Existen
tres tipos de polarización del diodo.

Polarización en Inversa: Aplicamos un potencial a la union

p-n con la terminal positiva conectada al material tipo n y la
negativa al material tipo p, la region de empobrecimiento
aumentara impidiendo asi el flujo de corriente atraves del
diodo, la corriente en polarización en inversa se llama corriente
de saturación en inversa y se la representa por 𝐼𝑠 , la direccion
de esta corriente es opuesta a la flecha del símbolo como lo
muestra la Fig. 1.
Fig. 2. Distribución interna de la carga en condiciones de
polarización en direct a
Sin polarización: No existe ningún potencial aplicado al
diodo, no presentara ningún comportamiento.
Región Zener: Si en la región de polarización en inversa
aplicamos un voltaje alto producirá que la corriente disminuya
muy rápido, el potencial en inversa que produce este cambio se
llama potencial de Zener (𝑉𝑧 )

Este proyecto se realizó en la Universidad de Cuenca, en el laboratorio de física

electricidad y magnetismo.
J. E. Cárdenas participó en el proyecto por la Universidad de Cuenca (e-mail:
jorgee.cardenasb@ucuenca.ec).
M. E. Moscoso participó en el proyecto por la Universidad de Cuenca
(e-mail: mateo.moscoso@ucuenca.ec).
J. I. Sánchez participó en el proyecto por la Universidad de Cuenca (e-mail:
isaac.sanchez@ucuenca.ec)
Docente: Ing. Ciro Mauricio Larco Barros, Msc
 III. DESARROLLO
a) Completar los valores de la Tabla I, de acuerdo
a las especificaciones de la hoja característica
del diodo semiconductor 1N4148N
d) Armar el circuito de la Fig. 4. Realizar las mediciones
correspondientes y completar la Tabla 4. Para los
valores sugeridos de 𝑉𝑠

Tabla 1. Característica del diodo semiconduc tor 1N4148

Diodo 1N 4148
𝑉𝑇 0.720-1 V
𝐼𝐷 5-100 mA
𝐼𝑆 25Na- 5𝜇A f (𝑉𝑧 )
𝑉𝑍𝐸𝑁𝐸𝑅 75-100 f (corriente)

Fig. 4. Polarización Inversa de un Diodo Se miconductor

b) Armar el circuito de la Fig. 3 Tabla 4. Corriente de la corriente saturación en inversa

𝑉𝑠 (𝑉) -1 -2 -3 -4 -5
𝑉𝐷 (𝑉) -0.99 -2 -3 -4 -5
𝐼𝑠 (𝜇𝐴) 0 0 444nA 0 888nA

El diodo ha sido polarizado en inversa, por lo tanto, se

comporta como un circuito abierto, como resultado el voltaje de
la fuente se ve reflejado en sus terminales, la corriente es casi
nula, estos datos han sido obtenidos de la guía práctica y han
sido medidos con instrumentos de precisión.
Fig. 3 . Polarización Directa de un Diodo Se miconductor
e) Graficar la curva característica del diodo de
c) Variar el voltaje de la fuente de acuerdo a los acuerdo a los valores obtenidos en las
valores de la Tabla II. Emplee el voltímetro y el mediciones en los puntos c) y d).
amperímetro en la escala adecuada y complete
la tabla
V-Id en Polarizacion Directa
Tabla 2. Valores medi dos en el circuito
25
𝑽𝒔 (𝑽) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
20
𝑽𝑫 (𝑽) 0.09 0.19 0.29 0.39 0.47 0.52
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 55.5n 471n 3.89u 28.5u 140u 381u 15
𝑽𝒔 (𝑽) 0.7 0.8 1 2 3 4 5 10
Id

𝑽𝑫 (𝑽) 0.55 0.57 0.59 0.65 0.68 0.7 0.71 5

𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 703u 1.07 1.86 6.13 10.5 15 19.5
0
Los valores presentados en la tabla 2 son valores calculados -5 0 0.2 0.4 0.6 0.8
con anterioridad por el docente por medio de la utilización de Vd
instrumentos de medida más sofisticados y precisos, debido a
Fig. 5 . Voltaje vs Corriente en Polarización en D irecta
la reducida precisión de los equipos.

A continuación, se presenta los datos obtenidos con los

instrumentos de medida menos precisos en la tabla 3.

Tabla 3. Valores medi dos con el multí me tro.

𝑽𝒔 (𝑽) 0.7 0.8 1 2 3 4 5

𝑽𝑫 (𝒎𝑽) 590 610 630 690 720 740 770
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 0 0 1.1 4.3 9.6 14.2 19.1
 V-I en Polarizacion inversa
1
0.8
0.6

corriente
0.4
0.2
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
Voltaje
Fig. 6. Corriente del Diodo en P olarización en Inversa
Fig. 7. Circuito simulado e n el software Proteus

Una vez armado el circuito procedemos a simularlo, obteniendo

los siguientes valores.
f) Completar la Tabla IV, empleando la ecuación Tabla 6
característica de un diodo semiconductor de Voltaje Zener y Voltaje Diodo
silicio.
𝐾∙𝑉𝐷 𝑉𝑍 (Voltaje Zener) 𝑉𝐷 (Voltaje Zener)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 ∙ (𝑒 𝑇𝐾 − 1) 75 -75
Considere la temperatura ambiente 𝑇 = 25°𝐶. 85 -75.6
Para el valor 𝐼𝑆 tomar la media aritmética de los 90 -75.6
valores obtenidos en d). 95 -75.6
𝐼𝑆 = 0.06 𝜇𝐴 100 -75.6
𝑛=1 105 -75.6

Tabla 5. Valores calculados de 𝑰𝑫 Como podemos ver en Tabla 6 el voltaje varia muy poco, esto
se debe que el voltaje de polarización en inversa supera el
𝑉𝑠 (𝑉) 0 -1 -2 -3 -4 -5 voltaje Zener lo cual provoca que la corriente descienda de una
𝑉𝐷 (𝑉) 0 -0.99 -2 -3 -4 -5 manera significativa por lo tanto el voltaje sea prácticamente
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 0 -0.00006 -0.00006 -0.00006 -0.00006 -0.00006 invariante.

𝑽𝒔 (𝑽) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

𝑽𝑫 (𝑽) 0.09 0.19 0.29 0.39 0.47 0.52 IV. CONCLUSIONES
𝑰𝑫 (𝒎𝑨) 0.00211 0.0001 0.0002 0.0042 0.023703 0.18366
 Se determinó el principio de funcionamiento del diodo
semiconductor al graficar su curva característica
mediante los datos obtenidos en mediciones.
g) Comparar y analizar los resultados obtenidos en  Se logró entender el catálogo u hojas características
los puntos c), d), f) para un diodo semiconductor.
Podemos notar que los valores calculados y los valores  Se logró conectar adecuadamente los instrumentos de
medidos varían en proporciones pequeñas, de esta forma medición de tensión e intensidad, y medir las variables
podemos notar que el funcionamiento del diodo es el correcto y requeridas en el circuito.
parte de estas pequeñas variaciones se deben a condiciones  Se comprobó el principio de funcionamiento de un
intrínsecas del diodo y a factores de tolerancia y error que están diodo semiconductor con la ayuda de un software de
presentes en el diodo. simulación.

h) Armar el circuito de la Fig.4. Ajustar el voltaje REFERENCIAS

de la fuente al valor del voltaje Zener del diodo [1] Robert L. Boylestad y Louis Nashelsky. Electronónica: Teoría de
1n4148 indicado en su hoja de especificaciones Circuitos y Dispositivos Electrónicos. Mexico: Pearson, 2009.
y hacer 5 incrementos de 5V. En cada uno de
estos incrementos, ¿El voltaje del diodo 𝑉𝐷 varia
significativamente? Explique por qué.
Para realizar la simulación armamos el circuito en el programa
Proteus como en la Fig. 7.
 V. ANEXOS
Para realizar la práctica se montó el circuito de la figura 3, tal
y como se muestra en la figura 8.

Fig. 8. Circuito mon tado en el protoboard

En el apartado de procedimiento, se tomaron los distintos

valores de voltaje y corriente mediante el multímetro, de la
manera que se presenta en la figura 9.

Fig. 9. Medición de valores de voltaje y corriente