EL

 TRANSISTOR  MOSFET  
 

CURVAS  CARACTERÍSTICAS  DE  UN  

MOSFET  CANAL  N  DE  ENRIQUECIMIENTO  
 
 
 
 FORMA  DE  PRESENTACIÓN  DE  LAS  ECUACIONES  DEL  MOSFET  DE  
ENRIQUECIMIENTO  
 
De  la  ecuación  que  define  el  umbral  VDS  =  VGS  -­Vth    =  VOV  
 
Se  define  
 
Para  la  región  triodo  VGS  >Vth            VDS  <  VGS  -­Vth            VGD  >  Vth  
 
 
 
 
Para  la  región  de  saturación  VGS  ≥Vth          VDS  ≥  VGS  -­Vth            VGD  <  Vth  
 
 CARACTERÍSTICA  DE  TRANSFERENCIA  ID  VS.  VGS  DEL    
MOSFET  DE  ENRIQUECIMIENTO  
De  la  ecuación  en  la  zona  de  saturación  puede  realizarse  la  gráfica  de  la  
corriente  iD  vs.  el  voltaje  vGS  en  el  límite  entre  las  regiones.  
 
 
 
 
 
En  la  región  de  
saturación  el  MOSFET  
se  comporta  como  una  
fuente  de  corriente  
cuyo  valor  está  
controlado  por  vGS.  
 
 CARCTERÍSTICAS  COMPLETAS  DEL  MOSFET  TIPO  N  DE  
ENRIQUECIMIENTO    
 

 
 
El  MOSFET  se  comporta  como  una  fuente  de  corriente  cuyo  valor  está  
controlado  por  vGS  
 REPRESENTACIÓN  CIRCUITAL  DE  LA  OPERACIÓN  DEL  MOSFET  EN  
LA  REGIÓN  DE  SATURACIÓN:  
CIRCUITO  EQUIVALENTE  DE  GRAN  SEÑAL  

 
 RESISTENCIA  EN  LA  REGIÓN  DE  SATURACIÓN  
 
*  En  la  práctica,  al  aumentar  vDS  
se  ve  afectado  el  punto  de  pinch-­‐
off.  La  longitud  del  canal  se  
reduce  (modulación  de  la  
longitud  del  canal).  
*  La  corriente  iD  es  inver-­‐
samente  proporcional  a  la  
longitud  del  canal  y  aumenta.  

λ  es  un  parámetro  que  depen-­‐

de  de  la  tecnología  utilizada  y  
es  inversamente  proporcional  a  
la  longitud  del  canal.  
CARACTERÍSTICAS  REALES  DE  SALIDA  DE  UN  MOSFET  TIPO  
ENRIQUECIMIENTO  CONSIDERANDO  LA  MODULACIÓN  DEL  CANAL  
 
 EXTRAPOLACIÓN  DE  LAS  CURVAS  CARACTERÍSTICAS  DEL  MOSFET  
 
La  intersección  de  la  
extrapolación  de  las  
curvas  ocurre  en    
VA=  1/λ.  
La  resistencia  de  
salida  es  
 

 
 
  EL  EFECTO  SUSTRATO  
 
*  Usualmente  el  Sustrato  se  conecta  al  Source,  por  lo  que  se  usa  el  
modelo  simplificado  de  tres  terminales.  
*  En  circuitos  integrados  el  sustrato  es  común  a  varios  dispositivos.    
*  Para  mantener  la  condición  de  corte  de  la  juntura  PN  el  sustrato  se  
conecta  a  la  fuente  más  negativa  para  NMOS  y  a  la  más  positiva  para  
PMOS.  Esto  aumenta  la  región  de  vaciamiento  y  reduce  la  profundidad  
del  canal.  Para  reponer  el  canal  hay  que  aumenta  vGS.  
*  El  efecto  se  puede  representar  como  un  cambio  en  Vth  al  variar  VSB  
 
 
 
Donde:  Vtho:  Voltaje  Vth  para  VSB  =  0  
φf  =  Parámetro  físico  (2φf  ≈  0,6V)  
γ =  Parámetro  del  proceso  de  fabricación.  Parámetro  del  efecto  sustrato  
*  El  terminal  B  actúa  como  otro  G  del  MOSFET.  
 SÍMBOLOS  CIRCUITALES  
 
Para  el  NMOS  de  enriquecimiento  (MOSTET  canal  N)  
 
 
 
 
 
 
Para  el  PMOS  de  enriquecimiento  (MOSTET  canal  P)  
 
 POLARIZACIÓN  DE  MOSFETS  
 
1.-­‐Determine  los  valores  de  las  resistencias  para  que  el  MOSFET  opere  a  
ID  =  0,4  mA  y  VD  =  0,5V.  Los  parámetros  son  Vth=0,7V,  µnCox=100µA/V2,  
L  =  1µm  W  =  32µm.  Considere  λ  =  0.  
Dado  que  VD  =  0,5V  es  mayor  que  VG,  (VGD  <  Vth)  el  
MOSFET  va  a  estar  en  la  región  de  saturación.  
   
 
 
Sustituyendo:  
Vov  =±0,5  V  
   
Vs=-­‐1,2V  
 
 
 
2.-­‐Determine  el  valor  de  la  resistencia  R  para  que  el  MOSFET  opere  a  
ID=80µA  y  determine  el  valor  de  VD.  Los  parámetros  son  Vth=0,6V,  
µnCox=200µA/V2,  L  =  0,8µm  W  =  4µm.  Considere  λ  =  0.  
 
VGD=0.  Como  VGD  <  Vth  está  en  la  región  de  saturación.  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
3.-­‐Determine  el  valor  de  la  resistencia  R  para  que  VD=0,1V.    ¿Cuál  es  la  
resistencia  efectiva  entre  Drain  y  Source  en  este  punto  de  operación?  
Los  parámetros  son  Vth=1V,      kn'(W/L)  =  1mA/V2.    
 
VG=5V  y  VD=0,1V        VGD=4,9  V    
VGD>Vth      Está  en  la  región  de  triodo  
 
 
 

 
                             Se  selecciona  12kΩ  
 
 
4.-­‐Determine  el  valor  de  los  voltajes  y  
corrientes.  Los  parámetros  son  Vth=1V,      
kn'(W/L)  =  1mA/V2.  
 
Voltaje  de  Thevenin  en  el  Gate:  
 
 
 
Se  comienza  suponiendo  saturación.  
 
 
Dos  valores:  0,89  y  0,5  
 
Con  0,89mA  VD=  0,89x6=  5,34  >VG:  Estaría  en  corte  
Con  0,5mA  VD=  0,89x6=  5,34  V        VS=  0,5x6=  3V    VGS=  5-­‐3=2V    
VD  =  10  -­‐  6x0,5=  7V      VGD  =  5  -­‐7  =  -­‐2V<  Vth=1V  Está  en  saturación  
 POLARIZACIÓN  CON  FUENTE  DE  CORRIENTE  
EL  ESPEJO  DE  CORRIENTE  CON  MOSFET  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
RECTA  DE  CARGA  
 CARACTERÍSTICA  DE  TRANFERENCIA.  GRAN  SEÑAL  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 EL  MOSFET  COMO  AMPLIFICADOR  
 
En  saturación:  Corriente  DC  (polarización)  
 
 
 
 
 
 
Al  aplicar  la  fuente  AC:  
 
 
 
 
 
 
 
Si  vgs  se  mantiene  lo  suficientemente  pequeño,  se  pueden  tomar  en  
cuenta  solo  los  dos  primeros  términos.  En  caso  contrario:  distorsión  
 
 
 
 
 Entonces:  
 
 
 
 
 
Otras  expresiones  para  gm  
 
 
 
 
Sustituyendo  en  la  expresión  de  gm  
 
 
 
 
 
Una  tercera  expresión:  
 
*  Ganancia  de  voltaje  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
MODELO  EQUIVALENTE  DE  PEQUEÑA  SEÑAL  
 
 

 
 
 
 
 AMPLIFICADOR  
SOURCE  COMÚN  
 
En  DC:    Punto  de  
operación  Q  
 
 
En  AC:  Ganancia  de  
voltaje,  ganancia  de  
corriente,  impedancia  
de  entrada  e  
impedancia  de  salida.  
 
 
 
 
 
*  Ejercicio  de  Amplificador  Source  Común  
 
Vth  =  1,5V                k'(W/L)  =  0,25  mA/V2,                      VA  =  50V  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Punto  de  operación.  Suponemos  que  el  MOSFET  está  en  saturación  
 
 
 
 
Como  la  corriente  de  Gate  es  cero  no  hay  caída  de  voltaje  en  RG,  por  lo  
tanto  VD  =  VG.    El  voltaje  de  Source  es  cero.  Entonces  VGS  =  VG  =  VD  
 
 
 
 
 Resolviendo  
 
*  Cálculo  de  los  parámetros  
 
 
 
*  Resolución  de  la  ecuación  de  segundo  grado  
 
 
 
 
 

 
 
 

 
 Negativo.  No  válido  
 
 
 
 
*  Circuito  de  pequeña  señal  
 
   
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Cálculo  de  AV  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Para  RG  con  valor  elevado  (en  este  caso  RG  =  10MΩ)  
 
Es  la  solución  del  libro  
 
 
¿Es  aceptable  la  aproximación?  
 
 
 
 
 
 
 
Es  aceptable  
 
Si  RG  tiene  un  valor  elevado,  puede  despreciarse  esta  resistencia  en  los  
cálculos  de  la  ganancia  de  voltaje.    
 
*  Resistencia  de  entrada  Rin  =  vi/ii  
 
 
 
 
 
 

 
 
 
 
*  Resistencia  de  salida  
Ro=Vp/Ip        vgs  =  0  
Ro  =  RD//ro  =    
=47//10  =  8,25kΩ  
*  Ganancia  de  corriente    
 
 
 
 
Es  muy  elevada  
 
 
*  Máximo  voltaje  de  entrada  para  estar  en  saturación    vDS  ≥  vGS  -­‐  Vth  
Cuando  vGS  es  máximo  y  vDS  mínimo:  vDSmin=  vGSmax  -­‐  Vth  
El  voltaje  vDS  es  mínimo  cuando  la  excursión  baja  por  debajo  del  punto  
de  operación  VDS,    de  forma  que    vDSmin=  VDS-­‐|AV|vi        y  vGSmax  =  vGS+  vi  

vgs = 0, 34 << 2(VGS − Vth ) = 2x( 4, 4 −1,5) = 5,8V (aceptable)

 CONCLUSIONES  SOBRE  EL  AMPLIFICADOR  SOURCE  COMÚN  
 
*  La  ganancia  del  amplificador  Source  Común  es  relativamente  elevada,  
y  la  señal  de  salida  presenta  un  desfasaje  de  180º  con  respecto  a  la  de  
entrada,  según  indica  el  signo  negativo  que  se  obtiene  en  la  relación  de  
AV.      
 
*  La  impedancia  de  entrada  depende  de  las  resistencias  del  polarización,  
por  lo  que  se  seleccionan  valores  elevados,  del  orden  de  las  unidades  o  
decenas  de  MΩ,  para  obtener  la  resistencia  de  entrada  mas  alta  posible.  
 
*  La  impedancia  de  salida  depende  de  la  resistencia  de  Drain,  lo  cual  
hace  que  presente  un  valor  relativamente  alto.  
EL  AMPLIFICADOR  SOURCE  COMÚN  CON  RESISTENCIA  DE  SOURCE  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Para  analizar  este  circuito  es  conveniente  utilizar  el  modelo  T.  
EL  MODELO  T  PARA  MOSFET  
EL  MODELO  T  INCLUYENDO  LA  RESISTENCIA  ro  
 
 ANALISIS  DE  PEQUEÑA  SEÑAL  DEL  AMPLIFICADOR  SOURCE  COMÚN  
CON  RESISTENCIA  DE  SOURCE  APLICANDO  EL  MODELO  T  
 
*  Resistencia  de  entrada  
 
*  Ganancia  de  voltaje  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
AMPLIFICADOR  DRAIN  COMÚN  
 
 
 
*  Circuito  equivalente  con  el  modelo  T  incluyendo  ro  
 
 
 
*  Circuito  equivalente  con  el  modelo  π  incluyendo  ro  
*  Ganancia  de  voltaje                    Se  define  Rp  =  RC//RL//r  
 

 
 
     Es  menor  que  1  
 
   La  salida  está  en  fase  con  la  entrada  
 
Con  el  modelo  T:  
 
Mismo  
resultado  
 
 
*  Resistencia  de  entrada  
 
*Resistencia  de  salida  

Vp  =  -­vgs  
 
 

 
 
 
 Ro  =  Rs//ro//(1/gm)  
*  Ganancia  de  corriente  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Depende  del  valor  de  las  resistencias  de  polarización  
 
 
 
 
 
 
*  Ejercicio  de  amplificador  Drain  Común  
   
 
 
 
 
 
 
*  Los  parámetros  del  MOSFET  
 
En  saturación:      
 
En  los  manuales  aparece  GFS    "Forward  Transconductance":  
Relación  entre  la  variable  de  salida  (ID)  y  la  de  entrada  VGS  para  una  
corriente  ID  específica.  Esta  definición  es  similar  al  gm  para  
pequeña  señal,  aplicada  a  valores  DC.  Para  el  MOSFET  VN10K:  
 

 
Para  trabajar  con  las  ecuaciones  de  polarización  se  define:  

1 W W
iD = K (VGS − Vth ) 2 K = k' k' = 2K
2 L L

€ €
 Utilizando  una  de  las  ecuaciones  para  gm  y  aplicándola  a  GFS  
(identificada  también  como  Gm):  
 
W 2I D W
  gm = k'
L W k' = 2K
  k' L
  L
 
  W 2I 2I I
D D D
Gm = k' = 2K € = 2K = 2 KI D
L W 2K K
€ k'
  L
  Gm = 2 KI D
Con  los  datos  del  ejercicio:  
 
mA
100 = 2 K 500mA K=5
mA € iD = 5 mA (VGS − Vth ) 2
V V2
  V2

€
€
*  Cálculo  del  punto  de  operación  suponiendo  saturación  
 
 
Voltaje  VGG:  
 
 
2MΩ
VGG = 12V = 8V
3MΩ
 
Vth  ≈2V  
 
 €
 
 
 
 
*  Determinación  de  la  corriente  ID.  
 
 
 

 
 
       En  saturación  
 
 
 
 
 
*  Análisis  de  pequeña  señal.  Parámetros  
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Modelo  de  pequeña  señal  
 
*  Modelo  de  pequeña  señal  arreglado  

*  Ganancia  de  voltaje  

 
 
 
 
 
 
 
 
*  Resistencia  de  entrada    
 
*  Resistencia  de  salida  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Ganancia  de  corriente  
 

 
 
*  Parámetros  del  amplificador  
 
Tiene  ganancia  de  voltaje  menor  que  1  
 
Resistencia  de  entrada  muy  elevada  
 
Resistencia  de  salida  baja  
 
 AMPLIFICADOR  GATE  COMÚN  
 
 
 
 
 
 

La  resistencia  RG  evita  la  

acumulación  de  carga  estática  
en  Gate,  y  el  condensador  CG  
asegura  que  Gate  esté  a  tierra  
para  el  análisis  de  pequeña  
señal.    
Hay  que  calcular  el    punto  de  
operación  y  los  parámetros  del  
modelo  de  pequeña  señal.  
 
 MODELO  DE  PEQUEÑA  SEÑAL  
 
Con  modelo  π  
ro  no  se  va  a  tomar  en  
cuenta  
 
 

 
 
 
 
Con  modelo  T  
ro  no  está  incluida  
 
*  Del  modelo  π  simplificado:    
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Ganancia  de  voltaje:  
 
 
 
 
*  Ganancia  de  corriente  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Es  menor  que  1  
*  Resistencia  de  entrada  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Esta  configuración  tiene  una  baja  resistencia  de  entrada.  
*  Resistencia  de  salida