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5. Sistema de pruebas
Seguidamente se expone el sistema de pruebas diseñado. En el apartado 5.1 se realiza una
breve descripción del sistema y se definen los circuitos sobre los cuales se han realizado las
pruebas.
En los apartados sucesivos se describen el montaje del sistema de pruebas, los equipos que
constituyen el sistema y el software utilizado, finalizando con un la exposición de los datos
recogidos durante las pruebas.
Las pruebas realizadas consisten en obtener la curva de tensiones que caracteriza a los
transitores, es decir, la tensión en el drenador de los transistores en función de la tensión de la
puerta.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
Los transistores NMOS tienen varias regiones de funcionamiento como se puede observar en
la Gráfica 2; dependiendo de la región en la que se encuentre el transistor éste tendrá un
comportamiento u otro.
VGS > VTH y VDS > (VGS – VTH) → VDS ≥ VGS - VTH
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera un cierto valor límite, el canal de
conducción que se encuentra debajo de la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre la fuente y drenador no se
interrumpe, debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre los dos terminales.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
Como se puede comprobar en la Gráfica 3, la parte casi lineal corresponde a la zona óhmica,
mientras que la parte casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de
enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. Para la caracterización realizada de la
curvas de los transistores se ha obligado a que éstos trabajen en la región de saturación,
obteniéndose así un circuito amplificador. En otras palabras, el transistor actúa como una
fuente de corriente dependiente como se puede apreciar en Ilustración 28 donde se muestra
el modelo de pequeña señal en la región de saturación del circuito de la Ilustración 27.
Para una tensión VIN nula, el transistor se encuentra apagado (estado similar al de un
interruptor abierto) y por tanto, VOUT = VDD. A medida que VIN se aproxima al valor de VTH el
transistor comienza a conducir y por extensión comienza a pasar corriente por la resistencia
RD, lo que conlleva una disminución de VOUT. Si VDD no es excesivamente baja el transistor se
encuentra en saturación y tenemos:
1 𝑊
𝑉𝑂𝑈𝑇 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝐷 µ𝑛 𝐶𝑜𝑥 (𝑉𝐼𝑁 − 𝑉𝑇𝐻 )2
2 𝐿
Donde:
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El equipo DMM posee dos canales de alimentación, éstos como se puede comprobar en la
Ilustración 30 se encuentran de color azul y rojo; el primero de ellos se conecta a las puertas
de los transistores mientras que el otro alimenta las resistencias y el terminal drenador de los
transistores. Las líneas de color verde representan los canales de medida que adquieren la
tensión existen entre el drenador y tierra.
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LXI
Alimentación puerta
Alimentación drenador
D D D
G G G
S S S
GND
Tanto el ordenador portátil que lanza el programa que realiza la prueba como el equipo DMM
deberán estar conectados a una alimentación de 220V y 50 Hz. En la siguiente ilustración se
muestra una foto del montaje real realizado.
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Tensiones DC y AC.
Corrientes DC y AC.
Temperatura con termopares, RTD y termistores.
Resistencias a 2 y 4 hilos.
Frecuencia y periodos.
El equipo se puede comunicar a través de una red LAN o mediante el bus USB, dispone de una
memoria interna para el almacenamiento de datos y también permite el almacenamiento en
una memoria flash USB externa.
El control del equipo se puede realizar mediante una interfaz web, además el instrumento es
compatible con algunos programas de procesamiento de datos y control destinados a
instrumentación como LabView o BenchLink Data.
La unidad 34972A dispone de drivers compatibles con C, C#, Visual Basic, Visual Studio, Agilent
VEE y National Instruments LabView para facilitar la integración en los sistemas de pruebas, así
como, el lenguaje de programación SCPI, que facilita las labores de programación de los
equipos de instrumentación.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
En el mercado existen 8 módulos distintos que se pueden instalar en este multímetro, por
tanto, nos encontramos ante un sistema de instrumentación del cual podemos configurar una
parte de su hardware.
El DMM tiene una velocidad máxima de barrido de 250 canales/s, permitiendo la adquisición
de tensiones máximas de hasta 300 V y corrientes máximas de hasta 1 A, dependiendo del
módulo que se instale.
El equipo utilizado para elaboración de este proyecto contiene los módulos 34901A, 34904A y
34907A, que se describen a continuación.
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El multiplexor posee una velocidad de barrido de 60 canales/s la cual es idónea para un amplio
número de pruebas. En la Ilustración 34 se muestra un esquema del módulo, cuyo elemento
principal son una serie de relés que conmutan para rutar las señales de entradas hacia el
núcleo de medida del DMM.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
La placa tiene un conector de tres pines (CONECT) para la alimentación tanto de la puerta de
los transistores como de las resistencias conectadas a los drenadores.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
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En la siguiente ilustración se muestra el rutado de las pistas de la PCB, cuyo ancho de pista es
de 0.3 mm y permite la circulación de una corriente máxima de 1.2 A.
Las pistas se encuentran sobre una sola capa y en este caso se ha decidido que sea en la capa
botton ya que los elementos electrónicos que se alojan en ella son through hole.
La placa de pruebas se compone de 16 transistores NMOS de los cuales se han obtenido las
curvas de tensión en el drenador (VOUT) en función de la tensión en la puerta (VIN). Los
transistores utilizados han sido el modelo MTP3055VL de la marca Fairchild.
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RANGO MÁXIMOS
Características Magnitud
Tensión drenador-fuente (VDSS) 60 V
Tensión puerta-fuerte (VGSS) ±15 V
Corriente drenador (ID) 12 A
Potencia disipada (W) 48 W
Temperatura de operación -65°C a 175°C
Tabla 5. Características transistor MTP3055VL
5.3.2.3.2. Resistencias
Se ha instalado una resistencia de 100 kΩ a la entrada del terminal del drenador de cada
transistor, para poder obtener una tensión de salida, construir las curvas características de
tensión y realizar el cálculo de la ganancia de cada transistor.
5.3.2.3.3. Conectores
Se han utilizado dos tipos de conectores; el primer tipo de ellos ha sido un conector de 3 pines
para la alimentación de los distintos circuitos, y otro de 2 pines para la adquisición de medidas.
Ambos tipos de conectores son de pines en ángulo recto para facilitar su conexión y poseen
una separación entre pines de 2.5 mm.
En la siguiente ilustración se muestra tanto la PCB con todos los componentes conectados y la
capa botton de ésta, en la cual se puede comprobar el rutado de la placa.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
El entorno de desarrollo utilizado para elaboración del código ha sido Eclipse. La programación
se ha realizado en lenguaje C, las librerías IVI y VISA aportan las funciones necesarias para el
envío de comando SPCI del equipo al DMM.
Para una mejor compresión del lector, se ha vuelto a representar el esquema de la Ilustración
27, en el que se muestra uno de los dieciséis circuitos idénticos a los que ya se les ha realizado
una batería de pruebas.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
En la Gráfica 5 se puede comprobar que la tendencia de las curvas obtenidas en los resultados
es la esperada, ya que éstas tienen la misma forma que la curva teórica de los transistores
NMOS mostrada en la Gráfica 4.
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La ganancia máxima obtenida de las curvas de la Gráfica 6 fija el valor de tensión en la puerta
para el cual la amplificación del circuito es la mejor, es decir, el valor de VGS que consigue el
mayor VOUT para un mismo consumo de un transistor. Los valores de ganancia se encuentran
comprendidos entre 80 y 90, éstos se dan para tensión VGS de aproximadamente 1.3 V.
En la tabla siguiente se recogen los datos numéricos de para las ganancias máximas de cada
uno de los transistores.
RESULTADOS PRUEBA 1
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS (V) Tensión VDS (V)
T1 86.61 1.364 0.3841
T2 84.91 1.395 0.5676
T3 84.76 1.38 0.5044
T4 86 1.395 0.4983
T5 86.19 1.358 0.4506
T6 85.77 1.361 0.284
T7 86.47 1.363 0.319
T8 86.37 1.35 0.3975
T9 88.56 1.338 0.4053
T10 85.72 1.383 0.3172
T11 85.57 1.37 0.4861
T12 86.02 1.37 0.5131
T13 85.89 1.36 0.4247
T14 85.04 1.36 0.4159
T15 84.91 1.361 0.4599
T16 85.40 1.355 0.2982
Tabla 6. Datos obtenidos en la prueba 1.
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Al existir cambios en las curvas de tensiones también los habrá en las curvas de ganancia. El
máximo valor de ésta se alcanza para valores de tensiones VGS superiores a los de la Gráfica 6.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
comprobar que tras la anomalía contemplada, el sistema vuelve a su tendencia original que
permite obtener ganancias cercanas a 90. En la siguiente tabla se recogen los datos obtenidos
de la Prueba 1R.
RESULTADOS PRUEBA 1R
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS Tensión VDS
T1 89.12 1.392 0.3945
T2 87.39 1.427 0.3677
T3 85.50 1.411 0.3079
T4 87.10 1.427 0.3024
T5 87.30 1.388 0.2935
T6 86.68 1.388 0.3764
T7 86.69 1.391 0.3331
T8 86.98 1.377 0.4719
T9 88.87 1.366 0.3672
T10 87.43 1.411 0.3958
T11 85.96 1.400 0.3993
T12 86.38 1.402 0.2990
T13 86.69 1.391 0.3190
T14 88.96 1.392 0.3779
T15 87.01 1.391 0.3711
T16 86.87 1.383 0.3298
Tabla 7. Datos obtenidos en la prueba 1R.
La tendencia de las curvas obtenidas es la misma que la reflejada en las Pruebas 1 y 1R. El
rango de tensiones en el cual se produce la conmutación del transistor es en torno a 1.3 V y 1.4
V, datos similares a los ya observados anteriormente.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
La misma tónica se repite con las curvas de ganancia, que se muestran en la Gráfica 10.
Las tensiones de entrada para las que se consiguen las ganancias máximas se encuentran en el
intervalo de 1.3 V y 1.4 V. En este caso, la ganancia de los transistores ronda los 50, valor
inferior al de las pruebas anteriores que tenía una ganancia media aproximada de 84, esto es
debido a una disminución de la tensión VDD.
RESULTADOS PRUEBA 2
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS Tensión VDS
T1 50.46 1.345 0.3206
T2 49.29 1.380 0.2836
T3 49.55 1.364 0.2719
T4 49.57 1.380 0.2595
T5 50.50 1.342 0.2386
T6 50.99 1.342 0.2878
T7 50.11 1.345 0.2624
T8 49..95 1.333 0.2734
T9 50.49 1.317 0.3904
T10 49.83 1.364 0.2871
T11 49.22 1.353 0.2981
T12 49.64 1.355 0.2490
T13 50.20 1.344 0.2709
T14 51.22 1.345 0.3125
T15 50.43 1.345 0.2624
T16 50.41 1.336 0.3047
Tabla 8. Datos obtenidos en la prueba 2.
Al igual que en el apartado anterior, se realizó una prueba con los mismos parámetros de
entrada que se ha denominado Prueba 2R.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
A continuación se muestran las gráficas obtenidas que continúan con la tendencia prevista.
Además, tanto los rangos de tensiones, donde se produce la conmutación de los transistores,
como las ganancias máximas de la Prueba 2R son similares a los resultados de la Prueba 2.
La ganancia máxima de nuevo ronda 50. En la siguiente tabla se muestran los resultados
numéricos de la Prueba 2R.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
RESULTADOS PRUEBA 2R
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS Tensión VDS
T1 50.54 1.349 0.3257
T2 49.55 1.383 0.3227
T3 49.89 1.367 0.3124
T4 50.20 1.383 0.3027
T5 51.55 1.345 0.2822
T6 51.27 1.345 0.3309
T7 50.77 1.349 0.2777
T8 50.52 1.336 0.3165
T9 52.51 1.324 0.2614
T10 50.43 1.367 0.3265
T11 50.29 1.358 0.2554
T12 51.23 1.358 0.2905
T13 50 1.349 0.2347
T14 50.21 1.350 0.2755
T15 50.94 1.349 0.2777
T16 49.89 1.339 0.3466
Tabla 9. Datos obtenidos en la prueba 2R.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
En este caso la ganancia ronda 55, por tanto, es superior a la obtenida en la Prueba 2 e inferior
a la de la Prueba 1. Esto se debe a que la tensión VDD en este caso es menor que en la Prueba 1
y superior a la de la Prueba 2.
RESULTADOS PRUEBA 3
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS Tensión VDS
T1 53 1.35 0.9596
T2 52.62 1.39 0.6416
T3 54.02 1.37 0.8483
T4 51.28 1.38 1.1255
T5 56.10 1.35 0.7201
T6 55.78 1.35 0.7800
T7 53.51 1.35 0.9088
T8 54.64 1.34 0.8025
T9 53 1.33 0.6288
T10 53.70 1.37 0.8726
T11 56.19 1.36 0.8506
T12 55.91 1.36 0.8883
T13 54.40 1.35 0.8655
T14 52.49 1.35 0.9708
T15 53.33 1.35 0.9168
T16 51.30 1.34 0.9978
Tabla 10 Resultados obtenidos en la prueba 3.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
Como se puede observar al comparar las gráfica de la Prueba 3 y la Prueba 3R los resultados
son similares, hecho que ya se ha manifestado en las pruebas anteriores.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
RESULTADOS PRUEBA 3R
Transistor Ganancia máxima Tensión VGS Tensión VDS
T1 52.85 1.35 0.9590
T2 52.71 1.39 0.6427
T3 53.93 1.37 0.8494
T4 51.27 1.38 1.1273
T5 56.01 1.35 0.7212
T6 55.71 1.35 0.7830
T7 53.42 1.35 0.9133
T8 54.44 1.34 0.8080
T9 53.63 1.33 0.6370
T10 53.58 1.37 0.8777
T11 56.09 1.36 0.8564
T12 55.85 1.36 0.8937
T13 54.29 1.35 0.8709
T14 52.38 1.35 0.9767
T15 53.21 1.35 0.9240
T16 51.20 1.35 1.0064
Tabla 11. Resultados obtenidos en la prueba 3R.
Gráfica 17. Curva tensión VGS en función de VDS de una prueba fallida.
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Automatización de la medida de característica estática de circuitos analógicos
Se puede observar en la Gráfica 17 que las curvas de los transistores T1, T5 y T8 no siguen la
tendencia teórica de las curvas características de tensiones de los transistores. Esto fue debido
a que los circuitos de los que formaban parte los transistores T1 y T5 se encontraban con uno
de los terminales de la resistencia conectada al terminal del drenador con una soldadura en
mal estado. Por otro lado, la medida errónea del transistor T8 fue debida a una mala conexión
de los pines de medida.
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