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Avance de Potencia
Avance de Potencia
INTEGRANTES :
Los semiconductores de carburo de silicio son una nueva tecnología en desarrollo, la cual
ha logrado obtener grandes ventajas a comparación de la tecnología que está basada solo
en silicio, debido a las buenas propiedades que tiene, en un futuro se espera que sea
comerciable y accesible, lo cual harán que el silicio quede de lado, debido a las ventajas
superiores que presentan. El carburo de silicio presenta las siguientes características como:
mayor soporte a altas temperaturas, menor tiempo de conmutación, la resistencia a
descargas disruptivas contra los campos eléctricos (aproximadamente 10 veces más), los
transistores MOSFETs tienen pocas perdidas en estado de conducción, tienen componentes
bipolares para tensiones de mayores rupturas, etc.
Según (Linder, 2007) se estima que los costos de los componentes de carburo de silicio
mantendrán sus precios elevados en un largo plazo de tiempo, a comparación de los componentes
de silicio que son del mismo tamaño. En el rango de alta potencia, consiste que los componentes
funcionen a una densidad de corriente elevada, a comparación al de los componentes de silicio, ya
que estos componentes permiten una mayor temperatura de la junta, que supere los 400 grados
centígrados y también generan minúsculas perdidas. Se encontraron algunos impedimentos para
este objetivo:
Se hace difícil crear una tecnología de encapsulado que produzcan temperaturas de junta
elevadas con el silicio, lo cual en los mayores dispositivos hechos con carburo de silicio las
pérdidas se permanecerán en los límites establecidos en los componentes de silicio.
Otro problema que surgiría en los dispositivos de carburo de silicio, es la corta duración de
conmutación en comparación al componente de silicio, por consiguiente, las inductancias
parasitas permitidas en los encapsulados son menores que el de los componentes de
silicio.
El progreso de la tecnología del carburo de silicio se ve afectado debido a los altos costos del
material y a sus dificultades técnicas en los componentes y en la tecnología de encapsulado que
reducen las esperanzas de que en un futuro se produzca el progreso del carburo de silicio en el
rango de la alta potencia.
El diodo Schottky de SiC es el primer dispositivo de potencia SiC comercializado con éxito. Los
diodos Schottky son dispositivos portadores mayoritarios y no tienen fenómenos de recuperación
inversa, una característica muy favorable para las aplicaciones de alto voltaje. La tecnología SiC
extendió el voltaje de ruptura de un diodo Schottky por encima de 1000 V, que había sido limitada
por debajo de 200 V con la tecnología Si .
La Tabla I resume las características clave del diodo Schottky de SiC (Infineon-IDW15S120).Debido
a la energía de banda ancha, la caída de tensión directa del diodo Schottky de SiC es de 1 ~ 2 V,
que es mayor que su contraparte de Si. Por lo tanto, la principal ventaja del diodo Schottky de SiC
se obtiene en aplicaciones de alto voltaje donde la mayor caída de voltaje tiene un impacto
insignificante en las pérdidas. Otra característica importante del diodo Schottky de SiC que es lo
opuesto a su contraparte de Si es que la caída de tensión directa tiene un coeficiente térmico
positivo, lo que permite la conexión paralela del diodo Schottky para manejar una corriente más
alta; debido a que la caída de tensión directa del diodo Schottky SiC a 150 ° C es casi el doble en
comparación con la temperatura ambiente, el disipador térmico para el diodo Schottky SiC debe
diseñarse con un margen suficiente para evitar el desbordamiento térmico.
- Las aplicaciones actuales de los diodos de silicio se limita a revertir , ya que bloquea tensiones
de 250 V CC. Esto se debe a diodos Schottky tiene mayor corriente de fuga inversa en
comparación con diodos pn.
- SiC permite la producción de diodos Schottky nominal de 300 y 600 V, principalmente porque
bajas corrientes de fuga son posibles porque la barrera de semiconductor metal es dos veces
mayor que el silicio, y también porque las temperaturas más altas no hacen que la corriente de
fuga SiC para aumentar a un ritmo empinada.
-El SiC tiene una cualidad importante que es su alta conductividad térmica que permite mayores
densidades de corriente, tamaños de matriz más pequeñas, paquetes más pequeños, y los
requisitos de disipador de calor más pequeños
El JFET de (SiC) se vendió antes que los interruptores de (SiC), esto se debe a que fácil de
implementar y no existe un problema de confiabilidad del óxido de compuerta como se
observa en los MOSFET de (SiC). El JFET es por lo general un interruptor de tipo ON, como
se ilustra en la Figura 1, que puede implementarse con una estructura de zanja vertical u
horizontal. El JFET normalmente de tipo ON también se denomina modo de agotamiento
JFET y se apaga completamente cuando el voltaje de la compuerta está por debajo del
voltaje de pinch-off (aproximadamente -15 V). Cuando se enciende, exhibe una constante
resistencia ON que puede minimizarse cuando el voltaje de la compuerta es ligeramente
superior a cero, como se muestra en la Figura 3.1.1
Figura 3.1.1. ID típica vs. VDS para diferentes tensiones de compuerta de tipo
normalmente encendido JFET
También es posible permitir que el FET tenga una característica normalmente da ajustando
el grosor del canal vertical y el nivel de dopaje cuando se usa la estructura de zanja
vertical. El tipo normalmente apagado de JFET también se llama modo de mejora JFET y
permanece en el OFF estado cuando la tensión de la puerta es cero y está completamente
girado en cuando el voltaje de la puerta es alrededor de 2 ~ 3 V.
Figura 3.1.2 Circuito de accionamiento de cascode convencional
(CREE-CMF20120D).
La primera agrupación alcanza una tensión de circuito abierto (Voc) de 480V y una potencia
máxima (Pmp) de 1kW a 403V. La segunda agrupación se caracteriza por tener una tensión
Voc de 800V y Pmp de 3kW a 665V.
Figura 3.3.2.1 1. Diagrama de bloques del convertidor elevador CC-CC operando como
emulador de paneles fotovoltaicos.
Fuente de potencia de entrada (VIN): Modelo Genesys 10kW, Lambda. Ofrece una salida
máxima en tensión de 600V y una corriente máxima de 17A.
Carga de salida (Rout): A fin de variar el valor de la carga de salida y poder trabajar en
diferentes puntos de operación se ha utilizado una carga electrónica DCLoad 63804 de
Chroma con características en CC de 4500W / 500V / 45A. En las pruebas realizadas con
una tensión de salida superior a 500V se ha sustituido esta carga por resistencias pasivas
del valor pertinente.
Controlador: El sistema de control se implementa en una DSP TMS320F28335SPGF de
Texas Instruments y se adquieren las diferentes señales del circuito con una resolución de
12 bits. En el DSP se incluyen también los datos de las curvas características de las
agrupaciones fotovoltaicas a emular.
Bobina de entrada (L1): tiene un valor de 1.5mH y está constituido por un núcleo de ferrita
tipo PM-114 PSH40 sobre el que se devanan 68 espiras de hilo de Litz (150 hilos de 0.2mm
de diámetro).
Condensador de salida (C1): está formado por un conjunto de condensadores tipo MKP a
fin de alcanzar un valor de 800uF / 800V.
Mosfet (M1): Este dispositivo variará en función del test a fin de realizar la comparativa
entre tecnologías de fabricación ya sea carburo de silicio (SiC) o silicio (Si).
Diodo (D): Se elige un diodo schottky C4D20120A de CREE que soporta 1200V y está
fabricado en carburo de silicio.
Disipador: los dos dispositivos de conmutación (diodo y MOSFET) van montados sobre
sendos disipadores tipo 47DN-01000-A-200 de H S MARSON con una resistencia térmica
de 1.7ºC/W. A cada disipador se le ha incorporado un ventilador del tipo EB60251B2-
0000-A99 de SUNON alimentado a 12V.
Circuito de driver: es común en todas las pruebas y dispositivos utilizados. Está formado
por un integrado HPL-316J al que se le incluye en la salida una etapa de transistores
complementarios (MJD44H11 y MJD45H11) en configuración Push-Pull que aumenta la
capacidad de corriente de ataque en la puerta hasta 8A. La tensión de driver (Vdriver) se
ha fijado entre 18V y 0V y las resistencias externas de puerta 3.9Ω paso a ON y 2.2Ω para
paso a OFF.
Como se desea minimizar las perdidas en los elementos que formal el sistema (L1, C1 y D),
densadores del tipo MKP (con resistencia serie (ESR) muy baja) y también se hará una
implementación de la bobina con hilo litz y núcleo de ferrita. Se escogió el diodo de
carburo de silicio porque permitió una subida de tensión de trabajo hasta el mismo
margen de trabajo que los MOSFETs comerciales de SiC de 1200V.
Se modelo las curvas características de los paneles fotovoltaicos haciendo uso del software
Matlab/Simulink. Los datos obtenidos son almacenados en las tablas de 4096 puntos
internas al DSP. En la Figura. 3.3.2 se adjuntan las curvas fotovoltaicas que se eligieron
para la comparación.
Figura 3.3.2.1. Curvas fotovoltaicas a emular: PMP 1kW-VMP 403V y PMP 3kW-VMP 666V.
La tensión de entrada (VIN) se fija para conseguir en ambos casos una anchura de pulso
máxima (D) alrededor del 75% cuando se alcanza la tensión de circuito abierto (VOC) y del
70% en el punto de máxima potencia (VMP), es decir:
Se obtienen unos valores de VIN =120V para la curva 1 y de VIN=200V para la curva 2.
En la tabla IV se presenta los dispositivos elegidos junto con las características más remarcables
que los caracterizan.
Los datos obtenidos en la tabla II se han conseguido de los manuales del fabricante.
3.3. CONCLUSIONES
Con los resultados obtenidos se confirma que el uso de los dispositivos actuales de SiC
quedaría enfocado a aplicaciones que precisen de tensiones mayores de 600V y potencias
elevadas
Por las características del SiC se debe recalcar que a nivel térmico debería poder trabajar a
temperaturas superiores al silicio y que, debido al encapsulado, se queda limitado a un
rango de trabajo similar. En conclusión, es necesario seguir trabajando en mejorar los
encapsulados actuales y para aumentar el abanico de dispositivos comerciales diseñados y
optimizados a fin de cubrir todo el rango de tensiones y potencias de trabajo.
Dos de los parámetros más críticos para un tiristor son el potencial incorporado (que es una
característica de cualquier intervalo de banda del material semiconductor dado) y la resistencia de
activación específica. La resistencia de encendido específica para un tiristor preferiblemente debe
ser lo más pequeña posible para maximizar la corriente por unidad de área para un voltaje dado
aplicado al tiristor.
Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs tienen
ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor de la
región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia específica
es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida que aumenta la
tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de deriva y disminuye
el dopaje de la región de deriva.
Los tiristores convencionales se fabrican en silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs), como un
rectificador controlado de silicio ("SCR"). Sin embargo, los tiristores formados en Si o GaAs tienen
ciertas limitaciones de rendimiento inherentes al material de Si o GaAs, como el grosor de la
región de deriva. El factor más importante que contribuye a la resistencia de resistencia específica
es la resistencia de la región de deriva gruesa y baja dopada del tiristor. A medida que aumenta la
tensión nominal de un tiristor, generalmente aumenta el grosor de la región de deriva y disminuye
el dopaje de la región de deriva. Por lo tanto, la resistencia de la región de deriva aumenta
dramáticamente. Por lo tanto, el grosor de la región de deriva debe minimizarse, y el nivel de
dopaje debe maximizarse, para cualquier voltaje nominal dado a fin de minimizar la resistencia
específica de encendido para el dispositivo.
La presente invención es un tiristor SiC capaz de manejar voltajes más altos operables en
un amplio rango de temperatura, y que tiene una resistencia de activación baja. Debido a
las características físicas y electrónicas de SiC, un tiristor formado en SiC proporciona una
mejora en el rendimiento de resistencia y alta temperatura en comparación con los
tiristores convencionales formados en Si o GaAs. La baja resistencia específica de
encendido, a su vez, aumenta las capacidades de frecuencia de conmutación del tiristor a
altas temperaturas y altos voltajes.
-Los métodos para formarlo, proporcionan un tiristor de SiC que tiene una baja resistencia
específica en amplios rangos de temperatura, incluidas altas temperaturas a las que los
dispositivos basados en Si fallarían térmicamente ("saltos térmicos") o se degradarían.
- Estas realizaciones ilustran el tiristor como una estructura de cuatro capas generalmente
vertical, pero otras estructuras, como una configuración horizontal.
Figura4.1.2.A :gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a
una temperatura de 300 ° Kelvin según una realización de tiristor SiC de la Figura4.1.1
Figura 4.1.2.B :gráfico gráfico del voltaje del colector frente a la corriente del colector a
623 ° Kelvin según una realización de tiristor de SiC de la Figura 4.1.1.
Figura 4.1.3 :vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor SiC pnpn de
acuerdo con una segunda realización de la presente invención.
Figura 4.1.4 : vista esquemática en sección transversal parcial de un tiristor SiC npnp según
una tercera realización de la presente invención
Figura 4.1.5 :vista fotográfica de una máscara, con 200 aumentos, utilizada para formar un
tiristor de carburo de silicio según la primera realización de la presente invención
El tiristor SiC de la presente invención tiene un sustrato, un ánodo, una región de deriva, una
puerta y un cátodo. El sustrato, el ánodo, la región de deriva, la compuerta y el cátodo están
formados preferiblemente de SiC que tiene un politipo seleccionado del grupo que consiste en
3C, 2H, 4H, 6H y 15R. En las realizaciones ilustradas, las regiones n + y n, así como las p + y p-,
se designan "+" y "-" para simbolizar diferentes niveles de dopaje respectivamente del mismo
material de una manera bien entendida por los expertos en la materia. en este art. El carburo
de silicio de tipo p se dopa preferiblemente con aluminio o boro y el carburo de silicio de tipo
n se dopa preferiblemente con nitrógeno o fósforo. En las Figuras 1, 3 y 4, todos los sustratos
se ilustran con una capa adicional sobre el mismo tipo de conductividad; por ejemplo, (11) y
(12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura 3, y (46) y (47) en la Figura 4. Estas capas adicionales
a menudo se agregan a un sustrato para ganar una región con un nivel de dopaje algo más
alto. En términos generales, tales niveles de dopaje más altos son más fáciles de producir en
capas epitaxiales que en sustratos tomados de cristales en masa. Sin embargo, se entenderá
que, en cada una de las realizaciones ilustradas y reivindicadas, una única capa que puede ser,
por supuesto, el sustrato, si se dopa satisfactoriamente, es todo lo que se requiere. Figura 3 y
4, todos los sustratos se ilustran como si tuvieran una capa adicional sobre el mismo tipo de
conductividad; por ejemplo, (11) y (12) en la Figura 1, (31) y (32) en la Figura 3, y (46), (47) en
la Figura 4.
En las realizaciones ilustradas, el sustrato se forma de SiC que tiene un tipo de conductividad y
el ánodo o el cátodo, dependiendo de la realización, se forma adyacente al sustrato y tiene el
mismo tipo de conductividad que el sustrato. En las Figuras 1 y 4, se forma una región de
deriva de carburo de silicio adyacente al ánodo o cátodo y tiene el tipo de conductividad
opuesta del ánodo o cátodo. En la Figura 3, se forma una puerta entre la región de deriva y el
cátodo (que puede ser el sustrato) y tiene el tipo de conductividad opuesta a la región de
deriva y el cátodo.
*nota :los números (11,12,31,32 ,46 ,etc ) ,son los números que están señalados en las figuras
de los tiristores.
BIBLIOGRAFIA :
-Bibliografia : Ph.D Hanseok Choi ,System and application Engineer, Fairchild semiconductor.