1

Respuesta en frecuencia de amplificadores

Huircan J., Carrillo R.

Abstract–Para análizar la respuesta en frecuencia de am-
plificadores con transistores se usa un modelo que contenga
los efectos capacitivos (hibrido π del BJT y modelo de alta
frecuencia del FET) correspondientes a Cπ y Cμ o C gs y
G gd . Para amplificadores de una etapa, conviene aproximar
la función de transferencia a una función de primer orden,
el polo entregará la frecuencia
S 1 de corte inferior o superior.
Para multietapas, ω L = , determinado mediante las
Rj Cj
constantes de tiempo en cortocircuito con los capacitores
de ba ja. En al frecuencia ωH = S R1 C , se determina encon-
j j
trando las constantes de tiempo en circuito abierto con los
capacitores de alta.
Index Terms–Respuesta en frecuencia, Ancho de Banda
de Amplificadores.
I. Introduction
La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece
el rango en el cual trabajará el sistema sin distorsionar
la señal. Este se conoce como ancho de banda (BW,
Band Width) y determina las frecuencias para las cuales
se produce el proceso de amplificación. El valor de este
parámetro depende de los dispositivos y de la configuración
amplificadora. En los siguientes apartados, se describen las
zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta
En la práctica, si los circuitos son acoplados directa-
mente, BW = fH .
Para determinar la respuesta en frecuencia de un am-
plificador monoetapa, se consideran tanto los efectos pro-
ducidos por los condesadores de acoplo, como los efectos
capacitivos del dispositivo activo. Para el BJT se debe
usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia,
éste se conoce como modelo híbrido π.
A. Modelo híbrido π
La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta fre-
cuencia del BJT, donde Cπ , es la suma de la capacitancia
de difusión en el emisor y la capacitancia de la unión en
el emisor [Savant], debido a que el primero es mayor se
considera casi igual a la capacitancia de difusión. Cμ , es
la capacidad de union del colector, rx (ó rb ) representa un
efecto resistivo parásito de contacto (llamada resistencia
de difusión de la base), rπ , equivale a la resistencia de la
base.
B
rx Cμ C
+

en frecuencia de configuraciones básicas y se plantea una rπ v Cπ gmv

metodología que permite determinar el ancho de banda _

para un amplificador multietapa. E

II. Respuesta en frecuencia y modelos Fig. 2. Modelo híbrido π.

La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres
áreas: Los parámetros Cπ y Cμ , son llamados Cbe y Cbc respec-
• La región de baja frecuencia, descrita por la respuesta tivamente y en las hojas de especificación de transistores
de un filtro pasaalto aparecen como Cib (capacitancia de entrada en base co-
• Una región independiente de la frecuencia (área cen- mun) y Cob [Horenstein] (Capacitancia de salida en la con-
tral de la curva) figuración base común) respectivamente. El modelo puede
• La región de alta frecuencia, descrita por la respuesta ser completado usando un resistor ro en paralelo con la
de un filtro pasabajos fuente de corriente.
El parámetro gm , se conoce como transconductancia y se
H(j f )
define en términos de los parámetros de polarización como
h
A
A gm = VICT y en términos de hf e se tiene que gm = rfπe .
2
B. Modelo de alta frecuencia del FET
f
L f
H
[Hertz] El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig.
3, éste describe tanto el JFET como el MOSFET canal n.
Fig. 1. Respuesta en frecuencia de un amplificador.
Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor
bajo en pF.
La región de baja frecuencia se caracteriza por una fre-
cuencia de corte inferior fL (ó ω L ), la región de alta fre- G
Cgd
D
cuencia se describe a través de la frecuencia de corte supe- +

rior, fH (ó ω H ). Se define ancho de banda como vgs C gs g v

m gs
rds
_

BW = fH − fL (1) S

Documento preperado en el DIE, Universidad de La Frontera.

Ver.2.5, 2007 Fig. 3. Modelo del FET para alta frecuencia.
2

Las capacidades Cgs y Cgd , representan las capacidades Cc rx Cc

distribuidas que atraviesan el óxido entre la puerta y el v
i v
o
+
canal [Malik]. En el JFET representan las capacidades de g mv
R1 R2 rπ v RC RL
deplexión. El modelo se mejora agregando un resistor ro _
en la salida (rds ).
RE CE
III. Análisis básico de respuesta en frecuencia
Sea el circuito de la Fig. 4, luego para ca, reemplazando
el modelo híbrido, de acuerdo a la Fig. 5. Fig. 6. Circuito de baja frecuencia

Vcc

RC
Vo (s) K1 s Ks
R1 H (s) = = = (2)
Cc
v
Vi (s) s + sp Tp s + 1
Cc o
v Q Donde sp , establece la frecuencia de corte, es decir ω L =
i
RL s
sp o fL = 2πp .
R2

RE CE
H(j f )
K
K
2
Fig. 4. Amplificador básico Multietapa.

La respuesta en frecuencia se encuentra obteniendo la f [Hertz]

L
función de transferencia H (s), luego haciendo s = jω, se
determina el módulo y la fase.
Fig. 7. Frecuencia de corte inferior.

Ci rx Cμ Co
vi vo
A.1 Análisis del efecto de CE
+
gm v Sea ahora CCi → ∞ y CCo → ∞ se tiene el circuito de
R1 R2 C
π rπ v RC RL
la Fig. 8.
_

Vo (s) = −gm V · (RC ||RL ) (3)

RE CE
Por LVK en la entrada se tiene

µ ¶µ ¶
V V 1
Fig. 5. Reemplazo del modelo hibrido π. Vi (s) = rx · +V + + gm V RE || (4)
rπ rπ sCE
La determinación de H (s) puede ser compleja, por lo Despejando V de (4) y reemplazando en (3), se tiene
tanto el análisis se puede dividir en dos partes, la zona de
baja y la zona de alta frecuencia. Vo (s) −gm · (RC ||RL )
= ³ ´³ ´ (5)
Vi (s) 1+ rx
+ r1π + gm RE || sC1E
A. Análisis en baja frecuencia rπ

Para el análisis a baja frecuencia los capacitores Cπ y Desarrollando el paralelo se tiene que
Cμ , se reemplazan por un circuito abierto, quedando sólo
el efecto de los capacitores de baja frecuencia, de acuerdo
a la Fig. 6. rx
v v
i o
Como fL depende de Cci , Cco y CE , la funcion de trans- +
ferencia será de orden superior. Esto se podría simplificar R1 R2 rπ v gmv RC RL
suponiendo que fL sólo depende de una sola de las capaci- _
dades, considerando la otra mucho mayor, luego:
• fL dependerá sólo de CE , haciendo CCi y CCo un cor- RE CE
tocircuito (CCo , CCi >> CE ).
• fL dependerá sólo de CCi y CCo si CE se reemplaza
por un cortocircuito (CE >> CCo , CCi ).
Así, la función de transferencia será de la forma Fig. 8. Efecto de CE .
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES 3

Cc rx Cc
Note que (11) es una función de 2o orden. Para sim-
v
i v
plificar el análisis y tener una función de acuerdo a (2),
+ o
se considera el capacitor de salida CCo >> CCi , luego se
R1 R2 rπ v gmv RC RL tiene
_
(Ã ! )
Vo (s) gm RL Req rπ
≈ − RL
Fig. 9. Efecto de CC. Vi (s) RC + 1
Req + sC1C rπ + rx
i
µ ¶³ ´
s gRmLRL r
rπ
+r
RC +1
π x
= − 1
Vo (s) gm (RC ||RL ) s + CC Req
= − i
Vi (s) RE ( 1π +gm ) g R r C R
1 + rrπx + sCErR E +1
s m L π RCLi eq
(rπ +rx ) R +1
C
gm (RC ||RL ) (sCE RE + 1) = − (12)
= − ³ ´ ³ ´ CCi Req s + 1
(sCE RE + 1) 1 + rrπx + RE r1π + gm
De la cual se desprende que ω L = CC1Req .
gm (RC ||RL )
CE RE (1+ rrπ
(sCE RE + 1) Otra opción seria hacer CCi >> CCo luego se tiene que
x
)
= − RE (6)
1+ rrπ
x+ +RE gm
s+ rπ
µ ¶
CE RE (1+ rrπ
x
) Vo (s) gm RL rπ
≈ − 1 RL
(13)
En forma canónica Vi (s) sC +R + 1 rπ + rx
Co RC C
³ ´
gm (RC ||RL ) gm RL rπr+r
π
sCCo RC
x + RE +R g
(sCE RE + 1) = −
x
³ ´ (14)
Vo (s) 1+ rrπ rπ E m
=− (7) 1 + sCCo RC R RL
+ 1
Vi (s) CE RE (1+ rrπ
x
) C
rx RE s+1
1+ rπ + rπ +RE gm
De esta forma se obtiene
RE
1+ rrπ
x + rπ +RE gm
Donde ω L = CE RE (1+ rrπ
. 1
x
) ωL = ³ ´
RL
A.2 Análisis del efecto de CCi y CCo CCo RC RC +1

Haciendo CE → ∞ en el circuito de la Fig. 6, se obtiene A.3 Análisis determinando la función de transferencia

el circuito de la Fig. 9, planteando la LVK
Para el análisis completo se puede encontrar H (s) del
⎛ ⎞ circuito de la Fig. 6. Por LCK en RC , se encuentra Vo será
1
gm V (s) 1
+RL
sCC
Vo (s) = −RL · ⎝ o ⎠ Ã !
1 1
RC + 1
+RL RC
sCC
o Vo = −gm V RL
RC + sC1C + RL
gm RL V (s) µ o
¶
= − 1 RL sCCo RC
sCC RC + RC + 1
o = −gm RL V (15)
sCCo (RC + RL ) + 1
g R sC R
= − ³m L ´Co C V (s) (8)
RL
1+ R + 1 C R s Haciendo transformación de fuentes en la entrada y
C o C
C
luego planteando la LCK, se tiene
Por otro lado
1
sCci
rπ rx
V (s) = VR1 ||R2 (9) Vi sCciRB
rπ + rx +
R1 ||R2 || (rπ + rx ) rπ V g mV
VR1 ||R2 = Vi (s) (10) RB
R1 ||R2 || (rπ + rx ) + sC1C _
i

1
Haciendo Req = R1 ||R2 || (rπ + rx ), reemplazando (10) RE sCE
en (9) y luego en (8), se llega a

(Ã ! )
Vo (s) gm RL Req rπ
=− Fig. 10. Modificación del circuito.
Vi (s) sC
1
C RC
+RRL
C
+1 Req + sC1C rπ + rx
o i
(11) Por LVK, se tiene
4

µ ¶ 0
1 V V (sCμ − gm ) RL
Vi (s) = ||RB + rx Vo (s) = 0
sCi rπ 1 + sCμ RL
µ ¶µ ¶
V 1 Vi (s) + Vo sCμ rx
+ V + gm V + RE || V = ³ ´
rπ sCE rx
+ s (C + C ) r + 1
µ ¶ rπ π μ x
RB V
Vi (s) = + rx
sCi RB + 1 rπ Reemplazando V , se tiene
³ ´
gm V + rVπ RE
0
+V + 1 + sCμ RL Vi (s) + Vo sCμ rx
sCE RE + 1 Vo (s) 0 =³ ´
⎧ ³ ´ ⎫ (sCμ − gm ) RL rx
+ s (C π + C μ ) rx + 1
rπ
⎨ RB + rx
gm + r1π RE ⎬
sCi RB +1
Vi (s) = V +1+ Finalmente
⎩ rπ sCE RE + 1 ⎭
⎧ ³ ´ ⎫ Vo (s)
⎨ RB g m + 1
R E ⎬ =
rπ rx rπ Vi (s)
= V + +1+
⎩ sCi RB + 1 rπ sCE RE + 1 ⎭
0
(sCμ − gm ) RL
así reemplazando () en () se tiene µ 0
¶
rx C R 0
rπ + 1 + s (Cπ + Cμ ) rx + rx μ L −1 + s2 Cμ Cπ rx RL
( rπ +rx gm +1)
³ ´ 0
sCCo RC
gm RL Vi (s) (sCμ − gm ) RL
Vo (s) = −
sCCo (RC +RL )+1 = 0 (18)
RB (Cπ +Cμ )rx +Cμ RL ( rrπ
x +r g +1
x m ) rx
+1
RE (gm + r1π ) s2 + s + rπ
rπ
sCi RB +1 + rrπx + 1 + sCE RE +1 0
Cμ Cπ rx RL
0
Cμ Cπ rx RL
sCCo RC gm RL
sCCo (RC +RL )+1 Donde (18) corresponde a una función de la forma
= − RB
rx rπ (
RE gm + r1π ) K (s + a)
+1+ +
rπ sCi RB +1 sCE RE +1 H(s) = (19)
s2 + Bs + ω 2H
El último término del denominador representa ω 2H , de
Como se observa, es una función de orden superior, la esta forma se tiene
cual se hace bastante engorroso su desarrollo. El siguiente
rx
paso es dibujar el diagrama de bode para determinar el rπ +1
ωL . ω 2H = 0 (20)
Cμ Cπ rx RL
IV. Análisis en Alta frecuencia
Sea el circuito en alta frecuencia de la Fig. 11. corre- ¯ 2Si se cumple
¯ que |sCπ | << gm y |sCμ | << gm , entonces,
spondiente al circuito de la Fig. 4 ¯s Cμ Cπ ¯ << gm , la función será de primer orden

0
rx Cμ R
v Vo (s) −gm rxL
i
+
vo = ³ ´ (21)
Vi (s) 0
sCμ RL gm + r1π + r1x + 1
+ 1
R1 R2 rπ v Cπ g mv RC RL rπ rx
_
( r1π + r1x ) ωH
Donde ω H = 0
Cμ RL (gm + r1π + r1x )
(ó fH = 2π ).

Fig. 11. Circuito de alta frecuencia.

La respuesta en frecuencia exacta estará dada por la
función de transferencia (18) de segundo orden. La aprox-
0
Sea RL = RL ||RC , planteando la LCK en el dominio s, imación mostrada permitirá obtener un valor cercano a la
se tiene frecuencia real de corte superior.

V. Respuesta en frecuencia para amplificadores

Vo (s) multietapa
0 + gm V = (V − Vo ) sCμ (16)
RL Cuando la cantidad de transistores aumenta, aumenta
Vi (s) − V V la cantidad de capacitores, haciendo que la determinación
= + V sCπ + (V − Vo ) sCμ (17) de la función de transferencia se torne inmanejable. Un
rx rπ
método sencillo basado en aproximaciones permitirá en-
Reordenando contrar la respuesta en frecuencia.
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES 5

0.05 [ μF] g
mv
H(j f )
vout
K Cμ
K Cπ
2
+ 5 [pF] 10K Ω
v rπ
in
_ +
v
rx
f [Hertz]
H

Fig. 12. Respuesta de primer orden.

Fig. 14. Reemplazo del Modelo.

A. Método de la constante de tiempo en circuito abierto
Para estimar la frecuencia de corte superior, ω H , en un
circuito equivalente en alta frecuencia con k capacitores, se
determinan las k constantes de tiempo de acuerdo a (22).
Rj Cj = τ j
Donde Cj es el capacitor del circuito equivalente y Rj
es la resistencia equivalente que ve Cj cuando los demás
capacitores están en circuito abierto. Así, la frecuencia de
corte superior se estima como
Reemplazando el modelo híbrido π del transistor, en el
circuito de la Fig. 13, se obtiene la red de la Fig. 14.
Se observa que el capacitor de 5 [pF ] es comparable a los
capacitores del modelo del transistor por lo tanto, dicho
capacitor será tratado como de alta frecuencia.
(22) • En baja frecuencia, se anula la fuente de excitación,
se reemplaza el capacitor por una fuente de prueba.
vp g
+ mv
vout
ip

rπ
1 1 10K Ω
ωH = = k (23) _ v +
P
k P rx
τj Rj Cj
j=1 j=1

Cj , será Cπ o Cμ de la etapa bajo análisis.

Fig. 15. Circuito de baja frecuencia.
B. Método de las constantes de tiempo en cortocicuito
Para estimar la frecuencia de corte inferior ω L , de un Se determina un Req visto desde el condensador
circuito equivalente en baja frecuencia que contenga n ca-
µ ¶
pacitores, se calculan v 1
ip = −gm v − = −v gm + (25)
1 rπ rπ
ω Lj = µ ¶
Rj Cj v rx
vp = −v − rx = −v 1 + (26)
rπ rπ
Donde Rj es la resistencia de salida vista por Cj , cuando
los demás capacitores están en cortocircuito. vp 1+ rrπ
x
Luego Req = ip = gm + r1π
, finalmente
n
X n
X 1
ωL ≈ ω Lj = (24) 1 1
j=1
R C
j=1 j j ωL = = = 204, 9 [Krad/seg]
(1+ rrπx ) (1+ 2000
50
)
C 0.05 [μF ]
VI. Problema desarrollado (gm + r1π ) (0.01+ 2000
1
)
(27)
Sea el siguiente circuito
fL ≈ 32 [KHz ] (28)
Vcc
• En alta frecuencia
10K Ω
Considerando el capacitor Cμ , éste se reemplaza por una
0.05 [ μF]
vout fuente de prueba y se determina la resistencia equivalente.
+
vin 5 [pF]
5 [mA]
µ ¶
v v 1 1
ip = − − = −v + (29)
rπ rx rπ rx
Fig. 13. Circuito en base común.
(vp + v)
ip = gm v + (30)
RL
Considerando que rb = rx = 50 [Ω], g1m = 100 [Ω],
µ ¶
rπ = 2 [KΩ] , Cπ = 8 [pF ] y Cμ = 1.5 [pF ]. Determinar gm + R1
la respuesta en frecuencia de circuito. Luego Req = 1 + 1 + 1 RL , por lo tanto
L
rπ rx
6

gm v VII. Conclusiones
vout
ip
+
La determinación de la respuesta en frecuencia de un
v
p amplificador se describe a través del BW, ω L y ω H . La
rπ
determinación exacta de dicha respuesta se realiza reem-
_ v
10K Ω
+ plazando el modelo de los dispositivos activos que consid-
rx
eran el efecto de la variación de la frecuencia, luego, me-
diante la función de transferencia se obtiene el diagrama
de bode. Este método puede resultar inmanejable cuando
Fig. 16. Calculando el efecto de Cμ . se tienen más de dos capacitores. Se recomienda para
amplificadores multietapas, determinar las constantes de
tiempo introducidas por cada capacitor, luego el inverso
de la sumatoria de dichas constantes determinará la fre-
à 1
! cuencia superior del amplificador. Para determinar la fre-
gm + RL
τ1 = 1+ RL Cμ = 22.4 [nseg] (31) cuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante
1 1
rπ + rx de tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se
suman para obtener la freceuncia de corte inferior.
• Considerando Cπ
References
gm v [1] Savat, C., Roden, M., 1992. Diseño Electrónico. Addison-Wesley
vout
[2] Horenstein, M. 1996. Microelectronics Circuits and Device.
Prentice-Hall
vp
+ [3] Malik, R. 1996. Circuitos Electrónicos. Análisis, Diseño y Sim-
ip ulación. Prentice- Hall.
_ v +
10K Ω [4] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford
rπ Press.
rx

Fig. 17. Efecto de Cπ .

µ ¶
v v 1 1
ip = + =v + (32)
rπ rx rπ rx
vp = v (33)
1
Luego Req = 1
+ r1x
, finalmente
rπ

1
τ2 = ³ ´ Cπ = 0.39 [nseg] (34)
1 1
rπ + rx

• Considerando 5 [pF ]

vp
ip = + gm v (35)
10KΩ
v = 0 (36)

Así Req = 10 [KΩ] , luego

τ 3 = 10 [KΩ] 5 [pF ] = 50 [nseg] (37)

De acuerdo a la ecuación (23), se tiene que

1
ωH = (38)
22.4 [nseg] + 0.39 [nseg] + 50 [nseg]
o

fH = 2.19 [M Hz] (39)