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Universidad Autónoma de Nuevo León

Facultad de Ingeniería Mecánica y Eléctrica

Electrónica 1

Reseña #1

Diodos semiconductores

Ulises Michel Domínguez Martínez

1740369

Hora: V3

Salón: elec1

M.C. Faustino Zúñiga Reyes

A 31 de enero de 2018, San Nicolás de los Garza, Nuevo León


RESEÑA

En este capítulo se habla acerca de los transistores de unión bipolar (también


conocidos como BJT por sus siglas en inglés ‘Bipolar Junction Transistor’), se
abarcan distintos temas acerca de estos, principalmente los distintos tipos de
configuración con los que cuenta este transistor.
El capítulo empieza por definirnos qué es un BJT, y lo describe de la siguiente
manera:
“El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p
y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor
pnp.
Las terminales se identifican por medio de las letras mayúsculas E para emisor, C
para colector y B para base.
El término bipolar refleja el hecho de que huecos y electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado.”

La operación del transistor es lo siguiente que se menciona dentro del capítulo, la


operación que se describe es la del transistor pnp, aunque para el npn es la
misma pero con los roles de los electrones y huecos intercambiados.

A lo largo del capítulo se nos mencionan distintas configuraciones para el BJT, la


primera de ellas que se menciona es la configuración base-común.
Esta configuración se deriva del hecho de que la base es común para entrada y
salida de la configuración. Dice además que la base por lo general es la terminal
más cerca a tierra. La salida o conjunto de características del colector ofrece tres
regiones básicas de interés, la activa, la de corte y la región de saturación. La
primera es la región que normalmente se emplea para amplificadores lineales (sin
distorsión). En particular: En la región activa la unión base-emisor se polariza en
directa, en tanto que la unión colector-base se polariza en inversa.
Como su nombre lo dice, la región de corte se define como aquella donde la
corriente en el colector es de 0 A. Además: En la región de corte las uniones base-
emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa.

En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se polarizan


en directa.

Para valores fijos de voltaje en el colector (VCB), a medida que se incrementa el


voltaje base a emisor, la corriente del emisor se incrementa en una forma muy
parecida a las características del diodo.

La siguiente de las configuraciones que se nos muestra en el capítulo, es la


configuración emisor-común.

Esta configuración es la que se utiliza más frecuentemente.

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de


referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento del la configuración
en emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el
circuito de salida o de colector-emisor.

Para la configuración en emisor común, las características de salida son una


gráfica de la corriente de salida (IC) con el voltaje de salida (VCD) para un
intervalo de valores de la corriente de entrada (IB). Las características de entrada
son una gráfica de la corriente de entrada (IB) contra el voltaje de entrada (VBE)
para un intervalo de valores del voltaje de salida (VCE).

La región activa para la configuración en emisor común es esa parte del cuadrante
superior derecho de mayor linealidad, es decir, la región de las curvas de IB son
casi rectas o y equidistantes.

En la región activa de un amplificador en emisor común, la unión base-emisor se


polariza en directa en tanto que la unión colector-base está en inversa.
La última de las configuraciones mostrada en este capítulo, es la configuración en
colector-común.

La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,


puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida,
lo contrario de las configuraciones en base común y en emisor común.

Una configuración de circuito en colector común es con el resistor de carga


conectado desde el emisor a tierra, el colector está unido a tierra aun cuando el
transistor esté conectado del mismo modo que en la configuración en emisor
común.

Se puede diseñar utilizando las características en emisor común, las


características de salida de la configuración en colector común son las mismas de
la configuración en emisor común. Para la configuración en colector común las
características de salida son una gráfica de IE contra VCE con un rango de
valores de IB. La corriente de entrada es, por consiguiente, la misma tanto con las
características en emisor común como en colector común. Por último, ocurre un
cambio casi imperceptible en la escala vertical de IC de las características en
emisor común si IC se reemplaza con IE para las características en colector
común (puesto que alfa = 1). Para el circuito de entrada de la configuración en
colector común bastan las características básicas en emisor común para obtener
la información requerida.

Casi al final del capítulo se hace mención a los límites de operación de este
transistor.

En esta sección, nos dice que para cada transistor hay una región de operación en
las características que garantizará que no se excedan las capacidades nominales
máximas y que la señal de salida exhiba distorsión mínima. Algunos de los límites
de operación se explican por si solos, como la corriente máxima del colector y el
voltaje máximo del colector al emisor.
Por último, para finalizar con el capítulo 3, se nos habla de como se encapsula
este transistor, nos habla de la estructura interna más a detalle y las partes que se
le añaden a este para poder identificar sus terminales y distintas características
que son importantes al momento de usar los transistores.

Un ejemplo de lo antes mencionado, es un punto o una marca que se le pone al


cuerpo del transistor, esto con la intención de mostrar y facilitar la identificación de
las terminales de este mismo, es decir, incluyen una marca para indicar cuales
conectores están conectados al emisor, colector o base de un transistor.

CONCLUSIÓN

En esta lectura sobre el transistor bipolar, podemos encontrar demasiada


información referente a este, prácticamente podemos encontrar todo lo que se
necesite saber para utilizarlo.
Durante todo el capítulo nos menciona lo importante del transistor y lo que
debemos conocer, como sus configuraciones y la polarización de este.
En resumen, un capítulo bastante completo, lleno de muy buena información y
muy útil que sirve para saber desde lo básico hasta lo más complejo de los BJT.

BIBLIOGRAFÍA

Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, Robert L. Boylestad,


Décima edición.

CÓDIGO DE HONOR

Yo Ulises Michel Domínguez Martínez con número de matrícula 1740369


declaro que esta tarea la realicé basado en los valores de honestidad y los
estándares de calidad que marca la Universidad Autónoma de Nuevo León.

Ulises Michel Domínguez Martínez

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