COLEGIO DE BACHILLERES DE TABASCO

PLANTEL 1 T. MATUTINO

INFORMATICA

PROF. YAHAYRA MENDEZ SANCHEZ

C. MIGUEL ANGEL RAVIELA WINZIG

GRUPO. “G” SEMESTRE. I

N.L. 44

VHSA. TAB. A 4 DE SEPTIEMBRE 2018

 TUBOS DE VACÍO

Tubos de vacío o Válvulas de vacío. Dispositivos electrónicos que consisten en una cápsula
de vacío de Acero o de Vidrio, con dos o más electrodos entre los cuales pueden moverse
libremente los Electrones.

Inventor
El Diodo de tubo de vacío fue desarrollado por el físico inglés John Ambrose Fleming. En
1907, un inventor de Nueva York, Lee de Forrest patentó, el mismo diodo que Fleming, sólo
que con un electrodo más, creando el primer amplificador electrónico verdadero, el Tríodo.
Después se desarrollo el Tetrodo, el Péntodo y más, en muy diferentes versiones.

Funcionamiento
Contiene dos electrodos: el Cátodo, un filamento caliente o un pequeño tubo de metal caliente
que emite electrones a través de emisión termoiónica, y el Ánodo, una placa que es el
elemento colector de electrones. En los diodos, los electrones emitidos por el cátodo son
atraídos por la placa sólo cuando ésta es positiva con respecto al cátodo. Cuando la placa
está cargada negativamente, no circula corriente por el tubo. Si se aplica un potencial alterno
a la placa, la corriente pasará por el tubo solamente durante la mitad positiva del ciclo,
actuando así como rectificador.

Aplicaciones
Diodo. Péntodo. Rectificador.
Tríodo. Celda de memoria. Amplificador.
Tetrodo. Colector solar. Oscilador.
 ¿QUÉ ES UNA TARJETA DE MEMORIA?

Una tarjeta de memoria o también conocida como memoria Flash, es un soporte de

almacenamiento externo el cuál nos permite guardar y borrar información, sin necesidad de
alimentación externa para que la información se conserve intacta.

Existen muchos tipos de clases de memoria Flash, unas especificas diseñadas por marcas
tecnológicas para sus propios dispositivos, y otras mas genéricas usadas por infinidad de
dispositivos y creadas por gran cantidad de fabricantes. Desde Culturación, les vamos a
mostrar la variedad existente en el mercado actual y los conceptos y diferencias entre ellas,
así como los modelos mas usados en el mercado tecnológico actual.

El uso de la tarjeta de memoria en la actualidad se ha extendido de manera espectacular, si

en un principio, cuando salieron a la luz este tipo de soportes de almacenamiento externo, no
contaban con precios al alcance de cualquiera, esto con el paso del tiempo y la inclusión y
generalización de uso en diferentes dispositivos, así como la competencia creada en el sector,
ha hecho que su precio baje de una manera considerable.
Una de las cosas que ha ayudado tremendamente a la bajada de los precios de una manera
tan espectacular, ha sido la inclusión en ordenadores personales, tanto portátiles como
equipos de sobremesa, de multi-lectores de tarjetas de memoria, los cuales nos permiten
utilizar múltiples formatos de este tipo de memorias en nuestro PC.
Otro medio que ha ayudado también al gran auge y desarrollo de este producto, y sin duda,
uno de los mas importantes en cuanto a ventas en este sector, ha sido la gran aceptación que
los teléfonos móviles inteligentes o también conocidos como Smartphones han tenido entre
los usuarios de las últimas tecnologías y la telefonía móvil
Tipos de tarjetas de memoria
Existen múltiples tipos de tarjetas de memoria, las diferenciaras por su tamaño o para el
dispositivo que han sido creadas, por ejemplo las tarjetas de memoria que usan las cámaras
fotográficas Olympus son de fabricación propia y creadas por Olympus para sus dispositivos,
de la misma manera ocurre con Sony y su Memory Stick, que son productos creados para sus
propios dispositivos.
Esto no es lo que ocurre normalmente con el resto de dispositivos de otras marcas, ya que si
bien existen excepciones que confirman la regla, la realidad es que los fabricantes de
dispositivos varios de tecnología se han aunado para que sus dispositivos se adapten a
tarjetas de memoria mas genéricas y abaratar así el coste de este producto final.

Compact Flash

Este tipo de tarjeta de memoria, si bien en principio era el mas utilizado, ya que fue de los
primeros en aparecer en el mercado, fue el preferido como soporte de almacenamiento para
las primeras cámaras de fotografiá digital, aunque ya prácticamente a caído en desuso, ya
que por su gran tamaño, físicamente hablando, no es soportable por la mayoría de las
cámaras digitales del momento que han reducido el tamaño de sus diseños de una manera
considerable, dejando así a este tipo de soporte especifico descolgado del sector en el que un
día fue el dueño y señor.
SD (Secure Digital)

Este es sin duda el formato de tarjeta de memoria que esta mas generalizado y triunfando en
el sector de la tecnología actual, es usado por la mayoría de las cámaras digitales del
momento, así como cámaras de video y una gran cantidad de dispositivos varios.
Dentro de este popular formato y debido a las necesidades propias del mercado, se incluyen
tres sub-formatos, que se han ido incorporando a la SD original para dar soporte a los nuevos
dispositivos móviles y aparatos tecnológicos varios que necesitaban de tarjetas de memoria
de medidas mas reducidas

Así dentro del formato SD podemos encontrar los siguientes sub-formatos:

Mini-SD
Es una tarjeta mucho mas pequeña que la SD original y es utilizada por muchos dispositivos
móviles, aunque los mas modernos entre los que se encuentran los dispositivos con sistema
operativo Android se han decantado por el nuevo formato Micro-Sd, haciendo así su uso de
manera genérica entre los fabricantes de estos dispositivos
Micro-SD
Como hemos comentado antes, este tipo es el que está mas generalizado dentro de los
dispositivos móviles de última generación, y es el soporte original para los dispositivos con
sistema operativo Android.

La diferencia principal entre las tres tarjetas de memoria SD, es su tamaño y la disposición de
sus conectores, además de sus velocidades de lectura y escritura en el medio, siendo así la
que mejores resultados está dando la Micro-SD.Al ser los tres tipos de tarjetas creados de un
mismo formato, es frecuente que cuando nos compramos una tarjeta de memoria SD mini o
micro nos venga en el mismo Pack una carcasa o adaptador para que podamos introducir la
tarjeta de formato mini o micro y convertirla en una SD original.
SDHC

Este es el formato de las SD que nos ofrece mayor calidad, tanto de velocidad de escritura y
lectura como de seguridad en cuanto a errores o la prevención de fallos.

Este tipo de formato no es compatible con todos los dispositivos que aceptan SD, tendremos
que mirar en las especificaciones técnicas de nuestro dispositivo para ver si esta soportado.
Las tarjetas SDHC están categorizadas por clases según su velocidad de transferencia de
datos, así nos podremos encontrar tres clases bien diferenciadas:
 Clase 2: hasta 2 Mb/s
 Clase 4: hasta 4 Mb/s
 Clase 6: hasta 6 Mb/s

MultMediaCard o MMC

La velocidad de escritura es bastante mas lenta que la SD, este formato fue en el que en un
principio se hizo mas popular, hasta que entro en escena la SD con mayor velocidad de
escritura y mas seguridad para los datos contenidos, y acabó por quedar relegada a un según
do lugar.En la actualidad se sigue fabricando, aunque no en la misma producción que en sus
comienzos, ya que cada vez menos fabricantes de dispositivos dan soporte a este tipo de
tarjetas y se decantan mas por la calidad y estabilidad que les ofrece la SD y sus variantes.
SmartMedia

La SmartMedia fue un formato de tarjetas muy utilizado a principios del año 2000. Creada por
Toshiba para competir directamente con la Compact Flash, que en ese momento acaparaba el
mercado tecnológico en cuanto almacenamiento externo en tarjetas Flash se trataba, fue tan
popular su lanzamiento que a finales de 2001, ya acaparaba mas de la mitad del mercado de
este sector.
En la actualidad, al igual que su mas directo competidor en aquel momento, ha quedado
relegada al olvido, y si tenemos un dispositivo antiguo que necesite de este tipo de soporte de
almacenamiento a duras penas la podremos conseguir en tiendas especializadas previo
encargo.

XD Picture Card

La xD es una tarjeta propia de las cámaras Olimpus y Fujifilm, es de las mas caras del
mercado y tan solo nos servirán para este tipo de cámaras digitales y video-cámaras.
La diferencia de precio entre una de estas tarjetas y la SD o MMC del mismo tamaño, puede
llegar a superar hasta el doble de costo de las segundas, por eso es primordial a la hora de
elegir una cámara digital el comprobar los formatos de tarjetas que aceptan.
Memory Stick

Al igual que la xD, este es un formato de tarjetas exclusivo para dispositivos de la compañía
Sony y, como las anteriores, tan solo nos servirán para esta clase de dispositivos, y su precio
es también muy alto en comparación con las SD y MMC.
Esta clase de tarjetas nos servirán para las consolas de video-juegos portátiles de la conocida
marca de tecnología, así como para cámaras digitales tanto de fotografiá como de video.
Otros tipos de tarjetas exclusivos
Las mencionadas antes son los tipos de tarjetas de memoria Flash mas conocidas y usadas
en el mercado tecnológico de la actualidad, aunque también existen otro tipo de tarjetas de
memoria exclusivas para los sistemas de entretenimiento o video-consolas.

Así podemos encontrarnos con diferentes tipos según la video-consola que seamos usuarios,
por ejemplo la conocida consola de video-juegos de Sony, la Play Station 2 usa una memoria
llamada Memory Card, que son un tipo de memoria por lo general de pequeños tamaños que
nos ayudaran a salvar los progresos de nuestros juegos.
Lo mismo sucede con la xBox de Microsoft, que necesita de un soporte de memoria externa
especial para este dispositivo, y que de igual manera tan solo nos servirán para salvar los
avances de nuestras partidas.
Consolas mas avanzadas como la Play Station 3, ya no necesitan de este tipo de soporte para
salvaguardar los progresos de nuestros juegos, ya que lo hacen directamente en su disco
duro interno.
Este es a grandes rasgos el mundo de las tarjetas de memoria en la actualidad, los tipos y
para los dispositivos que nos servirán.
 CINTA MAGNÉTICA
( de almacenamiento de datos )

La cinta magnética es un tipo de soporte de almacenamiento de información que permite

grabar datos en pistas sobre una banda de material magnético (como óxido de hierro o algún
cromato). Puede grabarse cualquier tipo de información de forma digital o analógica. Los
antiguos sistemas utilizaban cintas tipo riel abierto (reel-to-reel), en cambio los nuevos suelen
usar cartuchos tipo casetes.

Las cintas magnéticas son dispositivos de acceso secuencial, pues si se quiere tener acceso
al enésimo (n) bloque de la cinta, se tienen que leer antes los n-1 bloques precedentes.
Las cintas magnéticas son muy utilizadas para realizar backups de datos, especialmente en
empresas.

De hecho se sigue innovando, Sony anunció en 2014 que han conseguido una cinta
magnética que puede almacenar 148 Gbit por pulgada cuadrada o 23 Gbit por cm²,
permitiendo que en una cinta se almacenen 185 TB (185000 GB). En tanto en mayo de 2014
la empresa Fujifilm anunció que desarrolló un cartucho que almacena 154 TB.

Algunos formatos de cintas magnéticas son:

- DLT - AIT

- DDS - Travan

- SLR - VXA
Características generales de las cintas magnéticas

El ancho típico de una cinta magnética tiene como máximo media pulgada. De todas maneras
existen muchos otros tipos de cintas con otras anchuras menores.

La densidad en las cintas magnéticas es medida en BPI (bits por pulgada), que pueden ir
desde los 800 bpi hasta los 6250 bpi. A mayor densidad en la cinta, más datos se guardan por
pulgada.

Las cintas magnéticas se dividen en bloques lógicos; un archivo debe abarcar, como mínimo,
un bloque completo (si los datos del archivo no llegan a cubrir el bloque completo, el resto del
espacio queda desperdiciado).

Compresión de datos en cintas magnéticas

Para ahorrar en cinta, se emplean métodos de compresión de datos que pueden ser:

- LZ (la mayoría emplea este método) - ALDC (IBM, QIC)

- IDRC (Exabyte) - DLZ1 (en DLT)

La tasa de compresión típica por hardware es de 2:1, algunos dicen llegar a 2.6:1 o 3:1. Pero
la tasa real de compresión suele ser menor a la que figura. Además los datos que ya han sido
eficientemente almacenados no lograrán una compresión significativa. Incluso si se intenta
comprimir datos ya comprimidos (en PGP, ZIP, JPG, MPG, MP3, etc) puede que ocupen más
espacio aún.
La compresión por software puede lograr mejores resultados, pero será a expensas de un
mayor uso del procesador del a computadora, pudiendo disminuir la velocidad de la tarea de
respaldo.
Cronología de lanzamientos de formatos de cintas magnéticas

1951 - UNISERVO 1984 - Digital Linear Tape (DLT)

1952 - IBM 7 track 1986 - SLR
1958 - TX-2 Tape System 1987 - Data8
1961 - IBM 7340 Hypertape 1989 - Digital Data Storage (DDS) en
Digital Audio Tape (DAT)
1962 - LINCtape
1992 - Ampex DST
1963 - DECtape
1994 - Mammoth
1964 - 9 Track
1995 - IBM 3590
1964 - IBM MT/ST (Magnetic tape selectric
typewriter) 1995 - StorageTek Redwood SD-3
1966 - 8-track tape 1995 - Travan
1972 - Quarter-inch cartridge (QIC), 1996 - AIT
cartucho 1997 - IBM 3570 MP
1975 - KC standard, Compact Cassette
1998 - StorageTek T9840
1976 - DC100 1999 - VXA
1977 - Tarbell Cassette Interface 2000 - StorageTek T9940
1977 - Commodore Datasette 2000 - LTO Ultrium
1979 - DECtape II (cartucho) 2003 - SAIT
1979 - Exatron Stringy Floppy 2006 - StorageTek T10000
1983 - ZX Microdrive 2007 - IBM 3592
1984 - Rotronics Wafadrive 2008 - IBM TS1130
1984 - IBM 3480 (cartucho)
2011 - IBM TS1140
 CIRCUITOS MAGNETICOS

Como dijimos anteriormente, en las máquinas eléctricas se utilizan circuitos de

materiales ferromagnéticos para conducir los campos eléctricos necesarios para su
funcionamiento. El porqué en un material ferromagnético es porque tienen una
permeabilidad mucho más alta que el aire o el espacio y por tanto el campo magnético tiende
a quedarse dentro del material. Con todo esto lo que disponemos es de un circuito magnético.
Un circuito magnético es un camino cerrado de material ferromagnético sobre el que actúa
una fuerza magnetomotriz. Estos circuitos magnéticos pueden ser:
 Homogéneos: Una sola sustancia, sección uniforme y sometido a igual inducción en
todo su recorrido.
 Heterogéneos: Varias sustancias, distintas secciones o inducciones, o coincidencia de
estas condiciones. Éstos pueden tener o no entrehierros.

En todo circuito magnético se hace necesario saber calcular la inducción magnética que
ocasiona una corriente dada, en un arrollamiento determinado y sobre un núcleo de forma,
material y dimensiones conocidas; o al revés, saber dimensionar un núcleo y un arrollamiento
para producir una inducción magnética determinada.

En el diseño o cálculo de circuitos magnéticos se ha de tener en cuenta:

1. Entrehierros mínimos. Menor que 0,03mm se consideran acoplamientos magnéticos, es
decir, como si fuera continuación del material ferromagnético.
2. Trabajar con inducciones magnéticas que no superen el inicio del codo de la curva de
magnetización, es decir, no saturar el material.
3. Reducir el flujo de dispersión que puede producir la bobina o el entrehierro dando al
circuito la forma más adecuada para su uso. Hasta en los mejores circuitos hay
dispersores de flujos superiores al 10%.
 TRANSISTORES.

Dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de funcionamiento se basa en

la física de los semiconductores. Este cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término “transistor” es la contracción en inglés de transfer
resistor (“resistencia de transferencia”). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos
los aparatos domésticos de Uso
diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas,
lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos,
reproductores mp3, teléfonos móviles, etc. Este dispositivo semiconductor permite el control y
la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña.

Sus inventores, John Bardeen, William Shockley y Walter Brattain, lo llamaron así por la
propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente eléctrica entre el emisor y
el receptor.
El transistor tiene tres partes, como el triodo. Una que emite electrones(emisor), otra que los
recibe o recolecta (colector) y otra con la que se modula el paso de dichos electrones (base).
Una pequeña señal eléctrica aplicada entre la base y el emisor modula la corriente que circula
entre emisor y receptor.
La señal base-emisor puede ser muy pequeña en comparación con la emisor-receptor. La
señal emisor-receptor es aproximadamente la misma que la base-emisor pero amplificada. El
transistor se utiliza, por tanto, como amplificador.
Además, todo amplificador oscila; así que puede usarse como oscilador y también como
rectificador y como conmutador on-off. El transistor también funciona por tanto como un
interruptor electrónico, siendo esta propiedad aplicada en la electrónica en el diseño de
algunos tipos de memorias y de otros circuitos como controladores de motores de Corriente
directa y de pasos.

Polarización de un Transistor

Formación y polaridad de Transistores

Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo
polarizar un transistor NPN que PNP. Generalmente podemos decir que la unión base -
emisor se polariza directamente y la unión base - colector inversamente.
Zonas de Trabajo
Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor
también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. IB es igual a IC es igual a IE es
igual a 0; VCE es igual a Vbat
Saturación: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la
corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se
comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la
batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
Activa: Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente. Cuando trabaja
en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como
si fuera un interruptor. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los
transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación
de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características,
también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:
ß = IC / IB

Tipos de transistores
Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada consiste en
dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y transistores de
efecto de campo o FET (Field Effect Transistor). La familia de los transistores de efecto de
campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc...

Transistor de Contacto Puntual

Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre
la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se “ve” en el colector, de ahí el
nombre de “transfer resistor”. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es
difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido
a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de Unión Unipolar

También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P.
En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la
que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de semiconductor con dopajes
diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET. El transistor de
unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado
intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las
cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con
elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos”
(cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio
(Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Ejemplos de transistores de Unión Bipolar
 2N4401, 2n3906 y 2n4402: Transistores de unión bipolar de mediana potencia,
destinados para propósito general en amplificación y conmutación, construidos con
semiconductor de silicio en diferentes formatos. Pueden amplificar pequeñas corrientes
a tensiones pequeñas o medias y trabajar a frecuencias medianamente altas.
Configuraciones
Emisor común
La construcción interna de un transistor como todo crcuito necesita de dos terminales de
entrada y dos de salida, pero al contar en su fabricación solo con tres terminales, se hace
necesario adoptar una de las siguientes configuraciones: Emisor común, Base común,
Colector común.

Emisor común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El
emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de
entrada. Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces
tenemos que la tensión de emisor es: VE = VB − Vg

Base Común: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se
conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración
se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de
corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base.

Colector Común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta
configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a
la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por 1/β.
Transistor de Efecto de Campo
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET (Junction Field Effect
Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-
Semiconductor FET). Tienen tres terminales denominadas puerta (o gate) a la equivalente a la
base del BJT, y que regula el paso de corriente por las otras dos terminales, llamadas
drenador (drain) y fuente (source).
Presentan diferencias de comportamiento respecto a los BJT. Una diferencia significativa es
que, en los MOSFET, la puerta no absorve intensidad en absoluto, frente a los BJT, donde la
intensidad que atraviesa la base es pequeña en comparación con la que circula por las otras
terminales, pero no siempre puede ser despreciada.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre
de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes
fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula
termoiónica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto
antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la
tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente
(source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal.
Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor).
Actualmente es el transistor más empleado en la industria microelectrónica [1]. Los MOSFET
permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los Circuitos Integrados.
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS.
La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos
diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y
consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga. El transistor consta de un
sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor
que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base).
A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que
se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera
un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos
pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el “colector” es función amplificada de la
que se inyecta en el “emisor”, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la “base” para que circule la
carga por el “colector”, según el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base,
se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de
cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas
donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común. Modelos posteriores al
transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS,
etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de “base” para modular la corriente
de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control
(graduador) y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje.
Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión
aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable
de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en
la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la
Compuerta (Gate) y Fuente (Source).
Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a
Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Cátodo. Los transistores
de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en
día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores
interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a
la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz
incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede
trabajar de 2 maneras diferentes: • Como un transistor normal con la corriente de base (IB)
(modo común) • Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Encapsulados

En resumen:Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y

la potencia que disipen, así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal
tienen un encapsulado de plástico, normalmente son los más pequeños ( TO- 18, TO-39, TO-
92, TO-226 ... ); los de mediana potencia, son algo mayores y tienen en la parte trasera una
chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado
mediante radiador (TO-220, TO-218, TO-247...) ; los de gran potencia, son los que poseen
una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico . Esto, favorece, en gran
medida, la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3, TO-66, TO-123, TO-
213...)