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Lab #2 Polarización en los BJT’s

Juan Sebastián Jiménez Cruz. Estudiante, Ingeniería Electrónica, Hamilton Steven Silva Amado,
Estudiante, Ingeniería Electrónica (USTA Tunja, juans.jimenezc@usantoto.edu.co,
hamilton.silva@usantoto.edu.co)
 están presentes dentro de los circuitos integrados, como en
Resumen—En este preinforme de laboratorio podrá el LM555, un temporizador usado frecuentemente en la
encontrar una breve explicación del funcionamiento y
polarización de los BJT’s, los cuales serán explicados con electrónica para generar mejor eficiencia de la energía en
cálculos y simulaciones, además se expondrán 2 practicas, distintos circuitos.
la polarización de los BJT’s con su respectivo análisis
teórico y práctico, tratados a lo lago de la asignatura de
electrónica I del tercer semestre de la ingeniería
electrónica.

Abstract-- In this laboratory pre-report you can find a

brief explanation of the functioning and polarization of the
BJT's, which will be explained with calculations and
simulations, in addition to 2 practices, the polarization of
the BJT's with their respective theoretical and practical
analysis, treated at the subjects of electronics I of the third Fig. 1. Transistores comerciales.
semester of electronic engineering.
Estos dispositivos electrónicos semiconductores constan
I. INTRODUCCIÓN de tres capas, es decir, que tiene 2 formas de configuración
general, como PNP o NPN, esto de acuerdo al orden de sus
E ste documento provee una breve explicación del tercer
laboratorio y/o preinforme del área de electrónica I de
capas semiconductoras.

In
ingeniería electrónica, en donde se trabajó la polarización de
los BJT’s en 3 estados, corte, saturación y activa. A lo largo
Teniendo en cuenta la definición general de los
transistores se puede ahondar en lo que a transistores BJT’s

th
del preinforme se observará y resumirá la teoría básica de los
BJT´s y su funcionamiento en cuanto a polarización, y, por
se refiere, estos son un tipo específico de transistores, los
cuales poseen 3 terminales; estos son Emisor, Receptor y
consiguiente, dar lugar al informe de laboratorio en cuestión. Colector, lo que le da sentido funcionamiento y polarización
is
De igual forma se expondrán las simulaciones de estos tres de los BJT’s. El termino bipolar hace referencia a que los
huecos y los electrones participan en el material como una
estados y los cálculos básicos de todos y cada uno de sus
pr
experimentos que serán llevados a cabo en el laboratorio. polarización opuesta hacia el material.
Finalmente podrá encontrar ciertos resultados obtenidos
e-
haciendo una pequeña retroalimentación de todo el informe y
unas conclusiones finales con respecto a los experimentos
re
hechos en el laboratorio.

p II. MARCO TEÓRICO

A. Qué es y como está compuesto un transistor.

or Los transistores son dispositivos electrónicos utilizados
Fig. 2. Transistor de unión bipolar BJT (2N2222).

para entregar una señal de respuesta o de salida

t dependiendo de una señal de entrada determinada, en otras
palabras, es la respuesta de la señal de entrada. Estos
ypueden cumplir funciones de amplificadores, osciladores,
conmutadores o rectificadores. Estos componentes
oelectrónicos son usados frecuentemente en radios,
televisores, computadoras, etc… Aunque estos casi siempre
En cuanto a su funcionamiento en una configuración
“normal” la juntura base-emisor se polariza en directa y la
unión base-colector en inversa. Por esta razón los portadores
de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial
emisor-base y llegar a esta primera. Lo que le da
funcionamiento al transistor BJT.

u B. Polarización en los BJT.

wi
ll
fi
n

En los BJT existen diversos tipos de polarización, lo que le
da variedad de operación, en este preinforme se trabajaran los
3 más elementales y su funcionamiento. Corte, saturación y
activa.
B.1 Polarización en región de corte.
El transistor BJT se puede usar en circuitos de control en
los cuales es necesario activar o desactivar algún dispositivo,
para ello se lo polariza para que trabaje en regiones de corte,
en estos casos puede trabajar como interruptor o como switch.
“El uso del BJT en corte es muy útil, si se tiene un circuito
mediante el cual se quiere controlar el encendido y el apagado
de una bombilla, pero resulta que el circuito no es capaz de
suministrar suficiente corriente para encender la bombilla, es
en estos casos que se utiliza el BJT en corte” [5].
La figura 3 (Fig. 3) muestra claramente cómo actúa un
transistor BJT al polarizarlo en región de corte, en este caso
un NPN y más específicamente un 2N222 de referencia en este
tipo de transistores de unión bipolar.
Fig. 3. Circuito base de un BJT
Fig. 4. Distribución de pines en el BJT 2N2222.
2
RC representa la carga a controlar, un led como ejemplo, el
cual necesita un voltaje y una corriente adecuada o estable
para que pueda dar lugar a su funcionamiento.
“La tensión VCC del circuito de polarización se iguala a la
tensión que necesita la carga, la corriente IC será la corriente
que necesita la carga; a través de RB llegará la señal de
control, la cual debe tener suficiente tensión para encender el
diodo base emisor, es decir la tensión mínima de control tiene
que ser mayor a VBE=0,7V, la tensión sobre RB dependerá de
la cantidad de corriente que se tome de la señal la cual será
igual a IB” [5].
En (Fig. 3) La señal de entrada a reorganizar tiene 0V y un
valor máximo de VBB lo que ya da un valor justo de rango
para el voltaje. En polarización de corte se cumple que.
(1) [3]
Con Esto tenemos que en región de corte la corriente de
colector o IC tiene que ser igual a 0, lo cual ocurre si la
corriente de base o IB es igual a 0 de la misma manera,
obteniendo así la ecuación de la segunda malla (Fig. .3)
(2) [3]
Al tener esto ocurre que como la corriente de colector y la
corriente de base llegan a cero todo el potencial o VCC cae
justo en la juntura Colector-Emisor, lo que le da la
característica de polarización en región o estado de corte. “Es
decir, que en el corte a través de RC no hay corriente y toda la
tensión VCC caerá sobre el colector-emisor” [3].
B. 2. Polarización de BJT en región de saturación
Teniendo en cuenta el proceso anterior (Fig. 4) ahora se
quiere polarizar en región de saturación. Para ello el valor de
VCE debe ser igual a 0, debido a que el colector y el emisor no
poseerán corriente o habrá un corto circuito. De forma que
VCE nunca es cero, pero para facilitar o dar lugar sin
problema a los cálculos necesarios para hacer entrar al BJT en
región de saturación se asume que es igual a 0. Con esto se
obtiene la corriente de colector para este caso.
(3) [1]
Esta es la corriente que RC necesita para poder funcionar de
la mejor manera, una vez asimilada la ecuación (3) se puede
usar la ecuación (1) para obtener el valor de la corriente de
base o IB necesaria para obtener la corriente de saturación.
(4) [1]
Un dato importante a mencionar es que el Beta (β) que se
observa en las distintas ecuaciones es el coeficiente de
eficiencia del transistor, es decir, que relacionado con la

corriente de base y la corriente de colector, cuanto mayor es el
número o coeficiente de Beta, más eficiente es el transistor.
Como ejemplo, una corriente de base pequeña puede
amplificar y generar una corriente de colector grande o una
ganancia de corriente en el transistor. Este parámetro básico
se encuentra en el datasheet de cualquier transistor BJT, un
ejemplo de esto es el 2N2222 un transistor común y el usado
para este preinforme. Pero si no se tiene el Beta en el
momento existe una relación entre la corriente de base y la
corriente de colector la cual da lugar o es igual al Beta del
transistor en cuestión.
(5) [1]
Este valor varía dependiendo de las corrientes, es decir, no
es constante, sí y solo sí, los valores en la hoja de datos o
datasheet coinciden con el valor de Beta o Hfe como en
algunas nomenclaturas se conoce.
Fig. 5. Valores predeterminados (voltaje y corriente) para la
polarización en los BJT’s.
Resulta que Beta (β) es afectada por la temperatura
(situación real) y por la corriente de colector (IC) lo cual si
Beta cambia la corriente de base (IB) cambiará y con esto
según nuestras ecuaciones cambiará la corriente de colector de
igual forma, esto podría sacar al transistor de su región de
polarización en saturación.
(6) [1]
Con (5) se logra estabilizar de alguna forma la saturación
del transistor, ya que si Beta cambia cambiará la corriente de
base, pero no se verá afectada la corriente de colector en
estado de saturación (ICsat).
De la malla 1 (Fig. 3) para encontrar el valor de RB más
eficiente para asegurar o determinar la saturación se tiene
(7) [3]
(8) [3]
Reemplazando el valor de IB tenemos
3
(9) [3]
Una vez logrados estos valores se puede hablar de la recta
de carga y el punto Q o punto de operación en este tipo de
transistores. Para el caso de corte y saturación el transistor
tendrá dos puntos de operación, “en el corte el punto de
operación será (VCEcorte,0) y para la saturación el punto de
operación será (0,ICsat), donde vienen a ser los extremos de la
recta de carga (Fig. 6) la cual está en color celeste.
Fig. 6. Recta de carga en BJT’s
Teniendo en cuenta la figura (Fig. 6)
Con esta explicación ya se tiene un poco más claro el
concepto de polarización de los BJT en región de corte y en
región de saturación, esto es importante debido a que hay
aplicaciones utilizadas frecuentemente en la electrónica, un
ejemplo de esto es el puente H que puede ayudar a cambiar el
sentido en el que un motor gira su eje.
B. 3. Polarización en región activa.
Cuando un transistor se encuentra polarizado en región
activa la corriente de colector depende fundamentalmente de
la corriente de base, de Beta (ganancia de corriente) se obtiene
un amplificador y dependiendo de las resistencias conectadas
en colector y emisor se da este tipo de polarización.
III. CALCULOS TEÓRICOS
En cuanto a los cálculos teóricos debido a que se quiere
lograr polarizar un BJT en los 3 estados o regiones (corte,
saturación y activa) se trabajara el mismo voltaje Vcc para los
3 casos, como también el mismo voltaje entre base y emisor
como lo afirma [1] de valor de 0,7V aporximadamente, y
asumiendo un valor de voltaje que esté presente en el rango
utilizable para el laboratorio y las fuentes del mismo.

Fig. 8. Nomenclatura para calculos teoricos en BJT’s.
Teniendo en cuenta cada parámetro dado se puede iniciar a
hacer los cálculos de las 3 regiones de polarización, esto con la
polarización conocida como polarización en la base, la cual
consiste en conectar la resistencia de base a VCC, cálculos y
esquemáticos que veremos a lo largo de esta sección tan
importante del laboratorio.
El método de polarizar este circuito es que todo dependa del
voltaje base emisor por el valor de beta utilizado que
generalmente nos lo proporciona la hoja de datos del
transistor. Esto se resuelve por medio de la ley de Kirchhoff.
Fig. 7. Polarizacion de las base en BJT’s.
A. Polarización en región de corte.
Para lograr la polarización en estado de corte la corriente de
base (IB) debe ser igual a cero, existiendo una pequeña
corriente en el colector debido a que el circuito no está
desconectado de la fuente, sino que tiene muy poca corriente,
casi despreciable, de tal forma que el voltaje entre colector y
emisor sea igual al valor propuesto en Vcc. A demás la unión
base-colector se polariza en inversa, es decir, que el colector
está a un voltaje más alto que la base.
Fig. 8. BJT en estado de corte.
Asumiendo que el voltaje base-emisor es 0,7 V y Vcc es
10V, debido a que la corriente de base debe ser 0 asumimos
una resistencia grande de base (RC), 10kΩ para ser exactos, y
una resistencia de colector de un valor casi nulo, 100Ω como
4
valor exacto de RC en (Fig. 9) ICEO representa la corriente
del colector con respecto al emisor con la base abierta, esto
para lograr el estado de corte.
Lo primero que vamos a hacer es extraer del circuito las
fórmulas de las mallas que vamos a necesitar las formulas
quedaran expresadas de la siguiente manera:
Para la malla de colector será la siguiente ecuación:
Para la malla de base tendremos la siguiente ecuación:
Luego de plantear las ecuaciones de la malla de base y de
colector podemos decir que la corriente de colector (Ic) es
igual a cero.
 Tomamos la ecuación de la malla de colector y
decimos que:
 Como ya se había dicho anteriormente se puede asumir
que la corriente de colector (Ic) es igual a cero
entonces la formula sustituyendo valores nos quedara
de la siguiente manera:
 Entonces teniendo en cuenta lo anterior podemos decir
que:
Para que exista o se pueda suponer una corriente de colector
(Ic) igual a cero necesitamos tener una corriente de base igual
a cero para esto necesitamos tener una resistencia de base
demasiado grande esto lo sabremos por la siguiente formula la
cual corresponde a la ley de ohm:
Para esto ya sabemos el valor de V que en este caso será
Vcc=10, lo único que nos falta es saber es el valor de la
resistencia la cual se asumirá, dando como resultado:
Entonces tendremos que la corriente de base será igual a:
 5

Debido a que la corriente de base (IB) es extremadamente En donde también sabemos que:
pequeña o casi nula, según los cálculos teóricos y fundamentos
en bases teóricas se puede decir que el transistor está en estado
o región de corte.
Luego de obtener las ecuaciones necesarias lo siguiente que
vamos a hacer es encontrar la corriente de colector (Ic), para
B. Polarización en región de saturación.
hacer esto lo que vamos a hacer es despejar de la ecuación de
la malla de base la corriente de base esto se hará de la
Cuando la unión base-emisor se polariza en directa (2 siguiente manera:
fuentes, VCC y VBB) y la corriente de base (IB) se
incrementa, la corriente de colector (IC) también lo hace,  Tomamos la ecuación de la malla de base y decimos
según [1] “Conforme IB se incrementa a medida que VBB lo que:
hace, IC también se incrementa y VCE se reduce a causa de la
caída de voltaje incrementada a través de RC. Cuando el
transistor se va a saturación, IC ya no se incrementa más pese
al incremento adicional de IB. Las uniones base-emisor y  Luego despejamos la corriente de base entonces
base-colector se polarizan en directa. decimos que:

 Reemplazando valores en la ecuación anterior donde

VCC= 10V, VBE= 0.7, RB=10 ohmios decimos que:

“
Fig. 9. BJT en estado de saturación.

Lo primero que vamos a verificar es que la unión base-colector  Lo que nos da como resultado que la corriente de base
como la unión base-emisor estén polarizadas en directa es:

Decimos que

 Ahora conociendo la corriente de base procedemos a

obtener la corriente de colector:

Donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de

saturación suelen tener valores predeterminados entre (0,8 y Entonces simplemente para conocer la corriente de colector
0,2 voltios. Por lo que remplazamos los valores obtenidos en la corriente de base, el
Beta lo podremos encontrar en la hoja de especificaciones del
El transistor está en saturación y nunca se alcanza el valor de transistor en este caso será de 77.
la corriente de colector, la función principal de la región de
saturación es nunca superar el valor de la corriente de  Reemplazando equivalencias nos quedara de la
colector, por ende, los cálculos son correctos. siguiente manera:
C. Polarizacion en región activa.
Lo primero que vamos a hacer es extraer del circuito las
fórmulas de las mallas que vamos a necesitar las formulas
quedaran expresadas de la siguiente manera:  Por último, sustituimos por los valores
correspondientes y decimos que:
Para la malla de colector será la siguiente ecuación:

Para la malla de base tendremos las siguientes ecuaciones:

 Lo que nos dará como resultado que la corriente de
colector será:
 6

C. Simulación en región activa.

IV. SIMULACIONES

A. Simulación en región de corte.

Fig.12. Transistor polarizado en región activa

La región activa es la normal del funcionamiento del

transistor, lo que se busca es que existan corrientes en todas
las terminales de el mismo, además se cumple que el voltaje
Fig. 10. Transistor polarizado en región de corte. base-emisor se encuentra polarizado en directa y la de colector
base se encuentra polarizada en inversa.
En esta región lo que está pasando es que al darle un valor
de resistencia demasiado grande a la base esta no dejara pasar
corriente lo que conlleva a que los demás terminales tampoco V. IMPLEMENTACIÓN
tengan una corriente esto hará que el transistor funcione como
un circuito abierto dejando una diferencia de potencial igual a
Para la implementación en la protoboard se utilizó el mismo
la de VCC que en este caso serán los 10 voltios.
circuito, esto variando los valores de voltaje y resistencias
según los cálculos de cada región de polarización.
B. Simulación en región de saturación.

Fig. 11. Transistor polarizado en región de saturación.

Debido a que este tio de polarizacion no puede asumir la

region de saturacion no se puede dar lugar tanto a su montaje
fisico como tampoco su simulación, pero se sabe que si la
corriente de colector llega a su punto maximo, la corriente de Fig. 13. Montaje en protoboard BJT en polarización de
base se estabiliza y se da esta region o caracteristica de un base.
BJT.

Fig. 14. Polarizacion en región activa.
Fig. 15. Polarizacion en región de corte.
VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS
1. En cuanto a la polarizacion de los BJT no es posible
dar lugar a una representación física (montaje) exacta
de la polarizacion en estado de corte, debido a que sus
valores son muy pequeños y el rango de operación es
bastante peculiar, lo que puede generar
inconvenientes a la hora de ver su comportamiento en
cuento a corriente o incluso voltaje.
2. Para cada caso de polarizacion se tienen distintas
formas de reconocer los valores tanto de voltaje como
de resistencias, tal es el caso de la polarización en
estado de saturación, esto debido a que sus
caracteristicas o comportamiento especial debe ser
tratado con exactitud, si existe un error en estos
cálculos en transistor no podra hacer la funcion
requerida y el circuito no realizará la tarea a cumplir.
3. En la region de saturacion con la polarizacion de base
no se puede dar lugar a su composicion o montaje
fisico, debido a qu elos equipos de laboratorio estan
7
limitados a otorgar 20V maximo de capacidad, lo que
limita a lograr este tipo de polarizacion y debe ser
bastante preciso el experimento, con lo cual, se
deduce que con la polarización por divisor de voltaje
si se puede dar lugar a esta region de saturación.
4. En cuanto al desarrollo del circuito y su diseño permite
que los datos teóricos coincidan con la práctica lo
cual demostraba en correcto funcionamiento de todos
y cada uno de los ejemplos expuestos a lo largo del
informe. Para garantizar el correcto análisis de
polarización de un transistor BJT, se tienen en cuenta
paramentos tales como; Rb>Rc, Ib debe tener unos
valores de amperaje muy bajos y debe ser menor que
Ib, el voltaje medido en Vbc debe darnos con signo
negativo, esto se aplicó en el desarrollo de los dos
circuitos comprobando asi su correcto desarrollo
teórico.
VII. REFERENCIAS
[1] T. L. Floyd, Dispositivos electónicos, octava edición,
Ciudad de Mexico: Pearson-Prentice Hall, 2008.
[2] A. S. Sedra, Circuitos Microelectrónicos, D.f. Mexico:
Oxford University Press, Inc, 2000.
[3] T. d. electrónica, «MrElberni,» WordPress, 19 Julio 2018.
[En línea]. Available: http://mrelbernitutoriales.com/corte-
y-saturacion-bjt/. [Último acceso: 12 Mayo 2019].
[4] B. H. Cinjordiz, «Infootec.net,» 1 Enero 2018. [En línea].
Available: https://www.infootec.net/transistor-npn-y-pnp/.
[Último acceso: 14 Mayo 2019].
VIII. BIBLIOGRAFÍA
Nacido en el año 2000 inició
sus estudios escolares el año
2006 en el Country Bilingual
School donde completó sus
estudios de básica primaria,
posteriormente en el Colegio
de Nuestra Señora del
Rosario culminó los niveles
de secundaria y media
obteniendo allí graduación
como bachiller académico,
tiene un nivel B2+ en inglés
certificado por el Marco
Común Europeo de
referencia. Actualmente
cursa sus estudios de
pregrado universitario en la
 8

Facultad de Ingeniería Electrónica de la Universidad Santo

Tomás de Aquino seccional Tunja.

Nació el 21 marzo del

año 2000 en la ciudad
de Duitama, Boyacá
estudio en el colegio
salesiano de Duitama
desde el año 2005 hasta
el año 2012 donde curso
desde el grado jardín
hasta el grado octavo de
allí inicio sus estudios
en el colegio cooperativo
cooservicios en donde
salió con un técnico
comercial y financiero
finalmente ingreso a la
universidad santo tomas
en donde inicio la
carrera de ingeniería
electrónica y donde sigue vigente.