Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Electrónica 1 Unidad 1 PDF
Electrónica 1 Unidad 1 PDF
Es el más sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los
sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo
interruptor cerrado cuando tiene polarización directa y un interruptor abierto cuando tiene
polarización inversa. Por esta cualidad, es útil para convertir corriente alterna en corriente continua.
Hay tres tipos de material semiconductor con los que se construyen los diodos y son:
El comportamiento del diodo ya sea de silicio (Si) o de germanio (Ge) está dado por la
ecuación 1.1.1.
A P N K (a)
A K (b)
A K (c)
( )
I D = I R e qVD / mkT − 1 Ec. 1.1.1
donde:
ID = Corriente a través del diodo (Amperes).
VD = Voltaje entre las terminales del diodo (Volts).
IR = Corriente inversa de saturación.
q = Carga del electrón, 1.68 x 10-19 Coulombs.
m = Constante empírica, varía de 1 a 2.
K = Constante de Boltzman, 1.38 x 10-23 Joule/ºK.
T = Temperatura absoluta, ºK.
1.2 Funcionamiento.
El comportamiento del diodo presenta dos casos de polarización, directa e inversa. Para
analizar el funcionamiento del diodo se debe hacer referencia a la gráfica de la figura 1.2.1.
Se sitúa en el primer cuadrante de la gráfica de la figura 1.2.1, el diodo no conduce con una
intensidad apreciable (menos del 1 % del valor nominal máximo), hasta que el voltaje aplicado no
supere la barrera de potencial o voltaje de umbral Vγ (aproximadamente 0.3 volts para el germanio y
0.7 volts para el silicio, como se observa en la figura 1.3.1).
A partir de ese punto los electrones y huecos empiezan a cruzar la unión en grandes
cantidades por lo que a pequeños incrementos de voltaje corresponden grandes aumentos de
intensidad de corriente.
Si se aumenta este voltaje lo suficiente (cientos de volts para casi todos los diodos) se llega
al voltaje de ruptura inversa, entonces la intensidad de corriente crece apreciablemente.
El origen de esta corriente se debe a que los portadores minoritarios son “arrancados” de las
zonas donde existen provocando un fenómeno de “avalancha” o reacción en cadena sobre los demás
portadores produciendo con esto un deterioro irreversible del componente (destrucción del diodo). A
este fenómeno se le conoce como ruptura por avalancha o ruptura Zener.
Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza una prueba con el
ohmetro. En sentido directo la resistencia es del orden de 10 a 30 Ω; con polarización inversa se
pueden observar lecturas de 200 a 300 KΩ para el germanio y de varios MΩ para el silicio.
En el diseño de un circuito habrá que seleccionar un tipo de diodo cuyo voltaje máximo
aplicable en sentido inverso (VRmax) sea mayor que el máximo que se espere aplicarle en su
funcionamiento (del orden de 2 veces más).
El circuito exterior debe limitar la intensidad de corriente IF ya que debe ser menor a la
IFmáx del diodo indicada por el fabricante.
Tabla 1.5.1 Comparación de las características de los diodos semiconductores de germanio y silicio.
Ejemplo 1.5.1: Considere el valor de Vγ = 0.7 volts para un diodo de silicio a la temperatura
ambiente (25 ºC). ¿Cuál será el valor de Vγ a una temperatura de 125 ºC?
∆T = 125 ºC – 25 ºC = 100 ºC
entonces, el voltaje de umbral del diodo de silicio a una temperatura de 125 ºC es,
ID
V − RI D − V D = 0
V = RI D + V D Ec. 1.6.1
V VD V V
ID = − =− D + Ec. 1.6.2
R R R R
y = mx + b
1
Donde: m=− , es la pendiente.
R
V
b= , representa la ordenada al origen.
R
VD V
ID = − + Ec. 1.6.3
R R
V
Para VD = 0, se tiene que.... I Dmáx = y
R
Con los datos obtenidos se procede a graficar la recta de carga, la cual se muestra en la
figura 1.6.2.
ID (mA)
1
m=−
R
V (volts)
Ejemplo 1.6.1 Determinar el punto de operación del circuito mostrado en la figura 1.6.3 y
dibujar la gráfica de la recta de carga correspondiente.
ID D
VD
5 V − 0.7 V
Si V D = 0.7 V , entonces I D = = 2.866 mA
1.5 KΩ
VD V
ID = − +
R R
V 5V
Si VD = 0, I Dmáx = = = 3.333 mA
R 1.5 KΩ
Si ID = 0, V Dmáx = V = 5 V
Con los datos obtenidos se procede a graficar la recta de carga, la cual se muestra en la
figura 1.6.4.
I (mA)
IDmáx 3.33 mA
Q
2.86 mA
V (volts)
VDmáx
Figura 1.6.4 Recta de carga y punto de operación (Q) del diodo para el circuito del ejemplo 1.6.1.
Si para este ejemplo la fuente de alimentación de corriente directa se cambia por una fuente
de corriente alterna que varíe entre + 6 V y – 6 V, como se muestra en la figura 1.6.5, la recta de
carga se va a estar desplazando paralelamente entre + 6 V y – 6 V.
ID D
La tabla 1.6.1 muestra los valores de algunos de las diferentes rectas de carga obtenidas al
utilizar la fuente variable de corriente alterna.
Tabla 1.6.1 Valores de algunas de las diferentes rectas de carga obtenidas al utilizar una fuente de C. A.
La figura 1.6.6 muestra los voltajes de entrada (Vin) y de salida (VD), en un osciloscopio,
del circuito del ejemplo 1.6.1, y en la figura 1.6.7 se observa una gráfica en donde se presentan dos
rectas de carga obtenidas a partir de la tabla 1.6.1.
Figura 1.6.6 Voltajes de entrada (Vin) y de salida (VD) del circuito modificado del ejemplo 1.6.1.
IDmáx (mA)
Vm (volts)
Ejemplo 1.7.1.1: Determine los valores de VD, VR e ID del circuito con diodos de la figura
1.7.1.1.
D ID
V R VR
I
V R VR
Figura 1.7.1.1 Circuito con diodos en configuración serie para el ejemplo 1.7.1.1.
V D = 0.7 V
V R = 8 V − 0.7 V = 7.3 V
VR 7.3 V
ID = = = 3.318 mA
R 2.2 KΩ
VGe VSi
DGe DSi
ID
V R VR
Figura 1.7.1.2 Circuito con diodos en configuración serie para el ejemplo 1.7.1.2.
V = V Si + VGe + V R
V Si = 0.7 V
VGe = 0.3 V
VR 11V
ID = = = 1.96 mA
R 5.6 KΩ
V R1 VD
R1 ID D VR2
R2
Vo
V1
V2
Figura 1.7.1.3 Circuito con diodos en configuración serie para el ejemplo 1.7.1.3.
V1 + V 2 = V R1 + V D + V R2
V1 + V 2 − V D = I D R1 + I D R2
V1 + V2 − V D 10 V + 5 V − 0.7 V 14.3 V
ID = = = = 2.11 mA
R1 + R 2 4.6 KΩ + 2.2 KΩ 6.8 KΩ
Vo = V R2 − V 2 = 4.62 V − 5 V = −0.38 V
Ejemplo 1.7.2.1: Determine los valores de ID, I1 e I2 del circuito con diodos de la figura
1.7.2.1.
I1
R1
V
I2
D
R2
ID
Figura 1.7.2.1 Circuito con diodos en configuración paralelo para el ejemplo 1.7.2.1.
V = V R1 + V R2 = V R1 + V D = V R1 + 0.7 V = 10 V
V R1 = 10 V − 0.7 V = 9.3 V
V R1 9.3 V V R2 0.7 V
I1 = = = 9.3 mA I2 = = = 0.7 mA
R1 1 KΩ R2 1 KΩ
Ejemplo 1.7.2.2: Determine los valores de I1, I2 e I3 del circuito con diodos de la figura
1.7.2.2.
R1 I2
I3
I1 D1
R2
V1 D2
V2
Figura 1.7.2.2 Circuito con diodos en configuración paralelo para el ejemplo 1.7.2.2.
V1 = V R1 + V P = I 1 R1 + 1.4 V
V1 − 1.4 V 10 V − 1.4 V
I1 = = = 8.6 mA
R1 1 KΩ
V2 = V R2 + V P = I 2 R2 + 1.4 V
V2 − 1.4 V 5 V − 1.4 V
I2 = = = 3.6 mA
R2 1 KΩ
Ejemplo 1.7.2.3: Determine los valores de Ii, I1 e I2 del circuito mostrado en la figura
1.7.2.3.
Ii R2 I2
I1
V R1 R3
Figura 1.7.2.3 Circuito con diodos en configuración paralelo para el ejemplo 1.7.2.3.
V P = 20 V − 1.4 V = 18.6 V
Por lo tanto,
V P 18.6 V
I1 = = = 18.6 mA
R1 1 KΩ
VRe q − V P + V D = 0
V Re q 17.9 V
I2 = = = 4.84 mA
Req 3.7 KΩ
Ejemplo 1.7.2.4: Determinar I1, I2, I3 e I4 del circuito mostrado en la figura 1.7.2.4.
R1
I1 I3
I2
V R2 I4
Figura 1.7.2.4 Circuito con diodos en configuración paralelo para el ejemplo 1.7.2.4.
Considerando que VP es
V P 1.4 V
I3 = = = 1.4 mA
R 2 1 KΩ
V − V P 10 V − 1.4 V
I1 = = = 8.6 mA
R1 1 KΩ
Observando el diagrama se puede ver que la primera rama del circuito que contiene diodos
es la que define el valor de VP y no la última que cuenta con tres diodos, esto es debido a que las
características de estos dispositivos no permitirían fijar más de 1.4 V en la primera rama, lo que
implica una limitación a los tres diodos en serie, que no se alcanzan a polarizar directamente con
1.4 V y por lo tanto,
I 4 = 0 mA
I1 = I 2 + I 3 + I 4
Ejemplo 1.7.3.1: Determine los valores de I1, I2, I3 e I4 del circuito con diodos de la figura
1.7.3.1.
R1 I4
I1 I2
I3 R3
V R2
Figura 1.7.3.1 Circuito con diodos en configuración mixta para el ejemplo 1.7.3.1.
V − V P 10 V − 1.4 V
I1 = = = 4.3 mA
R1 2 KΩ
Ahora,
V P 1.4 V
I2 = = = 1.4 mA
R 2 1 KΩ
V P − V D 1.4 V − 0.7 V
I4 = = = 0.7 mA
R3 1 KΩ
I1 = I 2 + I 3 + I 4
Ejemplo 1.7.3.2: Determine los valores de I1, I2 e I3 del circuito con diodos de la figura
1.7.3.2.
R1 I2
I1 R2
I3
V1
V2
Figura 1.7.3.2 Circuito con diodos en configuración mixta para el ejemplo 1.7.3.2.
V1 − V P − V D 10 V − 1.4 V − 0.7 V
I1 = = = 7.9 mA
R1 1 KΩ
Utilizando la ley de voltajes de Kirchhoff en la segunda malla del circuito se tiene que:
V R10 KΩ − V2 − V D − V D = 0
V R10 KΩ 6.4 V
I2 = = = 0.64 mA
R2 10 KΩ
I1 = I 2 + I 3
Existen diferentes tipos de recortadores los cuales se pueden clasificar de acuerdo con las
siguientes categorías: