UNIVERSIDAD DE PIURA

Facultad de Ingeniería y Arquitectura

Programa Académico de Ingeniería Mecánico-Eléctrica
Curso: Electrónica General (EL)
Guía de Laboratorio N°3
Tema: Circuitos con transistores

1. Introducción

Estudiaremos un dispositivo electrónico semiconductor: el transistor. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos
domésticos de uso diario: radios, televisores, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas,
ordenadores, ecógrafos, teléfonos celulares, etc.

Tuvieron su origen en la necesidad de amplificar las señales de radio y televisión ya que, al llegar a una antena no se tenía suficiente
potencia para excitar un parlante o un tubo de televisión. Antes de este invento, las señales eran amplificadas haciendo uso de válvulas
termoiónicas de tres electrodos, pero éstas tenían varios inconvenientes como la gran potencia que consumían, su corta duración, su gran
tamaño y la gran cantidad de calor que disipaban.

En 1947, los científicos Bardeen, Brattain y Shockley desarrollaron en los laboratorios Bell el primer transistor de estado sólido y cuatro
años más tarde, con la ayuda de Sparks se construyó el primer transistor de unión bipolar de microvatio.

En el presente laboratorio se estudiará la amplificación de voltaje y de corriente mediante el uso de transistores.

2. Sumario de Conceptos

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2.1. Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. Un transistor está conformado por tres partes: una de ellas es la que se encarga de emitir electrones, por lo tanto, es
el emisor, una segunda parte es la que los recibe, el denominado colector, y por último, una tercera parte que opera como un
modulador del paso de los electrones.

Figura 1: Transistor

En este dispositivo, se forman dos uniones “pn”: la unión colector-base y la unión emisor-base. A continuación, veremos que la
corriente que fluye por una unión afecta a la corriente en la otra unión. Esto hace al transistor BJT muy útil como interruptor o como
amplificador.

2.2. Transistor BJT

Un transistor de unión bipolar es un dispositivo de tres capas de semiconductor extrínseco de tipo n y p, formando así dos uniones
“np”. Cada capa de semiconductor tiene características particulares de dopado y dimensiones específicas que le confieren un
funcionamiento peculiar. Tiene tres terminales unidos a cada una de sus capas, siendo la base (B) el terminal unido a la capa
intermedia y emisor (E) y colector (C) los terminales unidos a las capas de los extremos.

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 Figura 2: Estructura interna del BJT

La finalidad de un transistor es regular el paso de grandes corrientes con una corriente pequeña. Es así que sus principales
aplicaciones son la amplificación de corriente, la amplificación de tensión y regulación del paso de corriente.

2.3. Dopado en un transistor

Como se ha dicho, un transistor BJT tiene tres zonas o capas con diferente dopado, pudiendo las combinaciones ser “npn” o “pnp”
como se aprecia en la Figura 3, dependiendo de esa configuración su estructura cambia, pero su funcionamiento es el mismo.
La base es la capa intermedia y presenta un nivel de dopado muy bajo. El colector es la capa superior en la ilustración 3 y presenta
un dopado medio, mientras que la capa inferior es el emisor. En cuanto a la geometría la base es significativamente más estrecha
que las otras dos capas.

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 Figura 3: Unión NPN y PNP

2.4. Funcionamiento de un transistor BJT

Se ha visto que el transistor bipolar sin polarización se comporta como una unión de dos diodos rectificadores, sin embargo, no
sucede así con el transistor polarizado ya que se comporta de una manera muy particular e inesperada; por lo que enseguida se
expondrá este funcionamiento.

2.4.1. Flujo de electrones en el transistor polarizado

Asumiremos que el transistor trabaja en modo activo directo como se observa en la configuración de la Figura 4. Como se
sabe, el flujo de electrones tiene sentido opuesto al sentido de la corriente. Los signos menos representan los electrones
libres. El emisor, que es una zona altamente dopada, es el que se encarga de inyectar los electrones a la base; la mayoría de
estos electrones la atraviesan y fluyen hacia el colector. Finalmente, el colector es el que recibe los electrones que dejó pasar
la base para insertarlos nuevamente en el circuito.

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 Figura 4. Transistor polarizado

Además, vemos que cuando los electrones libres se encuentran en la base, pueden seguir dos caminos:

 Pueden recombinarse con los huecos existentes en la base, y salir de la base hacia el terminal positivo de la fuente como electrones
de valencia, sin embargo, al tratarse de una zona pobremente dopada, esta recombinación no será en gran cantidad, por lo tanto,
el flujo de electrones que ingrese por la base será pequeño.

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 El camino que seguirá la mayoría de los electrones será pasar hacia el colector; debido a que la zona de la base es pobremente
dopada y además es muy estrecha, por lo tanto, los electrones libres solo recorrerán una distancia muy corta para pasar al colector.
Una vez que la mayoría de los electrones libres ingresan a la zona del colector, fluyen a través de esta zona y alcanzarán el terminal
positivo de la tensión de alimentación del colector.

2.4.2. Bandas de energía

Para hablar de bandas de energía, se necesita indicar si el transistor esta polarizado o no, ya que dependiendo de eso
variarán.
Cuando el transistor no está polarizado, vemos que en las zonas “n” hay electrones libres en la banda de conducción;
mientras que en la zona “p” hay huecos en la banda de valencia; además al polarizar el transistor variarán los niveles de
energía.

Como se puede ver, cuando el transistor se polariza, los niveles de energía varían de tal forma que la zona “n” del colector
ha bajado y la zona “n” del emisor ha subido con respecto al caso del circuito no polarizado.

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 Figura 5. Transistor no polarizado y transistor polarizado

Al analizar el transistor polarizado, podemos observar que en promedio el 5% de los electrones se logran recombinar en la base y pasan a
ser electrones de valencia y el 95% restante pasan hacia el colector. Esto se explica por el hecho de que los electrones al pasar a la base no
encuentran muchos huecos para recombinarse. Más bien, fácilmente atraviesan la base y llegan al colector que tiene unas bandas de
energía más bajas y por lo tanto los electrones tienden a ir hacia él.

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2.5. Tipos de Transistores

Figura 6. Tipos de transistores

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2.6. Curvas características de los transistores

La Figura 7muestra las curvas características de un transistor bipolar típico. Estas curvas están idealizadas, de manera que sólo se
muestran las características principales.

Figura 7. Curvas características en emisor común de un transistor NPN típico

2.7. Zonas de funcionamiento del transistor

La zona en la que está funcionando el transistor depende de la ubicación del punto de funcionamiento en la curva de salida del
transistor. Según esto tendremos las cuatro zonas o regiones de funcionamiento que se aprecian en la Figura 9.

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 Figura 8. Regiones de funcionamiento del transistor

La primera y quizá la más importante es la región activa directa que es la región en la que el diodo emisor-base esta polarizado en
directa, mientras que el base-colector esta polarizado en inversa. En esta región el transistor funciona como amplificador de
corriente.

Una segunda región es la de ruptura, en la que la pendiente de la curva de salida se torna mayor. Esta es una zona indeseable de
funcionamiento ya que implica la destrucción del transistor por efecto Joule. En algunos casos se usa disipadores de calor para alejar
esta región de la región activa y evitar problemas térmicos.

La tercera y cuarta región son las regiones de saturación y corte. Estas dos zonas suelen trabajar alternadamente en un circuito, ya
que en estas zonas el transistor funciona como un interruptor controlado eléctricamente. En la región de saturación el diodo emisor-
base está polarizado directamente, pero el diodo base-colector no está polarizado inversamente, por lo que no se cumplirán las
relaciones de corrientes. Además, en esta zona el transistor actúa como cortocircuito (interruptor cerrado) entre emisor y base ya
que la tensión es despreciable.

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La región de corte es la zona en la que el diodo emisor-base no está polarizado directamente y por lo tanto el transistor actúa como
un circuito abierto (interruptor abierto).

2.8. Corrientes de un transistor

a) Corriente de Base: Es una corriente muy pequeña del orden de los microamperios.
b) Corriente de Emisor: Es una corriente notablemente más grande que la corriente de base.
c) Corriente de Colector: Es una corriente muy parecida a la corriente de emisor.

Estas corrientes se relacionan mediante la ley de nodos de Kirchhoff, ya que la suma de la corriente de base con la corriente de
colector (corrientes que llegan a un nodo) nos da la corriente de emisor (corriente que sale de un nodo). En forma analítica esto se
puede representar de la siguiente manera:
IC + IB = IE

Donde:

 IC: corriente de colector.

 IB: corriente de base.
 IE: corriente de emisor

Figura 9. Dirección de las corrientes en un transistor NPN polarizado directamente

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Debido a que la corriente de base es muy pequeña, podemos considerarla despreciable, entonces:

IC ≈ IE

2.9. Variaciones en la ganancia de corrientes de un transistor

La ganancia de corriente de un transistor se ve influencia por distintos factores como lo son la tolerancia de fabricación, la
temperatura y el punto de funcionamiento del transistor. Un mismo transistor puede variar su ganancia debido a estos factores
hasta en una relación de 3 a 1.

Es necesario tener en cuenta estas variaciones que se pueden producir, ya que en algunos casos pueden originar un cambio
significativo en el funcionamiento de los circuitos.

Por ejemplo, si se fabrican en cantidad transistores 2N3904 los cuales, dependiendo de la temperatura, en el mejor de los casos
presentan ganancias iguales a 300 y en el peor de los casos 100. Observaremos que las ganancias de los transistores se encontrarán
entre esos rangos y no en un solo valor específico.

En la Figura 10 se esquematiza la variación de la ganancia con la temperatura y la corriente de colector. Se puede observar que la
ganancia alcanza su máximo valor para una corriente de colector dada y disminuye conforme la corriente de colector se aleja de
ella.

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 Estas variaciones de ganancia han significado un reto para los diseñadores de circuitos eléctricos y los ha orientado al diseño de
circuitos en los que el punto de funcionamiento se vea muy poco influenciado por la ganancia de corriente.

Figura 10. Gráfica de Ganancia vs Corriente de colector para diferentes temperaturas

3. Trabajo Práctico

Instrumentos y materiales a utilizar

 Un osciloscopio
 Un protoboard por grupo
 Un generador de señales.
 Un multitéster por grupo

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  Una fuente regulable de tensión continúa por grupo.
 Resistencias de 680 Ω (1), 1k (2), 2.2k (2), 3.3k (2), 10k (3) por grupo.
 Cuatro condensadores cerámicos de 100 uF y un condensador de 1 nF por grupo.
 Dos transistores NPN por grupo.
 Dos diodos por grupo

Circuito N.º 01: Amplificador Multietapa

Armaremos una etapa de este circuito, pues las demás etapas tendrán la misma forma.

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Una etapa del circuito Multietapa:

Comenzamos colocando esta imagen para que se

puedan apreciar la fila 24 (mismo nodo donde se
conectan el condensado de 100 μf, las resistencias
de 10 y 2.2 kΩ y el transistor se posteriormente se
colocara.

Circuito N.º 02: Amplificador B/AB

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Circuito en el protoboard:

4. Cuestionario
1. ¿Qué tipo de polarizaciones existen para un transistor? Explique detalladamente cada una de ellas.

2. Investigar acerca de la Polarización de amplificadores de clase B/AB. ¿Qué aplicaciones tiene?

3. ¿Qué efecto tiene la temperatura sobre la ganancia de corriente?

4. Explique brevemente la disipación de potencia en el transistor.

5. ¿Cuál es la fórmula para la disipación de potencia de un transistor? Conociendo esta relación, ¿en qué lugar de la recta de carga
se espera que la potencia disipada sea máxima?

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 6. Realice un análisis completo del circuito N.º 01. Calcule el voltaje de salida del circuito. ¿Qué conclusión puede obtener del estudio
de este circuito?

7. Cuando se mira un diagrama esquemático que muestra un transistor NPN y un PNP, ¿cómo se puede identificar cada tipo? ¿Cómo
se puede identificar la dirección del flujo de electrones (o convencional)?

8. Construya una tabla comparativa donde se muestren los distintos tipos de polarizaciones de un transistor, sus características y
los usos que se les da. Por ejemplo, su tabla puede tener la siguiente forma:

Tipo de Polarización Características Se utiliza en:

5. Conclusiones
6. Bibliografía

 [1] “Principios de Electrónica”. Séptima Edición. Autores: Albert Malvino, David J. Bates.
 [2] Apuntes del curso elaborados por el Dr. Ing. César Chinguel Arrese.

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