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Universidad Técnica de Oruro Facultad Nacional de Ingeniería LABORATORIO Nº6

Carrera de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Laboratorio de Simulación ELT- 2580 ELECTRÓNICA I

PARAMETROS TRANSISTOR BJT

1. OBJETIVO
- Mediante el Pspice experimentar variando algunos parámetros del transistor
- Analizar los diferentes circuitos y graficas que obtengamos.

2. PROCEDIMIENTO
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Circuitos polarizacion.-

Polarizacion fija:

Mediante un circuito utilizando el transistor BJT con ganancia de 100 este en un circuito:

En Pspice

.model QETN NPN(Bf=50)

Hay que obtener los parámetros de polarizacion utilizando el Bias Point


Se obtiene:
IB = 32.33 A
IC = 3.233 A
IF = 3.265 mA
VCE = VC – VE = 7.27 (V)
VBE = 0.8 (V)
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3. CONCLUSIONES
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PARA EL CIRCUITO Nº 1
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PARA EL CIRCUITO Nº 2
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PARA EL CIRCUITO Nº 3
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CONCLUSIONES

- Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos
dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, y a que en casi todos los
aparatos electrónicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos
de transistores, así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías
utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del
hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores .Además de
todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de lo transistores para
conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.
- Las pruebas que hemos llevado a cabo sobre los transistores nos dan referencias
fidedignas de tres parámetros que podemos identificar como son:

1) La polaridad del transistor NPN (o PNP en su caso).

2) De lo que se deduce y podemos afirmar a qué electrodo corresponde cada patilla,


bien sea: BASE, COLECTOR o EMISOR.

3) Y por último y no menos significativo, nos da una idea bastante aproximada de la


ganancia del transistor en términos relativos.
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