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Arseniuro de galio

El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio ductores elementales. Además, los fallos en dispositivos
y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa basados en GaAs son más difíciles de entender que aque-
para fabricar dispositivos como circuitos integrados a llos producidos en el silicio, y pueden resultar más caros,
frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarro- al ser su uso mucho más reciente.
ja, diodos láser y células fotovoltaicas.
Pero comparando la relación calidad y precio, el valor
añadido del GaAs compensa los costos de fabricación,
además de que los mercados indicados están en continuo
1 GaAs en tecnologías de altas fre- crecimiento, que demandan esta tecnología que permita
mayores frecuencias, lo que ayudará a abaratar costos.
cuencias
La masa efectiva de la carga eléctrica del GaAs tipo N 2 Referencias
dopado es menor que en el silicio del mismo tipo, por lo
que los electrones en GaAs se aceleran a mayores veloci-
[1] Número CAS
dades, tardando menos en cruzar el canal del transistor.
Esto es muy útil en altas frecuencias, ya que se alcanzará
una mayor frecuencia máxima de operación.
3 Véase también
Esta necesidad de trabajar con circuitos que permi-
tan actuar a mayores frecuencias tiene su origen en las
• Biomedicina
industrias de defensa y espacial, en el uso de radares,
comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo por • Electrónica
parte de programas federales, pronto el GaAs se exten-
dió a los nuevos mercados comerciales, como redes de • Célula fotovoltaica
área local inalámbricas (WLAN), sistemas de comunica-
ción personal (PCS), transmisión en directo por satélite • Circuito integrado
(DBS), transmisión y recepción por el consumidor, siste- • Grafeno
mas de posicionamiento global (GPS) y comunicaciones
móviles. Todos estos mercados requerían trabajar a fre- • Nanocristal
cuencias altas y poco ocupadas que no podían alcanzarse
con elementos de silicio o germanio. • Optoelectrónica

Además, esto ha afectado a la filosofía de fabricación de • Plasmón


semiconductores, empleándose ahora métodos estadísti-
cos para controlar la uniformidad y asegurar la mejor ca- • Semiconductor
lidad posible sin afectar gravemente al coste. Todo es-
to posibilitó también la creación de nuevas técnicas de
transmisión digital a mayor potencia de radiofrecuencia
3.1 Materiales relacionados
y amplificadores de baja tensión/bajo voltaje para maxi-
• Arseniuro de aluminio (AlAs)
mizar el tiempo de operación y de espera en dispositivos
alimentados por baterías. • Arseniuro de indio (InAs)

• Antimoniuro de galio (GaSb)


1.1 Arseniuro de galio vs. silicio y germa- • Fosfato de galio (GaP)
nio
• Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)
Las propiedades físicas y químicas del GaAs compli-
can su uso en la fabricación de transistores por ser un • Arseniuro de indio y galio (GaInAs)
compuesto binario con una menor conductividad térmi- • Fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
ca y un mayor coeficiente de expansión térmica (CET o
CTE), mientras que el silicio y el germanio son semicon- • Nitruro de galio (GaN)

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2 4 ENLACES EXTERNOS

4 Enlaces externos

• Wikimedia Commons alberga contenido multi-


media sobre Arseniuro de galio. Commons
• El arseniuro de galio superfino podría desplazar en
la energía solar al silicio, ya que los costes de ins-
talación de este último permanecen obstinadamente
altos.
• Rogers research group, Universidad de Illinois.
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5 Origen del texto y las imágenes, colaboradores y licencias


5.1 Texto
• Arseniuro de galio Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Arseniuro_de_galio?oldid=84520951 Colaboradores: 4lex, Dodo, Patri-
cio.lorente, Orgullobot~eswiki, Vynith, GermanX, CEM-bot, Rosarinagazo, Thijs!bot, Phoebe, JAnDbot, Humberto, VolkovBot, Alle-
borgoBot, 3coma14, Loveless, Obelix83, PixelBot, Pitxulin1, UA31, SergioN, MastiBot, Luckas-bot, Grupo1-TSF2008, ArthurBot, Or-
tisa, Maxwell’s demon, RedBot, KamikazeBot, Dinamik-bot, GrouchoBot, EmausBot, ZéroBot, Rubpe19, WikitanvirBot, Diamondland,
Gabriel Sozzi, KLBot2, AvocatoBot, MetroBot, Xt103, Elvisor, Jarould, Acrislg81 y Anónimos: 11

5.2 Imágenes
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Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png Licencia: Public domain Colaboradores: Trabajo propio Artista original: Benjah-bmm27

5.3 Licencia del contenido


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