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FUENTE DE VOLTAJE REGULADA

(AGOSTO de 2019)
Autor(es) S. Grajales

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Abstract The brief details the basic concepts of semiconductors,
semiconductor types and semiconductor behaviors . Como mencionamos anteriormente, existen materiales
Índice de Términos – Semiconductores, circuitos, fuente, diodos,
integrados.
I. INTRODUCCION
E ste documento es una breve investigación con el fin de dar
inicio a la introducción de los semiconductores, los cuales
representan las bases de la electrónica, en este caso electrónica
digital y de este modo iniciar la materia de Dispositivos
electrónicos, se comienza con una definición de los
semiconductores la importancia, en siguiente se explica la
relación química en los semiconductores desde los tipos de
elementos de la tabla periódica
II. LOS SEMICONDUCTORES
A. la química de los semiconductores
Los elementos de la tabla periódica y especialmente los
metales cuentan con una gran cantidad de electrones de
enlace débil los cuales se identifican con su banda de
conducción. Debido a la facilidad con la que puede
circular corriente por los metales, se les considera
conductores. Por otra parte, hay materiales que tienen
átomos con electrones de valencia fuertemente enlazados
y al aplicar un campo o corriente eléctrica los electrones
no se mueven fácilmente, estos materiales se llaman
aislantes y por lo tanto no conducen grandes corrientes
eléctricas.
B. ¿Que son los semiconductores?
conductores y aislantes, aunque también podemos encontrar
materiales semiconductores que tienen propiedades intermedias
para conducir o no la corriente eléctrica y los encontramos en
los elementos del grupo IV de la tabla periódica. Los
semiconductores son elementos químicos que permiten el flujo
de los electrones, pero con capacidad de conducción inferior a
la de un conductor metálico y superior a
la de un material aislante.
El semiconductor más utilizado es el silicio, en la práctica
comúnmente para aprender de diodos semiconductores se
emplean diodos de Silicio, otros materiales semiconductores
empleados son el Germanio y el Selenio.
Se debe tener en cuenta que el Silicio y Germanio son
semiconductores con características para portar corriente, esto
dependen de la temperatura o la cantidad de luz que incide sobre
ellos.
C. Comportamiento de los semiconductores
En un cristal semiconductor, un electrón de valencia puede
saltar a la banda de conducción dejando un espacio vacío en la
banda de valencia al cual se le denomina hueco. Permitiendo
que un electrón de otro átomo cercano se pueda mover al
hueco, dejando otro hueco y así sucesivamente creando una
cadena con llenado y vacío de huecos, como resultado se
obtiene una corriente que se puede considerar como el
movimiento de huecos en una dirección o de electrones en
otra.

F. A. Jhon Sebastian Grajales Gutierrez Universidad Cooperativa de

Colombia (jhon.grajales@campusucc.edu.co).
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D. Semiconductores Tipo P y N
III. BIBLIOGRAFÍA
Al añadir impurezas a los semiconductores provocamos que
estos tengan una mejor conductividad eléctrica. Este proceso
se conoce como dopado, se puede realizar de dos formas: [1] T. P. Santamaria, Electronica Digital, Zaragoza:
Universidad de Zaragoza, 2005.
Impurezas pentavalentes: Son elementos que podemos [2] J. W. Y. D. R. BIGNELL, Electronica digital,
encontrar en la tabla periódica cuyos átomos cuentan con Mexico: Continental, 1999.
cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre estos
elementos podemos encontrar el Fósforo, Antimonio y
Arsénico.

Impurezas trivalentes: Son elementos cuyos átomos tienen tres

electrones de valencia en su orbital exterior. Podemos
encontrar entre ellos el Boro, Galio e Indio.

Cuando un elemento entra a la red cristalina del Silicio que

tiene cinco electrones se completan los cuatro electrones de
valencia que se precisan para llegar al equilibrio y por lo tanto
quedaría un quinto electrón que permite al elemento ser
mucho mejor conductor. Un semiconductor dopado con
impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N.

Si en la red cristalina de Silicio se introduce una impureza

trivalente se forman tres enlaces covalentes con tres átomos de
Silicio vecinos, quedando un cuarto átomo de Silicio con un
electrón sin enlazar, provocando así un hueco en la red
cristalina. Un semiconductor dopado con impurezas trivalentes
se dice que es de tipo P.

E. Unión NP

Al introducir una impureza tipo P por un lado e impureza tipo

N por otro lado en un material semiconductor se obtiene una
unión PN. En la región N se crean iones positivos y en la
región P se crean iones negativos. Está distribución de cargas
en la unión establece una barrera de potencial que repele los
huecos de la región P y los electrones de la región N
alejándolos entre sí.

Para el caso de Unión PN existen dos formas de polarización:

Unión PN polarizada en directo.

Unión PN polarizada en inverso.

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