Eletrénica Geral 73 6 Transistores Competéncias a serem atingidas: * Conhecer a construgo e 0 funcionamento do transistor bipolar conforme sua polarizacao. + Analisar circuitos transistorizados empregando o transistor como chave e fonte de corrente. 6.1 Introdugao © transistor é um componente eletrénico semicondutor que constitui a base para a fabricagao de amplificadores, microprocessadores, conversores estaticos e outros dispositivos eletrénicos. O transistor 6 um componente versatil que pode funcionar como amplificador, chave eletrénica ou fonte de corrente. Embora sua utilizagao como amplificador seja mais difundida, ele & muito utlizado também como chave. E 0 caso dos conversores estaticos de poténcia e dos circuitos digitais tais como os microprocessadores. © primeiro transistor foi desenvolvido por William Schockley na empresa norte-americana Bell Telephones Laboratories, Inc. em 1948 (Fig. 6.1). Fig. 6.1 Primeiro Transistor (fonte: www.bell-labs.com) Com a invengao dos transistores as valvulas, dispositivos até entao empregados para amplificar um sinal, tornaram-se obsoletas. O Transistor tem muitas vantagens em relagao a valvula: ele nao tem filamento, logo consome uma poténcia muito menor; tem uma vida util enorme, em razao dos materiais semicondutores, e tem dimensdo reduzida, o que permitiu a construgao dos circuitos integrados (CI's). CEFETSCEletrénica Geral 74 6.2 Construcao Os transistores bipolares tém esta denominagéo em razéo de funcionarem com elétrons ¢ lacunas. Existem também transistores unipolares, cujo funcionamento depende de apenas um tipo de carga elétron ou lacuna. E © caso dos transistores de efeito de campo. Neste capitulo estudaremos apenas os transistores bipolares por serem utilizados na maioria das aplicagées, © transistor bipolar é constituido por trés camadas de materiais semicondutores tipo N ou P justapostas alternadamente, Tém-se entao duas possibilidades, como mostra a Fig. 6.2, transistor tipo NPN e transistor tipo PNP. Deste modo, o transistor bipolar é um dispositivo que possui trés terminais e duas jungdes. Os terminais externos sao denominados de emissor (E), base (B) e coletor (C). (a) ©) Fig. 6.1 Tipos e simbolos dos transistores bipolares (a) NPN e (b) PNP. © coletor, a base © 0 emissor possuem dopagem e dimensées diferentes. O emissor é densamente dopado, a base ¢ fina e fracamente dopada e © coletor tem maior dimensao e doparem intermediéria. Conforme a aplicacéo os transistores apresentam formas bastante diversas. A Fig. 6.2 ilustra alguns tipos de transistores. CEFETSCEletrénica Geral 75 6.3 Verificagao do Estado de Transistores O transistor pode ser compreendido, de um modo simplificado, como dois diodos justapostos, como mostra a Fig. 6.3, um na jungao base-emissor € outro na jungao base-coletor. Para verificar 0 estado de um transistor, se bom ou danificado, basta testar a continuidade nestas jungdes. Portanto, entre. base e coletor, empregando um multimetro, deve-se obter continuidade em apenas um sentido. © mesmo acontece entre base e emissor. Entre coletor e emissor temos dois diodos em sentidos opostos, portanto, nao deve haver continuidade polarizando 0 emissor positivamente eo coletor negativamente ou vice-versa. Qualquer resultado diferente dos expostos acima implica que o transistor esta danificado! N P N P- F Er N wz Su Hea E Fig. 6.3 Decomposigao de transistores NPN e PNP em diodos. E possivel também testar um transistor empregando um Ohmimetro. Neste caso, para a juncao base-emissor obtém-se resisténcia baixa em um sentido e elevada no outro sentido de polarizagéo. © mesmo acontece para a jungao base-coletor. Entre coletor e emissor obtém-se um valor elevado de resisténcia nos dois sentidos de polarizagao. 6.4 Polarizagao (Configuragao base-comum) O transistor apresenta duas jungdes: a jungao base-emissor e a jungao base-coletor. Cada jungéo pode ser polarizada diretamente ou reversamente, ‘como no caso do diodo. Para entendermos com mais facilidade a polarizago do transistor a configuragdo base-comum se mostra mais eficiente, pois conectamos duas fontes de tensdo diretamente a estas juncdes tendo a base como um terminal comum as duas fontes. Mais a frente estudaremos a Configuracdo emissor-comum, pois a configuragao mais empregada. CEFETSCEletrénica Geral 76 6.5 Polariza¢éo DIRETA/DIRETA (Regiao de Saturaeao) Res Fig. 6.4 Transistor funcionando na regio de saturapao. Neste caso, as jungdes base-emissor e base -coletor estdo polarizadas diretamente. O terminal positivo da fonte 1 esta na base (material tipo P) e 0 negativo no emissor (material tipo N) e o terminal positivo da fonte 2 esta na base (material tipo P) e o negativo no coletor (material tipo N). De modo simplificado, podemos considerar o transistor como uma chave fechada entre emissor e coletor, pois as duas jungdes estao polarizadas diretamente. 6.6 Polarizagéo REVERSA/REVERSA (Regiao de Corte) Re « Fig. 6.5 Transistor funcionando na regio de corte, Neste caso, as jungdes base-emissor e base-coletor estado polarizadas reversamente. O terminal negativo da fonte 1 esta na base (material tipo P) e 0 Positivo no emissor (material tipo N) e 0 terminal negativo da fonte 2 esta na base (material tipo P) e 0 positivo no coletor (material tipo N). De modo simplificado, podemos considerar o transistor como uma chave aberta entre emissor € coletor, pois as duas jung6es estado polarizadas reversamente. 6.7 Polarizacao DIRETA/REVERSA (Regido Ativa Direta- RAD) le=ib tle Fig. 6.6 Transistor funcionando na regio ativa direta RAD. CEFETSCEletrénica Geral 7 Neste caso, a juno base-emissor esta polarizada diretamente e a jungao base-coletor reversamente. O terminal positivo da fonte 1 esté na base (material tipo P) © o negativo no emissor (material tipo N) e 0 terminal negativo da fonte 2 esta na base (material tipo P) e o positivo no coletor (material tipo N). Como a dimensao e a dopagem das camadas de material semicondutor do emissor, do coletor e da base sao distintas, as duas jungdes nao se comportam necessariamente como dois diodos. Na verdade a jungao base coletor, neste caso, vai conduzir uma correnie elétrica mesmo estando polarizada diretamente, Como isto acontece? Neste caso, 0 pdlo negativo da fonte 1 repele os elétrons livres do emissor (N) em diregéo a base. Como a base é fina e fracamente dopada, a maioria deles atravessam-na em diregao ao coletor, atraidos pelo pélo positivo da fonte 2. Observe o fluxo de elétrons na Fig. 6.6: a maioria dos elétrons passa diretamente do emissor para o coletor, apenas uma pequena parte passa pela base. A tensdo na jungao base-emissor (polarizada diretamente) & aproximadamente 0,7V e na jungao base-coletor (reversamente polarizada) depende da:tensao imposta pela fonte 2, Mesmo com o aumento da barreira de potencial da jung&o base-coletor devido a tensao reversa imposta sobre ela, o fluxo de elétrons que sai do emissor e vai para o coletor ¢ aproximadamente constante. © efeito de amplificagéo do transistor pode ser de uma maneira superficial explicado devido a diferenga de resisténcias das jungdes: = base-emissor, polarizagao direta — resisténcia baixa = base-coletor, polarizagao reversa _— resisténcia elevada Observe na Fig. 6.6 que do fluxo de elétrons emitido pelo emissor uma pequena parte vai para a base e o restante 6 coletado pelo coletor. As correntes elétricas tem sentido contrério ao fluxo de elétrons e podem ser relacionadas pela expressao: Te=IbtIg A corrente Ic 6 aproximadamente igual a le, ou seja, uma corrente constante passa de um circuito de baixa impedancia para um de alta impedancia elevando a tensao. Na regido Ativa Direta é definido o ganho cc ou hfe (hfe é mais comum nos catélogos de fabricantes) do transistor: Te P= =p Para a maioria dos transistores este ganho se situa entre 30 e 800. Este ganho representa um parametro fundamental do funcionamento do transistor bipolar. Ele indica que se impormos a corrente na base, a corrente de coletor estaré automaticamente definida Ic=f.[b. Em outras palavras, Podemos controlar o valor da corrente de coletor através da corrente de base. CEFETSCEletrénica Geral 78 E importante observar que esta relacdo entre corrente de base e de coletor so 6 valida na regido ativa direta (RAD). Um outro ganho também é definido para esta regiao: i Te Mais que 95% dos elétrons injetados no emissor atingem o coletor. Portanto, Ic é praticamente igual a le. Para a maioria dos transistores acc esta entre 0,95 e 0,99. Os ganhos podem ser relacionados pelas expressées: 6.8 Curvas de Coletor (Configura¢ao Emissor-comum) Apesar de a configuragéo base-comum ser mais interessante para a compreensao da polarizagao do transistor, na pratica, a configuragao mais usual é a configuragéo emissor-comum, onde as fontes que polarizam o transistor tém um terminal comum: o emissor. Através da configuraco emissor-comum pode-se estabelecer facilmente a corrente de base e controlar a corrente que circula no coletor. A configuracao emissor-comum apresenta duas malhas:amalha _base-emissor e a malha coletor-emissor. Fig. 6.7 Configuragao emissor-comum. Na configuracao emissor-Comum deve-se observar com maior cuidado a polarizagao da jungao base-coletor, visto que nao existe uma fonte ligada diretamente nesta jungao. Esta jungao estd diretamente polarizada quando a tensdo Vbc é positiva , ou seja, a base (material P neste caso) tem um potencial maior que o coletor (N). Para Vbe ser positiva, Vbe deve ser maior que Vee. = Para obtermos as curvas de coletor lexVce, 6 necessério variar a tensdo Vee e medir a corrente Ic, mantendo a corrente de base fixa. A compreensdo das curvas de coletor 6 fundamental para o entendimento de citcuitos transistorizados. ‘CEFETSCPS SSS SSS SSSSSSSSSessesessesesesseseseseseseseseseseseseseeSESSeSSSS Eletronica Geral 79 Fica mais facil a compreensao se fizermos um exemplo numérico. No circuito acima deve-se fixar a corrente de base através da bateria Vbb e do fesistor rb. Se, por exemplo, Vbb=10,7V ¢ Rb=1MQ, temos na malha base- emissor: Vbb = RbIb, + Vbe Observe que a jungao base-emissor estd polarizada diretamente, 0 terminal positivo da fonte Vbb esta no material P (base) ¢ o terminal negativo no material N (emissor), ou seja, ela funciona exatamente como um diodo polarizado diretamente. Portanto a tens4o Vbe 6 aproximadamente igual a 0,7 V. A corrente de base pode entdo ser calculada por: Vbb-Vbe _10,7-0,7 Ib i Rb 1-10° 10nA Através da variagéo da fonte Vec_medimos os valores de Vce e Ic. A figura abaixo mostra a curva de coletor lexVce para este caso. Para Vce de 0a 0,7V, Ic aumenta rapidamente devido a polarizagao direta da jungao base- coletor (Regiao de Saturagao). Note que para polarizar reversamente a jungao base-coletor 6 necessario que Vee seja maior que 0,7 aproximadamente. A partir de 0,7V, 0 aumento de Vce praticamente nao influencia a corrente Ic: estamos na Regio Ativa Direta. Podemos, entao, identificar facilmente as regides de funcionamento do transistor: Se existe corrente de base, a jungao base-emissor esta polarizada diretamente. Se Vee estiver entre 0 e 0,7V, a jungao base-coletor esta polarizada diretamente. Neste caso o transistor esta saturado. Se Vce for superior a 0,7V, e corrente de base maior que zero, 0 transistor esta na Regiao Ativa Direta. Vee(sane0.7 v Vee Fig. 6.8 Curva de coletor para corrente de base Ib,=10h. CEFETSCEletrénica Geral 80 Fixamos uma nova corrente de base, através da variagao de Vbb ou rb. Se fizermos Vbb=20,7V, a nova corrente de base sera Ib2=20uA , variando novamente Vcc e medindo Vce e Ic obtemos uma nova curva de coletor. Desta forma uma familia de curvas pode ser obtida facilmente, como mostra a figura abaixo: Beo= hfe = 100 Ih= 40 pA, 3A, ist acl | Ib=0 A Iceo=0A ,Regifo de Corte /_ Vee(sat)=0.7 V ‘Veeo Voe Ke Fig. 6.9 Curvas de coletor para diversas correntes de base. Para forgarmos 0 transistor a trabalhar na Regio de Corte (Chave felHaita) temos que fazer Ib=0 através de uma tensao reversa na jungao base- emissor (Vbb negativo) ou, simplesmente, abrindo-se a base. Neste caso o transistor funciona como dois diodos em série porém com sentidos contrérios: Fig. 6.100 transistor na regiéo de corte, O transistor no corte, entao, funciona como chave aberta. A corrente Ic 6 igual a le e é denominada de Iceo (corrente de coletor para o emissor com a base aberta), seu valor é desprezivel: devido apenas aos portadores CEFETSC= = = = = » = » = > = = = = = = = 2 = = = = 2 = = = = aa = = =i = a = = 5 = = = . Eletrénica Geral 81 minoritérios e corrente de fuga superficial. Na pratica consideramos Iceo=0. A tens4o Vceo (Tenso entre coletor e emissor para a base aberta) é igual a Vee, pois a queda de tensao em Re é zero (Re.Iceo=0) 6.9 Poténcia do Transistor A poténcia do transistor 6 definida pelo produto entreVce ¢ Ic: P = Vee Ie] Além da poténcia deve ser respeitado os limites maximos para Vce, ou seja, Veeo e para a corrente de coletor Ic(max). Tanto a poténcia como Vce e a corrente maxima de coletor podem ser encontradas no catdlogo do transistor. Na Fig. 6.9 pode-se observar que para niveis de corrente de coletor maiores a tensao Vee de ruptura, para a qual o transistor queima, diminui, mantendo-se a poténcia constante. No projeto de circuitos com transistores estes valores devem ser rigorosamente respeitados. 6.10 Reta de Carga Fig. 6.11 Configuragao emissor-comum. No circuito acima podemos facilmente impor uma corrente de base, determinando, assim, uma curva especifica IcxVce. Esta curva IcxVce do transistor nada mais é que uma relacdo que deve ser satisfeita, imposta pelo funcionamento do transistor. Porém, o transistor esta inserido num circuito, que possui sua propria relacao entre tensao e corrente, ou seja, a tensdo imposta a malha coletor-emissor pela fonte deve ser igual a soma das quedas de tensdo: |Vec= ReIc+ Vee A equagao acima é conhecida como reta de carga e estabelece uma outra relago entre Vce e Ic. CEFETSCtronic eral = 82 Curva de coletor do transistor para Ib fixa Reta de carga Q Ponto de operago (RAD) Veeq Fig. 6.12 Reta de carga e curva de coletor. Transistor funcionando na regio direta (RAD). Para desenhar a reta de carga precisamos encontrar os pontos em que ela cruza os eixos Ic e Vee. Fazemos entéio, Vee=0 ( corresponde ao caso que © transistor funcionaria como chave fechada —» saturagao) e substituimos este valor na equagao da reta de carga, obtemos: Vee = Rele +0 ou eat) = Vee c Fazendo agora Ic=0 (corresponde ao caso que 0 transistor funcionaria como chave teghada— corte) e substituindo este valor na equagao da reta de carga, obtemos: |. te Veo=Re.0+Vee ou [Vce(corte) = Vee]. Os valores de Vce e Ic que se estabelecerdo no circuito devem satisfazer ao mesmo tempo a curva de coletor do transistor IoxVce e a reta de carga, que depende do circuito. Quando se tem duas curvas ou equagées que dover ser satisfeitas simultaneamente, a unica solugo possivel é 0 ponto onde elas se encontram. Neste caso chamamos de ponto de operagao ou Ponto quiescente Q. Para o exemplo mostrado na figura acima a corrente de coletor 6 leq € a tensdo coletor-emissor Vceq. A regio de funcionamento para este caso é a RAD, pois Ib é diferente de zero (Jungao base-emissor com polarizagao direta) e Vee é maior que 0,7V (jungao base-coletor polarizada reversamente) Para _mudar 0 ponto de operagio do transistor basta mudarmos a corrente de base. Para Ib=0 estamos no Corte: CEFETSCSSSSSISST IST ITSP T eS ; all : : _ Eletrénica Geral 83 Reta de carga eq ‘Curva de coletor do transistor para Ib=O J Ponto de operagao (Corte) Woe lego : o7VVeeq ‘Veeq=Voe(corte)=Voc Fig. 6.13 Reta de carga e curva de coletor. Transistor funcionando na regido de corte. Se a corrente de base for elevada o transistor funciona na saturacéo: ‘Curva de coletor do transistor para tb elevada Ponto de operacto (Saturaeso) Rota de carga lep(eay ME Vee(cone}=Voe Voeg?9 Fig. 6.14 Reta de carga e curva de coletor. Transistor funcionando na regiéo de saturagao, Note que, para este caso, Ic é aproximadamente igual a Io(sat) @ Vee 6 aproximadamente zero. Mesmo fixando a corrente de base é dificil saber qual é © valor de Ic na regio ativa direta de um transistor devido a variagao do ganho Bee. 6.11 Funcionamento como chave Através da corrente injetada na base pode-se fazer o transistor funcionar como chave aberta ou como chave fechada entre coletor e emissor. Como visto acima, para funcionar como chave aberta basta fazer Ib=0. Para operar na saturagdo 6 necessario injetar uma corrente suficientemente grande na base de forma a compensar as variages de cc. Exemplo 1: Caloule a tensao Vce e a corrente Ic do circuito abaixo: CEFETSC84 Fig. 6.15 Circuito com transistor na configuracao emissor-comum. A equagao da reta de carga é 10=1000Jc+Vce. Para desenhd-la encontramos os pontos onde a mesma corta os eixos Ic e Vee: Vce=0 _Ic(sat)=10/1000=10mA (chave fechada: Saturagao) Ic=0 — Vee(corte)=10V (chave aberta: Corte) ke, fejsat)=10 ma. ow Vee(eore)=t0v Yo Fig. 6.16 Reta de carga do circuito da Fig. 6.15. Para sabermos 0 ponto de operacao é necessério conhecer a curva do transistor. Devido a vatiagéo de icc (30 a 800 aproximadamente) consideramos valor minimo possivel ficcmin=30 para desenharmos a curva de coletor do transistor. Temos na malha base-emissor: e nocoletor ..Ib = 30.1m = 30mA CEFETSC FS am 22424534, bLh, +b, a+b 55i555ii-= = = = = = = = = = = = = = = = = a 2 2 = = = 2 = = = = = = Eletrénica Geral 85 vee Fig. 6.17 Curva de coletor. Sobrepondo as duas curvas (a do transistor -curva de coletor, e a do circuito-reta de carga), temos: J ee cele doors pare Toe imae Boos |_ Ponte aera (Saar: have asad) teatrtoma i Reta ca cape do ret are Venconeeioy “VP Fig. 6.18 Reta de carga e curva de coletor. Fica claro que Ic=10mA e Vce=0V, ou seja o transistor esta funcionando como chave fechada. Mesmo que o ganho do transistor aumentasse 0 ponto de operago nao se modificaria. Exemplo 2:Para o exemplo 1 calcule Ve e Ic se Ib=0. Neste caso a curva de coletor do transistor 6 a correspondente ao corte. ‘CEFETSCEletrénica Geral 86 Reta de carga ‘Curva de coletor do transistor pare Ib=0 onto de operacao (Cort) tear - ao ON VeegaVen(cotej=t0Vv Vee Fig. 6.19 Reta de carga e curva de coletor. Temos, entao, lo aberta (Corte). e Voeq=10V. O transistor funciona como chave 6.12 Funcionamento como Fonte de Corrente +Yce Re | tb Fe Veo. jee + zh v Fig. 6.20 Transistor funcionando como fonte de corrente. No funcionamento como chave, o circuito permite que a corrente de base seja fixada. Portanto, com o transistor na RAD obtemos Ic =Bcc . Ib. O problema é que icc varia muito, fazendo com que 0 ponto de operagao do transistor possa facilmente passar da RAD para a Saturagao. O circuito acima permite que a corrente de coletor no varie, apesar da variacdo do ganho Be. Equacionado a malha base-emissor, temos Vbb=Vbe+Rele => Vbb-Vbe _ Vbb-0,7 Re Re Ic Note que, Ic depende apenas de Vb e Re, portanto nao varia. As possiveis variagdes do ganho ice sao refletidas na corrente Ib, visto que a CEFETSC ‘Rene neeeeaeneeseeeenenaneeeeecenpneeeneeneeseeneaeneeangeeaaeaneaeah87 -) letrnica Geral base foi alimentada com a tensao Vbb diretamente, sem a mediag&o do resistor Rb. A equagao da reta de carga é: Vec=Rele+Vee+Rele => Vee = Ie(Re + Re) + Vee Encontrando os pontos de corte e saturagao temos: Corte = Vec=0.(Re+Re)+Vee => Vee(corte) = Vee Saturagdo = Vec=Ic(Rc+Re)+0 => Ie(saty = Yee Re+Re eae Fe Veo(coria)=Voc Vox Fig. 6.21 Reta de carga e curva de coletor. Na figura acima mostramos 0 ponto de operago na Rad (Ic,Vce). Note que a curva de coletor do transistor nao muda, as possiveis variagdes do ganho fcc so refletidas na variagdo da corrente de base. Exemplo 3: Calcule Vce e Ic para o circuito abaixo: +10 1KQ Ie +27V Vee Fig. 6.22 Transistor funcionando como fonte de corrente. CEFETSCEletrénica Geral 88 Encontrando os pontos de corte e saturagao, temos a reta de carga: ley \ latsat)=5 ma 4) | \ \ av Vea(corie)=10 VY Fig. 6.23 Reta de carga e curva de coletor. Através da malha de base obtemos o valor de Ic: Vbb-0,7 _2,7-0,7 _ Re 1KQ 2mA Substituindo 0 valor de Ic na equagao da reta de carga obtemos (considerando Ic=le): ‘Vee = Vee— (Re + Re)Ic = 10 - (1K + 1K).2m = 6V Indicando 0 ponto de operagao na reta de carga temos: le(sal)=5 mA | Rota de carga lege2 ma | ay Veegs6V VesleonoFHOV Vee Fig. 6.24 Reta de carga e curva de coletor. CEFETSCca Geral 89 6.13 Exercicios propostos: 1.Em que regiao os transistores abaixo estao funcionando? Justifique. °) a eee) av eKow Aha 12V,)_ ov V_ = 2.Por que a corrente de coletor é quase igual a corrente de emissor se o transistor estiver na RAD? §o- 193 ara O Circuito abaixo: a)desenhe a reta de carga, b)calcule a corrente de base N c)desenhe a curva de coletor do transistor, { d)indique o ponto de operagao e os valores de Vceq e leq +5V nt | | ils cee Ce ra J ‘CEFETSCEletrénica Geral 90 4. Para o circuto abaixo: + zk a)Desenhe a reta de carga, b)Desenhe a curva de coletor do transistor. Qual o valor de loq? ©)Indique 0 ponto de operagao, d)Calcule Vceq +10v 1Ka Ir : Js - +3ve— Lh vee hs ne SOV 1KQ) 5.Um LED ligado em série com o coletor do transistor do problema 3 ira acender? Justifique. 6.Qual a poténcia dissipada no transistor do problema 4? 6.14 Respostas: 1)R.: a)RAD; b)Corte; c)Saturacao; d)Corte 2)R.: Porque neste caso, 0 pdlo negativo da fonte que polariza diretamente a jungao base-emissor repele os elétrons livres do emissor (N) em diregao & base (P). Como a base é fina ¢ fracamente dopada, a maioria deles atravessam-na em diregéo ao coletor, atraidos pelo pdlo positivo da fonte que polariza reversamente a jun¢ao base-coletor. 3) b)Ib=0,1 mA; d)leq=1 mA, Veeq=0 V (0 transistor esta funcionando na regido de saturacao) . 4)R.: b)leq=2,7 mA;c)transistor operando na RAD; Voeq=4,6 V. 5)R.: Com o LED em série a corrente de coletor cai de 1 mA para 0,8 mA devido & queda de tensao no LED (aproximadamente 2V). O LED necessita de pelo menos 10 mA para acender! 6)R.: P=2,7mAx4,6V=12,42 W. CEFETSC ARKO SHKARARARRARARRRARBRRARRRBeOKKRRRRARRKRARKRRFARARRARAARAARAAR