Semiconductores

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante

dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético,
la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.

El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque

idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y
SCd).. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el
silicio una configuración electrónica s²p².

Tabla: Propiedades del Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio

Parámetro Ge Si Ga-As Unidad

Número atómico 32 14

Peso atómico o 72,6 28,1 144,6

molecular
Densidad 5,32 2,33 5,32 g/cm3

Densidad 4,4x1022 5x1022 2,21x1022 (Átomos/cm3)

atómica
Constante 16 12 13
dieléctrica
relativa r
Ancho de banda 0,74 1,21 1,52 eV
prohibida EG a
T=0°K
Tipo de EG Indirecta Indirecta Directa
(estructura de
bandas)
Ancho de banda 0,66 1,11 1,42 eV
prohibida EG a
T=300°K
Ni(300°k) 2,5x1013 1,5x1010 2,25x106 cm-3
Concentración
intrínseca
Resistividad 45 230,000 4x108 .cm
intrínseca(300°k)
Punto de fusión 937 1420 1238 °C

Movilidad de 3800 1300 8500 Cm2 /Vs

electrones a
300°K (n)
Movilidad de 1800 500 450 Cm2 /Vs
huecos a 300°K
(p)
Constante de 101 35 220 Cm2 /s
difusión de
electrones a
300°K (De)
Constante de 49 12 10 Cm2 /s
difusión de
huecos a 300°K
( Dh )
Campo eléctrico 105 3x105 4x105 V/cm
de ruptura (E)
Conductividad 0,6 1,5 0,81 W/cm°C
térmica
(W/cm°c)
Constante de la 0,566 0,543 0,565 Nm
red
Campo de -8 -30 -35 V/m
disrupción
Masa efectiva Mn=0,22 me Mn=0,33me Mn=0,072me
de electrones
Masa efectiva Mp=0,31 me Mp=0,56 me Mp=0,50me
de huecos
Densidad
efectiva de
estados:
 Banda de 1,04x1019 2,8x1019 4,7x1019 Cm-3
conducción
, Nc
 Banda de 6,1x1018 1,02x1019 7x1018 cm-3
valencia,
Nv