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Fet, BJT Yy Aop
Fet, BJT Yy Aop
BJT Y JFET
P. A. Bonilla, D.A.Mora, S.S. Torres
paola.bonilla@uao.edu.co, deybar.mora@uao.edu.co, sara.torres@uao.edu.co,
1Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones, Facultad de Ingeniería, Universidad Autónoma de Occidente, Ala Norte segundo piso, Cali
Colombia
Resumen- Por medio de este informe se expondrá la Además, se logró la invención de los FET,
importancia de la amplificación por medio de cuatro circuitos dispositivos unipolares que, a diferencia de los BJT que
diferentes. Para iniciar se suministrará una señal de voltaje en utilizan tanto corriente de electrones como corriente de
AC positiva de 44 𝑚𝑉 para amplificar, con la cual se huecos, funcionan sólo con un tipo de portador de carga.
alimentará dos configuraciones de amplificadores Un FET es un dispositivo controlado por voltaje, donde el
operacionales, uno inversor y otro no inversor. A la salida del voltaje entre dos de las terminales (compuerta y fuente)
amplificador inversor se conectará una etapa de amplificación controla la corriente que circula a través del dispositivo.
con BJT. Por otra parte al amplificador operacional no Una ventaja importante de los FET es su muy alta
resistencia de entrada. Debido a sus características no
inversor se conectará un amplificador con JFET. Como
lineales, en general no se utilizan mucho en
resultado se espera que la señal de salida del BJT este en fase
amplificadores como los BJT excepto donde se requieren
con la entrada y que por su parte la salida de JFET presente impedancias de entrada muy altas. A continuación, se
un desfase de 180° con respecto a la misma entrada, describirá el funcionamiento básico de estos
confirmando que la configuración de divisor de tensión transistores y se mostrara la aplicación que tienen como
distorsiona la fase de la señal a amplificar amplificadores de señal.
Palabras claves: BJT, JFET, amplificación. II. MODELO TEÓRICO
Los transistores BJT son dispositivos que permiten
I. INTRODUCCIÓN amplificar señales o que funcionan como interruptor para
La construcción de los primeros transistores respondía a permitir el flujo de corriente en un circuito. Son construidos
la necesidad técnica de hacer llamadas telefónicas a largas a través de la unión de materiales dopados N y P (electrones
distancias con menores costos y menores consumos de y huecos) separados por una región muy estrecha, por lo
energía. El antecesor del transistor es el tríodo en un tubo de que se forman las regiones emisor, base y colector [2].
vacío, uno de sus mayores inconvenientes que presentaba
En el caso de un transistor NPN, la región intermedia P
este dispositivo era que consumían mucha energía para
está constituida por la base que presenta un ligero dopado
funcionar. Esto era causado porque las válvulas calientan
en comparación al emisor y al colector que están
eléctricamente un filamento (cátodo) para que emita
fuertemente y medianamente dopados. Si se observa cada
electrones que luego son colectados en un electrodo
una de las dos regiones PN que se forman se puede ver la
(ánodo), estableciéndose así una corriente eléctrica [1].
formación de una zona de deplexión que forma una barrera
Los transistores desarrollados en 1947 creados por de potencial. Si el material es de silicio esta barrera
Shockley, Bardeen y Brattain, resolvieron todos estos consistiría de 0,7 𝑉 y si fuera de germanio sería de 0,3 𝑉.
problemas y todo a bajos voltajes, sin necesidad de disipar Por ello, en el interior de un transistor se encuentran dos
energía (como era el caso del filamento), en dimensiones diodos: uno base colector y otro base emisor (ver figura 1),
reducidas y sin partes móviles o incandescentes que que necesitan de un voltaje mayor al de su barrera de
pudieran romperse. potencial para comenzar a trabajar.
Los transistores se basan en propiedades de conducción
eléctrica entre semiconductores como el silicio y el
germanio logrando así dos regiones N y P. Gracias a sus
diferentes aplicaciones se han logrado grandes avances en el
campo de los amplificadores de señales.
Una de ellas fue inventada en 1952 por el ingeniero de
laboratorio Bell, Sídney Darlington que patentó la idea de
poner dos o tres transistores dentro de un chip, pero que no
patentó la idea de poner múltiples transistores lo que más
adelante originaría la idea moderna de circuito integrado.
1
Debido al dopaje de las diferentes regiones, se puede
considerar que la corriente de base es despreciable con
respecto a la corriente de colector y emisor, infiriendo
entonces que la corriente de emisor es aproximadamente
igual a la de colector:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶
Dependiendo de la corriente que circula por el circuito al
que está conectado el transistor se comportará de la
siguiente forma:
2
tipo p para formar un canal y ambas regiones se unen Para el circuito amplificador con BJT, se presenta un
formando la termina de compuerta. Como se observa en la desfase de 180° con respecto a la entrada producida por la
imagen a continuación: configuración divisora de tensión en el BJT. Por ello, se
empleó un diseño de amplificador operacional inversor para
poner la salida en fase con la entrada. Suponiendo una
ganancia de 5 y una 𝑅1 = 2𝐾 Ω y empleando la ecuación
para determinar la resistencia 𝑅𝑓 , se obtiene que:
−(2𝐾 Ω ∗ 5) = 𝑅𝑓
|10 𝐾 Ω| = 𝑅𝑓
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Fig. 7 modelo TT del transistor, esquema en AC [fuente propia]
Por diferencia de potencial se obtiene que el voltaje en Sin embargo, como se puede ver en la Ecu.15 para hallar
el emisor es de 1,05 V. Con este, hallamos la corriente en el el valor del capacitor se necesita primero hallar Rth o
colector: impedancia de entrada que ve cada uno de ellos. Se aplica
entonces el teorema de Thevenin, se calcula la Rth al abrir
𝑉𝑐𝑐 [13] el capacitor en el que se desea calcular, cortocircuitar los
𝐼𝑒 = 𝐼𝑐 = = 1,11 𝑚𝐴
𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 demás y colocando la fuente de tension como un
cortocircuito y la dependiente de corriente como un circuito
La corriente de saturación es: abierto.
𝑉𝑐𝑐 [14] Calculo de 𝑪𝟏 :
𝐼𝑠𝑎𝑡 = = 1,77 𝑚𝐴
𝑅𝐸1 + 𝑅𝐸2 + 𝑅𝐶 Después de abrir C1 , se analizan las configuraciones de los
resistores (serie o paralelo), llegando a:
Realizando la malla de salida, encontraremos la tensión 𝑅𝑡ℎ1 = 𝑅𝑔 + (𝑅1 ||𝑅2 ||𝛽(𝑟é + 𝑅𝐸1 )) [16]
entre colector-emisor que representa en nuestro caso la
máxima tensión pico que podrá tener nuestra señal. Si la 𝑅𝑡ℎ1 = 7659 Ω
tensión que se inyecta aquí supera ese valor, nos
encontraremos con una señal saturada o recortada. Por lo que:
𝑉𝐶𝐸 = 3,74 𝑉 C1 = 20,78 𝑛𝐹
Al observar la corriente de saturación y el voltaje Calculo de 𝑪𝟐 :
colector-emisor calculados se verifica que efectivamente el
transistor se encuentra en la región activa, por lo que se Como las resistencias quedan configuradas en paralelo,
procede a realizar el cálculo de los acoples y desacoples del se puede decir que la 𝑅𝑡ℎ2 equivale simplemente a 𝑅𝐸2
circuito. Este cálculo es indispensable para evitar que porque esta es mucho más pequeña y las otras tenderán a
existan perdidas de la señal (atenue o rectifique) cuando ella.
pase por el capacitor, lo que se busca entonces es que el
[17]
capacitor se comporte en AC como un corto, de modo que 𝑅𝑡ℎ2 = 𝛽(𝑟é + 𝑅𝐸1 )||𝑅𝐸2
su señal de entrada y salida sea la misma y garantizar que
las impedancias del circuito sean equivalentes para permitir 𝑅𝑡ℎ2 = 470 Ω
el paso de la señal en AC.
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Por lo que: 𝑅𝑓 = 𝑅1 (𝐴𝑣 − 1) = 8𝐾 Ω
C2 = 2,078 𝑚𝐹 Para la entrada de 41,5 𝑚𝑉 la ganancia total obtenida de
Calculo de 𝑪𝟑 : voltaje fue de unos 207,9 𝑚𝑉. De acuerdo a los datos
obtenidos experimentalmente se obtuvo lo siguiente:
La impedancia de 𝑅𝑡ℎ3 termina siendo:
[18]
𝑅𝑡ℎ3 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
𝑅𝑡ℎ3 = 51,7 𝐾Ω
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Por lo que se propuso recalcular las resistencias RD y RS También por la construcción del transistor FET sabemos
para resolver el circuito como amplificador. que IS es igual a ID, por lo tanto, la ecuación que describe
la polarización del transistor es:
Para resolver el problema anterior se empieza por hacer
un análisis en DC del circuito, para ello se tiene en cuenta 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 [3]
que los capacitores de acople y desacoplo (C1, C2, C3) se
consideran como circuitos abiertos en análisis en DC. De
modo que el circuito queda simplificado como se muestra a La Ecu.3 se llama recta de entrada puesto que esta
continuación. ecuación describe un comportamiento lineal. De la ecuación
anterior se desconoce ID, RS y VGS, para resolver esta
ecuación procederemos a usar una relación que se cumple
en los transistores FET que relaciona la recta de entrada y la
curva de la tras conductancia del transistor.
Del circuito de la Fig. 5 para que el circuito pueda Fig.12. Curva de la característica de transferencia universal de un JFET.
trabajar en la zona activa, como amplificador se debe [Imagen]. Adaptado de Dispositivos electrónicos, (p.376) por T. Floyd and R.
Navarro Salas, 8th ed. México: Pearson Educación, 2008.
garantizar una polarización en Gate-Sour VGS con un
voltaje negativo. Para ver si esto se cumple se procede a
realizar un análisis en la entrada del circuito. De la Fig. 3 se representa la corriente de saturación sour
Como en la compuerta esta polarizada por un divisor de IDSS y el voltaje VGS (corte) que debe ser negativo, el
tensión entonces el voltaje en la compuerta es: parámetro IDSS y VGS(corte) son parámetros que el
fabricante del transistor ofrece en la hoja de datos.
30 𝑉 ∗ 𝑅𝐺2 30 𝑉 ∗ 180 𝐾
𝑉𝐺 = = = 9𝑉 Para este caso los cálculos de este circuito se realizan
𝑅𝐺1 + 𝑅𝐺2 420 + 180 𝐾
basándose en el transistor JFET de referencia J111, cuyos
parámetros se describen a continuación:
Como VG es un voltaje positivo entonces el voltaje VS
debe ser mayor para garantizar una polarización de VGS VGS(corte) = -3,0 Vdc
negativo. Para relacionar estos parámetros tenemos la
IDSS = 20 mAdc
siguiente ecuación:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 [2] Con lo anterior y basándose en la relación descrita en la
Fig. 6 se resuelve la ecuación Eq.3:
𝐼𝐷𝑆𝑆 [4]
𝑐𝑢𝑎𝑛𝑑𝑜 0,5 ∗ 𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
Por ley de ohm sabemos que VS es igual a IS por RS 4
entonces:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝑆 ∗ 𝑅𝑆 Usando el criterio anterior se resuelve que:
6
𝐼𝐷𝑆𝑆 20 𝑚𝐴 [5] esta ecuación garantiza la región de trabajo del transistor,
𝐼𝐷 = = = 5 𝑚𝐴 para este caso se quiere llevar al transistor a la región activa
4 4
para que funcione como amplificador de pequeña señal.
𝑉𝐺𝑆 = −1,5 𝑉
30 𝑉 − 12
𝑅𝐷 = − 2100 = 1500 Ω
5 𝑚𝐴
Fig.13. Curva de entrada transistor FET. [imagen]. Adaptado de Dispositivos
electrónicos, (p.376) por T. Floyd and R. Navarro Salas, 8th ed. México: Pearson
Educación, 2008.
Teniendo los valores de RS y RD podemos garantizar
A continuación, se busca calcular el valor de RS para que el transistor JFET trabajara en la región activa.
resolver el circuito, de modo que para encontrar este valor
se realiza un análisis en la salida del transistor, se procede a Análisis en AC:
hacer un análisis de voltajes de Kirchhoff.
Ahora que se conoce las características en dc del
−30 𝑉 + 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 = 0 transistor podemos analizar cuál es el comportamiento en
AC. Para proceder con este análisis en AC es necesario
conocer el modelo del transistor FET y analizar el circuito
Expresando VRS y VRD en términos de la corriente ID cortocircuitando las fuentes en DC.
la ecuación anterior se puede ver de la siguiente manera:
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𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = 1 −
𝑉𝐺𝑆(𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒)
Av = 5
Finalmente acoplados los dos circuitos de la segunda
etapa de amplificación, se obtuvo lo siguiente:
1
𝑋𝑐 =
𝑊𝑐 ∗ 𝐶 [10]
V. BIBLIOGRAFIA
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