Circuitos lógicos combinacionales Síntesis (PLD’s

)
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circuitos lógicos (DISEÑO)
1.

2. 3. 4. 5.

6.

Descripción del problema a resolver (enunciado, Diagrama de flujo) Diagrama de bloques ( ∑ ó ∏ .) Tabla de verdad Plantear ecuaciones Simplificación (manual o software)** Implementación:

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circuitos lógicos (DISEÑO)

PLD’s (Herramientas CAD):  Herramienta de esquemático o HDL (CUPL, ABEL, VHDL)  Compilación y síntesis (GAL, p.ej)  Simulación (Diagramas de tiempo)  Diagrama esquemático: .DOC ó 3

DISPOSITIVOS LÓGICOS PROGRAMABLES    Principios de funcionamiento (Marco te Programación de PLD’s (WinCupl y ChipMaster) Ejemplo práctico 4 .

DISPOSITIVOS LÓGICOS PROGRAMABLES   Diseño lógico actual Estructura de los Dispositivos Lógic PROM  PLA’s  PAL’s  GAL’s Herramientas computacionales de diseño descendente (Top-Down) Herramientas para el diseño electrónico (EDA tools)    5 .

como:  Memorias RAM. .Diseño lógico actual   La mayor parte de los diseños de nivel de sistema incorporan diversos dispositivos. SSI y 6 MSI. ROM  Controladores  Procesadores En los últimos años. los dispositivos PLD (Programmable Logic Device) han comenzado a reemplazar muchos de los antiguos dispositivos de unión.

¿Qué es PLD? Un dispositivo lógico programable (PLD) es un chip LSI ASICs (Application Specific Integrated Circuit) configurable por el usuario.  7 .  La mayoría de los PLD consisten en una matriz de puertas AND seguida de otra matriz de puertas OR.

Diseño lógico actual Ventajas:  Reducción en el número de circuitos integrados. MSI  Menos alambrado 8 .  Reducción de los costos  Dispositivos re-programables  Menos espacio en los impresos  Reserva del diseño  Menos inventarios que con circuitos estándar SSI.

Tipo PAL con 1980 registros.I.Diseño lógico actual Evolución C. Salida versátil (VPAL) 9 PAL EPLD Altera . PLA Fabricant Año Características e Philips 1970 Planos AND y OR Programables Plano AND programable y MMI (AMD) 1978 plano OR Fijo Borrables UV.

Tipo VPAL.Diseño lógico actual Evolución FPGA Xilinx 1984 Matrices de lógica programable por conexiones controladas por SRAM en el propio circuito. etc. conexiones programables (PLA) CPLD Xilinx. 1995 (5) 10 . Altera. Borrable FlashEEPROM y programable en circuito.

Estructura de los Dispositivos Lógicos Programables Básicos Los PLD se clasifican de acuerdo con su estructura (ordenación funcional) de los elementos internos. 11 .

MATRICES PROGRAMABLES   La matriz OR La matriz AND 12 .

MATRICES PROGRAMABLES La matriz OR sin programar 13 .

MATRICES PROGRAMABLES La matriz OR programada 14 .

MATRICES PROGRAMABLES La matriz AND sin programar 15 .

MATRICES PROGRAMABLES La matriz AND programada 16 .

MATRICES PROGRAMABLES 17 .

MATRICES PROGRAMABLES ARQUITECTURA BASICA IN ARREGLO AND-OR OUT 18 .

MATRICES PROGRAMABLES Término Producto V+ Entradas Salida 19 .

MATRICES PROGRAMABLES Término Suma E N T R A D A S E N T R A D A S Salida Salida 20 .

MATRICES PROGRAMABLES Celda programable 21 .

MATRICES PROGRAMABLES Diagramas de Bloques 22 .

MATRICES PROGRAMABLES
Cuatro tipos básicos:  PROM (Programmable Read-Only Memory) Memoria de sólo lectura programable  PLA (Programmable Logic Array) Arreglo lógico programable  PAL (Programmable Array Logic) Dispositivo de lógica de arreglo programable  GAL (Generic Array Logic) (5)

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Algunas definiciones

Memoria: es un conjunto de celdas capaces de almacenar información binaria.  RAM: Memorias de acceso aleatorio(Random Access Memory )  ROM: Memorias de solo lectura(Ready Only Memory)
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PROM (Programmable Read Only Memory).
Es un PLD en el que las uniones en la matriz de puertas AND es fija, siendo programables las uniones en la matriz de puertas OR. Una PROM es un sistema combinacional completo que permite realizar cualquier función lógica con las n variables de entrada, ya que dispone de 2n 25

PROM (PROM. Programable Read Only Memory) 26 .

Programable Read Only Memory)     Direcciones: N bits Palabra de salida: M bits ROM contiene 2N palabras de M bits Los bits de entrada deciden la palabra particular que estará disponible en las líneas de salidas 27 .PROM (PROM.

Están adaptadas para:  Tablas  Generadores de caracteres  Convertidores de códigos Se pueden encontrar PROM con capacidades potencia de 2. 28 . 8 o 16 bit de ancho.PROM (Programmable Read Only Memory). que van desde las 32 hasta las 8192 palabras de 4.

29 .

PROM (Programmable Read Only Memory).  Las PROM son una arquitectura poco eficiente (demasiados términos de producto) y no son muy utilizadas en la práctica para este propósito.  30 . Las líneas de entrada pueden ser usadas como dirección y las líneas de salidas como datos.

PROM (Programmable Read Only Memory). 31 .

Ventajas: • Disponibilidad comercial • Cantidad de referencias • Cantidad de entradas • Reprogramabilidad Desventajas: • Crecimiento de la matriz según número de entradas • Diseños netamente combinacionales (5) 32 .PROM (Programmable Read Only Memory).

Llamado FPLA (Field Programmable Logic Array). 33 .Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array)     El PLA es un PLD formado por una matriz AND programable y una matriz OR programable. La PLA ha sido desarrollada para superar algunas de las limitaciones de las memorias PROM . o simplemente PLA. Primer dispositivo desarrollado para implementar circuitos lógicos.

Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array) 34 .

Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array) Entradas (n) Salidas (m) Términos Producto (p) Es un PLA notado como n x p x m Un PLA n x p x m con p términos producto contiene p compuertas AND de 2*n entradas y m compuertas OR 35 .

Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array) PLA 4x8x4 36 .

Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array) 37 .

Arreglo Lógico Programable PLA (Programmable Logic Array) Desventajas: Costosa fabricación Baja velocidad (dos planos de lógica programable) Para solucionar estos inconvenientes se desarrollaron los PAL. (5) 38 .

siendo fijas las uniones en la matriz de puertas OR. No reprogramable (Excepto la referencia PALCE que emplea tecnología EPROM ó EEPROM) Las PAL no reprogramables emplean el principio de fusible (Metal sobre aleaciones de titanio y tungsteno o de silicio y platino). Más comunes en TTL que en CMOS. Los dispositivos con arquitectura PAL son los más populares y los más utilizados. 39 .PAL (Programmable Array Logic).     PAL (Programmable Array Logic): Tipo de PLDs en las que se pueden programar las uniones en la matriz de puertas AND.

DIAGRAMA DE BLOQUES DE UNA PAL 40 .PAL (Programmable Array Logic).

41 .PAL (Programmable Array Logic).

el fusible 42 . Permite implementar cualquier suma de productos lógica con un número de variables definido. Durante el proceso de programación cuando se requiere la conexión entre una fila y una columna el fusible se deja intacto. Por el contrario.PAL (Programmable Array Logic). cuando dicha unión no se requiere.

PAL (Programmable Array Logic). 43 .

44 .PAL (Programmable Array Logic).

Desventajas: • Cantidad de referencias • El número de funciones que pueden implementarse con PAL es menor que con PROM 45 y PLA . Ventajas: • Popularidad • Reemplazos universales • Diseños combinacionales/secuenciales • Soporte • Mayor densidad y menores retardos que las PLAs.PAL (Programmable Array Logic).

Algunas PAL disponen de pines de E/S. LÓGICAS DE SALIDA DE UNA PAL Salida combinacional a través de un Buffer triestado para evitar cargar la compuerta OR. 46 .PAL (Programmable Array Logic).

PAL (Programmable Array Logic). LÓGICAS DE SALIDA DE UNA PAL 47 .

Lógica de salida Combinacional Completa 48 .

REFERENCIA DE UNA PAL LÓGICA DE ARREGLO PROGRAMABLE SALIDAS EN ESTADO N° DE SALIDAS ACTIVO BAJO N° DE ENTRADAS 49 .PAL (Programmable Array Logic).

REFERENCIAS ESTÁNDAR Configuraciones de salida más comunes: • H: salida a nivel lógico alto • L: salida a nivel lógico bajo • P: nivel lógico programable • R: salida por registro • RA: salida por registro asíncrono •V: salida con producto de términos versátil •VX: salida con producto de términos versátil con XOR • X: salida por XOR con registro •XP:salida por XOR con polaridad programable 50 .

51 .

Re-programables por celdas E2CMOS.GAL (Matriz Genérica programable)    Semejantes a las PAL en cuanto a estructura:  Contiene un arreglo AND programable y un arreglo OR fijo. a diferencia de las PAL (fusibles) Posee una macrocelda de salida (OLMC: Output logic macrocells) que puede ser programada con lógica52 .

GAL (Matriz Genérica programable) DIAGRAMA DE BLOQUES DE UNA GAL Típicamente n >8 y m > 8. 53 .

(Matriz Genérica programable) Bloque de entrada 54 .

GAL E2CMOS En una GAL el fusible se reemplaza por una celda CMOS eléctricamente borrable (E2CMOS o EECMOS) y mediante programación se activa o desactiva cada celda. Una celda activada conecta la correspondiente intersección entre la fila y la columna. 55 .

(Matriz Genérica programable) Programada 56 .

(Matriz Genérica programable) Bloque de salida  El número de términos producto que cada salida de la GAL maneja es fijo. Ver ejemplo de la GAL 22V10 57  .

GAL Matriz Genérica programable) Bloque de Salida OLMC Típico (GAL 22V10) 58 .

59 .

Multiplexor selector de salida: •Nivel de salida (S0) •Combinacional / secuencial (S1) -Multiplexor de entrada/realimentación: • Señal externa (S1 “1”) • realimentación (S1 “0”) 60 .GAL 22V10 Multiplexor selector de salida: .

GAL (Matriz Genérica programable) REFERENCIA DE UNA GAL GAL 22V10 MATRIZ GENÉRICA PROGRAMABLE CONFIGURACIÓN DE N° DE SALIDAS N° DE ENTRADAS SALIDAS VARIABLES 61 .

GAL 22V10 62 .

GAL 22V10 Diagrama de bloques Entradas: Directas 12 Salidas: 10 Posee además: •OLMC •Preset síncrono Realimentadas 10 *Reset asíncrono 63 .

GAL 22V10 64 .

65 .

GAL (Matriz Genérica programable) GAL 22V10 66 .

25 15. 20 10. 20 30. 35 ICC (mA) 55. 115 115 130 130 150 190 Características E2CMOS PLD Genérica E2CMOS PLD Universal E2CMOS PLD Genérica E2CMOS PLD Universal E2CMOS PLD Universal E2CMOS PLD Universal E2CMOS FPLA E2CMOS PLD Programable 67 en Circuito . 115 115 55. 25 15. 25 15. 15. 20 10. 15. 35 30. 15.GAL Comerciales Referencia GAL16V8A GAL18V10 GAL22V8A GAL22RA10 GAL22V10 GAL26CV12 GAL6001 ispGAL16Z8 Número de Pines 20 20 24 24 24 28 24 24 tPD 10.

Tecnología EPROM Arreglo de transistor MOS con doble compuerta 68 .

Esto produce un campo eléctrico muy grande y alto flujo de corriente entre la fuente y el drenador.Tecnología EPROM      Una celda EPROM es un arreglo de transistor MOS con doble compuerta. Para programar la celda un voltaje alto (14 V. La compuerta flotante es puesta entre la compuerta de control del transistor MOS normal y el canal. la compuerta flotante está descargada y el transistor puede ser llevado a ON y OFF de acuerdo con el voltaje aplicado en la compuerta de control. En estado sin programar. 69 . por ejemplo) es aplicado a la compuerta de control. y al mismo tiempo el drenador del transistor es puesto a 12 voltios.

ésta queda “permantentemente” (10 años o más dependiendo de la temperatura de trabajo) cargada. dicho chip será programable una sola vez (Aun sin funcionar con fusible) 70 . En el caso de que el encapsulado no le permita. El chip EPROM es típicamente guardado en un encapsulado que le permite a la luz ultravioleta incidir sobre la compuerta. Las celda se puede borrar por exposición del chip a luz ultravioleta.Tecnología EPROM     El gran campo E en el drenador produce una deflexión en dicha región y acelera electrones a alta velocidad y una pequeña fracción de éstos atraviesan la delgada región de óxido y son atrapados por le compuerta flotante. al excitar los electrones de la compuerta flotante éstos son llevados al sustrato y el resultado es un borrado del chip. Debido a que la compuerta se encuentra rodeada por una región aislante.

Tecnología EEPROM 71 .

el dieléctrico entre la compuerta flotante y el sustrato es muy delgado (100 Amstrongs o menos) Cuando el voltaje para programar es aplicado a través de la la delgada región.Tecnología EPROM      La celda EPROM se constituye a través de una estructura de compuerta flotante con un control de compuerta sobre ella La figura anterior muestra una vista superior de dicha celda y la estructura física requerida para escribir y borrar. Dicho efecto puede ser reversible y la celda es eléctricamente borrada al aplicar un voltaje contrario al aplicado para escribir. En la región de tunel . reduciendo de esta manera la capacidad de integración en un integrado. Una celda de tecnología EEPROM puede consumir el doble de área que una de tecnología EPROM. 72 . los electrones fluyen hasta la compuerta flotante por el mecanismo de efecto túnel.

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