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1.

Principal ventaja:
 Es la quimisorción autolimitante de precursores en cada ciclo; Esto permite
controlar el espesor y garantiza una excelente uniformidad en la película.
 Películas de alta calidad:
 Control del espesor de la película.
 Excelente repetibilidad
 Alta densidad de película
 Película amorfa o cristalina
 Películas ultra finas

2. Condiciones termodinámicas:
 En una cámara cerrada con una presión menor de 0.25 Torr (33.33059 Pa)
 Requiere temperaturas relativamente altas (típicamente 150-350 ° C). (Depende del
material a sintetizar)
 Los plasmas generalmente operan a presiones de ∼100-500 mTorr.

3. Descripción del sistema:


En el método de ALD, el crecimiento de la película se lleva a cabo de una manera cíclica.
En el caso más simple, un ciclo consta de cuatro etapas:
 La exposición del primer precursor: El precursor A reacciona con sitios
activos en la superficie del sustrato. El precursor A no reacciona consigo
mismo en la fase gaseosa o con A Quimi sorbido a la superficie del sustrato.
Este proceso autolimitante es clave para varias de las propiedades
deseables de la película ALD, como el revestimiento conformado de
características de alta relación de aspecto, películas libres de poros y
control de crecimiento digital.
 Purga de la cámara de reacción: Al gas portador se le da tiempo para
eliminar el exceso de precursor A y los productos de reacción del reactor.
Si el co-reactivo ALD se introduce en el reactor antes de eliminar todo el
precursor A, se producirán reacciones CVD en fase gaseosa.
 exposición del segundo precursor: Después de que se hayan purgado todos
los productos precursores A y de reacción, el sustrato se prepara para
exponerse al co-reactivo. Se introduce un co-reactivo en el reactor que
reacciona con el precursor Quimi sorbido A, nuevamente de manera
autolimitante, para proporcionar la película deseada. El precursor B
también dejará la superficie preparada para reaccionar con otro pulso del
precursor A.
 Purga o evacuación: Purgue, para eliminar el exceso de precursor B y los
productos de reacción del reactor. Las reacciones en fase gaseosa
conducirán a un comportamiento similar a CVD, por lo que no debe haber
precursor B en la fase gaseosa cuando se introduce el precursor B en el
reactor.
4. Explicación de los procesos en la interfaz:
 El depósito de capa atómica, es un método alternativo al de películas en fase
gaseosa, basado en la reacción sobre una superficie hasta lograr saturarla. A
diferencia de las técnicas de depósito de vapor químico, en la técnica de ALD,
los vapores de origen son pulsados en el reactor de forma alternada, uno por
uno, separados por periodos de purga y evacuación.
 En ALD, el sustrato está expuesto a los reactivos A y B individualmente y la
película del producto es formado de manera gradual y muy digital.

5. Ejemplo de un semiconductor:
 La deposición de Al2O3 con TriMethyl Aluminum (Al(CH3)3 o TMA) y agua (H2O) sobre Si
puro u SiO2 para Óxidos de puerta.
 También en la deposición de TiO sobre celdas de SI debido a su nivel de difracción.