El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se

utiliza en
Varias aplicaciones que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT. Las
Diferencias principales entre los dos tipos de transistor radican en el hecho de que:
El Transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Así como hay transistores bipolares npn y pnp, también existen transistores de
efecto de campo de canal n y de canal p. Sin embargo, es importante tener en
cuenta que el transistor
BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una
función de dos portadores de carga, electrones y huecos. El FET es un dispositivo
unipolar que depende no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como
de la condición de huecos (canal p). Una de las características más importantes del
FET es su alta impedancia de entrada.

Figura 1: Transistor de efecto de campo de unión (JFET).

La variación de la corriente de entrada, en general, es mucho mayor para los BJT

que para los FET con el mismo cambio del voltaje aplicado. Por esta razón: Las
ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores
que para los FET. En general:
Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos
integrados (CI).
La corriente máxima se define como IDSS y ocurre cuando VGS _ 0 V y VDS _ |Vp|.
Para los voltajes de la compuerta a la fuente VGS menores que (más negativos que)
el nivel de estrangulamiento, la corriente de drenaje es de 0 A (ID = 0 A).
Para todos los niveles de VGS entre 0 V y el nivel de estrangulamiento, la corriente
ID oscilará entre IDSS y 0 A, respectivamente.
Se puede desarrollar una lista similar para JFET de canal p.