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Polarización de Transistores BJT
L. Calderon, Member, IEEE, L. Cuenca Member, IEEE, E. Leon, Member, IEEE, A. Muñoz, Member,
IEEE, J. Vergara, Member, IEEE
Abstract— In this paper we present the methodology of Design
and calculation of the variables that intervene in the BJT
transistor polarization circuit, which consists of simulating the
circuits. Arming on the board, to demonstrate the functioning and
analysis of results.
Carrying out the design of the following circuits with transistors
and calculating all the polarization parameters. For which we
must comply with all the requirements that are required in each
scheme, the requirements that must be met are presented in each
scheme.
Index Terms—Enter key words or phrases in alphabetical
order, separated by commas. For a list of suggested keywords, se
I. INTRODUCCION
E l transistor es un nuevo componente utilizado en las
prácticas de electrónica. Este es un dispositivo
semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una
variedad de funciones de control en los circuitos electrónicos.
Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación,
oscilación, conmutación y la conversión de frecuencias. En el
reporte siguiente podremos ver los elementos de un transistor,
las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los
tipos de transistores, como realizar un test en un transistor,
aplicaciones de los transistores y sus encapsulados o materiales
que están compuestos.
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como
los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos el
dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la
dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la
flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
A modo grafico para ilustrar el comportamiento lo podemos
asociar a un interruptor con una entrada y salida de corriente y
un botón que permite o no la circulación.
El comportamiento es el mismo, el interruptor es un pulso
eléctrico que se envía a uno de sus terminales y permite la
circulación de una corriente más grande por los otros dos
terminales.
Posee tres terminales con los siguientes nombre
(Colector/Base/Emisor).
Commented [JPOG1]: No hay link de video ni de la firma
en el laboratorio.
No hay cálculos ni fotos que indiquen que se ha desarrollado
Base (B): Siguiendo la línea del ejemplo podemos decir que la practica.
es el pin donde se inyecta la señal que lo “enciende o apaga”, a
esta corriente se la denomina corriente de base.
Nota practica: 0pts
Colector (C): Mediante este pin es donde se alimenta el
transistor, se lo conecta a una fuente para suministrarle la Nota infome: 4pts
energía externa.
Emisor (E): Es el pin por donde se obtiene el resultado de Nota final: 2pts
inyectar la corriente de base y alimentarlo por el colector
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto
quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente
por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor) ,
una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama
amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato
propio de cada transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß
(factor de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla
base).
Ic = ß x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x
Ib, pero se redondea al mismo valor que Ic, sólo que la corriente
en un caso entra al transistor y en el otro caso de sale él, o
viceversa.
II. FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza
en directa y la unión base-colector en inversa.6 Debido a la
agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden
atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base.
A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el
colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos
con la región del ánodo compartida. En una operación típica,
la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión
base-colector está polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en
la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores
generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la
región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de
alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja Commented [JPOG2]: Mantener formato.

concentración cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base está
dopada con material P, los cuales generan "huecos" como
portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser
constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida
útil del portador minoritario del semiconductor, para
minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan
antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base
debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
Figura 1 Caracteristica de un transistor Bipolar
Parámetros Alfa y Beta del transistor de union Bipolar
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la
proporción de electrones capaces de cruzar la base y
alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y
el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que
muchos más electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor común está representada por β
Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de
colector a la corriente continua de la base en la región
activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro
importante es la ganancia de corriente base común, α
La ganancia de corriente base común es aproximadamente la
ganancia de corriente desde emisor a colector en la región
activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la
unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más
precisamente determinados por las siguientes relaciones (para
un transistor NPN):
2
III. TIPOS DE TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
A. Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los
cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga
mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son
NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la
salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal
del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
Figura 2. Transistor NPN
B. Transistores PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las
letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro
de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de
la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
 3

Region Inversa

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en

modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y
emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en
modo activo, el parámetro beta en modo inverso es
drásticamente menor al presente en modo activo.

V. DESARROLLO

Realizar el diseño de los siguientes circuitos con transistores y

calcular todos los parámetros de la polarización. Los
requerimientos que deben cumplir se presentan en cada
Figura 3. Recta de Polarización Vce e Ic esquema.

IV. REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR Circuito 1

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

Figura 4 Región Operativa 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑣

Region Activa directa en cuanto a la polaridad 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸 =
1.5
12
𝑉𝐶𝐸 = = 8𝑣
1.5
𝐼𝐸 = 4.5𝑚𝐴 = 0.0045𝐴

𝛽1 = 375
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni
en la región de corte entonces está en una región intermedia, la 𝛽2 = 375
región activa. En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β 140625
𝛽𝑇 =
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las 10000
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es 𝑅1 = 1𝑘
utilizar el transistor como un amplificador de señal. Commented [JPOG3]: Mantener el formato.
𝑅2 = 1𝑘
 4

Malla de entrada 𝑉𝐶𝐶 12

𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = = 0.006𝐴
−𝑉𝑇𝐻 + 𝑉𝑅𝑇𝐻 + 2𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0 𝑅1 + 𝑅2 2000

Malla de salida 𝐼𝐶𝑄 = (𝛽 + 1)𝐼𝛽

−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐶𝑄 = (140625 + 1)3.2 ∗ 10 − 8𝐴

−𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶∗ 𝑅𝐶∗ + 8𝑣 + 𝐼𝐸 ∗ 𝑅𝐸 = 0 𝐼𝐶𝑄 = 4.5 ∗ 10 − 3𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 )
1000 ∗ 1000 𝑉𝐶𝐸 = 12 − 0.0045(1022.218 + 133.329)
𝑅𝑇ℎ = = 500𝛺
1000 + 1000
𝑉𝐶𝐸 = 6.8v
𝑅2
𝑉𝑇ℎ = 𝑉𝐶𝐶 ∗
𝑅1 + 𝑅2
1000
𝑉𝑇ℎ = 12 ∗ = 6𝑣
1000 + 1000
Sustituimos en la malla de entrada

−6 + 𝐼𝑇𝐻 ∗ 𝑅𝑇𝐻 + 1.4 + 0.0045 ∗ 𝑅𝐸 = 0

−6 + 500 𝐼𝑇𝐻 + 1.4 + 0.0045 𝑅𝐸 = 0

500 𝐼𝑇𝐻 + 0.0045 𝑅𝐸 = 4.6

Sustituimos en la malla de entrada

−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0

12 = 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶 + 8 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶
𝐼𝐶 0.0045 Datos
𝐼𝐵 = = = 3.2 ∗ 10^ − 8𝐴
𝛽𝑡 140625 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 𝑉𝐶𝐶 12
𝑉𝐶𝐸 = = = 4𝑉
𝐼𝐸 = 3.2 ∗ 10 − 8 + 0.0045 = 0.004500032𝐴 3 3
𝐼𝐸 = 2𝑚𝐴
4 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝛽 = 375
0.0045𝑅𝐸 = 4.6 − 500(3.2 ∗ 10 − 8)
Malla de entrada
4.6 − 500 (3.2 ∗ 10 − 8)
𝑅𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 + 𝐼𝑅𝑐 + 𝐼𝐵𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸𝑅𝐸 = 0
0.0045
𝑅𝐸 = 1022.218𝛺 𝐼𝐸 = 𝐼𝑐
4 = 0.0045(𝑅𝑐 + 1022.218) 𝐼𝑐
𝛽=
𝐼𝐵
𝑅𝑐 = 133.329𝛺
𝐼𝑐 2𝐸 − 3
𝐼𝐵 = = = 5,333𝐸 − 6𝐴
𝛽 375
 5

Malla de Salida 𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 = 1,2 + 0,7 = 1,9𝑉

′
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼 𝑅𝑐 − 𝐼𝐸𝑅𝐸 𝑉𝑅𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 = 12 − 1,9 = 10,1𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝛽 + 1)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )𝐼𝐵 𝐼𝑅𝐵 = 𝐼𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝑅𝐵 10,1
𝑅𝐵 = = = 1804934,334Ω
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) 𝐼𝑅𝐵 5,33𝐸 − 6

𝑉𝐶𝐶 12
𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = 𝐼𝐶𝑆𝐴𝑇 = = 3𝐸 − 3𝐴
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 3250 + 750

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐸 =
10
Malla de entrada

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝐼𝐸
𝐼𝐸
𝐼𝐵 =
𝛽
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝛽𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑣𝐶𝐶 − 𝑣𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽𝑅𝐸
Malla de salida

𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑒

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝐼𝐶𝑄 = 2𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 12
𝑉𝐶𝐸𝑄 = = =4
3 3
𝑉𝐶𝐶 12
𝑉𝐸 = = = 1,2𝑉
10 10
𝑉𝐸 1,2
𝑉𝐸 = = = 750Ω
𝐼𝐸 0,002
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝐶
12 − 4
𝑅𝐶 = − 750 = 3250Ω
0,002
𝐼𝐵 = 5,33𝐸 − 6𝐴
 6

VI. CONCLUSIONES
Damos como conclusión que al realizar la práctica los
valores de los cálculos eran aproximados teniendo un
desfase de variaciones .
Hemos aprendido como actúa un transistor BJT
El desarrollo de los cálculos confirman la practica ya que
con ella podemos visualizar el comportamiento del
circuito.

\
 7

First Author. Andres Ramiro Vintimilla

Palomeque was born in Azogues, Ecuador. He
graduated from High school in “Colegio Juan Bautista
Vasquez” and now he is studying mechanical engineer
in “Universidad Politécnica Salesiana”.

Edwin Ismael León Morocho nació en Cuenca provincia

del Azuay, el 25 de Junio de 1996. Realizó sus estudios
primarios en la escuela Gabriel Arsenio Ullauri”,
posteriormente obtuvo su título en bachillerato en Mecánica
Automotriz en el colegio Técnico Cumbe, actualmente
estudia “Ingeniería Mecánica Automotriz” en la
Universidad Politécnica Salesiana.

Juan Carlos Vergara Calle nació en Biblián provincia de

Cañar, el 23 de mayo de 1992. Realizó sus estudios primarios
en la Escuela “INEBHYE”, posteriormente obtuvo su título
en bachillerato en ciencias comunes en el colegio
“BENIGNO MALO”, actualmente estudia “Ingeniería
Mecánica Automotriz” en la Universidad Politécnica
Salesiana.

Lourdes Adriana Cuenca Quizhpi, nació en Cuenca de la

provincia del Azuay, el 23 de junio de 1998. Realizo sus
estudios primarios en la escuela “La Consolación”,
posterior a esto obtuvo su título en bachillerato en
“Aplicaciones Informáticas” en el colegio “Guillermo
Mensi”, actualmente estudia “Ingeniería Mecánica
Automotriz” en la Universidad Politécnica Salesiana.

Lenin Calderón nació en Cañar provincia de Cañar, el 19 de

agosto de 1997. Realizó sus estudios primarios en la Escuela
“Santa Rosa de Lima”, posteriormente obtuvo su
título en electro mecánica automotriz en el colegio “Andrés F.
Córdova”, actualmente estudia “Ingeniería Mecánica
Automotriz” en la Universidad Politécnica Salesiana.

Lesly Avigail Muñoz Gomez nació en Cuenca provincia de

Azuay, el 26 de abril de 1992. Realizó sus estudios primarios en la
Escuela Rosario Prieto de Farfán, posteriormente obtuvo su título en
bachillerato en Informática en el colegio “Técnico Israel”,
actualmente estudia “Ingeniería Mecánica Automotriz” en la
Universidad Politécnica Salesiana.